JPH09305951A

JPH09305951A - 磁気記録媒体及び磁気記録方法

Info

Publication number: JPH09305951A
Application number: JP11922296A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Uchiyama; 浩内山; Susumu Haga; 進芳賀
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-05-14
Filing date: 1996-05-14
Publication date: 1997-11-28

Abstract

(57)【要約】【課題】エラーレートが低く、しかも記録密度を大幅
に増大することが可能な磁気記録媒体及び磁気記録方法
を提供する。【解決手段】本発明に係る磁気記録媒体は、ギャップ
長が０．４μｍ以下、トラック幅が３μｍ以下の磁気ヘ
ッドにより情報信号の記録が行われる磁気記録媒体であ
り、飽和磁化Ｍｓが４００[kA/m]＜Ｍｓ＜１０００[kA/
m]の範囲、残留磁化厚みＭｒ・ｔが７[mA]＜Ｍｒ・ｔ＜
１１[mA]の範囲、抗磁力Ｈｃが１４０[kA/m]＜Ｈｃ＜２
００[kA/m]の範囲、保磁力角形比Ｓ^*が０．６＜Ｓ^*＜
０．８５の範囲とされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、エラーレートが少
なく、しかも記録密度を大幅に増大することができる新
規な磁気記録媒体及び磁気記録方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録媒体に磁気的に情報信号を記録
する磁気記録の分野では、更なる高密度記録化が要求さ
れている。

【０００３】従来、磁気記録は、磁気記録媒体に対して
リング型磁気ヘッドによって記録再生を行う方式が主流
であった。しかし、この方式では、トラック密度を上げ
た場合、リング型磁気ヘッドからの出力が極端に少なく
なり、十分なＳ／Ｎが得られなくなってしまう。そのた
め、リング型磁気ヘッドによって記録再生を行う従来の
方式では、高密度記録化を進める上で限界が生じてい
る。

【０００４】そこで、近年、再生用磁気ヘッドとして、
外部磁界の大きさによって抵抗値が変化する磁気抵抗効
果素子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲ
ヘッドと称する。）の開発が進められており、実際にハ
ードディスク装置において実用化がなされている。

【０００５】ＭＲヘッドは、感磁部の単位長さあたりに
入る磁束量の変化によって出力が決まるため、基本的に
は、トラックの密度を高めても出力が減少するようなこ
とはない。そこで、ＭＲヘッドを用いることにより、ト
ラック密度を大幅に向上することが可能となっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、記録密度を
向上させるには、トラック密度を上げる方法と、線記録
密度を上げる方法とがある。そして、上述のように、Ｍ
Ｒヘッドを用いることによって成される記録密度の増大
は、トラック密度を上げることによって成されるもので
あり、ＭＲヘッドを使用しても、線記録密度が大幅に増
大するようなことはない。したがって、ＭＲヘッドを用
いるというだけでは、トラック密度が向上するだけであ
り、線記録密度については、大幅な向上は期待できな
い。そこで、更なる高密度記録化を図るために、線記録
密度についても大幅に向上させることが望まれている。

【０００７】本発明は、以上のような従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、エラーレートが低く、しかも
記録密度を大幅に増大することが可能な磁気記録媒体及
び磁気記録方法を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに完成された本発明に係る磁気記録媒体は、ギャップ
長が０．４μｍ以下、トラック幅が３μｍ以下の磁気ヘ
ッドにより情報信号の記録が行われる磁気記録媒体であ
って、飽和磁化Ｍｓが４００[kA/m]＜Ｍｓ＜１０００[k
A/m]の範囲内であり、残留磁化厚みＭｒ・ｔが７[mA]＜
Ｍｒ・ｔ＜１１[mA]の範囲内であり、抗磁力Ｈｃが１４
０[kA/m]＜Ｈｃ＜２００[kA/m]の範囲内であり、保磁力
角形比Ｓ^*が０．６＜Ｓ^*＜０．８５の範囲内であるこ
とを特徴とするものである。

