JPH09282710A - 光ディスクおよび光学的情報記録再生装置 - Google Patents
光ディスクおよび光学的情報記録再生装置Info
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- JPH09282710A JPH09282710A JP8115268A JP11526896A JPH09282710A JP H09282710 A JPH09282710 A JP H09282710A JP 8115268 A JP8115268 A JP 8115268A JP 11526896 A JP11526896 A JP 11526896A JP H09282710 A JPH09282710 A JP H09282710A
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- recording layer
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- optical
- optical disc
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 片面に複数層の情報記録層を有し、少なくと
も光入射側の一層目の情報記録層が書き換え可能型であ
り、且つ量産が可能な光ディスクを実現する。 【解決手段】 光ディスク１０は、基板１１の片面に、
第１情報記録部Ｌ1 、スペーサ層１３、第２情報記録部
Ｌ2 、反射膜１７を順に設けて構成されている。第１情
報記録部Ｌ1 は、波長５００ｎｍにおいて磁気光学効果
が大きく、且つ光吸収の小さなビスマス置換磁性ガーネ
ットからなる光磁気記録材料で形成された情報記録層１
２からなっている。第２情報記録部Ｌ2 は、スペーサ層
１３側より順に、例えばＳｉＮを用いた透明誘電体膜１
４，例えばＴｂＦｅＣｏからなる光磁気記録材料で形成
された情報記録層１５，例えばＳｉＮを用いた透明誘電
体膜１６からなっている。
も光入射側の一層目の情報記録層が書き換え可能型であ
り、且つ量産が可能な光ディスクを実現する。 【解決手段】 光ディスク１０は、基板１１の片面に、
第１情報記録部Ｌ1 、スペーサ層１３、第２情報記録部
Ｌ2 、反射膜１７を順に設けて構成されている。第１情
報記録部Ｌ1 は、波長５００ｎｍにおいて磁気光学効果
が大きく、且つ光吸収の小さなビスマス置換磁性ガーネ
ットからなる光磁気記録材料で形成された情報記録層１
２からなっている。第２情報記録部Ｌ2 は、スペーサ層
１３側より順に、例えばＳｉＮを用いた透明誘電体膜１
４，例えばＴｂＦｅＣｏからなる光磁気記録材料で形成
された情報記録層１５，例えばＳｉＮを用いた透明誘電
体膜１６からなっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数層の情報記録
層を有する光ディスク、およびこの光ディスクに対して
情報の記録を行うと共に光ディスクに記録されている情
報の再生を行う光学的情報記録再生装置に関する。
層を有する光ディスク、およびこの光ディスクに対して
情報の記録を行うと共に光ディスクに記録されている情
報の再生を行う光学的情報記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、大容量でランダムアクセス可
能な情報記録媒体として光ディスクが実用化されている
が、近年、情報関連機器において取り扱う情報量が増大
していることや、情報のマルチメディア化に伴ってディ
ジタル動画像のような大容量の情報を記録する必要が生
じたこと等から、光ディスクにおいて、より一層の大容
量化が要望されている。
能な情報記録媒体として光ディスクが実用化されている
が、近年、情報関連機器において取り扱う情報量が増大
していることや、情報のマルチメディア化に伴ってディ
ジタル動画像のような大容量の情報を記録する必要が生
じたこと等から、光ディスクにおいて、より一層の大容
量化が要望されている。
【０００３】そこで、最近、光ディスクの片面に複数層
の情報記録層を設け、情報再生用光の焦点位置を変えて
各情報記録層より情報を読み出し可能とする技術が提案
されている。
の情報記録層を設け、情報再生用光の焦点位置を変えて
各情報記録層より情報を読み出し可能とする技術が提案
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光ディスク
には、機能で分類した場合、再生専用型、追記型、書き
換え可能型の３種類がある。これらはそれぞれ特徴があ
り、用途に相違もあるが、このうち書き換え可能型光デ
ィスクは、汎用性に優れており、また、動画像の記録，
再生の用途があること等から、大容量化の実現への期待
が高い。そこで、大容量の書き換え可能型光ディスクを
実現するために、片面に複数層の書き換え可能型の情報
記録層を設けることが考えられる。しかしながら、この
ような構成の書き換え可能型光ディスクは、以下で説明
するような問題により、実用上、実現が困難であった。
には、機能で分類した場合、再生専用型、追記型、書き
換え可能型の３種類がある。これらはそれぞれ特徴があ
り、用途に相違もあるが、このうち書き換え可能型光デ
ィスクは、汎用性に優れており、また、動画像の記録，
再生の用途があること等から、大容量化の実現への期待
が高い。そこで、大容量の書き換え可能型光ディスクを
実現するために、片面に複数層の書き換え可能型の情報
記録層を設けることが考えられる。しかしながら、この
ような構成の書き換え可能型光ディスクは、以下で説明
するような問題により、実用上、実現が困難であった。
【０００５】図１１は、ディスクの片面に２層の情報記
録層を設けた書き換え可能型光ディスクを考えた場合の
代表的な設計例の断面構成を示したものである。この設
計例による光ディスク１００は、基板１０１の片面に、
半透明な第１情報記録部Ｌ1、スペーサ層１０５、第２
情報記録部Ｌ2 、反射膜１０９を順に設けたものであ
る。第１情報記録部Ｌ1 は、基板１０１側より順に、Ｓ
ｉＮを用いた透明誘電体膜１０２，代表的な希土類−遷
移金属磁性材料であるＴｂＦｅＣｏを用いた情報記録層
１０３，ＳｉＮを用いた透明誘電体膜１０２からなる。
同様に、第２情報記録部Ｌ2 も、スペーサ層１０５側よ
り順に、ＳｉＮを用いた透明誘電体膜１０６，ＴｂＦｅ
Ｃｏを用いた情報記録層１０７，ＳｉＮを用いた透明誘
電体膜１０８からなる。基板１０１は例えばポリカーボ
ネートからなり、スペーサ層１０５は例えば紫外線硬化
樹脂からなり、反射膜１０９は例えばＡｌからなる。
録層を設けた書き換え可能型光ディスクを考えた場合の
