[go: up one dir, main page]

JPH0948694A - 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 - Google Patents

単結晶ダイヤモンド膜の形成方法

Info

Publication number
JPH0948694A
JPH0948694A JP7219624A JP21962495A JPH0948694A JP H0948694 A JPH0948694 A JP H0948694A JP 7219624 A JP7219624 A JP 7219624A JP 21962495 A JP21962495 A JP 21962495A JP H0948694 A JPH0948694 A JP H0948694A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
film
single crystal
diamond
platinum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7219624A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Kobashi
宏司 小橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Priority to JP7219624A priority Critical patent/JPH0948694A/ja
Priority to US08/680,612 priority patent/US5743957A/en
Priority to GB9615046A priority patent/GB2304118B/en
Priority to DE19631107A priority patent/DE19631107C2/de
Publication of JPH0948694A publication Critical patent/JPH0948694A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/04—Diamond
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/02—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/02433—Crystal orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02491—Conductive materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02527—Carbon, e.g. diamond-like carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02658—Pretreatments

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低いコストで大面積の単結晶ダイヤモンド膜
を気相合成することができ、ダイヤモンドを使用した幅
広い応用分野において、ダイヤモンドの特性の飛躍的向
上と実用化とを可能にする単結晶ダイヤモンド膜の形成
方法を提供する。 【解決手段】 単結晶ダイヤモンドの形成方法は、先ず
第１基体１の上に白金膜２を蒸着し、白金膜２の上に第
２基体３を圧着して、真空中でアニール処理を行う。そ
して、白金膜２と第１基体１とを機械的に分離し、白金
膜２における第１基体１に接合していた接合面２ａに粗
面化処理を施した後に、接合面２ａ上にダイヤモンドを
気相合成する。このようにして、単結晶ダイヤモンド膜
４が形成される。また、蒸着した白金膜２の厚さが２０
μｍ以上の場合は、白金膜２の上に第２基体３を圧着す
ることなく白金膜２と第１基体１とを機械的に分離する
ことができるので、白金膜２の第１基体１に接合してい
た接合面２ａにダイヤモンドを気相合成することによ
り、同様に、単結晶ダイヤモンド膜が形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はトランジスタ、ダイオー
ド、各種センサ等の電子装置、ヒートシンク、表面弾性
波素子、Ｘ線窓、光学関連材料、耐摩耗材料、装飾材
料、及びそのコーティング等に適用される単結晶ダイヤ
モンド膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは耐熱性が優れ、エネルギ
ーギャップが５．５ｅＶと大きいことが特徴であり、通
常は絶縁体であるが、不純物をドーピングすることによ
り半導体ダイヤモンドを得ることができる。また、ダイ
ヤモンドは絶縁破壊電圧及び飽和ドリフト速度が大きい
と共に、誘電率が小さいという優れた電気的特性を有す
る。このような電気的特性を利用して、ダイヤモンドを
高温、高周波又は高電界用の電子デバイス並びにセンサ
の材料として使用することが期待されている。
【０００３】また、ダイヤモンドのエネルギーギャップ
が大きいことを利用して、紫外線等の短波長領域にも対
応する光センサ及び発光素子に使用したり、熱伝導率が
大きく、比熱が小さいことを利用して、ダイヤモンドを
放熱基板材料として使用したり、物質中において最も硬
いという特性を利用して、表面弾性波素子に応用した
り、高い光透過性及び屈折率を利用して、Ｘ線窓及び光
学材料に応用することが研究されている。更に、ダイヤ
モンドは工具の耐摩耗性部材に使用されている。
【０００４】ダイヤモンドを種々の材料に応用するため
に、その特性を最大限に発揮させるには、結晶の構造欠
陥を低減した高品質の単結晶ダイヤモンドを合成するこ
とが必要である。また、単結晶ダイヤモンド膜を実用化
するためには、面積が大きいものが低いコストで形成で
きる方法の開発が必要である。現在、単結晶ダイヤモン
ドは天然ダイヤモンドの採掘によって得られるか、又
は、高温高圧条件で人工的に合成することにより得られ
る。このバルクダイヤモンドと呼ばれるダイヤモンドの
単結晶は、天然でも高温高圧合成によっても、得られる
