JPH09302225A - ポリイミド前駆体組成物、ポリイミド膜の形成方法、電子部品および液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低温での加熱硬化処理でポリイミド膜を形成
できるポリイミド前駆体組成物を提供し、誘電率特性、
耐湿性、耐環境安定性に優れたポリイミド膜を有し、高
速動作及び省電力が可能で信頼性の高い電子部品や液晶
素子を実現する。 【解決手段】 ポリアミド酸と、水溶液中のプロトンの
酸解離指数ｐＫａが０〜８である置換もしくは非置換の
含窒素複素環化合物及びこれらの含窒素複素環化合物の
Ｎ−オキシド化合物（ＡＣ１）、置換もしくは非置換の
アミノ酸化合物（ＡＣ２）、並びに分子量が１０００以
下である少なくとも２個以上のヒドロキシル基を有する
芳香族炭化水素化合物又は芳香族複素環化合物（ＡＣ
３）からなる群より選択される少なくとも１種の硬化促
進剤とを含有するポリイミド前駆体組成物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種の絶縁部材の
形成に好適に用いられるポリイミド前駆体組成物、この
ポリイミド前駆体組成物を用いたポリイミド膜の形成方
法、ポリイミド硬化物を絶縁膜または保護膜として具備
した電子部品およびポリイミド硬化物を液晶配向膜とし
て具備した液晶素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶素子においては、液晶を良好に配向
させることが必要であり、以前よりこの目的を達成する
ために、透明な基板上に形成されたＩＴＯ透明電極など
の表面にポリアミド酸のワニスを塗布した後、イミド化
させてポリイミド膜を形成し、得られた膜をラビング処
理する方法が最も一般的に採用されている。しかし、こ
の方法ではポリアミド酸のイミド化の際に３００℃以上
の熱処理が必要となるため、カラー液晶表示装置に設け
られるカラーフィルターが変色するなどの問題を有して
いる。

【０００３】この問題を解決するために、有機溶媒に可
溶なポリイミド樹脂のワニスを直接基板表面に塗布して
ポリイミド膜を形成することも行われている。しかし、
このようなポリイミド樹脂では、液晶表示装置の視野角
を大きくする目的で、各々の画素内において異なる二方
向へ液晶を配向させるデュアルドメイン技術を適用する
と問題が生じる。すなわち、デュアルドメインを達成す
るためには、ポリイミド膜をまず一方向にラビング処理
した後、各画素の半分を覆うようにフォトレジストを形
成し、これをマスクとして他の方向に再度ラビング処理
を施す。この場合、露光、現像により画素の半分を覆う
フォトレジストパターンを形成する際に、有機溶媒に可
溶なポリイミド樹脂が現像液に侵されるため、結果的に
液晶表示装置の表示機能が低下する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、液晶
素子における液晶配向膜としてポリイミド膜を形成する
場合、従来はポリアミド酸をイミド化させるために高温
での熱処理が必要であるなどの問題があった。一方、近
年半導体デバイスに代表される電子部品の高集積化が進
み、配線パターンのライン・アンド・スペースの幅がク
ォータミクロンのレベルまで近づいている。これに伴
い、ＳｉＯ₂ からなる層間絶縁膜の比誘電率が３．５以
上と高いことに起因して、半導体デバイスなどの遅延時
間の増大および使用電力量の増大が重大な問題となって
きている。このような背景から、低い比誘電率を実現可
能な有機高分子膜を層間絶縁膜に適用することが試みら
れており、こうした層間絶縁膜には４００℃以上の耐熱
性が要求されるため、最近ではここでも耐熱性に優れた
ポリイミドを使用することが試みられている。然るに、
このような電子部品の層間絶縁膜や保護膜にポリイミド
膜を適用する場合についても、ポリアミド酸をイミド化
する際の高温での熱処理は、製造プロセス上熱応力を発
生するなどの点でやはり問題となるものである。

【０００５】本発明は、こうした問題に鑑みてなされた
ものであり、低温での熱処理でポリイミド膜を形成でき
るポリイミド前駆体組成物およびこれを用いたポリイミ
ド膜の形成方法を提供することを目的とする。また、こ
のポリイミド前駆体組成物を用い、シリコン基板やガラ
ス基板などの表面上に誘電率特性、耐湿性、耐環境安定
性に優れたポリイミド膜を絶縁膜、保護膜または液晶配
向膜として具備し、高速動作および省電力を実現でき、
しかも信頼性の高い電子部品や液晶素子を提供すること
を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記一
般式（ＰＡ）で表わされる繰り返し単位を有するポリア
ミド酸と、水溶液中のプロトン錯体の酸解離指数ｐＫａ
が０〜８である置換もしくは非置換の含窒素複素環化合
物およびこれらの含窒素複素環化合物のＮ−オキシド化
合物（ＡＣ１）、置換もしくは非置換のアミノ酸化合物
（ＡＣ２）、並びに分子量が１０００以下である少なく
とも２個以上のヒドロキシル基を有する芳香族炭化水素
化合物または芳香族複素環化合物（ＡＣ３）からなる群
より選択される少なくとも１種の硬化促進剤とを含有す
るポリイミド前駆体組成物が提供される。

【０００７】

【化８】

【０００８】（ここで、φは４価の有機基、Ψは２価の
有機基、Ｒは置換または非置換の炭化水素基、有機ケイ
素基または水素原子を表わす。） また本発明によれば、前述のポリイミド前駆体組成物を
基板上に塗布した後、６０〜４００℃の温度範囲で加熱
することにより、ポリイミド前駆体硬化させるポリイミ
ド膜の形成方法が提供される。

【０００９】さらに本発明によれば、前述のポリイミド
前駆体組成物を硬化させてなるポリイミド膜からなる絶
縁体または保護膜を具備する電子部品が提供される。

【００１０】またさらに本発明によれば、前述のポリイ
ミド前駆体組成物を硬化させてなるポリイミド膜からな
る液晶配向膜を具備する液晶素子が提供される。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明をさらに詳細に説明
する。

【００１２】本発明において用いられる、水溶液中での
プロトン錯体の酸解離指数ｐＫａが０〜８である置換も
しくは非置換の含窒素複素環化合物およびこれらの含窒
素複素環化合物のＮ−オキシド化合物（ＡＣ１）、置換
もしくは非置換のアミノ酸化合物（ＡＣ２）、または分
子量が１０００以下である少なくとも２個以上のヒドロ
キシル基を有する芳香族炭化水素化合物もしくは芳香族
複素環化合物（ＡＣ３）から選ばれる有機化合物は、い
ずれも低温においてポリアミド酸の硬化反応を促進する
作用を有する低温硬化促進剤である。

【００１３】まず、本発明において硬化促進剤として用
いられる、水溶液中でのプロトン錯体の酸解離指数ｐＫ
ａが０〜８である置換もしくは非置換の含窒素複素環化
合物（ＡＣ１）について説明する。ここで酸解離指数ｐ
Ｋａとは、酸解離定数Ｋａの逆数の対数（−ｌｏｇ Ｋ
ａ）である。本発明において低温硬化促進剤として用い
られる含窒素複素環化合物は、水溶液中でのプロトン錯
体の酸解離指数が０〜８、より好ましくは２．５〜７の
範囲にあるものである。この理由は、含窒素複素環化合
物のプロトン錯体の酸解離指数が小さすぎると、低温に
おけるポリアミド酸の硬化反応を十分に促進させること
が難しく、逆に酸解離指数が大きすぎると、ポリアミド
酸溶液のゲル化が進行しやすくポリイミド前駆体組成物
の貯蔵安定性が低下する傾向があることによる。

【００１４】（ＡＣ１）に含まれる非置換の含窒素複素
環化合物としては、例えばイミダゾール、ピラゾール、
トリアゾール、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ナ
フトイミダゾール、インダゾール、ベンゾトリアゾー
ル、プリン、イミダゾリン、ピラゾリン、ピリジン、キ
ノリン、イソキノリン、ジピリジル、ジキノリル、ピリ
ダジン、ピリミジン、ピラジン、フタラジン、キノキサ
リン、キナゾリン、シンノリン、ナフチリジン、アクリ
ジン、フェナントリジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソ
キノリン、ベンゾシンノリン、ベンゾフタラジン、ベン
ゾキノキサリン、ベンゾキナゾリン、フェナントロリ
ン、フェナジン、カルボリン、ペリミジン、トリアジ
ン、テトラジン、プテリジン、オキサゾール、ベンゾオ
キサゾール、イソオキサゾール、ベンゾイソオキサゾー
ル、チアゾール、ベンゾチアゾール、イソチアゾール、
ベンゾイソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾ
ール、ピロールジオン、イソインドールジオン、ピロリ
ジンジオン、ベンゾイソキノリンジオン、トリエチレン
ジアミン、およびヘキサメチレンテトラミンが挙げられ
る。これらの化合物は、Ｎ−オキシド化合物であっても
よい。

【００１５】これらの含窒素複素環化合物に導入され置
換含窒素複素環化合物を構成する置換基としては、例え
ばジ置換アミノ基（ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基、ジブチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、ブチル
メチルアミノ基、ジアミルアミノ基、ジベンジルアミノ
基、ジフェネチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジト
リルアミノ基、ジキシリルアミノ基、メチルフェニルア
ミノ基、ベンジルメチルアミノ基など）、モノ置換アミ
ノ基（メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミ
ノ基、イソプロピルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ
基、アニリノ基、アニシジノ基、フェネチジノ基、トル
イジノ基、キシリジノ基、ピリジルアミノ基、チアゾリ
ルアミノ基、ベンジルアミノ基、ベンジリデンアミノ基
など）、環状アミノ基（ピロリジノ基、ピペリジノ基、
ピペラジノ基、モルホリノ基、１−ピロリル基、１−ピ
ラゾリル基、１−イミダゾリル基、１−トリアゾリル基
など）、アシルアミノ基（ホルミルアミノ基、アセチル
アミノ基、ベンゾイルアミノ基、シンナモイルアミノ
基、ピリジンカルボニルアミノ基、トリフルオロアセチ
ルアミノ基など）、スルホニルアミノ基（メシルアミノ
基、エチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルア
ミノ基、ピリジルスルホニルアミノ基、トシルアミノ
基、タウリルアミノ基、トリフルオロメチルスルホニル
アミノ基、スルファモイルアミノ基、メチルスルファモ
イルアミノ基、スルファニルアミノ基、アセチルスルフ
ァニルアミノ基など）、アミノ基、ヒドロキシアミノ
基、ウレイド基、セミカルバジド基、カルバジド基、ジ
置換ヒドラジノ基（ジメチルヒドラジノ基、ジフェニル
ヒドラジノ基、メチルフェニルヒドラジノ基など）、モ
ノ置換ヒドラジノ基（メチルヒドラジノ基、フェニルヒ
ドラジノ基、ピリジルヒドラジノ基、ベンジリデンヒド
ラジノ基など）、ヒドラジノ基、アミジノ基、ヒドロキ
シル基、オキシム基（ヒドロキシイミノメチル基、メト
キシイミノメチル基、エトキシイミノメチル基、ヒドロ
キシイミノエチル基、ヒドロキシイミノプロピル基な
ど）、ヒドロキシアルキル基（ヒドロキシメチル基、ヒ
ドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基など）、ヒド
ロキシアリール基（ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシ
ナフチル基、ジヒドロキシフェニル基など）、アルコキ
シアルキル基（メトキシメチル基、メトキシエチル基、
エトキシエチル基など）、シアノ基、シアナト基、チオ
シアナト基、ニトロ基、ニトロソ基、オキシ基（メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヒドロ
キシエトキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジ
ルオキシ基、チアゾリルオキシ基、アセトキシ基な
ど）、チオ基（メチルチオ基、エチルチオ基、フェニル
チオ基、ピリジルチオ基、チアゾリルチオ基など）、メ
ルカプト基、ハロゲン基（フルオロ基、クロロ基、ブロ
モ基、ヨード基）、カルボキシル基およびその塩、オキ
シカルボニル基（メトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基、フェノキシカルボニル基、ピリジルオキシカ
ルボニル基など）、アミノカルボニル基（カルバモイル
基、メチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基、
ピリジルカルバモイル基、カルバゾイル基、アロファノ
イル基、オキサモイル基、スクシンアモイル基など）、
チオカルボキシル基およびその塩、ジチオカルボキシル
基およびその塩、チオカルボニル基（メトキシチオカル
ボニル基、メチルチオカルボニル基、メチルチオチオカ
ルボニル基など）、アシル基（ホルミル基、アセチル
基、プロピオニル基、アクリロイル基、ベンゾイル基、
シンナモイル基、ピリジンカルボニル基、チアゾールカ
ルボニル基、トリフルオロアセチル基など）、チオアシ
ル基（チオホルミル基、チオアセチル基、チオベンゾイ
ル基、ピリジンチオカルボニル基など）、スルフィン酸
基およびその塩、スルホン酸基およびその塩、スルフィ
ニル基（メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル
基、フェニルスルフィニル基など）、スルホニル基（メ
シル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、
ピリジルスルホニル基、トシル基、タウリル基、トリフ
ルオロメチルスルホニル基、スルファモイル基、メチル
スルファモイル基、スルファニリル基、アセチルスルフ
ァニリル基など）、オキシスルホニル基（メトキシスル
ホニル基、エトキシスルホニル基、フェノキシスルホニ
ル基、アセトアミノフェノキシスルホニル基、ピリジル
オキシスルホニル基など）、チオスルホニル基（メチル
チオスルホニル基、エチルチオスルホニル基、フェニル
チオスルホニル基、アセトアミノフェニルチオスルホニ
ル基、ピリジルチオスルホニル基など）、アミノスルホ
ニル基（スルファモイル基、メチルスルファモイル基、
ジメチルスルファモイル基、エチルスルファモイル基、
ジエチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル
基、アセトアミノフェニルスルファモイル基、ピリジル
スルファモイル基など）、アンモニオ基（トリメチルア
ンモニオ基、エチルジメチルアンモニオ基、ジメチルフ
ェニルアンモニオ基、ピリジニオ基、キノリニオ基な
ど）、アゾ基（フェニルアゾ基、ピリジルアゾ基、チア
ゾリルアゾ基など）、アゾキシ基、ハロゲン化アルキル
基（クロロメチル基、ブロモメチル基、フルオロメチル
基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、ジフルオロ
メチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチ
ル基、ヘプタフルオロプロピル基など）、炭化水素基
（アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル
基など）、複素環基、有機ケイ素基（シリル基、ジシラ
ニル基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基な
ど）などの特性基が挙げられる。なお、これらの中で
も、ヒドロキシル基、オキシ基、オキシム基、カルボキ
シル基、アミノカルボニル基、ヒドロキシアルキル基、
ヒドロキシアリール基、ジ置換アミノ基、モノ置換アミ
ノ基、環状アミノ基、アシルアミノ基、アミノ基、ヒド
ロキシアミノ基、ウレイド基、メルカプト基、ニトロ
基、シアノ基、アシル基、スルホン酸基、アシルスルホ
ニル基、アゾ基、チオ基が特に好ましい。