代表的な設計例の断面構成を示したものである。この設
計例による光ディスク１００は、基板１０１の片面に、
半透明な第１情報記録部Ｌ1、スペーサ層１０５、第２
情報記録部Ｌ2 、反射膜１０９を順に設けたものであ
る。第１情報記録部Ｌ1 は、基板１０１側より順に、Ｓ
ｉＮを用いた透明誘電体膜１０２，代表的な希土類−遷
移金属磁性材料であるＴｂＦｅＣｏを用いた情報記録層
１０３，ＳｉＮを用いた透明誘電体膜１０２からなる。
同様に、第２情報記録部Ｌ2 も、スペーサ層１０５側よ
り順に、ＳｉＮを用いた透明誘電体膜１０６，ＴｂＦｅ
Ｃｏを用いた情報記録層１０７，ＳｉＮを用いた透明誘
電体膜１０８からなる。基板１０１は例えばポリカーボ
ネートからなり、スペーサ層１０５は例えば紫外線硬化
樹脂からなり、反射膜１０９は例えばＡｌからなる。
【０００６】ここで、図１１に示した設計例において、
ＳｉＮの屈折率ｎを２．０、ＴｂＦｅＣｏの複素屈折率
ｎ−ｉｋを３．６−ｉ・４．１、情報再生用光の波長を
６９０ｎｍ、第２情報記録部Ｌ2 の強度反射率を３０％
とする。この場合、情報記録層１０３の厚みｄ（ｎｍ）
と、第１情報記録部Ｌ1 の強度反射率Ｒ1 ，第１情報記
録部Ｌ1 への入射光強度に対する第２情報記録部Ｌ2 か
らの戻り光強度の比率である第２情報記録部Ｌ2 の最終
強度反射率Ｒ2 および第１情報記録部Ｌ1 の光吸収率Ａ
との関係は、図１２に示すようになる。
ＳｉＮの屈折率ｎを２．０、ＴｂＦｅＣｏの複素屈折率
ｎ−ｉｋを３．６−ｉ・４．１、情報再生用光の波長を
６９０ｎｍ、第２情報記録部Ｌ2 の強度反射率を３０％
とする。この場合、情報記録層１０３の厚みｄ（ｎｍ）
と、第１情報記録部Ｌ1 の強度反射率Ｒ1 ，第１情報記
録部Ｌ1 への入射光強度に対する第２情報記録部Ｌ2 か
らの戻り光強度の比率である第２情報記録部Ｌ2 の最終
強度反射率Ｒ2 および第１情報記録部Ｌ1 の光吸収率Ａ
との関係は、図１２に示すようになる。
【０００７】図１１に示したように２層の情報記録層を
有する構成の光ディスクより情報を再生する装置におけ
る再生動作の安定のためには、第１情報記録部Ｌ1 の強
度反射率Ｒ1 と第２情報記録部Ｌ2 の最終強度反射率Ｒ
2 とを略等しくする必要がある。上述の条件の下でＲ1
とＲ2 が略等しくなるのは、第１情報記録部Ｌ1 の情報
記録層１０３の厚みｄが約６ｎｍのときで、このときＲ
1 とＲ2 は共に約８％となる。しかしながら、約６ｎｍ
の厚みで情報記録層１０３を均一に精度良く量産するの
は極めて困難である。このように、情報記録層１０３の
厚みｄを小さくせざるを得ないのは、情報記録層１０３
での光吸収が大き過ぎるためである。
有する構成の光ディスクより情報を再生する装置におけ
る再生動作の安定のためには、第１情報記録部Ｌ1 の強
度反射率Ｒ1 と第２情報記録部Ｌ2 の最終強度反射率Ｒ
2 とを略等しくする必要がある。上述の条件の下でＲ1
とＲ2 が略等しくなるのは、第１情報記録部Ｌ1 の情報
記録層１０３の厚みｄが約６ｎｍのときで、このときＲ
1 とＲ2 は共に約８％となる。しかしながら、約６ｎｍ
の厚みで情報記録層１０３を均一に精度良く量産するの
は極めて困難である。このように、情報記録層１０３の
厚みｄを小さくせざるを得ないのは、情報記録層１０３
での光吸収が大き過ぎるためである。
【０００８】このような問題により、従来は、少なくと
も光入射側の情報記録層を書き換え可能型とした多層型
の書き換え可能型光ディスクは、実用上、実現が困難で
あった。
も光入射側の情報記録層を書き換え可能型とした多層型
の書き換え可能型光ディスクは、実用上、実現が困難で
あった。
【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、片面に複数層の情報記録層を有し、
少なくとも光入射側の一層目の情報記録層が書き換え可
能型であり、且つ量産が可能な光ディスク、およびこの
光ディスクに対して情報の記録を行うと共に光ディスク
に記録されている情報の再生を行うことのできる光学的
情報記録再生装置を提供することにある。
ので、その目的は、片面に複数層の情報記録層を有し、
少なくとも光入射側の一層目の情報記録層が書き換え可
能型であり、且つ量産が可能な光ディスク、およびこの
光ディスクに対して情報の記録を行うと共に光ディスク
に記録されている情報の再生を行うことのできる光学的
情報記録再生装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスクは、
片面に複数層の情報記録層を有し、光入射側の一層目の
情報記録層が書き換え可能型であり且つ複素屈折率の虚
数部の係数である消衰係数が１以下の材料で形成されて
いるものである。
片面に複数層の情報記録層を有し、光入射側の一層目の
情報記録層が書き換え可能型であり且つ複素屈折率の虚
数部の係数である消衰係数が１以下の材料で形成されて
いるものである。
【００１１】また、本発明の光学的情報記録再生装置
は、片面に複数層の情報記録層を有し、光入射側の一層
目の情報記録層が書き換え可能型であり且つ複素屈折率
の虚数部の係数である消衰係数が１以下の材料で形成さ
れている光ディスクに対して情報の記録を行うと共にこ
の光ディスクに記録されている情報の再生を行う光学的
情報記録再生装置であって、光ディスクにおける各情報
記録層のうちの書き換え可能型の情報記録層に対して焦
点位置を合わせて情報記録用光を照射して情報の記録を
行う情報記録手段と、光ディスクにおける各情報記録層
に選択的に焦点位置を合わせて情報再生用光を照射し、
各情報記録層からの光を検出して、各情報記録層に記録
された情報の再生を行う情報再生手段とを備えたもので
ある。
は、片面に複数層の情報記録層を有し、光入射側の一層
目の情報記録層が書き換え可能型であり且つ複素屈折率
の虚数部の係数である消衰係数が１以下の材料で形成さ
れている光ディスクに対して情報の記録を行うと共にこ
の光ディスクに記録されている情報の再生を行う光学的
情報記録再生装置であって、光ディスクにおける各情報
記録層のうちの書き換え可能型の情報記録層に対して焦
点位置を合わせて情報記録用光を照射して情報の記録を
行う情報記録手段と、光ディスクにおける各情報記録層
に選択的に焦点位置を合わせて情報再生用光を照射し、
各情報記録層からの光を検出して、各情報記録層に記録
された情報の再生を行う情報再生手段とを備えたもので
ある。
【００１２】本発明の光ディスクでは、光入射側の一層
目の情報記録層が、吸収特性を決める複素屈折率の虚数
部の係数である消衰係数が１以下の材料で形成されてい
るので、一層目の情報記録層の単位厚み当たりの光吸収
率が十分小さくなり、一層目の情報記録層の厚みおよび