結晶面の面積は最大で１ｃｍ2 程度であり、しかも、価
格が極めて高い。従って、工業的には、研磨用粉末及び
精密切削用刃先等特定の分野のみに限られて利用されて
いる。
【０００５】一方、多結晶ダイヤモンド膜は、マイクロ
波化学気相蒸着（マイクロ波ＣＶＤ）法（例えば特公昭
５９−２７７５４号、特公昭６１−３３２０号）、高周
波プラズマＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法、直流プ
ラズマＣＶＤ法、プラズマジェット法、燃焼法、及び熱
ＣＶＤ法等により気相合成されることが知られており、
これらの気相合成法によると、低いコストで面積が大き
い膜状のダイヤモンドが得られるという特徴がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法によりシリコン等の非ダイヤモンド基板に気相合
成されたダイヤモンド膜は、一般的にダイヤモンド粒子
が不規則に凝集した多結晶体であり、図４の電子顕微鏡
写真に示すように、この多結晶ダイヤモンドは粒界が高
密度に存在している。図５の電子顕微鏡写真に示すよう
に、ダイヤモンド結晶粒子がほぼ一定方向に揃った高配
向膜を合成することができることは報告されているが、
これらも多結晶体であり、粒界が高密度に存在する。こ
の粒界により、ダイヤモンド中を流れるキャリアと呼ば
れる電子又はホール等の荷電粒子が、トラップされたり
散乱されたりするために、高配向膜であっても粒界が少
ないバルクダイヤモンドと比較して電気的特性が劣る。
その結果、多結晶ダイヤモンド膜を電子デバイス及びセ
ンサとして実用化するためには、その性能が不十分であ
るという問題点がある。
【０００７】また、光学的見地からも、粒界によって光
が散乱するので、多結晶ダイヤモンド膜を光学材料等に
利用するためには、その透過度が低すぎるという問題点
もある。更に、多結晶ダイヤモンド膜を工具等の耐摩耗
性部材に使用する場合においても、チッピングが生じや
すいという問題点もある。
【０００８】上述のダイヤモンド膜は、非ダイヤモンド
基板を使用して合成した場合の例であるが、気相合成す
る際の基板によって、合成されるダイヤモンドの特性が
異なる。例えば、基板に単結晶のバルクダイヤモンド又
は立方晶窒化ホウ素を使用すると、単結晶のダイヤモン
ド膜を気相合成することができるが、前述のように、バ
ルクダイヤモンド又は立方晶窒化ホウ素を基板に使用し
ても、面積が大きい単結晶ダイヤモンド膜は得られな
い。
【０００９】また、ダイヤモンド気相合成用の基板にニ
ッケル又は銅を使用すると、ある程度配向した結晶を有
するダイヤモンド膜が得られるが、ニッケルを使用した
場合には、ダイヤモンドを気相合成するために高温の水
素プラズマ雰囲気にすると、基板のニッケルが脆弱化
し、更に、生成したダイヤモンド膜と反応して、ダイヤ
モンドをグラファイトに転化させるという問題点がある
（D.N.Belton and S.J.Schmieg,J.Appl.Phys.,Vol.66,
p.4223(1989) ）。一方、銅を使用した場合には、ダイ
ヤモンドを気相成長させるために、通常の条件として６
００℃以上の高温にすると、銅の線熱膨張係数がダイヤ
モンドの１０倍以上であるため、室温に冷却したときに
ダイヤモンドが剥離するという問題点もある（J.F.Dena
tale,et al,J.Materials science,Vol.27,p.553(1992)
）。
【００１０】基板に白金又はその他の遷移金属を使用し
てダイヤモンドを気相合成する方法も研究されている
が、多結晶ダイヤモンド膜又はダイヤモンド粒子が成長
するだけで、単結晶ダイヤモンド膜は得られていない
（坂本，高松，「表面技術」,Vol.44,No.10,p.47(199
3)、M.Kawarada,et al,Diamond and Related Material
s,Vol.2,p.1083(1993)、D.N.Belton and S.J.Schmeig,
J.Appl.Phys.,Vol.69,No.5,p.3032(1991)、D.N.Belton
and S.J.Schmeig,Surface Science,Vol.223,p.131(199
0)、Y.G.Ralchenko,et al,Diamond and Related Materi
als,Vol.2,p.904(1993)）。
【００１１】このように、ダイヤモンドを工業的に実用
化するためには、粒界が全く存在しないか又は粒界密度
が極めて低く、その面積が大きい単結晶ダイヤモンド膜
を人工的に合成できることが必要である。しかしなが
ら、そのような単結晶ダイヤモンド膜の製造方法は得ら
れていない。
【００１２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、低いコストで大面積の単結晶ダイヤモンド
膜を気相合成することができ、ダイヤモンドを使用した
幅広い応用分野において、ダイヤモンドの特性の飛躍的
向上と実用化とを可能にする単結晶ダイヤモンド膜の形
成方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る単結晶ダイ
ヤモンド膜の形成方法は、第１基体の表面上に白金又は
白金を５０原子％以上含有する白金合金の蒸着膜を形成
する第１工程と、前記蒸着膜にアニール処理を施す第２
工程と、前記第１基体と前記蒸着膜とを分離する第３工
程と、前記蒸着膜における第１基体に接合されていた面
にダイヤモンド膜を合成する第４工程と、を有すること
を特徴とする。
【００１４】この第１工程と第２工程又は第２工程と第
３工程との間に、前記蒸着膜の表面に第２基体を圧着す
る第５工程を有していてもよい。
【００１５】また、第３工程と第４工程との間に、前記
接合面に表面処理を施す第６工程を有していてもよい。
【００１６】この表面処理は、ダイヤモンド粉末若しく
はダイヤモンドペーストを使用したバフ研磨による傷つ
け処理、超音波処理による傷つけ処理又は炭素イオン注
入による傷付け処理とすることができる。
【００１７】前記第１基体は、フッ化リチウム、フッ化
カルシウム、酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化ジ
ルコニウム、酸化アルミニウム、チタン酸ストロンチウ