【００１６】次に、本発明において硬化促進剤として用
いられる置換もしくは非置換のアミノ酸化合物（ＡＣ
２）について説明する。

【００１７】（ＡＣ２）に含まれる非置換のアミノ酸化
合物としては、例えばグリシン、サルコシン、ジメチル
グリシン、ベタイン、アラニン、β−アラニン、α−ア
ミノ酪酸、β−アミノ酪酸、γ−アミノ酪酸、γ−アミ
ノ−β−オキソ酪酸、バリン、β−アミノイソ吉草酸、
γ−アミノイソ吉草酸、ノルバリン、β−アミノ吉草
酸、γ−アミノ吉草酸、δ−アミノ吉草酸、ロイシン、
イソロイシン、ノルロイシン、セリン、α−メチルセリ
ン、イソセリン、α−メチルイソセリン、シクロセリ
ン、ホモセリン、トレオニン、ｏ−メチルトレオニン、
アロトレオニン、ｏ−メチルアロトレオニン、ロセオニ
ン、トランス−３−アミノシクロヘキサンカルボン酸、
シス−３−アミノシクロヘキサンカルボン酸、ε−アミ
ンカプロン酸、ω−アミノドデカン酸、β−ヒドロキシ
バリン、β−ヒドロキシイソロイシン、α−ヒドロキシ
−β−アミノイソ吉草酸、ε−ジアゾ−δ−オキソノル
ロイシン、α−アミノ−ε−ヒドロキシアミノカプロン
酸、システイン、シスチン、Ｓ−メチルシステイン、Ｓ
−メチルシステイン−Ｓ−オキシド、システイン酸、ホ
モシステイン、ホモシスチン、メチオニン、ペニシラミ
ン、タウリン、α，β−ジアミノプロピオン酸、オルニ
チン、リシン、アルギニン、カナリン、カナバニン、δ
−ヒドロキシリシン、アスパラギン酸、アスパラギン、
イソアスパラギン、グルタミン酸、グルタミン、イソグ
ルタミン、α−メチルグルタミン酸、β−ヒドロキシグ
ルタミン酸、γ−ヒドロキシグルタミン酸、α−アミノ
アジピン酸、シトルリン、ランチオニン、シスタチオニ
ン、フェニルアラニン、α−メチルフェニルアラニン、
ｏ−クロロフェニルアラニン、ｍ−クロロフェニルアラ
ニン、ｐ−クロロフェニルアラニン、ｏ−フルオロフェ
ニルアラニン、ｍ−フルオロフェニルアラニン、ｐ−フ
ルオロフェニルアラニン、β−（２−ピリジル）アラニ
ン、チロシン、チロニン、ジクロロチロシン、ジブロモ
チオシン、ジヨードチロシン、３，４−ジヒドロキシフ
ェニルアラニン、α−メチル−３，４−ジヒドロキシフ
ェニルアラニン、フェニルグリシン、トリプトファン、
アブリン、ヒスチジン、１−メチルヒスチジン、２−メ
ルカプトヒスチジン、プロリン、ヒドロキシプロリン、
アントラニル酸、パラミノールが挙げられる。これらの
アミノ酸化合物に導入され、置換アミノ酸化合物を構成
する置換基としては、上述した特性基が挙げられる。

【００１８】上述したような置換もしくは非置換のアミ
ノ酸化合物（ＡＣ２）からなる硬化促進剤としては、上
記アミノ酸化合物のアミノ基をアシル基で置換したＮ−
アシルアミノ酸化合物、および上記アミノ酸化合物のア
ミノ基を芳香族炭化水素基または芳香族複素環基で置換
したＮ−アリール（またはヘテロアリール）アミノ酸化
合物が特に好ましい。

【００１９】Ｎ−アシルアミノ酸化合物に導入されるア
シル基としては、例えばホルミル基、アセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル
基、イソバレリル基、ピバロイル基、ラウロイル基、ミ
リストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、アク
リロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、ク
ロトノイル基、イソクロトノイル基、オレオイル基、シ
クロペンタンカルボニル基、シクロヘキサンカルボニル
基、ベンゾイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒド
ロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、
フロイル基、テノイル基、ピコリノイル基、ニコチノイ
ル基、イソニコチノイル基、キノリンカルボニル基、ピ
リダジンカルボニル基、ピリミジンカルボニル基、ピラ
ジンカルボニル基、イミダゾールカルボニル基、ベンゾ
イミダゾールカルボニル基、チアゾールカルボニル基、
ベンゾチアゾールカルボニル基、オキサゾールカルボニ
ル基、ベンゾオキサゾールカルボニル基、オキサリル
基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポ
イル基、ピメロイル基、スベロイル基、アゼラオイル
基、セバコイル基、マレオイル基、フマロイル基、シト
ラコノイル基、メサコノイル基、メソキサリル基、オキ
サルアセチル基、カンホロイル基、フタロイル基、イソ
フタロイル基、テレフタロイル基、オキサロ基、メトキ
サリル基、エトキサリル基、グリオキシロイル基、ピル
ボイル基、アセトアセチル基、メソオキサロ基、オキサ
ルアセト基、システイニル基、ホモシステイニル基、ト
リプトフィル基、アラニル基、β−アラニル基、アルギ
ニル基、シスタチオニル基、シスチル基、グリシル基、
ヒスチジル基、ホモセリル基、イソロイシル基、ランチ
オニル基、ロイシル基、リシル基、メチオニル基、ノル
ロイシル基、ノルバリル基、オルニチル基、プロリル
基、サルコシル基、セリル基、トレオニル基、チロニル
基、チロシル基、バリル基が挙げられる。

【００２０】Ｎ−アリール（またはヘテロアリール）ア
ミノ酸化合物に導入される芳香族炭化水素基または芳香
族複素環基としては、例えば、ベンゼン環基、ナフタレ
ン環基、アントラセン環基、フェナントレン環基、テト
ラリン環基、アズレン環基、ビフェニレン環基、アセナ
フチレン環基、アセナフテン環基、フルオレン環基、ト
リフェニレン環基、ピレン環基、クリセン環基、ピセン
環基、ペリレン環基、ベンゾピレン環基、ルビセン環
基、コロネン環基、オバレン環基、インデン環基、ペン
タレン環基、ヘプタレン環基、インダセン環基、フェナ
レン環基、フルオランテン環基、アセフェナントリレン
環基、アセアントリレン環基、ナフタセン環基、プレイ
アデン環基、ペンタフェン環基、ペンタセン環基、テト
ラフェニレン環基、ヘキサフェン環基、ヘキサセン環
基、トリナフチレン環基、ヘプタフェン環基、ヘプタセ
ン環基、ピラントレン環基、ピロール環基、インドール
環基、イソインドール環基、カルバゾール環基、カルボ
リン環基、フラン環基、クマロン環基、イソベンゾフラ
ン環基、チオフェン環基、ベンゾチオフェン環基、ジベ
ンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、インダゾール環
基、イミダゾール環基、ベンゾイミダゾール環基、オキ
サゾール環基、ベンゾオキサゾール環基、ベンゾオキサ
ゾリン環基、イソオキサゾール環基、ベンゾイソオキサ
ゾール環基、チアゾール環基、ベンゾチアゾール環基、
ベンゾチアゾリン環基、イソチアゾール環基、ベンゾイ
ソチアゾール環基、トリアゾール環基、ベンゾトリアゾ
ール環基、オキサジアゾール環基、チアジアゾール環
基、ベンゾオキサジアゾール環基、ベンゾチアジアゾー
ル環基、テトラゾール環基、プリン環基、ピリジン環
基、キノリン環基、イソキノリン環基、アクリジン環
基、フェナントリジン環基、ベンゾキノリン環基、ベン
ゾイソキノリン環基、ナフチリジン環基、フェナントロ
リン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン
環基、フタラジン環基、キノキサリン環基、キナゾリン
環基、シンノリン環基、フェナジン環基、ペリミジン環
基、トリアジン環基、テトラジン環基、プテリジン環
基、ベンゾオキサジン環基、フェノキサジン環基、ベン
ゾチアジン環基、フェノチアジン環基、オキサジアジン
環基、チアジアジン環基、ベンゾジオキソール環基、ベ
ンゾジオキサン環基、ピラン環基、クロメン環基、キサ
ンテン環基、クロマン環基、およびイソクロマン環基な
どの非置換芳香族炭化水素基および非置換複素環基が挙
げられる。これらの非置換芳香族炭化水素基および非置
換複素環基は、上述した各種特性基で置換されていても
よい。

【００２１】続いて、本発明において硬化促進剤として
用いられる、分子量が１０００以下であり、少なくとも
２個以上のヒドロキシル基を有する芳香族炭化水素化合
物または芳香族複素環化合物（ＡＣ３）ついて説明す
る。

【００２２】（ＡＣ３）に含有される化合物の分子量が
過剰に大きすぎる場合には、気化点（沸点、昇華点また
は分解点）が高くなり、膜中に多量に残留するおそれが
ある。このため、（ＡＣ３）に含有される化合物の分子
量を１０００以下の範囲に規定した。また、良好な硬化
特性を得るためには、（ＡＣ３）におけるヒドロキシル
基は２個以上必要である。

【００２３】（ＡＣ３）としては、例えば下記化学式
（ＰＨＤ）で表わされるポリヒドロキシ化合物が挙げら
れる。

【００２４】

【化９】

【００２５】（ここで、一般式（ＰＨＤ）におけるＡｒ
¹ およびＡｒ² は、それぞれ同一でも異なっていてもよ
く、置換もしくは非置換の芳香族炭化水素基または芳香
族複素環基を示し、Ｘ¹ はそれぞれ同一でも異なってい
てもよく、二価の有機基または単結合を示し、ｕは０ま
たは１を示し、ｖおよびｗは、ｖ＋ｗ≧２を満たす０〜
５の整数である。） 前記一般式（ＰＨＤ）において、Ａｒ¹ 及びＡｒ² とし
て導入される非置換の芳香属炭化水素基としては、例え
ばベンゼン環基、ナフタリン環基、アントラセン環基、
フェナントレン環基、テトラリン環基、アズレン環基、
ビフェニレン環基、アセナフチレン環基、アセナフテン
環基、フルオレン環基、トリフェニレン環基、ピレン環
基、クリセン環基、ピセン環基、ペリレン環基、ベンゾ
ピレン環基、ルビセン環基、コロネン環基、オバレン環
基、インデン環基、ペンタレン環基、ヘプタレン環基、
インダセン環基、フェナレン環基、フルオランテン環
基、アセフェナントリレン環基、アセアントリレン環
基、ナフタセン環基、プレイアデン環基、ペンタフェン
環基、ペンタセン環基、テトラフェニレン環基、ヘキサ
フェン環基、ヘキサセン環基、トリナフチレン環基、ヘ
プタフェン環基、ヘプタセン環、およびピラントレン環
基などが挙げられる。

【００２６】これらの非置換芳香族炭化水素基に導入さ
れ置換香族炭化水素基を構成する置換基としては、例え
ばシアノ基、シアナト基、チオシアナト基、ニトロ基、
ニトロソ基、オキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、フェノ
キシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基、チアゾリル
オキシ基、アセトキシ基など）、チオ基（メチルチオ
基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ピリジルチオ基、
チアゾリルチオ基など）、メルカプト基、ハロゲン基
（フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基）、カル
ボキシル基及びその塩、オキシカルボニル基（メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、フェノキシカル
ボニル基、ピリジルオキシカルボニル基など）、アミノ
カルボニル基（カルバモイル基、メチルカルバモイル
基、フェニルカルバモイル基、ピリジルカルバモイル
基、カルバゾイル基、アロファノイル基、オキサモイル
基、スクシンアモイル基など）、チオカルボキシル基及
びその塩、ジチオカルボキシル基及びその塩、チオカル
ボニル基（メトキシチオカルボニル基、メチルチオカル
ボニル基、メチルチオチオカルボニル基など）、アシル
基（ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、アクリ
ロイル基、ベンゾイル基、シンナモイル基、ピリジンカ
ルボニル基、チアゾールカルボニル基、トリフルオロア
セチル基など）、チオアシル基（チオホルミル基、チオ
アセチル基、チオベンゾイル基、ピリジンチオカルボニ
ル基など）、スルフィン酸基及びその塩、スルホン酸基
及びその塩、スルフィニル基（メチルスルフィニル基、
エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基な
ど）、スルホニル基（メシル基、エチルスルホニル基、
フェニルスルホニル基、ピリジルスルホニル基、トシル
基、タウリル基、トリフルオロメチルスルホニル基、ス
ルファモイル基、メチルスルファモイル基、スルファニ
リル基、アセチルスルファニリル基など）、オキシスル
ホニル基（メトキシスルホニル基、エトキシスルホニル
基、フェノキシスルホニル基、アセトアミノフェノキシ
スルホニル基、ピリジルオキシスルホニル基など）、チ
オスルホニル基（メチルチオスルホニル基、エチルチオ
スルホニル基、フェニルチオスルホニル基、アセトアミ
ノフェニルチオスルホニル基、ピリジルチオスルホニル
基など）、アミノスルホニル基（スルファモイル基、メ
チルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、エ
チルスルファモイル基、ジエチルスルファモイル基、フ
ェニルスルファモイル基、アセトアミノフェニルスルフ
ァモイル基、ピリジルスルファモイル基など）、アンモ
ニオ基（トリメチルアンモニオ基、エチルジメチルアン
モニオ基、ジメチルフェニルアンモニオ基、ピリジニオ
基、キノリニオ基など）、アゾ基（フェニルアゾ基、ピ
リジルアゾ基、チアゾリルアゾ基など）、アゾキシ基、
ハロゲン化アルキル基（クロロメチル基、ブロモメチル
基、フルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジブロモメ
チル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、
ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基な
ど）、炭化水素基（アルキル基、アリール基、アルケニ
ル基、アルキニル基など）、複素環基、有機ケイ素基
（シリル基、ジシラニル基、トリメチルシリル基、トリ
フェニルシリル基など）などが挙げられる。

【００２７】また、前記一般式（ＰＨＤ）において、Ａ
ｒ¹ 及びＡｒ² として導入される非置換の芳香族複素環
基としては、例えばピロール環基、インドール環基、イ
ソインドール環基、カルバゾール環基、フラン環基、ク
マロン環基、イソベンゾフラン環基、チオフェン環基、
ベンゾチオフェン基、ジベンゾチオフェン環基、オキサ
ジン環基、ベンゾオキサジン環基、フェノキサジン環
基、チアジン環基、ベンゾチアジン環基、フェノチアジ
ン環基、オキサジアジン環基、チアジアジン環基、ベン
ゾジオキソール環基、ベンゾジオキサン環基、ピラン環
基、クロメン環基、キサンテン環基、クロマン環基、お
よびイソクロマン環基などが挙げられる。これらの複素
環基は、前述の各種特性基で置換されていてもよい。

【００２８】また、前記一般式（ＰＨＤ）において、Ｘ
¹ として導入される二価の有機基としては、二価のオキ
シ基、チオ基、スルフィニル基、スルホニル基、カルボ
ニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニルオキシ
基、パーアルキルポリシロキサンジイル基（１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン−１，３−ジイル
基、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルトリシロキ
サン−１，５−ジイル基、１，１，３，３，５，５，
７，７−オクタメチルテトラシロキサン−１，７−ジイ
ル基など）、置換もしくは非置換のイミノ基（イミノ
基、メチルイミノ基、エチルイミノ基、プロピルイミノ
基、フェニルイミノ基など）、置換もしくは非置換の脂
肪族炭化水素基（メチレン基、エチレン基、プロピレン
基、ブチレン基、ペンチレン基、エチリデン基、プロピ
リデン基、ブチリデン基、ペンチリデン基、ビニレン
基、ジフルオロメチレン基、テトラフルオロエチレン
基、ヘキサフルオロプロピレン基、オクタフルオロブチ
レン基、デカフルオロペンチレン基、テトラフルオロエ
チリデン基、ヘキサフルオロプロピリデン基、オクタフ
ルオロブチリデン基、デカフルオロペンチリデン基な
ど）、置換もしくは非置換のアルキレンジオキシ基（メ
チレンジオキシ基、エチレンジオキシ基、プロピレンジ
オキシ基、ブチレンジオキシ基、ペンチレンジオキシ
基、エチリデンジオキシ基、プロピリデンジオキシ基、
ブチリデンジオキシ基、ペンチリデンジオキシ基な
ど）、アゾ基、アゾキシ基、およびアゾメチン基などが
挙げられる。

【００２９】上述したような分子量が１０００以下であ
る少なくとも２個以上のヒドロキシル基を有する芳香族
炭化水素化合物または芳香族複素環化合物（ＡＣ３）か
らなる硬化促進剤としては、例えばベンゼン、ナフタレ
ン、アントラセン、アントラキノン、フェナントレン、
フェナントレンキノン、フルオレン、フルオレノン、ピ
ロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、
フラン、クマロン、イソベンゾフラン、チオフェン、ベ
ンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ベンゾジオキソ
ール、ベンゾジオキサン、ビフェニル、アセトフェノ
ン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、ベンゾフェノ
ン、安息香酸エステル、ベンゼンジカルボン酸ジエステ
ル、ベンズアミド、ベンズニトリル、ベンズアルデヒ
ド、アルコキシベンゼン、ベンジルアルコール、ニトロ
ベンゼン、ベンゼンスルホン酸、アニリン、ジフェニル
エーテル、ジフェニルスルホン、ジフェニルメタン、ジ
フェニルエタン、ジフェニルプロパン、ジフェニルジフ
ルオロメタン、ジフェニルテトラフルオロエタン、ジフ
ェニルヘキサフルオロプロパン、ジフェニルアミン、ジ
フェニルメチルアミン、トリフェニルアミン、トリフェ
ニルメタン、トリフェニルメタノール、およびフクソン
などの芳香環化合物を少なくとも２個以上のヒドロキシ
ル基で置換した化合物が特に好ましい。

