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JPH0950241A - Image forming device - Google Patents

Image forming device

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Publication number
JPH0950241A
JPH0950241A JP20345995A JP20345995A JPH0950241A JP H0950241 A JPH0950241 A JP H0950241A JP 20345995 A JP20345995 A JP 20345995A JP 20345995 A JP20345995 A JP 20345995A JP H0950241 A JPH0950241 A JP H0950241A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron
image forming
display panel
forming apparatus
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP20345995A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3744978B2 (en
Inventor
Toshimitsu Kawase
俊光 川瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP20345995A priority Critical patent/JP3744978B2/en
Publication of JPH0950241A publication Critical patent/JPH0950241A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3744978B2 publication Critical patent/JP3744978B2/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stable and high-definition image forming device capable of realizing stable support coping with the warpage and the waviness of a display panel, and uniform heat radiation, being safely set and having neither color slurring nor rupture. SOLUTION: This image forming device is provided with a rear plate on which an electron emission element is mounted, a face plate which is arranged to be opposed to the rear plate and on which an image forming member where an image is formed by the irradiation with an electron beam emitted from the electron emission element is mounted, and the display panel 11 where the face plate and the rear plate are formed, and the display panel 11 is constituted by providing a heat radiation member 14 through a supporting member A which can conduct heat and have an elongating and contracting function so as to support the display panel 11 by profiling the display panel 11.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子源を応用した
表示装置、記録装置等の画像形成装置に関し、薄型の画
像形成装置の放熱装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image forming apparatus such as a display device and a recording device to which an electron source is applied, and more particularly to a heat dissipation device of a thin image forming apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子放出素子として熱電子源と冷
陰極電子源の2種類が知られている。冷陰極電子源には
電界放出型(以下FE型と略す)、金属/絶縁層/金属
型(以下MIM型と略す)や表面伝導型電子放出素子等
がある。FE型の例としてはW.P.Dyke &
W.W.Dolan、”Field emissio
n”、Advance in Electron Ph
ysics、8 89(1956) あるいは C.
A.Spindt、”Physical Proper
ties of thin−film field e
mission cathodes with mol
ybdenium”、J.Appl.Phys.、47
5248(1976)等が知られている。MIM型の
例としてはC.A.Mead、”The tunnel
−emission amplifier、J.App
l.Phys.、32 646(1961)等が知られ
ている。表面伝導型電子放出素子型の例としては、M.
I.Elinson、RadioEng. Elect
ron Phys.、10(1965)等がある。表面
伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の薄
膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が
生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型電子
放出素子としては、前記エリンソン等によるSnO2
膜を用いたもの、Au薄膜によるもの[G.Dittm
er:”Thin Solid Films”、9 3
17(1972)]、In23 /SnO2 薄膜による
もの[M.Hartwell and C.G.Fon
stad:”IEEE Trans. ED Con
f.”、519(1975)]、カーボン薄膜によるも
の[荒木久 他:真空、第26巻、第1号、22頁(1
983)]等が報告されている。これらの表面伝導型電
子放出素子の典型的な素子構成として前述のM.ハート
ウェルの素子構成を従来図18に示す。同図において1
81は基板である。184は導電性薄膜で、H型形状の
パターンに、スパッタで形成された金属酸化物薄膜等か
らなり、後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処理に
より電子放出部185が形成される。尚、図中の素子電
極間隔Lは、0.5〜1mm、W’は、0.1mmで設
定されている。尚、電子放出部185の位置及び形状に
ついては、不明であるので模式図として表した。
2. Description of the Related Art Conventionally, two types of electron emitting devices, a thermionic electron source and a cold cathode electron source, are known. The cold cathode electron source includes a field emission type (hereinafter abbreviated as FE type), a metal / insulating layer / metal type (hereinafter abbreviated as MIM type), and a surface conduction type electron emission element. As an example of the FE type, W. P. Dyke &
W. W. Dolan, "Field Emissio"
n ", Advance in Electron Ph
ysics, 8 89 (1956) or C.I.
A. Spindt, "Physical Proper
ties of thin-film field e
Mission cathodes with mol
ybdenium ", J. Appl. Phys., 47.
5248 (1976) and the like are known. Examples of the MIM type include C.I. A. Mead, "The tunnel
-Emission amplifier, J. App
l. Phys. , 32 646 (1961) and the like are known. As an example of the surface conduction electron-emitting device type, see,
I. Elinson, RadioEng. Elect
ron Phys. 10 (1965) and so on. The surface conduction electron-emitting device utilizes a phenomenon in which electron emission occurs when a current is applied to a thin film having a small area formed on a substrate in parallel with the film surface. Examples of the surface conduction electron-emitting device include a device using an SnO 2 thin film by Elinson et al. And a device using an Au thin film [G. Dittm
er: “Thin Solid Films”, 93
17 (1972)], by In 2 O 3 / SnO 2 thin film [M. Hartwell and C.M. G. FIG. Fon
stad: "IEEE Trans. ED Con
f. 519 (1975)], by a carbon thin film [Hiraki Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1, p. 22 (1)
983)] has been reported. As a typical device configuration of these surface conduction electron-emitting devices, the aforementioned M.S. A conventional Hartwell device structure is shown in FIG. In FIG.
Reference numeral 81 is a substrate. Reference numeral 184 denotes a conductive thin film, which is made of a metal oxide thin film or the like formed by sputtering on an H-shaped pattern, and the electron emitting portion 185 is formed by an energization process called energization forming described later. The element electrode interval L in the figure is set to 0.5 to 1 mm, and W'is set to 0.1 mm. Since the position and shape of the electron emitting portion 185 are unknown, they are shown as a schematic diagram.

【0003】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜184を予め
通電フォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出
部185を形成するのが一般的であった。即ち、通電フ
ォーミングとは前記導電性薄膜184の両端に直流電
圧、あるいは非常にゆっくりとした昇電圧例えば1V/
分程度を印加通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形
もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子
放出部185を形成することである。尚、電子放出部1
85は導電性薄膜184の一部に亀裂が発生しその亀裂
付近から電子放出が行われる。前記通電フォーミング処
理をした表面伝導型電子放出素子は、上述導電性薄膜1
84に電圧を印加し、素子に電流を流すことにより上述
電子放出部185より電子を放出せしめるものである。
上述の表面伝導型放出素子は構造が単純で製造も容易で
あることから、大面積にわたり多数素子を配列形成でき
る利点がある。そこでこの特徴を生かせるようないろい
ろな応用が研究されている。例えば、荷電ビーム源、画
像表示装置等の表示装置があげられる。
Conventionally, in these surface conduction electron-emitting devices, it has been general that the electron-emitting portion 185 is formed in advance by conducting a current called a conductive forming process on the conductive thin film 184 before emitting electrons. That is, energization forming means a DC voltage across the conductive thin film 184, or a very slow rising voltage, for example, 1 V /
This is to form an electron-emitting portion 185 in which the conductive thin film is locally destroyed, deformed, or altered so as to have an electrically high resistance by applying a current for about a minute. The electron emission unit 1
In 85, a crack is generated in a part of the conductive thin film 184, and electrons are emitted from the vicinity of the crack. The surface conduction electron-emitting device that has been subjected to the energization forming treatment is the above-mentioned conductive thin film 1
A voltage is applied to 84 and a current is passed through the element to cause electrons to be emitted from the electron emitting portion 185.
Since the surface conduction electron-emitting device described above has a simple structure and is easy to manufacture, it has an advantage that a large number of devices can be arrayed over a large area. Therefore, various applications that can make full use of this feature are being researched. For example, a charged beam source, a display device such as an image display device may be used.

【0004】このような電子放出素子を用いた画像表示
装置としては、電子放出部を搭載したリアプレートと画
像形成部材を搭載したフェースプレートと、両者を支持
枠を介して真空封止したものが知られている。
An image display device using such an electron-emitting device is one in which a rear plate on which an electron-emitting portion is mounted, a face plate on which an image forming member is mounted, and both of which are vacuum-sealed via a support frame. Are known.

【0005】このような画像形成装置は、一般的に画像
形成部材を搭載したフェースプレートと、電子源基板を
搭載したリアプレートと、青板ガラスを切断加工して形
成した支持枠の部材をフリットガラス接着部材を用い
て、フリットガラスが溶融凝固するような温度まで昇温
し冷却することで各部材を接着し製造している。この
時、熱工程において、均一な温度上昇及び温度管理を装
置全体にわたって行うことが困難なために非線形に装置
全体が湾曲することがある。
In such an image forming apparatus, in general, a face plate having an image forming member mounted thereon, a rear plate having an electron source substrate mounted thereon, and a supporting frame member formed by cutting a soda lime glass into a frit glass. Using the adhesive member, each member is adhered and manufactured by raising the temperature to a temperature at which the frit glass melts and solidifies and then cooling. At this time, in the heat process, it may be difficult to perform uniform temperature rise and temperature control over the entire apparatus, so that the entire apparatus may be non-linearly curved.

【0006】また従来の電子放出素子を用いて薄型で大
面積の画像形成装置を製造可能であるが、形成するフェ
ースプレート、リアプレート、支持枠部材を大面積にわ
たって平面精度を保持することが困難であり画像形成装
置に反りやうねりを持つことがある。
Although it is possible to manufacture a thin image forming apparatus having a large area by using the conventional electron-emitting device, it is difficult to maintain the plane accuracy of the formed face plate, rear plate and supporting frame member over a large area. Therefore, the image forming apparatus may have a warp or undulation.

【0007】さらに、画像形成装置を駆動し表示させる
場合、リアプレート上の電子放出部の発熱とフェースプ
レート上の画像形成部材の発熱により、フェースプレー
トとリアプレート及び支持枠間に温度差が生じ熱膨張の
差により、画像形成装置に反りが発生し装置全体が湾曲
する場合がある。
Further, when the image forming apparatus is driven and displayed, a temperature difference occurs between the face plate, the rear plate and the support frame due to heat generation of the electron emitting portion on the rear plate and heat generation of the image forming member on the face plate. Due to the difference in thermal expansion, the image forming apparatus may be warped and the entire apparatus may be curved.

【0008】この結果色ずれ、輝度低下、画面の歪みが
発生し、長時間駆動すれば真空リークや装置の破壊等が
起こる恐れがあった。
As a result, color misregistration, lowering of brightness, and screen distortion occur, and there is a risk of vacuum leak or device destruction if driven for a long time.