その許容範囲を量産可能な程度に十分大きくすることが
可能となる。
目の情報記録層が、吸収特性を決める複素屈折率の虚数
部の係数である消衰係数が１以下の材料で形成されてい
るので、一層目の情報記録層の単位厚み当たりの光吸収
率が十分小さくなり、一層目の情報記録層の厚みおよび
その許容範囲を量産可能な程度に十分大きくすることが
可能となる。
【００１３】また、本発明の光学的情報記録再生装置で
は、情報記録手段によって、光ディスクにおける各情報
記録層のうちの書き換え可能型の情報記録層に対して焦
点位置を合わせて情報記録用光を照射することによって
情報の記録が行われ、情報再生手段によって、光ディス
クにおける各情報記録層に選択的に焦点位置を合わせて
情報再生用光を照射し各情報記録層からの光を検出する
ことによって各情報記録層に記録された情報の再生が行
われる。
は、情報記録手段によって、光ディスクにおける各情報
記録層のうちの書き換え可能型の情報記録層に対して焦
点位置を合わせて情報記録用光を照射することによって
情報の記録が行われ、情報再生手段によって、光ディス
クにおける各情報記録層に選択的に焦点位置を合わせて
情報再生用光を照射し各情報記録層からの光を検出する
ことによって各情報記録層に記録された情報の再生が行
われる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の第１の実施の形態に係る光
ディスクの断面構成を示す説明図である。本実施の形態
に係る光ディスクは、情報再生用光として波長５００ｎ
ｍのブルーレーザ光を用いることを前提として設計した
ものである。図１に示したように、光ディスク１０は、
基板１１の片面に、半透明な第１情報記録部Ｌ1 、スペ
ーサ層１３、第２情報記録部Ｌ2 、反射膜１７を順に設
けて構成されている。第１情報記録部Ｌ1 は、波長５０
０ｎｍにおいて磁気光学効果が大きく、且つ光吸収の小
さなビスマス置換磁性ガーネットからなる光磁気記録材
料で形成された情報記録層１２からなっている。第２情
報記録部Ｌ2 は、スペーサ層１３側より順に、例えばＳ
ｉＮを用いた透明誘電体膜１４，例えばＴｂＦｅＣｏか
らなる光磁気記録材料で形成された情報記録層１５，例
えばＳｉＮを用いた透明誘電体膜１６からなっている。
基板１１は例えばポリカーボネートからなり、スペーサ
層１２は例えば紫外線硬化樹脂からなり、反射膜１７は
例えばＡｌからなっている。
ディスクの断面構成を示す説明図である。本実施の形態
に係る光ディスクは、情報再生用光として波長５００ｎ
ｍのブルーレーザ光を用いることを前提として設計した
ものである。図１に示したように、光ディスク１０は、
基板１１の片面に、半透明な第１情報記録部Ｌ1 、スペ
ーサ層１３、第２情報記録部Ｌ2 、反射膜１７を順に設
けて構成されている。第１情報記録部Ｌ1 は、波長５０
０ｎｍにおいて磁気光学効果が大きく、且つ光吸収の小
さなビスマス置換磁性ガーネットからなる光磁気記録材
料で形成された情報記録層１２からなっている。第２情
報記録部Ｌ2 は、スペーサ層１３側より順に、例えばＳ
ｉＮを用いた透明誘電体膜１４，例えばＴｂＦｅＣｏか
らなる光磁気記録材料で形成された情報記録層１５，例
えばＳｉＮを用いた透明誘電体膜１６からなっている。
基板１１は例えばポリカーボネートからなり、スペーサ
層１２は例えば紫外線硬化樹脂からなり、反射膜１７は
例えばＡｌからなっている。
【００１６】情報記録層１２を形成するビスマス置換磁
性ガーネットの組成は、一般形としてＲ3-y Ｂｉy Ｆｅ
5-X Ｍx Ｏ12（ただし、０≦ｘ＜５，０＜ｙ＜３）と表
される。なお、Ｒは希土類元素を表し、Ｙ，Ｙｂ，Ｓ
ｍ，Ｇｄ等がある。Ｍは非磁性金属元素を表し、Ｇａ，
Ｇｅ，Ａｌ等がある。情報記録層１２を形成するビスマ
ス置換磁性ガーネットの代表的な組成としてはＹ2 Ｂｉ
Ｆｅ5-X Ｇａx Ｏ12がある。イットリウム鉄ガーネット
（Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12）等の希土類鉄ガーネットは磁気光学
効果を有する材料であるが、ここで、Ｙ等の希土類をＢ
ｉで置換するとファラデー回転角が増加する。また、Ｇ
ａ等のＦｅと置換する非磁性金属は垂直磁化膜を形成す
るために用いられる。ここでは、情報記録層１２を形成
するビスマス置換磁性ガーネットの組成として、Ｙ2 Ｂ
ｉＦｅ5-X Ｇａx Ｏ12を用いるものとする。このＹ2 Ｂ
ｉＦｅ5-X Ｇａx Ｏ12の複素屈折率ｎ−ｉｋは、波長５
００ｎｍにおいて、約２．５−ｉ・０．１２であり、複
素屈折率の虚数部の係数である消衰係数ｋは約０．１２
である。また、ファラデー回転角は約１０°／μｍであ
る（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．（フィジカルレビュー）Ｂ１２
巻、１９７５年、第２７７７〜２７７８ページ参照）。
性ガーネットの組成は、一般形としてＲ3-y Ｂｉy Ｆｅ
5-X Ｍx Ｏ12（ただし、０≦ｘ＜５，０＜ｙ＜３）と表
される。なお、Ｒは希土類元素を表し、Ｙ，Ｙｂ，Ｓ
ｍ，Ｇｄ等がある。Ｍは非磁性金属元素を表し、Ｇａ，
Ｇｅ，Ａｌ等がある。情報記録層１２を形成するビスマ
ス置換磁性ガーネットの代表的な組成としてはＹ2 Ｂｉ
Ｆｅ5-X Ｇａx Ｏ12がある。イットリウム鉄ガーネット
（Ｙ3 Ｆｅ5 Ｏ12）等の希土類鉄ガーネットは磁気光学
効果を有する材料であるが、ここで、Ｙ等の希土類をＢ
ｉで置換するとファラデー回転角が増加する。また、Ｇ
ａ等のＦｅと置換する非磁性金属は垂直磁化膜を形成す
るために用いられる。ここでは、情報記録層１２を形成
するビスマス置換磁性ガーネットの組成として、Ｙ2 Ｂ
ｉＦｅ5-X Ｇａx Ｏ12を用いるものとする。このＹ2 Ｂ
ｉＦｅ5-X Ｇａx Ｏ12の複素屈折率ｎ−ｉｋは、波長５
００ｎｍにおいて、約２．５−ｉ・０．１２であり、複
素屈折率の虚数部の係数である消衰係数ｋは約０．１２
である。また、ファラデー回転角は約１０°／μｍであ
る（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．（フィジカルレビュー）Ｂ１２
巻、１９７５年、第２７７７〜２７７８ページ参照）。
【００１７】ここで、図１に示した光ディスク１０の製
造方法について簡単に説明する。この製造方法では、ま
ず、例えば射出成型によって予めトラック案内用溝が形
成された基板１１を用意し、この基板１１のトラック案
内用溝が形成された面に、ビスマス置換磁性ガーネット
を例えば真空蒸着法やスパッタリング法により成膜して
情報記録層１２を形成する。次に、その上に、例えば紫