ム、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、タンタル酸カリウ
ム、及びニオブ酸リチウムからなる群から選択された１
種の材料より構成され、前記第１基体の表面は（１１
１）結晶面又は（００１）結晶面を有するものとするこ
とができる。一方、この第１基体をシリコン、石英又は
ガラスから構成していてもよい。
【００１８】白金合金中には、周期律表６Ａ族、７Ａ
族、８Ａ族又は１Ｂ族に含まれる少なくとも１種の元素
を含有することが好ましい。
【００１９】また、蒸着膜を形成する温度は、１０００
℃以下、より好ましくは３００乃至１０００℃であるこ
とが望ましい。
【００２０】アニール処理の温度は、５００℃以上、よ
り好ましくは１０００℃以上であることが望ましい。
【００２１】
【作用】本願発明者等が前記課題を解決するために鋭意
実験研究を重ねた結果、白金の単体又は白金を５０原子
％以上含有する白金合金の蒸着膜の（１１１）結晶面又
は（００１）結晶面に、ダイヤモンド膜を気相合成する
ことにより、単結晶ダイヤモンド膜が成長することを見
い出した。
【００２２】従来の単結晶膜成長理論では、白金の上に
ダイヤモンドの単結晶膜が成長することは到底予想でき
ないことであった。その第１の理由は、白金とダイヤモ
ンドとの格子定数は夫々、３．９２３１Å、３．５６６
７Åであり、これらは、約１０％も異なっていることで
ある。このように、格子定数の差が大きすぎる場合に
は、単結晶が成長することは一般に考えられない。第２
の理由は、白金の結晶構造が図６に示すように面心立方
構造であることに対して、ダイヤモンドの結晶構造は図
７に示すようにダイヤモンド構造であり、その構造の点
において全く異なることである。このため、白金構造と
ダイヤモンド構造とは連続的につながらず、単結晶ダイ
ヤモンド膜が成長することは一般的には考えられない。
実際、白金フォイルを基板として、ダイヤモンドの気相
合成（ＣＶＤ）を行った従来技術については、ダイヤモ
ンド粒子が不規則に配向した多結晶ダイヤモンド膜しか
得られていない。
【００２３】しかしながら、白金の（１１１）結晶面又
は（００１）結晶面に単結晶ダイヤモンド膜を形成する
ことができるのは、次のような機構によるものであるか
らと考えられる。即ち、白金は触媒作用がある金属であ
り、表面に吸着した炭素を含む分子は容易に分解され
る。このため、ダイヤモンドを気相合成するときには、
基板表面に化学的に活性な炭素が高濃度に存在すること
になる。この炭素は白金と反応しながら基板の内部に拡
散するので、白金の表面層に炭素が過飽和に溶存し、こ
れがダイヤモンド核として析出する。ダイヤモンドと同
時にグラファイト等の非ダイヤモンド構造を有する核も
発生するが、これはプラズマ中の水素又は酸素と容易に
反応して除去される。炭素が白金基板の内部に溶存する
ので、ダイヤモンド核自身の配向は、基板の内部の（１
１１）又は（００１）結晶構造によって決定され、基板
の表面に傷つけ処理による凹凸が存在しても、ほとんど
影響を受けない。むしろ、基板の表面の凹凸により、基
板の内部への炭素の拡散を促進する効果がある。
【００２４】蒸着膜の材料として白金を使用すること
は、以下の理由によるものである。蒸着膜材料にニッケ
ルを使用すると、ニッケルの強い触媒作用のために、一
旦形成されたダイヤモンドがグラファイト等に転化して
しまう。銅は触媒作用が弱すぎることと、炭素との結合
が弱いことより、十分な濃度の炭素原子が溶存できな
い。一般に、ダイヤモンドを気相合成するときの基板と
して使用されるシリコンは、炭素との間で強い共有結合
を有するため、基板の内部でのダイヤモンド核形成が阻
害される。これらの材料に対して、白金は触媒作用はあ
るが、ニッケルほど強く炭素と反応しないで炭素を溶存
する。従って、蒸着膜の材料として使用するには白金が
最も適切である。
【００２５】本願発明者等は、白金の代わりに、白金を
５０原子％以上含有する白金合金であっても、本発明の
効果が得られることを確認した。この場合、白金以外の
成分が５０原子％を超えると、白金としての効果が弱く
なり、ダイヤモンドは発生するが単結晶ダイヤモンド膜
は形成できない。白金の特徴を活かして、その効果を引
き出すためには、白金の含有量は９９原子％以上である
ことが好ましい。
【００２６】この白金以外の成分としては、クロミウ
ム、モリブデン及びタングステン等の周期表６Ａ族の元
素、マンガン等の７Ａの元素、鉄、コバルト、イリジウ
ム、ニッケル、及びパラジウム等の８Ａ族の元素、並び
に金、銀及び銅等の１Ｂ族の元素からなる群から選択さ
れた少なくとも１種の元素であることが可能である。周
期表６Ａ族及び７Ａ族の元素は、安定な炭化物をつく
り、８Ａ族の元素は炭素と強く反応する。一方、１Ｂ族
の元素は炭素とは反応しない。そこで、これらの元素を
白金に混合することにより、白金の化学作用を制御した
り、新たな化学効果を加えることができる。また、混合
比を変えることにより、格子定数を変えることができる
ので、単結晶ダイヤモンド膜の基板に対する結晶方位を
制御できる効果がある。以下、白金及び白金を５０原子
％以上含有する白金合金を総称して、白金系合金とい
う。
【００２７】本願発明者等は当初、前記基体に白金膜を
スパッタ蒸着又は電子ビーム蒸着により形成し、アニー
ル処理により単結晶化し、この白金膜の成長面上に単結
晶ダイヤモンド膜の気相合成を試みていた。しかし、蒸
着膜は本来アモルファスに近いものであり、アニール処
理により単結晶化することは容易ではないため、単結晶
ダイヤモンド膜は合成できるものの、膜の一部である全
体の約２０％が単結晶化しない等の問題が生じた。そこ
で、本発明においては、白金系合金を第１基体上に蒸着
し、その白金系合金膜の上に第２基体を圧着し、アニー
ル処理をした後、第１基体を除去して、白金系合金膜の
第１基体に接合されていた面にダイヤモンド膜を気相合
成する。そうすると、より完全な単結晶ダイヤモンド膜
が得られる。これは、第１基体に蒸着した白金系合金膜
の接合面は、ほぼ完全な単結晶表面となるからであり、
この面に気相合成されるダイヤモンド膜も同様に、ほぼ
完全な単結晶膜となる。
【００２８】一般にダイヤモンドの気相合成において
は、ダイヤモンドの（１１１）結晶面又は（００１）結
