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JP3744978B2 - Image forming apparatus - Google Patents

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JP3744978B2 JP20345995A JP20345995A JP3744978B2 JP 3744978 B2 JP3744978 B2 JP 3744978B2 JP 20345995 A JP20345995 A JP 20345995A JP 20345995 A JP20345995 A JP 20345995A JP 3744978 B2 JP3744978 B2 JP 3744978B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子源を応用した表示装置、記録装置等の画像形成装置に関し、薄型の画像形成装置の放熱装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、電子放出素子として熱電子源と冷陰極電子源の2種類が知られている。冷陰極電子源には電界放出型(以下FE型と略す)、金属/絶縁層/金属型(以下MIM型と略す)や表面伝導型電子放出素子等がある。FE型の例としてはW.P.Dyke & W.W.Dolan、”Field emission”、Advance in Electron Physics、8 89(1956) あるいは C.A.Spindt、”Physical Properties of thin−film field emission cathodes with molybdenium”、J.Appl.Phys.、47 5248(1976)等が知られている。
MIM型の例としてはC.A.Mead、”The tunnel−emission amplifier、J.Appl.Phys.、32 646(1961)等が知られている。
表面伝導型電子放出素子型の例としては、M.I.Elinson、RadioEng. Electron Phys.、10(1965)等がある。表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等によるSnO2 薄膜を用いたもの、Au薄膜によるもの[G.Dittmer:”Thin Solid Films”、9 317(1972)]、In23 /SnO2 薄膜によるもの[M.Hartwell and C.G.Fonstad:”IEEE Trans. ED Conf.”、519(1975)]、カーボン薄膜によるもの[荒木久 他:真空、第26巻、第1号、22頁(1983)]等が報告されている。
これらの表面伝導型電子放出素子の典型的な素子構成として前述のM.ハートウェルの素子構成を従来図18に示す。同図において181は基板である。184は導電性薄膜で、H型形状のパターンに、スパッタで形成された金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部185が形成される。尚、図中の素子電極間隔Lは、0.5〜1mm、W’は、0.1mmで設定されている。尚、電子放出部185の位置及び形状については、不明であるので模式図として表した。
【0003】
従来、これらの表面伝導型電子放出素子においては、電子放出を行う前に導電性薄膜184を予め通電フォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出部185を形成するのが一般的であった。即ち、通電フォーミングとは前記導電性薄膜184の両端に直流電圧、あるいは非常にゆっくりとした昇電圧例えば1V/分程度を印加通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部185を形成することである。尚、電子放出部185は導電性薄膜184の一部に亀裂が発生しその亀裂付近から電子放出が行われる。前記通電フォーミング処理をした表面伝導型電子放出素子は、上述導電性薄膜184に電圧を印加し、素子に電流を流すことにより上述電子放出部185より電子を放出せしめるものである。
上述の表面伝導型放出素子は構造が単純で製造も容易であることから、大面積にわたり多数素子を配列形成できる利点がある。そこでこの特徴を生かせるようないろいろな応用が研究されている。例えば、荷電ビーム源、画像表示装置等の表示装置があげられる。
【0004】
このような電子放出素子を用いた画像表示装置としては、電子放出部を搭載したリアプレートと画像形成部材を搭載したフェースプレートと、両者を支持枠を介して真空封止したものが知られている。
【0005】
このような画像形成装置は、一般的に画像形成部材を搭載したフェースプレートと、電子源基板を搭載したリアプレートと、青板ガラスを切断加工して形成した支持枠の部材をフリットガラス接着部材を用いて、フリットガラスが溶融凝固するような温度まで昇温し冷却することで各部材を接着し製造している。この時、熱工程において、均一な温度上昇及び温度管理を装置全体にわたって行うことが困難なために非線形に装置全体が湾曲することがある。
【0006】
また従来の電子放出素子を用いて薄型で大面積の画像形成装置を製造可能であるが、形成するフェースプレート、リアプレート、支持枠部材を大面積にわたって平面精度を保持することが困難であり画像形成装置に反りやうねりを持つことがある。
【0007】
さらに、画像形成装置を駆動し表示させる場合、リアプレート上の電子放出部の発熱とフェースプレート上の画像形成部材の発熱により、フェースプレートとリアプレート及び支持枠間に温度差が生じ熱膨張の差により、画像形成装置に反りが発生し装置全体が湾曲する場合がある。
【0008】
この結果色ずれ、輝度低下、画面の歪みが発生し、長時間駆動すれば真空リークや装置の破壊等が起こる恐れがあった。
【0009】
このため、画像形成装置のもつ反りやうねりに対応して安定に支持するとともに、駆動時に起こる反りを抑制する均一な放熱手段が必要とされる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は従来技術の上記問題点を解決したフラットでかつ大型の画像形成装置を安全に支持し、かつ均一放熱による色ずれのない高精細な画像形成装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的は下記手段によって達成される。すなわち、本発明は、電子放出素子を搭載したリアプレートと、該リアプレートと対向配置されると共に該電子放出素子から放出される電子線の照射により画像が形成される画像形成部材を搭載するフェースプレートとで形成される、内部が真空雰囲気である表示パネルと、該表示パネル外であって、リアプレート側に配置された、枠形状の放熱部材とを備える画像形成装置において、表示パネルと放熱部材との間には、熱伝導性と弾性とを有すると共に、表示パネルの形状にならって該表示パネルを支持する支持部材が配置されており、前記支持部材が一体的に形成された外枠と、枠形状の放熱部材とを導電性接着剤によって接着固定するとともに、放熱部材および支持部材が真空雰囲気外にあることを特徴とする画像形成装置を提案するものであり、前記表示パネルのリアプレートに搭載される電子放出素子が表面伝導型電子放出素子であることを含む。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の一例を示す画像形成装置の要部断面図であり、図13は本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
図1において11は表示パネル、12は熱伝導部材、13は伸縮機能を有する支持部材であるばね部材、14は放熱部材である。
表示パネル11は図13に示すように電子放出素子の一対の素子電極をX方向配線122及びY方向配線123により接続して基板上に作製した電子源基板121を搭載したリアプレート131と該リアプレート131と対向配置され電子放出素子から放出される電子線の照射により画像が形成される画像形成部材を搭載したフェースプレート136と両プレート131、136間に配置された支持枠132とで構成されている。
フェースプレート136に搭載される画像形成部材はガラス基板133に蛍光膜134とメタルバック135とを順次積層して構成されている。
本発明の画像形成装置は前記のような表示パネルを有する画像形成装置であって、図1に示すように表示パネル11と放熱部材14との間に熱伝導部材12と伸縮性のあるばね部材13とよりなる複数個の支持部材Aを介して一体化してある。なお熱伝導部材12とばね部材13は同一材料で構成しても異種の材質で構成してもいずれでもよい。該支持部材Aは表示パネル11の形状の変化にならって伸縮し得るように取着されることが特に肝要であり、支持部材Aの熱伝導部材12が1〜100mm程度の間隔になるように設けるのが好ましい。
以上の構成により表示パネル11に非線形の反りが生じてもばね部材13が放熱部材14と表示パネル11の間の間隔をばね部材13の伸縮により自己調整し得るので表示パネル11に反りを生じさせることなく極めて安定に表示パネル11を支持することができる。また表示パネル11の駆動により発生する熱は熱伝導部材12及びばね部材13を通じて伝導し、最終的に放熱部材14で放熱されるので、表示パネル11の反りの拡大を防止できるものである。この場合、ばね部材13を熱伝導性の材料で構成すれば熱伝導がより円滑に行われるので好ましい。
前記熱伝導部材12としてはアルミニウム、銅、熱伝導性ゴム等の板材が挙げられる。
ばね部材13としてはステンレス、鋼等の弾性材料が挙げられ、形状は渦巻き状、片持梁状等ばね効果を奏し得る適宜の公知の形状を選択できる。
表示パネル11と熱伝導部材12との固着手段及び熱伝導部材12とばね部材13との固着手段並びに放熱部材14とばね部材13との固着手段は双方の材質の組合せを考慮して溶接、熱伝導テープによる接着、導電性接着剤による接着等の公知の手段の中から適宜選択できる。
図3は本発明の画像形成装置の別の例を示すもので、この例では支持部材Aとして熱伝導部材12の端部同志をばね部材13を介して直列に相互に連結したものを用いている。前記支持部材Aの熱伝導部材12を図3のように表示パネル11の裏面に固着して取付け、該表示パネル11により浅底箱状に形成された放熱部材14の開口部を閉塞するように支持部材Aの両端のばね部材13を介して支持部材Aが固着された表示パネル11を放熱部材14に取着してある。
以上のような構成により表示パネル11に反りが生じてもばね部材13の伸縮により自己調整され、極めて安定に支持される。さらにこの状態で表示パネル11を駆動しても駆動により発生した熱は熱伝導部材12、ばね部材13を通じて伝導され、最終的に放熱部材14の表示パネル11の反りが拡大されることはない。
更に図5は本発明の別の例を示す断面図であり、この例では表示パネル11と放熱部材14との間に水等の熱伝導流体を密封した密閉袋からなる熱伝導支持部材51を挟み込んだ構成からなるものである。
上記の構成にすることにより前記の図1及び図3の例と同様の効果を奏するものである。
【0013】
本発明で用いる冷陰極電子源は、単純な構成であり、製法が容易な表面伝導型電子放出素子が好適である。
本発明に用いることのできる表面伝導型電子放出素子は基本的に平面型表面伝導型電子放出素子及び垂直型表面伝導型電子放出素子の2種類があげられる。
図7は基本的な表面伝導型電子放出素子の構成を示す模式的平面図及び断面図である。
図7において71は基板、72、73は素子電極、74は導電性薄膜、75は電子放出部である。
基板71としては、石英ガラス、Na等の不純物含有量の少ないガラス、青板ガラス、SiO2 を表面に形成したガラス基板及びアルミナ等のセラミックス基板が用いられる。
素子電極72、73の材料としては一般的導電体が用いられ、例えばNi、Cr、Au、Mo、W、Pt、Ti、Al、Cu、Pd等の金属或は合金及びPd、Ag、Au、RuO2 、Pd−Ag等の金属或は金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、In23 −SnO2 等の透明導電体及びポリシリコン等の半導体材料から適宜選択される。
素子電極間隔Lは好ましくは数百オングストロームより数百マイクロメートルである。また素子電極間に印加する電圧は低い方が望ましく、再現良く作成することが要求されるため、特に好ましい素子電極間隔は数マイクロメートルより数十マイクロメートルである。
素子電極長さWは電極の抵抗値、電子放出特性から数マイクロメートルより数百マイクロメートルであり、また素子電極72、73の膜厚は、数百オングストロームより数マイクロメートルが好ましい。
【0014】
尚、図7の構成だけでなく、基板71上に導電性薄膜74、素子電極72、73の電極を順に形成させた構成にしてもよい。
導電性薄膜74は良好な電子放出特性を得るために微粒子で構成された微粒子膜が特に好ましく、その膜厚は素子電極72、73へのステップカバレージ、素子電極72、73間の抵抗値及び後述する通電フォーミング条件等によって、適宜設定されるが、好ましくは数オングストロームから数千オングストロームで、特に好ましくは10オングストロームより500オングストロームである。そのシート抵抗値は10の3乗乃至10の7乗オーム/□である。
また導電性薄膜74を構成する材料は、Pd、Pt、Ru、Ag、Au、Ti、In、Cu、Cr、Fe、Zn、Sn、Ta、W、Pb等の金属、PdO、SnO2 、In23 、PbO、Sb23 等の酸化物、HfB2 、ZrB2 、LaB6 、CeB6 、YB4 、GdB4 等の硼化物、TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC、WC等の炭化物、TiN、ZrN、HfN等の窒化物、Si、Ge等の半導体、カーボン等があげられる。