外線硬化樹脂によってスペーサ層１３を形成する。な
お、このスペーサ層１３にもトラック案内用溝を形成す
る必要があるが、例えば、情報記録層１２とトラック案
内用溝を形成するための溝を有するスタンパとの間に紫
外線硬化樹脂を充填し、基板１１側より紫外線を照射し
て紫外線硬化樹脂を硬化させてスペーサ層１３を形成す
ることによって、スペーサ層１３にトラック案内用溝を
形成することができる。次に、スペーサ層１３上に、例
えば真空蒸着法やスパッタリング法によって、透明誘電
体膜１４，情報記録層１５，透明誘電体膜１６，反射膜
１７を順に成膜して、図１に示した光ディスク１０が完
成する。なお、必要に応じて、反射膜１７上に更に、紫
外線硬化樹脂等によって保護膜を形成しても良い。
造方法について簡単に説明する。この製造方法では、ま
ず、例えば射出成型によって予めトラック案内用溝が形
成された基板１１を用意し、この基板１１のトラック案
内用溝が形成された面に、ビスマス置換磁性ガーネット
を例えば真空蒸着法やスパッタリング法により成膜して
情報記録層１２を形成する。次に、その上に、例えば紫
外線硬化樹脂によってスペーサ層１３を形成する。な
お、このスペーサ層１３にもトラック案内用溝を形成す
る必要があるが、例えば、情報記録層１２とトラック案
内用溝を形成するための溝を有するスタンパとの間に紫
外線硬化樹脂を充填し、基板１１側より紫外線を照射し
て紫外線硬化樹脂を硬化させてスペーサ層１３を形成す
ることによって、スペーサ層１３にトラック案内用溝を
形成することができる。次に、スペーサ層１３上に、例
えば真空蒸着法やスパッタリング法によって、透明誘電
体膜１４，情報記録層１５，透明誘電体膜１６，反射膜
１７を順に成膜して、図１に示した光ディスク１０が完
成する。なお、必要に応じて、反射膜１７上に更に、紫
外線硬化樹脂等によって保護膜を形成しても良い。
【００１８】ここで、情報記録層１２の厚みｄ（ｎｍ）
と、第１情報記録部Ｌ1 の強度反射率Ｒ1 ，第１情報記
録部Ｌ1 への入射光強度に対する第２情報記録部Ｌ2 か
らの戻り光強度の比率である第２情報記録部Ｌ2 の最終
強度反射率Ｒ2 および第１情報記録部Ｌ1 の光吸収率Ａ
との関係を計算によって求める。計算方法は、次の通り
である。まず、光入射側より順に積層された誘電体から
なる媒質１，光磁気記録材料からなる媒質２，誘電体か
らなる媒質３を考える。本実施の形態では、基板１１が
媒質１、情報記録層１２が媒質２、スペーサ層１３が媒
質３に対応する。媒質１の屈折率をｎ1 、媒質２の複素
屈折率をｎ2 ′＝ｎ2 −ｉｋ2 、媒質３の屈折率を
ｎ3 、入射する光の波長をλとする。なお、以
下、「′」は複素数を表すものとする。媒質１と媒質２
の境界面での振幅反射率をｒ12′、媒質２と媒質３の境
界面での振幅反射率をｒ23′とすると、これらは次の式
で表される。
と、第１情報記録部Ｌ1 の強度反射率Ｒ1 ，第１情報記
録部Ｌ1 への入射光強度に対する第２情報記録部Ｌ2 か
らの戻り光強度の比率である第２情報記録部Ｌ2 の最終
強度反射率Ｒ2 および第１情報記録部Ｌ1 の光吸収率Ａ
との関係を計算によって求める。計算方法は、次の通り
である。まず、光入射側より順に積層された誘電体から
なる媒質１，光磁気記録材料からなる媒質２，誘電体か
らなる媒質３を考える。本実施の形態では、基板１１が
媒質１、情報記録層１２が媒質２、スペーサ層１３が媒
質３に対応する。媒質１の屈折率をｎ1 、媒質２の複素
屈折率をｎ2 ′＝ｎ2 −ｉｋ2 、媒質３の屈折率を
ｎ3 、入射する光の波長をλとする。なお、以
下、「′」は複素数を表すものとする。媒質１と媒質２
の境界面での振幅反射率をｒ12′、媒質２と媒質３の境
界面での振幅反射率をｒ23′とすると、これらは次の式
で表される。
【００１９】
【数１】ｒ12′＝（ｎ1 −ｎ2 ′）／（ｎ1 ＋ｎ2 ′） ｒ23′＝（ｎ2 ′−ｎ3 ）／（ｎ2 ′＋ｎ3 ）
【００２０】振幅反射率ｒ12′，ｒ23′を用いて、第１
情報記録部Ｌ1 の強度反射率Ｒ1 は次の式で表される。
情報記録部Ｌ1 の強度反射率Ｒ1 は次の式で表される。
【００２１】
【数２】Ｒ1 ＝｜（ｒ12′＋ｒ23′・ｅｘｐ〔４πｉｎ
2 ′ｄ／λ〕）／（１＋ｒ12′・ｒ23′・ｅｘｐ〔４π
ｉｎ2 ′ｄ／λ〕）｜2
2 ′ｄ／λ〕）／（１＋ｒ12′・ｒ23′・ｅｘｐ〔４π
ｉｎ2 ′ｄ／λ〕）｜2
【００２２】従って、ｎ1 ，ｎ2 ′，ｎ3 ，λが決まる
と、ｄとＲ1 の関係が求まる。一方、媒質１と媒質２の
境界面での振幅透過率をｔ12′、媒質２と媒質３の境界
面での振幅透過率をｔ23′とすると、これらは次の式で
表される。
と、ｄとＲ1 の関係が求まる。一方、媒質１と媒質２の
境界面での振幅透過率をｔ12′、媒質２と媒質３の境界
面での振幅透過率をｔ23′とすると、これらは次の式で
表される。
【００２３】
【数３】ｔ12′＝２ｎ1 ／（ｎ1 ＋ｎ2 ′） ｔ23′＝２ｎ2 ′／（ｎ2 ′＋ｎ3 ）
【００２４】振幅透過率ｔ12′，ｔ23′を用いて、第１
情報記録部Ｌ1 の強度透過率Ｔは次の式で表される。
情報記録部Ｌ1 の強度透過率Ｔは次の式で表される。
【００２５】
【数４】Ｔ＝（ｎ3 ／ｎ1 ）・｜（ｔ12′・ｔ23′・ｅ
ｘｐ〔２πｉｎ2 ′ｄ／λ〕）／（１＋ｒ12′・ｒ23′
・ｅｘｐ〔４πｉｎ2 ′ｄ／λ〕）｜2
ｘｐ〔２πｉｎ2 ′ｄ／λ〕）／（１＋ｒ12′・ｒ23′
・ｅｘｐ〔４πｉｎ2 ′ｄ／λ〕）｜2
【００２６】ここで、第２情報記録部Ｌ2 の強度反射率
を３０％とすると、第２情報記録部Ｌ2 の最終強度反射
率Ｒ2 は次の式から求まる。
を３０％とすると、第２情報記録部Ｌ2 の最終強度反射
率Ｒ2 は次の式から求まる。
【００２７】
【数５】Ｒ2 ＝０．３・Ｔ2
【００２８】また、第１情報記録部Ｌ1 の光吸収率Ａは
次の式から求まる。
次の式から求まる。
【００２９】
【数６】Ａ＝１−Ｒ1 −Ｔ
【００３０】ここで、媒質１となる基板１１の屈折率ｎ
1 を１．５７、媒質２となる情報記録層１２の複素屈折
率ｎ2 ′を２．５−ｉ・０．１２、媒質３となるスペー
サ層１３の屈折率ｎ3 を１．５、光の波長λを５００ｎ
ｍとして、上記の計算方法に従ってｄとＲ1 ，Ｒ2 ，Ａ
との関係を求めた結果を図２に示す。この図から分かる
ように、Ｒ1 とＲ2 が略等しくなるｄの領域は、５０ｎ
ｍ付近と１５０ｎｍ付近の２箇所にあり、ｄの値として
はいずれの領域中の値も採用可能である。なお、第１情
報記録部Ｌ1 の光吸収率Ａが大きいと再生感度の点では
不利となるが、第１情報記録部Ｌ1 の光吸収率Ａが大き
い方が同じ情報記録用光のパワーに対しての第１情報記
録部Ｌ1 の吸熱量が大きくなり、第１情報記録部Ｌ1 で