【０００９】なお、上記磁気記録媒体としては、例え
ば、ＣｏＰｔＣｒ又はＣｏＰｄＣｒを主たる材料とする
磁気記録層を有するものが挙げられる。このとき、磁気
記録層は、Ｃを１０原子％以下含むことが好ましい。ま
た、磁気記録層は、膜厚が３ｎｍ以下のＣｒ膜によっ
て、２層以上に分けられていることが好ましい。

【００１０】また、上記磁気記録媒体が、プラスチック
を主たる材料とする基板を有するとき、基板の表面平均
粗さは２ｎｍ以下、最大突起高さは２５ｎｍ以下である
ことが好ましい。

【００１１】また、上記磁気記録媒体としては、より具
体的には、例えば、基板上に、Ｃ，Ｓｉ又はＧｅを材料
とするシード層と、Ｃｒを主たる材料とする下地層と、
ＣｏＰｔＣｒ又はＣｏＰｄＣｒを主たる材料とする磁気
記録層と、Ｃを主たる材料とする保護層と、Ｆを含む有
機化合物を主たる材料とする潤滑剤層とが、この順に積
層されてなるものが挙げられる。

【００１２】なお、上記磁気記録媒体に対して情報信号
の記録を行う磁気ヘッドは、磁気ギャップ対向面に強磁
性金属薄膜が配され、その強磁性薄膜の飽和磁束密度Ｂ
ｓが１．４５Ｔ以上であるものが好ましい。

【００１３】以上のような本発明に係る磁気記録媒体で
は、飽和磁化Ｍｓを４００[kA/m]＜Ｍｓ＜１０００[kA/
m]、残留磁化厚みＭｒ・ｔを７[mA]＜Ｍｒ・ｔ＜１１[m
A]、抗磁力Ｈｃを１４０[kA/m]＜Ｈｃ＜２００[kA/m]、
保磁力角形比Ｓ^*を０．６＜Ｓ^*＜０．８５とすること
により、ギャップ長が０．４μｍ以下、トラック幅が３
μｍ以下の磁気ヘッドにより高密度に記録を行っても、
良好に情報信号を記録することができる。

【００１４】一方、本発明に係る磁気記録方法は、飽和
磁化Ｍｓが４００[kA/m]＜Ｍｓ＜１０００[kA/m]の範囲
内であり、残留磁化厚みＭｒ・ｔが７[mA]＜Ｍｒ・ｔ＜
１１[mA]の範囲内であり、抗磁力Ｈｃが１４０[kA/m]＜
Ｈｃ＜２００[kA/m]の範囲内であり、保磁力角形比Ｓ^*
が０．６＜Ｓ^*＜０．８５の範囲内である磁気記録媒体
に対して、ギャップ長が０．４μｍ以下、トラック幅が
３μｍ以下の磁気ヘッドによって情報信号の記録を行う
ことを特徴とするものである。

【００１５】以上のような本発明に係る磁気記録方法で
は、ギャップ長が０．４μｍ以下、トラック幅が３μｍ
以下の磁気ヘッドにより情報信号を記録するので高密度
に記録を行うことができる。しかも、磁気記録媒体とし
て、飽和磁化Ｍｓが４００[kA/m]＜Ｍｓ＜１０００[kA/
m]、残留磁化厚みＭｒ・ｔが７[mA]＜Ｍｒ・ｔ＜１１[m
A]、抗磁力Ｈｃが１４０[kA/m]＜Ｈｃ＜２００[kA/m]、
保磁力角形比Ｓ^*が０．６＜Ｓ^*＜０．８５の磁気記録
媒体を使用しているので、エラーレートが小さく、良好
に情報信号を記録することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した実施の形
態について、実験結果に基づいて説明する。