尚、ここで述べる微粒子膜とは複数の微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣接、あるいは重なり合った状態(島状も含む)の膜をさしており、微粒子の粒径は数オングストロームから数千オングストロームであり、好ましくは10オングストロームより200オングストロームである。
電子放出部75は導電性薄膜74の一部に形成された高抵抗の亀裂であり、通電フォーミング等により形成される。また亀裂内には数オングストロームから数百オングストロームの粒径の導電性微粒子を有することもある。この導電性微粒子は導電性薄膜74を構成する物質の少なくとも一部の元素を含んでいる。
また電子放出部75及びその近傍の導電性薄膜74は炭素及び炭素化合物を有することもある。
【0015】
図8は基本的な垂直型表面伝導型電子放出素子の構成を示す模式的図面である。
図8において図7と同一の部材については同一符号を付与してある。80は段差形成部である。
基板71、素子電極72と73、導電性薄膜74、電子放出部75は前述した平面型表面伝導型電子放出素子と同様の材料で構成することができ、段差形成部80は絶縁性材料で構成され、段差形成部80の膜厚が先に述べた平面型表面伝導型電子放出素子の素子電極間隔Lに相当する。その間隔は数百オングストロームより数十マイクロメートルである。またその間隔は段差形成部の製法及び素子電極間に印加する電圧により制御することができるが、好ましくは数百オングストロームより数マイクロメートルである。
導電性薄膜74は素子電極72、73と段差形成部80作成後に形成するため、素子電極72、73の上に積層される。尚、図8において電子放出部75は段差形成部80に直線状に形成されているように示されているが、作成条件、通電フォーミング条件等に依存し、形状、位置ともこれに限るものではない。
上述の表面伝導型電子放出素子の製造方法としては様々な方法が考えられるが、その一例を図9に示す。
以下、図7及び図9に基づいて電子源基板の作製方法について説明する。尚、図7と同一の部材については同一符号を付与してある。
【0016】
1)基板を洗剤、純水および有機溶剤により十分に洗浄後、真空蒸着法、スパッタ法等により素子電極材料を堆積する。その後、フォトリソグラフィー技術により該基板上に素子電極72、73を形成する(図9(a))。
【0017】
2)素子電極72、73を設けた基板71に、有機金属溶液を塗布して放置することにより有機金属薄膜を形成する。ここでいう有機金属溶液とは前述の導電性膜74を形成する金属を主元素とする有機金属化合物の溶液である。その後、有機金属薄膜を加熱焼成処理し、リフトオフ、エッチング等によりパターニングし、導電性薄膜74を形成する(図9(b))。尚、ここでは有機金属溶液の塗布法により説明したが、これに限るものでなく真空蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆積法、分散塗布法、ディッピング法、スピンナー法等によって形成される場合もある。
【0018】
3)続いて通電フォーミングと呼ばれる通電処理を行う。通電フォーミングは素子電極72、73間に不図示の電源より通電を行い、導電性薄膜74を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造を変化させた部位を形成させるものである。この局所的に構造変化させた部位を電子放出部75とよぶ(図9(c))。通電フォーミングの電圧波形の例を図10に示す。
電圧波形は特にパルス波形が好ましく、パルス波高値が一定の電圧パルスを連続的に印加する場合(図10a)とパルス波高値を増加させながら、電圧パルスを印加する場合(図10b)とがある。まずパルス波高値が一定電圧とした場合(図10a)について説明する。
図10aにおけるT1及びT2は電圧波形のパルス幅とパルス間隔であり、T1を1マイクロ秒〜10ミリ秒、T2を10マイクロ秒〜100ミリ秒とし、三角波の波高値(通電フォーミング時のピーク電圧)は表面伝導型電子放出素子の形態に応じて適宜選択し、適当な真空度、例えば、10の−5乗torr程度の真空雰囲気下で、数秒から数十分印加する。尚、素子の電極間に印加する波形は三角波に限定することはなく、矩形波など所望の波形を用いても良い。
図10bにおけるT1及びT2は、図10aと同様であり、三角波の波高値(通電フォーミング時のピーク電圧)は、例えば0.1Vステップ程度づつ増加させ、適当な真空雰囲気下で印加する。
【0019】
尚、この場合の通電フォーミング処理はパルス間隔T2中に、導電性薄膜74を局所的に破壊、変形しない程度の電圧、例えば0.1V程度の電圧で、素子電流を測定し、抵抗値を求め、例えば、1Mオーム以上の抵抗を示した時に通電フォーミング終了とする。
【0020】
4)次に通電フォーミングが終了した素子に活性化処理工程と呼ぶ処理を施すことが望ましい。
活性化工程とは、例えば、10の−4乗〜10の−5乗torr程度の真空度で、通電フォーミング同様、パルス波高値が一定の電圧パルスを繰り返し印加する処理のことであり、真空中に存在する有機物質に起因する炭素及び炭素化合物を導電薄膜上に堆積させ素子電流If、放出電流Ieを著しく変化させる処理である。活性化工程は素子電流Ifと放出電流Ieを測定しながら、例えば、放出電流Ieが飽和した時点で終了する。また印加する電圧パルスは動作駆動電圧で行うことが好ましい。
【0021】
尚、ここで炭素あるいは炭素化合物とはグラファイト(単、多結晶双方を指す)非晶質カーボン(非晶質カーボン及び多結晶グラファイトとの混合物を指す)であり、その膜厚は500オングストローム以下が好ましく、より好ましくは300オングストローム以下である。
【0022】
5)こうして作成した電子放出素子を通電フォーミング工程、活性化工程における真空度よりも高い真空度の雰囲気下に置いて動作駆動させるのが良い。また更に高い真空度の雰囲気下で、80℃〜150℃に加熱後動作駆動させることが望ましい。
尚、通電フォーミング工程、活性化処理した真空度よりも高い真空度とは、例えば約10の−6乗以上の真空度であり、より好ましくは超高真空系であり、新たに炭素及び炭素化合物が導電薄膜上にほとんど堆積しない真空度である。こうすることによって素子電流If、放出電流Ieを安定化させることが可能になる。図11は、図7で示した構成を有する素子の電子放出特性を測定するための測定評価装置の概略構成図である。図11において、図7と同様の符号は、同一のものを示す。また、111は、電子放出素子に素子電圧Vfを印加するための電源、110は素子電極2・3間の導電性薄膜74を流れる素子電流Ifを測定するための電流計、114は、素子の電子放出部より放出される放出電流Ieを捕捉するためのアノード電極、113は、アノード電極114に電圧を印加するための高圧電源、112は、素子の電子放出部75より放出される放出電流Ieを測定するための電流計、115は、真空装置、116は、排気ポンプである。
次に本発明の画像形成装置について述べる。
画像形成装置に用いられる電子源基板は複数の表面伝導型電子放出素子を基板上に配列することにより形成される。
表面伝導型電子放出素子の配列の方式には表面伝導型電子放出素子を並列に配置し、個々の素子の両端を配線で接続するはしご型配置(以下はしご型配置電子源基板と呼ぶ)や、表面伝導型電子放出素子の一対の素子電極にそれぞれX方向配線、Y方向配線を接続した単純マトリクス配置(以下マトリクス型配置電子源基板と呼ぶ)があげられる。尚、はしご型配置電子源基板を有する画像形成装置には電子放出素子からの電子の飛翔を制御する電極である制御電極(グリッド電極)を必要とする。
以下この原理に基づき構成した電子源の構成について、図12を用いて説明する。121は電子源基板、122はX方向配線、123はY方向配線、124は表面伝導型電子放出素子、125は結線である。尚、表面伝導型電子放出素子124は前述した平面型あるいは垂直型どちらであってもよい。
同図において電子源基板121に用いる基板は前述したガラス基板等であり、用途に応じて形状が適宜設定される。
m本のX方向配線122は、Dx1、Dx2、・・・Dxmからなり、Y方向配線123はDy1、Dy2、・・・Dynのn本の配線よりなる。
また多数の表面伝導型素子にほぼ均等な電圧が供給される様に材料、膜厚、配線幅が適宜設定される。これらm本のX方向配線122とn本のY方向配線123間は不図示の層間絶縁層により電気的に分離されてマトリックス配線を構成する。(m、nは共に正の整数)
不図示の層間絶縁層はX方向配線122を形成した基板121の全面或は一部に所望の領域に形成される。X方向配線122とY方向配線123はそれぞれ外部端子を介して引き出される。
更に表面伝導型放出素子124の素子電極(不図示)がm本のX方向配線122とn本のY方向配線123と結線125によって電気的に接続されている。
また表面伝導型電子放出素子は基板あるいは不図示の層間絶縁層上のどちらに形成してもよい。
また詳しくは後述するが前記X方向配線122にはX方向に配列する表面伝導型放出素子124の行を入力信号に応じて走査するための走査信号を印加するための不図示の走査信号発生手段と電気的に接続されている。
一方、Y方向配線123にはY方向に配列する表面伝導型放出素子124の列の各列を入力信号に応じて、変調するための変調信号を印加するための不図示の変調信号発生手段と電気的に接続されている。
更に表面伝導型電子放出素子の各素子に印加される駆動電圧は当該素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給されるものである。
上記構成において、単純なマトリクス配線だけで個別の素子を選択して独立に駆動可能になる。
つぎに以上のようにして作成したマトリクス型配置電子源基板を用いた画像形成装置について、図13、図14及び図15を用いて説明する。図13は画像形成装置の基本構成図であり、図14は蛍光膜、図15はNTSC方式のテレビ信号に応じて表示をするための駆動回路のブロック図を示し、その駆動回路を含む画像形成装置を表す。
図13において121は電子放出素子を基板上に作製した電子源基板、131は電子源基板121を固定したリアプレート、136はガラス基板133の内面に蛍光膜134とメタルバック135等が形成されたフェースプレート、132は支持枠、131はリアプレートであり、これら部材によって外囲器138が構成される。
図13において124は図7における電子放出部に相当する。122、123は表面伝導型電子放出素子の一対の素子電極と接続されたX方向配線及びY方向配線である。
外囲器138は、上述の如くフェースプレート136、支持枠132、リアプレート131で外囲器138を構成したが、リアプレート131は主に電子源基板121の強度を補強する目的で設けられるため、電子源基板121自体で十分な強度を持つ場合は別体のリアプレート131は不要であり、電子源基板121に直接支持枠132を設け、フェースプレート136、支持枠132、電子源基板121にて外囲器138を構成しても良い。
図14中142は蛍光体である。蛍光体142はモノクロームの場合は蛍光体のみからなるが、カラーの蛍光膜の場合は蛍光体の配列によりブラックストライプあるいはブラックマトリクスなどと呼ばれる黒色導電材141と蛍光体142とで構成される。ブラックストライプ、ブラックマトリクスが設けられる目的はカラー表示の場合、必要となる三原色蛍光体の各蛍光体142間の塗り分け部を黒くすることで混色等を目立たなくすることと蛍光膜134における外光反射によるコントラストの低下を抑制することである。ブラックストライプの材料としては、通常良く用いられている黒鉛を主成分とする材料だけでなく、導電性があり、光の透過及び反射が少ない材料であればこれに限るものではない。
ガラス基板133に蛍光体を塗布する方法はモノクローム、カラーによらず沈澱法や印刷法が用いられる。
また蛍光膜134(図13)の内面側には通常メタルバック135(図13)が設けられる。メタルバックの目的は蛍光体の発光のうち内面側への光をフェースプレート136側へ鏡面反射することにより輝度を向上すること、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として作用すること、外囲器内で発生した負イオンの衝突によるダメージからの蛍光体を保護すること等である。メタルバックは蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理(通常フィルミングと呼ばれる)を行い、その後Alを真空蒸着等で堆積することで作製できる。
フェースプレート136には、更に蛍光膜134の導電性を高めるため蛍光膜134の外面側に透明電極(不図示)を設けてもよい。
外囲器138は不図示の排気管を通じ、10-7torr程度の真空度にされ、封止がおこなわれる。また外囲器138の封止後の真空度を維持するためにゲッター処理を行う場合もある。これは外囲器138の封止を行う直前あるいは封止後に抵抗加熱あるいは高周波加熱等の加熱法により、外囲器138内の所定の位置(不図示)に配置されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理である。ゲッターは通常Ba等が主成分であり、該蒸着膜の吸着作用により、例えば1×10-5torr乃至は1×10-7torrの真空度を維持するものである。尚、表面伝導型電子放出素子のフォーミング以降の工程は適宜設定される。
次に、マトリクス型配置電子源基板を用いて構成した画像形成装置を、NTSC方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を行う為の駆動回路の概略構成を図15のブロック図を用いて説明する。151は前記表示パネルであり、また152は走査回路、153は制御回路、154はシフトレジスタ、155はラインメモリ、156は同期信号分離回路、157は変調信号発生器、VxおよびVaは直流電圧源である。
【0023】
以下、各部の機能を説明するがまず表示パネル151は端子Dox1ないしDoxmおよび端子Doy1ないしDoynおよび高圧端子Hvを介して外部の電気回路と接続している。このうち端子Dox1ないしDoxmには前記画像形成装置内に設けられている電子源、すなわちM行N列の行列状にマトリクス配線された表面伝導型電子放出素子群を一行(N素子)ずつ順次駆動してゆく為の走査信号が印加される。