晶面が出現しやすく、その他の結晶面は出現しにくいこ
とが知られている。このため、白金系合金膜の第１基体
と接合する面は（１１１）又は（００１）結晶面である
ことが必要となる。白金系合金膜の第１基体と接合する
面を（１１１）結晶面又は（００１）結晶面にするため
には、（１１１）又は（００１）結晶面を有するフッ化
リチウム、フッ化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化
ニッケル、酸化ジルコニウム、サファイア（酸化アルミ
ニウム）、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウ
ム、チタン酸鉛、タンタル酸カリウム、ニオブ酸リチウ
ムのいずれかの結晶を基体として、スパッタ蒸着、電子
ビーム蒸着などの方法で形成することができる。従っ
て、第１基体表面についても（１１１）又は（００１）
結晶面を有する必要がある。
【００２９】白金系合金は高価な金属であるが、単結晶
ダイヤモンド膜の合成後に、ダイヤモンド膜から基板で
ある白金系合金膜を剥離することにより再利用できるの
で、製造コストが高くなることはない。他の基体とし
て、シリコンウエハ、石英、ガラス、それらの表面を改
質した基体、又はそれらの表面に別の材料を蒸着した基
体等に、（１１１）結晶面又は（００１）結晶面を有す
る白金系合金の単結晶膜が蒸着できれば、更に製造費が
低くなり、本発明の可能性が広がる。白金系合金はこれ
らの基体の全体に蒸着されることが望ましいが、その一
部の領域のみに蒸着してもよい。
【００３０】白金系合金膜の膜厚には発明原理からの制
限はないが、白金系合金膜の第１基体との接合面にダイ
ヤモンド膜を成長させるので、膜厚が薄すぎると、白金
系合金膜が気相合成中に第２基体から剥離する虞があ
る。一方、厚い膜を蒸着するためには、長時間が必要で
ある。従って、実用的には膜厚が１μｍ乃至０．５ｍｍ
であり、望ましくは１０μｍ以上である。但し、気相合
成中における白金系合金膜の剥離が解決できれば、前記
膜厚を制限する必要はない。また、白金系合金膜の膜厚
が約２０μｍ以上では、第２基体を圧着しなくても、白
金系合金膜を第１基体から機械的に剥離することがで
き、これを単結晶ダイヤモンドを合成するための基板と
して使用することもできる。
【００３１】この白金系合金膜の第１基体との接合面を
単結晶化するためには、蒸着中に基体の温度を高温に保
つか又は蒸着後に高温で熱処理を施すとよく、これらの
両方を実施してもよい。蒸着時の基板温度は常温乃至１
０００℃の範囲が可能であるが、この基板温度は高温で
あるほうが好ましく、３００乃至１０００℃であること
が望ましい。蒸着後のアニール処理の温度は５００℃以
上であればよく、より好ましくは１０００℃以上であ
る。このアニール処理は、通常は真空中で、ヒータ加熱
又は赤外線ランプによる加熱が施されている。その他、
公知の電子ビーム加熱等を使用することもできる。ま
た、昇温及び降温についても段階的に行う等、種々の可
能性が考えられる。最適なアニール処理時間は処理温度
及び膜厚に依存する。
【００３２】結晶面の構造を保った状態でダイヤモンド
の単結晶を成長させることは一般的であるが、一旦白金
系合金膜の第１基体に接合していた面に（１１１）又は
（００１）結晶面が得られると、傷つけ処理により表面
を粗面化処理してもダイヤモンドの単結晶膜を成長させ
ることができることは、従来は到底予想することができ
ないことであった。しかしながら、本発明においては、
ダイヤモンド膜を気相合成する前に、基板とする白金系
合金膜の第１基体に接合していた面にダイヤモンドの核
を発生させるために、炭素を含むプラズマ雰囲気中で基
板にバイアスを印加する方法、より一般的には、予め基
板をダイヤモンド粉末若しくはダイヤモンドペーストに
よってバフ研磨することにより傷つけ処理する方法又は
超音波処理により傷つけ処理する方法を使用することが
できる。また、炭素イオン注入によって表面処理を施し
ても、同様の効果が得られる。なお、バイアスを印加す
ることによりダイヤモンド核を発生させる場合には、表
面処理は必ずしも必要ではない。
【００３３】このようにして得られた単結晶ダイヤモン
ド膜を電子デバイス・センサその他に応用する場合に
は、この蒸着膜をそのまま電極として使用することがで
きるという利点がある。また、得られた単結晶ダイヤモ
ンド膜を光学窓又はヒートシンクに応用する場合には基
板は不要であるので、機械的方法又は溶解等の化学的方
法で基板を除去することができる。このような自立性の
単結晶ダイヤモンド膜の片面又は両面を研磨することも
可能である。
【００３４】単結晶ダイヤモンド膜の厚さは気相合成時
間による以外に制限がない。一般的に、膜厚が約０．１
μｍ乃至数ｍｍの厚さのものを気相合成することが可能
である。また、例えば一度、マイクロ波ＣＶＤ法等によ
り単結晶ダイヤモンド膜を基板上に合成した後、プラズ
マジェット法又は燃焼法等の高速成膜法により、更に膜
厚が厚いダイヤモンド膜を成長させることができる。
【００３５】また、単結晶ダイヤモンド膜をｐ型又はｎ
型の導電性を有する半導体にするためには、ダイヤモン
ドの核を発生させるとき又は単結晶ダイヤモンドを気相
合成するときに、原料ガスに例えばＢ2Ｈ6のようなボロ
ン（Ｂ）元素を含むガス又は例えばＰＨ3 のようなリン
（Ｐ）元素を含むガスを添加すればよい。
【００３６】
【実施例】以下、本発明の実施例について添付の図面を
参照して具体的に説明する。図１は、本発明の第１の実
施例に係る単結晶ダイヤモンド膜の形成方法を工程順に
示す模式的断面図である。図１（ａ）は第１基体１を示
しており、例えば主面に（１１１）結晶面を有するチタ
ン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）を使用する。
【００３７】そして、図１（ｂ）に示すように、第１基
体１の主面上にマグネトロンスパッタ法により白金膜２
を例えば３０μｍの厚さに蒸着する。
【００３８】次に、図１（ｃ）に示すように、白金膜２
の上に例えば厚さが０．３ｍｍであるＭｏ板からなる第
２基体３を圧着し、真空中でアニール処理を施す。
【００３９】次に、図１（ｄ）に示すように、図１
（ｃ）の第１基体１と第２基体３との上下を逆にし、第
