JPH09311489A - 電子写真感光体 - Google Patents
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電子写
真感光体において、繰り返し使用時の耐摩耗性に優れ、
且つ高感度であり、残留電位の少ない電子写真感光体を
提供する。 【解決手段】 感光層が下記一般式(1D)で表される
高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下記一般式
(1P)で表されるアゾ顔料の少なくとも1種を含有す
ることを特徴とする電子写真感光体。 【化1】 【化2】
真感光体において、繰り返し使用時の耐摩耗性に優れ、
且つ高感度であり、残留電位の少ない電子写真感光体を
提供する。 【解決手段】 感光層が下記一般式(1D)で表される
高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下記一般式
(1P)で表されるアゾ顔料の少なくとも1種を含有す
ることを特徴とする電子写真感光体。 【化1】 【化2】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体に
関し、更に詳しくは、複写機、レーザープリンター、レ
ーザーファクシミリなどに好適に利用される電子写真感
光体に関するものである。
関し、更に詳しくは、複写機、レーザープリンター、レ
ーザーファクシミリなどに好適に利用される電子写真感
光体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子写真方法としては、カールソンプロ
セスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複
写機やプリンターなどに広く使用されている。この様な
電子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の感
光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性な
どをメリットとして、近年使用され始めている。
セスやその種々の変形プロセスなどが知られており、複
写機やプリンターなどに広く使用されている。この様な
電子写真方法に用いられる感光体の中でも、有機系の感
光材料を用いたものが、安価、大量生産性、無公害性な
どをメリットとして、近年使用され始めている。
【0003】有機系の電子写真感光体には、ポリビニル
カルバゾール(PVK)に代表される光導電性樹脂、P
VK−TNF(2,4,7−トリニトロフルオレノン)
に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−結着剤
に代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質
とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが知ら
れており、特に機能分離型の電子写真感光体が注目され
ている。この機能分離型の電子写真感光体における静電
潜像形成のメ力ニズムは、感光体を帯電したのち光照射
すると、光は透明な電荷輸送層を通過して電荷発生層中
の電荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生
物質は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に
注入され、帯電によって生じている電界にしたがって電
荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和すること
により静電潜像を形成するものである。
カルバゾール(PVK)に代表される光導電性樹脂、P
VK−TNF(2,4,7−トリニトロフルオレノン)
に代表される電荷移動錯体型、フタロシアニン−結着剤
に代表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質
とを組み合わせて用いる機能分離型の感光体などが知ら
れており、特に機能分離型の電子写真感光体が注目され
ている。この機能分離型の電子写真感光体における静電
潜像形成のメ力ニズムは、感光体を帯電したのち光照射
すると、光は透明な電荷輸送層を通過して電荷発生層中
の電荷発生物質により吸収され、光を吸収した電荷発生
物質は電荷担体を発生し、この電荷担体は電荷輸送層に
注入され、帯電によって生じている電界にしたがって電
荷輸送層中を移動し、感光体表面の電荷を中和すること
により静電潜像を形成するものである。
【0004】機能分離型の電子写真感光体においては、
主に紫外部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主に可視部に
吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて用いることが
知られており、かつ有用である。電荷輸送層に用いられ
る電荷輸送物質は、多くが低分子化合物として開発され
ているが、低分子化合物は単独では成膜性がないため、
通常不活性高分子に分散・混合して用いられる。
主に紫外部に吸収を持つ電荷輸送物質と、主に可視部に
吸収を持つ電荷発生物質とを組み合わせて用いることが
知られており、かつ有用である。電荷輸送層に用いられ
る電荷輸送物質は、多くが低分子化合物として開発され
ているが、低分子化合物は単独では成膜性がないため、
通常不活性高分子に分散・混合して用いられる。
【0005】しかるに、低分子電荷輸送物質と不活性高
分子からなる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソン
プロセスにおいては、繰り返し使用による膜削れが生じ
やすいという欠点がある。また、この構成の電荷輸送層
は電荷移動度に限界があり、カールソンプロセスの高速
化あるいは小型化の障害となっていた。これは、通常、
低分子電荷輸送物質が電荷輸送層において50重量%以
下の含有量で使用されることに起因しており、低分子電
荷輸送物質の含有量を増すことにより電荷移動度をある
程度上げることは可能であるが、低分子電荷輸送物質の
含有量を増すと成膜性が劣化し、繰り返し使用による膜
削れが大きくなるという欠点がある。
分子からなる電荷輸送層は一般に柔らかく、カールソン
プロセスにおいては、繰り返し使用による膜削れが生じ
やすいという欠点がある。また、この構成の電荷輸送層
は電荷移動度に限界があり、カールソンプロセスの高速
化あるいは小型化の障害となっていた。これは、通常、
低分子電荷輸送物質が電荷輸送層において50重量%以
下の含有量で使用されることに起因しており、低分子電
荷輸送物質の含有量を増すことにより電荷移動度をある
程度上げることは可能であるが、低分子電荷輸送物質の
含有量を増すと成膜性が劣化し、繰り返し使用による膜
削れが大きくなるという欠点がある。
【0006】このような欠点を改良するために高分子型
の電荷輸送物質が注目され、例えば、特開昭50−82
056号公報、特開昭51−73888号公報、特開昭
54−8527号公報、特開昭54−11737号公
報、特開昭56−150749号公報、特開昭57−7
8402号公報、特開昭63−285552号公報、特
開平1−1728号公報、特開平1−19049号公報
及び特開平3−50555号公報などに高分子型の電荷
輸送物質が開示されている。これらの高分子型の電荷輸
送物質を用いた場合には、電荷輸送層を高分子化合物だ
けで構成することができるため、成膜性が良好で機械的
強度が強く耐摩耗性に優れた電荷輸送層を得ることがで
き、繰り返し使用による膜削れを防止することができ
る。しかしながら、電荷発生と高分子電荷輸送物質とを
組み合わせて用いる機能分離型の電子写真感光体は、低
分子電荷輸送物質を用いた場合に比べて光感度が劣って
おり、また残留電位が高いという欠点がある。
の電荷輸送物質が注目され、例えば、特開昭50−82
056号公報、特開昭51−73888号公報、特開昭
54−8527号公報、特開昭54−11737号公
報、特開昭56−150749号公報、特開昭57−7
8402号公報、特開昭63−285552号公報、特
開平1−1728号公報、特開平1−19049号公報
及び特開平3−50555号公報などに高分子型の電荷
輸送物質が開示されている。これらの高分子型の電荷輸
送物質を用いた場合には、電荷輸送層を高分子化合物だ
けで構成することができるため、成膜性が良好で機械的
強度が強く耐摩耗性に優れた電荷輸送層を得ることがで
き、繰り返し使用による膜削れを防止することができ
る。しかしながら、電荷発生と高分子電荷輸送物質とを
組み合わせて用いる機能分離型の電子写真感光体は、低
分子電荷輸送物質を用いた場合に比べて光感度が劣って
おり、また残留電位が高いという欠点がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題は
このような問題点を解決し、導電性支持体上に電荷発生
物質および高分子電荷輸送物質を含有する感光層を設け
てなる電子写真感光体において、繰り返し使用時の耐摩
耗性に優れ、且つ高感度であり、残留電位の少ない電子
写真感光体を提供することにある。
このような問題点を解決し、導電性支持体上に電荷発生
物質および高分子電荷輸送物質を含有する感光層を設け
てなる電子写真感光体において、繰り返し使用時の耐摩
耗性に優れ、且つ高感度であり、残留電位の少ない電子
写真感光体を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の上記課題は、導
電性支持体上に感光層を設けてなる電子写真感光体にお
いて、感光層が下記一般式(1D)〜(10D)で表さ
れる高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下記一
般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の少な
くとも1種を含有することを特徴とする電子写真感光体
によって達成される。
電性支持体上に感光層を設けてなる電子写真感光体にお
いて、感光層が下記一般式(1D)〜(10D)で表さ
れる高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下記一
般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の少な
くとも1種を含有することを特徴とする電子写真感光体
によって達成される。
【0009】一般式(1D)〜(10D)で表される高
分子電荷輸送物質を用いることにより、感光層の成膜性
が良好であり、繰り返し使用時の耐摩耗性に優れた電子
写真感光体を得ることができ、更に、これらの高分子電
荷輸送物質と共に一般式(1P)〜(10P)で表され
るアゾ顔料を用いることにより、高感度で且つ残留電位
が少ない電子写真感光体を得ることができる。
分子電荷輸送物質を用いることにより、感光層の成膜性
が良好であり、繰り返し使用時の耐摩耗性に優れた電子
写真感光体を得ることができ、更に、これらの高分子電
荷輸送物質と共に一般式(1P)〜(10P)で表され
るアゾ顔料を用いることにより、高感度で且つ残留電位
が少ない電子写真感光体を得ることができる。
【0010】以下に本発明の電子写真感光体に用いられ
る一般式(1D)〜(10D)で表される高分子電荷輸
送物質について説明する。
る一般式(1D)〜(10D)で表される高分子電荷輸
送物質について説明する。
【化131】 {式中、R″1、R″2、R″3は、それぞれ独立して置
換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表
し、R″4は水素原子または置換もしくは無置換のアル
キル基を表す。R1、R2は置換もしくは無置換のアリー
ル基を表す。o、p、qは、それぞれ独立して0〜4の
整数を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
族の2価基、または下記一般式(A)で表される2価基
を表す。
換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表
し、R″4は水素原子または置換もしくは無置換のアル
キル基を表す。R1、R2は置換もしくは無置換のアリー
ル基を表す。o、p、qは、それぞれ独立して0〜4の
整数を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
族の2価基、または下記一般式(A)で表される2価基
を表す。
【化132】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B)
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B)
【化133】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕}
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕}
【0011】R″1、R″2、R″3のアルキル基は、好
ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好まし
くはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。
具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチ
ル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒド
ロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエ
チル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロ
ロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベ
ンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。ハ
ロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子が挙げられる。R″4の置換もしくは無
置換のアルキル基としては、上記のR″1、R″2、R″
3と同様のものが挙げられる。R1、R2のアリール基と
しては、フェニル基などの芳香族炭化水素基、ナフチル
基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチ
ル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル
基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリ
デンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプ
テニリデンフェニル基などの縮合多環基、ビフェニリル
基、ターフェニリル基などの非縮合多環基、チェニル
基、ベンゾチェニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基などの複素環基などが挙げられる。
ましくは、C1〜C12とりわけC1〜C8、さらに好まし
くはC1〜C4の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、
これらのアルキル基はさらにフッ素原子、水酸基、シア
ノ基、C1〜C4のアルコキシ基、フェニル基、又はハロ
ゲン原子、C1〜C4のアルキル基もしくはC1〜C4のア
ルコキシ基で置換されたフェニル基を含有しても良い。
具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i
−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチ
ル基、i−ブチル基、トリフルオロメチル基、2−ヒド
ロキシエチル基、2−シアノエチル基、2−エトキシエ
チル基、2−メトキシエチル基、ベンジル基、4−クロ
ロベンジル基、4−メチルベンジル基、4−メトキシベ
ンジル基、4−フェニルベンジル基等が挙げられる。ハ
ロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子が挙げられる。R″4の置換もしくは無
置換のアルキル基としては、上記のR″1、R″2、R″
3と同様のものが挙げられる。R1、R2のアリール基と
しては、フェニル基などの芳香族炭化水素基、ナフチル
基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチ
ル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル
基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリ
デンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプ
テニリデンフェニル基などの縮合多環基、ビフェニリル
基、ターフェニリル基などの非縮合多環基、チェニル
基、ベンゾチェニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基などの複素環基などが挙げられる。
【0012】上述のアリール基は以下に示す基を置換基
として有していてもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基:上記のR″1、R″2、R″3のアル
キル基として示したものと同様のものが挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
として有していてもよい。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基:上記のR″1、R″2、R″3のアル
キル基として示したものと同様のものが挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
【0013】Xは下記一般式(1D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(1D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(1D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0014】
【化134】 一般式(C)のジオール化合物の具体例としては以下の
ものが挙げられる。l,3−プロパンジオール、1,4
−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6
−へキサンジオール、1,8−オクタンジオール、1,
10−デカンジオール、2−メチル−1,3−プロパン
ジオール、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオー
ル、2−エチル−1,3−プロパンジオール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等
の脂肪族ジオール、1,4−シクロヘキサンジオール、
1,3−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
1,4‐ジメタノール等の環状脂肪族ジオールなどが挙
げられる。
ものが挙げられる。l,3−プロパンジオール、1,4
−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6
−へキサンジオール、1,8−オクタンジオール、1,
10−デカンジオール、2−メチル−1,3−プロパン
ジオール、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオー
ル、2−エチル−1,3−プロパンジオール、ジエチレ
ングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレン
グリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール等
の脂肪族ジオール、1,4−シクロヘキサンジオール、
1,3−シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン−
1,4‐ジメタノール等の環状脂肪族ジオールなどが挙
げられる。
【0015】また、芳香環を有するジオールとしては、
4,4′−ジヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン、1,1ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、2,2−
ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,
5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、
4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4′
‐ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3′−ジメチル
−4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,
4′−ジヒドロキシジフェニルオキシド、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)キサンテン、
エチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベンゾエー
ト)、ジエチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベ
ンゾエート)、トリエチレングリコール−ビス(4−ヒ
ドロキシベンゾエート)、1,3−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−テトラメチルジシロキサン、フェノール
変性シリコーンオイルなどが挙げられる。次に、一般式
(2D)で表される高分子電荷輸送物質を示す。
4,4′−ジヒドロキシジフェニル、ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)エタン、1,1ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−1−フェニルエタン、2,2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−メチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、1,1−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタン、2,2−
ビス(3−フェニル−4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(3−イソプロピル−4−ヒドロキシ
フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)ブタン、2,2−ビス(3,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(3,
5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、
4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン、4,4′
‐ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルフィド、3,3′−ジメチル
−4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、4,
4′−ジヒドロキシジフェニルオキシド、2,2−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)キサンテン、
エチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベンゾエー
ト)、ジエチレングリコール−ビス(4−ヒドロキシベ
ンゾエート)、トリエチレングリコール−ビス(4−ヒ
ドロキシベンゾエート)、1,3−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−テトラメチルジシロキサン、フェノール
変性シリコーンオイルなどが挙げられる。次に、一般式
(2D)で表される高分子電荷輸送物質を示す。
【0016】
【化135】 〔式中、R3、R4は置換もしくは無置換のアリール基を
表し、Ar1、Ar2、Ar3は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは前記一般式(1D)におけ
ると同様の基を表す。〕 R3、R4のアリール基としては、フェニル基などの芳香
族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、2−フルオレ
ニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズ
レニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセ
ニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ
[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基などの縮合