一方、端子Dy1ないしDynには前記走査信号により選択された一行の表面伝導型電子放出素子の各素子の出力電子ビームを制御する為の変調信号が印加される。また高圧端子Hvには直流電圧源Vaより、例えば10[kV]の直流電圧が供給されるが、これは表面伝導型電子放出素子より出力される電子ビームに蛍光体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧である。
次に走査回路152について説明する。同回路は内部にM個のスイッチング素子を備えるもので(図中、S1ないしSmで模式的に示している)、各スイッチング素子は直流電圧源Vxの出力電圧もしくは0[V](グランドレベル)のいずれか一方を選択し、表示パネル151の端子Dx1ないしDxmと電気的に接続するものである。S1ないしSmの各スイッチング素子は制御回路153が出力する制御信号Tscanに基づいて動作するものだが実際には例えばFETのようなスイッチング素子を組み合わせる事により構成する事が可能である。
尚、前記直流電圧源Vxは前記表面伝導型電子放出素子の特性(電子放出しきい値電圧)に基づき走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力するよう設定されている。
また制御回路153は外部より入力する画像信号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部の動作を整合させる働きをもつものである。次に説明する同期信号分離回路156より送られる同期信号Tsyncに基づいて各部に対してTscan、TsftおよびTmryの各制御信号を発生する。
同期信号分離回路156は外部から入力されるNTSC方式のテレビ信号から同期信号成分と輝度信号成分とを分離する為の回路で周波数分離(フィルター)回路を用いれば構成できるものである。同期信号分離回路156により分離された同期信号は良く知られるように垂直同期信号と水平同期信号より成るが、ここでは説明の便宜上Tsync信号として図示した。一方、前記テレビ信号から分離された画像の輝度信号成分を便宜上DATA信号と表すが同信号はシフトレジスタ154に入力される。
シフトレジスタ154は時系列的にシリアルに入力される前記DATA信号を画像の1ライン毎にシリアル/パラレル変換するためのもので前記制御回路153より送られる制御信号Tsftに基づいて動作する。(すなわち制御信号Tsftは、シフトレジスタ154のシフトクロックであると言い換えても良い。) シリアル/パラレル変換された画像1ライン分(電子放出素子N素子分の駆動データに相当する)のデータはId1乃至IdnのN個の並列信号として前記シフトレジスタ154より出力される。
ラインメモリ155は画像1ライン分のデータを必要時間の間だけ記憶する為の記憶装置であり、制御回路153より送られる制御信号Tmryにしたがって適宜Id1ないしIdnの内容を記憶する。記憶された内容はIdlないしIdnとして出力され変調信号発生器157に入力される。
変調信号発生器157は前記画像データId1ないしIdnの各々に応じて表面伝導型電子放出素子の各々を適切に駆動変調する為の信号源で、その出力信号は端子Doy1ないしDoynを通じて表示パネル151内の表面伝導型電子放出素子に印加される。
本発明に関わる電子放出素子は放出電流Ieに対して以下の基本特性を有している。すなわち電子放出には明確な閾値電圧Vthがあり、Vth以上の電圧を印加された時のみ電子放出が生じる。
【0024】
また電子放出閾値以上の電圧に対しては素子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化してゆく。尚、電子放出素子の材料や構成、製造方法を変える事により電子放出閾値電圧Vthの値や印加電圧に対する放出電流の変化の度合いが変わる場合もあるが、いずれにしても以下のような事がいえる。
すなわち、本素子にパルス状の電圧を印加する場合、例えば電子放出閾値以下の電圧を印加しても電子放出は生じないが電子放出閾値以上の電圧を印加する場合には電子ビームが出力される。その際、第一にはパルスの波高値Vmを変化させる事により出力電子ビームの強度を制御する事が可能である。第二には、パルスの幅Pwを変化させる事により出力される電子ビームの電荷の総量を制御する事が可能である。
したがって、入力信号に応じて電子放出素子を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調方式等があげられ、電圧変調方式を実施するには変調信号発生器157としては一定の長さの電圧パルスを発生するが入力されるデータに応じて適宜パルスの波高値を変調するような電圧変調方式の回路を用いる。
またパルス幅変調方式を実施するには変調信号発生器157としては、一定の波高値の電圧パルスを発生するが入力されるデータに応じて適宜電圧パルスの幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いるものである。
以上に説明した一連の動作により本発明の画像形成装置は表示パネル151を用いてテレビジョンの表示を行なえる。尚、上記説明中特に記載しなかったがシフトレジスタ154やラインメモリ155はデジタル信号式のものでもアナログ信号式のものでも差し支えなく、要は画像信号のシリアル/パラレル変換や記憶が所定の速度で行なわれればよい。
デジタル信号式を用いる場合には同期信号分離回路156の出力信号DATAをデジタル信号化する必要があるが、これは156の出力部にA/D変換器を備えれば可能である。また、これと関連してラインメモリ155の出力信号がデジタル信号かアナログ信号かにより、変調信号発生器157に用いられる回路が若干異なったものとなる。
【0025】
まずデジタル信号の場合について述べる。電圧変調方式においては変調信号発生器157には、例えばよく知られるD/A変換回路を用い、必要に応じて増幅回路などを付け加えればよい。
またパルス幅変調方式の場合、変調信号発生器157は、例えば高速の発振器および発振器の出力する波数を計数する計数器(カウンタ)および計数器の出力値と前記メモリの出力値を比較する比較器(コンパレータ)を組み合せた回路を用いることにより構成できる。必要に応じて比較器の出力するパルス幅変調された変調信号を表面伝導型電子放出素子の駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。
【0026】
次にアナログ信号の場合について述べる。電圧変調方式においては変調信号発生器157には、例えばよく知られるオペアンプなどを用いた増幅回路を用いればよく、必要に応じてレベルシフト回路などを付け加えてもよい。またパルス幅変調方式の場合には例えばよく知られた電圧制御型発振回路(VCO)を用いればよく、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。
以上のように完成した画像形成装置において、各電子放出素子には、容器外端子Dox1ないしDoxm、Doy1ないしDoynを通じ、電圧を印加することにより、電子放出させ、高圧端子Hvを通じ、メタルバック135、あるいは透明電極(不図示)に高圧を印加し、電子ビームを加速し、蛍光膜134に衝突させ、励起・発光させることで画像を表示することができる。
以上述べた構成は、表示等に用いられる好適な画像形成装置を作製する上で必要な概略構成であり、例えば各部材の材料等、詳細な部分は上述内容に限られるものではなく、画像形成装置の用途に適するよう適宜選択する。また、入力信号例として、NTSC方式をあげたが、これに限るものでなく、PAL、SECAM方式などの諸方式でもよく、また、これよりも、多数の走査線からなるTV信号(例えば、MUSE方式をはじめとする高品位TV)方式でもよい。
【0027】
次に、前述のはしご型配置電子源基板及びそれを用いた画像形成装置について図16、図17により説明する。
図16において、160は電子源基板、161は電子放出素子、162のDx1〜Dx10は前記電子放出素子に接続する共通配線である。電子放出素子161は、基板160上に、X方向に並列に複数個配置される。(これを素子行と呼ぶ)。この素子行を複数個基板上に配置し、はしご型電子源基板となる。各素子行の共通配線間に適宜駆動電圧を印加することで、各素子行を独立に駆動することが可能になる。すなわち、電子ビームを放出させる素子行には、電子放出閾値以上の電圧を電子ビームを放出させない素子行には電子放出閾値以下の電圧を印加すればよい。また各素子行間の共通配線Dx2〜Dx9を、例えばDx2、Dx3を同一配線とする様にしても良い。
図17ははしご型配置の電子源を備えた画像形成装置の構造を示すための図である。170はグリッド電極、171は電子が通過するための空孔、172は、Dox1、Dox2・・・Doxmよりなる容器外端子、173はグリッド電極170と接続されたG1、G2、・・・Gnからなる容器外端子、160は前述の様に各素子行間の共通配線を同一配線とした電子源基板である。尚、図13、図16と同一の符号は同一の部材を示す。前述の単純マトリクス配置の画像形成装置(図13)との違いは、電子源基板160とフェースプレート136の間にグリッド電極170を備えている事である。
基板160とフェースプレート136の中間には、グリッド電極170が設けられている。グリッド電極170は、表面伝導型放出素子から放出された電子ビームを変調することができるもので、はしご型配置の素子行と直交して設けられたストライプ状の電極に電子ビームを通過させるため、各素子に対応して1個ずつ円形の空孔171が設けられている。グリッドの形状や設置位置は必ずしも図17のようなものでなくともよく、開口としてメッシュ状に多数の通過口をもうけることもあり、また例えば表面伝導型放出素子の周囲や近傍に設けてもよい。
容器外端子172およびグリッド容器外端子173は、不図示の制御回路と電気的に接続されている。
【0028】
本画像形成装置では素子行を1列ずつ順次駆動(走査)していくのと同期してグリッド電極列に画像1ライン分の変調信号を同時に印加することにより、各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像を1ラインずつ表示することができる。 また本発明によればテレビジョン放送の表示装置のみならずテレビ会議システム、コンピューター等の表示装置に適した画像形成装置を提供することができる。さらには感光性ドラム等で構成された光プリンターとしての画像形成装置としても用いることもできる。
【0029】
また電子放出素子として表面伝導型電子放出素子ばかりでなく、MIM型電子放出素子、電界放出型電子放出素子等の冷陰極電子源にも適用可能である、更には熱電子源による画像形成装置にも適用することができる。
【0030】
以下に、本発明の特徴を最もよく表す具体的な実施例を示す。実施例中の電子放出素子には、上述の表面伝導型電子放出素子を用いた。
【0031】
参考例1]以下に具体的な参考例について図1を用いて説明する。
【0032】
上述のようにして得られた表面伝導型電子放出素子を有するマトリクス型配置電子基板(図12)121を用いて画像形成装置を形成した。図中、パネル11は画像形成部材を搭載したフェースプレートと、電子源基板121を搭載したリアプレートと、青板ガラスを切断加工して形成した支持枠の部材をフリットガラス接着部材を用いて、フリットガラスが溶融凝固するような温度まで昇温し冷却することで各部材を接着し製造した。フェースプレート及びリアプレートは、ガラス材料を切断して用いた。この結果、放熱部材14とパネル11の間での平行が保たれない状態となった。この状態で表示パネル11の裏面に、アルミ板材料で形成した熱伝導部材12を10mmの間隔に分割して敷き詰めた。固定は、不図示の熱伝導テープを用いて接着した。ここで、前述のパネル構成部品として用いたフェースプレートとリアプレートはガラス材料でその大きさが1m以上あるため、全面にわたり均一な平面度を出すことが困難で、反りやうねりをもつものであった。さらに、製造工程において熱工程(昇温−冷却サイクル)を伴ったことで、表示パネル11は図のように非線形に湾曲した。熱工程において、均一な温度上昇及び温度管理を表示パネル11全体にわたって行うことが困難なためである。次に、少なくとも熱伝導部材12を敷き詰めた個数分、全てにステンレス材料を使って形成した渦巻き状の巻きばねの一方を溶接固定した。さらに、パネルと同等以上の大きさのアルミ板とばね部材13の他方を溶接固定した。
【0033】
この構成により、表示パネル11が非線形の反りを生じてもばね部材13が放熱部材14と表示パネル11間の間隔を自己調整(ばねの伸縮による)できるため、安定に支持することができた。また本構成では、ばねで支持しているため外部振動に対して、除振効果があることも確認した。
【0034】
さらにこの状態で、表示パネル11に形成された電子放出素子(不図示)を上述の方式で駆動した。この駆動で表示パネル11は、リアプレート上の電子放出部の発熱とフェースプレート上の画像形成部材の発熱する。この熱のため表示パネル11は、フェースプレートとリアプレート及び支持枠間に温度差が生じ熱膨張の差により、反りが起きようとするが、この表示パネル11の裏面全面から熱伝導テープ(不図示)、熱伝導部材12、ばね部材13を通じて熱の伝導(高温部より低温部へ移動すること)が起こり、最終的に大部分の熱は、放熱部材14に送られそこで空気中に放熱される。一部の熱は、熱伝導部材12、ばね部材13からも放熱される。この結果、表示パネル11を駆動しても均一な放熱が行われるので、表示パネル11は初期形状を保持し、安定な画像表示を行うことが可能となった。
【0035】
上述の構成及び工程で、
(1)パネルの反りに影響することなく支持することができる。
(2)パネルの駆動を行っても安定に駆動表示することができる。
(3)パネルの駆動による真空リークや、装置破壊が生じることがなく、安全で長寿命である。
という長所をもつ画像形成装置を提示できた。
【0036】