１基体１を第２基体３の上方にする。
【００４０】その後、図１（ｅ）に示すように、白金膜
２と第１基体１とを機械的に分離し、白金膜２における
第１基体１と接合されていた接合面２ａを露出させ、そ
の後、この接合面２ａに傷つけ処理による表面処理を施
す。
【００４１】最後に、図１（ｆ）に示すように、接合面
２ａ上にダイヤモンドを気相合成することにより、単結
晶ダイヤモンド膜４が白金膜２上に形成される。
【００４２】本実施例方法においては、（１１１）結晶
面を有するチタン酸ストロンチウムを第１基体１に使用
しているので、白金膜２の第１基体１との接合面２ａも
ほぼ完全な（１１１）結晶面となり、この接合面２ａ上
にダイヤモンドを気相合成することにより、気相合成さ
れたダイヤモンド膜も（１１１）結晶面を有するほぼ完
全な単結晶が出現する。更に、気相合成によって得られ
るダイヤモンド膜の面積は、基板となる白金膜２の面積
に依存するので、大きい面積の単結晶ダイヤモンド膜が
形成できる。
【００４３】図２は、本発明の第２の実施例に係る単結
晶ダイヤモンド膜の形成方法を工程順に示す模式的断面
図である。本実施例が図１に示す実施例と異なる点は、
白金膜上に第２基体を圧着せずに白金膜と第１基体とを
分離する点であり、その他の形成方法は図１に示す実施
例と同一であるので、図２において図１と同一物には同
一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００４４】図２（ａ）は第１基体１であり、この上に
図２（ｂ）に示すように、白金膜２を例えば２０μｍ以
上の厚さで蒸着する。そして、図２（ｃ）に示すよう
に、第１基体１及び白金膜２にアニール処理を施した
後、第１基体１と白金膜２とを逆にし、第１基体１を白
金膜２の上方にする。次に、図２（ｄ）に示すように、
白金膜２と第１基体１とを機械的に分離し、白金膜２の
第１基体との接合面２ａを露出させる。最後に、図２
（ｅ）に示すように、表面処理を施した接合面２ａにダ
イヤモンドを気相合成することにより、白金膜２上に、
単結晶ダイヤモンド膜４が形成される。
【００４５】本実施例方法においても、図１に示す第１
の実施例と同様に、白金膜２の接合面２ａがほぼ完全な
結晶面を有していると、気相合成されたダイヤモンド膜
においてもほぼ完全な結晶面が出現する。
【００４６】次に、本発明の第１の実施例方法（図１参
照）により単結晶ダイヤモンド膜を形成し、種々の成膜
条件に対するダイヤモンドの単結晶性を比較例と比較し
て評価した結果について説明する。
【００４７】比較例として、第１基体に蒸着した白金の
成長面にダイヤモンド膜を気相合成した。その形成方法
は、先ず、（１１１）結晶面を有する単結晶チタン酸ス
トロンチウム（ＳｒＴｉＯ3 ）を基板として、基板の温
度を４００℃に保持し、マグネトロンスパッタ法により
白金膜を３０μｍ蒸着した。次いで、真空中において、
１２００℃の温度で２４時間のアニール処理を行った。
この白金の成長面を反射ヒード（ＲＨＥＥＤ）により評
価すると、成長面はほぼ（１１１）結晶面であった。そ
して、この白金の成長面にダイヤモンド粉末を使用した
超音波処理により、傷つけ処理を施し、その上にダイヤ
モンドを気相合成した。この気相合成は、無機材研型の
マイクロ波ＣＶＤ装置を使用して、反応室中に基板を設
置し、この基板を７５０乃至８９０℃に維持した状態に
おいて、水素で０．３％に希釈したメタンガスを１００
ｓｃｃｍ流し、反応室中を４０Ｔｏｒｒに保持して行っ
た。
【００４８】一方、実施例としては、白金の第１基体に
接合していた接合面にダイヤモンド膜を気相合成した。
先ず、比較例と同様の条件で、単結晶チタン酸ストロン
チウムに白金膜を３０μｍ蒸着した。次いで、この白金
膜の上に厚さが０．３ｍｍであるＭｏ板を圧着し、真空
中において１２００℃の温度で２４時間のアニール処理
を行った後に、チタン酸ストロンチウムと白金膜との界
面を機械的に分離した。この白金の接合面を反射ヒード
（ＲＨＥＥＤ）により評価すると、接合面はほぼ（１１
１）結晶面であった。そして、この白金の接合面に比較
例と同様に表面処理を施し、ダイヤモンドを気相合成し
て、この途中段階において電子顕微鏡写真を撮影した。
図３は白金の（１１１）結晶面にダイヤモンド膜が成長
している様子を示す電子顕微鏡写真である。図３に示す
ように、ダイヤモンドの（１１１）結晶面がお互いに融
合して、連続的な単結晶膜を形成しようとしている。こ
のようにして形成した単結晶ダイヤモンドを実施例１と
した。
【００４９】更に、実施例１と同様の要領で、下記表１
に示す蒸着条件で白金系合金膜を蒸着して、下記表２に
示す条件でアニール及び表面処理を施し、下記表３に示
す条件にてダイヤモンドを気相合成した。このようにし
て得られた比較例及び実施例のダイヤモンド膜につい
て、配向性を評価した。この評価結果を下記表４に示
す。
【００５０】
【表１】
【００５１】
【表２】
【００５２】
【表３】
【００５３】
【表４】
【００５４】上記表３に示すように、実施例１は合成開
始後１０時間で、結晶方位がある程度揃った粒状のダイ
ヤモンドが析出し、比較例及び実施例の全ての条件につ
いて、ダイヤモンドの合成開始後８乃至３０時間で隣接
した粒状のダイヤモンドが融合(coalescence) した。ま
た、上記表１及び４に示すように、白金系合金の結晶面
と同一の結晶面を有する連続的な単結晶ダイヤモンド膜
が形成された。しかしながら、実施例１乃至１１におい
ては、上記表１乃至３に示すどのような条件において
も、これらの配向性が９０乃至９８％であったことに対
して、比較例１は、配向性が８５％であり、実施例と比
較して単結晶性からの乱れが大きい値を示した。
【００５５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
第１基体に白金系合金膜を蒸着し、この白金系合金膜の
第１基体との接合面にダイヤモンドを気相合成するの
で、低コストで大面積の結晶性が高い単結晶ダイヤモン
ド膜を形成することができる。このように、本発明は気
相合成によって単結晶ダイヤモンド膜を形成することが
可能になったので、従来実用化が困難であった種々の分
野において、単結晶ダイヤモンドを広範に応用すること