【００１７】まず、図１に示すように、プラスチックか
らなる基板１上に、Ｃｒからなる下地層２と、Ｃｏ₈₀Ｐ
ｔ₂₀からなる磁気記録層３と、Ｃからなる保護層４と、
Ｆを含む有機化合物を主たる材料とする潤滑剤層５とが
順次形成された磁気ディスクを作製した。ここで、基板
１には、表面平均粗さが２ｎｍ以下、最大突起高さが２
５ｎｍ以下のものを使用した。具体的には、基板１に
は、日本ゼオン社製の商品名「ＺＥＯＮＥＸ」を使用し
た。

【００１８】上記下地層２、磁気記録層３及び保護層４
は、インライン型のスパッタリング装置を用いて成膜し
た。なお、ここでは、下地層２、磁気記録層３及び保護
層４は、スパッタリングによって成膜するが、これら
は、真空蒸着法等によって成膜してもよい。

【００１９】インライン型のスパッタリング装置は、ク
ライオポンプによって排気を行う排気系と、Ａｒガスを
導入するガス導入口とを備えた複数のチャンバを有して
いる。そして、各チャンバ内の中央部には、カソードが
配されており、各カソードに所定のターゲットを配置す
る。具体的には、第１のチャンバ内のカソードには、Ｃ
のターゲットを配置し、第２のチャンバ内のカソードに
は、Ｃｏ₈₀Ｐｔ₂₀のターゲットを配置し、第３のチャン
バ内のカソードには、Ｃｒのターゲットを配置した。

【００２０】そして、このスパッタリング装置で成膜す
る際は、ターゲットと対向するように、パレット上に配
された基板を配置する。ここで、パレットは、大気にさ
れされることなく、チャンバ間を自由に移動できるよう
になっている。したがって、基板が配されたパレットを
チャンバ間で移動させ、各チャンバ内にて成膜すること
により、基板上に所望する構造の積層膜を成膜すること
ができる。そして、成膜時には、所定のターゲットと対
向するように基板を配置した状態で、カソードに約６０
０〜８００Ｖのマイナス電位を印加し、これにより、タ
ーゲットをＡｒガスによってスパッタリングする。

【００２１】このようなスパッタリング装置によって、
上述したように、プラスチックからなる基板１上に、Ｃ
ｒからなる下地層２と、Ｃｏ₈₀Ｐｔ₂₀からなる磁気記録
層３と、Ｃからなる保護層４とを順次形成した。

【００２２】ここで、Ｃｒからなる下地層２の成膜速度
は約２ｎｍ／ｓｅｃとし、Ｃｏ₈₀Ｐｔ₂₀からなる磁気記
録層３の成膜速度は約２ｎｍ／ｓｅｃとし、Ｃからなる
保護層４の成膜速度は約０．５ｎｍ／ｓｅｃとした。ま
た、これらの薄膜を成膜する際、スパッタリングは、パ
レットの温度を室温に保って行った。また、スパッタリ
ング前のチャンバ内圧力は、２×１０^-6Ｐａ以下とし、
スパッタリング時のＡｒガスの圧力は、Ｃｒを成膜する
ときは約０．１Ｐａとし、Ｃｏ₈₀Ｐｔ₂₀を成膜するとき
は約０．１３Ｐａとし、Ｃを成膜するときは約０．５Ｐ
ａとした。

【００２３】そして、このように基板１上に下地層２、
磁気記録層３及び保護層４を形成した後、その表面にフ
ッ素系潤滑剤を塗布し、Ｆを含む有機化合物を主たる材
料とする潤滑剤層５を形成した。

【００２４】以上のような磁気ディスクについて、第１
の評価として、下地層２の膜厚を約１５０ｎｍとし、磁
気記録層３の膜厚ｔを約５〜１５ｎｍの範囲で変化させ
て複数のサンプルを作製し、各サンプルの評価を行っ
た。