なお、固定手段は上記のテープに限定されるものではない。ばね部材13に渦巻き状ばねを用いたがなんらこれに限定されるものではない。
参考例2]ばね部材の構成を図2を用いて説明する。21は、自身でばね特性を持つように薄い金属板を周知の湿式エッチング技術を用いて片持ちはりの構造にマトリクス状に形成した弾性部材、22はアルミ板等の放熱材料を有する放熱部材であり、その表面には上述の弾性部材21が形成されている薄板を導電性接着剤を用いて固定(図中のマトリクスに配列された片持ちはり部分以外の場所)した。また、表示パネル11の反りを考慮して片持ちはりの一部分(破線部)を折り曲ることで段差部23を構成した。表示パネル11は、弾性部材21の段差部を除いた場所で、導電性のテープを用いて固定した。
【0037】
参考例の構成により、表示パネル11が反っていても、弾性部材21が反り量を吸収できることで表示パネル11の全面にわたって均一な支持を行うことができた。さらに、この状態でパネルを駆動しても、駆動により発生した熱は弾性部材21を通じて伝導され、最終的に放熱部材22で放熱されるので、表示パネル11の反りが拡大されることはなかった。
【0038】
参考例により、ばね部が薄型で単純の構造を形成できることから、画像形成装置全体の幅が大きくなることがなく、またコスト的にも有利な構成を提示することができた。
参考例3]図3では、表示パネル11の裏面に設置した熱伝導部材12は、ばね部材13と横方向(表示パネル11の主平面方向)に連結して構成した例である。表示パネル11と熱伝導部材12の固定は、紙面X方向に外力を加えられる(不図示)部材を設けることで行った。また、熱伝導部材12とばね部材13の接続は、参考例1と同様に溶接することで行った。さらに、ばね部材13の構造も参考例1と同様に渦巻きばね部材を使用し、材質はステンレスを用いた。
【0039】
表示パネル11が形成された状態で、図のように非線形の反りを生じていてもばね部材13が自己調整(伸縮による)できるため、表示パネル11にならうような形状に熱伝導部材12が配設された。さらに、この状態でパネルを駆動しても、駆動により発生した熱は熱伝導部材12、ばね部材13を通じて伝導され、最終的に放熱部材14で放熱されるので、表示パネル11の反りが拡大されることはなかった。
実施例]薄い金属板を周知の湿式エッチング技術を用いて図4に示すように熱伝導部材41とばね部材42、外枠45を残した。金属板の材料には、ステンレスを用いた。44はエッチング部であり、この部分をエッチングにより除去した。本構成では、熱伝導部材41をマトリクス状に配置し、個々の熱伝導部材41は細くエッチングにより除去して形成したばね部材42と四方で接続した。ばね部材42は、金属の延性(弾性)を利用したもので、形状効果により、一枚の連続する板よりもばね性を有する構造ができた。次に、作製したエッチング板の外枠45の一方と放熱部43と導電性接着剤を用いて固定する。表示パネル11は、熱伝導部材41の一方と、導電性のテープを用いて固定した。
【0040】
本実施例の構成により、表示パネル11が反っていても、ばね部材42が反り量を吸収できることで表示パネル11の全面にわたって均一な支持を行うことができた。さらに、この状態でパネルを駆動しても、駆動により発生した熱は熱伝導部材41、ばね部材42、外枠45を通じて伝導され、最終的に放熱部材43で放熱されるので、表示パネル11の反りが拡大されることはなかった。
【0041】
なお、本実施例で提示したばね部材の製造方法や、ばねの個数等になんら限定はない。
参考例4]第4参考例では、支持部材に形状を自在に変えることが出来る密閉袋の中に熱伝導流体が入ったものを用いた。(図5中、51)流体には、水を、そして袋には、カーボン系のビニールを用いた。この熱伝導支持部材51を表示パネル11の裏面と放熱板部材14間に挟み込んだ、熱伝導支持部材51に所望の圧力が加わるように外圧52を加えている。
【0042】
参考例の構成により、表示パネル11が反っていても、熱伝導支持部材51が反りに対して任意の形状に変化できることから表示パネル11の全面にわたって均一な支持を行うことができた。さらに、この状態でパネルを駆動しても、駆動により発生した熱は熱伝導支持部材51を通じて伝導され、最終的に放熱部材14で放熱されるので、表示パネル11の反りが拡大されることはなかった。
【0043】
なお、本参考例で提示した熱伝導部材51の材料構成になんら限定はない。
【0044】
参考例の構成により、パネルの局所的な反りやうねりにも緻密にならうことができることから、より安定した支持と均一な放熱を可能にした。さらに、本支持部材では、支持と熱伝導の両立性をもたせることができたので部材の簡略化につながった。
参考例5]第5参考例では、第1参考例と第4参考例を組み合わせた支持方法である。構成を図6に示す。水とカーボン系ビニール袋から構成する熱伝導支持部材61をパネル11と放熱部材63間の中央部に配置した。さらに、その間の周辺部に熱伝導部材62とばね部材64を構成した。
【0045】
上述した参考例と同様に、本参考例の構成により、表示パネル11が反っていても、熱伝導支持部材61とばね部材64が反りに対して任意の形状に変化できることから表示パネル11の全面にわたって均一な支持を行うことができた。さらに、この状態でパネルを駆動しても、駆動により発生した熱は熱伝導支持部材61及び熱伝導部材62、ばね部材64を通じて伝導され、最終的に放熱部材63で放熱されるので、表示パネル11の反りが拡大されることはなかった。
【0046】
参考例の構成では、パネルが周辺部で大きく反っている場合に有効であった。
【0047】
【発明の効果】
本発明の画像形成装置では、パネルの反りやうねりに対応した安定な支持と、均一な放熱ができたことで、安全な設置及び、色ずれや破壊のない安定で高精細な画像形成装置を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の画像形成装置の参考例を示す断面図である。
【図2】本発明の画像形成装置の参考例の斜視図である。
【図3】本発明の画像形成装置の別の参考例を示す断面図である。
【図4】本発明の画像形成装置の実施例の斜視図である。
【図5】本発明の画像形成装置の他の参考例を示す断面図である。
【図6】本発明の画像形成装置のさらに他の参考例の断面図である。
【図7】本発明に用いられる基本的な表面伝導型電子放出素子の構成例を示す模式的平面図である。
【図8】本発明に用いられる基本的な垂直型表面伝導型電子放出素子の構成を示す模式的側面図である。
【図9】図9(a)(b)(c)は本発明に用いられる表面伝導型電子放出素子の製造方法の一例を示す工程図である。
【図10】図10(a),(b)はそれぞれ通電フォーミングの電圧波形の一例を示すグラフである。
【図11】電子放出特性を測定するための測定評価装置の概略構成図である。
【図12】単純マトリクス配置の電子源の構成を示す説明図である。
【図13】本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図14】図14(a),(b)はそれぞれ蛍光膜の構成を示す説明図である。
【図15】NTSC方式のテレビ信号に応じて表示を行なうための駆動回路を組み込んだ画像形成装置の一例を示すブロック図である。
【図16】本発明に用いる梯子配置の電子源の構成の一例を示す平面図である。
【図17】本発明の画像形成装置の一例を示す概略構成斜視図である。
【図18】従来の表面伝導型電子放出素子の構成例を示す説明図である。
【符号の説明】
11 表示パネル
12,41,62 熱伝導部材
13,42,64 ばね部材
14,43,63 放熱部材
A 支持部材
21 弾性部材
22 放熱部材
23 段差部
24,44 エッチング部
25,45 外枠
51,61 熱伝導支持部材
71 基板
72、73 素子電極
74 導電性薄膜
75 電子放出部
80 段差形成部
110 電流計
111 電源
112 電流計
113 高圧電源
114 アノード電極
115 真空装置
116 排気ポンプ
121 電子源基板
122 X方向配線
123 Y方向配線
124 表面伝導型電子放出素子
125 結線
131 リアプレート
132 支持枠
133 ガラス基板
134 蛍光膜
135 メタルバック
136 フェースプレート
137 高圧端子
138 外囲器
141 黒色導電材
142 蛍光体
151 表示パネル
152 走査回路
153 制御回路
154 シフトレジスタ
155 ラインメモリ
156 同期信号分離回路
157 変調信号発生器
Vx及びVa 直流電圧源
160 電子源基板
161 電子放出素子
162 共通配線
170 グリッド電極
171 電子が通過するための空孔
172 容器外端子
173 容器外端子
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an image forming apparatus such as a display device and a recording device to which an electron source is applied, and relates to a heat dissipation device for a thin image forming apparatus.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, two types of electron-emitting devices are known: a thermionic source and a cold cathode electron source. Cold cathode electron sources include field emission type (hereinafter abbreviated as FE type), metal / insulating layer / metal type (hereinafter abbreviated as MIM type), surface conduction electron-emitting devices, and the like. As an example of the FE type, W.W. P. Dyke & W. W. Dolan, “Field emission”, Advance in Electro Physics, 889 (1956) or C.I. A. Spindt, “Physical Properties of Thin-Film Field Emissions with Mollybdenium”, J. Am. Appl. Phys. 47 5248 (1976).
Examples of the MIM type include C.I. A. Mead, “The tunnel-emission amplifier, J. Appl. Phys., 32 646 (1961), etc. are known.
Examples of the surface conduction electron-emitting device type include M.I. I. Elinson, RadioEng. Electron Phys. 10 (1965). The surface conduction electron-emitting device utilizes a phenomenon in which electron emission occurs when a current flows through a small-area thin film formed on a substrate in parallel to the film surface. As this surface conduction electron-emitting device, SnOl by Erinson et al. 2 Thin film, Au thin film [G. Dittmer: “Thin Solid Films”, 9 317 (1972)], In 2 O Three / SnO 2 By thin film [M. Hartwell and C.H. G. Fonstad: “IEEE Trans. ED Conf.”, 519 (1975)], carbon thin film [Hisa Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1, pp. 22 (1983)] and the like have been reported.
As a typical device configuration of these surface conduction electron-emitting devices, the above-described M.P. A conventional Hartwell device configuration is shown in FIG. In the figure, reference numeral 181 denotes a substrate. 184 is a conductive thin film made of a metal oxide thin film formed by sputtering in an H-shaped pattern, and an electron emission portion 185 is formed by an energization process called energization forming described later. The element electrode interval L in the figure is set to 0.5 to 1 mm, and W ′ is set to 0.1 mm. Since the position and shape of the electron emission portion 185 are unknown, it is represented as a schematic diagram.