【0009】このため、画像形成装置のもつ反りやうね
りに対応して安定に支持するとともに、駆動時に起こる
反りを抑制する均一な放熱手段が必要とされる。
For this reason, there is a need for a uniform heat radiating means for stably supporting the warp and undulation of the image forming apparatus and suppressing the warp that occurs during driving.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明は従来技術の上
記問題点を解決したフラットでかつ大型の画像形成装置
を安全に支持し、かつ均一放熱による色ずれのない高精
細な画像形成装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a high-definition image forming apparatus which solves the above problems of the prior art, safely supports a large flat image forming apparatus, and is free from color shift due to uniform heat radiation. The purpose is to provide.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的は下記手段によ
って達成される。すなわち、本発明は、電子放出素子を
搭載したリアプレートと、該リアプレートと対向配置さ
れると共に該電子放出素子から放出される電子線の照射
により画像が形成される画像形成部材を搭載するフェー
スプレートと、該フェースプレートと該リアプレートで
形成される表示パネルを有する画像形成装置において、
該表示パネルが熱伝導可能かつ伸縮機能を有する支持部
材を介して放熱部材を設けてなり、前記表示パネルの形
状にならって該表示パネルを支持するようにしたことを
特徴とする画像形成装置を提案するものであり、前記支
持部材が複数の弾性部材からなること、前記弾性部材が
複数の熱伝導部材と複数の熱伝導ばね部材からなるこ
と、前記支持部材が内部に流体を有する密閉容器からな
ること、前記密閉容器が弾性部材であること、前記表示
パネルのフェースプレートに搭載される電子放出素子が
表面伝導型電子放出素子であることを含む。
The above object can be achieved by the following means. That is, the present invention provides a face on which a rear plate on which an electron-emitting device is mounted and an image forming member which is arranged to face the rear plate and on which an image is formed by irradiation of an electron beam emitted from the electron-emitting device is mounted. In an image forming apparatus having a plate, a display panel formed of the face plate and the rear plate,
An image forming apparatus, characterized in that the display panel is provided with a heat radiating member via a supporting member capable of conducting heat and having an expanding / contracting function, and the display panel is supported according to the shape of the display panel. It is proposed that the support member is composed of a plurality of elastic members, the elastic member is composed of a plurality of heat conduction members and a plurality of heat conduction spring members, the support member from a closed container having a fluid inside That is, the closed container is an elastic member, and the electron-emitting device mounted on the face plate of the display panel is a surface conduction electron-emitting device.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を参照して詳
細に説明する。図1は本発明の一例を示す画像形成装置
の要部断面図であり、図13は本発明の画像形成装置の
一例を示す概略構成図である。図1において11は表示
パネル、12は熱伝導部材、13は伸縮機能を有する支
持部材であるばね部材、14は放熱部材である。表示パ
ネル11は図13に示すように電子放出素子の一対の素
子電極をX方向配線122及びY方向配線123により
接続して基板上に作製した電子源基板121を搭載した
リアプレート131と該リアプレート131と対向配置
され電子放出素子から放出される電子線の照射により画
像が形成される画像形成部材を搭載したフェースプレー
ト136と両プレート131、136間に配置された支
持枠132とで構成されている。フェースプレート13
6に搭載される画像形成部材はガラス基板133に蛍光
膜134とメタルバック135とを順次積層して構成さ
れている。本発明の画像形成装置は前記のような表示パ
ネルを有する画像形成装置であって、図1に示すように
表示パネル11と放熱部材14との間に熱伝導部材12
と伸縮性のあるばね部材13とよりなる複数個の支持部
材Aを介して一体化してある。なお熱伝導部材12とば
ね部材13は同一材料で構成しても異種の材質で構成し
てもいずれでもよい。該支持部材Aは表示パネル11の
形状の変化にならって伸縮し得るように取着されること
が特に肝要であり、支持部材Aの熱伝導部材12が1〜
100mm程度の間隔になるように設けるのが好まし
い。以上の構成により表示パネル11に非線形の反りが
生じてもばね部材13が放熱部材14と表示パネル11
の間の間隔をばね部材13の伸縮により自己調整し得る
ので表示パネル11に反りを生じさせることなく極めて
安定に表示パネル11を支持することができる。また表
示パネル11の駆動により発生する熱は熱伝導部材12
及びばね部材13を通じて伝導し、最終的に放熱部材1
4で放熱されるので、表示パネル11の反りの拡大を防
止できるものである。この場合、ばね部材13を熱伝導
性の材料で構成すれば熱伝導がより円滑に行われるので
好ましい。前記熱伝導部材12としてはアルミニウム、
銅、熱伝導性ゴム等の板材が挙げられる。ばね部材13
としてはステンレス、鋼等の弾性材料が挙げられ、形状
は渦巻き状、片持梁状等ばね効果を奏し得る適宜の公知
の形状を選択できる。表示パネル11と熱伝導部材12
との固着手段及び熱伝導部材12とばね部材13との固
着手段並びに放熱部材14とばね部材13との固着手段
は双方の材質の組合せを考慮して溶接、熱伝導テープに
よる接着、導電性接着剤による接着等の公知の手段の中
から適宜選択できる。図3は本発明の画像形成装置の別
の例を示すもので、この例では支持部材Aとして熱伝導
部材12の端部同志をばね部材13を介して直列に相互
に連結したものを用いている。前記支持部材Aの熱伝導
部材12を図3のように表示パネル11の裏面に固着し
て取付け、該表示パネル11により浅底箱状に形成され
た放熱部材14の開口部を閉塞するように支持部材Aの
両端のばね部材13を介して支持部材Aが固着された表
示パネル11を放熱部材14に取着してある。以上のよ
うな構成により表示パネル11に反りが生じてもばね部
材13の伸縮により自己調整され、極めて安定に支持さ
れる。さらにこの状態で表示パネル11を駆動しても駆
動により発生した熱は熱伝導部材12、ばね部材13を
通じて伝導され、最終的に放熱部材14の表示パネル1
1の反りが拡大されることはない。更に図5は本発明の
別の例を示す断面図であり、この例では表示パネル11
と放熱部材14との間に水等の熱伝導流体を密封した密
閉袋からなる熱伝導支持部材51を挟み込んだ構成から
なるものである。上記の構成にすることにより前記の図
1及び図3の例と同様の効果を奏するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of an essential part of an image forming apparatus showing an example of the present invention, and FIG. 13 is a schematic configuration diagram showing an example of the image forming apparatus of the present invention. In FIG. 1, 11 is a display panel, 12 is a heat conducting member, 13 is a spring member which is a supporting member having an expanding and contracting function, and 14 is a heat radiating member. As shown in FIG. 13, the display panel 11 has a rear plate 131 on which a pair of device electrodes of an electron-emitting device are connected by an X-direction wiring 122 and a Y-direction wiring 123, and an electron source substrate 121 mounted on the substrate and the rear plate 131. The plate 131 includes a face plate 136 that is arranged to face the plate 131 and has an image forming member on which an image is formed by irradiation with an electron beam emitted from an electron-emitting device, and a support frame 132 that is arranged between the plates 131 and 136. ing. Face plate 13
The image forming member mounted on No. 6 is configured by sequentially stacking a fluorescent film 134 and a metal back 135 on a glass substrate 133. The image forming apparatus of the present invention is an image forming apparatus having the display panel as described above, and as shown in FIG. 1, the heat conducting member 12 is provided between the display panel 11 and the heat radiating member 14.
And a plurality of supporting members A composed of a stretchable spring member 13 are integrated. The heat conducting member 12 and the spring member 13 may be made of the same material or different materials. It is particularly important that the support member A is attached so that it can expand and contract according to the change in the shape of the display panel 11, and the heat conduction members 12 of the support member A are
It is preferable to provide them at intervals of about 100 mm. With the above configuration, the spring member 13 and the display panel 11 can be connected to each other even if the display panel 11 is non-linearly warped.
Since the interval between them can be self-adjusted by the expansion and contraction of the spring member 13, the display panel 11 can be supported very stably without causing the display panel 11 to warp. The heat generated by driving the display panel 11 is generated by the heat conducting member 12
And the heat is transmitted through the spring member 13, and finally the heat dissipation member 1
Since the heat is dissipated at 4, the warp of the display panel 11 can be prevented from expanding. In this case, it is preferable that the spring member 13 is made of a heat conductive material because heat conduction can be performed more smoothly. Aluminum as the heat conducting member 12,
Plate materials such as copper and heat conductive rubber may be used. Spring member 13
Examples of the material include elastic materials such as stainless steel and steel. As the shape, a spiral shape, a cantilever shape, or any other suitable known shape that can exhibit a spring effect can be selected. Display panel 11 and heat conducting member 12
The fixing means for fixing the heat conducting member 12, the fixing means for fixing the heat conducting member 12 and the spring member 13, and the fixing means for fixing the heat radiating member 14 and the spring member 13 are welded, bonded with a heat conductive tape, and electrically conductive bonded in consideration of a combination of both materials. It can be appropriately selected from known means such as adhesive bonding. FIG. 3 shows another example of the image forming apparatus of the present invention. In this example, as the supporting member A, one in which the end portions of the heat conducting member 12 are connected in series via the spring member 13 is used. There is. The heat conducting member 12 of the supporting member A is fixedly attached to the back surface of the display panel 11 as shown in FIG. 3, and the opening of the heat dissipation member 14 formed in a shallow box shape by the display panel 11 is closed. The display panel 11 to which the support member A is fixed is attached to the heat dissipation member 14 via the spring members 13 at both ends of the support member A. With the above configuration, even if the display panel 11 is warped, it is self-adjusted by the expansion and contraction of the spring member 13 and is extremely stably supported. Further, even if the display panel 11 is driven in this state, the heat generated by the driving is conducted through the heat conducting member 12 and the spring member 13, and finally the display panel 1 of the heat radiating member 14 is driven.
The warp of 1 is not enlarged. Further, FIG. 5 is a cross-sectional view showing another example of the present invention. In this example, the display panel 11 is shown.
The heat conducting support member 51, which is a sealed bag in which a heat conducting fluid such as water is hermetically sealed, is sandwiched between the heat dissipating member 14 and the heat dissipating member 14. With the above-mentioned structure, the same effect as that of the example of FIGS. 1 and 3 can be obtained.

【0013】本発明で用いる冷陰極電子源は、単純な構
成であり、製法が容易な表面伝導型電子放出素子が好適
である。本発明に用いることのできる表面伝導型電子放
出素子は基本的に平面型表面伝導型電子放出素子及び垂
直型表面伝導型電子放出素子の2種類があげられる。図
7は基本的な表面伝導型電子放出素子の構成を示す模式
的平面図及び断面図である。図7において71は基板、
72、73は素子電極、74は導電性薄膜、75は電子
放出部である。基板71としては、石英ガラス、Na等
の不純物含有量の少ないガラス、青板ガラス、SiO2
を表面に形成したガラス基板及びアルミナ等のセラミッ
クス基板が用いられる。素子電極72、73の材料とし
ては一般的導電体が用いられ、例えばNi、Cr、A
u、Mo、W、Pt、Ti、Al、Cu、Pd等の金属
或は合金及びPd、Ag、Au、RuO2 、Pd−Ag
等の金属或は金属酸化物とガラス等から構成される印刷
導体、In23 −SnO2 等の透明導電体及びポリシ
リコン等の半導体材料から適宜選択される。素子電極間
隔Lは好ましくは数百オングストロームより数百マイク
ロメートルである。また素子電極間に印加する電圧は低
い方が望ましく、再現良く作成することが要求されるた
め、特に好ましい素子電極間隔は数マイクロメートルよ
り数十マイクロメートルである。素子電極長さWは電極
の抵抗値、電子放出特性から数マイクロメートルより数
百マイクロメートルであり、また素子電極72、73の
膜厚は、数百オングストロームより数マイクロメートル
が好ましい。
The cold cathode electron source used in the present invention is preferably a surface conduction electron-emitting device which has a simple structure and is easy to manufacture. There are basically two types of surface conduction electron-emitting devices that can be used in the present invention: a planar surface conduction electron-emitting device and a vertical surface conduction electron-emitting device. FIG. 7 is a schematic plan view and a sectional view showing the structure of a basic surface conduction electron-emitting device. In FIG. 7, 71 is a substrate,
Reference numerals 72 and 73 are element electrodes, 74 is a conductive thin film, and 75 is an electron emitting portion. As the substrate 71, quartz glass, glass with a low content of impurities such as Na, soda lime glass, SiO 2
A glass substrate and a ceramics substrate made of alumina or the like, on the surface of which are used. A general conductor is used as a material for the device electrodes 72 and 73. For example, Ni, Cr, A
Metals or alloys of u, Mo, W, Pt, Ti, Al, Cu, Pd, etc. and Pd, Ag, Au, RuO 2 , Pd-Ag.
And the like, or a printed conductor composed of a metal or metal oxide and glass, a transparent conductor such as In 2 O 3 —SnO 2 and a semiconductor material such as polysilicon. The device electrode spacing L is preferably several hundreds of angstroms to several hundreds of micrometers. In addition, it is desirable that the voltage applied between the device electrodes is low, and it is required to produce it with good reproducibility. Therefore, the particularly preferred device electrode interval is several micrometers to several tens of micrometers. The device electrode length W is preferably several micrometers to several hundreds of micrometers in view of the resistance value of the electrodes and electron emission characteristics, and the film thickness of the device electrodes 72, 73 is preferably several micrometers to several micrometers.