の記録感度が高くなる。従って、第１情報記録部Ｌ1 で
の記録感度を高くすることを考えると、ｄの値として
は、Ａが約３０％となる１５０ｎｍ付近の領域中の値を
採用するのが好ましく、この領域中の値を採用すること
で十分な記録感度が得られる。なお、第１情報記録部Ｌ
1 の光吸収率Ａは、上述のような再生感度と記録感度の
兼ね合いや使用するレーザのパワーとの兼ね合いから、
２０〜５０％の値が好ましい。
1 を１．５７、媒質２となる情報記録層１２の複素屈折
率ｎ2 ′を２．５−ｉ・０．１２、媒質３となるスペー
サ層１３の屈折率ｎ3 を１．５、光の波長λを５００ｎ
ｍとして、上記の計算方法に従ってｄとＲ1 ，Ｒ2 ，Ａ
との関係を求めた結果を図２に示す。この図から分かる
ように、Ｒ1 とＲ2 が略等しくなるｄの領域は、５０ｎ
ｍ付近と１５０ｎｍ付近の２箇所にあり、ｄの値として
はいずれの領域中の値も採用可能である。なお、第１情
報記録部Ｌ1 の光吸収率Ａが大きいと再生感度の点では
不利となるが、第１情報記録部Ｌ1 の光吸収率Ａが大き
い方が同じ情報記録用光のパワーに対しての第１情報記
録部Ｌ1 の吸熱量が大きくなり、第１情報記録部Ｌ1 で
の記録感度が高くなる。従って、第１情報記録部Ｌ1 で
の記録感度を高くすることを考えると、ｄの値として
は、Ａが約３０％となる１５０ｎｍ付近の領域中の値を
採用するのが好ましく、この領域中の値を採用すること
で十分な記録感度が得られる。なお、第１情報記録部Ｌ
1 の光吸収率Ａは、上述のような再生感度と記録感度の
兼ね合いや使用するレーザのパワーとの兼ね合いから、
２０〜５０％の値が好ましい。
【００３１】また、１５０ｎｍ付近でＲ1 とＲ2 が略等
しくなるｄの領域は、おおよそ１５０ｎｍ±２０％の領
域であり、情報記録層１２の厚みおよびその許容範囲と
しては、量産可能な程度に十分大きい。なお、ｄが１５
０ｎｍ付近の領域においてＲ1 ，Ｒ2 は共に１０％程度
であるが、十分、情報を再生可能な値である。
しくなるｄの領域は、おおよそ１５０ｎｍ±２０％の領
域であり、情報記録層１２の厚みおよびその許容範囲と
しては、量産可能な程度に十分大きい。なお、ｄが１５
０ｎｍ付近の領域においてＲ1 ，Ｒ2 は共に１０％程度
であるが、十分、情報を再生可能な値である。
【００３２】次に、図３を参照して、図１に示した本実
施の形態に係る光ディスク１０に対して情報の記録を行
うと共に光ディスク１０に記録されている情報の再生を
行う本実施の形態に係る光学的情報記録再生装置の構成
について説明する。
施の形態に係る光ディスク１０に対して情報の記録を行
うと共に光ディスク１０に記録されている情報の再生を
行う本実施の形態に係る光学的情報記録再生装置の構成
について説明する。
【００３３】この光学的情報記録再生装置２０は、光デ
ィスク１０に照射する情報記録用光および情報再生用光
となる波長５００ｎｍのブルーレーザ光を出射する半導
体レーザ２１を備えている。光学的情報記録再生装置２
０は、更に、半導体レーザ２１から出射されたレーザ光
を光ディスク１０に導く光学系として、半導体レーザ２
１側より順に配設されたコリメートレンズ２２，ビーム
スプリッタ２３，トラッキングミラー２４および対物レ
ンズ２５を備えている。対物レンズ２５は、フォーカス
用アクチュエータ２６によって、光ディスク１０の面に
対向する位置で、光ディスク１０の面に垂直な方向に移
動可能に保持されている。トラッキングミラー２４は、
トラッキング用アクチュエータ２７によって、光ディス
ク１０に対するレーザ光の入射位置をトラック横断方向
に移動可能に保持されている。光学的情報記録再生装置
２０は、更に、ビームスプリッタ２３で反射される光デ
ィスク１０からの戻り光の進行方向にビームスプリッタ
２３側より順に配設された１／２波長板２８，レンズ２
９および偏光ビームスプリッタ３０を備えている。偏光
ビームスプリッタ３０で反射される光ディスク１０から
の戻り光を受光する位置および偏光ビームスプリッタ３
０を透過する光ディスク１０からの戻り光を受光する位
置には、それぞれ光検出器３１，３２が配設されてい
る。光学的情報記録再生装置２０は、更に、光ディスク
１０を挟んで対物レンズ２５と対向する位置に配設され
た外部磁界印加用のコイル３３を備えている。これらの
構成要素のうち、少なくとも、トラッキングミラー２
４，対物レンズ２５，フォーカス用アクチュエータ２６
およびトラッキング用アクチュエータ２７は、トラック
横断方向に移動可能な可動体３５に取り付けられてい
る。
ィスク１０に照射する情報記録用光および情報再生用光
となる波長５００ｎｍのブルーレーザ光を出射する半導
体レーザ２１を備えている。光学的情報記録再生装置２
０は、更に、半導体レーザ２１から出射されたレーザ光
を光ディスク１０に導く光学系として、半導体レーザ２
１側より順に配設されたコリメートレンズ２２，ビーム
スプリッタ２３，トラッキングミラー２４および対物レ
ンズ２５を備えている。対物レンズ２５は、フォーカス
用アクチュエータ２６によって、光ディスク１０の面に
対向する位置で、光ディスク１０の面に垂直な方向に移
動可能に保持されている。トラッキングミラー２４は、
トラッキング用アクチュエータ２７によって、光ディス
ク１０に対するレーザ光の入射位置をトラック横断方向
に移動可能に保持されている。光学的情報記録再生装置
２０は、更に、ビームスプリッタ２３で反射される光デ
ィスク１０からの戻り光の進行方向にビームスプリッタ
２３側より順に配設された１／２波長板２８，レンズ２
９および偏光ビームスプリッタ３０を備えている。偏光
ビームスプリッタ３０で反射される光ディスク１０から
の戻り光を受光する位置および偏光ビームスプリッタ３
０を透過する光ディスク１０からの戻り光を受光する位
置には、それぞれ光検出器３１，３２が配設されてい
る。光学的情報記録再生装置２０は、更に、光ディスク
１０を挟んで対物レンズ２５と対向する位置に配設され
た外部磁界印加用のコイル３３を備えている。これらの
構成要素のうち、少なくとも、トラッキングミラー２
４，対物レンズ２５，フォーカス用アクチュエータ２６
およびトラッキング用アクチュエータ２７は、トラック
横断方向に移動可能な可動体３５に取り付けられてい
る。
【００３４】光学的情報記録再生装置２０は、更に、可
動体３５をトラック横断方向に移動させる駆動部３６
と、半導体レーザ２１を駆動する駆動回路３７と、コイ
ル３３に通電する駆動回路３８と、光検出器３１の出力
信号に基づいてフォーカス用アクチュエータ２６を制御
してフォーカスサーボを行うフォーカスサーボ回路３９
と、光検出器３２の出力信号に基づいてトラッキング用
アクチュエータ２７を制御してトラッキングサーボを行