多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、フリル基、ベ
ンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複素環基、ビフ
ェニリル基、ターフェニリル基、または下記一般式
(イ)で示される非縮合多環基などが挙げられる。
表し、Ar1、Ar2、Ar3は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは前記一般式(1D)におけ
ると同様の基を表す。〕 R3、R4のアリール基としては、フェニル基などの芳香
族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、2−フルオレ
ニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズ
レニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセ
ニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ
[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基などの縮合
多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、フリル基、ベ
ンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複素環基、ビフ
ェニリル基、ターフェニリル基、または下記一般式
(イ)で示される非縮合多環基などが挙げられる。
【0017】
【化136】 〔式中、Wは、−O−、−S−、−SO−、−SO
2−、−CO−および下記一般式(ロ)、(ハ)、
(ニ)、(ホ)で示す2価基を表す。
2−、−CO−および下記一般式(ロ)、(ハ)、
(ニ)、(ホ)で示す2価基を表す。
【0018】
【化137】 (式中、cは1〜12の整数を表し、d、e、fは1〜
3の整数表す。)〕
3の整数表す。)〕
【0019】また、Ar1、Ar2、Ar3のアリレン基
としては、R3、R4で示したアリール基の2価の基が挙
げられる。R3、R4のアリール基、Ar1、Ar2、Ar
3のアリレン基は以下に示す基を置換基として有しても
よい。また、これらの置換基は上記一般式(イ)、
(ニ)、(ホ)におけるR31、R32、R33の具体例でも
ある。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)一般式−N(R42)(R43)で表される置換アミ
ノ基。 (式中、R42及びR43は各々独立に上記(2)で示した
アルキル基、または上記R3、R4で示したアリール基を
表し、好ましいアリール基としては、例えばフェニル
基、ビフェニル基またはナフチル基が挙げられ、これら
はC1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基また
はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。またア
リール基上の炭素原子と共同で環を形成しても良い。具
体的には、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−フェニ
ルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ基、N、N−ジ
(p−トリル)アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基などが挙げられ
る。 (7)メチレンジオキシ基、またはメチレンジチオ基等
のアルキレンジオキシ基またはアルキレンジチオ基な
ど。
としては、R3、R4で示したアリール基の2価の基が挙
げられる。R3、R4のアリール基、Ar1、Ar2、Ar
3のアリレン基は以下に示す基を置換基として有しても
よい。また、これらの置換基は上記一般式(イ)、
(ニ)、(ホ)におけるR31、R32、R33の具体例でも
ある。 (1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ
基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)一般式−N(R42)(R43)で表される置換アミ
ノ基。 (式中、R42及びR43は各々独立に上記(2)で示した
アルキル基、または上記R3、R4で示したアリール基を
表し、好ましいアリール基としては、例えばフェニル
基、ビフェニル基またはナフチル基が挙げられ、これら
はC1〜C4のアルコキシ基、C1〜C4のアルキル基また
はハロゲン原子を置換基として含有しても良い。またア
リール基上の炭素原子と共同で環を形成しても良い。具
体的には、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−フェニ
ルアミノ基、N,N−ジフェニルアミノ基、N、N−ジ
(p−トリル)アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリ
ジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基などが挙げられ
る。 (7)メチレンジオキシ基、またはメチレンジチオ基等
のアルキレンジオキシ基またはアルキレンジチオ基な
ど。
【0020】Xは下記一般式(2D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(2D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(2D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0021】
【化138】 一般式(C)のジオール化合物の具体例は、前記一般式
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(3D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(3D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
【0022】
【化139】 〔式中、R5、R6は置換もしくは無置換のアリール基を
表し、Ar4、Ar5、Ar6は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは前記一般式(1D)におけ
ると同様の基を表す。〕 R5、R6のアリール基としては、フェニル基などの芳香
族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、2−フルオレ
ニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズ
レニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセ
ニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ
[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基などの縮合
多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基などの非縮
合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、フリル基、
ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複素環基など
が挙げられる。また、Ar4、Ar5、Ar6のアリレン
基としては、R5、R6で示したアリール基の2価の基が
挙げられる。R5、R6のアリール基、Ar4、Ar5、A
r6のアリレン基は以下に示す基を置換基として有して
もよい。
表し、Ar4、Ar5、Ar6は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは前記一般式(1D)におけ
ると同様の基を表す。〕 R5、R6のアリール基としては、フェニル基などの芳香
族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、2−フルオレ
ニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズ
レニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセ
ニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ
[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基などの縮合
多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基などの非縮
合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、フリル基、
ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複素環基など
が挙げられる。また、Ar4、Ar5、Ar6のアリレン
基としては、R5、R6で示したアリール基の2価の基が
挙げられる。R5、R6のアリール基、Ar4、Ar5、A
r6のアリレン基は以下に示す基を置換基として有して
もよい。
【0023】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
【0024】Xは下記一般式(3D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(3D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(3D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0025】
【化140】 一般式(C)のジオール化合物の具体例は、前記一般式
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(4D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(4D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
【0026】
【化141】 〔式中、R7、R8は置換もしくは無置換のアリール基を
表し、Ar7、Ar8、Ar9は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。rは1〜5の整数を表す。Xは
前記一般式(1D)におけると同様の基を表す。〕 R7、R8のアリール基としては、フェニル基などの芳香
族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、2−フルオレ
ニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズ
レニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセ
ニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ
[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基などの縮合
多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基などの非縮
合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、フリル基、
ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複素環基など
が挙げられる。また、Ar7、Ar8、Ar9のアリレン
基としては、R7、R8で示したアリール基の2価の基が
挙げられる。R7、R8のアリール基、Ar7、Ar8、A
r9のアリレン基は以下に示す基を置換基として有して
もよい。
表し、Ar7、Ar8、Ar9は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。rは1〜5の整数を表す。Xは
前記一般式(1D)におけると同様の基を表す。〕 R7、R8のアリール基としては、フェニル基などの芳香
族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、2−フルオレ
ニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、アズ
レニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリセ
ニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベンゾ
[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基などの縮合
多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基などの非縮
合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、フリル基、
ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複素環基など
が挙げられる。また、Ar7、Ar8、Ar9のアリレン
基としては、R7、R8で示したアリール基の2価の基が
挙げられる。R7、R8のアリール基、Ar7、Ar8、A
r9のアリレン基は以下に示す基を置換基として有して
もよい。
【0027】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
【0028】Xは下記一般式(4D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(4D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(4D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0029】
【化142】 一般式(C)のジオール化合物の具体例は、前記一般式
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(5D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(5D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
【0030】
【化143】 〔式中、R9、R10は置換もしくは無置換のアリール基
を表し、Ar10、Ar11、Ar12は同一または異なるア
リレン基を表す。X1、X2は置換もしくは無置換のエチ
レン基または置換もしくは無置換のビニレン基を表す。
k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
数である。Xは前記一般式(1D)におけると同様の基
を表す。〕 R9、R10のアリール基としては、フェニル基などの芳
香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基などの縮
合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基などの非
縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複素環基
などが挙げられる。また、Ar10、Ar11、Ar12のア
リレン基としては、R9、R10で示したアリール基の2
価の基が挙げられる。R9、R10のアリール基、A
r10、Ar11、Ar12のアリレン基は以下に示す基を置
換基として有してもよい。
を表し、Ar10、Ar11、Ar12は同一または異なるア
リレン基を表す。X1、X2は置換もしくは無置換のエチ
レン基または置換もしくは無置換のビニレン基を表す。
k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
数である。Xは前記一般式(1D)におけると同様の基
を表す。〕 R9、R10のアリール基としては、フェニル基などの芳
香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基などの縮
合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基などの非
縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複素環基
などが挙げられる。また、Ar10、Ar11、Ar12のア
リレン基としては、R9、R10で示したアリール基の2
価の基が挙げられる。R9、R10のアリール基、A
r10、Ar11、Ar12のアリレン基は以下に示す基を置
換基として有してもよい。
【0031】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。X1、X2のエチレン基またはビニレン基におけ
る置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ
基、上記R9、R10のアリール基、または上記(2)の
アルキル基が挙げられる。
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。X1、X2のエチレン基またはビニレン基におけ
る置換基としては、シアノ基、ハロゲン原子、ニトロ
基、上記R9、R10のアリール基、または上記(2)の
アルキル基が挙げられる。
【0032】Xは下記一般式(5D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(5D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(5D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0033】
【化144】 一般式(C)のジオール化合物の具体例は、前記一般式
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(6D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(6D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
【0034】
【化145】 〔式中、R11、R12、R13、R14は置換もしくは無置換
のアリール基を表し、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16
は同一または異なるアリレン基を表す。Y1、Y2、Y3
は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換も
しくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置
換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子または
ビニレン基を表し、同一であっても異なっていてもよ
い。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦
0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜500
0の整数である。Xは前記一般式(1D)におけると同
様の基を表す。〕
のアリール基を表し、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16
は同一または異なるアリレン基を表す。Y1、Y2、Y3
は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換も
しくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置
換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子または
ビニレン基を表し、同一であっても異なっていてもよ
い。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦
0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜500
0の整数である。Xは前記一般式(1D)におけると同
様の基を表す。〕
【0035】R11、R12、R13、R14のアリール基とし
ては、フェニル基などの芳香族炭化水素基、ナフチル
基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチ
ル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル
基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリ
デンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプ
テニリデンフェニル基などの縮合多環基、ビフェニリル
基、ターフェニリル基などの非縮合多環基、チェニル
基、ベンゾチェニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基などの複素環基などが挙げられる。ま
た、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16のアリレン基とし
ては、R11、R12、R13、R14で示したアリール基の2
価の基が挙げられる。上記のアリール基またはアリレン
基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
ては、フェニル基などの芳香族炭化水素基、ナフチル
基、ピレニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチ
ル−2−フルオレニル基、アズレニル基、アントリル
基、トリフェニレニル基、クリセニル基、フルオレニリ
デンフェニル基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプ
テニリデンフェニル基などの縮合多環基、ビフェニリル
基、ターフェニリル基などの非縮合多環基、チェニル
基、ベンゾチェニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、
カルバゾリル基などの複素環基などが挙げられる。ま
た、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16のアリレン基とし
ては、R11、R12、R13、R14で示したアリール基の2
価の基が挙げられる。上記のアリール基またはアリレン
基は以下に示す基を置換基として有してもよい。
【0036】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
【0037】Y1、Y2、Y3のアルキレン基としては、
上記(2)で示したアルキル基より誘導される2価の基
が挙げられる。具体的には、メチレン基、エチレン基、
1,3−プロピレン基、1,4−ブチレン基、2−メチ
ル−1,3−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒ
ドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチ
レン基、フェニルメチレン基、4−メチルフェニルメチ
レン基、2,2−プロピレン基、2,2−ブチレン基、
ジフェニルメチレン基などを挙げることができる。シク
ロアルキレン基としては、1,1−シクロペンチレン
基、1,1−シクロヘキシレン基、1,1−シクロオク
チレン基などを挙げることができる。また、アルキレン
エーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレ
ンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス(ト
リエチレン)エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル
基などが挙げられる。
上記(2)で示したアルキル基より誘導される2価の基
が挙げられる。具体的には、メチレン基、エチレン基、
1,3−プロピレン基、1,4−ブチレン基、2−メチ
ル−1,3−プロピレン基、ジフルオロメチレン基、ヒ
ドロキシエチレン基、シアノエチレン基、メトキシエチ
レン基、フェニルメチレン基、4−メチルフェニルメチ
レン基、2,2−プロピレン基、2,2−ブチレン基、
ジフェニルメチレン基などを挙げることができる。シク
ロアルキレン基としては、1,1−シクロペンチレン
基、1,1−シクロヘキシレン基、1,1−シクロオク
チレン基などを挙げることができる。また、アルキレン
エーテル基としては、ジメチレンエーテル基、ジエチレ
ンエーテル基、エチレンメチレンエーテル基、ビス(ト
リエチレン)エーテル基、ポリテトラメチレンエーテル
基などが挙げられる。
【0038】Xは下記一般式(6D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(6D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(6D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0039】