ができ、この種の技術分野の発展に多大の貢献をなす。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る単結晶ダイヤモン
ド膜の形成方法を工程順に示す模式的断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係る単結晶ダイヤモン
ド膜の形成方法を工程順に示す模式的断面図である。
【図３】白金の（１１１）結晶面にダイヤモンド膜が成
長している様子を示す電子顕微鏡写真である。
【図４】結晶粒子が不規則に凝集した多結晶ダイヤモン
ド膜を示す電子顕微鏡写真である。
【図５】結晶粒子がほぼ一定方向に揃った高配向膜を有
するダイヤモンド膜を示す電子顕微鏡写真である。
【図６】白金の結晶構造（面心立方構造）を示す模式図
である。
【図７】ダイヤモンドの結晶構造（ダイヤモンド構造）
を示す模式図である。
【符号の説明】
１；第１基体 ２；白金系合金膜 ２ａ；接合面 ３；第２基体 ４；ダイヤモンド膜

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１基体の表面上に白金又は白金を５０
    原子％以上含有する白金合金の蒸着膜を形成する第１工
    程と、前記蒸着膜にアニール処理を施す第２工程と、前
    記第１基体と前記蒸着膜とを分離する第３工程と、前記
    蒸着膜における第１基体に接合されていた面にダイヤモ
    ンド膜を合成する第４工程と、を有することを特徴とす
    る単結晶ダイヤモンド膜の形成方法。
  2. 【請求項２】 前記第１工程と前記第２工程又は第２工
    程と第３工程との間に、前記蒸着膜の表面に第２基体を
    圧着する第５工程を有することを特徴とする請求項１に
    記載の単結晶ダイヤモンド膜の形成方法。
  3. 【請求項３】 前記第３工程と前記第４工程との間に、
    前記接合面に表面処理を施す第６工程を有することを特
    徴とする請求項１又は２に記載の単結晶ダイヤモンド膜
    の形成方法。
  4. 【請求項４】 前記表面処理は、ダイヤモンド粉末又は
    ダイヤモンドペーストを使用したバフ研磨による傷つけ
    処理、超音波処理による傷つけ処理又は炭素イオン注入
    処理であることを特徴とする請求項３に記載の単結晶ダ
    イヤモンド膜の形成方法。
  5. 【請求項５】 前記第１基体は、フッ化リチウム、フッ
    化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化
    ジルコニウム、酸化アルミニウム、チタン酸ストロンチ
    ウム、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、タンタル酸カリ
    ウム、及びニオブ酸リチウムからなる群から選択された
    １種の材料により構成され、前記第１基体の表面は（１
    １１）結晶面又は（００１）結晶面を有することを特徴
    とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の単結晶ダ
    イヤモンド膜の形成方法。
  6. 【請求項６】 前記第１基体は、シリコン、石英及びガ
    ラスからなる群から選択された１種の材料により構成さ
    れていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１
    項に記載の単結晶ダイヤモンド膜の形成方法。
  7. 【請求項７】 前記白金合金は、周期律表６Ａ族、７Ａ
    族、８Ａ族又は１Ｂ族に含まれる少なくとも１種の元素
    を含有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか
    １項に記載の単結晶ダイヤモンド膜の形成方法。
  8. 【請求項８】 前記蒸着膜を形成するときの基板温度
    は、１０００℃以下であることを特徴とする請求項１乃
    至７のいずれか１項に記載の単結晶ダイヤモンド膜の形
    成方法。
  9. 【請求項９】 前記蒸着膜を形成するときの基板温度
    は、３００乃至１０００℃であることを特徴とする請求
    項８に記載の単結晶ダイヤモンド膜の形成方法。
  10. 【請求項１０】 前記アニール処理の温度は、５００℃
    以上であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか
    １項に記載の単結晶ダイヤモンド膜の形成方法。
  11. 【請求項１１】 前記アニール処理の温度は、１０００
    ℃以上であることを特徴とする請求項１０に記載の単結
    晶ダイヤモンド膜の形成方法。
JP7219624A 1995-08-04 1995-08-04 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 Pending JPH0948694A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7219624A JPH0948694A (ja) 1995-08-04 1995-08-04 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
US08/680,612 US5743957A (en) 1995-08-04 1996-07-16 Method for forming a single crystal diamond film
GB9615046A GB2304118B (en) 1995-08-04 1996-07-17 Method for forming single crystal diamond film
DE19631107A DE19631107C2 (de) 1995-08-04 1996-08-01 Verfahren zur Bildung eines Einkristall-Diamantfilms

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7219624A JPH0948694A (ja) 1995-08-04 1995-08-04 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0948694A true JPH0948694A (ja) 1997-02-18