【００３０】以上のような（ＡＣ１）ないし（ＡＣ３）
の低温硬化促進剤は単独で用いてもよいし、２種以上混
合して用いてもよい。

【００３１】上記の低温硬化促進剤に関しては、気化点
（沸点、昇華点または分解点）が低く、硬化促進効果お
よびポリアミド酸溶液への溶解性が良好であることが好
ましい。この観点から、特に好ましい低温硬化促進剤と
しては、イミダゾール、１，２，４−トリアゾール、ベ
ンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、プリン、キノ
リン、イソキノリン、ピリダジン、フタラジン、キナゾ
リン、シンノリン、ナフチリジン、アクリジン、フェナ
ントリジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキノリン、ベ
ンゾシンノリン、ベンゾフタラジン、ベンゾキナゾリ
ン、フェナントロリン、フェナジン、カルボリン、ペリ
ミジン、２，２’−ジピリジル、２，４’−ジピリジ
ル、４，４’−ジピリジル、２，２’−ジキノリル、２
−ヒドロキシピリジン、３−ヒドロキシピリジン、４−
ヒドロキシピリジン、２−ヒドロキシキノリン、３−ヒ
ドロキシキノリン、４−ヒドロキシキノリン、５−ヒド
ロキシキノリン、６−ヒドロキシキノリン、７−ヒドロ
キシキノリン、８−ヒドロキシキノリン、ピコリンアミ
ド、ニコチンアミド、イソニコチンアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルニコチンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルニコチンアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルイソニコチンアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルイソニコチンアミド、ヒドロキシニコチン酸、ピ
コリン酸エステル、ニコチン酸エステル、イソニコチン
酸エステル、２−ピリジンスルホンアミド、３−ピリジ
ンスルホンアミド、４−ピリジンスルホンアミド、ピコ
リンアルデヒド、ニコチンアルデヒド、イソニコチンア
ルデヒド、３−ニトロピリジン、３−アセトキシピリジ
ン、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−ア
ミノピリジン、ピコリンアルドキシム、ニコチンアルド
キシム、イソニコチンアルドキシム、２−（ヒドロキシ
メチル）ピリジン、３−（ヒドロキシメチル）ピリジ
ン、４−（ヒドロキシメチル）ピリジン、２−（ヒドロ
キシエチル）ピリジン、３−（ヒドロキシエチル）ピリ
ジン、４−（ヒドロキシエチル）ピリジン、３−ヒドロ
キシピリジン−Ｎ−オキシド、４−ヒドロキシピリジン
−Ｎ−オキシド、４−ヒドロキシキノリン−Ｎ−オキシ
ド、Ｎ−ヒドロキシピロール−２，５−ジオン、Ｎ−ヒ
ドロキシイソインドール−１，３−ジオン、Ｎ−ヒドロ
キシピロリジン−２，５−ジオン、Ｎ−ヒドロキシベン
ゾ［ｄｅ］イソキノリン−１，３−ジオン、トリエチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンテトラミン、ヒダントイ
ン、ヒスチジン、ウラシル、バルビツール酸、ジアルル
酸、シトシン、アニリノ酢酸、２−（ピリジル）グリシ
ン、トリプトファン、プロリン、Ｎ−アセチルグリシ
ン、馬尿酸、Ｎ−ピコリノイルグリシン、Ｎ−ニコチノ
イルグリシン、Ｎ−イソニコチノイルグリシン、Ｎ−ア
セチルアラニン、Ｎ−ベンゾイルアラニン、Ｎ−ピコリ
ノイルアラニン、Ｎ−ニコチノイルアラニン、Ｎ−イソ
ニコチノイルアラニン、α−（アセチルアミノ）酪酸、
α−（ベンゾイルアミノ）酪酸、α−（ピコリノイルア
ミノ）酪酸、α−（ニコチノイルアミノ）酪酸、α−
（イソニコチノイルアミノ）酪酸、Ｎ−アセチルバリ
ン、Ｎ−ベンゾイルバリン、Ｎ−ピコリノイルバリン、
Ｎ−ニコチノイルバリン、Ｎ−イソニコチノイルバリ
ン、ベンゼントリオール、ジヒドロキシアセトフェノ
ン、トリヒドロキシアセトフェノン、ジヒドロキシベン
ゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、ジヒドロキシ安息香酸エステ
ル、トリヒドロキシ安息香酸エステル、ジヒドロキシベ
ンズアミド、トリヒドロキシベンズアミド、ジヒドロキ
シベンジルアルコール、トリヒドロキシベンジルアルコ
ール、アルコキシベンゼンジオール、アルコキシベンゼ
ントリオール、ジヒドロキシベンズアルデヒド、トリヒ
ドロキシベンズアルデヒド、ニトロベンゼンジオール、
ジヒドロキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジヒドロキ
シジフェニルアミン、トリヒドロキシジフェニルアミ
ン、テトラヒドロキシジフェニルアミン、ジヒドロキシ
トリフェニルアミン、トリヒドロキシトリフェニルアミ
ン、テトラヒドロキシトリフェニルアミン、ジヒドロキ
シビフェニル、トリヒドロキシビフェニル、テトラヒド
ロキシビフェニル、ジヒドロキシジフェニルエーテル、
トリヒドロキシジフェニルエーテル、テトラヒドロキシ
ジフェニルエーテル、ジヒドロキシジフェニルスルホ
ン、トリヒドロキシジフェニルスルホン、テトラヒドロ
キシジフェニルスルホン、ジヒドロキシジフェニルメタ
ン、トリヒドロキシジフェニルメタン、テトラヒドロキ
シジフェニルメタン、ジヒドロキシジフェニルエタン、
トリヒドロキシジフェニルエタン、テトラヒドロキシジ
フェニルエタン、ジヒドロキシジフェニルプロパン、ト
リヒドロキシジフェニルプロパン、テトラヒドロキシジ
フェニルプロパン、ジヒドロキシジフェニルヘキサフル
オロプロパン、トリヒドロキシジフェニルヘキサフルオ
ロプロパン、テトラヒドロキシジフェニルヘキサフルオ
ロプロパン、トリフェニルメタントリオール、ジヒドロ
キシフクソン、ナフタレンジオール、ナフタレントリオ
ール、ナフタレンテトラオール、アントラセンジオー
ル、アントラセントリオール、アントラセンテトラオー
ル、フルオレンジオール、フルオレントリオール、フル
オレンテトラオール、フルオレノンジオール、フルオレ
ノントリオール、およびフルオレノンテトラオールなど
が挙げられる。

【００３２】これらの低温硬化促進剤は、ポリアミド酸
の繰返し単位１モル当量に対して０．１モル当量以上、
好ましくは０．２〜４．０モル当量、最も好ましくは
０．５〜２．５モル当量の範囲で用いられる。この理由
は、低温硬化促進剤の配合量が少なすぎる場合には低温
の熱処理ではポリアミド酸のイミド化が不十分で良好な
ポリイミドが得られなくなり、低温硬化促進剤の配合量
が多すぎる場合にはポリイミド前駆体組成物の貯蔵安定
性が悪くなったり、加熱硬化後の低温硬化促進剤の残留
量が多くなり諸特性に悪影響が出る可能性があるためで
ある。

【００３３】本発明において用いられるポリアミド酸
は、下記一般式（ＤＡＨ１）で表されるテトラカルボン
酸二無水物成分０．８〜１．２モル当量と、下記一般式
（ＤＡ１）で表されるジアミン化合物成分０．８〜１．
２モル当量とを重合させたものである。

【００３４】

【化１０】

【００３５】（ただし、一般式（ＤＡＨ１）におけるφ
は４価の有機基、一般式（ＤＡ１）におけるΨは２価の
有機基である。） なお、本発明においてはポリアミド酸の分子量を調整す
るために、その合成に当り必要に応じてジカルボン酸無
水物またはモノアミン化合物を添加してもよい。

【００３６】ポリアミド酸は原理的にはテトラカルボン
酸二無水物成分１モル当量とジアミン化合物成分１モル
当量との重合により得られるものであるが、現実にはテ
トラカルボン酸二無水物成分１モル当量に対してジアミ
ン化合物成分０．８〜１．２モル当量の配合比、または
ジアミン化合物成分１モル当量に対してテトラカルボン
酸二無水物成分０．８〜１．２モル当量の配合比の範囲
であれば目的とするポリアミド酸を得ることができる。

【００３７】一般式（ＤＡＨ１）で表されるテトラカル
ボン酸二無水物において、４価の有機基φは、炭素数１
〜３０の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族
炭化水素基および複素環基、並びに脂肪族炭化水素基、
脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基または複素環基が
直接または架橋基により相互に連結された多環式化合物
基からなる群より選択される。

【００３８】一般式（ＤＡＨ１）で表されるテトラカル
ボン酸二無水物の具体例としては、例えばピロメリト酸
二無水物、３−フルオロピロメリト酸二無水物、３，６
−ジフルオロピロメリト酸二無水物、３−（トリフルオ
ロメチル）ピロメリト酸二無水物、３，６−ビス（トリ
フルオロメチル）ピロメリト酸二無水物、１，２，３，
４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，
４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、３，３”，４，４”−テルフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、３，３''' ，４，４''' −ク
ァテルフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，
３''''，４，４''''−キンクフェニルテトラカルボン酸
二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、メチレン−４，４’−ジフタル酸二無
水物、１，１−エチリデン−４，４’−ジフタル酸二無
水物、２，２−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二
無水物、１，２−エチレン−４，４’−ジフタル酸二無
水物、１，３−トリメチレン−４，４’−ジフタル酸二
無水物、１，４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル
酸二無水物、１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフ
タル酸二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフル
オロ−２，２−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二
無水物、ジフルオロメチレン−４，４’−ジフタル酸二
無水物、１，１，２，２−テトラフルオロ−１，２−エ
チレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，
２，３，３−ヘキサフルオロ−１，３−トリメチレン−
４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，２，３，
３，４，４−オクタフルオロ−１，４−テトラメチレン
−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，２，
３，３，４，４，５，５−デカフルオロ−１，５−ペン
タメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、オキシ−
４，４’−ジフタル酸二無水物、チオ−４，４’−ジフ
タル酸二無水物、スルホニル−４，４’−ジフタル酸二
無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）−１，１，３，３−テトラメチルシロキサン二無水
物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ベ
ンゼン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−
ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無水物、１，４−
ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ベンゼン二無
水物、１，３−ビス［２−（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）−２−プロピル］ベンゼン二無水物、１，４−ビ
ス［２−（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−プロ
ピル］ベンゼン二無水物、ビス［３−（３，４−ジカル
ボキシフェノキシ）フェニル］メタン二無水物、ビス
［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］
メタン二無水物、２，２−ビス［３−（３，４−ジカル
ボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、２，
２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フ
ェニル］プロパン二無水物、２，２−ビス［３−（３，
４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］−１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、
２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフル
オロプロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェノキシ）ジメチルシラン二無水物、１，３−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−
テトラメチルジシロキサン二無水物、２，３，６，７−
ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８
−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，
６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，４，
９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，
３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、
１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無
水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン二無水
物、エチレンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタ
ンテトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−１，
２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサ
ン−１，２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、３，
３’，４，４’−ビシクロヘキシルテトラカルボン酸二
無水物、カルボニル−４，４’−ビス（シクロヘキサン
−１，２−ジカルボン酸）二無水物、メチレン−４，
４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）
二無水物、１，２−エチレン−４，４’−ビス（シクロ
ヘキサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、１，１−
エチリデン−４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２
−ジカルボン酸）二無水物、２，２−プロピリデン−
４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン
酸）二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオ
ロ−２，２−プロピリデン−４，４’−ビス（シクロヘ
キサン−１，２−ジカルボン酸）二無水物、オキシ−
４，４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン
酸）二無水物、チオ−４，４’−ビス（シクロヘキサン
−１，２−ジカルボン酸）二無水物、スルホニル−４，
４’−ビス（シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸）
二無水物、２，２’−ジフルオロ−３，３’，４，４’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、５，５’−ジ
フルオロ−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、６，６’−ジフルオロ−３，３’，
４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，
２’，５，５’，６，６’−ヘキサフルオロ−３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、５，５’−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、６，６’−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、２，２’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメ
チル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、２，２’，６，６’−テトラキス（トリ
フルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、５，５’，６，６’−テトラ
キス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，５，
５’，６，６’−ヘキサキス（トリフルオロメチル）−
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、３，３’−ジフルオロ−オキシ−４，４’−ジフ
タル酸二無水物、５，５’−ジフルオロ−オキシ−４，
４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ジフルオロ−オ
キシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，
５’，６，６’−ヘキサフルオロ−オキシ−４，４’−
ジフタル酸二無水物、３，３’−ビス（トリフルオロメ
チル）−オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，
５’−ビス（トリフルオロメチル）−オキシ−４，４’
−ジフタル酸二無水物、６，６’−ビス（トリフルオロ
メチル）−オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、
３，３’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチ
ル）−オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，
３’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−
オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’，
６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−オキシ
−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，
５’，６，６’−ヘキサキス（トリフルオロメチル）−
オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ジ
フルオロ−スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水
物、５，５’−ジフルオロ−スルホニル−４，４’−ジ
フタル酸二無水物、６，６’−ジフルオロ−スルホニル
−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，
５’，６，６’−ヘキサフルオロ−スルホニル−４，
４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ビス（トリフル
オロメチル）−スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無
水物、５，５’−ビス（トリフルオロメチル）−スルホ
ニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ビス
（トリフルオロメチル）−スルホニル−４，４’−ジフ
タル酸二無水物、３，３’，５，５’−テトラキス（ト
リフルオロメチル）−スルホニル−４，４’−ジフタル
酸二無水物、３，３’，６，６’−テトラキス（トリフ
ルオロメチル）−スルホニル−４，４’−ジフタル酸二
無水物、５，５’，６，６’−テトラキス（トリフルオ
ロメチル）−スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水
物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサキス（トリ
フルオロメチル）−スルホニル−４，４’−ジフタル酸
二無水物、３，３’−ジフルオロ−２，２−パーフルオ
ロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，
５’−ジフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン
−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ジフルオ
ロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジ
フタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘ
キサフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−
４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ビス（トリ
フルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン
−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ビス（ト
リフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデ
ン−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ビス
（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピ
リデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，
５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）−２，２
−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二
無水物、３，３’，６，６’−テトラキス（トリフルオ
ロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，
４’−ジフタル酸二無水物、５，５’，６，６’−テト
ラキス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロ
プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物および
３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサキス（トリフル
オロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−
４，４’−ジフタル酸二無水物、９−フェニル−９−
（トリフルオロメチル）キサンテン−２，３，６，７−
テトラカルボン酸二無水物、９，９−ビス（トリフルオ
ロメチル）キサンテン−２，３，６，７−テトラカルボ
ン酸二無水物およびビシクロ［２，２，２］オクト−７
−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物が
挙げられる。

【００３９】これらのテトラカルボン酸二無水物は単独
で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。テ
トラカルボン酸二無水物は、全酸無水物成分のうち０．
８モル当量以上、好ましくは０．９モル当量以上用いら
れる。この理由は、テトラカルボン酸二無水物の配合量
が少なすぎる場合には、得られるポリイミドの耐熱性が
低下するためである。

【００４０】一般式（ＤＡ１）で表されるジアミン化合
物において、２価の有機基Ψは、炭素数１〜３０の脂肪
族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基お
よび複素環基、並びに脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水
素基、芳香族炭化水素基または複素環基が直接または架
橋基により相互に連結された多環式化合物基からなる群
より選択される。