【００２５】各サンプルの評価は、飽和磁化Ｍｓ、抗磁
力Ｈｃ、保磁力角形比Ｓ^*、残留磁化厚みＭｒ・ｔを、
振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により測定するとともに、
各サンプルに対して記録再生を行ったときのエラーレー
トを測定して行った。

【００２６】ここで、飽和磁化Ｍｓ、抗磁力Ｈｃ、保磁
力角形比Ｓ^*、残留磁化厚みＭｒ・ｔについて、図２に
示すＭ−Ｈ曲線を参照して説明する。図２に示すよう
に、飽和磁化Ｍｓは、飽和点での磁化強度であり、抗磁
力Ｈｃは、Ｈ軸とＭ−Ｈ曲線の交点における磁界強度で
ある。また、保磁力角形比Ｓ^*は、−Ｈｃからの接線と
Ｍｓとの交点における磁界強度を−Ｈｃ’としたとき、
−Ｈｃと−Ｈｃ’との比を示している。すなわち、Ｓ^*
＝Ｈｃ／Ｈｃ’である。また、残留磁化厚みＭｒ・ｔ
は、Ｍ軸とＭ−Ｈ曲線の交点における磁化強度である残
留磁化Ｍｒに、膜厚ｔを乗じたものである。

【００２７】そして、各サンプルを評価する際、エラー
レートの測定は、最内周半径が１５．６４６ｍｍの２．
５インチハードディスク装置にサンプルを組み込み、周
速度４５００ｒｐｍ、すなわち線速度７．４ｍ／ｓに
て、最短記録波長を０．４５μｍとして、実際に記録再
生を行うことにより測定した。

【００２８】ここで、記録再生に用いた磁気ヘッドの媒
体対向面を拡大した図を図３に示す。この図３に示すよ
うに、記録再生には、薄膜工程によって形成された記録
用磁気ヘッド１０と、薄膜工程によって形成された再生
用磁気ヘッド１１とが積層された複合型磁気ヘッド（以
下、磁気ヘッドＡと称する。）を使用した。

【００２９】この磁気ヘッドＡにおいて、記録用磁気ヘ
ッド１０は、電磁誘導を利用したリング型磁気ヘッドで
あり、一対の磁気コア１２，１３の間に磁気ギャップが
形成されてなる。一方、再生用磁気ヘッド１１は、磁気
抵抗効果を利用したＭＲヘッドであり、一対の磁気シー
ルド１４，１５の間に磁気抵抗効果素子１６が配されて
なる。ここで、記録用磁気ヘッド１０の一方の磁気コア
１３は、再生用磁気ヘッド１１の一方の磁気シールド１
４を兼ねている。

【００３０】そして、この磁気ヘッドＡでは、電磁誘導
を利用したリング型磁気ヘッドである記録用磁気ヘッド
１０によって磁気ディスクに磁気信号を記録し、磁気抵
抗効果を利用したＭＲヘッドである再生用磁気ヘッド１
１によって磁気ディスクから磁気信号を再生する。そし
て、ここでは、記録用磁気ヘッド１０に、トラック幅ｔ
１が約３．５μｍ、ギャップ長ｇ１が約０．６μｍであ
り、磁気ギャップ対向面に強磁性金属薄膜が配され、そ
の強磁性薄膜の飽和磁束密度Ｂｓが約１．４５Ｔのもの
を使用した。また、再生用磁気ヘッド１１には、トラッ
ク幅ｔ２が約２．５μｍ、ギャップ長ｇ２が約０．４μ
ｍのものを使用した。

【００３１】そして、エラーレートを測定する際は、先
ず、計算機によってＭ系列のデータを発生させて当該デ
ータを（１，７）変換し、この（１，７）変換されたデ
ータをメモリを通して記録波長に相当するクロックに合
わせてＤ／Ａ変換した上で記録用回路に入力し、このＤ
／Ａ変換された信号を上記記録用磁気ヘッド１０により
磁気ディスクに記録した。