[0003]
Conventionally, in these surface conduction electron-emitting devices, it has been common to form the electron-emitting portion 185 in advance by conducting a process called energization forming on the conductive thin film 184 before electron emission. In other words, energization forming means applying a DC voltage or a very slow rising voltage, for example, about 1 V / min, to both ends of the conductive thin film 184 to locally destroy, deform or alter the conductive thin film, In other words, the electron emission portion 185 is formed in a highly resistive state. In the electron emission portion 185, a crack is generated in a part of the conductive thin film 184, and electrons are emitted from the vicinity of the crack. The surface conduction electron-emitting device subjected to the energization forming process emits electrons from the electron-emitting portion 185 by applying a voltage to the conductive thin film 184 and passing a current through the device.
Since the surface conduction electron-emitting device described above has a simple structure and is easy to manufacture, there is an advantage that a large number of devices can be arranged over a large area. Various applications that take advantage of this feature are being studied. For example, display devices such as a charged beam source and an image display device can be used.
[0004]
As an image display device using such an electron-emitting device, a rear plate on which an electron-emitting portion is mounted, a face plate on which an image forming member is mounted, and a device in which both are vacuum-sealed through a support frame are known. Yes.
[0005]
Such an image forming apparatus generally includes a face plate on which an image forming member is mounted, a rear plate on which an electron source substrate is mounted, and a support frame member formed by cutting and processing a blue plate glass with a frit glass adhesive member. The temperature is raised to a temperature at which the frit glass is melted and solidified, and then cooled, and the members are bonded and manufactured. At this time, in the thermal process, since it is difficult to perform uniform temperature rise and temperature management over the entire apparatus, the entire apparatus may be curved nonlinearly.
[0006]
Further, a thin and large-area image forming apparatus can be manufactured using a conventional electron-emitting device, but it is difficult to maintain plane accuracy over a large area for the face plate, rear plate, and support frame member to be formed. The forming device may have warping and undulation.
[0007]
Further, when the image forming apparatus is driven and displayed, the temperature difference between the face plate, the rear plate, and the support frame is generated due to the heat generated by the electron emission portion on the rear plate and the heat generated by the image forming member on the face plate. Due to the difference, the image forming apparatus may be warped and the entire apparatus may be curved.
[0008]
As a result, color misregistration, luminance reduction, and screen distortion occur, and there is a risk of vacuum leaks or damage to the device if driven for a long time.
[0009]
Therefore, there is a need for a uniform heat dissipation unit that stably supports the warp and undulation of the image forming apparatus and suppresses the warp that occurs during driving.
[0010]
[Problems to be solved by the invention]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a high-definition image forming apparatus that safely supports a flat and large-sized image forming apparatus that solves the above-described problems of the prior art and that is free from color misregistration due to uniform heat dissipation.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
The above object is achieved by the following means. That is, the present invention provides a face on which a rear plate on which an electron-emitting device is mounted, and an image forming member that is disposed opposite to the rear plate and on which an image is formed by irradiation of an electron beam emitted from the electron-emitting device. A display panel formed with a plate and having an internal vacuum atmosphere, and disposed outside the display panel and on the rear plate side, Frame-shaped In an image forming apparatus including a heat radiating member, a support member that has thermal conductivity and elasticity and supports the display panel according to the shape of the display panel is disposed between the display panel and the heat radiating member. And Adhering and fixing the outer frame integrally formed with the support member and the frame-shaped heat dissipation member with a conductive adhesive, The present invention proposes an image forming apparatus characterized in that the heat dissipating member and the supporting member are outside the vacuum atmosphere, and the electron-emitting device mounted on the rear plate of the display panel is a surface conduction electron-emitting device. Including.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part of an image forming apparatus showing an example of the present invention, and FIG. 13 is a schematic configuration diagram showing an example of an image forming apparatus of the present invention.
In FIG. 1, 11 is a display panel, 12 is a heat conducting member, 13 is a spring member which is a support member having a telescopic function, and 14 is a heat radiating member.
As shown in FIG. 13, the display panel 11 includes a rear plate 131 on which a pair of device electrodes of an electron-emitting device are connected by an X-direction wiring 122 and a Y-direction wiring 123 and an electron source substrate 121 manufactured on the substrate is mounted on the rear plate 131. A face plate 136 mounted with an image forming member that is disposed opposite to the plate 131 and forms an image by irradiation of an electron beam emitted from the electron-emitting device, and a support frame 132 disposed between the plates 131 and 136. ing.
The image forming member mounted on the face plate 136 is configured by sequentially laminating a fluorescent film 134 and a metal back 135 on a glass substrate 133.
The image forming apparatus of the present invention is an image forming apparatus having the display panel as described above, and has a heat conductive member 12 and a stretchable spring member between the display panel 11 and the heat dissipation member 14 as shown in FIG. 13 and a plurality of support members A composed of 13. The heat conducting member 12 and the spring member 13 may be made of the same material or different materials. It is particularly important that the support member A is attached so that it can expand and contract in accordance with the change in the shape of the display panel 11, so that the heat conducting member 12 of the support member A has an interval of about 1 to 100 mm. It is preferable to provide it.
With the above configuration, even if nonlinear warping occurs in the display panel 11, the spring member 13 can self-adjust the distance between the heat radiating member 14 and the display panel 11 by the expansion and contraction of the spring member 13, so that the display panel 11 is warped. The display panel 11 can be supported very stably without any problem. Further, since heat generated by driving the display panel 11 is conducted through the heat conducting member 12 and the spring member 13 and finally dissipated by the heat radiating member 14, it is possible to prevent expansion of the warp of the display panel 11. In this case, it is preferable that the spring member 13 is made of a heat conductive material because heat conduction is performed more smoothly.
Examples of the heat conductive member 12 include plate materials such as aluminum, copper, and heat conductive rubber.
Examples of the spring member 13 include elastic materials such as stainless steel and steel, and the shape can be selected from any known shape that can exhibit a spring effect such as a spiral shape or a cantilever shape.
The fixing means between the display panel 11 and the heat conducting member 12, the fixing means between the heat conducting member 12 and the spring member 13, and the fixing means between the heat dissipating member 14 and the spring member 13 are welded, heated in consideration of the combination of both materials. It can be appropriately selected from known means such as adhesion using a conductive tape and adhesion using a conductive adhesive.
FIG. 3 shows another example of the image forming apparatus according to the present invention. In this example, the support member A is formed by connecting the end portions of the heat conducting member 12 in series via the spring member 13. Yes. The heat conducting member 12 of the support member A is fixedly attached to the back surface of the display panel 11 as shown in FIG. 3, and the display panel 11 closes the opening of the heat radiating member 14 formed in a shallow box shape. The display panel 11 to which the support member A is fixed is attached to the heat dissipation member 14 via the spring members 13 at both ends of the support member A.
Even if the display panel 11 is warped by the above configuration, it is self-adjusted by the expansion and contraction of the spring member 13 and is supported extremely stably. Further, even if the display panel 11 is driven in this state, the heat generated by the driving is conducted through the heat conducting member 12 and the spring member 13, and the warp of the display panel 11 of the heat radiating member 14 is not eventually expanded.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing another example of the present invention. In this example, a heat conduction support member 51 formed of a sealed bag in which a heat conduction fluid such as water is sealed is provided between the display panel 11 and the heat radiation member 14. It consists of a sandwiched structure.
By adopting the above-described configuration, the same effects as those of the examples of FIGS. 1 and 3 can be obtained.
[0013]
The cold cathode electron source used in the present invention is preferably a surface conduction electron-emitting device that has a simple configuration and is easy to manufacture.
There are basically two types of surface conduction electron-emitting devices that can be used in the present invention: planar surface conduction electron-emitting devices and vertical surface conduction electron-emitting devices.
FIG. 7 is a schematic plan view and a cross-sectional view showing a configuration of a basic surface conduction electron-emitting device.
In FIG. 7, 71 is a substrate, 72 and 73 are element electrodes, 74 is a conductive thin film, and 75 is an electron emission portion.
As the substrate 71, quartz glass, glass with low impurity content such as Na, blue plate glass, SiO 2 2 A glass substrate formed on the surface and a ceramic substrate such as alumina are used.
As a material for the device electrodes 72 and 73, a general conductor is used. For example, a metal or alloy such as Ni, Cr, Au, Mo, W, Pt, Ti, Al, Cu, Pd, and Pd, Ag, Au, RuO 2 , Printed conductors composed of metals such as Pd-Ag or metal oxides and glass, In 2 O Three -SnO 2 It is appropriately selected from transparent conductors such as, and semiconductor materials such as polysilicon.
The element electrode interval L is preferably several hundreds of angstroms to several hundreds of micrometers. In addition, it is desirable that the voltage applied between the element electrodes is low, and it is required that the voltage be generated with good reproducibility. Therefore, a particularly preferable element electrode interval is several micrometers to several tens of micrometers.
The element electrode length W is several hundred micrometers to several hundred micrometers from the resistance value and electron emission characteristic of the electrode, and the film thickness of the element electrodes 72 and 73 is preferably several micrometers to several hundred angstroms.
[0014]
In addition to the configuration in FIG. 7, a configuration in which the conductive thin film 74 and the element electrodes 72 and 73 are sequentially formed on the substrate 71 may be employed.
The conductive thin film 74 is particularly preferably a fine particle film composed of fine particles in order to obtain good electron emission characteristics, and the film thickness is the step coverage to the device electrodes 72 and 73, the resistance value between the device electrodes 72 and 73, and a later-described film thickness. Although it is set as appropriate depending on the energization forming conditions to be performed, it is preferably several angstroms to several thousand angstroms, and particularly preferably 10 angstroms to 500 angstroms. The sheet resistance value is 10 3 to 10 7 ohm / □.
The material constituting the conductive thin film 74 is Pd, Pt, Ru, Ag, Au, Ti, In, Cu, Cr, Fe, Zn, Sn, Ta, W, Pb and other metals, PdO, SnO. 2 , In 2 O Three , PbO, Sb 2 O Three Oxides such as HfB 2 , ZrB 2 , LaB 6 , CeB 6 , YB Four , GdB Four And borides such as TiC, ZrC, HfC, TaC, SiC, and WC, nitrides such as TiN, ZrN, and HfN, semiconductors such as Si and Ge, and carbon.
The fine particle film described here is a film in which a plurality of fine particles are aggregated, and the fine structure is not limited to the state in which the fine particles are individually dispersed and arranged, but also the state in which the fine particles are adjacent to each other or overlap (including island shapes). The particle size of the fine particles is from several angstroms to several thousand angstroms, preferably from 10 angstroms to 200 angstroms.
The electron emission portion 75 is a high-resistance crack formed in a part of the conductive thin film 74 and is formed by energization forming or the like. The crack may have conductive fine particles having a particle diameter of several angstroms to several hundred angstroms. The conductive fine particles contain at least a part of the elements constituting the conductive thin film 74.
Moreover, the electron emission part 75 and the electroconductive thin film 74 of the vicinity may have carbon and a carbon compound.
[0015]
FIG. 8 is a schematic diagram showing the configuration of a basic vertical surface conduction electron-emitting device.
In FIG. 8, the same members as those in FIG. Reference numeral 80 denotes a step forming portion.
The substrate 71, the device electrodes 72 and 73, the conductive thin film 74, and the electron emission portion 75 can be made of the same material as the above-described planar surface conduction electron emission device, and the step forming portion 80 is made of an insulating material. The film thickness of the step forming portion 80 corresponds to the element electrode interval L of the planar surface conduction electron-emitting device described above. The distance is several hundred angstroms to several tens of micrometers. The distance can be controlled by the manufacturing method of the step forming portion and the voltage applied between the device electrodes, but is preferably several hundred angstroms to several micrometers.