【００４１】一般式（ＤＡ１）で表されるジアミン化合
物の具体例としては、例えば１，２−フェニレンジアミ
ン、１，３−フェニレンジアミン、１，４−フェニレン
ジアミン、３，３’−ジアミノビフェニル、３，４’−
ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノビフェニル、
３，３”−ジアミノテルフェニル、４，４”−ジアミノ
テルフェニル、３，３''' −ジアミノクァテルフェニ
ル、４，４''' −ジアミノクァテルフェニル、オキシ−
３，３’−ジアニリン、オキシ−４，４’−ジアニリ
ン、チオ−３，３’−ジアニリン、チオ−４，４’−ジ
アニリン、スルホニル−３，３’−ジアニリン、スルホ
ニル−４，４’−ジアニリン、メチレン−３，３’−ジ
アニリン、メチレン−４，４’−ジアニリン、１，２−
エチレン−３，３’−ジアニリン、１，２−エチレン−
４，４’−ジアニリン、２，２−プロピリデン−３，
３’−ジアニリン、２，２−プロピリデン−４，４’−
ジアニリン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ
−２，２−プロピリデン−３，３’−ジアニリン、１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピ
リデン−４，４’−ジアニリン、１，１，２，２，３，
３−ヘキサフルオロ−１，３−プロピレン−３，３’−
ジアニリン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロ
−１，３−プロピレン−４，４’−ジアニリン、１，３
−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（３−アミノフェニルチオ）ベンゼン、１，３−ビス
（４−アミノフェニルチオ）ベンゼン、１，３−ビス
（３−アミノフェニルスルホニル）ベンゼン、１，３−
ビス（４−アミノフェニルスルホニル）ベンゼン、１，
３−ビス［２−（３−アミノフェニル）−２−プロピ
ル］ベンゼン、１，３−ビス［２−（４−アミノフェニ
ル）−２−プロピル］ベンゼン、１，３−ビス［２−
（３−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２−プロピル］ベンゼン、１，３−ビス
［２−（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，
３−ヘキサフルオロ−２−プロピル］ベンゼン、１，４
−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビ
ス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス
（３−アミノフェニルチオ）ベンゼン、１，４−ビス
（４−アミノフェニルチオ）ベンゼン、１，４−ビス
（３−アミノフェニルスルホニル）ベンゼン、１，４−
ビス（４−アミノフェニルスルホニル）ベンゼン、１，
４−ビス［２−（３−アミノフェニル）−２−プロピ
ル］ベンゼン、１，４−ビス［２−（４−アミノフェニ
ル）−２−プロピル］ベンゼン、１，４−ビス［２−
（３−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘ
キサフルオロ−２−プロピル］ベンゼン、１，４−ビス
［２−（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，
３−ヘキサフルオロ−２−プロピル］ベンゼン、２，２
−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−
１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパ
ン、５−フルオロ−１，３−フェニレンジアミン、２−
フルオロ−１，４−フェニレンジアミン、２，５−ジフ
ルオロ−１，４−フェニレンジアミン、２，４，５，６
−ヘキサフルオロ−１，３−フェニレンジアミン、２，
３，５，６−ヘキサフルオロ−１，４−フェニレンジア
ミン、３，３’−ジアミノ−５，５’−ジフルオロビフ
ェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジフルオロビ
フェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジフルオロ
ビフェニル、３，３’−ジアミノ−２，２’，４，
４’，５，５’，６，６’−オクタフルオロビフェニ
ル、４，４’−ジアミノ−２，２’，３，３’，５，
５’，６，６’−オクタフルオロビフェニル、オキシ−
５，５’−ビス（３−フルオロアニリン）、オキシ−
４，４’−ビス（２−フルオロアニリン）、オキシ−
４，４’−ビス（３−フルオロアニリン）、スルホニル
−５，５’−ビス（３−フルオロアニリン）、スルホニ
ル−４，４’−ビス（２−フルオロアニリン）、スルホ
ニル−４，４’−ビス（３−フルオロアニリン）、１，
３−ビス（３−アミノフェノキシ）−５−フルオロベン
ゼン、１，３−ビス（３−アミノ−５−フルオロフェノ
キシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−５−フル
オロフェノキシ）−５−フルオロベンゼン、５−（トリ
フルオロメチル）−１，３−フェニレンジアミン、２−
（トリフルオロメチル）−１，４−フェニレンジアミ
ン、２，５−ビス（トリフルオロメチル）−１，４−フ
ェニレンジアミン、２，２’−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニ
ル、オキシ−５，５’−ビス[３−（トリフルオロメチ
ル）アニリン］、オキシ−４，４’−ビス［２−（トリ
フルオロメチル）アニリン］、オキシ−４，４’−ビス
［３−（トリフルオロメチル）アニリン］、スルホニル
−５，５’−ビス［３−（トリフルオロメチル）アニリ
ン］、スルホニル−４，４’−ビス［２−（トリフルオ
ロメチル）アニリン］、スルホニル−４，４’−ビス
［３−（トリフルオロメチル）アニリン］、１，３−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）−５−（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン、１，３−ビス［３−アミノ−５−（トリ
フルオロメチル）フェノキシ］ベンゼン、１，３−ビス
［３−アミノ−５−（トリフルオロメチル）フェノキ
シ］−５−（トリフルオロメチル）ベンゼン、３，３’
−ビス（トリフルオロメチル）−５，５’−ジアミノビ
フェニル、ビス（３−アミノフェノキシ）ジメチルシラ
ン、ビス（４−アミノフェノキシ）ジメチルシラン、
１，３−ビス（３−アミノフェニル）−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（４−アミ
ノフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サン、メチレンジアミン、１，２−エタンジアミン、
１，３−プロパンジアミン、１，４−ブタンジアミン、
１，５−ペンタンジアミン、１，６−ヘキサンジアミ
ン、１，７−ヘプタンジアミン、１，８−オクタンジア
ミン、１，９−ノナンジアミン、１，１０−デカンジア
ミン、１，２−ビス（３−アミノプロポキシ）エタン、
１，３−ジアミノシクロヘキサン、１，４−ジアミノシ
クロヘキサン、ビス（３−アミノシクロヘキシル）メタ
ン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、１，２
−ビス（３−アミノシクロヘキシル）エタン、１，２−
ビス（４−アミノシクロヘキシル）エタン、２，２−ビ
ス（３−アミノシクロヘキシル）プロパン、２，２−ビ
ス（４−アミノシクロヘキシル）プロパン、ビス（３−
アミノシクロヘキシル）エーテル、ビス（４−アミノシ
クロヘキシル）エーテル、ビス（３−アミノシクロヘキ
シル）スルホン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）ス
ルホン、２，２−ビス（３−アミノシクロヘキシル）−
１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（４−アミノシクロヘキシル）−１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，３−キ
シリレンジアミン、１，４−キシリレンジアミン、１，
８−ジアミノナフタレン、２，７−ジアミノナフタレ
ン、２，６−ジアミノナフタレン、２，５−ジアミノピ
リジン、２，６−ジアミノピリジン、２，５−ジアミノ
ピラジンおよび２，４−ジアミノ−ｓ−トリアジンが挙
げられる。

【００４２】これらのジアミン化合物は単独で用いても
よいし、２種以上混合して用いてもよい。ジアミン化合
物は、全アミン化合物成分のうち０．８モル当量以上、
好ましくは０．９モル当量以上用いられる。この理由
は、ジアミン化合物の配合量が少なすぎる場合には得ら
れるポリイミドの耐熱性が低下するためである。

【００４３】次に、上記一般式（ＤＡＨ１）で表される
テトラカルボン酸二無水物成分および上記一般式（ＤＡ
１）で表されるジアミン化合物成分のうち、特に好まし
いものについて説明する。

【００４４】上記一般式（ＤＡＨ１）で表されるテトラ
カルボン酸二無水物成分のうち特に好ましいものとして
は、下記一般式（ＤＡＨ２）、（ＤＡＨ３）または（Ｄ
ＡＨ４）で表される芳香族テトラカルボン酸二無水物が
挙げられる。

【００４５】

【化１１】

【００４６】（ただし、一般式（ＤＡＨ２）におけるＲ
¹ はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく、フル
オロ基、または非置換もしくはフッ素原子で置換された
脂肪族炭化水素基を示し、ａは０〜２の整数であり、一
般式（ＤＡＨ３）におけるＸは２価のオキシ基、チオ
基、スルホニル基、カルボニル基、パーアルキルポリシ
ロキサニレン基、非置換もしくはフッ素原子で置換され
た脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基または単結合を
示し、Ｒ² およびＲ³ はそれぞれ同一であっても異なっ
ていてもよく、フルオロ基または非置換もしくはフッ素
原子で置換された脂肪族炭化水素基を示し、ｂおよびｃ
は０〜３の整数であり、一般式（ＤＡＨ４）におけるＲ
⁴ 〜Ｒ⁷ はそれぞれ同一であっても異なっていてもよ
く、フルオロ基または非置換もしくはフッ素原子で置換
された脂肪族炭化水素基を示し、ｄおよびｅは０〜２の
整数である。） 一般式（ＤＡＨ２）で表される芳香族テトラカルボン酸
二無水物としては、例えばピロメリト酸二無水物、３−
フルオロピロメリト酸二無水物、３，６−ジフルオロピ
ロメリト酸二無水物、３−（トリフルオロメチル）ピロ
メリト酸二無水物および３，６−ビス（トリフルオロメ
チル）ピロメリト酸二無水物が挙げられる。

【００４７】一般式（ＤＡＨ３）で表される芳香族テト
ラカルボン酸二無水物としては、例えば３，３’，４，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、メチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１
−エチリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、２，２
−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，
２−エチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３
−トリメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，
４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水物、
１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフタル酸二無水
物、３，３”，４，４”−テルフェニルテトラカルボン
酸二無水物、３，３''' ，４，４''' −クァテルフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、３，３''''，４，４''''
−キンクフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピリデ
ン−４，４’−ジフタル酸二無水物、ジフルオロメチレ
ン−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，１，２，２−
テトラフルオロ−１，２−エチレン−４，４’−ジフタ
ル酸二無水物、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオ
ロ−１，３−トリメチレン−４，４’−ジフタル酸二無
水物、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオ
ロ−１，４−テトラメチレン−４，４’−ジフタル酸二
無水物、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デ
カフルオロ−１，５−ペンタメチレン−４，４’−ジフ
タル酸二無水物、オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水
物、チオ−４，４’−ジフタル酸二無水物、スルホニル
−４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−ビス（３，
４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラ
メチルシロキサン二無水物、２，２’−ジフルオロ−
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、５，５’−ジフルオロ−３，３’，４，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、６，６’−ジフル
オロ−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物、２，２’，５，５’，６，６’−ヘキサフ
ルオロ−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）
−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二
無水物、５，５’−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、６，６’−ビス（トリフルオロメチル）−３，
３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、２，２’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメ
チル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物、２，２’，６，６’−テトラキス（トリ
フルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物、５，５’，６，６’−テトラ
キス（トリフルオロメチル）−３，３’，４，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，５，
５’，６，６’−ヘキサキス（トリフルオロメチル）−
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物、３，３’−ジフルオロ−オキシ−４，４’−ジフ
タル酸二無水物、５，５’−ジフルオロ−オキシ−４，
４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ジフルオロ−オ
キシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，
５’，６，６’−ヘキサフルオロ−オキシ−４，４’−
ジフタル酸二無水物、３，３’−ビス（トリフルオロメ
チル）−オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，
５’−ビス（トリフルオロメチル）−オキシ−４，４’
−ジフタル酸二無水物、６，６’−ビス（トリフルオロ
メチル）−オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、
３，３’，５，５’−テトラキス（トリフルオロメチ
ル）−オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，
３’，６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−
オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’，
６，６’−テトラキス（トリフルオロメチル）−オキシ
−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，
５’，６，６’−ヘキサキス（トリフルオロメチル）−
オキシ−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ジ
フルオロ−スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水
物、５，５’−ジフルオロ−スルホニル−４，４’−ジ
フタル酸二無水物、６，６’−ジフルオロ−スルホニル
−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，５，
５’，６，６’−ヘキサフルオロ−スルホニル−４，
４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ビス（トリフル
オロメチル）−スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無
水物、５，５’−ビス（トリフルオロメチル）−スルホ
ニル−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ビス
（トリフルオロメチル）−スルホニル−４，４’−ジフ
タル酸二無水物、３，３’，５，５’−テトラキス（ト
リフルオロメチル）−スルホニル−４，４’−ジフタル
酸二無水物、３，３’，６，６’−テトラキス（トリフ
ルオロメチル）−スルホニル−４，４’−ジフタル酸二
無水物、５，５’，６，６’−テトラキス（トリフルオ
ロメチル）−スルホニル−４，４’−ジフタル酸二無水
物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサキス（トリ
フルオロメチル）−スルホニル−４，４’−ジフタル酸
二無水物、３，３’−ジフルオロ−２，２−パーフルオ
ロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，
５’−ジフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン
−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ジフルオ
ロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジ
フタル酸二無水物、３，３’，５，５’，６，６’−ヘ
キサフルオロ−２，２−パーフルオロプロピリデン−
４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’−ビス（トリ
フルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン
−４，４’−ジフタル酸二無水物、５，５’−ビス（ト
リフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデ
ン−４，４’−ジフタル酸二無水物、６，６’−ビス
（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロプロピ
リデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、３，３’，
５，５’−テトラキス（トリフルオロメチル）−２，２
−パーフルオロプロピリデン−４，４’−ジフタル酸二
無水物、３，３’，６，６’−テトラキス（トリフルオ
ロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−４，
４’−ジフタル酸二無水物、５，５’，６，６’−テト
ラキス（トリフルオロメチル）−２，２−パーフルオロ
プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水物および
３，３’，５，５’，６，６’−ヘキサキス（トリフル
オロメチル）−２，２−パーフルオロプロピリデン−
４，４’−ジフタル酸二無水物が挙げられる。

【００４８】一般式（ＤＡＨ４）で表される芳香族テト
ラカルボン酸二無水物としては、例えば９−フェニル−
９−（トリフルオロメチル）キサンテン−２，３，６，
７−テトラカルボン酸二無水物、９，９−ビス（トリフ
ルオロメチル）キサンテン−２，３，６，７−テトラカ
ルボン酸二無水物が挙げられる。

【００４９】これらの芳香族テトラカルボン酸二無水物
は単独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよ
い。一般式（ＤＡＨ２）〜（ＤＡＨ４）で表される芳香
族テトラカルボン酸二無水物を用いた場合、得られるポ
リイミドはガラス転移点や分解温度が高くなり、したが
って高耐熱性を示すので好ましい。これらの芳香族テト
ラカルボン酸二無水物は、全酸無水物成分のうち好まし
くは０．８モル当量以上、さらに好ましくは０．９当量
以上用いられる。この理由は、こうした芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物の配合量が少なすぎる場合には得られ
るポリイミドの耐熱性が低下するおそれがあるためであ
る。

【００５０】さらに、耐熱性、環境安定性および低誘電
率特性の面から、上記一般式（ＤＡＨ２）〜（ＤＡＨ
４）で表される芳香族テトラカルボン酸二無水物のうち
特に好ましいものとしては、ピロメリト酸二無水物、３
−（トリフルオロメチル）ピロメリト酸二無水物、３，
６−ビス（トリフルオロメチル）ピロメリト酸二無水
物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、３，３”，４，４”−テルフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、３，３''' ，４，４'''
−クァテルフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピ
リデン−４，４’−ジフタル酸二無水物、オキシ−４，
４’−ジフタル酸二無水物、−２，２−スルホニル−
４，４’−ジフタル酸二無水物、１，３−ビス（３，４
−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメ
チルシロキサン二無水物、９−フェニル−９−（トリフ
ルオロメチル）キサンテン−２，３，６，７−テトラカ
ルボン酸二無水物および９，９−ビス（トリフルオロメ
チル）キサンテン−２，３，６，７−テトラカルボン酸
二無水物が挙げられる。