【化146】 一般式(C)のジオール化合物の具体例は、前記一般式
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(7D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(7D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
【0040】
【化147】 〔{式中、R15、R16は水素原子、置換もしくは無置換
のアリール基を表し、R15とR16は環を形成していても
よい。Ar17、Ar18、Ar19は同一または異なるアリ
レン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、
0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5
〜5000の整数である。Xは前記一般式(1D)にお
けると同様の基を表す。〕
のアリール基を表し、R15とR16は環を形成していても
よい。Ar17、Ar18、Ar19は同一または異なるアリ
レン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、
0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5
〜5000の整数である。Xは前記一般式(1D)にお
けると同様の基を表す。〕
【0041】R15、R16のアリール基としては、フェニ
ル基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル
基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フル
オレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニ
レニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル
基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフ
ェニル基などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェ
ニリル基などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェ
ニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基
などの複素環基などが挙げられる。R15とR16が環を形
成する場合としては、9−フルオリニデン、5H−ジベ
ンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンなどが挙げられ
る。また、Ar17、Ar18、Ar19のアリレン基として
は、R15とR16で示したアリール基の2価の基が挙げら
れる。R15とR16のアリール基、Ar17、Ar18、Ar
19のアリレン基は以下に示す基を置換基として有しても
よい。
ル基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル
基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フル
オレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニ
レニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル
基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフ
ェニル基などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェ
ニリル基などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェ
ニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基
などの複素環基などが挙げられる。R15とR16が環を形
成する場合としては、9−フルオリニデン、5H−ジベ
ンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンなどが挙げられ
る。また、Ar17、Ar18、Ar19のアリレン基として
は、R15とR16で示したアリール基の2価の基が挙げら
れる。R15とR16のアリール基、Ar17、Ar18、Ar
19のアリレン基は以下に示す基を置換基として有しても
よい。
【0042】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
【0043】Xは下記一般式(7D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(7D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(7D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0044】
【化148】 一般式(C)のジオール化合物の具体例は、前記一般式
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(8D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(8D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
【0045】
【化149】 〔式中、R17は置換もしくは無置換のアリール基を表
し、Ar20、Ar21、Ar22、Ar23は同一または異な
るアリレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k
≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
し、5〜5000の整数である。Xは前記一般式(1
D)におけると同様の基を表す。〕
し、Ar20、Ar21、Ar22、Ar23は同一または異な
るアリレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k
≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
し、5〜5000の整数である。Xは前記一般式(1
D)におけると同様の基を表す。〕
【0046】R17のアリール基としては、フェニル基な
どの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、2−
フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H
−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基
などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基
などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、
フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複
素環基などが挙げられる。また、Ar20、Ar21、Ar
22、Ar23のアリレン基としては、R17で示したアリー
ル基の2価の基が挙げられる。R17のアリール基、Ar
20、Ar21、Ar22、Ar23のアリレン基は以下に示す
基を置換基として有してもよい。
どの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、2−
フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル
基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル
基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H
−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基
などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基
などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、
フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複
素環基などが挙げられる。また、Ar20、Ar21、Ar
22、Ar23のアリレン基としては、R17で示したアリー
ル基の2価の基が挙げられる。R17のアリール基、Ar
20、Ar21、Ar22、Ar23のアリレン基は以下に示す
基を置換基として有してもよい。
【0047】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
【0048】Xは下記一般式(8D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(8D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(8D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0049】
【化150】 一般式(C)のジオール化合物の具体例は、前記一般式
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(9D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(9D)で表される高分子電荷輸送物質を示
す。
【0050】
【化151】 〔式中、R18、R19、R20、R21は置換もしくは無置換
のアリール基を表し、Ar24、Ar25、Ar26、A
r27、Ar28は同一または異なるアリレン基を表す。
k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
数である。Xは前記一般式(1D)におけると同様の基
を表す。〕 R18、R19、R20、R21のアリール基としては、フェニ
ル基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル
基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フル
オレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニ
レニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル
基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフ
ェニル基などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェ
ニリル基などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェ
ニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基
などの複素環基などが挙げられる。また、Ar24、Ar
25、Ar26、Ar27、Ar28のアリレン基としては、R
18、R19、R20、R21で示したアリール基の2価の基が
挙げられる。上記アリール基またはアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。
のアリール基を表し、Ar24、Ar25、Ar26、A
r27、Ar28は同一または異なるアリレン基を表す。
k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
数である。Xは前記一般式(1D)におけると同様の基
を表す。〕 R18、R19、R20、R21のアリール基としては、フェニ
ル基などの芳香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル
基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フル
オレニル基、アズレニル基、アントリル基、トリフェニ
レニル基、クリセニル基、フルオレニリデンフェニル
基、5H−ジベンゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフ
ェニル基などの縮合多環基、ビフェニリル基、ターフェ
ニリル基などの非縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェ
ニル基、フリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基
などの複素環基などが挙げられる。また、Ar24、Ar
25、Ar26、Ar27、Ar28のアリレン基としては、R
18、R19、R20、R21で示したアリール基の2価の基が
挙げられる。上記アリール基またはアリレン基は以下に
示す基を置換基として有してもよい。
【0051】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
【0052】Xは下記一般式(9D′)のトリアリール
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(9D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
アミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エステ
ル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)の
ジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入され
る。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラン
ダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、X
は下記一般式(9D′)のトリアリールアミノ基を有す
るジオール化合物と下記一般式(C)から誘導されるビ
スクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返し単
位中に導入される。この場合、製造されるポリカーボネ
ートは交互共重合体となる。
【0053】
【化152】 一般式(C)のジオール化合物の具体例は、前記一般式
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(10D)で表される高分子電荷輸送物質を
示す。
(1D)の説明において例示したものと同じである。次
に、一般式(10D)で表される高分子電荷輸送物質を
示す。
【0054】
【化153】 〔式中、R22、R23は置換もしくは無置換のアリール基
を表し、Ar29、Ar30、Ar31は同一または異なるア
リレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦
1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
し、5〜5000の整数である。Xは前記一般式(1
D)におけると同様の基を表す。〕 R22、R23のアリール基としては、フェニル基などの芳
香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基などの縮
合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基などの非
縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複素環基
などが挙げられる。また、Ar29、Ar30、Ar31のア
リレン基としては、R22、R23で示したアリール基の2
価の基が挙げられる。R22、R23のアリル基、Ar29、
Ar30、Ar31のアリレン基は以下に示す基を置換基と
して有してもよい。
を表し、Ar29、Ar30、Ar31は同一または異なるア
リレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦
1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
し、5〜5000の整数である。Xは前記一般式(1
D)におけると同様の基を表す。〕 R22、R23のアリール基としては、フェニル基などの芳
香族炭化水素基、ナフチル基、ピレニル基、2−フルオ
レニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、ア
ズレニル基、アントリル基、トリフェニレニル基、クリ
セニル基、フルオレニリデンフェニル基、5H−ジベン
ゾ[a,d]シクロヘプテニリデンフェニル基などの縮
合多環基、ビフェニリル基、ターフェニリル基などの非
縮合多環基、チェニル基、ベンゾチェニル基、フリル
基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル基などの複素環基
などが挙げられる。また、Ar29、Ar30、Ar31のア
リレン基としては、R22、R23で示したアリール基の2
価の基が挙げられる。R22、R23のアリル基、Ar29、
Ar30、Ar31のアリレン基は以下に示す基を置換基と
して有してもよい。
【0055】(1)ハロゲン原子、トリフルオロメチル
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
基、シアノ基、ニトロ基。 (2)アルキル基:好ましくは、C1〜C12とりわけC1
〜C8、さらに好ましくはC1〜C4の直鎖または分岐鎖
のアルキル基であり、これらのアルキル基はさらにフッ
素原子、水酸基、シアノ基、C1〜C4のアルコキシ基、
フェニル基、又はハロゲン原子、C1〜C4のアルキル基
もしくはC1〜C4のアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有しても良い。具体的には、メチル基、エチル
基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、
s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、トリフル
オロメチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−シアノエ
チル基、2−エトキシエチル基、2−メトキシエチル
基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベ
ンジル基、4−メトキシベンジル基、4−フェニルベン
ジル基等が挙げられる。 (3)アルコキシ基(−OR41):R41は上記(2)で
示したアルキル基を表わす。具体的には、メトキシ基、
エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、t
−ブトキシ基、n−ブトキシ基、s−ブトキシ基、i−
ブトキシ基、2−ヒドロキシエトキシ基、2−シアノエ
トキシ基、ベンジルオキシ基、4−メチルベンジルオキ
シ基、トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。 (4)アリールオキシ基:アリール基としてフェニル
基、ナフチル基が挙げられる。これらは、C1〜C4のア
ルコキシ基、C1〜C4のアルキル基またはハロゲン原子
を置換基として含有しても良い。具体的には、フェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、
4−メチルフェノキシ基、4−メトキシフェノキシ基、
4−クロロフェノキシ基、6−メチル−2−ナフチルオ
キシ基などが挙げられる。 (5)置換メルカプト基またはアリールメルカプト基:
具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ
基、p−メチルフェニルチオ基などが挙げられる。 (6)アルキル置換アミノ基:アルキル基は上記(2)
で示したアルキル基を表わす。具体的にはジメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基、N−メチル−N−プロピルア
ミノ基、N,N−ジベンジルアミノ基などが挙げられ
る。 (7)アシル基:具体的にはアセチル基、プロピオニル
基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基などが挙げ
られる。
【0056】Xは下記一般式(10D′)のトリアリー
ルアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エス
テル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)
のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラ
ンダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、
Xは下記一般式(10D′)のトリアリールアミノ基を
有するジオール化合物と下記一般式(C)から誘導され
るビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返
し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネートは交互共重合体となる。
ルアミノ基を有するジオール化合物をホスゲン法、エス
テル交換法等を用い重合するときに、下記一般式(C)
のジオール化合物を併用することにより主鎖中に導入さ
れる。この場合、製造されるポリカーボネート樹脂はラ
ンダム共重合体、又はブロック共重合体となる。また、
Xは下記一般式(10D′)のトリアリールアミノ基を
有するジオール化合物と下記一般式(C)から誘導され
るビスクロロホーメートとの重合反応によっても繰り返
し単位中に導入される。この場合、製造されるポリカー
ボネートは交互共重合体となる。
【0057】
【化154】 一般式(C)のジオール化合物の具体例は、前記一般式
(1D)の説明において例示したものと同じである。本
発明において使用される高分子電荷輸送物質は、必ずし
も高分子量である必要はなく、いわゆるオリゴマーであ
ってもよい。従って、高分子電荷輸送物質の重量平均分
子量は1000以上のものが好ましく、特に2000〜
2000000のものが好ましい。
(1D)の説明において例示したものと同じである。本
発明において使用される高分子電荷輸送物質は、必ずし
も高分子量である必要はなく、いわゆるオリゴマーであ
ってもよい。従って、高分子電荷輸送物質の重量平均分
子量は1000以上のものが好ましく、特に2000〜
2000000のものが好ましい。
【0058】以下に本発明の電子写真感光体に用いられ
る一般式(1P)〜(10P)で表されるアゾ顔料につ
いて説明する。
る一般式(1P)〜(10P)で表されるアゾ顔料につ
いて説明する。
【化155】
【0059】(式中、Cp1、Cp2はカップラー残基を
表し、同一でも異なっていても良い。また、R′1、
R′2、R′3は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。)
表し、同一でも異なっていても良い。また、R′1、
R′2、R′3は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。)
【0060】
【化156】 (式中、Cp3、Cp4、Cp5はカップラー残基を表
し、同一でも異なっていても良い。また、R′4、
R′5、R′6は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。)
し、同一でも異なっていても良い。また、R′4、
R′5、R′6は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。)
【0061】
【化157】 (式中、Cp6、Cp7はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′7、R′8は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはシ
アノ基を表す。)
も異なっていても良い。また、R′7、R′8は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはシ
アノ基を表す。)
【0062】
【化158】 (式中、Cp8、Cp9はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。)
も異なっていても良い。)
【0063】
【化159】 (式中、Cp10、Cp11はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、R′9は水素原子また
は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。)
でも異なっていても良い。また、R′9は水素原子また
は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。)