【００３２】その後、磁気ディスクに記録された信号
を、上記再生用磁気ヘッド１１によって再生した。ここ
で、再生用磁気ヘッド１１から再生用回路に入力された
信号は、記録周波数の８倍程度の比同期のサンプリング
周波数でＡ／Ｄ変換された上で、メモりを通じて計算機
に取り込まれる。そして、当該データに対して、計算機
によって同期クロックの抽出、ピーク検出、パターンピ
ークシフトの除去のためのパルススリミング、及び
（１，７）逆変換等を行った後、先に記録したデータと
比較して、実エラーレートを測定した。

【００３３】なお、エラーレートは、サンプルを作製し
た直後のエラーレートの他に、環境試験として、温度６
０℃、湿度９０％の環境に２日間保存した後のエラーレ
ートについても測定した。

【００３４】以上のような評価の結果について、代表的
な値を表１に示すとともに、残留磁化厚みＭｒ・ｔとエ
ラーレートとの関係をグラフ化した図を図４に示す。

【００３５】

【表１】

【００３６】表１及び図４に示すように、エラーレート
は、残留磁化厚みＭｒ・ｔが約９ｍＡのときに最小とな
り、これよりも、残留磁化厚みＭｒ・ｔが小さくなって
も、大きくなっても増大してしまう。したがって、残留
磁化厚みＭｒ・ｔは、９ｍＡの前後の値であることが好
ましく、具体的には、約７〜１１ｍＡの範囲内にあるこ
とが好ましい。

【００３７】このように、残留磁化厚みＭｒ・ｔは約９
ｍＡが最適であることが分かったので、以下に挙げる磁
気ディスクでは、磁気記録層３の膜厚ｔを制御して、残
留磁化厚みＭｒ・ｔが約９ｍＡとなるようにした。

【００３８】つぎに、膜厚が３ｎｍ以下のＣｒからなる
中間層によって磁気記録層３を２層に分けて、磁気記録
層３を２層構造とした磁気ディスクを作製した。このよ
うに磁気記録層３を多層構造にすると、抗磁力Ｈｃが増
大するので、記録密度を高めてメディアサイズを低減す
ることが可能となる。

【００３９】そして、第２の評価として、このように磁
気記録層３を２層構造とした磁気ディスクについて、磁
気記録層３を分割する中間層の膜厚を約５〜１５ｎｍの
範囲で変化させて複数のサンプルを作製し、第１の評価
と同様に、各サンプルの評価を行った。ただし、エラー
レートは、第１の評価において使用した磁気ヘッドＡよ
りも、トラック幅及びギャップ長が狭い磁気ヘッドを用
いて、より高密度に記録再生を行って測定した。具体的
には、この第２の評価では、トラック幅が約２．５μ
ｍ、ギャップ長が約０．４μｍの記録用磁気ヘッドと、
トラック幅が約１．５μｍ、ギャップ長が約０．３５μ
ｍの再生用磁気ヘッドとを積層した複合型磁気ヘッド
（以下、磁気ヘッドＢと称する。）を使用した。結果を
表２に示す。

【００４０】

【表２】

【００４１】表２に示すように、抗磁力Ｈｃが小さすぎ
ると、磁気ディスクの作製直後であっても、エラーレー
トは、ハードディスク装置に要求されるエラーレートで
ある５．０×１０^-7を越えてしまう。また、保磁力角形
比Ｓ^*が大きすぎると、磁気ディスクの作製直後であっ
ても、エラーレートは、ハードディスク装置に要求され
るエラーレートである５．０×１０^-7を越えてしまう。
したがって、抗磁力Ｈｃは、Ｈｃ＞１４０[kA/m]の範囲
を満たすことが望ましく、保磁力角形比Ｓ^*は、Ｓ^*＜
０．８５の範囲を満たすことが望ましい。