うトラッキングサーボ回路４０と、光検出器３１，３２
の出力信号に基づいて再生信号を検出する再生信号検出
回路４１と、これらを制御する制御部４２とを備えてい
る。なお、光学的情報記録再生装置２０は、以上の構成
要素の他に、光ディスク１０を回転するモータや、この
モータの回転数を変えたり一定に保持するモータサーボ
回路を備えているが、図示を省略する。
動体３５をトラック横断方向に移動させる駆動部３６
と、半導体レーザ２１を駆動する駆動回路３７と、コイ
ル３３に通電する駆動回路３８と、光検出器３１の出力
信号に基づいてフォーカス用アクチュエータ２６を制御
してフォーカスサーボを行うフォーカスサーボ回路３９
と、光検出器３２の出力信号に基づいてトラッキング用
アクチュエータ２７を制御してトラッキングサーボを行
うトラッキングサーボ回路４０と、光検出器３１，３２
の出力信号に基づいて再生信号を検出する再生信号検出
回路４１と、これらを制御する制御部４２とを備えてい
る。なお、光学的情報記録再生装置２０は、以上の構成
要素の他に、光ディスク１０を回転するモータや、この
モータの回転数を変えたり一定に保持するモータサーボ
回路を備えているが、図示を省略する。
【００３５】なお、フォーカスサーボの方法としては、
非点収差法，ナイフエッジ法等の種々の方法を用いるこ
とができ、採用する方法に応じて、光検出器３１は４分
割や２分割等とされ、また、光検出器３１に至る光ディ
スク１０からの戻り光の光路中に必要に応じてシリンド
リカルレンズやナイフエッジ等が設けられる。また、ト
ラッキングサーボの方法としても、プッシュプル法や３
ビーム法等の種々の方法を用いることができ、採用する
方法に応じて、光検出器３２が２分割等とされたり、必
要に応じて光ディスク１０への入射光を３ビームに分離
する光学素子が設けられたりする。
非点収差法，ナイフエッジ法等の種々の方法を用いるこ
とができ、採用する方法に応じて、光検出器３１は４分
割や２分割等とされ、また、光検出器３１に至る光ディ
スク１０からの戻り光の光路中に必要に応じてシリンド
リカルレンズやナイフエッジ等が設けられる。また、ト
ラッキングサーボの方法としても、プッシュプル法や３
ビーム法等の種々の方法を用いることができ、採用する
方法に応じて、光検出器３２が２分割等とされたり、必
要に応じて光ディスク１０への入射光を３ビームに分離
する光学素子が設けられたりする。
【００３６】次に、図３に示した光学的情報記録再生装
置２０の動作と図１に示した光ディスク１０の作用につ
いて説明する。
置２０の動作と図１に示した光ディスク１０の作用につ
いて説明する。
【００３７】まず、光ディスク１０の第１情報記録部Ｌ
1 （情報記録層１２）に情報を記録する場合について説
明する。この場合は、駆動部３６によって、光ディスク
１０に照射されるレーザ光が所定のトラック上にくるよ
うに可動部３５を移動させると共に、制御部４２によっ
てフォーカスサーボ回路３９を制御して、対物レンズ２
５によって集光されるレーザ光の焦点位置を情報記録層
１２に合わせる。また、駆動回路３８によってコイル３
３に通電して所定の方向の外部磁界を発生させる。な
お、情報記録前においては、情報記録層１２の磁化は予
め、光ディスク１０の面に垂直な一方向に揃えられてお
り、コイル３３によって発生する外部磁界の方向は、予
め揃えられている磁化方向と反対方向にする。この状態
で、制御部４２によって駆動回路３７を制御して、情報
記録用光として、記録する情報に応じて半導体レーザ２
１よりパルス状に情報記録用のパワーでレーザ光を出射
させる。この情報記録用光は、コリメートレンズ２２，
ビームスプリッタ２３，トラッキングミラー２４および
対物レンズ２５を経て情報記録層１２に集光される。情
報記録層１２のうち、情報記録用光が照射された部分は
局所的に温度がキューリ点以上に上昇し、磁化が外部磁
界の方向に向き、情報の記録が行われる。情報記録層１
２に記録された情報を消去する場合は、コイル３３より
情報記録時とは反対方向に外部磁界を発生させ、情報記
録層１２に連続的に光を照射する点以外は、情報記録時
と同様である。
1 （情報記録層１２）に情報を記録する場合について説
明する。この場合は、駆動部３６によって、光ディスク
１０に照射されるレーザ光が所定のトラック上にくるよ
うに可動部３５を移動させると共に、制御部４２によっ
てフォーカスサーボ回路３９を制御して、対物レンズ２
５によって集光されるレーザ光の焦点位置を情報記録層
１２に合わせる。また、駆動回路３８によってコイル３
３に通電して所定の方向の外部磁界を発生させる。な
お、情報記録前においては、情報記録層１２の磁化は予
め、光ディスク１０の面に垂直な一方向に揃えられてお
り、コイル３３によって発生する外部磁界の方向は、予
め揃えられている磁化方向と反対方向にする。この状態
で、制御部４２によって駆動回路３７を制御して、情報
記録用光として、記録する情報に応じて半導体レーザ２
１よりパルス状に情報記録用のパワーでレーザ光を出射
させる。この情報記録用光は、コリメートレンズ２２，
ビームスプリッタ２３，トラッキングミラー２４および
対物レンズ２５を経て情報記録層１２に集光される。情
報記録層１２のうち、情報記録用光が照射された部分は
局所的に温度がキューリ点以上に上昇し、磁化が外部磁
界の方向に向き、情報の記録が行われる。情報記録層１
２に記録された情報を消去する場合は、コイル３３より
情報記録時とは反対方向に外部磁界を発生させ、情報記
録層１２に連続的に光を照射する点以外は、情報記録時
と同様である。
【００３８】光ディスク１０の第２情報記録部Ｌ2 （情
報記録層１５）に情報を記録する場合および記録された
情報を消去する場合は、対物レンズ２５によって集光さ
れるレーザ光の焦点位置を情報記録層１５に合わせる点
以外は、第１情報記録部Ｌ1（情報記録層１２）に情報
を記録する場合および記録された情報を消去する場合と
同様である。
報記録層１５）に情報を記録する場合および記録された
情報を消去する場合は、対物レンズ２５によって集光さ
れるレーザ光の焦点位置を情報記録層１５に合わせる点
以外は、第１情報記録部Ｌ1（情報記録層１２）に情報
を記録する場合および記録された情報を消去する場合と
同様である。
【００３９】次に、光ディスク１０の第１情報記録部Ｌ
1 （情報記録層１２）に記録された情報を再生する場合
について説明する。この場合は、駆動部３６によって、
光ディスク１０に照射されるレーザ光が所定のトラック
上にくるように可動部３５を移動させると共に、制御部
４２によってフォーカスサーボ回路３９を制御して、対
物レンズ２５によって集光されるレーザ光の焦点位置を