【0014】尚、図7の構成だけでなく、基板71上に
導電性薄膜74、素子電極72、73の電極を順に形成
させた構成にしてもよい。導電性薄膜74は良好な電子
放出特性を得るために微粒子で構成された微粒子膜が特
に好ましく、その膜厚は素子電極72、73へのステッ
プカバレージ、素子電極72、73間の抵抗値及び後述
する通電フォーミング条件等によって、適宜設定される
が、好ましくは数オングストロームから数千オングスト
ロームで、特に好ましくは10オングストロームより5
00オングストロームである。そのシート抵抗値は10
の3乗乃至10の7乗オーム/□である。また導電性薄
膜74を構成する材料は、Pd、Pt、Ru、Ag、A
u、Ti、In、Cu、Cr、Fe、Zn、Sn、T
a、W、Pb等の金属、PdO、SnO2 、In2
3 、PbO、Sb23 等の酸化物、HfB2 、ZrB
2 、LaB6 、CeB6 、YB4 、GdB4 等の硼化
物、TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC、WC等
の炭化物、TiN、ZrN、HfN等の窒化物、Si、
Ge等の半導体、カーボン等があげられる。尚、ここで
述べる微粒子膜とは複数の微粒子が集合した膜であり、
その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した状態
のみならず、微粒子が互いに隣接、あるいは重なり合っ
た状態(島状も含む)の膜をさしており、微粒子の粒径
は数オングストロームから数千オングストロームであ
り、好ましくは10オングストロームより200オング
ストロームである。電子放出部75は導電性薄膜74の
一部に形成された高抵抗の亀裂であり、通電フォーミン
グ等により形成される。また亀裂内には数オングストロ
ームから数百オングストロームの粒径の導電性微粒子を
有することもある。この導電性微粒子は導電性薄膜74
を構成する物質の少なくとも一部の元素を含んでいる。
また電子放出部75及びその近傍の導電性薄膜74は炭
素及び炭素化合物を有することもある。
In addition to the structure shown in FIG. 7, the conductive thin film 74 and the device electrodes 72 and 73 may be formed in this order on the substrate 71. The conductive thin film 74 is particularly preferably a fine particle film composed of fine particles in order to obtain good electron emission characteristics. The thickness of the conductive thin film 74 is step coverage to the device electrodes 72 and 73, the resistance value between the device electrodes 72 and 73, and It is appropriately set depending on the energization forming conditions and the like, but is preferably several angstroms to several thousand angstroms, particularly preferably 10 angstroms to 5 angstroms.
00 angstroms. The sheet resistance is 10
3 to 10 7 ohms / square. The material forming the conductive thin film 74 is Pd, Pt, Ru, Ag, A.
u, Ti, In, Cu, Cr, Fe, Zn, Sn, T
a, W, Pb and other metals, PdO, SnO 2 , In 2 O
3 , oxides such as PbO and Sb 2 O 3 , HfB 2 , ZrB
2, LaB 6, CeB 6, YB 4, GdB borides such as 4, TiC, ZrC, HfC, TaC, SiC, and WC, etc., TiN, ZrN, nitrides such as HfN, Si,
Examples include semiconductors such as Ge and carbon. Incidentally, the fine particle film described here is a film in which a plurality of fine particles are aggregated,
As its fine structure, not only the state where the fine particles are individually dispersed and arranged, but also the film where the fine particles are adjacent to each other or overlap each other (including the island shape), the particle size of the fine particles is from several angstroms to several thousand angstroms. Yes, and preferably from 200 Å to 10 Å. The electron emitting portion 75 is a high-resistance crack formed in a part of the conductive thin film 74, and is formed by energization forming or the like. Further, the cracks may have conductive fine particles having a particle diameter of several angstroms to several hundred angstroms. The conductive fine particles are the conductive thin film 74.
It contains at least a part of the elements constituting the.
Further, the electron emitting portion 75 and the conductive thin film 74 in the vicinity thereof may contain carbon and a carbon compound.

【0015】図8は基本的な垂直型表面伝導型電子放出
素子の構成を示す模式的図面である。図8において図7
と同一の部材については同一符号を付与してある。80
は段差形成部である。基板71、素子電極72と73、
導電性薄膜74、電子放出部75は前述した平面型表面
伝導型電子放出素子と同様の材料で構成することがで
き、段差形成部80は絶縁性材料で構成され、段差形成
部80の膜厚が先に述べた平面型表面伝導型電子放出素
子の素子電極間隔Lに相当する。その間隔は数百オング
ストロームより数十マイクロメートルである。またその
間隔は段差形成部の製法及び素子電極間に印加する電圧
により制御することができるが、好ましくは数百オング
ストロームより数マイクロメートルである。導電性薄膜
74は素子電極72、73と段差形成部80作成後に形
成するため、素子電極72、73の上に積層される。
尚、図8において電子放出部75は段差形成部80に直
線状に形成されているように示されているが、作成条
件、通電フォーミング条件等に依存し、形状、位置とも
これに限るものではない。上述の表面伝導型電子放出素
子の製造方法としては様々な方法が考えられるが、その
一例を図9に示す。以下、図7及び図9に基づいて電子
源基板の作製方法について説明する。尚、図7と同一の
部材については同一符号を付与してある。
FIG. 8 is a schematic drawing showing the structure of a basic vertical surface conduction electron-emitting device. In FIG.
The same members are designated by the same reference numerals. 80
Is a step forming portion. Substrate 71, device electrodes 72 and 73,
The conductive thin film 74 and the electron emitting portion 75 can be made of the same material as the above-mentioned planar surface conduction electron-emitting device, and the step forming portion 80 is made of an insulating material. Corresponds to the device electrode distance L of the planar surface conduction electron-emitting device described above. The spacing is tens of micrometers rather than hundreds of angstroms. The distance can be controlled by the manufacturing method of the step forming portion and the voltage applied between the device electrodes, but it is preferably several hundred angstroms to several micrometers. Since the conductive thin film 74 is formed after the device electrodes 72 and 73 and the step forming portion 80 are formed, it is laminated on the device electrodes 72 and 73.
In FIG. 8, the electron emitting portion 75 is shown to be linearly formed on the step forming portion 80, but the shape and position are not limited to this, depending on the preparation conditions, energization forming conditions, and the like. Absent. Various methods can be considered as a method of manufacturing the above-mentioned surface conduction electron-emitting device, and one example thereof is shown in FIG. Hereinafter, a method of manufacturing the electron source substrate will be described with reference to FIGS. 7 and 9. The same members as those in FIG. 7 are designated by the same reference numerals.

【0016】1)基板を洗剤、純水および有機溶剤によ
り十分に洗浄後、真空蒸着法、スパッタ法等により素子
電極材料を堆積する。その後、フォトリソグラフィー技
術により該基板上に素子電極72、73を形成する(図
9(a))。
1) After thoroughly washing the substrate with a detergent, pure water and an organic solvent, a device electrode material is deposited by a vacuum deposition method, a sputtering method or the like. After that, the device electrodes 72 and 73 are formed on the substrate by the photolithography technique (FIG. 9A).

【0017】2)素子電極72、73を設けた基板71
に、有機金属溶液を塗布して放置することにより有機金
属薄膜を形成する。ここでいう有機金属溶液とは前述の
導電性膜74を形成する金属を主元素とする有機金属化
合物の溶液である。その後、有機金属薄膜を加熱焼成処
理し、リフトオフ、エッチング等によりパターニング
し、導電性薄膜74を形成する(図9(b))。尚、こ
こでは有機金属溶液の塗布法により説明したが、これに
限るものでなく真空蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆
積法、分散塗布法、ディッピング法、スピンナー法等に
よって形成される場合もある。
2) Substrate 71 provided with device electrodes 72 and 73
Then, an organic metal solution is applied and left standing to form an organic metal thin film. The organometallic solution mentioned here is a solution of an organometallic compound containing a metal forming the conductive film 74 as a main element. After that, the organic metal thin film is heated and baked, and patterned by lift-off, etching or the like to form the conductive thin film 74 (FIG. 9B). Although the organic metal solution coating method has been described here, the present invention is not limited to this and may be formed by a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a dispersion coating method, a dipping method, a spinner method, or the like. There is also.

【0018】3)続いて通電フォーミングと呼ばれる通
電処理を行う。通電フォーミングは素子電極72、73
間に不図示の電源より通電を行い、導電性薄膜74を局
所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造を変化させ
た部位を形成させるものである。この局所的に構造変化
させた部位を電子放出部75とよぶ(図9(c))。通
電フォーミングの電圧波形の例を図10に示す。電圧波
形は特にパルス波形が好ましく、パルス波高値が一定の
電圧パルスを連続的に印加する場合(図10a)とパル
ス波高値を増加させながら、電圧パルスを印加する場合
(図10b)とがある。まずパルス波高値が一定電圧と
した場合(図10a)について説明する。図10aにお
けるT1及びT2は電圧波形のパルス幅とパルス間隔で
あり、T1を1マイクロ秒〜10ミリ秒、T2を10マ
イクロ秒〜100ミリ秒とし、三角波の波高値(通電フ
ォーミング時のピーク電圧)は表面伝導型電子放出素子
の形態に応じて適宜選択し、適当な真空度、例えば、1
0の−5乗torr程度の真空雰囲気下で、数秒から数
十分印加する。尚、素子の電極間に印加する波形は三角
波に限定することはなく、矩形波など所望の波形を用い
ても良い。図10bにおけるT1及びT2は、図10a
と同様であり、三角波の波高値(通電フォーミング時の
ピーク電圧)は、例えば0.1Vステップ程度づつ増加
させ、適当な真空雰囲気下で印加する。
3) Subsequently, energization processing called energization forming is performed. The energization forming is performed by the device electrodes 72, 73.
An electric power is supplied from a power source (not shown) in the meantime to locally break, deform or alter the conductive thin film 74 to form a portion having a changed structure. The part where the structure is locally changed is called an electron emitting part 75 (FIG. 9C). FIG. 10 shows an example of the voltage waveform of the energization forming. The voltage waveform is particularly preferably a pulse waveform, and there are a case where a voltage pulse having a constant pulse peak value is continuously applied (FIG. 10a) and a case where a voltage pulse is applied while increasing the pulse peak value (FIG. 10b). . First, the case where the pulse peak value is a constant voltage (FIG. 10A) will be described. T1 and T2 in FIG. 10a are the pulse width and pulse interval of the voltage waveform, where T1 is 1 microsecond to 10 milliseconds, T2 is 10 microseconds to 100 milliseconds, and the peak value of the triangular wave (peak voltage during energization forming) ) Is appropriately selected according to the form of the surface conduction electron-emitting device, and has an appropriate degree of vacuum, for example, 1
It is applied for several seconds to several tens of minutes in a vacuum atmosphere of 0 −5 torr. The waveform applied between the electrodes of the element is not limited to a triangular wave, and a desired waveform such as a rectangular wave may be used. T1 and T2 in FIG. 10b correspond to those in FIG.
Similarly, the peak value of the triangular wave (peak voltage during energization forming) is increased in steps of, for example, about 0.1 V and applied in an appropriate vacuum atmosphere.

【0019】尚、この場合の通電フォーミング処理はパ
ルス間隔T2中に、導電性薄膜74を局所的に破壊、変
形しない程度の電圧、例えば0.1V程度の電圧で、素
子電流を測定し、抵抗値を求め、例えば、1Mオーム以
上の抵抗を示した時に通電フォーミング終了とする。
In the energization forming process in this case, the element current is measured at a voltage that does not locally break or deform the conductive thin film 74 during the pulse interval T2, for example, a voltage of about 0.1 V, and the resistance is measured. The value is obtained, and when the resistance is 1 M ohm or more, the energization forming is completed.

【0020】4)次に通電フォーミングが終了した素子
に活性化処理工程と呼ぶ処理を施すことが望ましい。活
性化工程とは、例えば、10の−4乗〜10の−5乗t
orr程度の真空度で、通電フォーミング同様、パルス
波高値が一定の電圧パルスを繰り返し印加する処理のこ
とであり、真空中に存在する有機物質に起因する炭素及
び炭素化合物を導電薄膜上に堆積させ素子電流If、放
出電流Ieを著しく変化させる処理である。活性化工程
は素子電流Ifと放出電流Ieを測定しながら、例え
ば、放出電流Ieが飽和した時点で終了する。また印加
する電圧パルスは動作駆動電圧で行うことが好ましい。
4) Next, it is desirable to perform a treatment called an activation treatment step on the element which has finished the energization forming. The activation step is, for example, 10 −4 to 10 −5 to t.
Similar to energization forming, this is a process of repeatedly applying a voltage pulse with a constant pulse peak value at a vacuum degree of about orr. Carbon and carbon compounds derived from organic substances existing in vacuum are deposited on a conductive thin film. This is a process of remarkably changing the device current If and the emission current Ie. The activation process is completed, for example, when the emission current Ie is saturated while measuring the device current If and the emission current Ie. Further, it is preferable that the applied voltage pulse is an operation drive voltage.

【0021】尚、ここで炭素あるいは炭素化合物とはグ
ラファイト(単、多結晶双方を指す)非晶質カーボン
(非晶質カーボン及び多結晶グラファイトとの混合物を
指す)であり、その膜厚は500オングストローム以下
が好ましく、より好ましくは300オングストローム以
下である。
The carbon or carbon compound is graphite (which refers to both single and polycrystalline) and amorphous carbon (which refers to a mixture of amorphous carbon and polycrystalline graphite), and its thickness is 500. It is preferably angstrom or less, more preferably 300 angstrom or less.