【００５１】上記一般式（ＤＡ１）で表されるジアミン
化合物成分のうち好ましいものとしては、下記一般式
（ＤＡ２）で表される芳香族ジアミン化合物が挙げられ
る。

【００５２】

【化１２】

【００５３】（ただし、一般式（ＤＡ２）におけるＹは
２価のオキシ基、チオ基、スルホニル基、カルボニル
基、パーアルキルポリシロキサニレン基、非置換もしく
はフッ素原子で置換された脂肪族炭化水素基または単結
合を示し、Ｒ⁸ およびＲ⁹ はそれぞれ同一であっても異
なっていてもよく、フルオロ基または非置換もしくはフ
ッ素原子で置換された脂肪炭化水素基を示し、ｆおよび
ｇは０〜４の整数、ｈは０〜６の整数である。） 一般式（ＤＡ２）で表される芳香族ジアミン化合物の具
体例としては、例えば１，２−フェニレンジアミン、
１，３−フェニレンジアミン、１，４−フェニレンジア
ミン、３，３’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジア
ミノビフェニル、４，４’−ジアミノビフェニル、１，
３−フェニレン−３，３’−ジアニリン、１，３−フェ
ニレン−４，４’−ジアニリン、１，４−フェニレン−
３，３’−ジアニリン、１，４−フェニレン−４，４’
−ジアニリン、オキシ−３，３’−ジアニリン、オキシ
−４，４’−ジアニリン、チオ−３，３’−ジアニリ
ン、チオ−４，４’−ジアニリン、スルホニル−３，
３’−ジアニリン、スルホニル−４，４’−ジアニリ
ン、メチレン−３，３’−ジアニリン、メチレン−４，
４’−ジアニリン、１，２−エチレン−３，３’−ジア
ニリン、１，２−エチレン−４，４’−ジアニリン、
２，２−プロピリデン−３，３’−ジアニリン、２，２
−プロピリデン−４，４’−ジアニリン、１，１，１，
３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピリデン−
３，３’−ジアニリン、１，１，１，３，３，３−ヘキ
サフルオロ−２，２−プロピリデン−４，４’−ジアニ
リン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロ−１，
３−プロピレン−３，３’−ジアニリン、１，１，２，
２，３，３−ヘキサフルオロ−１，３−プロピレン−
４，４’−ジアニリン、１，３−ビス（３−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェニルチ
オ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェニルチ
オ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェニルスル
ホニル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェニル
スルホニル）ベンゼン、１，３−ビス［２−（３−アミ
ノフェニル）−２−プロピル］ベンゼン、１，３−ビス
［２−（４−アミノフェニル）−２−プロピル］ベンゼ
ン、１，３−ビス［２−（３−アミノフェニル）−１，
１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル］
ベンゼン、１，３−ビス［２−（４−アミノフェニル）
−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロ
ピル］ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェニルチオ）ベ
ンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェニルチオ）ベン
ゼン、１，４−ビス（３−アミノフェニルスルホニル）
ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェニルスルホニ
ル）ベンゼン、１，４−ビス［２−（３−アミノフェニ
ル）−２−プロピル］ベンゼン、１，４−ビス［２−
（４−アミノフェニル）−２−プロピル］ベンゼン、
１，４−ビス［２−（３−アミノフェニル）−１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル］ベン
ゼン、１，４−ビス［２−（４−アミノフェニル）−
１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピ
ル］ベンゼン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノ
キシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフ
ルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサ
フルオロプロパン、５−フルオロ−１，３−フェニレン
ジアミン、２−フルオロ−１，４−フェニレンジアミ
ン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンジアミ
ン、２，４，５，６−ヘキサフルオロ−１，３−フェニ
レンジアミン、２，３，５，６−ヘキサフルオロ−１，
４−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノ−５，
５’−ジフルオロビフェニル、４，４’−ジアミノ−
２，２’−ジフルオロビフェニル、４，４’−ジアミノ
−３，３’−ジフルオロビフェニル、３，３’−ジアミ
ノ−２，２’，４，４’，５，５’，６，６’−オクタ
フルオロビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’，
３，３’，５，５’，６，６’−オクタフルオロビフェ
ニル、オキシ−５，５’−ビス（３−フルオロアニリ
ン）、オキシ−４，４’−ビス（２−フルオロアニリ
ン）、オキシ−４，４’−ビス（３−フルオロアニリ
ン）、スルホニル−５，５’−ビス（３−フルオロアニ
リン）、スルホニル−４，４’−ビス（２−フルオロア
ニリン）、スルホニル−４，４’−ビス（３−フルオロ
アニリン）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）−
５−フルオロベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−５
−フルオロフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−
アミノ−５−フルオロフェノキシ）−５−フルオロベン
ゼン、５−（トリフルオロメチル）−１，３−フェニレ
ンジアミン、２−（トリフルオロメチル）−１，４−フ
ェニレンジアミン、２，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）−１，４−フェニレンジアミン、２，２’−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニ
ル、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’
−ジアミノビフェニル、オキシ−５，５’−ビス［３−
（トリフルオロメチル）アニリン］、オキシ−４，４’
−ビス［２−（トリフルオロメチル）アニリン］、オキ
シ−４，４’−ビス［３−（トリフルオロメチル）アニ
リン］、スルホニル−５，５’−ビス［３−（トリフル
オロメチル）アニリン］、スルホニル−４，４’−ビス
［２−（トリフルオロメチル）アニリン］、スルホニル
−４，４’−ビス［３−（トリフルオロメチル）アニリ
ン］、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）−５−
（トリフルオロメチル）ベンゼン、１，３−ビス［３−
アミノ−５−（トリフルオロメチル）フェノキシ］ベン
ゼン、１，３−ビス［３−アミノ−５−（トリフルオロ
メチル）フェノキシ］−５−（トリフルオロメチル）ベ
ンゼン、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）−５，
５’−ジアミノビフェニル、ビス（３−アミノフェノキ
シ）ジメチルシラン、ビス（４−アミノフェノキシ）ジ
メチルシラン、１，３−ビス（３−アミノフェニル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−
ビス（４−アミノフェニル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサンなどが挙げられる。

【００５４】これらのジアミン化合物は単独で用いても
よいし、２種以上混合して用いてもよい。一般式（ＤＡ
２）で表される芳香族ジアミン化合物を用いた場合、得
られるポリイミドはガラス転移点や分解温度が高くな
り、したがって高耐熱性を示すので好ましい。これらの
芳香族ジアミン化合物は、全アミン化合物成分のうち好
ましくは０．８モル当量以上、さらに好ましくは０．９
当量以上用いられる。この理由は、こうした芳香族ジア
ミン化合物の配合量が少なすぎる場合には得られるポリ
イミドの耐熱性が低下するおそれがあるためである。

【００５５】また、耐熱性、環境安定性および低誘電率
特性の面から、上記一般式（ＤＡ２）で表される芳香族
ジアミン化合物のうち好ましいものとしては、１，３−
フェニレンジアミン、１，４−フェニレンジアミン、
３，３’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノビ
フェニル、３，３”−ジアミノテルフェニル、４，４”
−ジアミノテルフェニル、３，３''' −ジアミノクァテ
ルフェニル、４，４'''−ジアミノクァテルフェニル、
オキシ−３，３’−ジアニリン、オキシ−４，４’−ジ
アニリン、スルホニル−３，３’−ジアニリン、スルホ
ニル−４，４’−ジアニリン、メチレン−３，３’−ジ
アニリン、メチレン−４，４’−ジアニリン、２，２−
プロピリデン−３，３’−ジアニリン、２，２−プロピ
リデン−４，４’−ジアニリン、１，１，１，３，３，
３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピリデン−３，３’
−ジアニリン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオ
ロ−２，２−プロピリデン−４，４’−ジアニリン、
１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，
３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−
ビス［２−（３−アミノフェニル）−２−プロピル］ベ
ンゼン、１，３−ビス［２−（４−アミノフェニル）−
２−プロピル］ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ベンゼン、１，４−ビス［２−（３−アミノフェ
ニル）−２−プロピル］ベンゼン、１，４−ビス［２−
（４−アミノフェニル）−２−プロピル］ベンゼン、
２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパ
ン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロ
パン、５−フルオロ−１，３−フェニレンジアミン、２
−フルオロ−１，４−フェニレンジアミン、２，５−ジ
フルオロ−１，４−フェニレンジアミン、２，４，５，
６−ヘキサフルオロ−１，３−フェニレンジアミン、
２，３，５，６−ヘキサフルオロ−１，４−フェニレン
ジアミン、３，３’−ジアミノ−５，５’−ジフルオロ
ビフェニル、４，４’−ジアミノ−２，２’−ジフルオ
ロビフェニル、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジフル
オロビフェニル、３，３’−ジアミノ−２，２’，４，
４’，５，５’，６，６’−オクタフルオロビフェニ
ル、４，４’−ジアミノ−２，２’，３，３’，５，
５’，６，６’−オクタフルオロビフェニル、５−（ト
リフルオロメチル）−１，３−フェニレンジアミン、２
−（トリフルオロメチル）−１，４−フェニレンジアミ
ン、２，５−ビス（トリフルオロメチル）−１，４−フ
ェニレンジアミン、２，２’−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ビス
（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニ
ル、オキシ−５，５’−ビス［３−（トリフルオロメチ
ル）アニリン］、オキシ−４，４’−ビス［２−（トリ
フルオロメチル）アニリン］、オキシ−４，４’−ビス
［３−（トリフルオロメチル）アニリン］、スルホニル
−５，５’−ビス［３−（トリフルオロメチル）アニリ
ン］、スルホニル−４，４’−ビス［２−（トリフルオ
ロメチル）アニリン］、スルホニル−４，４’−ビス
［３−（トリフルオロメチル）アニリン］、１，３−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）−５−（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン、１，３−ビス［３−アミノ−５−（トリ
フルオロメチル）フェノキシ］ベンゼン、１，３−ビス
［３−アミノ−５−（トリフルオロメチル）フェノキ
シ］−５−（トリフルオロメチル）ベンゼン、３，３’
−ビス（トリフルオロメチル）−５，５’−ジアミノビ
フェニルが挙げられる。

【００５６】さらに、上記一般式（ＤＡ２）で表される
ジアミン化合物のうち特に好ましいものとして、下記一
般式（ＤＡ３）で表される芳香族ジアミン化合物が挙げ
られる。

【００５７】

【化１３】

【００５８】（ただし、一般式（ＤＡ３）におけるＺは
２価のオキシ基、チオ基、スルホニル基、カルボニル
基、パーアルキルポリシロキサニレン基、非置換もしく
はフッ素原子で置換された脂肪族炭化水素基または単結
合を示し、Ｒ¹⁰〜Ｒ¹²はそれぞれ同一であっても異なっ
ていてもよく、フルオロ基または非置換もしくはフッ素
原子で置換された脂肪族炭化水素基を示し、ｉは１〜６
の整数、ｊは０〜４の整数、ｋは０または１、ｌ、ｍお
よびｎは０〜４の整数である。） 一般式（ＤＡ３）で表される芳香族ジアミン化合物は、
（１）１つのベンゼン環を有し、２つのアミノ基がこの
ベンゼン環に、互いにメタ位において結合した構造を有
する芳香族ジアミン化合物、および（２）２つ以上のベ
ンゼン環を有し、２つのアミノ基がそれぞれ末端のベン
ゼン環に、その末端のベンゼン環の他のベンゼン環への
結合部位から見てメタ位において結合した構造を有する
芳香族ジアミン化合物を含む。

【００５９】上記一般式（ＤＡ３）で表される、メタ位
にアミノ基を有する芳香族ジアミン化合物の具体例とし
ては、例えば１，３−フェニレンジアミン、３，３’−
ジアミノビフェニル、１，３−フェニレン−３，３’−
ジアニリン、１，４−フェニレン−３，３’−ジアニリ
ン、オキシ−３，３’−ジアニリン、チオ−３，３’−
ジアニリン、スルホニル−３，３’−ジアニリン、メチ
レン−３，３’−ジアニリン、１，２−エチレン−３，
３’−ジアニリン、２，２−プロピリデン−３，３’−
ジアニリン、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ
−２，２−プロピリデン−３，３’−ジアニリン、１，
１，２，２，３，３−ヘキサフルオロ−１，３−プロピ
レン−３，３’−ジアニリン、１，３−ビス（３−アミ
ノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフ
ェニルチオ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェ
ニルスルホニル）ベンゼン、１，３−ビス［２−（３−
アミノフェニル）−２−プロピル］ベンゼン、１，３−
ビス［２−（３−アミノフェニル）−１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル］ベンゼン、
１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，
４−ビス（３−アミノフェニルチオ）ベンゼン、１，４
−ビス（３−アミノフェニルスルホニル）ベンゼン、
１，４−ビス［２−（３−アミノフェニル）−２−プロ
ピル］ベンゼン、１，４−ビス［２−（３−アミノフェ
ニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２
−プロピル］ベンゼン、２，２−ビス［４−（３−アミ
ノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−
ヘキサフルオロプロパン、５−フルオロ−１，３−フェ
ニレンジアミン、２，４，５，６−ヘキサフルオロ−
１，３−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノ−
５，５’−ジフルオロビフェニル、３，３’−ジアミノ
−２，２’，４，４’，５，５’，６，６’−オクタフ
ルオロビフェニル、オキシ−５，５’−ビス（３−フル
オロアニリン）、スルホニル−５，５’−ビス（３−フ
ルオロアニリン）、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）−５−フルオロベンゼン、１，３−ビス（３−アミ
ノ−５−フルオロフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス
（３−アミノ−５−フルオロフェノキシ）−５−フルオ
ロベンゼン、５−（トリフルオロメチル）−１，３−フ
ェニレンジアミン、オキシ−５，５’−ビス［３−（ト
リフルオロメチル）アニリン］、スルホニル−５，５’
−ビス［３−（トリフルオロメチル）アニリン］、１，
３−ビス（３−アミノフェノキシ）−５−（トリフルオ
ロメチル）ベンゼン、１，３−ビス［３−アミノ−５−
（トリフルオロメチル）フェノキシ］ベンゼン、１，３
−ビス［３−アミノ−５−（トリフルオロメチル）フェ
ノキシ］−５−（トリフルオロメチル）ベンゼン、３，
３’−ビス（トリフルオロメチル）−５，５’−ジアミ
ノビフェニル、ビス（３−アミノフェノキシ）ジメチル
シラン、１，３−ビス（３−アミノフェニル）−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサンなどが挙げられ
る。

【００６０】これらのジアミン化合物は単独で用いても
よいし、２種以上混合して用いてもよい。上記一般式
（ＤＡ３）で表される、メタ位にアミノ基を有する芳香
族ジアミン化合物を用いた場合、得られるポリイミドは
大気中に放置しても吸湿分解し難く、特に環境安定性に
優れている。これらのメタ位にアミノ基を有する芳香族
ジアミン化合物は、全ジアミン化合物成分のうち好まし
くは０．４モル当量以上、さらに好ましくは０．６モル
当量以上用いられる。この理由は、これらのメタ位にア
ミノ基を有する芳香族ジアミン化合物の配合量が少なす
ぎる場合には、得られるポリイミドの環境安定性（耐吸
湿分解性）が低下するおそれがあるためである。

【００６１】さらに、耐熱性、環境安定性および低誘電
率特性の面から、上記一般式（ＤＡ３）で表される、メ
タ位にアミノ基を有する芳香族ジアミン化合物のうち特
に好ましいものとしては、例えば１，３−フェニレンジ
アミン、３，３’−ジアミノビフェニル、１，３−フェ
ニレン−３，３’−ジアニリン、１，４−フェニレン−
３，３’−ジアニリン、オキシ−３，３’−ジアニリ
ン、スルホニル−３，３’−ジアニリン、２，２−プロ
ピリデン−３，３’−ジアニリン、１，１，１，３，
３，３−ヘキサフルオロ−２，２−プロピリデン−３，
３’−ジアニリン、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）
ベンゼン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフル
オロプロパン、５−フルオロ−１，３−フェニレンジア
ミン、２，４，５，６−ヘキサフルオロ−１，３−フェ
ニレンジアミン、３，３’−ジアミノ−５，５’−ジフ
ルオロビフェニル、３，３’−ジアミノ−２，２’，
４，４’，５，５’，６，６’−オクタフルオロビフェ
ニル、５−（トリフルオロメチル）−１，３−フェニレ
ンジアミン、オキシ−５，５’−ビス［３−（トリフル
オロメチル）アニリン］、スルホニル−５，５’−ビス
［３−（トリフルオロメチル）アニリン］、１，３−ビ
ス（３−アミノフェノキシ）−５−（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン、１，３−ビス［３−アミノ−５−（トリ
フルオロメチル）フェノキシ］ベンゼン、１，３−ビス
［３−アミノ−５−（トリフルオロメチル）フェノキ
シ］−５−（トリフルオロメチル）ベンゼン、３，３’
−ビス（トリフルオロメチル）−５，５’−ジアミノビ
フェニルが挙げられる。

【００６２】また、本発明においては、上述したジアミ
ン化合物とともに下記一般式（ＤＡ４）で表されるジア
ミン化合物、すなわちビス（アミノアルキル）パーアル
キルポリシロキサン化合物を併用してもよい。