情報記録層１２に合わせる。また、制御部４２によって
駆動回路３７を制御して、情報再生用光として、半導体
レーザ２１より情報再生用のパワーでレーザ光を出射さ
せる。この情報再生用光は、コリメートレンズ２２，ビ
ームスプリッタ２３，トラッキングミラー２４および対
物レンズ２５を経て情報記録層１２に集光され、情報記
録層１２で反射される。このとき、情報再生用光の偏光
面は、情報記録層１２における磁化の方向に応じて互い
に異なる方向に回転する。この偏光面の回転は、情報記
録層１２の基板１１側の面で反射する光のカー効果によ
る回転と、情報記録層１２内を通過しスペーサ層１３と
の境界面で反射し再度情報記録層１２内を通過する光の
ファラデー効果による回転とが合成された見かけのカー
回転と呼ばれるものである。見かけのカー回転を受けた
情報記録層１２からの戻り光は、再び対物レンズ２５お
よびトラッキングミラー２４を経てビームスプリッタ２
３に入射し、一部が反射されて１／２波長板２８および
レンズ２９を経て偏光ビームスプリッタ３０に入射す
る。偏光ビームスプリッタ３０に入射した光は、偏光面
が互いに直交する２成分に分離され、それぞれ光検出器
３１，３２によって検出される。そして、再生信号検出
回路４１で光検出器３１，３２の出力の差を検出するこ
とにより再生信号が得られる。
1 （情報記録層１２）に記録された情報を再生する場合
について説明する。この場合は、駆動部３６によって、
光ディスク１０に照射されるレーザ光が所定のトラック
上にくるように可動部３５を移動させると共に、制御部
４２によってフォーカスサーボ回路３９を制御して、対
物レンズ２５によって集光されるレーザ光の焦点位置を
情報記録層１２に合わせる。また、制御部４２によって
駆動回路３７を制御して、情報再生用光として、半導体
レーザ２１より情報再生用のパワーでレーザ光を出射さ
せる。この情報再生用光は、コリメートレンズ２２，ビ
ームスプリッタ２３，トラッキングミラー２４および対
物レンズ２５を経て情報記録層１２に集光され、情報記
録層１２で反射される。このとき、情報再生用光の偏光
面は、情報記録層１２における磁化の方向に応じて互い
に異なる方向に回転する。この偏光面の回転は、情報記
録層１２の基板１１側の面で反射する光のカー効果によ
る回転と、情報記録層１２内を通過しスペーサ層１３と
の境界面で反射し再度情報記録層１２内を通過する光の
ファラデー効果による回転とが合成された見かけのカー
回転と呼ばれるものである。見かけのカー回転を受けた
情報記録層１２からの戻り光は、再び対物レンズ２５お
よびトラッキングミラー２４を経てビームスプリッタ２
３に入射し、一部が反射されて１／２波長板２８および
レンズ２９を経て偏光ビームスプリッタ３０に入射す
る。偏光ビームスプリッタ３０に入射した光は、偏光面
が互いに直交する２成分に分離され、それぞれ光検出器
３１，３２によって検出される。そして、再生信号検出
回路４１で光検出器３１，３２の出力の差を検出するこ
とにより再生信号が得られる。
【００４０】光ディスク１０の第２情報記録部Ｌ2 （情
報記録層１５）に記録された情報を再生する場合は、対
物レンズ２５によって集光されるレーザ光の焦点位置を
情報記録層１５に合わせる点以外は、第１情報記録部Ｌ
1 （情報記録層１２）に記録された情報を再生する場合
と同様である。
報記録層１５）に記録された情報を再生する場合は、対
物レンズ２５によって集光されるレーザ光の焦点位置を
情報記録層１５に合わせる点以外は、第１情報記録部Ｌ
1 （情報記録層１２）に記録された情報を再生する場合
と同様である。
【００４１】以上説明したように、本実施の形態に係る
光ディスク１０によれば、片面に書き換え可能型の２層
の情報記録層１２，１５を設けると共に、光入射側の一
層目の情報記録層１２を、磁気光学効果が大きく且つ光
吸収の小さなビスマス置換磁性ガーネット（消衰係数ｋ
が約０．１２）からなる光磁気記録材料で形成したの
で、一層目の情報記録層１２の単位厚み当たりの光吸収
率が十分小さく、一層目の情報記録層１２の厚みおよび
その許容範囲を量産可能な程度に十分大きくすることが
可能となり、書き換え可能型の情報記録層を２層有し大
容量化が可能で、且つ情報記録層１２の厚みの制御が容
易で量産可能な光ディスクを実現することができる。ま
た、本実施の形態に係る光学的情報記録再生装置２０に
よれば、上記の光ディスク１０における２層の書き換え
可能型の情報記録層１２，１５のいずれに対しても情報
の記録と再生を行うことができる。
光ディスク１０によれば、片面に書き換え可能型の２層
の情報記録層１２，１５を設けると共に、光入射側の一
層目の情報記録層１２を、磁気光学効果が大きく且つ光
吸収の小さなビスマス置換磁性ガーネット（消衰係数ｋ
が約０．１２）からなる光磁気記録材料で形成したの
で、一層目の情報記録層１２の単位厚み当たりの光吸収
率が十分小さく、一層目の情報記録層１２の厚みおよび
その許容範囲を量産可能な程度に十分大きくすることが
可能となり、書き換え可能型の情報記録層を２層有し大
容量化が可能で、且つ情報記録層１２の厚みの制御が容
易で量産可能な光ディスクを実現することができる。ま
た、本実施の形態に係る光学的情報記録再生装置２０に
よれば、上記の光ディスク１０における２層の書き換え
可能型の情報記録層１２，１５のいずれに対しても情報
の記録と再生を行うことができる。
【００４２】また、本実施の形態では、情報再生用光と
して波長５００ｎｍのブルーレーザ光を用いると共に情
報記録層１２としてビスマス置換磁性ガーネットを用い
ているが、ビスマス置換磁性ガーネットは５００ｎｍ付
近の短波長域で大きな磁気光学効果がある（日本応用磁
気学会誌，Ｖｏｌ．１１，Ｎｏ２，１９８７年、第１４
７〜１５２ページおよび日本応用磁気学会誌，Ｖｏｌ．
１５，Ｎｏ２，１９９１年、第２０９〜２１２ページ参
照）ので、本実施の形態によれば、再生出力を大きくで
き、ＳＮ比（信号対雑音比）を向上することができる。
して波長５００ｎｍのブルーレーザ光を用いると共に情
報記録層１２としてビスマス置換磁性ガーネットを用い
ているが、ビスマス置換磁性ガーネットは５００ｎｍ付
近の短波長域で大きな磁気光学効果がある（日本応用磁
気学会誌，Ｖｏｌ．１１，Ｎｏ２，１９８７年、第１４
７〜１５２ページおよび日本応用磁気学会誌，Ｖｏｌ．
１５，Ｎｏ２，１９９１年、第２０９〜２１２ページ参
照）ので、本実施の形態によれば、再生出力を大きくで
き、ＳＮ比（信号対雑音比）を向上することができる。
【００４３】次に、本発明の第２の実施の形態に係る光
ディスクについて説明する。本実施の形態に係る光ディ
スク１０は、情報再生用光として波長７８０ｎｍのレー
ザ光を用いることを前提として設計したものである。こ