【0022】5)こうして作成した電子放出素子を通電
フォーミング工程、活性化工程における真空度よりも高
い真空度の雰囲気下に置いて動作駆動させるのが良い。
また更に高い真空度の雰囲気下で、80℃〜150℃に
加熱後動作駆動させることが望ましい。尚、通電フォー
ミング工程、活性化処理した真空度よりも高い真空度と
は、例えば約10の−6乗以上の真空度であり、より好
ましくは超高真空系であり、新たに炭素及び炭素化合物
が導電薄膜上にほとんど堆積しない真空度である。こう
することによって素子電流If、放出電流Ieを安定化
させることが可能になる。図11は、図7で示した構成
を有する素子の電子放出特性を測定するための測定評価
装置の概略構成図である。図11において、図7と同様
の符号は、同一のものを示す。また、111は、電子放
出素子に素子電圧Vfを印加するための電源、110は
素子電極2・3間の導電性薄膜74を流れる素子電流I
fを測定するための電流計、114は、素子の電子放出
部より放出される放出電流Ieを捕捉するためのアノー
ド電極、113は、アノード電極114に電圧を印加す
るための高圧電源、112は、素子の電子放出部75よ
り放出される放出電流Ieを測定するための電流計、1
15は、真空装置、116は、排気ポンプである。次に
本発明の画像形成装置について述べる。画像形成装置に
用いられる電子源基板は複数の表面伝導型電子放出素子
を基板上に配列することにより形成される。表面伝導型
電子放出素子の配列の方式には表面伝導型電子放出素子
を並列に配置し、個々の素子の両端を配線で接続するは
しご型配置(以下はしご型配置電子源基板と呼ぶ)や、
表面伝導型電子放出素子の一対の素子電極にそれぞれX
方向配線、Y方向配線を接続した単純マトリクス配置
(以下マトリクス型配置電子源基板と呼ぶ)があげられ
る。尚、はしご型配置電子源基板を有する画像形成装置
には電子放出素子からの電子の飛翔を制御する電極であ
る制御電極(グリッド電極)を必要とする。以下この原
理に基づき構成した電子源の構成について、図12を用
いて説明する。121は電子源基板、122はX方向配
線、123はY方向配線、124は表面伝導型電子放出
素子、125は結線である。尚、表面伝導型電子放出素
子124は前述した平面型あるいは垂直型どちらであっ
てもよい。同図において電子源基板121に用いる基板
は前述したガラス基板等であり、用途に応じて形状が適
宜設定される。m本のX方向配線122は、Dx1、D
x2、・・・Dxmからなり、Y方向配線123はDy
1、Dy2、・・・Dynのn本の配線よりなる。また
多数の表面伝導型素子にほぼ均等な電圧が供給される様
に材料、膜厚、配線幅が適宜設定される。これらm本の
X方向配線122とn本のY方向配線123間は不図示
の層間絶縁層により電気的に分離されてマトリックス配
線を構成する。(m、nは共に正の整数) 不図示の層間絶縁層はX方向配線122を形成した基板
121の全面或は一部に所望の領域に形成される。X方
向配線122とY方向配線123はそれぞれ外部端子を
介して引き出される。更に表面伝導型放出素子124の
素子電極(不図示)がm本のX方向配線122とn本の
Y方向配線123と結線125によって電気的に接続さ
れている。また表面伝導型電子放出素子は基板あるいは
不図示の層間絶縁層上のどちらに形成してもよい。また
詳しくは後述するが前記X方向配線122にはX方向に
配列する表面伝導型放出素子124の行を入力信号に応
じて走査するための走査信号を印加するための不図示の
走査信号発生手段と電気的に接続されている。一方、Y
方向配線123にはY方向に配列する表面伝導型放出素
子124の列の各列を入力信号に応じて、変調するため
の変調信号を印加するための不図示の変調信号発生手段
と電気的に接続されている。更に表面伝導型電子放出素
子の各素子に印加される駆動電圧は当該素子に印加され
る走査信号と変調信号の差電圧として供給されるもので
ある。上記構成において、単純なマトリクス配線だけで
個別の素子を選択して独立に駆動可能になる。つぎに以
上のようにして作成したマトリクス型配置電子源基板を
用いた画像形成装置について、図13、図14及び図1
5を用いて説明する。図13は画像形成装置の基本構成
図であり、図14は蛍光膜、図15はNTSC方式のテ
レビ信号に応じて表示をするための駆動回路のブロック
図を示し、その駆動回路を含む画像形成装置を表す。図
13において121は電子放出素子を基板上に作製した
電子源基板、131は電子源基板121を固定したリア
プレート、136はガラス基板133の内面に蛍光膜1
34とメタルバック135等が形成されたフェースプレ
ート、132は支持枠、131はリアプレートであり、
これら部材によって外囲器138が構成される。図13
において124は図7における電子放出部に相当する。
122、123は表面伝導型電子放出素子の一対の素子
電極と接続されたX方向配線及びY方向配線である。外
囲器138は、上述の如くフェースプレート136、支
持枠132、リアプレート131で外囲器138を構成
したが、リアプレート131は主に電子源基板121の
強度を補強する目的で設けられるため、電子源基板12
1自体で十分な強度を持つ場合は別体のリアプレート1
31は不要であり、電子源基板121に直接支持枠13
2を設け、フェースプレート136、支持枠132、電
子源基板121にて外囲器138を構成しても良い。図
14中142は蛍光体である。蛍光体142はモノクロ
ームの場合は蛍光体のみからなるが、カラーの蛍光膜の
場合は蛍光体の配列によりブラックストライプあるいは
ブラックマトリクスなどと呼ばれる黒色導電材141と
蛍光体142とで構成される。ブラックストライプ、ブ
ラックマトリクスが設けられる目的はカラー表示の場
合、必要となる三原色蛍光体の各蛍光体142間の塗り
分け部を黒くすることで混色等を目立たなくすることと
蛍光膜134における外光反射によるコントラストの低
下を抑制することである。ブラックストライプの材料と
しては、通常良く用いられている黒鉛を主成分とする材
料だけでなく、導電性があり、光の透過及び反射が少な
い材料であればこれに限るものではない。ガラス基板1
33に蛍光体を塗布する方法はモノクローム、カラーに
よらず沈澱法や印刷法が用いられる。また蛍光膜134
(図13)の内面側には通常メタルバック135(図1
3)が設けられる。メタルバックの目的は蛍光体の発光
のうち内面側への光をフェースプレート136側へ鏡面
反射することにより輝度を向上すること、電子ビーム加
速電圧を印加するための電極として作用すること、外囲
器内で発生した負イオンの衝突によるダメージからの蛍
光体を保護すること等である。メタルバックは蛍光膜作
製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理(通常フィルミ
ングと呼ばれる)を行い、その後Alを真空蒸着等で堆
積することで作製できる。フェースプレート136に
は、更に蛍光膜134の導電性を高めるため蛍光膜13
4の外面側に透明電極(不図示)を設けてもよい。外囲
器138は不図示の排気管を通じ、10-7torr程度
の真空度にされ、封止がおこなわれる。また外囲器13
8の封止後の真空度を維持するためにゲッター処理を行
う場合もある。これは外囲器138の封止を行う直前あ
るいは封止後に抵抗加熱あるいは高周波加熱等の加熱法
により、外囲器138内の所定の位置(不図示)に配置
されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理であ
る。ゲッターは通常Ba等が主成分であり、該蒸着膜の
吸着作用により、例えば1×10 -5torr乃至は1×
10-7torrの真空度を維持するものである。尚、表
面伝導型電子放出素子のフォーミング以降の工程は適宜
設定される。次に、マトリクス型配置電子源基板を用い
て構成した画像形成装置を、NTSC方式のテレビ信号
に基づきテレビジョン表示を行う為の駆動回路の概略構
成を図15のブロック図を用いて説明する。151は前
記表示パネルであり、また152は走査回路、153は
制御回路、154はシフトレジスタ、155はラインメ
モリ、156は同期信号分離回路、157は変調信号発
生器、VxおよびVaは直流電圧源である。
5) Energize the electron-emitting device thus created
Higher than the vacuum level in the forming and activation processes
It is better to place it in a high vacuum atmosphere and drive it.
In an atmosphere with a higher degree of vacuum, 80 ° C to 150 ° C
It is desirable to drive after heating. The energizing four
The vacuum degree is higher than that of the
Is, for example, a vacuum degree of about 10 −6 or higher, and is more preferable.
More preferably, it is an ultra-high vacuum system, and new carbon and carbon compounds
Is the degree of vacuum that hardly deposits on the conductive thin film. like this
Stabilizes the device current If and the emission current Ie by
It is possible to let FIG. 11 shows the configuration shown in FIG.
Evaluation for measuring electron emission characteristics of devices with
It is a schematic block diagram of an apparatus. In FIG. 11, similar to FIG.
The reference symbols indicate the same things. Further, 111 is an electron emission
A power source for applying a device voltage Vf to the output device, 110
Device current I flowing through the conductive thin film 74 between the device electrodes 2 and 3
ammeter for measuring f, 114 denotes electron emission of the device
For capturing the emission current Ie emitted from the part
The negative electrode 113 applies a voltage to the anode electrode 114.
Is a high voltage power supply for
Ammeter for measuring the emission current Ie emitted by
Reference numeral 15 is a vacuum device, and 116 is an exhaust pump. next
The image forming apparatus of the present invention will be described. For image forming device
The electron source substrate used is a plurality of surface conduction electron-emitting devices.
Are arranged on the substrate. Surface conduction type
A surface conduction electron-emitting device is used as the arrangement method of the electron-emitting devices.
Are arranged in parallel, and both ends of each element are connected by wiring.
Ladder layout (hereinafter referred to as ladder layout electron source substrate),
X is applied to each of the pair of device electrodes of the surface conduction electron-emitting device.
Simple matrix layout with directional wiring and Y-directional wiring connected
(Hereinafter referred to as matrix type electron source substrate)
You. An image forming apparatus having a ladder type electron source substrate
Is an electrode that controls the flight of electrons from the electron-emitting device.
Control electrode (grid electrode) is required. Hereafter this
For the configuration of the electron source constructed based on the
Will be described. 121 is an electron source substrate, and 122 is an X-direction arrangement.
Line, 123 is Y-direction wiring, and 124 is surface conduction electron emission.
The element 125 is a wire connection. In addition, the surface conduction electron-emitting device
The child 124 is either the flat type or the vertical type described above.
May be. A substrate used for the electron source substrate 121 in FIG.
Is the above-mentioned glass substrate, etc., and the shape is suitable depending on the application.
Is set accordingly. The m X-direction wirings 122 are Dx1 and Dx.
x2, ... Dxm, and the Y-direction wiring 123 is Dy
It consists of n wirings of 1, Dy2, ..., Dyn. Also
Make sure that a large number of surface conduction elements are supplied with a substantially uniform voltage.
The material, the film thickness, and the wiring width are set appropriately. Of these m
The X-direction wiring 122 and the n Y-direction wirings 123 are not shown.
Are electrically separated by the interlayer insulating layer of
Make up a line. (M and n are both positive integers) The interlayer insulating layer (not shown) is a substrate on which the X-direction wiring 122 is formed.
It is formed in a desired region on the whole surface or a part of 121. X direction
The external wiring 122 and the Y-directional wiring 123 are external terminals, respectively.
Withdrawn through. Further, the surface conduction electron-emitting device 124
The device electrodes (not shown) include m X-direction wirings 122 and n
It is electrically connected by the Y-direction wiring 123 and the connection 125.
Have been. The surface conduction electron-emitting device is a substrate or
It may be formed either on the interlayer insulating layer (not shown). Also
As will be described later in detail, the X-direction wiring 122 has
The array of surface conduction electron-emitting devices 124 is arranged to respond to an input signal.
(Not shown) for applying a scanning signal for simultaneously scanning
It is electrically connected to the scanning signal generating means. On the other hand, Y
The surface wiring type emission elements arranged in the Y direction are included in the direction wiring 123.
To modulate each of the rows of child 124 in response to an input signal
Modulation signal generating means (not shown) for applying the modulation signal of
Is electrically connected to. Furthermore, surface conduction electron-emitting devices
The drive voltage applied to each element of the child is not applied to that element.
Is supplied as the difference voltage between the scanning signal and the modulation signal.
is there. In the above configuration, with simple matrix wiring
Individual elements can be selected and driven independently. Next
Matrix type electron source substrate created as above
Regarding the image forming apparatus used, FIG. 13, FIG. 14 and FIG.
This will be described using 5. FIG. 13 shows the basic structure of the image forming apparatus.
FIG. 14 is a diagram, FIG. 14 is a phosphor screen, and FIG. 15 is an NTSC system test.
Block of drive circuit for displaying according to rev signal
The figure shows the image forming apparatus including the driving circuit. Figure
In No. 13, 121 is an electron-emitting device formed on a substrate.
An electron source substrate 131 is a rear to which the electron source substrate 121 is fixed.
The plate 136 is a fluorescent film 1 on the inner surface of the glass substrate 133.
34 with a metal back 135 and the like
, 132 is a support frame, 131 is a rear plate,
The envelope 138 is configured by these members. FIG.
Reference numeral 124 corresponds to the electron emitting portion in FIG.
122 and 123 are a pair of surface conduction electron-emitting devices.
The X-direction wiring and the Y-direction wiring connected to the electrodes. Outside
The envelope 138 includes the face plate 136 and the support as described above.
The envelope 138 is configured by the holding frame 132 and the rear plate 131.
However, the rear plate 131 is mainly used for the electron source substrate 121.
Since it is provided for the purpose of reinforcing the strength, the electron source substrate 12
Separate rear plate 1 if 1 itself has sufficient strength
31 is unnecessary, and the support frame 13 is directly attached to the electron source substrate 121.
2, the face plate 136, the support frame 132,
The envelope 138 may be configured by the sub-source substrate 121. Figure
142 out of 14 is a phosphor. The phosphor 142 is monochrome
In the case of the dome, it consists only of the phosphor, but of the color phosphor film
In some cases, black stripes or
A black conductive material 141 called a black matrix
And a phosphor 142. Black stripe
The purpose of the rack matrix is to display color.
Coating between the phosphors 142 of the three primary color phosphors required
By making the division part black, it makes the color mixture inconspicuous
Low contrast due to external light reflection on the fluorescent film 134
To suppress the bottom. With black stripe material
Is a material whose main component is graphite, which is commonly used.
It is not only a material, but also conductive and has little light transmission and reflection.
If it is a good material, it is not limited to this. Glass substrate 1
The method of applying phosphor to 33 is monochrome or color
Regardless, a precipitation method or a printing method is used. Also, the fluorescent film 134
A metal back 135 (see FIG. 1) is provided on the inner surface side of FIG.
3) is provided. The purpose of metal back is to emit phosphor
Of the light on the inner surface side is mirrored to the face plate 136 side
The brightness is improved by reflection, and the electron beam is added.
Acting as an electrode for applying fast voltage,
Fireflies from damage due to collision of negative ions generated inside the vessel
For example, to protect the light body. Metal back is made of fluorescent film
After manufacturing, smooth the inner surface of the fluorescent film (normal film
), And then depositing Al by vacuum deposition.
It can be made by stacking. On the face plate 136
In order to further increase the conductivity of the fluorescent film 134.
A transparent electrode (not shown) may be provided on the outer surface side of 4. Circumference
The container 138 is connected to an exhaust pipe (not shown) through the exhaust pipe 10-7about torr
The vacuum degree is set and the sealing is performed. Also, the envelope 13
Getter processing is performed to maintain the degree of vacuum after the sealing of item 8.
In some cases This is just before the enclosure 138 is sealed.
Heating method such as resistance heating or high frequency heating after sealing
Is placed at a predetermined position (not shown) in the envelope 138.
It is a process of heating the obtained getter and forming a vapor deposition film.
You. The getter usually has Ba as a main component, and
Due to the adsorption action, for example, 1 × 10 -Fivetorr or 1x
10-7The degree of vacuum of torr is maintained. The table
Process after forming of surface conduction electron-emitting device is appropriate
Is set. Next, using a matrix type arrangement electron source substrate
The image forming apparatus configured as
Schematic structure of a drive circuit for performing television display based on
The composition will be described with reference to the block diagram of FIG. 151 is the front
Is a display panel, 152 is a scanning circuit, and 153 is
A control circuit, 154 is a shift register, and 155 is a line memory.
Memory, 156 is a sync signal separation circuit, and 157 is a modulation signal output.
The genitals, Vx and Va, are DC voltage sources.