【0064】
【化160】 (式中、Cp12、Cp13はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、nは1〜5の整数を表
す。)
でも異なっていても良い。また、nは1〜5の整数を表
す。)
【0065】
【化161】 (式中、Cp14、Cp15はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。)
でも異なっていても良い。)
【0066】
【化162】 (式中、Cp16、Cp17はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。)
でも異なっていても良い。)
【0067】
【化163】 (式中、Cp18、Cp19はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、A、Bは水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、同一でも異なっていて
も良い。)
でも異なっていても良い。また、A、Bは水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、同一でも異なっていて
も良い。)
【0068】
【化164】 (式中、Cp20、Cp21はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。Ar′1、Ar′2は置換もし
くは無置換のビフェニリル基を表し、同一でも異なって
いても良い。Ar′3は置換もしくは無置換のアリール
基を表す。)
でも異なっていても良い。Ar′1、Ar′2は置換もし
くは無置換のビフェニリル基を表し、同一でも異なって
いても良い。Ar′3は置換もしくは無置換のアリール
基を表す。)
【0069】上記一般式(1P)〜(10P)における
ハロゲン原子としては塩素原子、臭素原子などが、アル
キル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基などが、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基などが、またアリール
基としてはフェニル基、ナフチル基などが例示できる。
また、上記一般式(1P)〜(10P)におけるカッ
プラー残基Cp1〜Cp21としては、例えば、フェノー
ル類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有する
化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるいは
アミノ基とフェノール性水酸基を有するアミノナフトー
ル類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を有
する化合物(活性メチレン基を有する化合物)などが用
いられ、好ましくは下記一般式(1)〜(13)で表わ
されるものが挙げられる。
ハロゲン原子としては塩素原子、臭素原子などが、アル
キル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基などが、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基などが、またアリール
基としてはフェニル基、ナフチル基などが例示できる。
また、上記一般式(1P)〜(10P)におけるカッ
プラー残基Cp1〜Cp21としては、例えば、フェノー
ル類、ナフトール類などのフェノール性水酸基を有する
化合物、アミノ基を有する芳香族アミノ化合物あるいは
アミノ基とフェノール性水酸基を有するアミノナフトー
ル類、脂肪族もしくは芳香族のエノール性ケトン基を有
する化合物(活性メチレン基を有する化合物)などが用
いられ、好ましくは下記一般式(1)〜(13)で表わ
されるものが挙げられる。
【0070】
【化165】 上記一般式(1)、(2)、(3)または(4)中の
X、Y1、Z、mまたはnは次のものをあらわす。すな
わち、Xは、−OH、−N(R1)(R2)または−NH
SO2−R3を表し、R1、R2は水素原子または置換もし
くは無置換のアルキル基を表し、R3は置換もしくは無
置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール
基を表す。Y1は、水素原子、ハロゲン原子、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコ
キシ基、カルボキシ基、スルホン基、置換もしくは無置
換のスルファモイル基、または−CON(R4)Y2を表
す。R4は水素原子、アルキル基またはその置換体、フ
ェニル基またはその置換体を表し、Y2は炭化水素環基
またはその置換体、複素環基またはその置換体あるいは
−N=C(R5)(R6)を表す。R5は炭化水素環基ま
たはその置換体、複素環基またはその置換体あるいはス
チリル基またはその置換体を表し、R6は水素原子、ア
ルキル基、フェニル基またはその置換体を表す。R5及
びR6はそれらに結合する炭素原子と共に環を形成して
もよい。Zは炭化水素環またはその置換体あるいは複素
環またはその置換体を表す。mまたはnは1または2の
整数を表す。
X、Y1、Z、mまたはnは次のものをあらわす。すな
わち、Xは、−OH、−N(R1)(R2)または−NH
SO2−R3を表し、R1、R2は水素原子または置換もし
くは無置換のアルキル基を表し、R3は置換もしくは無
置換のアルキル基または置換もしくは無置換のアリール
基を表す。Y1は、水素原子、ハロゲン原子、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルコ
キシ基、カルボキシ基、スルホン基、置換もしくは無置
換のスルファモイル基、または−CON(R4)Y2を表
す。R4は水素原子、アルキル基またはその置換体、フ
ェニル基またはその置換体を表し、Y2は炭化水素環基
またはその置換体、複素環基またはその置換体あるいは
−N=C(R5)(R6)を表す。R5は炭化水素環基ま
たはその置換体、複素環基またはその置換体あるいはス
チリル基またはその置換体を表し、R6は水素原子、ア
ルキル基、フェニル基またはその置換体を表す。R5及
びR6はそれらに結合する炭素原子と共に環を形成して
もよい。Zは炭化水素環またはその置換体あるいは複素
環またはその置換体を表す。mまたはnは1または2の
整数を表す。
【0071】
【化166】 〔式(5)中、R7は置換もしくは無置換の炭化水素基
を表わし、Xは上記と同じ基を表す。〕
を表わし、Xは上記と同じ基を表す。〕
【0072】
【化167】 〔式(6)中、Aは芳香族炭化水素の2価の基または窒
素原子を環内に含む複素環の2価の基を表わし、それら
の環は置換基を有していてもよい。Xは上記と同じ基を
表す。〕
素原子を環内に含む複素環の2価の基を表わし、それら
の環は置換基を有していてもよい。Xは上記と同じ基を
表す。〕
【0073】
【化168】 〔式(7)中、R8はアルキル基、カルバモイル基、力
ルボキシル基またはそのエステルを表し、Ar1は炭化
水素環基またはその置換体を表す。Xは上記と同じ基を
表す。〕
ルボキシル基またはそのエステルを表し、Ar1は炭化
水素環基またはその置換体を表す。Xは上記と同じ基を
表す。〕
【0074】
【化169】 〔式(8)または(9)中、R9は水素原子または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar2は炭化水
素環基またはその置換体を表わす。Xは上記と同じ基を
表す。〕
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ar2は炭化水
素環基またはその置換体を表わす。Xは上記と同じ基を
表す。〕
【0075】前記一般式(1)、(2)、(3)または
(4)におけるZの炭化水素環としてはベンゼン環、ナ
フタレン環などが例示でき、また複素環(置換基を持っ
ていてもよい)としてはインドール環、カルバゾール
環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環などが例示でき
る。Zの環における置換基としては塩素原子、臭素原子
などのハロゲン原子が例示できる。Y2またはR5におけ
る炭化水素環基としては、フェニル基、ナフチル基、ア
ントリル基、ピレニル基などが、また、複素環基として
はピリジル基、チエニル基、フリル基、インドリル基、
ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ジベゾフラニル基
などが例示でき、さらに、R5およびR6が結合して形成
する環としては、フルオレン環などが例示できる。Y2
またはR5の炭化水素環基または複素環基あるいはR5お
よびR6によって形成される環における置換基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの
アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子な
どのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチル基な
どのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル
基またはそのエステル、水酸基、−SO3Naなどのス
ルホン酸塩基などが挙げられる。R4のフェニル基にお
ける置換基としては塩素原子または臭素原子などのハロ
ゲン原子が例示できる。R7またはR9における炭化水素
基の代表例としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基などのアルキル基、フェニル基などのアリ
ール基またはこれらの置換体が例示できる。R7または
R9の炭化水素基における置換基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など
のアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
(4)におけるZの炭化水素環としてはベンゼン環、ナ
フタレン環などが例示でき、また複素環(置換基を持っ
ていてもよい)としてはインドール環、カルバゾール
環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環などが例示でき
る。Zの環における置換基としては塩素原子、臭素原子
などのハロゲン原子が例示できる。Y2またはR5におけ
る炭化水素環基としては、フェニル基、ナフチル基、ア
ントリル基、ピレニル基などが、また、複素環基として
はピリジル基、チエニル基、フリル基、インドリル基、
ベンゾフラニル基、カルバゾリル基、ジベゾフラニル基
などが例示でき、さらに、R5およびR6が結合して形成
する環としては、フルオレン環などが例示できる。Y2
またはR5の炭化水素環基または複素環基あるいはR5お
よびR6によって形成される環における置換基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの
アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、
ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子な
どのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基、トリフルオロメチル基な
どのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル
基またはそのエステル、水酸基、−SO3Naなどのス
ルホン酸塩基などが挙げられる。R4のフェニル基にお
ける置換基としては塩素原子または臭素原子などのハロ
ゲン原子が例示できる。R7またはR9における炭化水素
基の代表例としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基などのアルキル基、フェニル基などのアリ
ール基またはこれらの置換体が例示できる。R7または
R9の炭化水素基における置換基としては、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メ
トキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など
のアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原
子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。
【0076】Ar1またはAr2における炭化水素環基と
しては、フェニル基、ナフチル基などがその代表例であ
り、また、これらの基における置換基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基などのアルコキシ基、ニトロ基、塩素原子や臭素原子
などのハロゲン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基やジ
エチルアミノ基などのジアルキルアミノ基などが例示で
きる。また、Xの中では特に水酸基が適当である。 上
記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式
(2)、(5)、(6)、(7)、(8)および(9)
で示されるものであり、この中でも一般式におけるXが
水酸基のものが好ましい。また、この中でも下記一般式
(10)で表わされるカプラー残基が好ましく、さらに
は下記一般式(11)で表わされるカプラー残基が好ま
しい。
しては、フェニル基、ナフチル基などがその代表例であ
り、また、これらの基における置換基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル
基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基などのアルコキシ基、ニトロ基、塩素原子や臭素原子
などのハロゲン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基やジ
エチルアミノ基などのジアルキルアミノ基などが例示で
きる。また、Xの中では特に水酸基が適当である。 上
記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式
(2)、(5)、(6)、(7)、(8)および(9)
で示されるものであり、この中でも一般式におけるXが
水酸基のものが好ましい。また、この中でも下記一般式
(10)で表わされるカプラー残基が好ましく、さらに
は下記一般式(11)で表わされるカプラー残基が好ま
しい。
【0077】
【化170】 〔式(10)中、Y1およびZは前記と同じである。〕
【0078】
【化171】 〔式(11)中、Z、Y2およびR2は前記と同じであ
る。〕 さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも下記
一般式(12)または(13)で表わされるカプラー残
基が特に好ましい。
る。〕 さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも下記
一般式(12)または(13)で表わされるカプラー残
基が特に好ましい。
【0079】
【化172】 〔式(12)、(13)中、Z、R2、R5およびR6は
前記と同じであり、またR10としては上記のY2の置換
基が例示できる。〕
前記と同じであり、またR10としては上記のY2の置換
基が例示できる。〕
【0080】カプラー残基の具体例を表1から表20に
示す。
示す。
【表1】
【表2】
【表3】
【表4】
【表5】
【表6】
【表7】
【表8】
【表9】
【表10】
【表11】
【表12】
【表13】
【表14】
【表15】
【表16】
【表17】
【表18】
【表19】
【表20】
【0081】次に、本発明の電子写真感光体の構成を図
面によって説明する。図1は、本発明の電子写真感光体
の一例を模式的に示す断面図であり、導電性支持体1の
上に感光層2が形成されている。図2は、他の構成の電
子写真感光体を模式的に示す断面図であり、導電性支持
体1の上に電荷発生層21および電荷輸送層22をこの
順に積層した感光層2が形成されている。図3は、他の
構成の電子写真感光体を模式的に示す断面図であり、導
電性支持体1の上に電荷輸送層22および電荷発生層2
1をこの順に積層した感光層2が形成されている。図4
は、更に別の構成の電子写真感光体を模式的に示す断面
図であり、導電性支持体1と感光層2の間に中間層3が
設けられている。
面によって説明する。図1は、本発明の電子写真感光体
の一例を模式的に示す断面図であり、導電性支持体1の
上に感光層2が形成されている。図2は、他の構成の電
子写真感光体を模式的に示す断面図であり、導電性支持
体1の上に電荷発生層21および電荷輸送層22をこの
順に積層した感光層2が形成されている。図3は、他の
構成の電子写真感光体を模式的に示す断面図であり、導
電性支持体1の上に電荷輸送層22および電荷発生層2
1をこの順に積層した感光層2が形成されている。図4
は、更に別の構成の電子写真感光体を模式的に示す断面
図であり、導電性支持体1と感光層2の間に中間層3が
設けられている。
【0082】導電性支持体としては、体積抵抗1×10
10Ωcm以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、銅、銀、金、白金などの金属、
酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着ま
たはスパッタリングによりフィルム状もしくは円筒状の
プラスチックまたは紙などに被覆したもの、あるいはア
ルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス
などの板およびそれらをD.I.、I.I.、押し出
し、引き抜き等の工法で素管化したのち切削、超仕上
げ、研磨等で表面処理した管などを使用することができ
る。感光層としては、前記一般式(1D)乃至(10
D)で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種お
よび前記一般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ
顔料の少なくとも1種を含有する単層構成の感光層、あ
るいは前記一般式(1P)乃至(10P)で表されるア
ゾ顔料の少なくとも1種を含有する電荷発生層および前
記一般式(1D)乃至(10D)で表される高分子電荷
輸送物質の少なくとも1種を含有する電荷輸送層を積層
した積層構成の感光層のいずれでもよい。
10Ωcm以下の導電性を示すもの、例えばアルミニウ
ム、ニッケル、クロム、銅、銀、金、白金などの金属、
酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着ま
たはスパッタリングによりフィルム状もしくは円筒状の
プラスチックまたは紙などに被覆したもの、あるいはア
ルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス
などの板およびそれらをD.I.、I.I.、押し出
し、引き抜き等の工法で素管化したのち切削、超仕上
げ、研磨等で表面処理した管などを使用することができ
る。感光層としては、前記一般式(1D)乃至(10
D)で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種お
よび前記一般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ
顔料の少なくとも1種を含有する単層構成の感光層、あ
るいは前記一般式(1P)乃至(10P)で表されるア
ゾ顔料の少なくとも1種を含有する電荷発生層および前
記一般式(1D)乃至(10D)で表される高分子電荷
輸送物質の少なくとも1種を含有する電荷輸送層を積層
した積層構成の感光層のいずれでもよい。
【0083】以下に、積層構成の感光層を有する例につ
いて説明する。電荷発生層は、前記一般式(1P)乃至
(10P)で表されるアゾ顔料の少なくとも1種を主成
分とする層であり、必要に応じてバインダー樹脂が用い
られる。 一般式(1P)乃至(10P)で表されるア
ゾ顔料は、単独または2種以上の混合物として用いるこ
とができる。電荷発生層に使用されるバインダー樹脂と
しては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポ
リケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが挙げられ
る。これらのバインダー樹脂は、単独または2種以上の
混合物として用いることができる。また、電荷発生層の
バインダー樹脂として上記のバインダー樹脂の他に、高
分子電荷輸送物質を用いることができる。高分子電荷輸
送物質としては、前記一般式(1D)乃至(10D)で
表される高分子電荷輸送物質も良好に用いられるが、そ
の他の高分子電荷輸送物質として以下のものが挙げられ
る。
いて説明する。電荷発生層は、前記一般式(1P)乃至
(10P)で表されるアゾ顔料の少なくとも1種を主成
分とする層であり、必要に応じてバインダー樹脂が用い
られる。 一般式(1P)乃至(10P)で表されるア
ゾ顔料は、単独または2種以上の混合物として用いるこ
とができる。電荷発生層に使用されるバインダー樹脂と
しては、ポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポ
リケトン、ポリカーボネート、シリコーン樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ポリアクリルアミドなどが挙げられ
る。これらのバインダー樹脂は、単独または2種以上の
混合物として用いることができる。また、電荷発生層の
バインダー樹脂として上記のバインダー樹脂の他に、高
分子電荷輸送物質を用いることができる。高分子電荷輸
送物質としては、前記一般式(1D)乃至(10D)で
表される高分子電荷輸送物質も良好に用いられるが、そ
の他の高分子電荷輸送物質として以下のものが挙げられ
る。
【0084】(a)主鎖および/または側鎖にカルバゾ
ール環を有する重合体、例えば、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、特開昭50−82056号公報、特開昭54
−9632号公報、特開昭54−11737号公報、特
開平4−183719号公報に記載の化合物等が例示で
きる。 (b)主鎖および/または側鎖にヒドラゾン構造を有す
る重合体、例えば、特開昭57−78402号公報、特
開平3−50555号公報に記載の化合物等が例示でき
る。 (c)ポリシリレン重合体、例えば、特開昭63−28
5552号公報、特開平5−19497号公報、特開平
5−70595号公報に記載の化合物等が例示できる。 (d)主鎖および/または側鎖に第3級アミン構造を有
する重合体、例えば、N,N−ビス(4−メチルフェニ
ル)−4−アミノポリスチレン、特開平1−13061
号公報、特開平1−19049号公報、特開平1−17
28号公報、特開平1−105260号公報、特開平2
−167335号公報、特開平5−66598号公報、
特開平5−40350号公報に記載の化合物等が例示で
きる。 (e)その他の重合体、例えば、ニトロピレンのホルム
アルデヒド縮重合体、特開昭51−73888号公報、
特開昭56−150749号公報に記載の化合物等が例
示できる。
ール環を有する重合体、例えば、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、特開昭50−82056号公報、特開昭54
−9632号公報、特開昭54−11737号公報、特
開平4−183719号公報に記載の化合物等が例示で
きる。 (b)主鎖および/または側鎖にヒドラゾン構造を有す
る重合体、例えば、特開昭57−78402号公報、特
開平3−50555号公報に記載の化合物等が例示でき
る。 (c)ポリシリレン重合体、例えば、特開昭63−28
5552号公報、特開平5−19497号公報、特開平
5−70595号公報に記載の化合物等が例示できる。 (d)主鎖および/または側鎖に第3級アミン構造を有
する重合体、例えば、N,N−ビス(4−メチルフェニ
ル)−4−アミノポリスチレン、特開平1−13061
号公報、特開平1−19049号公報、特開平1−17
28号公報、特開平1−105260号公報、特開平2
−167335号公報、特開平5−66598号公報、
特開平5−40350号公報に記載の化合物等が例示で
きる。 (e)その他の重合体、例えば、ニトロピレンのホルム
アルデヒド縮重合体、特開昭51−73888号公報、
特開昭56−150749号公報に記載の化合物等が例
示できる。
【0085】さらに、上記重合体だけでなく、電子供与
性基を有する重合体として、公知の単量体の共重合体、
ブロック重合体、グラフト重合体、またはスターポリマ
ー、あるいは、例えば特開平3−109406号公報に
開示されているような電子供与性基を有する架橋重合体
等を用いることも可能である。
性基を有する重合体として、公知の単量体の共重合体、
ブロック重合体、グラフト重合体、またはスターポリマ
ー、あるいは、例えば特開平3−109406号公報に
開示されているような電子供与性基を有する架橋重合体
等を用いることも可能である。
【0086】電荷発生層を形成する方法としては、大別
すると、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキヤスティ
ング法とが挙げられる。真空薄膜作製法では、真空蒸着
法、グロー放電分解法、イオンプレーテイング法、スパ