Since the conductive thin film 74 is formed after the device electrodes 72 and 73 and the step forming portion 80 are formed, the conductive thin film 74 is laminated on the device electrodes 72 and 73. In FIG. 8, the electron emission portion 75 is shown to be formed in a straight line on the step forming portion 80. However, depending on the creation conditions, energization forming conditions, etc., the shape and position are not limited to this. Absent.
Various methods are conceivable as a method for manufacturing the above-described surface conduction electron-emitting device, and an example is shown in FIG.
Hereinafter, a method for manufacturing the electron source substrate will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is provided about the member same as FIG.
[0016]
1) The substrate is sufficiently washed with a detergent, pure water and an organic solvent, and then an element electrode material is deposited by a vacuum vapor deposition method, a sputtering method or the like. Thereafter, device electrodes 72 and 73 are formed on the substrate by a photolithography technique (FIG. 9A).
[0017]
2) An organometallic thin film is formed by applying an organometallic solution to the substrate 71 provided with the device electrodes 72 and 73 and leaving it to stand. The organometallic solution here is a solution of an organometallic compound whose main element is the metal that forms the conductive film 74 described above. Thereafter, the organic metal thin film is heated and baked and patterned by lift-off, etching, or the like to form the conductive thin film 74 (FIG. 9B). In addition, although it demonstrated by the coating method of the organometallic solution here, it is not restricted to this, When forming by a vacuum evaporation method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a dispersion coating method, a dipping method, a spinner method, etc. There is also.
[0018]
3) Subsequently, an energization process called energization forming is performed. In the energization forming, the element electrodes 72 and 73 are energized from a power source (not shown), and the conductive thin film 74 is locally broken, deformed, or altered to form a site whose structure is changed. The region where the structure is locally changed is called an electron emission portion 75 (FIG. 9C). An example of the voltage waveform of energization forming is shown in FIG.
The voltage waveform is particularly preferably a pulse waveform, and there are a case where a voltage pulse having a constant pulse peak value is applied continuously (FIG. 10a) and a case where a voltage pulse is applied while increasing the pulse peak value (FIG. 10b). . First, the case where the pulse peak value is a constant voltage (FIG. 10a) will be described.
In FIG. 10a, T1 and T2 are the pulse width and pulse interval of the voltage waveform, T1 is 1 microsecond to 10 milliseconds, T2 is 10 microseconds to 100 milliseconds, and the peak value of the triangular wave (peak voltage during energization forming) ) Is appropriately selected according to the form of the surface conduction electron-emitting device, and is applied for several seconds to several tens of minutes in a suitable vacuum degree, for example, in a vacuum atmosphere of about 10 −5 torr. The waveform applied between the electrodes of the element is not limited to a triangular wave, and a desired waveform such as a rectangular wave may be used.
T1 and T2 in FIG. 10b are the same as in FIG. 10a, and the peak value of the triangular wave (peak voltage at the time of energization forming) is increased by, for example, about 0.1 V step and applied in an appropriate vacuum atmosphere.
[0019]
In this case, in the energization forming process, the element current is measured at a voltage that does not locally destroy or deform the conductive thin film 74 during the pulse interval T2, for example, a voltage of about 0.1 V, and the resistance value is obtained. For example, the energization forming is ended when a resistance of 1 M ohm or more is shown.
[0020]
4) Next, it is desirable to perform a process called an activation process on the element that has undergone energization forming.
The activation step is, for example, a process of repeatedly applying a voltage pulse having a constant pulse peak value at a degree of vacuum of about 10 −4 to 10 −5 torr, as with energization forming. In this process, carbon and a carbon compound resulting from the organic substance present in the substrate are deposited on the conductive thin film to significantly change the device current If and the emission current Ie. The activation process ends when, for example, the emission current Ie is saturated while measuring the device current If and the emission current Ie. Moreover, it is preferable that the voltage pulse to be applied is an operation driving voltage.
[0021]
Here, carbon or a carbon compound is graphite (refers to both single and polycrystalline) and amorphous carbon (refers to a mixture of amorphous carbon and polycrystalline graphite), and its film thickness is 500 angstroms or less. Preferably, it is 300 angstroms or less.
[0022]
5) It is preferable to operate the electron-emitting device thus produced by placing it in an atmosphere having a higher degree of vacuum than the degree of vacuum in the energization forming process and the activation process. In addition, it is desirable to operate after heating at 80 ° C. to 150 ° C. in an atmosphere with a higher degree of vacuum.
The degree of vacuum higher than the energization forming step and the activated vacuum degree is, for example, a vacuum degree of about 10 −6 or more, more preferably an ultra-high vacuum system, and a new carbon and carbon compound. Is a degree of vacuum that hardly deposits on the conductive thin film. By doing so, the device current If and the emission current Ie can be stabilized. FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a measurement evaluation apparatus for measuring the electron emission characteristics of the device having the configuration shown in FIG. 11, the same reference numerals as those in FIG. 7 denote the same components. Reference numeral 111 denotes a power source for applying the device voltage Vf to the electron-emitting device, 110 denotes an ammeter for measuring the device current If flowing in the conductive thin film 74 between the device electrodes 2 and 3, and 114 denotes the device. An anode electrode for capturing the emission current Ie emitted from the electron emission portion, 113 is a high voltage power source for applying a voltage to the anode electrode 114, and 112 is an emission current Ie emitted from the electron emission portion 75 of the device. , 115 is a vacuum device, and 116 is an exhaust pump.
Next, the image forming apparatus of the present invention will be described.
The electron source substrate used in the image forming apparatus is formed by arranging a plurality of surface conduction electron-emitting devices on the substrate.
In the arrangement method of the surface conduction electron-emitting devices, a surface-conduction electron-emitting device is arranged in parallel, and a ladder-type arrangement in which both ends of each element are connected by wiring (hereinafter referred to as a ladder-type arrangement electron source substrate), A simple matrix arrangement (hereinafter referred to as a matrix-type arrangement electron source substrate) in which an X-direction wiring and a Y-direction wiring are connected to a pair of element electrodes of a surface conduction electron-emitting device, respectively. Note that an image forming apparatus having a ladder-type arrangement electron source substrate requires a control electrode (grid electrode) that is an electrode for controlling the flight of electrons from the electron-emitting device.
Hereinafter, the configuration of the electron source configured based on this principle will be described with reference to FIG. 121 is an electron source substrate, 122 is an X-direction wiring, 123 is a Y-direction wiring, 124 is a surface conduction electron-emitting device, and 125 is a connection. The surface conduction electron-emitting device 124 may be either the above-described planar type or vertical type.
In the figure, the substrate used for the electron source substrate 121 is the above-described glass substrate or the like, and the shape is appropriately set according to the application.
The m X-direction wirings 122 are composed of Dx1, Dx2,... Dxm, and the Y-direction wiring 123 is composed of n wirings of Dy1, Dy2,.
The material, film thickness, and wiring width are appropriately set so that a substantially uniform voltage is supplied to a large number of surface conduction elements. The m X-direction wirings 122 and the n Y-direction wirings 123 are electrically separated by an interlayer insulating layer (not shown) to form a matrix wiring. (M and n are both positive integers)
An interlayer insulating layer (not shown) is formed in a desired region on the entire surface or a part of the substrate 121 on which the X direction wiring 122 is formed. The X-direction wiring 122 and the Y-direction wiring 123 are each drawn out via an external terminal.
Furthermore, element electrodes (not shown) of the surface conduction electron-emitting device 124 are electrically connected by m pieces of X-direction wirings 122, n pieces of Y-direction wirings 123, and connections 125.
The surface conduction electron-emitting device may be formed on the substrate or an interlayer insulating layer (not shown).
As will be described in detail later, a scanning signal generating means (not shown) for applying a scanning signal for scanning a row of surface conduction type emitting elements 124 arranged in the X direction to the X direction wiring 122 according to an input signal. And are electrically connected.
On the other hand, the Y-direction wiring 123 includes modulation signal generating means (not shown) for applying a modulation signal for modulating each column of the surface conduction electron-emitting devices 124 arranged in the Y direction according to an input signal. Electrically connected.
Further, the driving voltage applied to each element of the surface conduction electron-emitting device is supplied as a differential voltage between the scanning signal and the modulation signal applied to the element.
In the above configuration, individual elements can be selected and driven independently by simple matrix wiring.
Next, an image forming apparatus using the matrix type arranged electron source substrate prepared as described above will be described with reference to FIGS. FIG. 13 is a basic configuration diagram of an image forming apparatus, FIG. 14 is a fluorescent film, FIG. 15 is a block diagram of a drive circuit for displaying in accordance with an NTSC television signal, and image formation including the drive circuit is shown. Represents a device.
In FIG. 13, reference numeral 121 denotes an electron source substrate on which an electron-emitting device is formed, 131 denotes a rear plate on which the electron source substrate 121 is fixed, 136 denotes a fluorescent film 134, a metal back 135, and the like formed on the inner surface of the glass substrate 133. A face plate, 132 is a support frame, and 131 is a rear plate, and an envelope 138 is constituted by these members.
In FIG. 13, reference numeral 124 corresponds to the electron emission portion in FIG. Reference numerals 122 and 123 denote X-direction wirings and Y-direction wirings connected to a pair of device electrodes of the surface conduction electron-emitting device.
As described above, the envelope 138 includes the face plate 136, the support frame 132, and the rear plate 131. However, the rear plate 131 is provided mainly for the purpose of reinforcing the strength of the electron source substrate 121. When the electron source substrate 121 itself has sufficient strength, the separate rear plate 131 is not necessary, and the support frame 132 is directly provided on the electron source substrate 121, and the face plate 136, the support frame 132, and the electron source substrate 121 are provided. The envelope 138 may be configured.
In FIG. 14, reference numeral 142 denotes a phosphor. In the case of monochrome, the phosphor 142 is composed of only a phosphor. In the case of a color phosphor film, the phosphor 142 includes a black conductive material 141 called a black stripe or a black matrix and the phosphor 142 depending on the arrangement of the phosphors. The purpose of providing the black stripe and the black matrix is to make the mixed colors and the like inconspicuous by making the divided portions between the respective phosphors 142 of the necessary three primary color phosphors black in the case of color display, and the external light in the phosphor film 134 It is to suppress a decrease in contrast due to reflection. The material of the black stripe is not limited to the material which is not only a material mainly composed of graphite, which is usually used well, but also a material having conductivity and low light transmission and reflection.
As a method of applying the phosphor on the glass substrate 133, a precipitation method or a printing method is used regardless of monochrome or color.
A metal back 135 (FIG. 13) is usually provided on the inner surface side of the fluorescent film 134 (FIG. 13). The purpose of the metal back is to improve the luminance by specularly reflecting the light emitted from the phosphor toward the inner surface toward the face plate 136, to act as an electrode for applying an electron beam acceleration voltage, For example, the phosphor is protected from damage caused by the collision of negative ions generated in the chamber. The metal back can be produced by performing a smoothing process (usually called filming) on the inner surface of the phosphor film after the phosphor film is produced, and then depositing Al by vacuum evaporation or the like.
The face plate 136 may be provided with a transparent electrode (not shown) on the outer surface side of the fluorescent film 134 in order to further increase the conductivity of the fluorescent film 134.
The envelope 138 passes through an exhaust pipe (not shown) and 10 -7 The degree of vacuum is about torr and sealing is performed. In addition, a getter process may be performed in order to maintain the degree of vacuum after the envelope 138 is sealed. This is because vapor deposition is performed by heating a getter disposed at a predetermined position (not shown) in the envelope 138 by a heating method such as resistance heating or high frequency heating immediately before or after sealing the envelope 138. This is a process for forming a film. The getter is usually composed mainly of Ba or the like, and, for example, 1 × 10 6 by the adsorption action of the deposited film. -Five torr or 1 × 10 -7 The degree of vacuum of torr is maintained. Note that the steps after forming the surface conduction electron-emitting device are appropriately set.