【００４２】つぎに、Ｃｒからなる下地層２を成膜する
際のＡｒガスの圧力を変えて、磁気ディスクを作製し
た。このように下地層２を成膜する際のＡｒガスの圧力
を変えることにより、下地層２の膜質改善によるノイズ
低減効果が期待できる。

【００４３】そして、第３の評価として、このように下
地層２を成膜する際のＡｒガスの圧力を変えて、複数の
サンプルを作製し、第２の評価と同様に、各サンプルの
評価を行った。結果を表３に示す。

【００４４】

【表３】

【００４５】表３に示すように、保磁力角形比Ｓ^*が小
さすぎると、磁気ディスクの作製直後であっても、エラ
ーレートは、ハードディスク装置に要求されるエラーレ
ートである５．０×１０^-7を越えてしまう。したがっ
て、保磁力角形比Ｓ^*は、０．６＜Ｓ^*の範囲を満たす
ことが望ましい。そして、上述の第２の評価と、この第
３の評価の結果から、保磁力角形比Ｓ^*は、０．６＜Ｓ
^*＜０．８５の範囲を満たすこのが望ましいことが分か
る。

【００４６】つぎに、磁気記録層３にＣｒを添加して磁
気ディスクを作製した。このように磁気記録層３にＣｒ
を添加することにより、耐環境性が高まり、保存後のエ
ラーレートの劣化を防ぐことができる。

【００４７】そして、第４の評価として、このように磁
気記録層３にＣｒを添加した磁気ディスクについて、Ｃ
ｒの添加量を変えて複数のサンプルを作製し、第３の評
価と同様に、各サンプルの評価を行った。結果を表４に
示す。

【００４８】

【表４】

【００４９】表４に示すように、飽和磁化Ｍｓが小さす
ぎると、保存後のエラーレートが、ハードディスク装置
に要求されるエラーレートである５．０×１０^-7を越え
てしまう。また、飽和磁化Ｍｓが大きすぎても、保存後
のエラーレートが、ハードディスク装置に要求されるエ
ラーレートである５．０×１０^-7を越えてしまう。した
がって、飽和磁化Ｍｓは、３００[kA/m]＜Ｍｓ＜１００
０[kA/m]の範囲を満たすことが望まれる。

【００５０】ところで、以上の評価において基準として
きたエラーレートの５×１０^-7という値は、ハードディ
スク装置を構築する上で、マージンの無いぎりぎりの値
である。

【００５１】そこで、更なるマージンを確保するため、
基板１上にＣからなるシード層を設けて、このシード層
上に下地層２、磁気記録層３、保護層４及び潤滑剤層５
を形成するとともに、磁気記録層３にＣを添加した。こ
のようにシード層を設けたり、磁気記録層３にＣを添加
したりすることにより、抗磁力Ｈｃが増大するので、エ
ラーレートの向上が期待できる。なお、ここでは、シー
ド層の材料をＣとするが、シード層の材料をＳｉやＧｅ
等としても同様な効果が期待できる。

【００５２】そして、第５の評価として、このような磁
気ディスクについて、磁気記録層３へのＣの添加率、Ｃ
からなるシード層の膜厚、及びＣｒからなる下地層２の
膜厚を変化させて複数のサンプルを作製し、第４の評価
と同様に、各サンプルの評価を行った。結果を表５に示
す。

【００５３】

【表５】

【００５４】表５に示すように、抗磁力Ｈｃを大きくす
ることにより、エラーレートの向上が見られるが、抗磁
力Ｈｃが大きくなりすぎると、逆にエラーレートが悪く
なってしまう。したがって、磁気記録層３へのＣの添加
率は、１０原子％以下が望ましく、抗磁力Ｈｃは、２０
０ｋＡ／ｍよりも小さい方が好ましい。そして、上述の
第２の評価と、この第５の評価の結果から、抗磁力Ｈｃ
は、１４０[kA/m]＜Ｈｃ＜２００[kA/m]の範囲を満たす
必要があることが分かる。