【0023】以下、各部の機能を説明するがまず表示パ
ネル151は端子Dox1ないしDoxmおよび端子D
oy1ないしDoynおよび高圧端子Hvを介して外部
の電気回路と接続している。このうち端子Dox1ない
しDoxmには前記画像形成装置内に設けられている電
子源、すなわちM行N列の行列状にマトリクス配線され
た表面伝導型電子放出素子群を一行(N素子)ずつ順次
駆動してゆく為の走査信号が印加される。一方、端子D
y1ないしDynには前記走査信号により選択された一
行の表面伝導型電子放出素子の各素子の出力電子ビーム
を制御する為の変調信号が印加される。また高圧端子H
vには直流電圧源Vaより、例えば10[kV]の直流
電圧が供給されるが、これは表面伝導型電子放出素子よ
り出力される電子ビームに蛍光体を励起するのに十分な
エネルギーを付与する為の加速電圧である。次に走査回
路152について説明する。同回路は内部にM個のスイ
ッチング素子を備えるもので(図中、S1ないしSmで
模式的に示している)、各スイッチング素子は直流電圧
源Vxの出力電圧もしくは0[V](グランドレベル)
のいずれか一方を選択し、表示パネル151の端子Dx
1ないしDxmと電気的に接続するものである。S1な
いしSmの各スイッチング素子は制御回路153が出力
する制御信号Tscanに基づいて動作するものだが実
際には例えばFETのようなスイッチング素子を組み合
わせる事により構成する事が可能である。尚、前記直流
電圧源Vxは前記表面伝導型電子放出素子の特性(電子
放出しきい値電圧)に基づき走査されていない素子に印
加される駆動電圧が電子放出しきい値電圧以下となるよ
うな一定電圧を出力するよう設定されている。また制御
回路153は外部より入力する画像信号に基づいて適切
な表示が行なわれるように各部の動作を整合させる働き
をもつものである。次に説明する同期信号分離回路15
6より送られる同期信号Tsyncに基づいて各部に対
してTscan、TsftおよびTmryの各制御信号
を発生する。同期信号分離回路156は外部から入力さ
れるNTSC方式のテレビ信号から同期信号成分と輝度
信号成分とを分離する為の回路で周波数分離(フィルタ
ー)回路を用いれば構成できるものである。同期信号分
離回路156により分離された同期信号は良く知られる
ように垂直同期信号と水平同期信号より成るが、ここで
は説明の便宜上Tsync信号として図示した。一方、
前記テレビ信号から分離された画像の輝度信号成分を便
宜上DATA信号と表すが同信号はシフトレジスタ15
4に入力される。シフトレジスタ154は時系列的にシ
リアルに入力される前記DATA信号を画像の1ライン
毎にシリアル/パラレル変換するためのもので前記制御
回路153より送られる制御信号Tsftに基づいて動
作する。(すなわち制御信号Tsftは、シフトレジス
タ154のシフトクロックであると言い換えても良
い。) シリアル/パラレル変換された画像1ライン分(電子放
出素子N素子分の駆動データに相当する)のデータはI
d1乃至IdnのN個の並列信号として前記シフトレジ
スタ154より出力される。ラインメモリ155は画像
1ライン分のデータを必要時間の間だけ記憶する為の記
憶装置であり、制御回路153より送られる制御信号T
mryにしたがって適宜Id1ないしIdnの内容を記
憶する。記憶された内容はIdlないしIdnとして出
力され変調信号発生器157に入力される。変調信号発
生器157は前記画像データId1ないしIdnの各々
に応じて表面伝導型電子放出素子の各々を適切に駆動変
調する為の信号源で、その出力信号は端子Doy1ない
しDoynを通じて表示パネル151内の表面伝導型電
子放出素子に印加される。本発明に関わる電子放出素子
は放出電流Ieに対して以下の基本特性を有している。
すなわち電子放出には明確な閾値電圧Vthがあり、V
th以上の電圧を印加された時のみ電子放出が生じる。
The functions of the respective parts will be described below. First, the display panel 151 has terminals Dox1 to Doxm and a terminal D.
It is connected to an external electric circuit via oy1 to Doyn and the high voltage terminal Hv. Of these, the terminals Dox1 to Doxm sequentially drive electron sources provided in the image forming apparatus, that is, surface conduction electron-emitting device groups arranged in a matrix of M rows and N columns matrix by row (N elements). A scanning signal for application is applied. On the other hand, terminal D
A modulation signal for controlling the output electron beam of each element of the surface conduction electron-emitting devices of one row selected by the scanning signal is applied to y1 to Dyn. In addition, high voltage terminal H
A direct current voltage of, for example, 10 [kV] is supplied to v from a direct current voltage source Va, which imparts sufficient energy to excite the phosphor to the electron beam output from the surface conduction electron-emitting device. This is the acceleration voltage for Next, the scanning circuit 152 will be described. The circuit is provided with M switching elements inside (S1 to Sm are schematically shown in the figure), and each switching element is the output voltage of the DC voltage source Vx or 0 [V] (ground level).
Either one of them is selected and the terminal Dx of the display panel 151 is selected.
1 to Dxm are electrically connected. Each of the switching elements S1 to Sm operates based on the control signal Tscan output from the control circuit 153, but can actually be configured by combining switching elements such as FETs. It should be noted that the DC voltage source Vx is such that the drive voltage applied to an unscanned element is equal to or lower than the electron emission threshold voltage based on the characteristics of the surface conduction electron-emitting element (electron emission threshold voltage). It is set to output a constant voltage. Further, the control circuit 153 has a function of matching the operation of each part so that an appropriate display is performed based on an image signal input from the outside. Sync signal separation circuit 15 described next
The control signals Tscan, Tsft, and Tmry are generated for each unit based on the synchronization signal Tsync sent from S6. The sync signal separation circuit 156 is a circuit for separating a sync signal component and a luminance signal component from an NTSC system television signal input from the outside, and can be constructed by using a frequency separation (filter) circuit. The sync signal separated by the sync signal separation circuit 156 is composed of a vertical sync signal and a horizontal sync signal, as is well known, but is shown here as a Tsync signal for convenience of description. on the other hand,
The luminance signal component of the image separated from the television signal is referred to as a DATA signal for the sake of convenience.
4 is input. The shift register 154 performs serial / parallel conversion of the DATA signal serially input in time series for each line of the image, and operates based on the control signal Tsft sent from the control circuit 153. (That is, the control signal Tsft may be rephrased as the shift clock of the shift register 154.) The data of one line of the serial / parallel-converted image (corresponding to the drive data of N electron-emitting devices) is I.
The shift register 154 outputs N parallel signals d1 to Idn. The line memory 155 is a storage device for storing data for one line of an image only for a required time, and a control signal T sent from the control circuit 153.
The contents of Id1 to Idn are stored according to mry. The stored contents are output as Idl to Idn and input to the modulation signal generator 157. The modulation signal generator 157 is a signal source for appropriately driving and modulating each of the surface conduction electron-emitting devices according to each of the image data Id1 to Idn, and its output signal is output from the terminals Doy1 to Doyn in the display panel 151. Applied to the surface conduction electron-emitting device. The electron-emitting device according to the present invention has the following basic characteristics with respect to the emission current Ie.
That is, there is a clear threshold voltage Vth for electron emission, and V
Electron emission occurs only when a voltage greater than th is applied.