【００６３】

【化１４】

【００６４】（ただし、一般式（ＤＡ４）においてＲ¹³
〜Ｒ¹⁶はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数
１〜５のアルキル基を示し、ｑおよびｒは１〜１０の整
数であり、ｐは正の整数である。） 上記一般式（ＤＡ４）で表されるビス（アミノアルキ
ル）パーアルキルポリシロキサン化合物の具体例として
は、例えば１，３−ビス（アミノメチル）−１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（２
−アミノエチル）−１，１，３，３−テトラメチルジシ
ロキサン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス
（４−アミノブチル）−１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサン、１，３−ビス（５−アミノペンチル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−
ビス（６−アミノヘキシル）−１，１，３，３−テトラ
メチルジシロキサン、１，３−ビス（７−アミノヘプチ
ル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、
１，３−ビス（８−アミノオクチル）−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（１０−ア
ミノデシル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サン、１，５−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，
３，３，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン、１，７
−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，５，
５，７，７−オクタメチルテトラシロキサン、１，１１
−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３，５，
５，７，７，９，９，１１，１１−ドデカメチルヘキサ
シロキサン、１，１５−ビス（３−アミノプロピル）−
１，１，３，３，５，５，７，７，９，９，１１，１
１，１３，１３，１５，１５−ヘキサデカメチルオクタ
シロキサン、１，１９−ビス（３−アミノプロピル）−
１，１，３，３，５，５，７，７，９，９，１１，１
１，１３，１３，１５，１５，１７，１７，１９，１９
−エイコサメチルデカシロキサンが挙げられる。

【００６５】上記一般式（ＤＡ４）で表されるビス（ア
ミノアルキル）パーアルキルポリシロキサン化合物は、
例えばガラス基板やシリコンなどの半導体基板上に形成
されるポリイミドの密着性および接着性を向上させる効
果を有する。これらの化合物は、全ジアミン化合物成分
のうち０．０２〜０．１モル当量混合して使用すること
が好ましい。これは、このような化合物を配合すること
で得られるポリイミドの基板上への密着性および接着性
が向上するものの、過度の配合はポリイミドの耐熱性低
下を招くおそれがあるためである。

【００６６】本発明において、ポリアミド酸の合成に当
り必要に応じて添加されるジカルボン酸無水物は下記一
般式（ＡＨ１）で表される。

【００６７】

【化１５】

【００６８】（ただし、一般式（ＡＨ１）においてαは
２価の有機基を示す。） 一般式（ＡＨ１）で表されるジカルボン酸無水物を用い
る場合、一般式（ＤＡＨ１）で表されるテトラカルボン
酸二無水物（１−ｍ／２）モル当量、一般式（ＡＨ１）
で表されるジカルボン酸無水物ｍモル当量（ただし、ｍ
は０〜０．４）および一般式（ＤＡ１）で表されるジア
ミン化合物成分０．９７〜１．０３モル当量の配合比で
配合することが好ましい。

【００６９】本発明において、ポリアミド酸の合成に当
り必要に応じて添加されるモノアミン化合物は下記一般
式（ＭＡ１）で表される。

【００７０】

【化１６】

【００７１】（ただし、一般式（ＭＡ１）においてβは
１価の有機基を示す。） 一般式（ＭＡ１）で表されるモノアミン化合物を用いる
場合、一般式（ＤＡＨ１）で表されるテトラカルボン酸
二無水物０．９７〜１．０３モル当量、一般式（ＤＡ
１）で表されるジアミン化合物成分（１−ｎ／２）モル
当量および一般式（ＭＡ１）で表されるモノアミン化合
物ｎモル当量（ただし、ｎは０〜０．４）の配合比で配
合することが好ましい。

【００７２】本発明のポリアミド酸を合成する方法は特
に限定されないが、不活性ガス雰囲気において有機極性
溶媒中で無水の条件下に重合させる方法が好ましい。

【００７３】この反応時に用いられる有機極性溶媒とし
ては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメトキシアセトアミド、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ン、Ｎ−メチルカプロラクタム、１，２−ジメトキシエ
タン、１，２−ジエトキシエタン、ビス（２−メトキシ
エチル）エーテル、ビス（２−エトキシエチル）エーテ
ル、１，２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン、ビ
ス［２−（２−メトキシエトキシ）エチル］エーテル、
１−アセトキシ−２−メトキシエタン、１−アセトキシ
−２−エトキシエタン、（２−アセトキシエチル）（２
−メトキシエチル）エーテル、（２−アセトキシエチ
ル）（２−エトキシエチル）エーテル、３−メトキシプ
ロピオン酸メチル、テトラヒドロフラン、１，３−ジオ
キサン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサン、
ピロリン、ピリジン、ピコリン、ジメチルスルホキシ
ド、スルホラン、γ−ブチロラクトン、炭酸プロピレ
ン、フェノール、クレゾール、シクロヘキサノン、アセ
トニルアセトンが挙げられる。これらの有機溶媒は単独
で用いてもよいし、２種以上混合して用いてよい。

【００７４】反応温度は通常−２０〜１００℃、好まし
くは−５〜３０℃である。反応圧力は特に限定されず、
常圧で十分実施できる。反応時間はテトラカルボン酸二
無水物の種類、反応溶媒の種類により異なるが、通常４
〜２４時間で十分である。このとき得られるポリアミド
酸は、３０℃における０．５ｗｔ％−Ｎ−メチル−２−
ピロリドン溶液のインヒーレント粘度（対数粘度数）が
０．３（ｄＬ／ｇ）以上、さらには０．３（ｄＬ／ｇ）
以上３（ｄＬ／ｇ）以下であることが好ましい。この理
由は、ポリアミド酸のインヒーレント粘度が低すぎる、
すなわちポリアミド酸の重合度が低すぎる場合には、高
耐熱性のポリイミドを得ることができなくなるおそれが
あり、ポリアミド酸のインヒーレント粘度が高すぎる、
すなわちポリアミド酸の重合度が高すぎる場合には、そ
の取扱いが困難となるからである。

【００７５】本発明においてポリイミド膜を形成するに
は、上述したポリイミド前駆体組成物の溶液を被覆する
ものの表面上に塗布した後、必要に応じて加熱等の方法
で乾燥し、６０〜４００℃の温度範囲で加熱することに
よりポリイミド前駆体組成物を硬化させる。低温度でポ
リイミド膜を形成するには、上述したポリイミド前駆体
組成物の溶液を基板表面に塗布した後、必要に応じて２
００℃以下の温度で乾燥し、大気中または不活性ガス雰
囲気中において１００〜３００℃、好ましくは１２０〜
３００℃、より好ましくは１５０〜２５０℃の温度範囲
で加熱する（直接加熱）か、または６０〜２５０℃の温
度範囲で加熱（プリベーク）した後６０〜２５０℃、好
ましくは１００〜２５０℃で真空加熱することにより、
ポリイミド前駆体組成物を硬化させる。加熱時間に関し
ては、使用するポリアミド酸や硬化促進剤の種類、加熱
温度、膜厚などによって異なるが、５分〜３時間で十分
である。この熱処理によって塗膜中に残存する溶媒成分
が揮発し、またポリアミド酸のイミド化によるイミド構
造への変化が起こり、さらに蒸発、昇華、分解などによ
り低温硬化促進剤が揮発して、ポリイミド膜が形成され
る。

【００７６】従来のポリアミド酸溶液を用いた場合には
３００℃程度で加熱硬化を行っていたのと比較すると、
本発明では多くの場合２００℃以下という低温での加熱
硬化により良好な物性を有するポリイミド膜を得ること
ができる。なお、加熱硬化温度はポリイミドの用途に応
じて適宜設定することができる。例えば、硬化促進剤の
残留が好ましくない用途では直接加熱温度または真空加
熱温度を比較的高く設定するが、液晶配向膜のように硬
化促進剤が残留してもそれほど影響のない用途では１６
０℃以下の比較的低温で加熱硬化してもよい。

【００７７】本発明のポリイミド前駆体組成物を硬化さ
せてなるポリイミド膜は、各種の電子部品、例えば半導
体素子、高密度プリント配線基板、薄膜磁気ヘッド、磁
気バブルメモリー、太陽電池、サーマルヘッドにおい
て、導体または半導体間の層間絶縁膜、パッシベーショ
ン膜、高耐熱性コーティング膜などの保護膜などとして
適用することができる。この場合、ポリイミド前駆体組
成物の溶液を用いてポリイミド膜を形成することから電
子部品の配線を形成した後に表面を平坦化することがで
きる。また、加熱硬化温度が低温であることから電子部
品に熱応力が発生するのを防止することができる。した
がって、ポリイミド自体の耐熱性、低誘電率などの特徴
に加えて、電子部品の信頼性を向上できる。

【００７８】本発明のポリイミド前駆体組成物を硬化さ
せてなるポリイミド膜は、１対の透明基板表面にそれぞ
れ電極および液晶配向膜を形成し、液晶配向膜を内側に
して互いに対向させ、これらの間隙に液晶を封入した液
晶素子において、液晶配向膜として適用することができ
る。この場合にも、加熱硬化温度を従来より大幅に低温
にすることができるので、表示特性の劣化を抑制するこ
とができる。

【００７９】以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳
細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。

【００８０】（１）ポリアミド酸の合成 表１に示す原料を所定の配合比（モル当量で表示）で用
い、以下のようにしてポリアミド酸を合成した。まず、
アルゴンガス雰囲気下、冷媒により−５℃〜５℃に冷却
したセパラブルフラスコにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド５０ｍＬを入れ、所定量のテトラカルボン酸二無水物
を加えて攪拌しながら溶解した。この溶液に、所定量の
ジアミン化合物をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド５０ｍ
Ｌに溶解した溶液を、圧力平衡管付き滴下漏斗によりゆ
っくりと滴下し、さらに６時間攪拌し、ポリアミド酸Ｐ
ＡＡ１〜ＰＡＡ１０を得た。

【００８１】合成したそれぞれのポリアミド酸の０．５
ｗｔ％Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶液のインヒーレン
ト粘度を３０℃において測定した。これらの結果を表１
に示す。

【００８２】ここで、表１に表記したテトラカルボン酸
二無水物、ジアミン化合物および溶媒の略号は以下の化
合物を示す。

【００８３】（テトラカルボン酸二無水物） ＰＭＡ：ピロメリト酸二無水物 ６ＦＤＰＡ：１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ
−２，２−プロピリデン−４，４’−ジフタル酸二無水
物 ＢＰＴＡ：３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物 ６ＦＸＴＡ：９，９−ビス（トリフルオロメチル）キサ
ンテン−２，３，６，７−テトラカルボン酸二無水物 （ジアミン化合物） ＯＤＡ：オキシ−４，４’−ジアニリン ｍＰＯＤＡ：１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベ
ンゼン ｍ６ＦＤＡ：１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ
−２，２−プロピリデン−３，３’−ジアニリン ｐＴＦＢＡ：４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（ト
リフルオロメチル）ビフェニル ｍＴＦＢＡ：３，３’−ジアミノ−５，５’−ビス（ト
リフルオロメチル）ビフェニル ＴＳＬＤＡ：１，３−ビス（３−アミノプロピル）−
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン （溶媒） ＤＭＡＣ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド

【表１】

【００８４】（２）ポリイミド前駆体組成物の調製 表２〜表１１に示すように、合成したポリアミド酸溶液
に、所定の配合比（ポリアミド酸の繰返し単位１モル当
量に対するモル当量で表示）で硬化促進剤を加え、ポリ
イミド前駆体組成物溶液（ワニス）を調製した。また、
比較のために表１２および表１３に示すように、硬化促
進剤を添加していないポリアミド酸溶液（ワニス）を調
製した。

【００８５】ここで、表２〜表１１に表記した硬化促進
剤の略号は以下の化合物を示す。

【００８６】ＢＩＭ：ベンゾイミダゾール ＩＭＤ：イミダゾール ＴＲＺ：１，２，４−トリアゾール ＰＲＮ：プリン ＱＮＬ：キノリン ＩＱＮ：イソキノリン ＰＴＬ：フタラジン ＰＮＴ：フェナントロリン ＤＰＹ：４，４’−ジピリジル ＨＭＰ：４−ピリジルメタノール ３ＨＰ：３−ヒドロキシピリジン ４ＨＰ：４−ヒドロキシピリジン ＮＣＡ：ニコチンアミド［３−ピリジンカルボンアミ
ド］ ＩＮＡ：イソニコチンアミド［４−ピリジンカルボンア
ミド］ ＨＱＮ：８−ヒドロキシキノリン ＩＮＸ：イソニコチンアルドキシム［4-ピリジンカルバ
ルデヒド＝オキシム］ ＢＧＬ：馬尿酸［Ｎ−ベンゾイルグリシン］ ＡＧＬ：Ｎ−アセチルグリシン ＢＶＲ：Ｎ−ベンゾイルバリン ＡＮＡ：アニリノ酢酸［Ｎ−フェニルグリシン］ ＰＧＮ：フロログルシノール ＰＧＬ：ピロガロール ＥＧＬ：没食子酸エチル ＤＨＡ：３’，５’−ジヒドロキシアセトフェノン ＴＨＡ：２’，３’，４’−トリヒドロキシアセトフェ
ノン ＴＨＢ：２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン ＮＲＳ：２−ニトロレゾルシノール ＨＰＡ：３，３’−ジヒドロキシジフェニルアミン ＮＤＬ：１，６−ジヒドロキシナフタレン ＡＴＬ：１，４，９，１０−テトラヒドロキシアントラ
セン ＡＣＤ：アクリジン ＰＴＤ：フェナントリジン ＢＦＱ：ベンゾ［ｆ］キノリン ＡＩＭ：１−アセチルイミダゾール ４ＨＱ：４−ヒドロキシキノリン ＭＴＲ：２−メルカプト−１，２，４−トリアゾール ＮＭＡ：Ｎ，Ｎ−ジメチルニコチンアミド ＰＰＸ：フェニル−２−ピリジルケトオキシム ＨＰＯ：３−ヒドロキシピリジン−Ｎ−オキシド ＨＱＯ：４−ヒドロキシキノリン−Ｎ−オキシド （３）ポリイミド膜の形成および物性の測定 以下のようにしてポリイミド膜を形成し、各種の物性
（イミド化率、誘電率、分解開始点、吸湿分解ガス量、
液晶配向性）を測定した結果を表２〜表１３に示す。

【００８７】まず、所定の基板上に上記で得られたポリ
イミド前駆体組成物溶液を塗布し、ホットプレート上に
おいて８０℃で１０分間加熱（プリベーク）した後、以
下に示した（Ａ）〜（Ｄ）のいずれかの方法で加熱硬化
して各種測定用のポリイミド膜試料を作製した。

【００８８】（Ａ）ホットプレート上において１２０℃
で１時間加熱した後、真空オーブン中において１００℃
で１時間加熱する。

【００８９】（Ｂ）ホットプレート上において１５０℃
で３０分間加熱した後、真空オーブン中において１００
℃で１時間加熱する。

【００９０】（Ｃ）ホットプレート上において１６０℃
で３０分間加熱する。

【００９１】（Ｄ）窒素カバー付きホットプレート上に
おいて窒素雰囲気として、１５０℃で１時間、２５０℃
で１時間、３５０℃で１時間加熱する。この際、各温度
間の昇温時間は３０分間とする。

【００９２】このようにＡの加熱硬化条件が最も低温で
あり、Ｂ、Ｃ、Ｄの順に加熱硬化条件が高温になってい
る。表２〜表１３には上記の加熱硬化操作をＡ〜Ｄで示
す。

【００９３】また、ポリイミド膜の各種物性は具体的に
は以下のようにして測定した。

【００９４】（ａ）ＩＲ分析（イミド化率の測定） ２ｃｍ角のシリコンウェハー上に、スピンコート法によ
りポリイミド前駆体組成物溶液を硬化後の膜厚が１〜５
μｍとなるように塗布した後、プリベークおよび加熱硬
化を行った。得られた各ポリイミド膜についてＩＲスペ
クトルを測定した。例として、実施例４１、実施例６２
および実施例８９のポリイミド膜のＩＲスペクトルを図
１〜図３に示す。また、各ポリイミド膜のうち同一のポ
リアミド酸を含むグループでＩＲスペクトルのイミド結
合に帰属するピークを比較してイミド化率を求めた。表
２〜表１３には、硬化促進剤を添加していないポリアミ
ド酸溶液を（Ｄ）プロセスで加熱硬化することにより得
られたポリイミド膜のイミド化率を１００％として、そ
の他のポリイミド膜のイミド化率を相対比で示してい
る。