Next, a schematic configuration of a drive circuit for performing television display based on an NTSC television signal in an image forming apparatus constructed using a matrix type electron source substrate will be described with reference to the block diagram of FIG. 151 is the display panel, 152 is a scanning circuit, 153 is a control circuit, 154 is a shift register, 155 is a line memory, 156 is a synchronizing signal separation circuit, 157 is a modulation signal generator, and Vx and Va are DC voltage sources. It is.
[0023]
Hereinafter, the function of each part will be described. First, the display panel 151 is connected to an external electric circuit via the terminals Dox1 to Doxm, the terminals Doy1 to Doyn, and the high voltage terminal Hv. Among these, the terminals Dox1 to Doxm sequentially drive the electron source provided in the image forming apparatus, that is, a group of surface conduction electron-emitting devices arranged in a matrix of M rows and N columns in a row (N elements). Then, a scanning signal for applying is applied.
On the other hand, a modulation signal for controlling the output electron beam of each element of the surface conduction electron-emitting elements in one row selected by the scanning signal is applied to the terminals Dy1 to Dyn. The high voltage terminal Hv is supplied with a DC voltage of, for example, 10 [kV] from the DC voltage source Va. This is sufficient to excite the phosphor with the electron beam output from the surface conduction electron-emitting device. This is the acceleration voltage for applying energy.
Next, the scanning circuit 152 will be described. The circuit includes M switching elements (schematically indicated by S1 to Sm in the figure), and each switching element is an output voltage of a DC voltage source Vx or 0 [V] (ground level). Is selected and electrically connected to terminals Dx1 to Dxm of the display panel 151. Each of the switching elements S1 to Sm operates based on the control signal Tscan output from the control circuit 153, but in actuality, it can be configured by combining switching elements such as FETs.
The DC voltage source Vx is such that the driving voltage applied to the element not scanned based on the characteristics (electron emission threshold voltage) of the surface conduction electron-emitting element is lower than the electron emission threshold voltage. It is set to output a constant voltage.
The control circuit 153 has a function of matching the operation of each unit so that appropriate display is performed based on an image signal input from the outside. Based on a synchronization signal Tsync sent from a synchronization signal separation circuit 156 described below, control signals Tscan, Tsft, and Tmry are generated for each unit.
The synchronization signal separation circuit 156 is a circuit for separating a synchronization signal component and a luminance signal component from an NTSC television signal input from the outside, and can be configured by using a frequency separation (filter) circuit. As is well known, the synchronization signal separated by the synchronization signal separation circuit 156 includes a vertical synchronization signal and a horizontal synchronization signal, but is illustrated here as a Tsync signal for convenience of explanation. On the other hand, the luminance signal component of the image separated from the television signal is represented as a DATA signal for convenience, but the signal is input to the shift register 154.
The shift register 154 is for serial / parallel conversion of the DATA signal serially input in time series for each line of the image, and operates based on the control signal Tsft sent from the control circuit 153. (In other words, the control signal Tsft may be rephrased as a shift clock of the shift register 154.) The data for one line of the serial / parallel converted image (corresponding to the drive data for N electron-emitting devices) is Id1. To Idn are output from the shift register 154 as N parallel signals.
The line memory 155 is a storage device for storing data for one image line for a necessary time, and appropriately stores the contents of Id1 to Idn according to the control signal Tmry sent from the control circuit 153. The stored contents are output as Idl to Idn and input to the modulation signal generator 157.
The modulation signal generator 157 is a signal source for appropriately driving and modulating each of the surface conduction electron-emitting devices according to each of the image data Id1 to Idn, and an output signal thereof is stored in the display panel 151 through terminals Doy1 to Doyn. Applied to the surface conduction electron-emitting device.
The electron-emitting device according to the present invention has the following basic characteristics with respect to the emission current Ie. That is, there is a clear threshold voltage Vth for electron emission, and electron emission occurs only when a voltage equal to or higher than Vth is applied.
[0024]
In addition, for a voltage higher than the electron emission threshold, the emission current also changes according to the change in the voltage applied to the device. Note that the value of the electron emission threshold voltage Vth and the degree of change of the emission current with respect to the applied voltage may change by changing the material, configuration, and manufacturing method of the electron-emitting device. I can say that.
That is, when a pulsed voltage is applied to the device, for example, no electron emission occurs even when a voltage lower than the electron emission threshold is applied, but an electron beam is output when a voltage higher than the electron emission threshold is applied. . At this time, first, it is possible to control the intensity of the output electron beam by changing the pulse peak value Vm. Second, it is possible to control the total amount of charges of the electron beam that is output by changing the pulse width Pw.
Therefore, as a method of modulating the electron-emitting device according to the input signal, there are a voltage modulation method, a pulse width modulation method, and the like. To implement the voltage modulation method, the modulation signal generator 157 has a certain length. Although a voltage pulse is generated, a voltage modulation circuit that appropriately modulates the peak value of the pulse according to input data is used.
In order to implement the pulse width modulation method, the modulation signal generator 157 generates a voltage pulse having a constant peak value, but appropriately modulates the width of the voltage pulse according to the input data. This circuit is used.
Through the series of operations described above, the image forming apparatus of the present invention can perform television display using the display panel 151. Although not specifically described in the above description, the shift register 154 and the line memory 155 may be either digital signal type or analog signal type, and in short, serial / parallel conversion and storage of image signals are performed at a predetermined speed. It only has to be done.
In the case of using a digital signal system, it is necessary to convert the output signal DATA of the synchronization signal separation circuit 156 into a digital signal. Further, the circuit used for the modulation signal generator 157 is slightly different depending on whether the output signal of the line memory 155 is a digital signal or an analog signal.
[0025]
First, the case of a digital signal will be described. In the voltage modulation method, for example, a well-known D / A conversion circuit may be used as the modulation signal generator 157, and an amplifier circuit or the like may be added as necessary.
In the case of the pulse width modulation method, the modulation signal generator 157 includes, for example, a high-speed oscillator and a counter that counts the wave number output from the oscillator, and a comparator that compares the output value of the counter with the output value of the memory. It can be configured by using a circuit combining (comparator). If necessary, an amplifier for amplifying the pulse-width modulated signal output from the comparator to the driving voltage of the surface conduction electron-emitting device may be added.
[0026]
Next, the case of an analog signal will be described. In the voltage modulation system, for example, an amplification circuit using a well-known operational amplifier or the like may be used as the modulation signal generator 157, and a level shift circuit or the like may be added if necessary. In the case of the pulse width modulation method, for example, a well-known voltage controlled oscillation circuit (VCO) may be used, and an amplifier for amplifying the voltage to the driving voltage of the surface conduction electron-emitting device is added if necessary. May be.
In the image forming apparatus completed as described above, each electron-emitting device is caused to emit electrons by applying a voltage through the container outer terminals Dox1 to Doxm, Doy1 to Doyn, and through the high voltage terminal Hv, the metal back 135, Alternatively, an image can be displayed by applying a high voltage to a transparent electrode (not shown), accelerating the electron beam, causing it to collide with the fluorescent film 134, and exciting and emitting light.
The above-described configuration is a schematic configuration necessary for producing a suitable image forming apparatus used for display or the like. For example, detailed portions such as materials of each member are not limited to the above-described contents, and image formation is performed. It selects suitably so that it may suit the use of an apparatus. Further, although the NTSC system has been exemplified as an input signal example, the present invention is not limited to this, and various systems such as the PAL and SECAM systems may be used, and more than this, a TV signal (for example, MUSE) composed of a large number of scanning lines. A high-definition TV system such as a system may be used.
[0027]
Next, the ladder-type arranged electron source substrate and the image forming apparatus using the same will be described with reference to FIGS.
In FIG. 16, 160 is an electron source substrate, 161 is an electron-emitting device, and Dx1 to Dx10 of 162 are common wirings connected to the electron-emitting device. A plurality of electron-emitting devices 161 are arranged on the substrate 160 in parallel in the X direction. (This is called an element row). A plurality of these element rows are arranged on a substrate to form a ladder type electron source substrate. By appropriately applying a driving voltage between the common wirings of each element row, each element row can be driven independently. That is, a voltage equal to or higher than the electron emission threshold may be applied to an element row that emits an electron beam, and a voltage equal to or lower than an electron emission threshold may be applied to an element row that does not emit an electron beam. Further, the common wirings Dx2 to Dx9 between the element rows may be configured such that, for example, Dx2 and Dx3 are the same wiring.
FIG. 17 is a view showing the structure of an image forming apparatus provided with an electron source arranged in a ladder shape. Reference numeral 170 denotes a grid electrode, reference numeral 171 denotes a hole through which electrons pass, reference numeral 172 denotes an external container terminal made of Dox1, Dox2,... Doxm, and reference numeral 173 denotes G1, G2,. The container outer terminal 160 is an electron source substrate in which the common wiring between the element rows is the same as described above. In addition, the same code | symbol as FIG. 13, FIG. 16 shows the same member. The difference from the image forming apparatus (FIG. 13) having the simple matrix arrangement described above is that a grid electrode 170 is provided between the electron source substrate 160 and the face plate 136.
A grid electrode 170 is provided between the substrate 160 and the face plate 136. The grid electrode 170 can modulate the electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device, and allows the electron beam to pass through a striped electrode provided perpendicular to the element row of the ladder-type arrangement. One circular hole 171 is provided corresponding to each element. The shape and installation position of the grid do not necessarily have to be as shown in FIG. 17, and a large number of mesh openings may be provided as openings, and may be provided, for example, around or near the surface conduction electron-emitting device. .
The container outer terminal 172 and the grid container outer terminal 173 are electrically connected to a control circuit (not shown).
[0028]
In this image forming apparatus, a modulation signal for one image line is simultaneously applied to the grid electrode columns in synchronization with the sequential driving (scanning) of the element rows one column at a time. Irradiation can be controlled and images can be displayed line by line. Further, according to the present invention, it is possible to provide an image forming apparatus suitable not only for a television broadcast display device but also for a display device such as a video conference system or a computer. Furthermore, it can also be used as an image forming apparatus as an optical printer composed of a photosensitive drum or the like.
[0029]
The electron-emitting device can be applied not only to a surface conduction electron-emitting device, but also to a cold cathode electron source such as an MIM-type electron-emitting device or a field-emission type electron-emitting device. Can also be applied.
[0030]
Specific examples that best illustrate the features of the present invention are set forth below. The above-described surface conduction electron-emitting device was used as the electron-emitting device in the examples.
[0031]
[ Reference example 1] Specific below Reference example Will be described with reference to FIG.
[0032]
An image forming apparatus was formed using the matrix type arrangement electronic substrate (FIG. 12) 121 having the surface conduction electron-emitting device obtained as described above. In the figure, a panel 11 is a frit glass adhesive member made of a face plate on which an image forming member is mounted, a rear plate on which an electron source substrate 121 is mounted, and a support frame member formed by cutting blue glass. Each member was bonded and manufactured by raising the temperature to a temperature at which the glass melted and solidified and cooling. The face plate and the rear plate were used by cutting a glass material. As a result, the parallelism between the heat dissipation member 14 and the panel 11 was not maintained. In this state, the heat conduction member 12 formed of an aluminum plate material was spread on the back surface of the display panel 11 at intervals of 10 mm. Fixing was performed using a heat conductive tape (not shown). Here, since the face plate and the rear plate used as the panel components described above are made of glass material and have a size of 1 m or more, it is difficult to obtain uniform flatness over the entire surface, and warpage and undulation are caused. It was. Furthermore, the display panel 11 was nonlinearly curved as shown in the figure due to the accompanying thermal process (temperature increase / cooling cycle) in the manufacturing process. This is because it is difficult to perform uniform temperature rise and temperature control over the entire display panel 11 in the thermal process. Next, at least one spiral spring formed by using a stainless material was weld-fixed to at least the number of the heat conductive members 12 spread. Further, the other of the aluminum plate having the same size or larger than the panel and the spring member 13 was fixed by welding.