ッタリング法、反応性スパッタリング法、CVD法等が
用いられ、これらの方法により前記のアゾ顔料の少なく
とも1種を主成分とする電荷発生層を良好に形成するこ
とができる。また、キャスティング法によって電荷発生
層を形成するには、前記のアゾ顔料の少なくとも1種を
必要に応じてバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラ
ン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、
ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、
サンドミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗
布し乾燥させればよい。塗布方法としては、浸漬塗工
法、スプレーコート法、ビードコート法などを用いるこ
とができる。このようにして形成される電荷発生層の膜
厚は、0.01〜5μm程度が適当であり、特に0.0
5〜2μmが好ましい。
すると、真空薄膜作製法と溶液分散系からのキヤスティ
ング法とが挙げられる。真空薄膜作製法では、真空蒸着
法、グロー放電分解法、イオンプレーテイング法、スパ
ッタリング法、反応性スパッタリング法、CVD法等が
用いられ、これらの方法により前記のアゾ顔料の少なく
とも1種を主成分とする電荷発生層を良好に形成するこ
とができる。また、キャスティング法によって電荷発生
層を形成するには、前記のアゾ顔料の少なくとも1種を
必要に応じてバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラ
ン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、
ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、
サンドミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗
布し乾燥させればよい。塗布方法としては、浸漬塗工
法、スプレーコート法、ビードコート法などを用いるこ
とができる。このようにして形成される電荷発生層の膜
厚は、0.01〜5μm程度が適当であり、特に0.0
5〜2μmが好ましい。
【0087】次に、電荷輸送層について説明する。電荷
輸送層は前記一般式(1D)〜(10D)で表される高
分子電荷輸送物質の少なくとも1種を主成分とする層で
あり、電荷輸送層を形成するには高分子電荷輸送物質を
適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布し乾燥させ
ればよい。また、必要により適当なバインダー樹脂、低
分子電荷輸送物質、可塑剤またはレベリング剤などを添
加することもできる。
輸送層は前記一般式(1D)〜(10D)で表される高
分子電荷輸送物質の少なくとも1種を主成分とする層で
あり、電荷輸送層を形成するには高分子電荷輸送物質を
適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを塗布し乾燥させ
ればよい。また、必要により適当なバインダー樹脂、低
分子電荷輸送物質、可塑剤またはレベリング剤などを添
加することもできる。
【0088】電荷輸送層に併用できるバインダー樹脂と
しては、ポリカーボネート(ビスフェノ−ルAタイプ、
ビスフェノ−ルZタイプ)、ポリエステル、メタクリル
樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、酢酸
ビニル、ポリスチレン、フェノ−ル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド樹
脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアクリレー
ト、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などがが挙げ
られる。これらのバインダー樹脂は、単独または2種以
上の混合物として用いることが出来る。バインダー樹脂
の使用量は、高分子電荷輸送物質100重量部に対して
0〜150重量部が適当である。電荷輸送層に併用でき
る低分子電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物
質とがある。
しては、ポリカーボネート(ビスフェノ−ルAタイプ、
ビスフェノ−ルZタイプ)、ポリエステル、メタクリル
樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、酢酸
ビニル、ポリスチレン、フェノ−ル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデン、アルキッド樹
脂、シリコン樹脂、ポリビニルカルバゾール、ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリアクリレー
ト、ポリアクリルアミド、フェノキシ樹脂などがが挙げ
られる。これらのバインダー樹脂は、単独または2種以
上の混合物として用いることが出来る。バインダー樹脂
の使用量は、高分子電荷輸送物質100重量部に対して
0〜150重量部が適当である。電荷輸送層に併用でき
る低分子電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物
質とがある。
【0089】電子輸送物質としては、例えば、クロルア
ニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フル
オレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオ
レノン、2,4,5,7−テトラニトロキサントン、
2,4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,8−
トリニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕チオフェン
−4オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチオフェン
−5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げら
れる。これらの電子輸送物質は、単独または2種以上の
混合物として用いることができる。
ニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシ
アノキノジメタン、2,4,7−トリニトロ−9−フル
オレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオ
レノン、2,4,5,7−テトラニトロキサントン、
2,4,8−トリニトロチオキサントン、2,6,8−
トリニトロ−4H−インデノ〔1,2−b〕チオフェン
−4オン、1,3,7−トリニトロジベンゾチオフェン
−5,5−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げら
れる。これらの電子輸送物質は、単独または2種以上の
混合物として用いることができる。
【0090】また、正孔輸送物質としては、例えば、以
下に表わされる電子供与性物質が挙げられ、良好に用い
られる。すなわち、オキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン
誘導体、9−(p−ジエチルアミノスチリルアントラセ
ン)、1,1−ビス−(4−ジベンジルアミノフェニ
ル)プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾ
リン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン
誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェ
ナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導
体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体など
が挙げられる。これらの正孔輸送物質は、単独または2
種以上の混合物として用いることができる。
下に表わされる電子供与性物質が挙げられ、良好に用い
られる。すなわち、オキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン
誘導体、9−(p−ジエチルアミノスチリルアントラセ
ン)、1,1−ビス−(4−ジベンジルアミノフェニ
ル)プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾ
リン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン
誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェ
ナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導
体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体など
が挙げられる。これらの正孔輸送物質は、単独または2
種以上の混合物として用いることができる。
【0091】また、電荷輸送層に添加してもよい可塑剤
としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート
など一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそ
のまま使用でき、その使用量は、バインダー樹脂100
重量部に対して0〜30重量部程度が適当である。レベ
リング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチル
フェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類
や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあ
るいはオリゴマーが使用され、その使用量は、バインダ
ー樹脂100重量部に対して0〜1重量部程度が適当で
ある。電荷輸送層の厚さは、5〜100μm程度が適当
である。
としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート
など一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそ
のまま使用でき、その使用量は、バインダー樹脂100
重量部に対して0〜30重量部程度が適当である。レベ
リング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチル
フェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類
や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあ
るいはオリゴマーが使用され、その使用量は、バインダ
ー樹脂100重量部に対して0〜1重量部程度が適当で
ある。電荷輸送層の厚さは、5〜100μm程度が適当
である。
【0092】単層構成の感光層を形成するには、前記一
般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の少な
くとも1種および前記一般式(1D)乃至(10D)で
表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種を、必要
に応じてバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シ
クロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノ
ン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンド
ミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗布し乾
燥させればよい。塗布方法としては、浸漬塗工法、スプ
レーコート法、ビードコート法などを用いることができ
る。この単層構成の感光層にも、必要により低分子電荷
輸送物質、可塑剤またはレベリング剤などを添加するこ
ともできる。
般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の少な
くとも1種および前記一般式(1D)乃至(10D)で
表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種を、必要
に応じてバインダー樹脂と共にテトラヒドロフラン、シ
クロヘキサノン、ジオキサン、ジクロロエタン、ブタノ
ン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、サンド
ミル等により分散し、分散液を適度に希釈して塗布し乾
燥させればよい。塗布方法としては、浸漬塗工法、スプ
レーコート法、ビードコート法などを用いることができ
る。この単層構成の感光層にも、必要により低分子電荷
輸送物質、可塑剤またはレベリング剤などを添加するこ
ともできる。
【0093】また、導電性支持体と感光層との間の中間
層は、導電性支持体と感光層との接着性向上などの目的
で設けられ、その材料としてはSiO2、Al2O3、シ
ランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカ
ップリング剤などの無機材料、あるいはポリアミド樹
脂、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルブチラール、PVAなどの接
着性のよい樹脂などが使用される。そのほか、上記接着
性のよい樹脂にZnO、TiO2、ZnSなどを分散し
たものも使用することができる。中間層の形成法として
は、無機材料単独の場合はスパッタリング、蒸着などの
方法が、また有機材料を用いる場合には通常の塗布方法
が採用される。中間層の膜厚としては5μm以下が適当
である。
層は、導電性支持体と感光層との接着性向上などの目的
で設けられ、その材料としてはSiO2、Al2O3、シ
ランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカ
ップリング剤などの無機材料、あるいはポリアミド樹
脂、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、水溶性ポリビニ
ルブチラール、ポリビニルブチラール、PVAなどの接
着性のよい樹脂などが使用される。そのほか、上記接着
性のよい樹脂にZnO、TiO2、ZnSなどを分散し
たものも使用することができる。中間層の形成法として
は、無機材料単独の場合はスパッタリング、蒸着などの
方法が、また有機材料を用いる場合には通常の塗布方法
が採用される。中間層の膜厚としては5μm以下が適当
である。
【0094】さらに、本発明における電子写真感光体に
は、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度の低下、残
留電位の上昇を防止する目的で、単層感光層、電荷発生
層、電荷輸送層、あるいは中間層などに酸化防止剤を添
加することができる。特に、酸化防止剤を電荷輸送物質
を含む層に添加することにより、感度の低下や残留電位
の上昇をより良く防止することができる。
は、耐環境性の改善のため、とりわけ、感度の低下、残
留電位の上昇を防止する目的で、単層感光層、電荷発生
層、電荷輸送層、あるいは中間層などに酸化防止剤を添
加することができる。特に、酸化防止剤を電荷輸送物質
を含む層に添加することにより、感度の低下や残留電位
の上昇をより良く防止することができる。
【0095】酸化防止剤としては、例えば、2,6−ジ
−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキシア
ニソール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノ
ール、ステアリル−β−(3,5−ジ−t−ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネートなどのモノフェ
ノール系化合物、2,2′−メチレン−ビス−(4−メ
チル−6−t−ブチルフェノール)、2,2′−メチレ
ン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノー
ル)、4,4′−チオビス−(3−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、4,4′−ブチリデンビス−(3−
メチル−6−t−ブチルフェノール)などのビスフェノ
ール系化合物、1,1,3−トリス−(2−メチル−4
−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,
3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、テ
トラキス−[メチレン−3−(3′,5′−ジ−t−ブ
チル−4′−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メ
タン、ビス[3,3′−ビス(4′−ヒドロキシ−3′
−t−ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グリコー
ルエステル、トコフェロール類などの高分子フェノール
系化合物、N−フェニル−N′−イソプロピル−p−フ
ェニレンジアミン、N,N′−ジ−sec−ブチル−p
−フェニレンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブ
チル−p−フェニレンジアミン、N,N′−ジ−イソプ
ロピル−p−フェニレンジアミン、N,N′−ジメチル
−N,N′−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミン
などのパラフェニレンジアミン類、2,5−ジ−t−オ
クチルハイドロキノン、2,6−ジドデシルハイドロキ
ノン、2−ドデシルハイドロキノン、2−ドデシル−5
−クロロハイドロキノン、2−t−オクチル−5−メチ
ルハイドロキノン、2−(2−オクタデセニル)−5−
メチルハイドロキノンなどのハイドロキノン類、ジラウ
リル−3,3′−チオジプロピオネート、ジステアリル
−3,3′−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−
3,3′−チオジプロピオネートなどの有機硫黄化合物
類、トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)
ホスフィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、ト
リクレジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノ
キシ)ホスフインなどの有機燐化合物類が挙げられる。
これら化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの酸
化防止剤として知られており、市販品として容易に入手
できる。
−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキシア
ニソール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノ
ール、ステアリル−β−(3,5−ジ−t−ブチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネートなどのモノフェ
ノール系化合物、2,2′−メチレン−ビス−(4−メ
チル−6−t−ブチルフェノール)、2,2′−メチレ
ン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノー
ル)、4,4′−チオビス−(3−メチル−6−t−ブ
チルフェノール)、4,4′−ブチリデンビス−(3−
メチル−6−t−ブチルフェノール)などのビスフェノ
ール系化合物、1,1,3−トリス−(2−メチル−4
−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,
3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、テ
トラキス−[メチレン−3−(3′,5′−ジ−t−ブ
チル−4′−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メ
タン、ビス[3,3′−ビス(4′−ヒドロキシ−3′
−t−ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グリコー
ルエステル、トコフェロール類などの高分子フェノール
系化合物、N−フェニル−N′−イソプロピル−p−フ
ェニレンジアミン、N,N′−ジ−sec−ブチル−p
−フェニレンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブ
チル−p−フェニレンジアミン、N,N′−ジ−イソプ
ロピル−p−フェニレンジアミン、N,N′−ジメチル
−N,N′−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミン
などのパラフェニレンジアミン類、2,5−ジ−t−オ
クチルハイドロキノン、2,6−ジドデシルハイドロキ
ノン、2−ドデシルハイドロキノン、2−ドデシル−5
−クロロハイドロキノン、2−t−オクチル−5−メチ
ルハイドロキノン、2−(2−オクタデセニル)−5−
メチルハイドロキノンなどのハイドロキノン類、ジラウ
リル−3,3′−チオジプロピオネート、ジステアリル
−3,3′−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−
3,3′−チオジプロピオネートなどの有機硫黄化合物
類、トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)
ホスフィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、ト
リクレジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノ
キシ)ホスフインなどの有機燐化合物類が挙げられる。
これら化合物は、ゴム、プラスチック、油脂類などの酸
化防止剤として知られており、市販品として容易に入手
できる。
【0096】酸化防止剤の添加量としては、電荷輸送物
質100重量部に対して0.1〜100重量部が好まし
く、特に2〜30重量部が好ましい。
質100重量部に対して0.1〜100重量部が好まし
く、特に2〜30重量部が好ましい。
【0097】
【実施例】以下に本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれにより限定されるものではない。尚、実施例
中に用いる部は、特に断りのない限り重量部を表す。
発明はこれにより限定されるものではない。尚、実施例
中に用いる部は、特に断りのない限り重量部を表す。
【0098】実施例1−1 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
【化173】 フェノキシ樹脂(VYHH、ユニオンカーバイド社製) 1部 テトラヒドロフラン 400部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 6部
【化174】 塩化メチレン 100部
【0099】実施例1−2 実施例1−1における電荷発生物質に代えて下記構造式
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
【化175】
【0100】実施例1−3 実施例1−1における電荷発生物質に代えて下記構造式
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
【化176】
【0101】実施例1−4 実施例1−1における電荷発生物質に代えて下記構造式
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
【化177】
【0102】実施例1−5 実施例1−1における電荷発生物質に代えて下記構造式
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
【化178】
【0103】実施例1−6 実施例1−1における電荷発生物質に代えて下記構造式
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
【化179】
【0104】実施例1−7 実施例1−1における電荷発生物質に代えて下記構造式
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
【化180】
【0105】実施例1−8 実施例1−1における電荷発生物質に代えて下記構造式
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
【化181】
【0106】実施例1−9 実施例1−1における電荷発生物質に代えて下記構造式
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−1と同様にし
て電子写真感光体を作成した。
【化182】
【0107】比較例1−1 実施例1−1における電荷発生物質に代えて銅フタロシ