Family

ID=16738452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7219624A Pending JPH0948694A (ja) 1995-08-04 1995-08-04 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5743957A (ja)
JP (1) JPH0948694A (ja)
DE (1) DE19631107C2 (ja)
GB (1) GB2304118B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7846766B2 (en) 2006-03-14 2010-12-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Diamond film formation method and film formation jig thereof
JP2012041258A (ja) * 2010-06-28 2012-03-01 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950032732A (ko) * 1994-03-25 1995-12-22 야스니시구니오 다이아몬드 결정 및 그 제조방법
DE10043587B4 (de) * 1999-09-17 2006-03-30 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren zur Herstellung eines Substrats, nach diesem Verfahren hergestelltes Substrat
US6589333B1 (en) 1999-09-17 2003-07-08 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V. Method for the manufacture of a substrate, substrate manufactured in accordance with this method, carrier wafer and diamond jewel
US7060130B2 (en) * 2002-08-27 2006-06-13 Board Of Trustees Of Michigan State University Heteroepitaxial diamond and diamond nuclei precursors
US7866342B2 (en) 2002-12-18 2011-01-11 Vapor Technologies, Inc. Valve component for faucet
US8555921B2 (en) 2002-12-18 2013-10-15 Vapor Technologies Inc. Faucet component with coating
US8220489B2 (en) 2002-12-18 2012-07-17 Vapor Technologies Inc. Faucet with wear-resistant valve component
US7866343B2 (en) 2002-12-18 2011-01-11 Masco Corporation Of Indiana Faucet
US20050025886A1 (en) * 2003-07-14 2005-02-03 Carnegie Institution Of Washington Annealing single crystal chemical vapor depositon diamonds
US7481879B2 (en) * 2004-01-16 2009-01-27 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate
FR2868204B1 (fr) * 2004-03-25 2006-06-16 Commissariat Energie Atomique Substrat de type semi-conducteur sur isolant comportant une couche enterree en carbone diamant
US7594968B2 (en) * 2004-09-10 2009-09-29 Carnegie Institution Of Washington Ultratough CVD single crystal diamond and three dimensional growth thereof
CN111733386B (zh) * 2020-05-21 2021-11-26 南京航空航天大学 一种金刚石颗粒真空微蒸发镀钼方法
JP6998634B1 (ja) * 2020-10-22 2022-01-18 国立大学法人長岡技術科学大学 ダイヤモンド形成用構造体、およびダイヤモンド形成用構造体の製造方法
CN117431524B (zh) * 2023-12-18 2024-02-23 北京科技大学 一种自支撑金刚石薄膜的制备方法、金刚石薄膜及其应用

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4902535A (en) * 1987-12-31 1990-02-20 Air Products And Chemicals, Inc. Method for depositing hard coatings on titanium or titanium alloys
GB9001833D0 (en) * 1990-01-26 1990-03-28 De Beers Ind Diamond Method of bonding a diamond film to a substrate
ATE134223T1 (de) * 1990-12-24 1996-02-15 Gen Electric Verkleidung aus metall zur steigerung der wachstumsgeschwindigkeit beim aufdampfen von diamant mittels cvd