[0033]
With this configuration, even when the display panel 11 undergoes non-linear warping, the spring member 13 can self-adjust the distance between the heat radiating member 14 and the display panel 11 (by expansion and contraction of the spring), and thus can be supported stably. Moreover, in this structure, since it was supported with the spring, it also confirmed that there was an anti-vibration effect with respect to external vibration.
[0034]
Further, in this state, an electron-emitting device (not shown) formed on the display panel 11 was driven by the above method. By this driving, the display panel 11 generates heat from the electron emission portion on the rear plate and heat from the image forming member on the face plate. Due to this heat, the display panel 11 has a temperature difference between the face plate, the rear plate, and the support frame and tends to warp due to a difference in thermal expansion. The heat conduction (moving from the high temperature part to the low temperature part) occurs through the heat conducting member 12 and the spring member 13, and finally most of the heat is sent to the heat radiating member 14 where it is radiated into the air. The Part of the heat is also radiated from the heat conducting member 12 and the spring member 13. As a result, even when the display panel 11 is driven, uniform heat dissipation is performed, so that the display panel 11 can maintain an initial shape and display a stable image.
[0035]
In the above configuration and process,
(1) It can be supported without affecting the warp of the panel.
(2) Stable drive display can be achieved even when the panel is driven.
(3) It is safe and has a long life without any vacuum leak or device destruction caused by driving the panel.
We were able to present an image forming apparatus with the advantages of
[0036]
The fixing means is not limited to the above tape. Although a spiral spring is used for the spring member 13, it is not limited to this.
[ Reference example 2] The structure of the spring member will be described with reference to FIG. 21 is an elastic member in which a thin metal plate is formed in a matrix shape in a cantilever structure using a well-known wet etching technique so as to have a spring characteristic, and 22 is a heat dissipation member having a heat dissipation material such as an aluminum plate. The thin plate on which the elastic member 21 is formed is fixed to the surface using a conductive adhesive (a place other than the cantilever portions arranged in the matrix in the figure). Further, in consideration of the warping of the display panel 11, the step portion 23 is configured by bending a part of the cantilever (broken line portion). The display panel 11 was fixed using a conductive tape at a place excluding the step portion of the elastic member 21.
[0037]
Book Reference example With this configuration, even when the display panel 11 is warped, the elastic member 21 can absorb the warp amount, so that the display panel 11 can be uniformly supported over the entire surface. Further, even if the panel is driven in this state, the heat generated by the driving is conducted through the elastic member 21 and is finally radiated by the heat radiating member 22, so that the warp of the display panel 11 is not enlarged. .
[0038]
Book Reference example Thus, since the spring portion is thin and a simple structure can be formed, the overall width of the image forming apparatus is not increased, and an advantageous configuration in terms of cost can be presented.
[ Reference example 3] FIG. 3 shows an example in which the heat conducting member 12 installed on the back surface of the display panel 11 is connected to the spring member 13 in the lateral direction (the main plane direction of the display panel 11). The display panel 11 and the heat conducting member 12 were fixed by providing a member (not shown) to which an external force is applied in the X direction on the paper surface. The connection between the heat conducting member 12 and the spring member 13 is Reference example It was performed by welding in the same manner as in 1. Furthermore, the structure of the spring member 13 is Reference example A spiral spring member was used as in No. 1, and the material was stainless steel.
[0039]
In the state where the display panel 11 is formed, the spring member 13 can be self-adjusted (by expansion and contraction) even if nonlinear warping occurs as shown in the figure, so that the heat conducting member 12 has a shape that follows the display panel 11. Arranged. Further, even if the panel is driven in this state, the heat generated by the driving is conducted through the heat conducting member 12 and the spring member 13 and finally dissipated by the heat radiating member 14, so that the warp of the display panel 11 is enlarged. It never happened.
[ Example The heat conductive member 41, the spring member 42, and the outer frame 45 were left on the thin metal plate by using a well-known wet etching technique as shown in FIG. Stainless steel was used as the material for the metal plate. Reference numeral 44 denotes an etching portion, which was removed by etching. In this configuration, the heat conducting members 41 are arranged in a matrix, and the individual heat conducting members 41 are connected to the spring members 42 that are formed by thinly removing them by etching. The spring member 42 utilizes the ductility (elasticity) of metal, and due to the shape effect, a structure having a spring property was achieved rather than a single continuous plate. Next, it fixes using one side of the outer frame 45 of the produced etching board, the thermal radiation part 43, and a conductive adhesive. The display panel 11 was fixed using one of the heat conductive members 41 and a conductive tape.
[0040]
With the configuration of this example, even when the display panel 11 is warped, the spring member 42 can absorb the amount of warpage, so that the display panel 11 can be uniformly supported over the entire surface. Further, even if the panel is driven in this state, the heat generated by the driving is conducted through the heat conducting member 41, the spring member 42, and the outer frame 45, and finally radiated by the heat radiating member 43. The warp was not enlarged.
[0041]
In addition, there is no limitation at all in the manufacturing method of the spring member presented in the present embodiment, the number of springs, and the like.
[ Reference example 4] No. 4 Reference examples In this case, a support bag in which a heat transfer fluid is contained in a sealed bag whose shape can be freely changed is used. (51 in FIG. 5) Water was used for the fluid, and carbon-based vinyl was used for the bag. The heat conduction support member 51 is sandwiched between the back surface of the display panel 11 and the heat radiating plate member 14, and an external pressure 52 is applied so that a desired pressure is applied to the heat conduction support member 51.
[0042]
Book Reference example With this configuration, even if the display panel 11 is warped, the heat conduction support member 51 can be changed into an arbitrary shape with respect to the warp, so that the display panel 11 can be supported uniformly over the entire surface. Further, even if the panel is driven in this state, the heat generated by the driving is conducted through the heat conduction support member 51 and is finally radiated by the heat radiating member 14, so that the warp of the display panel 11 is expanded. There wasn't.
[0043]
Book Reference example There is no limitation on the material configuration of the heat conducting member 51 presented in the above.
[0044]
Book Reference example With this configuration, it is possible to closely follow local warping and undulation of the panel, enabling more stable support and uniform heat dissipation. Furthermore, in this support member, compatibility between support and heat conduction could be achieved, leading to simplification of the member.
[ Reference Example 5 No. 5 Reference examples So first Reference example And second 4 Reference examples It is a support method that combines. The configuration is shown in FIG. A heat conduction support member 61 composed of water and a carbon-based plastic bag was disposed at the center between the panel 11 and the heat dissipation member 63. Furthermore, the heat conduction member 62 and the spring member 64 were comprised in the peripheral part between them.
[0045]
Mentioned above Reference example As well as the book Reference example With this configuration, even when the display panel 11 is warped, the heat conduction support member 61 and the spring member 64 can be changed to any shape with respect to the warp, so that the display panel 11 can be supported uniformly over the entire surface. Further, even if the panel is driven in this state, the heat generated by the driving is conducted through the heat conduction support member 61, the heat conduction member 62, and the spring member 64, and is finally radiated by the heat radiation member 63. Eleven warpages were not magnified.
[0046]
Book Reference example This configuration was effective when the panel was greatly warped at the periphery.
[0047]
【The invention's effect】
In the image forming apparatus of the present invention, stable support corresponding to the warping and undulation of the panel and uniform heat dissipation have been achieved, so that a safe and precise and high-definition image forming apparatus free from color shift and destruction can be obtained. Could be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows an image forming apparatus according to the present invention. reference It is sectional drawing which shows an example.
FIG. 2 shows an image forming apparatus according to the present invention. reference It is a perspective view of an example.
FIG. 3 shows another image forming apparatus according to the present invention. reference It is sectional drawing which shows an example.
FIG. 4 shows an image forming apparatus according to the present invention. Example FIG.
FIG. 5 shows an image forming apparatus according to the present invention. Other references It is sectional drawing which shows an example.
FIG. 6 shows an image forming apparatus according to the present invention. Still other reference examples FIG.
FIG. 7 is a schematic plan view showing a configuration example of a basic surface conduction electron-emitting device used in the present invention.
FIG. 8 is a schematic side view showing a configuration of a basic vertical surface conduction electron-emitting device used in the present invention.
FIGS. 9A, 9B, and 9C are process diagrams showing an example of a method for manufacturing a surface conduction electron-emitting device used in the present invention.
FIGS. 10A and 10B are graphs showing examples of voltage waveforms of energization forming, respectively.
FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a measurement evaluation apparatus for measuring electron emission characteristics.
FIG. 12 is an explanatory diagram showing a configuration of an electron source having a simple matrix arrangement.
FIG. 13 is a schematic configuration diagram illustrating an example of an image forming apparatus of the present invention.
FIGS. 14A and 14B are explanatory views showing the structure of the fluorescent film, respectively.
FIG. 15 is a block diagram illustrating an example of an image forming apparatus in which a driving circuit for performing display in accordance with an NTSC television signal is incorporated.
FIG. 16 is a plan view showing an example of the configuration of an electron source with a ladder arrangement used in the present invention.
FIG. 17 is a schematic configuration perspective view showing an example of the image forming apparatus of the present invention.
FIG. 18 is an explanatory view showing a configuration example of a conventional surface conduction electron-emitting device.
[Explanation of symbols]
11 Display panel
12, 41, 62 Heat conduction member
13, 42, 64 Spring member
14, 43, 63 Heat dissipation member
A Support member
21 Elastic member
22 Heat dissipation member
23 steps
24, 44 Etching part
25, 45 outer frame
51, 61 Heat conduction support member
71 substrate
72, 73 Device electrode
74 Conductive thin film
75 Electron emission part
80 Step forming part
110 Ammeter
111 power supply
112 Ammeter
113 High voltage power supply
114 Anode electrode
115 Vacuum equipment
116 exhaust pump
121 Electron source substrate
122 X direction wiring
123 Y-direction wiring
124 surface conduction electron-emitting device
125 connection
131 Rear plate
132 Support frame
133 Glass substrate
134 Fluorescent membrane
135 metal back
136 Face plate
137 High voltage terminal
138 Envelope
141 Black conductive material
142 phosphor
151 Display panel
152 Scanning Circuit
153 Control circuit
154 Shift register
155 line memory
156 Sync signal separation circuit
157 Modulation signal generator
Vx and Va DC voltage source
160 Electron source substrate
161 Electron emitting device
162 Common wiring
170 Grid electrode
171 Holes for electrons to pass through
172 External terminal
173 External terminal

Claims (2)

電子放出素子を搭載したリアプレートと、該リアプレートと対向配置されると共に該電子放出素子から放出される電子線の照射により画像が形成される画像形成部材を搭載するフェースプレートとで形成される、内部が真空雰囲気である表示パネルと、該表示パネル外であって、前記リアプレート側に配置された、枠形状の放熱部材とを備える画像形成装置において、
前記表示パネルと前記放熱部材との間には、熱伝導性と弾性とを有すると共に、前記表示パネルの形状にならって該表示パネルを支持する支持部材が配置されており、前記支持部材が一体的に形成された外枠と、枠形状の放熱部材とを導電性接着剤によって接着固定するとともに、前記放熱部材および前記支持部材が真空雰囲気外にあることを特徴とする画像形成装置。
A rear plate on which an electron-emitting device is mounted, and a face plate on which an image forming member on which an image is formed by irradiation of an electron beam emitted from the electron-emitting device while being opposed to the rear plate is mounted. In an image forming apparatus comprising: a display panel having a vacuum atmosphere inside; and a frame-shaped heat dissipation member disposed outside the display panel and disposed on the rear plate side.
Between the display panel and the heat radiating member, a support member that has thermal conductivity and elasticity and supports the display panel according to the shape of the display panel is disposed, and the support member is integrated. An image forming apparatus , wherein the outer frame and the frame-shaped heat radiation member are bonded and fixed by a conductive adhesive, and the heat radiation member and the support member are outside a vacuum atmosphere.
前記表示パネルのリアプレートに搭載される電子放出素子が表面伝導型電子放出素子である請求項1に記載の画像形成装置。  The image forming apparatus according to claim 1, wherein the electron-emitting device mounted on the rear plate of the display panel is a surface conduction electron-emitting device.
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