【００５５】以上の評価の結果から、磁気ディスクの飽
和磁化Ｍｓは４００[kA/m]＜Ｍｓ＜１０００[kA/m]、残
留磁化厚みＭｒ・ｔは７[mA]＜Ｍｒ・ｔ＜１１[mA]、抗
磁力Ｈｃは１４０[kA/m]＜Ｈｃ＜２００[kA/m]、保磁力
角形比Ｓ^*は０．６＜Ｓ^*＜０．８５であることが好ま
しいことが分かる。

【００５６】なお、以上の説明では、磁気記録層３の主
たる材料は、ＣｏＰｔＣｒとしたが、磁気記録層３の材
料はこれに限定されるものではない。具体的には、磁気
記録層３は、例えば、ＣｏＰｄＣｒを主たる材料として
形成してもよい。ここで、磁気記録層３をＣｏＰｔＣｒ
又はＣｏＰｄＣｒ系の薄膜によって形成したとき、その
組成割合は、保存時の経時変化等による磁気特性の劣化
及び欠陥の発生を抑えるために、Ｃｒの割合を１０原子
％とすることが好ましい。

【００５７】なお、本発明では、記録用磁気ヘッドに
は、ギャップ長が０．４μｍ以下で、トラック幅が３μ
ｍ以下のリング型磁気ヘッドを使用する。ここで、記録
用磁気ヘッドの飽和磁束密度Ｂｓは、１．４５Ｔ以上で
あることが好ましい。一方、再生用磁気ヘッドは、ＭＲ
ヘッドが好適である。ここで、ＭＲヘッドのギャップ
長、すなわちＭＲ素子を狭持する一対の磁気シールド間
の距離は、線記録密度を高めるために０．３５μｍ以下
であることが好ましい。

【００５８】このように、記録時には、ギャップ長が
０．４μｍ以下のリング型磁気ヘッドを使用し、再生時
には、ギャップ長が０．３５μｍ以下のＭＲヘッドを使
用することにより、線記録密度を向上して、１．５×１
０⁶ｂｉｔ／ｍｍ²以上の高密度記録を行うことが可能
となる。

【００５９】そして、例えば、ＣｏＰｔＣｒ系の合金か
らなる磁気記録層を備えた磁気ディスクに対して、記録
時には、トラック幅が約３μｍ、ギャップ長が約０．３
５μｍの記録用磁気ヘッドを用いて、再生時には、トラ
ック幅が約２．５μｍ、ギャップ長が約０．３５μｍの
再生用磁気ヘッドを用いて、線速度７ｍ／ｓ、最短記録
波長０．４５μｍの条件で、Ｍ系列データに（１，７）
変調を施して記録再生を行ったとする。

【００６０】このとき、飽和磁化Ｍｓが約３５０[kA/
m]、残留磁化厚みＭｒ・ｔが約９．０[mA]、抗磁力Ｈｃ
が約１４５[kA/m]、保磁力角形比Ｓ^*が約０．８の従来
の磁気ディスクを用いると、エラーレートは５．８×１
０^-5程度となってしまい、ハードディスク装置として実
用化することは難しい。

【００６１】これに対して、飽和磁化Ｍｓが約４５０ｋ
Ａ／ｍ、残留磁化厚みＭｒ・ｔが約９．０ｍＡ、抗磁力
Ｈｃが約１６７ｋＡ／ｍ、保磁力角形比Ｓ^*が約０．７
５の本発明を適用した磁気ディスクを用いると、エラー
レートは３．０×１０^-7程度となり、ハードディスク装
置に要求されるエラーレートを十分に満足する。

【００６２】このように、飽和磁化Ｍｓ、残留磁化厚み
Ｍｒ・ｔ、抗磁力Ｈｃ及び保磁力角形比Ｓ^*を適切に設
定することにより、１．５×１０⁶ ｂｉｔ／ｍｍ²以上
の高密度記録領域においても、十分に低いエラーレート
を得ることができ、ハードディスク装置等の高密度磁気
記録システムを構築することが可能となる。