【００９５】（ｂ）誘電率測定 １ｍｍ×１００ｍｍ×１００ｍｍのアルミニウム板上
に、バーコーターを用いてポリイミド前駆体組成物溶液
を硬化後の膜厚が４０〜６０μｍとなるように塗布した
後、プリベークおよび加熱硬化を行った。得られた各ポ
リイミド膜について１０ｋＨｚにおける誘電率を測定し
た。

【００９６】（ｃ）ＴＧ／ＤＴＡ分析（分解開始点の測
定） ６インチのシリコンウェハー上に、スピンコート法によ
りポリイミド前駆体組成物溶液を硬化後の膜厚が約１０
μｍとなるように塗布した後、プリベークおよび加熱硬
化を行った。得られた各ポリイミド膜について、窒素気
流中でＴＧ／ＤＴＡ分析を行い、分解開始点（０．５ｗ
ｔ％の重量減少が生じる温度）を測定した。

【００９７】（ｄ）パイロライザー−ＧＣ−ＭＡＳＳ測
定（吸湿分解ガス量の測定） ４インチのシリコンウェハー上に、スピンコート法によ
りポリイミド前駆体組成物溶液を硬化後の膜厚が０．４
〜１μｍとなるように塗布した後、プリベークおよび加
熱硬化を行った。得られた各ポリイミド膜を、２０℃に
おいて飽和水蒸気下で１週間放置した後、パイロホイル
に導入し、キューリーポイントパイロライザーにより３
５８℃で３秒間加熱し、発生したガス成分をＧＣ−ＭＡ
ＳＳにより分析した。そして、加水分解性ガスであるト
ルエンガスの発生量を、ＭＡＳＳのイオンクロマトのピ
ーク強度をサンプル１ｍｇあたりに換算した値で評価し
た。

【００９８】（ｅ）液晶配向性 酸化インジウム電極をスクリーン印刷したガラス基板上
に、スピンコート法によりポリイミド前駆体組成物溶液
を硬化後の膜厚が０．１μｍとなるように塗布した後、
プリベークおよび加熱硬化を行った。得られたポリイミ
ド膜に対し、ナイロン製の布を巻き付けたロールを有す
るラビングマシーンを用い、ロールの回転数４５０ｒｐ
ｍ、ステージ移動速度１ｃｍ／ｓｅｃでラビング処理し
て配向処理を行った。次に、ラビング処理した液晶配向
膜を有する一対の基板の周縁をガラスビーズ（スペーサ
ー）を含有するエポキシ系接着剤を用いて１５０℃で加
熱圧着して接着剤を硬化させ、セル厚１５μｍの液晶セ
ルを作製した。次いで、液晶注入口よりネマチック型液
晶（メルク社製ＺＬＩ−１５６５）を注入し、光硬化型
エポキシ樹脂で注入口を封止した後、基板の外側の両面
に偏光板を張り合わせてテスト用液晶表示装置を製造し
た。各ポリイミド膜からなる液晶配向膜を有するテスト
用液晶表示装置を用いて液晶の初期配向性を調べた。

【００９９】

【表２】

【０１００】

【表３】

【０１０１】

【表４】

【０１０２】

【表５】

【０１０３】

【表６】

【０１０４】

【表７】

【０１０５】

【表８】

【０１０６】

【表９】

【０１０７】

【表１０】

【０１０８】

【表１１】

【０１０９】

【表１２】

【０１１０】

【表１３】

【０１１１】表２〜表１３において、加熱硬化条件を考
慮して各種物性を比較すると、本発明のポリイミド前駆
体組成物は、低温で十分に硬化させることができ、良好
な物性を示すことがわかる。具体的な評価を以下に示
す。

【０１１２】（ａ）イミド化率の評価 表２〜表１３のイミド化率を比較すると以下のことがわ
かる。硬化促進剤を添加していない比較例のポリアミド
酸溶液では、イミド化率はＡプロセス（硬化温度１２０
℃）ではほぼ０％（比較例１）、Ｂプロセス（硬化温度
１５０℃）では８〜１８％（比較例２〜１９）、Ｃプロ
セス（硬化温度１６０℃）で２４％（比較例２０）であ
る。これに対し、本発明のポリイミド前駆体組成物を用
いた場合には、イミド化率はＡプロセス（硬化温度１２
０℃）でも８８〜９６％（実施例１〜２０、および実施
例９１〜１１０）、Ｂプロセス（硬化温度１５０℃）お
よびＣプロセス（硬化温度１６０℃）ではほとんど１０
０％（実施例２１〜８０および実施例８１〜９０）であ
る。このように本発明のポリイミド前駆体組成物溶液は
低温硬化特性に優れている。

【０１１３】（ｂ）誘電率の評価 表４〜８および表１３の誘電率を比較すると以下のこと
がわかる。Ｂプロセス（硬化温度１５０℃）で硬化した
実施例３１〜８０のポリイミド膜は、高温硬化条件であ
るＤプロセスで硬化した比較例１１〜１９のポリイミド
膜と同等の誘電率を示している。このように本発明のポ
リイミド前駆体組成物溶液は低温硬化しても低誘電率の
ポリイミド膜を得ることができる。

【０１１４】（ｃ）分解開始点の評価 表４〜８および表１３の分解開始点を比較すると以下の
ことがわかる。Ｂプロセス（硬化温度１５０℃）で硬化
した実施例３１〜８０のポリイミド膜と、高温硬化条件
であるＤプロセスで硬化した比較例１１〜１９のポリイ
ミド膜とでは、分解開始点にほとんど差がない。このよ
うに本発明のポリイミド前駆体組成物溶液は低温硬化し
ても良好な耐熱性を有するポリイミド膜を得ることがで
きる。

【０１１５】（ｄ）分解ガス量の評価 表４〜８および表１３の分解ガス量（分解ガスのピーク
強度）を比較すると以下のことがわかる。実施例３１〜
８０のポリイミド膜はＢプロセス（硬化温度１５０℃）
で硬化しているにもかかわらずトルエンガスの発生量が
非常に少ないものが多く、少なくとも同一のポリアミド
酸を含むものどうしで比較すれば高温硬化条件であるＤ
プロセスで硬化した比較例１１〜１９のポリイミド膜よ
りもトルエンガスの発生量が少ない。このように本発明
のポリイミド前駆体組成物溶液を低温硬化したポリイミ
ド膜は分解ガスの発生量が少なく、耐吸湿分解性（環境
安定性）に優れている。

【０１１６】（ｅ）液晶配向性の評価 表９および表１３の液晶配向性を比較すると、比較例２
０では不良であるのに対し、実施例８１〜９０では良好
である。液晶配向性の評価に用いられたテスト用液晶表
示装置はいずれもＣプロセスで硬化したポリイミド液晶
配向膜を有するものであるため、液晶配向性の差はイミ
ド化率の差に起因すると考えられる。

【０１１７】さらに、本発明のポリイミド前駆体組成物
を硬化させてなるポリイミド膜を用い、図４〜図８に示
す各種の電子部品および液晶表示素子を試作した。

【０１１８】図４は本発明に係るポリイミド膜からなる
層間絶縁膜を有する多層配線構造の半導体素子の断面図
である。ここでは実施例４６のポリイミド前駆体組成物
を用いＢプロセスで硬化させたポリイミド膜を層間絶縁
膜として用いた。

【０１１９】図４において、素子部１７が形成されたシ
リコン基板１１表面には熱酸化膜１２が形成されてい
る。この熱酸化膜１２の一部にコンタクトホールが開口
され、その上に１層目のＡｌ配線１３が形成されてい
る。このＡｌ配線１３上にポリイミド膜からなる層間絶
縁層１４が形成されている。この層間絶縁膜１４の一部
にコンタクトホールが開口され、その上に１層目のＡｌ
配線１３と接続する２層目のＡｌ配線１５が形成されて
いる。このＡｌ配線１５上にさらにポリイミド膜からな
る層間絶縁膜１６が形成されている。

【０１２０】上記の層間絶縁膜１４はポリイミド前駆体
組成物溶液をスピンコートした後に硬化して形成するの
で、表面の段差を緩和して平坦化した状態で多層のＡｌ
配線を形成することができ、高信頼性の配線構造を得る
ことができる。また、適当なモノマーを選択すれば、本
発明のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド
膜は低熱膨張性を示す。しかも、低温硬化プロセスで硬
化させるので、熱膨張の小さい温度領域でポリイミド膜
を形成することができる。したがって、半導体素子に加
わる熱応力を小さくでき、ヒートサイクルを受けても素
子のクラックの発生を抑制できる。

【０１２１】図５は本発明に係るポリイミド膜からなる
パッシベーション膜を有する半導体素子の断面図であ
る。ここでは実施例５４のポリイミド前駆体組成物を用
いＢプロセスで硬化させたポリイミド膜をパッシベーシ
ョン膜として用いた。

【０１２２】図５において、タブ２３上に配置されたＬ
ＳＩチップ２１の上には、ボンディングパッド２２が設
けられ、さらにパターニングされたポリイミド膜からな
るパッシベーション膜２５が形成されている。なお、Ｌ
ＳＩチップ２１上のボンディングパッド２２は、ボンデ
ィングワイヤ２６によりリードフレーム２７と接続され
ており、これらは封止剤２８で封止されている。

【０１２３】本発明のポリイミド前駆体組成物から得ら
れるポリイミド膜をパッシベーション膜２５に用いれ
ば、高信頼性の半導体素子が得られ、製造工程における
不良もほとんどない。

【０１２４】図６は本発明に係るポリイミド膜からなる
層間絶縁膜を有する薄膜磁気ヘッドの断面図である。こ
こでは実施例３８のポリイミド前駆体組成物を用いＢプ
ロセスで硬化させたポリイミド膜を層間絶縁膜として用
いた。

【０１２５】図６において、アルチック基板３０表面に
設けられた下部アルミナ３１上に下部磁性体３２および
ギャップアルミナ３３が順次形成されている。このギャ
ップアルミナ３３上に、ポリイミド膜からなる層間絶縁
膜３４に埋設された状態で第１導体コイル３５および第
２導体コイル３６が互いに絶縁されて形成されている。
さらに最外層には上部磁性体３７が形成され、ヘッド端
面でギャップアルミナ３３を挟んで下部磁性体３２およ
び上部磁性体３７が配置される。

【０１２６】上記の層間絶縁膜３４はポリイミド前駆体
組成物溶液をスピンコートした後に硬化して形成するの
で、第１および第２の導体コイル３５および３６により
形成される段差が緩和される。また、層間絶縁膜３４を
平坦化するにはエッチバックを行うが、段差が緩和され
ているのでエッチバック量を従来の約半分にすることが
でき製造工程を短縮できるとともに、層間絶縁膜３４の
膜厚精度も向上する。

【０１２７】図７は本発明に係るポリイミド膜からなる
層間絶縁膜を有するマルチチップモジュールの断面図で
ある。ここでは実施例３２のポリイミド前駆体組成物を
用いＢプロセスで硬化させたポリイミド膜を層間絶縁膜
として用いた。

【０１２８】図７において、シリコン基板４１上には熱
酸化膜４２が形成されている。この熱酸化膜４２上に
は、銅配線４３、ポリイミド膜からなる層間絶縁膜４
４、銅配線４５およびポリイミド膜からなる層間絶縁膜
４６が順次形成されている。さらに、上層の層間絶縁膜
４６の一部にコンタクトホールが開口され、銅配線４３
に接続するＰｂ／Ｓｎ電極４７およびＢＬＭ（Ball Lim
iting Metallization ）４８が形成されている。

【０１２９】上記の層間絶縁膜４４はポリイミド前駆体
組成物溶液をスピンコートした後に硬化して形成するの
で、銅配線による段差を大幅に緩和して平坦化でき、高
信頼性の配線構造を得ることができる。

【０１３０】図８は本発明に係るポリイミド膜からなる
液晶配向膜を有する液晶表示素子の断面図である。ここ
では実施例８９のポリイミド前駆体組成物を用いＣプロ
セスで硬化させたポリイミド膜を液晶配向膜として用い
た。

【０１３１】１対のガラス基板５１の表面にそれぞれ透
明電極５２およびポリイミド膜からなる厚さ２０〜２０
０ｎｍ程度の液晶配向膜５３を形成する。この液晶配向
膜５３を常法に従いラビング処理する。さらに、液晶配
向膜５３が互いに対向するように１対のガラス基板５１
を所定の間隔で配置し、ガラス基板５１、５１の間に液
晶５４を注入することにより液晶セルを形成する。

【０１３２】本発明のポリイミド前駆体組成物を用いた
場合、従来のポリイミド前駆体組成物を用いた場合の硬
化温度（３００℃以上）と比較して低い硬化温度（１０
０〜２００℃）で、従来よりも短い硬化時間（０．５〜
２時間）でイミド化率の高い液晶配向膜５３を形成する
ことができる。したがって本発明では、高温の熱処理に
よって液晶表示装置の表示機能が低下するという問題を
防止できる。

【０１３３】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明のポリイミ
ド前駆体組成物は１００〜２００℃という低温でイミド
化することが可能であり、これを硬化することにより得
られるポリイミド膜は誘電率および吸湿性が低く、かつ
耐熱性および環境安定性（耐吸湿分解性）に優れてい
る。さらに、本発明のポリイミド前駆体組成物を用いれ
ば、誘電率特性、耐湿性、耐熱性、耐環境安定性に優れ
たポリイミドからなる絶縁膜、保護膜または液晶配向膜
を有し、高速動作および省電力を実現でき、しかも信頼
性の高い電子部品や液晶素子を提供できる。したがって
特に、ＩＣ、ＬＳＩのキャリヤーフィルム、フラットケ
ーブル、フレキシブルプリント基板、ＬＳＩの配線絶縁
膜、ＬＳＩの耐湿保護膜、ＬＳＩのα線遮断膜、フィル
ム絶縁コイル、半導体のパッシベーション膜、ポリイミ
ド絶縁膜を有する金属芯プリント板、薄膜磁気ヘッド層
間絶縁膜、磁気バブルメモリー素子層間絶縁膜、ガラス
クロス積層板、サーマルヘッドの高耐熱性コーティング
膜、液晶表示素子の液晶配向膜などに有用である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例２１で形成されたポリイミド膜
のＩＲスペクトル図。

【図２】本発明の実施例４２で形成されたポリイミド膜
のＩＲスペクトル図。

【図３】本発明の実施例８９で形成されたポリイミド膜
のＩＲスペクトル図。

【図４】本発明に係るポリイミド膜からなる層間絶縁膜
を有する多層配線構造の半導体素子の断面図。

【図５】本発明に係るポリイミド膜からなるパッシベー
ション膜を有する半導体素子の断面図。

【図６】本発明に係るポリイミド膜からなる層間絶縁膜
を有する薄膜磁気ヘッドの断面図。

【図７】本発明に係るポリイミド膜からなる層間絶縁膜
を有するマルチチップモジュールの断面図。

【図８】本発明に係るポリイミド膜からなる液晶配向膜
を有する液晶表示素子の断面図。

【符号の説明】

１１…シリコン基板 １２…熱酸化膜 １３、１５…Ａｌ配線 １４、１６…ポリイミド膜からなる層間絶縁膜 ２１…ＬＳＩチップ ２２…ボンディングパッド ２３…タブ ２５…パッシベーション膜 ２６…ボンディングワイヤ ２７…リードフレーム ２８…封止剤 ３０…アルチック基板 ３１…下部アルミナ ３２…下部磁性体 ３３…ギャップアルミナ ３４…ポリイミド膜からなる層間絶縁膜 ３５…第１導体コイル ３６…第２導体コイル ３７…上部磁性体 ４１…シリコン基板 ４３、４５…銅配線 ４４、４６…ポリイミド膜からなる層間絶縁膜 ４７…Ｐｂ／Ｓｎ電極 ４８…ＢＬＭ（Ball Limiting Metallization） ５１…ガラス基板 ５２…透明電極 ５３…ポリイミド膜からなる液晶配向膜 ５４…液晶