【0024】また電子放出閾値以上の電圧に対しては素
子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化してゆ
く。尚、電子放出素子の材料や構成、製造方法を変える
事により電子放出閾値電圧Vthの値や印加電圧に対す
る放出電流の変化の度合いが変わる場合もあるが、いず
れにしても以下のような事がいえる。すなわち、本素子
にパルス状の電圧を印加する場合、例えば電子放出閾値
以下の電圧を印加しても電子放出は生じないが電子放出
閾値以上の電圧を印加する場合には電子ビームが出力さ
れる。その際、第一にはパルスの波高値Vmを変化させ
る事により出力電子ビームの強度を制御する事が可能で
ある。第二には、パルスの幅Pwを変化させる事により
出力される電子ビームの電荷の総量を制御する事が可能
である。したがって、入力信号に応じて電子放出素子を
変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調方
式等があげられ、電圧変調方式を実施するには変調信号
発生器157としては一定の長さの電圧パルスを発生す
るが入力されるデータに応じて適宜パルスの波高値を変
調するような電圧変調方式の回路を用いる。またパルス
幅変調方式を実施するには変調信号発生器157として
は、一定の波高値の電圧パルスを発生するが入力される
データに応じて適宜電圧パルスの幅を変調するようなパ
ルス幅変調方式の回路を用いるものである。以上に説明
した一連の動作により本発明の画像形成装置は表示パネ
ル151を用いてテレビジョンの表示を行なえる。尚、
上記説明中特に記載しなかったがシフトレジスタ154
やラインメモリ155はデジタル信号式のものでもアナ
ログ信号式のものでも差し支えなく、要は画像信号のシ
リアル/パラレル変換や記憶が所定の速度で行なわれれ
ばよい。デジタル信号式を用いる場合には同期信号分離
回路156の出力信号DATAをデジタル信号化する必
要があるが、これは156の出力部にA/D変換器を備
えれば可能である。また、これと関連してラインメモリ
155の出力信号がデジタル信号かアナログ信号かによ
り、変調信号発生器157に用いられる回路が若干異な
ったものとなる。
Further, when the voltage is equal to or higher than the electron emission threshold value, the emission current also changes according to the change in the voltage applied to the device. The value of the electron emission threshold voltage Vth and the degree of change of the emission current with respect to the applied voltage may change by changing the material, configuration, and manufacturing method of the electron emitting element. I can say. That is, when a pulsed voltage is applied to this element, for example, electron emission does not occur even if a voltage below the electron emission threshold is applied, but an electron beam is output when a voltage above the electron emission threshold is applied. . At that time, first, it is possible to control the intensity of the output electron beam by changing the peak value Vm of the pulse. Second, it is possible to control the total amount of charges of the electron beam output by changing the pulse width Pw. Therefore, as a method of modulating the electron-emitting device according to the input signal, there are a voltage modulation method, a pulse width modulation method, and the like. To implement the voltage modulation method, the modulation signal generator 157 has a fixed length. A circuit of a voltage modulation system is used that generates a voltage pulse but appropriately modulates the peak value of the pulse according to the input data. Further, in order to implement the pulse width modulation method, the modulation signal generator 157 is a pulse width modulation method that generates a voltage pulse having a constant peak value but appropriately modulates the width of the voltage pulse according to the input data. The circuit of is used. Through the series of operations described above, the image forming apparatus of the present invention can display a television using the display panel 151. still,
Although not particularly described in the above description, the shift register 154
The line memory 155 may be of a digital signal type or an analog signal type, and the point is that the serial / parallel conversion and storage of the image signal may be performed at a predetermined speed. When the digital signal type is used, the output signal DATA of the sync signal separation circuit 156 needs to be converted into a digital signal, which can be achieved by providing an A / D converter at the output section of 156. Further, in connection with this, the circuit used for the modulation signal generator 157 is slightly different depending on whether the output signal of the line memory 155 is a digital signal or an analog signal.

【0025】まずデジタル信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器157には、例
えばよく知られるD/A変換回路を用い、必要に応じて
増幅回路などを付け加えればよい。またパルス幅変調方
式の場合、変調信号発生器157は、例えば高速の発振
器および発振器の出力する波数を計数する計数器(カウ
ンタ)および計数器の出力値と前記メモリの出力値を比
較する比較器(コンパレータ)を組み合せた回路を用い
ることにより構成できる。必要に応じて比較器の出力す
るパルス幅変調された変調信号を表面伝導型電子放出素
子の駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付け加
えてもよい。
First, the case of a digital signal will be described.
In the voltage modulation method, for example, a well-known D / A conversion circuit may be used as the modulation signal generator 157, and an amplification circuit or the like may be added if necessary. In the case of the pulse width modulation method, the modulation signal generator 157 includes, for example, a high-speed oscillator, a counter for counting the number of waves output from the oscillator, and a comparator for comparing the output value of the counter with the output value of the memory. It can be configured by using a circuit in which (comparators) are combined. If necessary, an amplifier for voltage-amplifying the pulse-width-modulated modulation signal output from the comparator up to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device may be added.

【0026】次にアナログ信号の場合について述べる。
電圧変調方式においては変調信号発生器157には、例
えばよく知られるオペアンプなどを用いた増幅回路を用
いればよく、必要に応じてレベルシフト回路などを付け
加えてもよい。またパルス幅変調方式の場合には例えば
よく知られた電圧制御型発振回路(VCO)を用いれば
よく、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧
にまで電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。
以上のように完成した画像形成装置において、各電子放
出素子には、容器外端子Dox1ないしDoxm、Do
y1ないしDoynを通じ、電圧を印加することによ
り、電子放出させ、高圧端子Hvを通じ、メタルバック
135、あるいは透明電極(不図示)に高圧を印加し、
電子ビームを加速し、蛍光膜134に衝突させ、励起・
発光させることで画像を表示することができる。以上述
べた構成は、表示等に用いられる好適な画像形成装置を
作製する上で必要な概略構成であり、例えば各部材の材
料等、詳細な部分は上述内容に限られるものではなく、
画像形成装置の用途に適するよう適宜選択する。また、
入力信号例として、NTSC方式をあげたが、これに限
るものでなく、PAL、SECAM方式などの諸方式で
もよく、また、これよりも、多数の走査線からなるTV
信号(例えば、MUSE方式をはじめとする高品位T
V)方式でもよい。
Next, the case of an analog signal will be described.
In the voltage modulation method, for the modulation signal generator 157, for example, an amplifier circuit using a well-known operational amplifier may be used, and a level shift circuit or the like may be added if necessary. In the case of the pulse width modulation method, for example, a well-known voltage controlled oscillation circuit (VCO) may be used, and an amplifier for amplifying the voltage to the drive voltage of the surface conduction electron-emitting device may be added if necessary. May be.
In the image forming apparatus completed as described above, each of the electron-emitting devices has terminals outside the container Dox1 to Doxm, Dox.
Electrons are emitted by applying a voltage through y1 to Doyn, and a high voltage is applied to the metal back 135 or the transparent electrode (not shown) through the high voltage terminal Hv.
The electron beam is accelerated and collided with the fluorescent film 134 to excite
An image can be displayed by emitting light. The configuration described above is a schematic configuration necessary for manufacturing a suitable image forming apparatus used for display, etc., for example, the material of each member, the detailed portion is not limited to the above description,
The selection is appropriately made to suit the application of the image forming apparatus. Also,
Although the NTSC system is given as an example of the input signal, it is not limited to this, and various systems such as PAL and SECAM systems may be used, and a TV having a larger number of scanning lines than this may be used.
Signal (for example, high-quality T including MUSE method)
V) method may be used.

【0027】次に、前述のはしご型配置電子源基板及び
それを用いた画像形成装置について図16、図17によ
り説明する。図16において、160は電子源基板、1
61は電子放出素子、162のDx1〜Dx10は前記
電子放出素子に接続する共通配線である。電子放出素子
161は、基板160上に、X方向に並列に複数個配置
される。(これを素子行と呼ぶ)。この素子行を複数個
基板上に配置し、はしご型電子源基板となる。各素子行
の共通配線間に適宜駆動電圧を印加することで、各素子
行を独立に駆動することが可能になる。すなわち、電子
ビームを放出させる素子行には、電子放出閾値以上の電
圧を電子ビームを放出させない素子行には電子放出閾値
以下の電圧を印加すればよい。また各素子行間の共通配
線Dx2〜Dx9を、例えばDx2、Dx3を同一配線
とする様にしても良い。図17ははしご型配置の電子源
を備えた画像形成装置の構造を示すための図である。1
70はグリッド電極、171は電子が通過するための空
孔、172は、Dox1、Dox2・・・Doxmより
なる容器外端子、173はグリッド電極170と接続さ
れたG1、G2、・・・Gnからなる容器外端子、16
0は前述の様に各素子行間の共通配線を同一配線とした
電子源基板である。尚、図13、図16と同一の符号は
同一の部材を示す。前述の単純マトリクス配置の画像形
成装置(図13)との違いは、電子源基板160とフェ
ースプレート136の間にグリッド電極170を備えて
いる事である。基板160とフェースプレート136の
中間には、グリッド電極170が設けられている。グリ
ッド電極170は、表面伝導型放出素子から放出された
電子ビームを変調することができるもので、はしご型配
置の素子行と直交して設けられたストライプ状の電極に
電子ビームを通過させるため、各素子に対応して1個ず
つ円形の空孔171が設けられている。グリッドの形状
や設置位置は必ずしも図17のようなものでなくともよ
く、開口としてメッシュ状に多数の通過口をもうけるこ
ともあり、また例えば表面伝導型放出素子の周囲や近傍
に設けてもよい。容器外端子172およびグリッド容器
外端子173は、不図示の制御回路と電気的に接続され
ている。
Next, the ladder type electron source substrate and the image forming apparatus using the same will be described with reference to FIGS. 16 and 17. In FIG. 16, 160 is an electron source substrate, 1
Reference numeral 61 is an electron-emitting device, and Dx1 to Dx10 of 162 are common wirings connected to the electron-emitting device. A plurality of electron-emitting devices 161 are arranged on the substrate 160 in parallel in the X direction. (This is called an element row). A plurality of this element row is arranged on the substrate to form a ladder type electron source substrate. By appropriately applying a drive voltage between the common wirings of each element row, each element row can be independently driven. That is, a voltage equal to or higher than the electron emission threshold may be applied to an element row that emits an electron beam, and a voltage equal to or lower than the electron emission threshold may be applied to an element row that does not emit an electron beam. Further, the common wirings Dx2 to Dx9 between the element rows, for example, Dx2 and Dx3 may be the same wiring. FIG. 17 is a diagram showing the structure of an image forming apparatus provided with a ladder-type electron source. 1
70 is a grid electrode, 171 is a hole through which electrons pass, 172 is an outer container terminal made of Dox1, Dox2 ... Doxm, and 173 is G1, G2, ... Gn connected to the grid electrode 170. Outer container terminal, 16
Reference numeral 0 is an electron source substrate in which the common wiring between each element row is the same wiring as described above. The same reference numerals as those in FIGS. 13 and 16 denote the same members. A difference from the image forming apparatus having the simple matrix arrangement (FIG. 13) described above is that the grid electrode 170 is provided between the electron source substrate 160 and the face plate 136. A grid electrode 170 is provided between the substrate 160 and the face plate 136. The grid electrode 170 is capable of modulating the electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device, and passes the electron beam through a striped electrode provided orthogonally to the ladder-shaped element rows, One circular hole 171 is provided corresponding to each element. The shape and installation position of the grid do not necessarily have to be as shown in FIG. 17, and a large number of passage openings may be provided in the form of a mesh as openings, and may be provided, for example, around or near the surface conduction electron-emitting device. . The outside-container terminal 172 and the grid outside-container terminal 173 are electrically connected to a control circuit (not shown).

【0028】本画像形成装置では素子行を1列ずつ順次
駆動(走査)していくのと同期してグリッド電極列に画
像1ライン分の変調信号を同時に印加することにより、
各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像を1ライ
ンずつ表示することができる。 また本発明によればテ
レビジョン放送の表示装置のみならずテレビ会議システ
ム、コンピューター等の表示装置に適した画像形成装置
を提供することができる。さらには感光性ドラム等で構
成された光プリンターとしての画像形成装置としても用
いることもできる。
In this image forming apparatus, a modulation signal for one image line is simultaneously applied to the grid electrode column in synchronization with the sequential driving (scanning) of the element rows one column at a time.
The irradiation of each electron beam to the phosphor can be controlled to display an image line by line. Further, according to the present invention, it is possible to provide an image forming apparatus suitable for not only a display device for television broadcasting but also a display device such as a video conference system and a computer. Further, it can be used as an image forming apparatus as an optical printer including a photosensitive drum or the like.

【0029】また電子放出素子として表面伝導型電子放
出素子ばかりでなく、MIM型電子放出素子、電界放出
型電子放出素子等の冷陰極電子源にも適用可能である、
更には熱電子源による画像形成装置にも適用することが
できる。
Further, not only surface conduction electron-emitting devices but also cold cathode electron sources such as MIM electron-emitting devices and field emission electron-emitting devices can be applied as electron-emitting devices.
Further, it can be applied to an image forming apparatus using a thermoelectron source.

【0030】以下に、本発明の特徴を最もよく表す具体
的な実施例を示す。実施例中の電子放出素子には、上述
の表面伝導型電子放出素子を用いた。
Specific examples showing the features of the present invention are shown below. The above-mentioned surface conduction electron-emitting device was used as the electron-emitting device in the examples.

【0031】[0031]

【実施例】【Example】

[実施例1]以下に具体的な実施例について図1を用い
て説明する。
[Embodiment 1] A specific embodiment will be described below with reference to FIG.