CA2076086A1 (en) * 1991-09-27 1993-03-28 Randall J. Kehl Method for obtaining thick, adherent diamond coatings using metal interface screens
US5298286A (en) * 1992-11-09 1994-03-29 North Carolina State University Method for fabricating diamond films on nondiamond substrates and related structures
US5455072A (en) * 1992-11-18 1995-10-03 Bension; Rouvain M. Initiation and bonding of diamond and other thin films
JPH06212428A (ja) * 1993-01-20 1994-08-02 Matsufumi Takatani 金属表面へのダイヤモンド被覆の形成方法
JP3226367B2 (ja) * 1993-03-05 2001-11-05 日本特殊陶業株式会社 ダイヤモンドの選択形成方法
US5391229A (en) * 1993-07-26 1995-02-21 General Electric Company Apparatus for chemical vapor deposition of diamond including graphite substrate holders
JP3176493B2 (ja) * 1993-09-17 2001-06-18 株式会社神戸製鋼所 高配向性ダイヤモンド薄膜の形成方法
JP3728465B2 (ja) * 1994-11-25 2005-12-21 株式会社神戸製鋼所 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
JP3728464B2 (ja) * 1994-11-25 2005-12-21 株式会社神戸製鋼所 単結晶ダイヤモンド膜気相合成用基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7846766B2 (en) 2006-03-14 2010-12-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Diamond film formation method and film formation jig thereof
JP2012041258A (ja) * 2010-06-28 2012-03-01 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 単結晶ダイヤモンド成長用基材及び単結晶ダイヤモンド基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB9615046D0 (en) 1996-09-04
GB2304118B (en) 1997-07-30
DE19631107A1 (de) 1997-02-06
GB2304118A (en) 1997-03-12
DE19631107C2 (de) 2001-03-01
US5743957A (en) 1998-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3728465B2 (ja) 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
JPH0948694A (ja) 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
JP2603257B2 (ja) ダイヤモンド多層薄膜
KR101797428B1 (ko) 단결정 다이아몬드 성장용 기재 및 단결정 다이아몬드 기판의 제조 방법
JP4082769B2 (ja) ダイヤモンド膜の形成方法
JPH08504479A (ja) ヘテロエピタキシャル的に析出されたダイヤモンド
JP3728467B2 (ja) 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
JP3728464B2 (ja) 単結晶ダイヤモンド膜気相合成用基板の製造方法
JP2005219962A (ja) ダイヤモンド単結晶基板及びその製造方法
CN115551801A (zh) 种子层、包括所述种子层的异质结构体和使用所述种子层形成材料层的方法
JPH01317197A (ja) ダイヤモンド薄膜基板およびその製法
JPH08264440A (ja) 半導体基材の製造方法
JPH0769789A (ja) 高配向性ダイヤモンド薄膜
JP3252926B2 (ja) ダイヤモンド被覆体およびその製造方法
JP3728466B2 (ja) 単結晶ダイヤモンド膜の製造方法
RU2730402C1 (ru) Функциональный элемент полупроводникового прибора
JPH08239296A (ja) ダイアモンド単結晶膜の製造方法
JP2004210559A (ja) ダイヤモンド積層膜及びその製造方法
JP2001278691A (ja) 単結晶ダイヤモンド合成用基板
JPS60192326A (ja) ダイヤモンド膜の形成方法
JPH107492A (ja) 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
JP2012001394A (ja) 単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法
JPH11106290A (ja) 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法及び単結晶ダイヤモンド膜気相合成用基板
JP3260212B2 (ja) ダイヤモンド単結晶の製造方法
JPH11255599A (ja) 単結晶ダイヤモンド合成用基板