フロントページの続き (72)発明者 真竹 茂 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（ＰＡ）で表わされる繰り返
   し単位を有するポリアミド酸と、水溶液中のプロトン錯
   体の酸解離定数ｐＫａが０〜８である置換もしくは非置
   換の含窒素複素環化合物およびこれらの含窒素化合物の
   Ｎ−オキシド化合物（ＡＣ１）、置換もしくは非置換の
   アミノ酸化合物（ＡＣ２）、並びに分子量が１０００以
   下である少なくとも２個以上のヒドロキシル基を有する
   芳香族炭化水素化合物または芳香族複素環化合物（ＡＣ
   ３）からなる群より選択される少なくとも１種の硬化促
   進剤とを含有することを特徴とするポリイミド前駆体組
   成物。 【化１】 （ここで、φは４価の有機基、Ψは２価の有機基、Ｒは
   置換または非置換の炭化水素基、有機ケイ素基または水
   素原子を表わす。）
2. 【請求項２】 前記一般式（ＰＡ）で表わされるポリア
   ミド酸は、下記一般式（ＤＡＨ１）で表わされるテトラ
   カルボン酸二無水物成分（１−ｍ／２）モル当量と、下
   記一般式（ＤＡ）で表わされるジアミン化合物成分０．
   ９７〜１．０３モル当量と、下記一般式（ＡＨ１）で表
   わされるジカルボン酸成分ｍモル当量（ただし、ｍは０
   〜０．４）とを混合し、無水条件下に不活性ガス雰囲気
   中、有機極性溶媒中で−２０℃〜１００℃で重合させた
   ものである請求項１に記載のポリイミド前駆体組成物。 【化２】 （ここで、一般式（ＤＡＨ１）におけるφは４価の有機
   基、一般式（ＤＡ１）におけるΨは２価の有機基であ
   り、一般式（ＡＨ１）におけるαは２価の有機基であ
   る。）
3. 【請求項３】 前記一般式（ＰＡ）で表わされるポリア
   ミド酸は、下記一般式（ＤＡＨ１）で表わされるテトラ
   カルボン酸二無水物成分０．９７〜１．０３モル当量
   と、下記一般式（ＤＡ１）で表わされるジアミン化合物
   成分（１−ｎ／２）モル当量と、下記一般式（ＭＡ１）
   で表わされるジアミン成分ｎモル当量（ただし、ｎは０
   〜０．４）とを混合し、無水条件下に不活性ガス雰囲気
   中、有機極性溶媒中で−２０℃〜１００℃で重合させた
   ものである請求項１に記載のポリイミド前駆体組成物。 【化３】 （ここで、一般式（ＤＡＨ１）におけるφは４価の有機
   基、一般式（ＤＡ１）におけるΨは２価の有機基であ
   り、一般式（ＭＡ１）におけるβは１価の有機基であ
   る。）
4. 【請求項４】 前記一般式（ＤＡＨ１）で表わされるテ
   トラカルボン酸二無水物は、下記一般式（ＤＡＨ２）、
   （ＤＡＨ３）および（ＤＡＨ４）で表わされる化合物か
   らなる群から選択される少なくとも１種である請求項２
   または３に記載にポリイミド前駆体組成物。 【化４】 （ここで、一般式（ＤＡＨ２）におけるＲ¹ は同一でも
   異なっていてもよく、フルオロ基、または非置換もしく
   はフッ素原子で置換された脂肪族炭化水素基を示し、ａ
   は０〜２の整数である。一般式（ＤＡＨ３）におけるＸ
   は２価のオキシ基チオ基、スルホニル基、カルボニル
   基、パーアルキルポリシロキサンジイル基、非置換もし
   くはフッ素原子で置換された脂肪族炭化水素基、芳香族
   炭化水素基または単結合を示し、Ｒ² 及びＲ³ はそれぞ
   れ同一でも異なっていてもよく、フルオロ基または非置
   換もしくはフッ素原子で置換された脂肪族炭化水素基を
   示し、ｂおよびｃは０〜４の整数である。一般式（ＤＡ
   Ｈ４）におけるＲ⁴ 、Ｒ⁵ 、Ｒ⁶ およびＲ⁷ はそれぞれ
   同一でも異なっていてもよく、フルオロ基または非置換
   もしくはフッ素原子で置換された脂肪族炭化水素基を示
   し、ｄおよびｅは０〜４の整数である。）
5. 【請求項５】 前記一般式（ＤＡ１）で表わされるジア
   ミン化合物成分が、下記一般式（ＤＡ２）で表わされる
   化合物を０．８モル当量以上含有する請求項２または３
   に記載のポリイミド前駆体組成物。 【化５】 （ここで、一般式（ＤＡ２）におけるＹは２価のオキシ
   基、チオ基、スルホニル基、カルボニル基、パーアルキ
   ルポリシロキサンジイル基、非置換もしくはフッ素原子
   で置換された脂肪族炭化水素基または単結合を示し、Ｒ
   ⁸ およびＲ⁹ はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、
   フルオロ基または非置換もしくはフッ素原子で置換され
   た脂肪族炭化水素基を示し、ｆおよびｇは０〜４の整
   数、ｈは０〜６の整数である。）
6. 【請求項６】 前記一般式（ＤＡ２）で表わされるジア
   ミン化合物成分が、下記一般式（ＤＡ３）で表わされる
   芳香族ジアミン化合物を０．４モル当量以上含有する請
   求項５に記載のポリイミド前駆体組成物。 【化６】 （ここで、一般式（ＤＡ３）におけるＺは２価のオキシ
   基、チオ基、スルホニル基、カルボニル基、パーアルキ
   ルポリシロキサンジイル基、非置換もしくはフッ素原子
   で置換された脂肪族炭化水素基または単結合を示し、Ｒ
   ¹⁰、Ｒ¹¹およびＲ¹²は、同一でも異なっていてもよく、
   フルオロ基または非置換もしくはフッ素原子で置換され
   た脂肪族炭化水素基を示し、ｉは１〜６の整数、ｊは０
   〜４の整数、ｋは０または１、ｌ，ｍおよびｎは０〜４
   の整数である。）
7. 【請求項７】 前記硬化促進剤の配合量は、前記ポリア
   ミド酸の繰り返し単位１モル当量に対して、０．２〜
   ４．０モル当量である請求項１ないし６のいずれか１項
   に記載のポリイミド前駆体組成物。
8. 【請求項８】 前記水溶液中のプロトン錯体の酸解離指
   数ｐＫａが０〜８である置換もしくは非置換の含窒素複
   素環化合物（ＡＣ１）からなる硬化促進剤は、置換もし
   くは非置換のイミダゾール、ピラゾール、トリアゾー
   ル、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダ
   ゾール、インダゾール、ベンゾトリアゾール、プリン、
   イミダゾリン、ピラゾリン、ピリジン、キノリン、イソ
   キノリン、ジピリジル、ジキノリル、ピリダジン、ピリ
   ミジン、ピラジン、フタラジン、キノキサリン、キナゾ
   リン、シンノリン、ナフチリジン、アクリジン、フェナ
   ントリジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキノリン、ベ
   ンゾシンノリン、ベンゾフタラジン、ベンゾキノキサリ
   ン、ベンゾキナゾリン、フェナントロリン、フェナジ
   ン、カルボリン、ペリミジン、トリアジン、テトラジ
   ン、プテリジン、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、
   イソオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、チアゾー
   ル、ベンゾチアゾール、イソチアゾール、ベンゾイソチ
   アゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、ピロー
   ルジオン、イソインドールジオン、ピロリジンジオン、
   ベンゾイソキノリンジオン、トリエチレンジアミンおよ
   びヘキサメチレンテトラミンからなる群から選択された
   含窒素複素環化合物、およびこれらの含窒素化合物のＮ
   −オキシド化合物を含有する請求項１ないし７のいずれ
   か１項に記載のポリイミド前駆体組成物。
9. 【請求項９】 前記水溶液中のプロトン錯体の酸解離指
   数ｐＫａが０〜８である置換もしくは非置換の含窒素化
   合物からなる硬化促進剤（ＡＣ１）は、置換もしくは非
   置換のイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テト
   ラゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、
   インダゾール、ベンゾトリアゾール、プリン、イミダゾ
   リン、ピラゾリン、キノリン、イソキノリン、ジピリジ
   ル、ジキノリル、ピリダジン、フタラジン、キノキサリ
   ン、キナゾリン、シンノリン、ナフチリジン、アクリジ
   ン、フェナントリジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキ
   ノリン、ベンゾシンノリン、ベンゾフタラジン、ベンゾ
   キノキサリン、ベンゾキナゾリン、フェナントロリン、
   フェナジン、カルボリン、ペリミジン、プテリジン、ト
   リエチレンジアミン、ヘキサメチレンテトラミン；また
   は少なくとも１個のヒドロキシル基、オキシ基、ジ置換
   アミノ基、モノ置換アミノ基、環状アミノ基、アシルア
   ミノ基、アミノ基、ヒドロキシアミノ基、ウレイド基、
   オキシム基、ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアリー
   ル基、ニトロ基、メルカプト基、カルボキシル基、アミ
   ノカルボニル基、アシル基、スルホン酸基、アミノスル
   ホニル基、アゾ基で置換されたピリジン、ピリダジン、
   ピリミジン、ピラジン、トリアジン、テトラジン、オキ
   サゾール、ベンゾオキサゾール、イソオキサゾール、ベ
   ンゾイソオキサゾール、チアゾール、ベンゾチアゾー
   ル、イソチアゾール、ベンゾイソチアゾール、オキサジ
   アゾール、チアジアゾール、ピロールジオン、イソイン
   ドールジオン、ピロリジンジオン、ベンゾイソキノリン
   ジオンから選択される含窒素複素環化合物およびこれら
   の含窒素化合物のＮ−オキシド化合物を含有する請求項
   ８記載のポリイミド前駆体組成物。
10. 【請求項１０】 前記置換もしくは非置換のアミノ酸化
    合物（ＡＣ２）からなる硬化促進剤は、グリシン、サル
    コシン、ジメチルグリシン、ベタイン、アラニン、β−
    アラニン、α−アミノ酪酸、β−アミノ酪酸、γ−アミ
    ノ酪酸、γ−アミノ−β−オキソ酪酸、バリン、β−ア
    ミノイソ吉草酸、γ−アミノイソ吉草酸、ノルバリン、
    β−アミノ吉草酸、γ−アミノ吉草酸、δ−アミノ吉草
    酸、ロイシン、イソロイシン、ノルロイシン、セリン、
    α−メチルセリン、イソセリン、α−メチルイソセリ
    ン、シクロセリン、ホモセリン、トレオニン、ｏ−メチ
    ルトレオニン、アロトレオニン、ｏ−メチルアロトレオ
    ニン、ロセオニン、トランス−３−アミノシクロヘキサ
    ンカルボン酸、シス−３−アミノシクロヘキサンカルボ
    ン酸、ε−アミンカプロン酸、ω−アミノドデカン酸、
    β−ヒドロキシバリン、β−ヒドロキシイソロイシン、
    α−ヒドロキシ−β−アミノイソ吉草酸、ε−ジアゾ−
    δ−オキソノルロイシン、α−アミノ−ε−ヒドロキシ
    アミノカプロン酸、システイン、シスチン、Ｓ−メチル
    システイン、Ｓ−メチルシステイン−Ｓ−オキシド、シ
    ステイン酸、ホモシステイン、ホモシスチン、メチオニ
    ン、ペニシラミン、タウリン、α，β−ジアミノプロピ
    オン酸、オルニチン、リシン、アルギニン、カナリン、
    カナバニン、δ−ヒドロキシリシン、アスパラギン酸、
    アスパラギン、イソアスパラギン、グルタミン酸、グル
    タミン、イソグルタミン、α−メチルグルタミン酸、β
    −ヒドロキシグルタミン酸、γ−ヒドロキシグルタミン
    酸、α−アミノアジピン酸、シトルリン、ランチオニ
    ン、シスタチオニン、フェニルアラニン、α−メチルフ
    ェニルアラニン、ｏ−クロロフェニルアラニン、ｍ−ク
    ロロフェニルアラニン、ｐ−クロロフェニルアラニン、
    ｏ−フルオロフェニルアラニン、ｍ−フルオロフェニル
    アラニン、ｐ−フルオロフェニルアラニン、β−（２−
    ピリジル）アラニン、チロシン、チロニン、ジクロロチ
    ロシン、ジブロモチオシン、ジヨードチロシン、３，４
    −ジヒドロキシフェニルアラニン、α−メチル−３，４
    −ジヒドロキシフェニルアラニン、フェニルグリシン、
    トリプトファン、アブリン、ヒスチジン、１−メチルヒ
    スチジン、２−メルカプトヒスチジン、プロリン、ヒド
    ロキシプロリン、アントラニル酸、パラミノールからな
    る群から選択されたアミノ酸化合物；またはこれらのア
    ミノ酸化合物を各種特性基で置換した置換アミノ酸化合
    物を含有する請求項１ないし７のいずれか１項に記載の
    ポリイミド前駆体組成物。
11. 【請求項１１】 前記置換もしくは非置換のアミノ酸化
    合物（ＡＣ２）からなる硬化促進剤は、上記アミノ酸化
    合物のアミノ基をアシル基で置換したＮ−アシルアミノ
    酸化合物、または上記アミノ酸化合物のアミノ基を芳香
    族炭化水素基または芳香族複素環基で置換したＮ−アリ
    ール（またはヘテロアリール）アミノ酸化合物を含有す
    る請求項１０に記載のポリイミド前駆体組成物。
12. 【請求項１２】 前記分子量が１０００以下である２個
    以上のヒドロキシル基を有する芳香族炭化水素化合物ま
    たは芳香族複素環化合物（ＡＣ３）からなる硬化促進剤
    は、下記一般式（ＰＨＤ）で表わされるポリヒドロキシ
    化合物を含有する請求項１ないし７のいずれか１項に記
    載のポリイミド前駆体組成物。 【化７】 （ここで、一般式（ＰＨＤ）におけるＡｒ¹ およびＡｒ
    ² は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、置換もし
    くは非置換の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を
    示し、Ｘ¹ はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、２
    価の有機基または単結合を示し、ｕは０または１を示
    し、ｖおよびｗは、ｖ＋ｗ≧２を満たす０〜５の整数で
    ある。）
13. 【請求項１３】 前記分子量が１０００以下である少な
    くとも２個以上のヒドロキシル基を有する芳香族炭化水
    素化合物または芳香族複素環化合物（ＡＣ３）からなる
    硬化促進剤は、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、
    アントラキノン、フェナントレン、フェナントレンキノ
    ン、フルオレン、フルオレノン、ピロール、インドー
    ル、イソインドール、カルバゾール、フラン、クマロ
    ン、イソベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェ
    ン、ジベンゾチオフェン、ベンゾジオキソール、ベンゾ
    ジオキサン、ビフェニル、アセトフェノン、プロピオフ
    ェノン、ブチロフェノン、ベンゾフェノン、安息香酸エ
    ステル、ベンゼンジカルボン酸ジエステル、ベンズアミ
    ド、ベンズニトリル、ベンズアルデヒド、アルコキシベ
    ンゼン、ベンジルアルコール、ニトロベンゼン、ベンゼ
    ンスルホン酸、アニリン、ジフェニルエーテル、ジフェ
    ニルスルホン、ジフェニルメタン、ジフェニルエタン、
    ジフェニルプロパン、ジフェニルジフルオロメタン、ジ
    フェニルテトラフルオロエタン、ジフェニルヘキサフル
    オロプロパン、ジフェニルアミン、ジフェニルメチルア
    ミン、トリフェニルアミン、トリフェニルメタン、トリ
    フェニルメタノール、およびフクソンからなる群から選
    択された芳香環化合物を少なくとも２個以上のヒドロキ
    シ基で置換した化合物を含有する請求項１２記載のポリ
    イミド前駆体組成物。
14. 【請求項１４】 請求項１記載のポリイミド前駆体組成
    物の溶液を被覆するものの表面に塗布した後、６０〜４
    ００℃の温度範囲で加熱することによりポリイミド前駆
    体を硬化させるポリイミド膜の形成方法。
15. 【請求項１５】 ポリイミド前駆体組成物の溶液を基板
    表面に塗布した後、必要に応じて２００℃以下の温度で
    乾燥し、大気中または不活性ガス雰囲気中で１００〜３
    ００℃の温度範囲で加熱するか、または６０〜２５０℃
    の温度範囲で加熱した後６０〜２５０℃で真空加熱する
    ことにより、ポリイミド前駆体組成物を硬化させてポリ
    イミド膜を形成する請求項１４記載のポリイミド膜の形
    成方法。
16. 【請求項１６】 請求項１に記載のポリイミド前駆体組
    成物を硬化させてなるポリイミド膜からなる絶縁膜また
    は保護膜を具備したことを特徴とする電子部品。
17. 【請求項１７】 請求項１に記載のポリイミド前駆体組
    成物を硬化させてなるポリイミド膜からなる液晶配向膜
    を具備したことを特徴とする液晶素子。