【0032】上述のようにして得られた表面伝導型電子
放出素子を有するマトリクス型配置電子基板(図12)
121を用いて画像形成装置を形成した。図中、パネル
11は画像形成部材を搭載したフェースプレートと、電
子源基板121を搭載したリアプレートと、青板ガラス
を切断加工して形成した支持枠の部材をフリットガラス
接着部材を用いて、フリットガラスが溶融凝固するよう
な温度まで昇温し冷却することで各部材を接着し製造し
た。フェースプレート及びリアプレートは、ガラス材料
を切断して用いた。この結果、放熱部材14とパネル1
1の間での平行が保たれない状態となった。この状態で
表示パネル11の裏面に、アルミ板材料で形成した熱伝
導部材12を10mmの間隔に分割して敷き詰めた。固
定は、不図示の熱伝導テープを用いて接着した。ここ
で、前述のパネル構成部品として用いたフェースプレー
トとリアプレートはガラス材料でその大きさが1m以上
あるため、全面にわたり均一な平面度を出すことが困難
で、反りやうねりをもつものであった。さらに、製造工
程において熱工程(昇温−冷却サイクル)を伴ったこと
で、表示パネル11は図のように非線形に湾曲した。熱
工程において、均一な温度上昇及び温度管理を表示パネ
ル11全体にわたって行うことが困難なためである。次
に、少なくとも熱伝導部材12を敷き詰めた個数分、全
てにステンレス材料を使って形成した渦巻き状の巻きば
ねの一方を溶接固定した。さらに、パネルと同等以上の
大きさのアルミ板とばね部材13の他方を溶接固定し
た。
Matrix-type arranged electronic substrate having the surface conduction electron-emitting device obtained as described above (FIG. 12)
121 was used to form an image forming apparatus. In the figure, a panel 11 is a face plate on which an image forming member is mounted, a rear plate on which an electron source substrate 121 is mounted, and a support frame member formed by cutting and processing soda lime glass using a frit glass adhesive member to frit. Each member was bonded and manufactured by raising the temperature to a temperature at which the glass melts and solidifies and then cooling. The face plate and the rear plate were used by cutting a glass material. As a result, the heat dissipation member 14 and the panel 1
The parallelism between 1 was not maintained. In this state, the heat conducting members 12 made of an aluminum plate material were spread over the back surface of the display panel 11 at intervals of 10 mm. The fixing was performed by using a heat conductive tape (not shown). Here, since the face plate and the rear plate used as the above-mentioned panel constituent parts are made of a glass material and have a size of 1 m or more, it is difficult to obtain a uniform flatness over the entire surface, and they are warped or undulated. It was Furthermore, the display panel 11 is non-linearly curved as shown in the figure due to the heat process (heating-cooling cycle) involved in the manufacturing process. This is because it is difficult to perform uniform temperature rise and temperature control over the entire display panel 11 in the heating process. Next, at least one of the spirally wound springs formed by using a stainless steel material was welded and fixed to at least the number of the heat conductive members 12 spread. Further, the aluminum plate having a size equal to or larger than that of the panel and the other of the spring members 13 were fixed by welding.

【0033】この構成により、表示パネル11が非線形
の反りを生じてもばね部材13が放熱部材14と表示パ
ネル11間の間隔を自己調整(ばねの伸縮による)でき
るため、安定に支持することができた。また本構成で
は、ばねで支持しているため外部振動に対して、除振効
果があることも確認した。
With this configuration, the spring member 13 can self-adjust the distance between the heat dissipation member 14 and the display panel 11 (due to the expansion and contraction of the spring) even if the display panel 11 has a non-linear warp, so that it can be stably supported. did it. It was also confirmed that this structure has a vibration isolation effect against external vibration because it is supported by a spring.

【0034】さらにこの状態で、表示パネル11に形成
された電子放出素子(不図示)を上述の方式で駆動し
た。この駆動で表示パネル11は、リアプレート上の電
子放出部の発熱とフェースプレート上の画像形成部材の
発熱する。この熱のため表示パネル11は、フェースプ
レートとリアプレート及び支持枠間に温度差が生じ熱膨
張の差により、反りが起きようとするが、この表示パネ
ル11の裏面全面から熱伝導テープ(不図示)、熱伝導
部材12、ばね部材13を通じて熱の伝導(高温部より
低温部へ移動すること)が起こり、最終的に大部分の熱
は、放熱部材14に送られそこで空気中に放熱される。
一部の熱は、熱伝導部材12、ばね部材13からも放熱
される。この結果、表示パネル11を駆動しても均一な
放熱が行われるので、表示パネル11は初期形状を保持
し、安定な画像表示を行うことが可能となった。
Further, in this state, the electron-emitting device (not shown) formed on the display panel 11 was driven by the above method. By this driving, the display panel 11 generates heat in the electron emitting portion on the rear plate and heat in the image forming member on the face plate. Due to this heat, the display panel 11 tends to warp due to a temperature difference between the face plate, the rear plate, and the support frame, which causes a warp due to a difference in thermal expansion. (Shown), heat conduction (moving from a high temperature portion to a low temperature portion) occurs through the heat conducting member 12 and the spring member 13, and finally most of the heat is sent to the heat radiating member 14 and is radiated into the air there. It
Part of the heat is also radiated from the heat conducting member 12 and the spring member 13. As a result, even if the display panel 11 is driven, uniform heat dissipation is performed, so that the display panel 11 can retain its initial shape and perform stable image display.

【0035】上述の構成及び工程で、 (1)パネルの反りに影響することなく支持することが
できる。 (2)パネルの駆動を行っても安定に駆動表示すること
ができる。 (3)パネルの駆動による真空リークや、装置破壊が生
じることがなく、安全で長寿命である。 という長所をもつ画像形成装置を提示できた。
With the above structure and process, (1) the panel can be supported without affecting the warp. (2) Even if the panel is driven, stable driving display can be performed. (3) It is safe and has a long life without causing a vacuum leak due to the driving of the panel or device breakdown. An image forming apparatus having the advantage of being able to be presented.

【0036】なお、固定手段は上記のテープに限定され
るものではない。ばね部材13に渦巻き状ばねを用いた
がなんらこれに限定されるものではない。 [実施例2]ばね部材の構成を図2を用いて説明する。
21は、自身でばね特性を持つように薄い金属板を周知
の湿式エッチング技術を用いて片持ちはりの構造にマト
リクス状に形成した弾性部材、22はアルミ板等の放熱
材料を有する放熱部材であり、その表面には上述の弾性
部材21が形成されている薄板を導電性接着剤を用いて
固定(図中のマトリクスに配列された片持ちはり部分以
外の場所)した。また、表示パネル11の反りを考慮し
て片持ちはりの一部分(破線部)を折り曲ることで段差
部23を構成した。表示パネル11は、弾性部材21の
段差部を除いた場所で、導電性のテープを用いて固定し
た。
The fixing means is not limited to the above tape. Although a spiral spring is used as the spring member 13, the present invention is not limited to this. [Embodiment 2] The structure of the spring member will be described with reference to FIG.
Reference numeral 21 is an elastic member in which a thin metal plate having a spring characteristic by itself is formed in a matrix shape in a cantilever structure using a well-known wet etching technique, and 22 is a heat dissipation member having a heat dissipation material such as an aluminum plate. The thin plate on which the elastic member 21 was formed was fixed on the surface thereof using a conductive adhesive (a place other than the cantilever portion arranged in the matrix in the figure). Further, in consideration of the warp of the display panel 11, a part of the cantilever (broken line portion) is bent to form the step portion 23. The display panel 11 was fixed using a conductive tape at a place excluding the step portion of the elastic member 21.

【0037】本実施例の構成により、表示パネル11が
反っていても、弾性部材21が反り量を吸収できること
で表示パネル11の全面にわたって均一な支持を行うこ
とができた。さらに、この状態でパネルを駆動しても、
駆動により発生した熱は弾性部材21を通じて伝導さ
れ、最終的に放熱部材22で放熱されるので、表示パネ
ル11の反りが拡大されることはなかった。
With the structure of this embodiment, even if the display panel 11 is warped, the elastic member 21 can absorb the amount of warping, so that the entire surface of the display panel 11 can be uniformly supported. Furthermore, even if the panel is driven in this state,
The heat generated by driving is conducted through the elastic member 21 and finally radiated by the heat radiating member 22, so that the warp of the display panel 11 is not enlarged.

【0038】本実施例により、ばね部が薄型で単純の構
造を形成できることから、画像形成装置全体の幅が大き
くなることがなく、またコスト的にも有利な構成を提示
することができた。 [実施例3]図3では、表示パネル11の裏面に設置し
た熱伝導部材12は、ばね部材13と横方向(表示パネ
ル11の主平面方向)に連結して構成した例である。表
示パネル11と熱伝導部材12の固定は、紙面X方向に
外力を加えられる(不図示)部材を設けることで行っ
た。また、熱伝導部材12とばね部材13の接続は、実
施例1と同様に溶接することで行った。さらに、ばね部
材13の構造も実施例1と同様に渦巻きばね部材を使用
し、材質はステンレスを用いた。
According to the present embodiment, since the spring portion is thin and a simple structure can be formed, the width of the entire image forming apparatus is not increased, and a cost-effective configuration can be presented. [Embodiment 3] In FIG. 3, the heat conducting member 12 installed on the back surface of the display panel 11 is connected to the spring member 13 in the lateral direction (main plane direction of the display panel 11). The display panel 11 and the heat conducting member 12 were fixed by providing a member (not shown) to which an external force was applied in the X direction of the paper surface. Further, the heat conduction member 12 and the spring member 13 were connected by welding in the same manner as in Example 1. Further, as the structure of the spring member 13, a spiral spring member was used as in Example 1, and the material was stainless steel.

【0039】表示パネル11が形成された状態で、図の
ように非線形の反りを生じていてもばね部材13が自己
調整(伸縮による)できるため、表示パネル11になら
うような形状に熱伝導部材12が配設された。さらに、
この状態でパネルを駆動しても、駆動により発生した熱
は熱伝導部材12、ばね部材13を通じて伝導され、最
終的に放熱部材14で放熱されるので、表示パネル11
の反りが拡大されることはなかった。 [実施例4]薄い金属板を周知の湿式エッチング技術を
用いて図4に示すように熱伝導部材41とばね部材4
2、外枠45を残した。金属板の材料には、ステンレス
を用いた。44はエッチング部であり、この部分をエッ
チングにより除去した。本構成では、熱伝導部材41を
マトリクス状に配置し、個々の熱伝導部材41は細くエ
ッチングにより除去して形成したばね部材42と四方で
接続した。ばね部材42は、金属の延性(弾性)を利用
したもので、形状効果により、一枚の連続する板よりも
ばね性を有する構造ができた。次に、作製したエッチン
グ板の外枠45の一方と放熱部43と導電性接着剤を用
いて固定する。表示パネル11は、熱伝導部材41の一
方と、導電性のテープを用いて固定した。
In the state where the display panel 11 is formed, the spring member 13 can be self-adjusted (by expansion and contraction) even if a non-linear warp is generated as shown in the figure, so that the shape of the display panel 11 can be transferred to the heat conduction. The member 12 was disposed. further,
Even if the panel is driven in this state, the heat generated by the driving is conducted through the heat conducting member 12 and the spring member 13 and finally radiated by the heat radiating member 14, so that the display panel 11
The warp was never magnified. [Embodiment 4] A thin metal plate is subjected to a well-known wet etching technique as shown in FIG.
2. The outer frame 45 was left. Stainless steel was used as the material of the metal plate. Reference numeral 44 denotes an etched portion, which was removed by etching. In this configuration, the heat conducting members 41 are arranged in a matrix, and the individual heat conducting members 41 are thinly etched and connected to the spring members 42 formed by four directions. The spring member 42 uses the ductility (elasticity) of a metal, and due to the shape effect, a structure having a spring property rather than a single continuous plate was formed. Next, one of the outer frames 45 of the produced etching plate, the heat dissipation portion 43, and the conductive adhesive are fixed. The display panel 11 was fixed to one of the heat conducting members 41 using a conductive tape.

【0040】本実施例の構成により、表示パネル11が
反っていても、ばね部材42が反り量を吸収できること
で表示パネル11の全面にわたって均一な支持を行うこ
とができた。さらに、この状態でパネルを駆動しても、
駆動により発生した熱は熱伝導部材41、ばね部材4
2、外枠45を通じて伝導され、最終的に放熱部材43
で放熱されるので、表示パネル11の反りが拡大される
ことはなかった。
With the configuration of this embodiment, even if the display panel 11 is warped, the spring member 42 can absorb the amount of warping, so that the entire surface of the display panel 11 can be uniformly supported. Furthermore, even if the panel is driven in this state,
The heat generated by driving is the heat conducting member 41 and the spring member 4.
2. Conducted through the outer frame 45 and finally the heat dissipation member 43
Since the heat is dissipated in, the warpage of the display panel 11 was not enlarged.