アニンを用いた以外は実施例1−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
アニンを用いた以外は実施例1−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
【0108】実施例1−10 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
【化183】 ポリサルホン(P−1700、日産化学社製) 1部 シクロヘキサノン 300部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 7部
【化184】 トルエン 150部
【0109】実施例1−11 実施例1−10における電荷発生物質に代えて下記構造
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
【化185】
【0110】実施例1−12 実施例1−10における電荷発生物質に代えて下記構造
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
【化186】
【0111】実施例1−13 実施例1−10における電荷発生物質に代えて下記構造
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
【化187】
【0112】実施例1−14 実施例1−10における電荷発生物質に代えて下記構造
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
【化188】
【0113】実施例1−15 実施例1−10における電荷発生物質に代えて下記構造
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
【化189】
【0114】実施例1−16 実施例1−10における電荷発生物質に代えて下記構造
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
【化190】
【0115】実施例1−17 実施例1−10における電荷発生物質に代えて下記構造
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
【化191】
【0116】実施例1−18 実施例1−10における電荷発生物質に代えて下記構造
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
式の電荷発生物質を用いた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。
【化192】
【0117】比較例1−2 実施例1−10における電荷発生層塗工液を下記組成の
電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 1部
電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例1−10と同様
にして電子写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 1部
【化193】 テトラヒドロフラン 100部
【0118】実施例2−1 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
【化194】 フェノキシ樹脂(VYHH、ユニオンカーバイド社製) 1部 テトラヒドロフラン 400部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 6部
【化195】 塩化メチレン 100部
【0119】実施例2−2〜2−9 実施例2−1における電荷発生物質に代えて実施例1−
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例2−
1と同様にして実施例2−2〜2−9の電子写真感光体
を作成した。
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例2−
1と同様にして実施例2−2〜2−9の電子写真感光体
を作成した。
【0120】比較例2−1 実施例2−1における電荷発生物質に代えて銅フタロシ
アニンを用いた以外は実施例2−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
アニンを用いた以外は実施例2−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
【0121】実施例2−10 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
【化196】 ポリサルホン(P−1700、日産化学社製) 1部 シクロヘキサノン 300部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 7部
【化197】 トルエン 150部
【0122】実施例2−11〜2−18 実施例2−10における電荷発生物質に代えて実施例1
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例2−10と同様にして実施例2−11〜2−18の電
子写真感光体を作成した。
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例2−10と同様にして実施例2−11〜2−18の電
子写真感光体を作成した。
【0123】比較例2−2 実施例2−10における電荷発生層塗工液を比較例1−
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例2−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例2−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
【0124】実施例3−1 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
【化198】 フェノキシ樹脂(VYHH、ユニオンカーバイド社製) 1部 テトラヒドロフラン 400部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 6部
【化199】 塩化メチレン 100部
【0125】実施例3−2〜3−9 実施例3−1における電荷発生物質に代えて実施例1−
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例3−
1と同様にして実施例3−2〜3−9の電子写真感光体
を作成した。
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例3−
1と同様にして実施例3−2〜3−9の電子写真感光体
を作成した。
【0126】比較例3−1 実施例3−1における電荷発生物質に代えて銅フタロシ
アニンを用いた以外は実施例3−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
アニンを用いた以外は実施例3−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
【0127】実施例3−10 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
【化200】 ポリサルホン(P−1700、日産化学社製) 1部 シクロヘキサノン 300部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 7部
【化201】 トルエン 150部
【0128】実施例3−11〜3−18 実施例3−10における電荷発生物質に代えて実施例1
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例3−10と同様にして実施例3−11〜3−18の電
子写真感光体を作成した。
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例3−10と同様にして実施例3−11〜3−18の電
子写真感光体を作成した。
【0129】比較例3−2 実施例3−10における電荷発生層塗工液を比較例1−
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例3−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例3−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
【0130】実施例4−1 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
【化202】 フェノキシ樹脂(VYHH、ユニオンカーバイド社製) 1部 テトラヒドロフラン 400部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 6部
【化203】 塩化メチレン 100部
【0131】実施例4−2〜4−9 実施例4−1における電荷発生物質に代えて実施例1−
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例4−
1と同様にして実施例4−2〜4−9の電子写真感光体
を作成した。
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例4−
1と同様にして実施例4−2〜4−9の電子写真感光体
を作成した。
【0132】比較例4−1 実施例4−1における電荷発生物質に代えて銅フタロシ
アニンを用いた以外は実施例4−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
アニンを用いた以外は実施例4−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
【0133】実施例4−10 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
【化204】 ポリサルホン(P−1700、日産化学社製) 1部 シクロヘキサノン 300部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 7部
【化205】 トルエン 150部
【0134】実施例4−11〜4−18 実施例4−10における電荷発生物質に代えて実施例1
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例4−10と同様にして実施例4−11〜4−18の電
子写真感光体を作成した。
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例4−10と同様にして実施例4−11〜4−18の電
子写真感光体を作成した。
【0135】比較例4−2 実施例4−10における電荷発生層塗工液を比較例1−
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例4−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例4−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
【0136】実施例5−1 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
【化206】 フェノキシ樹脂(VYHH、ユニオンカーバイド社製) 1部 テトラヒドロフラン 400部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 6部
【化207】 塩化メチレン 100部
【0137】実施例5−2〜5−9 実施例5−1における電荷発生物質に代えて実施例1−
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例5−
1と同様にして実施例5−2〜5−9の電子写真感光体
を作成した。
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例5−
1と同様にして実施例5−2〜5−9の電子写真感光体
を作成した。
【0138】比較例5−1 実施例5−1における電荷発生物質に代えて銅フタロシ
アニンを用いた以外は実施例5−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
アニンを用いた以外は実施例5−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
【0139】実施例5−10 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
【化208】 ポリサルホン(P−1700、日産化学社製) 1部 シクロヘキサノン 300部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 7部
【化209】 トルエン 150部
【0140】実施例5−11〜5−18 実施例5−10における電荷発生物質に代えて実施例1
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例5−10と同様にして実施例5−11〜5−18の電
子写真感光体を作成した。
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例5−10と同様にして実施例5−11〜5−18の電
子写真感光体を作成した。
【0141】比較例5−2 実施例5−10における電荷発生層塗工液を比較例1−
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例5−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例5−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
【0142】実施例6−1 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
【化210】 フェノキシ樹脂(VYHH、ユニオンカーバイド社製) 1部 テトラヒドロフラン 400部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 6部
【化211】 塩化メチレン 100部
【0143】実施例6−2〜6−9 実施例6−1における電荷発生物質に代えて実施例1−
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例6−
1と同様にして実施例6−2〜6−9の電子写真感光体
を作成した。
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例6−
1と同様にして実施例6−2〜6−9の電子写真感光体
を作成した。
【0144】比較例6−1 実施例6−1における電荷発生物質に代えて銅フタロシ
アニンを用いた以外は実施例6−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
アニンを用いた以外は実施例6−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
【0145】実施例6−10 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
【化212】 ポリサルホン(P−1700、日産化学社製) 1部 シクロヘキサノン 300部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 7部
【化213】 トルエン 150部
【0146】実施例6−11〜6−18 実施例6−10における電荷発生物質に代えて実施例1
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例6−10と同様にして実施例6−11〜6−18の電
子写真感光体を作成した。
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例6−10と同様にして実施例6−11〜6−18の電
子写真感光体を作成した。
【0147】比較例6−2 実施例6−10における電荷発生層塗工液を比較例1−
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例6−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例6−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
【0148】実施例7−1 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
【化214】 フェノキシ樹脂(VYHH、ユニオンカーバイド社製) 1部 テトラヒドロフラン 400部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 6部
【化215】 塩化メチレン 100部
【0149】実施例7−2〜7−9 実施例7−1における電荷発生物質に代えて実施例1−
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例7−
1と同様にして実施例7−2〜7−9の電子写真感光体
を作成した。
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例7−
1と同様にして実施例7−2〜7−9の電子写真感光体
を作成した。
【0150】比較例7−1 実施例7−1における電荷発生物質に代えて銅フタロシ
アニンを用いた以外は実施例7−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
アニンを用いた以外は実施例7−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
【0151】実施例7−10 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
【化216】 ポリサルホン(P−1700、日産化学社製) 1部 シクロヘキサノン 300部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 7部
【化217】 トルエン 150部
【0152】実施例7−11〜7−18 実施例7−10における電荷発生物質に代えて実施例1
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例7−10と同様にして実施例7−11〜7−18の電
子写真感光体を作成した。
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例7−10と同様にして実施例7−11〜7−18の電
子写真感光体を作成した。
【0153】比較例7−2 実施例7−10における電荷発生層塗工液を比較例1−
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例7−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例7−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
【0154】実施例8−1 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
【化218】 フェノキシ樹脂(VYHH、ユニオンカーバイド社製) 1部 テトラヒドロフラン 400部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 6部
【化219】 塩化メチレン 100部
【0155】実施例8−2〜8−9 実施例8−1における電荷発生物質に代えて実施例1−
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例8−
1と同様にして実施例8−2〜8−9の電子写真感光体
を作成した。
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例8−
1と同様にして実施例8−2〜8−9の電子写真感光体
を作成した。
【0156】比較例8−1 実施例8−1における電荷発生物質に代えて銅フタロシ
アニンを用いた以外は実施例8−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
アニンを用いた以外は実施例8−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
【0157】実施例8−10 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
【化220】 ポリサルホン(P−1700、日産化学社製) 1部 シクロヘキサノン 300部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 7部
【化221】 トルエン 150部
【0158】実施例8−11〜8−18 実施例8−10における電荷発生物質に代えて実施例1
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例8−10と同様にして実施例8−11〜8−18の電
子写真感光体を作成した。
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例8−10と同様にして実施例8−11〜8−18の電
子写真感光体を作成した。
【0159】比較例8−2 実施例8−10における電荷発生層塗工液を比較例1−
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例8−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例8−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
【0160】実施例9−1 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
【化222】 フェノキシ樹脂(VYHH、ユニオンカーバイド社製) 1部 テトラヒドロフラン 400部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 6部
【化223】 塩化メチレン 100部
【0161】実施例9−2〜9−9 実施例9−1における電荷発生物質に代えて実施例1−
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例9−
1と同様にして実施例9−2〜9−9の電子写真感光体
を作成した。
2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例9−
1と同様にして実施例9−2〜9−9の電子写真感光体
を作成した。
【0162】比較例9−1 実施例9−1における電荷発生物質に代えて銅フタロシ
アニンを用いた以外は実施例9−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
アニンを用いた以外は実施例9−1と同様にして電子写
真感光体を作成した。
【0163】実施例9−10 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
【化224】 ポリサルホン(P−1700、日産化学社製) 1部 シクロヘキサノン 300部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 7部
【化225】 トルエン 150部
【0164】実施例9−11〜9−18 実施例9−10における電荷発生物質に代えて実施例1
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例9−10と同様にして実施例9−11〜9−18の電
子写真感光体を作成した。
−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実施
例9−10と同様にして実施例9−11〜9−18の電
子写真感光体を作成した。
【0165】比較例9−2 実施例9−10における電荷発生層塗工液を比較例1−
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例9−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例9−10と
同様にして電子写真感光体を作成した。
【0166】実施例10−1 アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
ィルム上に、下記組成の電荷発生層塗工液、電荷輸送層
塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚さ0.3μmの電
荷発生層、および20μmの電荷輸送層を形成し、電子
写真感光体を作成した。 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
【化226】 フェノキシ樹脂(VYHH、ユニオンカーバイド社製) 1部 テトラヒドロフラン 400部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 6部
【化227】 塩化メチレン 100部
【0167】実施例10−2〜10−9 実施例10−1における電荷発生物質に代えて実施例1