【００６３】以上、本発明を適用した具体的な実施の形
態について説明したが、本発明は以上の例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、材質
等を任意に変更することが可能であることは言うまでも
ない。

【００６４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気記録媒体及び磁気記録方法によれば、記録密
度を大幅に増大しても、エラーレートを低く維持するこ
とができる。すなわち、本発明によれば、エラーレート
が低く、しかも記録密度を大幅に増大することが可能な
磁気記録媒体及び磁気記録方式を提供することができ
る。したがって、本発明によれば、例えば、非常に高密
度に情報信号を記録することが可能なハードディスク装
置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気ディスクの一例の要部を
拡大して示す断面図である。

【図２】Ｍ−Ｈ曲線の一例を示す図である。

【図３】複合型磁気ヘッドの媒体対向面を拡大して示す
平面図である。

【図４】残留磁化厚みＭｒ・ｔとエラーレートの関係を
示す特性図である。

【符号の説明】

１基板、２下地層、３磁気記録層、４保
護層、５潤滑剤層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ギャップ長が０．４μｍ以下、トラック
幅が３μｍ以下の磁気ヘッドにより情報信号の記録が行
われる磁気記録媒体であって、飽和磁化Ｍｓが、４００[kA/m]＜Ｍｓ＜１０００[kA/m]
の範囲内であり、残留磁化厚みＭｒ・ｔが、７[mA]＜Ｍｒ・ｔ＜１１[mA]
の範囲内であり、抗磁力Ｈｃが、１４０[kA/m]＜Ｈｃ＜２００[kA/m]の範
囲内であり、保磁力角形比Ｓ^*が、０．６＜Ｓ^*＜０．８５の範囲内
であること、を特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】ＣｏＰｔＣｒ又はＣｏＰｄＣｒを主たる
材料とする磁気記録層を有することを特徴とする請求項
１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】上記磁気記録層が、Ｃを１０原子％以下
含むことを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項４】上記磁気記録層が、膜厚が３ｎｍ以下の
Ｃｒ膜によって、２層以上に分けられていることを特徴
とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項５】プラスチックを主たる材料とする基板を
有し、上記基板の表面平均粗さが２ｎｍ以下、最大突起高さが
２５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁
気記録媒体。
【請求項６】基板上に、Ｃ，Ｓｉ又はＧｅを材料とす
るシード層と、Ｃｒを主たる材料とする下地層と、Ｃｏ
ＰｔＣｒ又はＣｏＰｄＣｒを主たる材料とする磁気記録
層と、Ｃを主たる材料とする保護層と、Ｆを含む有機化
合物を主たる材料とする潤滑剤層とが、この順に積層さ
れてなることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒
体。
【請求項７】上記磁気ヘッドは、磁気ギャップ対向面
に強磁性金属薄膜が配され、その強磁性薄膜の飽和磁束
密度Ｂｓが１．４５Ｔ以上であることを特徴とする請求
項１記載の磁気記録媒体。
【請求項８】ハードディスク装置に使用されることを
特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項９】飽和磁化Ｍｓが４００[kA/m]＜Ｍｓ＜１
０００[kA/m]の範囲内であり、残留磁化厚みＭｒ・ｔが
７[mA]＜Ｍｒ・ｔ＜１１[mA]の範囲内であり、抗磁力Ｈ
ｃが１４０[kA/m]＜Ｈｃ＜２００[kA/m]の範囲内であ
り、保磁力角形比Ｓ^*が０．６＜Ｓ^*＜０．８５の範囲
内である磁気記録媒体に対して、ギャップ長が０．４μｍ以下、トラック幅が３μｍ以下
の磁気ヘッドによって情報信号の記録を行うこと、を特
徴とする磁気記録方法。