【0041】なお、本実施例で提示したばね部材の製造
方法や、ばねの個数等になんら限定はない。 [実施例5]第5実施例では、支持部材に形状を自在に
変えることが出来る密閉袋の中に熱伝導流体が入ったも
のを用いた。(図5中、51)流体には、水を、そして
袋には、カーボン系のビニールを用いた。この熱伝導支
持部材51を表示パネル11の裏面と放熱板部材14間
に挟み込んだ、熱伝導支持部材51に所望の圧力が加わ
るように外圧52を加えている。
The method of manufacturing the spring member and the number of springs presented in this embodiment are not limited. [Embodiment 5] In the fifth embodiment, the support member used is one in which a heat transfer fluid is contained in a sealed bag whose shape can be freely changed. Water (51 in FIG. 5) was used as the fluid, and carbon vinyl was used as the bag. The heat conduction support member 51 is sandwiched between the back surface of the display panel 11 and the heat dissipation plate member 14, and an external pressure 52 is applied so that a desired pressure is applied to the heat conduction support member 51.

【0042】本実施例の構成により、表示パネル11が
反っていても、熱伝導支持部材51が反りに対して任意
の形状に変化できることから表示パネル11の全面にわ
たって均一な支持を行うことができた。さらに、この状
態でパネルを駆動しても、駆動により発生した熱は熱伝
導支持部材51を通じて伝導され、最終的に放熱部材1
4で放熱されるので、表示パネル11の反りが拡大され
ることはなかった。
With the structure of this embodiment, even if the display panel 11 is warped, the heat conduction support member 51 can change into an arbitrary shape with respect to the warp, so that the entire surface of the display panel 11 can be uniformly supported. It was Further, even if the panel is driven in this state, the heat generated by the driving is conducted through the heat conduction support member 51, and finally the heat dissipation member 1
Since the heat is dissipated in No. 4, the warp of the display panel 11 was not enlarged.

【0043】なお、本実施例で提示した熱伝導部材51
の材料構成になんら限定はない。
The heat conducting member 51 presented in this embodiment is used.
There is no limitation on the material composition of.

【0044】本実施例の構成により、パネルの局所的な
反りやうねりにも緻密にならうことができることから、
より安定した支持と均一な放熱を可能にした。さらに、
本支持部材では、支持と熱伝導の両立性をもたせること
ができたので部材の簡略化につながった。 [実施例6]第6実施例では、第1実施例と第5実施例
を組み合わせた支持方法である。構成を図6に示す。水
とカーボン系ビニール袋から構成する熱伝導支持部材6
1をパネル11と放熱部材63間の中央部に配置した。
さらに、その間の周辺部に熱伝導部材62とばね部材6
4を構成した。
With the structure of this embodiment, it is possible to closely follow the local warp and undulation of the panel.
It enables more stable support and uniform heat dissipation. further,
Since this support member was able to have both compatibility of support and heat conduction, it led to simplification of the member. [Sixth Embodiment] A sixth embodiment is a supporting method in which the first and fifth embodiments are combined. The configuration is shown in FIG. Heat conduction support member 6 consisting of water and carbon vinyl bag
1 was arranged in the central portion between the panel 11 and the heat dissipation member 63.
Further, the heat conducting member 62 and the spring member 6 are provided in the peripheral portion between them.
Configured 4.

【0045】上述した実施例と同様に、本実施例の構成
により、表示パネル11が反っていても、熱伝導支持部
材61とばね部材64が反りに対して任意の形状に変化
できることから表示パネル11の全面にわたって均一な
支持を行うことができた。さらに、この状態でパネルを
駆動しても、駆動により発生した熱は熱伝導支持部材6
1及び熱伝導部材62、ばね部材64を通じて伝導さ
れ、最終的に放熱部材63で放熱されるので、表示パネ
ル11の反りが拡大されることはなかった。
As in the case of the above-described embodiment, the display panel according to the present embodiment allows the heat conduction support member 61 and the spring member 64 to change into arbitrary shapes even if the display panel 11 is warped. It was possible to provide uniform support over the entire surface of No. 11. Further, even if the panel is driven in this state, the heat generated by the driving is still applied to the heat conduction support member 6
1 is conducted through the heat conducting member 62 and the spring member 64, and finally is dissipated by the heat dissipating member 63, so that the warp of the display panel 11 is not enlarged.

【0046】本実施例の構成では、パネルが周辺部で大
きく反っている場合に有効であった。
The structure of this embodiment is effective when the panel is largely warped in the peripheral portion.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明の画像形成装置では、パネルの反
りやうねりに対応した安定な支持と、均一な放熱ができ
たことで、安全な設置及び、色ずれや破壊のない安定で
高精細な画像形成装置を提供することができた。
In the image forming apparatus of the present invention, stable support corresponding to the warp and undulation of the panel and uniform heat dissipation can be performed, so that the image forming apparatus can be installed safely and is stable and high-definition without color misregistration or destruction. The image forming apparatus can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の画像形成装置の一例を示す断面図であ
る。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of an image forming apparatus of the present invention.

【図2】本発明の画像形成装置の実施例の斜視図であ
る。
FIG. 2 is a perspective view of an embodiment of the image forming apparatus of the present invention.

【図3】本発明の画像形成装置の別の例を示す断面図で
ある。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing another example of the image forming apparatus of the present invention.

【図4】本発明の画像形成装置の他の実施例の斜視図で
ある。
FIG. 4 is a perspective view of another embodiment of the image forming apparatus of the present invention.

【図5】本発明の画像形成装置の更に他の実施例を示す
断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing still another embodiment of the image forming apparatus of the invention.

【図6】本発明の画像形成装置の又他の実施例の断面図
である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of another embodiment of the image forming apparatus of the present invention.

【図7】本発明に用いられる基本的な表面伝導型電子放
出素子の構成例を示す模式的平面図である。
FIG. 7 is a schematic plan view showing a configuration example of a basic surface conduction electron-emitting device used in the present invention.

【図8】本発明に用いられる基本的な垂直型表面伝導型
電子放出素子の構成を示す模式的側面図である。
FIG. 8 is a schematic side view showing the configuration of a basic vertical surface conduction electron-emitting device used in the present invention.

【図9】図9(a)(b)(c)は本発明に用いられる
表面伝導型電子放出素子の製造方法の一例を示す工程図
である。
9 (a), (b) and (c) are process drawings showing an example of a method of manufacturing a surface conduction electron-emitting device used in the present invention.

【図10】図10(a),(b)はそれぞれ通電フォー
ミングの電圧波形の一例を示すグラフである。
10 (a) and 10 (b) are graphs each showing an example of a voltage waveform of energization forming.

【図11】電子放出特性を測定するための測定評価装置
の概略構成図である。
FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a measurement / evaluation apparatus for measuring electron emission characteristics.

【図12】単純マトリクス配置の電子源の構成を示す説
明図である。
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a configuration of an electron source having a simple matrix arrangement.

【図13】本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成
図である。
FIG. 13 is a schematic configuration diagram showing an example of an image forming apparatus of the present invention.

【図14】図14(a),(b)はそれぞれ蛍光膜の構
成を示す説明図である。
14 (a) and 14 (b) are explanatory views each showing a configuration of a fluorescent film.

【図15】NTSC方式のテレビ信号に応じて表示を行
なうための駆動回路を組み込んだ画像形成装置の一例を
示すブロック図である。
FIG. 15 is a block diagram showing an example of an image forming apparatus incorporating a drive circuit for displaying in accordance with an NTSC television signal.

【図16】本発明に用いる梯子配置の電子源の構成の一
例を示す平面図である。
FIG. 16 is a plan view showing an example of the configuration of a ladder-arranged electron source used in the present invention.

【図17】本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成
斜視図である。
FIG. 17 is a schematic configuration perspective view showing an example of an image forming apparatus of the present invention.

【図18】従来の表面伝導型電子放出素子の構成例を示
す説明図である。
FIG. 18 is an explanatory diagram showing a configuration example of a conventional surface conduction electron-emitting device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 表示パネル 12,41,62 熱伝導部材 13,42,64 ばね部材 14,43,63 放熱部材 A 支持部材 21 弾性部材 22 放熱部材 23 段差部 24,44 エッチング部 25,45 外枠 51,61 熱伝導支持部材 71 基板 72、73 素子電極 74 導電性薄膜 75 電子放出部 80 段差形成部 110 電流計 111 電源 112 電流計 113 高圧電源 114 アノード電極 115 真空装置 116 排気ポンプ 121 電子源基板 122 X方向配線 123 Y方向配線 124 表面伝導型電子放出素子 125 結線 131 リアプレート 132 支持枠 133 ガラス基板 134 蛍光膜 135 メタルバック 136 フェースプレート 137 高圧端子 138 外囲器 141 黒色導電材 142 蛍光体 151 表示パネル 152 走査回路 153 制御回路 154 シフトレジスタ 155 ラインメモリ 156 同期信号分離回路 157 変調信号発生器 Vx及びVa 直流電圧源 160 電子源基板 161 電子放出素子 162 共通配線 170 グリッド電極 171 電子が通過するための空孔 172 容器外端子 173 容器外端子 11 Display Panel 12, 41, 62 Heat Conducting Member 13, 42, 64 Spring Member 14, 43, 63 Heat Dissipating Member A Support Member 21 Elastic Member 22 Heat Dissipating Member 23 Stepped Part 24, 44 Etching Part 25, 45 Outer Frame 51, 61 Heat conduction support member 71 Substrate 72, 73 Element electrode 74 Conductive thin film 75 Electron emission part 80 Step forming part 110 Ammeter 111 Power supply 112 Ammeter 113 High voltage power supply 114 Anode electrode 115 Vacuum device 116 Exhaust pump 121 Electron source substrate 122 X direction Wiring 123 Y direction wiring 124 Surface conduction electron-emitting device 125 Connection 131 Rear plate 132 Support frame 133 Glass substrate 134 Fluorescent film 135 Metal back 136 Face plate 137 High voltage terminal 138 Envelope 141 Black conductive material 142 Phosphor 151 Display panel 15 Scanning circuit 153 Control circuit 154 Shift register 155 Line memory 156 Synchronous signal separation circuit 157 Modulation signal generator Vx and Va DC voltage source 160 Electron source substrate 161 Electron emission element 162 Common wiring 170 Grid electrode 171 Holes through which electrons pass 172 Terminal outside container 173 Terminal outside container

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電子放出素子を搭載したリアプレート
と、該リアプレートと対向配置されると共に該電子放出
素子から放出される電子線の照射により画像が形成され
る画像形成部材を搭載するフェースプレートと、該フェ
ースプレートと該リアプレートで形成される表示パネル
を有する画像形成装置において、該表示パネルが熱伝導
可能かつ伸縮機能を有する支持部材を介して放熱部材を
設けてなり、前記表示パネルの形状にならって該表示パ
ネルを支持するようにしたことを特徴とする画像形成装
置。
1. A face plate on which a rear plate on which an electron-emitting device is mounted and an image-forming member which is arranged to face the rear plate and on which an image is formed by irradiation of an electron beam emitted from the electron-emitting device is mounted. And an image forming apparatus having a display panel formed of the face plate and the rear plate, wherein the display panel is provided with a heat radiating member via a supporting member capable of conducting heat and having a stretching function. An image forming apparatus having a shape to support the display panel.
【請求項2】 前記支持部材が複数の弾性部材からなる
請求項1に記載の画像形成装置。
2. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the support member includes a plurality of elastic members.
【請求項3】 前記弾性部材が複数の熱伝導部材と複数
の熱伝導ばね部材からなる請求項2に記載の画像形成装
置。
3. The image forming apparatus according to claim 2, wherein the elastic member includes a plurality of heat conducting members and a plurality of heat conducting spring members.
【請求項4】 前記支持部材が内部に流体を有する密閉
容器からなる請求項1に記載の画像形成装置。
4. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the support member is a closed container having a fluid inside.
【請求項5】 前記密閉容器が弾性部材である請求項4
に記載の画像形成装置。
5. The closed container is an elastic member.
An image forming apparatus according to claim 1.
【請求項6】 前記表示パネルのフェースプレートに搭
載される電子放出素子が表面伝導型電子放出素子である
請求項1に記載の画像形成装置。
6. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the electron-emitting device mounted on the face plate of the display panel is a surface conduction electron-emitting device.
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