−2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例1
0−1と同様にして実施例10−2〜10−9の電子写
真感光体を作成した。
−2〜1−9の各電荷発生物質を用いた以外は実施例1
0−1と同様にして実施例10−2〜10−9の電子写
真感光体を作成した。
【0168】比較例10−1 実施例10−1における電荷発生物質に代えて銅フタロ
シアニンを用いた以外は実施例10−1と同様にして電
子写真感光体を作成した。
シアニンを用いた以外は実施例10−1と同様にして電
子写真感光体を作成した。
【0169】実施例10−10 ハステロイ導電層を設けたポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
フィルム上に、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗
工液、電荷輸送層塗工液を順次、塗布し乾燥させて、厚
さ0.3μmの中間層、0.2μmの電荷発生層、およ
び22μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作
成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM4000、東レ社製) 3部 メタノール 60部 ブタノール 40部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 4部
【化228】 ポリサルホン(P−1700、日産化学社製) 1部 シクロヘキサノン 300部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 7部
【化229】 トルエン 150部
【0170】実施例10−11〜10−18 実施例10−10における電荷発生物質に代えて実施例
1−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実
施例10−10と同様にして実施例10−11〜10−
18の電子写真感光体を作成した。
1−11〜1−18の各電荷発生物質を用いた以外は実
施例10−10と同様にして実施例10−11〜10−
18の電子写真感光体を作成した。
【0171】比較例10−2 実施例10−10における電荷発生層塗工液を比較例1
−2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例10−1
0と同様にして電子写真感光体を作成した。
−2の電荷発生層塗工液に代えた以外は実施例10−1
0と同様にして電子写真感光体を作成した。
【0172】以上のようにして作成した実施例および比
較例の電子写真感光体について、静電複写紙試験装置
(川口電機製作所製、SP−428型)を用いて、次の
様にして感光体特性を評価した。すなわち、先ず−6K
Vの放電電圧により、コロナ放電を20秒間行い、次い
で暗減衰させて表面電位が−800Vになったところで
6ルックスのタングステン光を照射し、表面電位が−2
00Vになるのに必要な露光量E200(lux・se
c)、およびタングステン光照射30秒後の電位V30
(V)を測定した。その結果を表21〜表30に示す。
較例の電子写真感光体について、静電複写紙試験装置
(川口電機製作所製、SP−428型)を用いて、次の
様にして感光体特性を評価した。すなわち、先ず−6K
Vの放電電圧により、コロナ放電を20秒間行い、次い
で暗減衰させて表面電位が−800Vになったところで
6ルックスのタングステン光を照射し、表面電位が−2
00Vになるのに必要な露光量E200(lux・se
c)、およびタングステン光照射30秒後の電位V30
(V)を測定した。その結果を表21〜表30に示す。
【0173】
【表21】
【表22】
【表23】
【表24】
【表25】
【表26】
【表27】
【表28】
【表29】
【表30】 表21〜表30から明らかなように、実施例の電子写真
感光体は、比較例の電子写真感光体に比べて、感度が高
く、また残留電位が少ないものである。
感光体は、比較例の電子写真感光体に比べて、感度が高
く、また残留電位が少ないものである。
【0174】実施例11−1 直径80mmのアルミニウムドラム上に、下記組成の中
間層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を順
次塗布し乾燥させて、それぞれ厚さ0.3μmの中間
層、0.2μmの電荷発生層、および20μmの電荷輸
送層を形成し、電子写真感光体を作成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM8000、東レ社製) 3部 酸化チタン 0.5部 メタノール 70部 ブタノール 30部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
間層塗工液、電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を順
次塗布し乾燥させて、それぞれ厚さ0.3μmの中間
層、0.2μmの電荷発生層、および20μmの電荷輸
送層を形成し、電子写真感光体を作成した。 [中間層塗工液] アルコール可溶性ナイロン(アラミンCM8000、東レ社製) 3部 酸化チタン 0.5部 メタノール 70部 ブタノール 30部 [電荷発生層塗工液] 下記構造式の電荷発生物質 5部
【化230】 フェノキシ樹脂(VYHH、ユニオンカーバイド社製) 1部 テトラヒドロフラン 400部 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の高分子電荷輸送物質 6部
【化231】 塩化メチレン 100部
【0175】実施例11−2 実施例11−1における高分子電荷輸送物質に代えて下
記構造式の高分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例1
1−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
記構造式の高分子電荷輸送物質を用いた以外は実施例1
1−1と同様にして電子写真感光体を作成した。
【化232】
【0176】比較例11−1 実施例11−1における電荷輸送層塗工液に代えて下記
の電荷輸送層塗工液を用いた以外は実施例11−1と同
様にして電子写真感光体を作成した。 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の低分子電荷輸送物質 10部
の電荷輸送層塗工液を用いた以外は実施例11−1と同
様にして電子写真感光体を作成した。 [電荷輸送層塗工液] 下記構造式の低分子電荷輸送物質 10部
【化233】 Z型ポリカーボネート(粘度平均分子量約4万) 10部 塩化メチレン 130部 実施例11−1、11−2および比較例11−1の電子
写真感光体を複写機(リコピーFT3300、リコー社
製)に搭載し、7万枚のランニングテストを行い、1枚
目と7万枚目の画像を目視により評価し、また7万枚の
ランニングテスト後における電荷輸送層の膜厚減少量
(摩耗量)の測定を行った。その結果を表31に示す。
写真感光体を複写機(リコピーFT3300、リコー社
製)に搭載し、7万枚のランニングテストを行い、1枚
目と7万枚目の画像を目視により評価し、また7万枚の
ランニングテスト後における電荷輸送層の膜厚減少量
(摩耗量)の測定を行った。その結果を表31に示す。
【0177】
【表31】
【0178】
【発明の効果】本発明によれば、導電性支持体上に感光
層を設けてなる電子写真感光体において、感光層に前記
一般式(1D)乃至(10D)で表される高分子電荷輸
送物質の少なくとも1種および前記一般式(1P)乃至
(10P)で表されるアゾ顔料の少なくとも1種を含有
させることにより、感光層の成膜性が良好であり、繰り
返し使用時の耐摩耗性に優れ、且つ高感度で残留電位が
少ない電子写真感光体を得ることができる。また、本発
明によれば、前記一般式(1P)乃至(10P)で表さ
れるアゾ顔料の少なくとも1種を含有する電荷発生層と
前記一般式(1D)乃至(10D)で表される高分子電
荷輸送物質の少なくとも1種を含有する電荷輸送層とを
積層して感光層とすることにより、繰り返し使用時にお
いて耐摩耗性に優れ、且つ高感度で残留電位の少ない電
子写真感光体を得ることができる。
層を設けてなる電子写真感光体において、感光層に前記
一般式(1D)乃至(10D)で表される高分子電荷輸
送物質の少なくとも1種および前記一般式(1P)乃至
(10P)で表されるアゾ顔料の少なくとも1種を含有
させることにより、感光層の成膜性が良好であり、繰り
返し使用時の耐摩耗性に優れ、且つ高感度で残留電位が
少ない電子写真感光体を得ることができる。また、本発
明によれば、前記一般式(1P)乃至(10P)で表さ
れるアゾ顔料の少なくとも1種を含有する電荷発生層と
前記一般式(1D)乃至(10D)で表される高分子電
荷輸送物質の少なくとも1種を含有する電荷輸送層とを
積層して感光層とすることにより、繰り返し使用時にお
いて耐摩耗性に優れ、且つ高感度で残留電位の少ない電
子写真感光体を得ることができる。
【図1】本発明の電子写真感光体の一例を模式的に示す
断面図である。
断面図である。
【図2】本発明の電子写真感光体の他の例を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図3】本発明の電子写真感光体の他の例を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図4】本発明の電子写真感光体の更に別の例を模式的
に示す断面図である。
に示す断面図である。
1 導電性支持体 2 感光層 21 電荷発生層 22 電荷輸送層 3 中間層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸田 浩司 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 紙 英利 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内
Claims (11)
- 【請求項1】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、感光層が下記一般式(1D)で
表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下
記一般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の
少なくとも1種を含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化1】 {式中、R″1、R″2、R″3は、それぞれ独立して置
換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表
し、R″4は水素原子または置換もしくは無置換のアル
キル基を表す。R1、R2は置換もしくは無置換のアリー
ル基を表す。o、p、qは、それぞれ独立して0〜4の
整数を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
族の2価基、または下記一般式(A)で表される2価基
を表す。 【化2】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化3】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} 【化4】 (式中、Cp1、Cp2はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′1、R′2、R′3は
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはシアノ基を表す。) 【化5】 (式中、Cp3、Cp4、Cp5はカップラー残基を表
し、同一でも異なっていても良い。また、R′4、
R′5、R′6は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。) 【化6】 (式中、Cp6、Cp7はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′7、R′8は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはシ
アノ基を表す。) 【化7】 (式中、Cp8、Cp9はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。) 【化8】 (式中、Cp10、Cp11はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、R′9は水素原子また
は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。) 【化9】 (式中、Cp12、Cp13はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、nは1〜5の整数を表
す。) 【化10】 (式中、Cp14、Cp15はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化11】 (式中、Cp16、Cp17はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化12】 (式中、Cp18、Cp19はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、A、Bは水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、同一でも異なっていて
も良い。) 【化13】 (式中、Cp20、Cp21はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。Ar′1、Ar′2は置換もし
くは無置換のビフェニリル基を表し、同一でも異なって
いても良い。Ar′3は置換もしくは無置換のアリール
基を表す。) - 【請求項2】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、感光層が下記一般式(2D)で
表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下
記一般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の
少なくとも1種を含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化14】 {式中、R3、R4は置換もしくは無置換のアリール基を
表し、Ar1、Ar2、Ar3は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
族の2価基、または下記一般式(A)で表される2価基
を表す。 【化15】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化16】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} 【化17】 (式中、Cp1、Cp2はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′1、R′2、R′3は
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはシアノ基を表す。) 【化18】 (式中、Cp3、Cp4、Cp5はカップラー残基を表
し、同一でも異なっていても良い。また、R′4、
R′5、R′6は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。) 【化19】 (式中、Cp6、Cp7はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′7、R′8は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはシ
アノ基を表す。) 【化20】 (式中、Cp8、Cp9はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。) 【化21】 (式中、Cp10、Cp11はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、R′9は水素原子また
は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。) 【化22】 (式中、Cp12、Cp13はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、nは1〜5の整数を表
す。) 【化23】 (式中、Cp14、Cp15はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化24】 (式中、Cp16、Cp17はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化25】 (式中、Cp18、Cp19はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、A、Bは水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、同一でも異なっていて
も良い。) 【化26】 (式中、Cp20、Cp21はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。Ar′1、Ar′2は置換もし
くは無置換のビフェニリル基を表し、同一でも異なって
いても良い。Ar′3は置換もしくは無置換のアリール
基を表す。) - 【請求項3】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、感光層が下記一般式(3D)で
表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下
記一般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の
少なくとも1種を含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化27】 {式中、R5、R6は置換もしくは無置換のアリール基を
表し、Ar4、Ar5、Ar6は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
族の2価基、または下記一般式(A)で表される2価基
を表す。 【化28】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化29】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} 【化30】 (式中、Cp1、Cp2はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′1、R′2、R′3は
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはシアノ基を表す。) 【化31】 (式中、Cp3、Cp4、Cp5はカップラー残基を表
し、同一でも異なっていても良い。また、R′4、
R′5、R′6は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。) 【化32】 (式中、Cp6、Cp7はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′7、R′8は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはシ
アノ基を表す。) 【化33】 (式中、Cp8、Cp9はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。) 【化34】 (式中、Cp10、Cp11はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、R′9は水素原子また
は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。) 【化35】 (式中、Cp12、Cp13はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、nは1〜5の整数を表
す。) 【化36】 (式中、Cp14、Cp15はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化37】 (式中、Cp16、Cp17はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化38】 (式中、Cp18、Cp19はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、A、Bは水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、同一でも異なっていて
も良い。) 【化39】 (式中、Cp20、Cp21はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。Ar′1、Ar′2は置換もし
くは無置換のビフェニリル基を表し、同一でも異なって
いても良い。Ar′3は置換もしくは無置換のアリール
基を表す。) - 【請求項4】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、感光層が下記一般式(4D)で
表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下
記一般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の
少なくとも1種を含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化40】 {式中、R7、R8は置換もしくは無置換のアリール基を
表し、Ar7、Ar8、Ar9は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。rは1〜5の整数を表す。Xは
脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基、または下記一般
式(A)で表される2価基を表す。 【化41】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化42】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} 【化43】 (式中、Cp1、Cp2はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′1、R′2、R′3は
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはシアノ基を表す。) 【化44】 (式中、Cp3、Cp4、Cp5はカップラー残基を表
し、同一でも異なっていても良い。また、R′4、
R′5、R′6は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。) 【化45】 (式中、Cp6、Cp7はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′7、R′8は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはシ
アノ基を表す。) 【化46】 (式中、Cp8、Cp9はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。) 【化47】 (式中、Cp10、Cp11はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、R′9は水素原子また
は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。) 【化48】 (式中、Cp12、Cp13はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、nは1〜5の整数を表
す。) 【化49】 (式中、Cp14、Cp15はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化50】 (式中、Cp16、Cp17はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化51】 (式中、Cp18、Cp19はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、A、Bは水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、同一でも異なっていて
も良い。) 【化52】 (式中、Cp20、Cp21はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。Ar′1、Ar′2は置換もし
くは無置換のビフェニリル基を表し、同一でも異なって
いても良い。Ar′3は置換もしくは無置換のアリール
基を表す。) - 【請求項5】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、感光層が下記一般式(5D)で
表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下
記一般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の
少なくとも1種を含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化53】 {式中、R9、R10は置換もしくは無置換のアリール基
を表し、Ar10、Ar11、Ar12は同一または異なるア
リレン基を表す。X1、X2は置換もしくは無置換のエチ
レン基または置換もしくは無置換のビニレン基を表す。
k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基、
または下記一般式(A)で表される2価基を表す。 【化54】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化55】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} 【化56】 (式中、Cp1、Cp2はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′1、R′2、R′3は
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはシアノ基を表す。) 【化57】 (式中、Cp3、Cp4、Cp5はカップラー残基を表
し、同一でも異なっていても良い。また、R′4、
R′5、R′6は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。) 【化58】 (式中、Cp6、Cp7はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′7、R′8は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはシ
アノ基を表す。) 【化59】 (式中、Cp8、Cp9はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。) 【化60】 (式中、Cp10、Cp11はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、R′9は水素原子また
は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。) 【化61】 (式中、Cp12、Cp13はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、nは1〜5の整数を表
す。) 【化62】 (式中、Cp14、Cp15はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化63】 (式中、Cp16、Cp17はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化64】 (式中、Cp18、Cp19はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、A、Bは水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、同一でも異なっていて
も良い。) 【化65】 (式中、Cp20、Cp21はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。Ar′1、Ar′2は置換もし
くは無置換のビフェニリル基を表し、同一でも異なって
いても良い。Ar′3は置換もしくは無置換のアリール
基を表す。) - 【請求項6】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、感光層が下記一般式(6D)で
表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下
記一般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の
少なくとも1種を含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化66】 {式中、R11、R12、R13、R14は置換もしくは無置換
のアリール基を表し、Ar13、Ar14、Ar15、Ar16
は同一または異なるアリレン基を表す。Y1、Y2、Y3
は単結合、置換もしくは無置換のアルキレン基、置換も
しくは無置換のシクロアルキレン基、置換もしくは無置
換のアルキレンエーテル基、酸素原子、硫黄原子または
ビニレン基を表し、同一であっても異なっていてもよ
い。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦
0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜500
0の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2
価基、または下記一般式(A)で表される2価基を表
す。 【化67】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化68】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} 【化69】 (式中、Cp1、Cp2はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′1、R′2、R′3は
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはシアノ基を表す。) 【化70】 (式中、Cp3、Cp4、Cp5はカップラー残基を表
し、同一でも異なっていても良い。また、R′4、
R′5、R′6は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。) 【化71】 (式中、Cp6、Cp7はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′7、R′8は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはシ
アノ基を表す。) 【化72】 (式中、Cp8、Cp9はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。) 【化73】 (式中、Cp10、Cp11はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、R9は水素原子または
置換もしくは無置換のアルキル基を表す。) 【化74】 (式中、Cp12、Cp13はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、nは1〜5の整数を表
す。) 【化75】 (式中、Cp14、Cp15はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化76】 (式中、Cp16、Cp17はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化77】 (式中、Cp18、Cp19はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、A、Bは水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、同一でも異なっていて
も良い。) 【化78】 (式中、Cp20、Cp21はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。Ar′1、Ar′2は置換もし
くは無置換のビフェニリル基を表し、同一でも異なって
いても良い。Ar′3は置換もしくは無置換のアリール
基を表す。) - 【請求項7】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、感光層が下記一般式(7D)で
表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下
記一般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の
少なくとも1種を含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化79】 {式中、R15、R16は水素原子、置換もしくは無置換の
アリール基を表し、R15とR16は環を形成していてもよ
い。Ar17、Ar18、Ar19は同一または異なるアリレ
ン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0
≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜
5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪
族の2価基、または下記一般式(A)で表される2価基
を表す。 【化80】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化81】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} 【化82】 (式中、Cp1、Cp2はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′1、R′2、R′3は
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはシアノ基を表す。) 【化83】 (式中、Cp3、Cp4、Cp5はカップラー残基を表
し、同一でも異なっていても良い。また、R′4、
R′5、R′6は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。) 【化84】 (式中、Cp6、Cp7はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′7、R′8は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはシ
アノ基を表す。) 【化85】 (式中、Cp8、Cp9はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。) 【化86】 (式中、Cp10、Cp11はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、R′9は水素原子また
は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。) 【化87】 (式中、Cp12、Cp13はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、nは1〜5の整数を表
す。) 【化88】 (式中、Cp14、Cp15はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化89】 (式中、Cp16、Cp17はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化90】 (式中、Cp18、Cp19はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、A、Bは水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、同一でも異なっていて
も良い。) 【化91】 (式中、Cp20、Cp21はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。Ar′1、Ar′2は置換もし
くは無置換のビフェニリル基を表し、同一でも異なって
いても良い。Ar′3は置換もしくは無置換のアリール
基を表す。) - 【請求項8】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、感光層が下記一般式(8D)で
表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下
記一般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の
少なくとも1種を含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化92】 {式中、R17は置換もしくは無置換のアリール基を表
し、Ar20、Ar21、Ar22、Ar23は同一または異な
るアリレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k
≦1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
し、5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、
環状脂肪族の2価基、または下記一般式(A)で表され
る2価基を表す。 【化93】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化94】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} 【化95】 (式中、Cp1、Cp2はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′1、R′2、R′3は
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはシアノ基を表す。) 【化96】 (式中、Cp3、Cp4、Cp5はカップラー残基を表
し、同一でも異なっていても良い。また、R′4、
R′5、R′6は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。) 【化97】 (式中、Cp6、Cp7はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′7、R′8は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはシ
アノ基を表す。) 【化98】 (式中、Cp8、Cp9はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。) 【化99】 (式中、Cp10、Cp11はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、R′9は水素原子また
は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。) 【化100】 (式中、Cp12、Cp13はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、nは1〜5の整数を表
す。) 【化101】 (式中、Cp14、Cp15はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化102】 (式中、Cp16、Cp17はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化103】 (式中、Cp18、Cp19はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、A、Bは水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、同一でも異なっていて
も良い。) 【化104】 (式中、Cp20、Cp21はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。Ar′1、Ar′2は置換もし
くは無置換のビフェニリル基を表し、同一でも異なって
いても良い。Ar′3は置換もしくは無置換のアリール
基を表す。) - 【請求項9】 導電性支持体上に感光層を設けてなる電
子写真感光体において、感光層が下記一般式(9D)で
表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種および下
記一般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ顔料の
少なくとも1種を含有することを特徴とする電子写真感
光体。 【化105】 {式中、R18、R19、R20、R21は置換もしくは無置換
のアリール基を表し、Ar24、Ar25、Ar26、A
r27、Ar28は同一または異なるアリレン基を表す。
k、jは組成を表し、0.1≦k≦1、0≦j≦0.9
であり、nは繰り返し単位数を表し、5〜5000の整
数である。Xは脂肪族の2価基、環状脂肪族の2価基、
または下記一般式(A)で表される2価基を表す。 【化106】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化107】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} 【化108】 (式中、Cp1、Cp2はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′1、R′2、R′3は
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはシアノ基を表す。) 【化109】 (式中、Cp3、Cp4、Cp5はカップラー残基を表
し、同一でも異なっていても良い。また、R′4、
R′5、R′6は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。) 【化110】 (式中、Cp6、Cp7はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′7、R′8は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはシ
アノ基を表す。) 【化111】 (式中、Cp8、Cp9はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。) 【化112】 (式中、Cp10、Cp11はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、R′9は水素原子また
は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。) 【化113】 (式中、Cp12、Cp13はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、nは1〜5の整数を表
す。) 【化114】 (式中、Cp14、Cp15はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化115】 (式中、Cp16、Cp17はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化116】 (式中、Cp18、Cp19はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、A、Bは水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、同一でも異なっていて
も良い。) 【化117】 (式中、Cp20、Cp21はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。Ar′1、Ar′2は置換もし
くは無置換のビフェニリル基を表し、同一でも異なって
いても良い。Ar′3は置換もしくは無置換のアリール
基を表す。) - 【請求項10】 導電性支持体上に感光層を設けてなる
電子写真感光体において、感光層が下記一般式(10
D)で表される高分子電荷輸送物質の少なくとも1種お
よび下記一般式(1P)乃至(10P)で表されるアゾ
顔料の少なくとも1種を含有することを特徴とする電子
写真感光体。 【化118】 {式中、R22、R23は置換もしくは無置換のアリール基
を表し、Ar29、Ar30、Ar31は同一または異なるア
リレン基を表す。k、jは組成を表し、0.1≦k≦
1、0≦j≦0.9であり、nは繰り返し単位数を表
し、5〜5000の整数である。Xは脂肪族の2価基、
環状脂肪族の2価基、または下記一般式(A)で表され
る2価基を表す。 【化119】 〔式中、R24、R25は、それぞれ独立して置換もしくは
無置換のアルキル基、アリール基またはハロゲン原子を
表し、l、mは0〜4の整数を表す。Yは単結合、炭素
原子数1〜12の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキ
レン基、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、−C
O−、−CO−O−Z−O−CO−(式中Zは脂肪族の
2価基を表す)または下記一般式(B) 【化120】 (式中、aは1〜20の整数を表し、bは1〜2000
の整数を表す。R26、R27は置換または無置換のアルキ
ル基またはアリール基を表す。)を表す。R24とR25、
R26とR27はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
い。〕} 【化121】 (式中、Cp1、Cp2はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′1、R′2、R′3は
水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基ま
たはシアノ基を表す。) 【化122】 (式中、Cp3、Cp4、Cp5はカップラー残基を表
し、同一でも異なっていても良い。また、R′4、
R′5、R′6は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、
アルコキシ基またはシアノ基を表す。) 【化123】 (式中、Cp6、Cp7はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。また、R′7、R′8は水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基またはシ
アノ基を表す。) 【化124】 (式中、Cp8、Cp9はカップラー残基を表し、同一で
も異なっていても良い。) 【化125】 (式中、Cp10、Cp11はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、R′9は水素原子また
は置換もしくは無置換のアルキル基を表す。) 【化126】 (式中、Cp12、Cp13はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、nは1〜5の整数を表
す。) 【化127】 (式中、Cp14、Cp15はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化128】 (式中、Cp16、Cp17はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。) 【化129】 (式中、Cp18、Cp19はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。また、A、Bは水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基または置換もし
くは無置換のアリール基を表し、同一でも異なっていて
も良い。) 【化130】 (式中、Cp20、Cp21はカップラー残基を表し、同一
でも異なっていても良い。Ar′1、Ar′2は置換もし
くは無置換のビフェニリル基を表し、同一でも異なって
いても良い。Ar′3は置換もしくは無置換のアリール
基を表す。) - 【請求項11】感光層が電荷発生層および電荷輸送層の
積層からなり、電荷発生層が一般式(1P)乃至(10
P)で表されるアゾ顔料の少なくとも1種を含有し、電
荷輸送層が一般式(1D)乃至(10D)で表される高
分子電荷輸送物質の少なくとも1種を含有することを特
徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9ま
たは10記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8150495A JPH09311489A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 電子写真感光体 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8150495A JPH09311489A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09311489A true JPH09311489A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=15498122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8150495A Pending JPH09311489A (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 電子写真感光体 |
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JP (1) | JPH09311489A (ja) |
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- 1996-05-23 JP JP8150495A patent/JPH09311489A/ja active Pending
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