の光ディスク１０は、断面構成は図１と同様であるが、
第１情報記録部Ｌ1 となる情報記録層１２をコバルトフ
ェライトで形成したものである。コバルトフェライトの
組成は、一般形としてＣｏＦｅ2-X Ｍx Ｏ4 （ただし、
０≦ｘ＜２）と表される。なお、ＭはＦｅ以外の遷移金
属元素を表し、Ｒｈ等がある。ここでは、情報記録層１
２を形成するコバルトフェライトとしてＣｏＦｅ2 Ｏ4
を用いるものとする。ＣｏＦｅ2 Ｏ4 のの複素屈折率ｎ
−ｉｋは、波長７８０ｎｍにおいて、約２．７−ｉ・
０．１２４であり、複素屈折率の虚数部の係数である消
衰係数ｋは約０．１２４である（Ｐｒｏｃ．（プロシー
ディングス）ＳＰＩＥ ｖｏｌ．４２０、１９８３年、
第２３１ページ参照）。
ディスクについて説明する。本実施の形態に係る光ディ
スク１０は、情報再生用光として波長７８０ｎｍのレー
ザ光を用いることを前提として設計したものである。こ
の光ディスク１０は、断面構成は図１と同様であるが、
第１情報記録部Ｌ1 となる情報記録層１２をコバルトフ
ェライトで形成したものである。コバルトフェライトの
組成は、一般形としてＣｏＦｅ2-X Ｍx Ｏ4 （ただし、
０≦ｘ＜２）と表される。なお、ＭはＦｅ以外の遷移金
属元素を表し、Ｒｈ等がある。ここでは、情報記録層１
２を形成するコバルトフェライトとしてＣｏＦｅ2 Ｏ4
を用いるものとする。ＣｏＦｅ2 Ｏ4 のの複素屈折率ｎ
−ｉｋは、波長７８０ｎｍにおいて、約２．７−ｉ・
０．１２４であり、複素屈折率の虚数部の係数である消
衰係数ｋは約０．１２４である（Ｐｒｏｃ．（プロシー
ディングス）ＳＰＩＥ ｖｏｌ．４２０、１９８３年、
第２３１ページ参照）。
【００４４】情報記録層１２の複素屈折率と波長以外の
条件を第１の実施の形態と同じにして、第１の実施の形
態と同様の計算によって、情報記録層１２の厚みｄ（ｎ
ｍ）と、第１情報記録部Ｌ1 の強度反射率Ｒ1 ，第２情
報記録部Ｌ2 の最終強度反射率Ｒ2 および第１情報記録
部Ｌ1 の光吸収率Ａとの関係を求めた結果を図４に示
す。この図から分かるように、Ｒ1 とＲ2 が略等しくな
るｄの領域はいくつかあるが、Ａが約３０％となる領域
を選ぶと１８０ｎｍ付近となり、この領域において
Ｒ1 ，Ｒ2 は共に１０％程度であり、十分、情報を再生
可能な値となる。
条件を第１の実施の形態と同じにして、第１の実施の形
態と同様の計算によって、情報記録層１２の厚みｄ（ｎ
ｍ）と、第１情報記録部Ｌ1 の強度反射率Ｒ1 ，第２情
報記録部Ｌ2 の最終強度反射率Ｒ2 および第１情報記録
部Ｌ1 の光吸収率Ａとの関係を求めた結果を図４に示
す。この図から分かるように、Ｒ1 とＲ2 が略等しくな
るｄの領域はいくつかあるが、Ａが約３０％となる領域
を選ぶと１８０ｎｍ付近となり、この領域において
Ｒ1 ，Ｒ2 は共に１０％程度であり、十分、情報を再生
可能な値となる。
【００４５】本実施の形態に係る光ディスク１０によれ
ば、光入射側の一層目の情報記録層１２を、光吸収の小
さなコバルトフェライト（消衰係数ｋが約０．１２４）
からなる光磁気記録材料で形成したので、第１の実施の
形態と同様に、一層目の情報記録層１２の単位厚み当た
りの光吸収率が十分小さくなり、一層目の情報記録層１
２の厚みおよびその許容範囲を量産可能な程度に十分大
きくすることが可能となり、書き換え可能型の情報記録
層を２層有し大容量化が可能で、且つ情報記録層１２の
厚みの制御が容易で量産可能な光ディスクを実現するこ
とができる。
ば、光入射側の一層目の情報記録層１２を、光吸収の小
さなコバルトフェライト（消衰係数ｋが約０．１２４）
からなる光磁気記録材料で形成したので、第１の実施の
形態と同様に、一層目の情報記録層１２の単位厚み当た
りの光吸収率が十分小さくなり、一層目の情報記録層１
２の厚みおよびその許容範囲を量産可能な程度に十分大
きくすることが可能となり、書き換え可能型の情報記録
層を２層有し大容量化が可能で、且つ情報記録層１２の
厚みの制御が容易で量産可能な光ディスクを実現するこ
とができる。
【００４６】なお、本実施の形態に係る光ディスク１０
に対して情報の記録と再生を行う光学的情報記録再生装
置は、半導体レーザ２１として波長７８０ｎｍのレーザ
光を出射するものを使用する点を除き、図３に示した光
学的情報記録再生装置２０と同様である。本実施の形態
のその他の構成、作用および効果は第１の実施の形態と
同様である。
に対して情報の記録と再生を行う光学的情報記録再生装
置は、半導体レーザ２１として波長７８０ｎｍのレーザ
光を出射するものを使用する点を除き、図３に示した光
学的情報記録再生装置２０と同様である。本実施の形態
のその他の構成、作用および効果は第１の実施の形態と
同様である。
【００４７】次に、図１に示した断面構成の光ディスク
１０において、情報記録層１２を形成する光磁気記録材
料の選定条件を決めるために、情報記録層１２を形成す
る光磁気記録材料の複素屈折率のうち、吸収特性を決め
る消衰係数ｋの限界について考察する。
１０において、情報記録層１２を形成する光磁気記録材
料の選定条件を決めるために、情報記録層１２を形成す
る光磁気記録材料の複素屈折率のうち、吸収特性を決め
る消衰係数ｋの限界について考察する。
【００４８】ここでは、波長を５００ｎｍとすると共
に、情報記録層１２を形成する光磁気記録材料の複素屈
折率ｎ−ｉｋのうちの実数部ｎ（屈折率）を２．５と
し、消衰係数ｋが０．５の場合と１．０の場合につい
て、第１の実施の形態と同様の計算によって、情報記録
層１２の厚みｄ（ｎｍ）と、第１情報記録部Ｌ1 の強度
反射率Ｒ1 ，第２情報記録部Ｌ2 の最終強度反射率Ｒ2
および第１情報記録部Ｌ1 の光吸収率Ａとの関係を求め
た。消衰係数ｋが０．５の場合のｄとＲ1 ，Ｒ2 および
Ａとの関係を図５に示し、消衰係数ｋが１．０の場合の
ｄとＲ1 ，Ｒ2 およびＡとの関係を図６に示す。
に、情報記録層１２を形成する光磁気記録材料の複素屈
折率ｎ−ｉｋのうちの実数部ｎ（屈折率）を２．５と
し、消衰係数ｋが０．５の場合と１．０の場合につい
て、第１の実施の形態と同様の計算によって、情報記録
層１２の厚みｄ（ｎｍ）と、第１情報記録部Ｌ1 の強度
反射率Ｒ1 ，第２情報記録部Ｌ2 の最終強度反射率Ｒ2
および第１情報記録部Ｌ1 の光吸収率Ａとの関係を求め
た。消衰係数ｋが０．５の場合のｄとＲ1 ，Ｒ2 および
Ａとの関係を図５に示し、消衰係数ｋが１．０の場合の
ｄとＲ1 ，Ｒ2 およびＡとの関係を図６に示す。
【００４９】消衰係数ｋが０．５の場合は、図５から分
かるように、Ｒ1 とＲ2 が略等しくなるｄの領域は２７
ｎｍ付近であり、且つＲ1 とＲ2 が略等しい範囲が広い
ため、情報記録層１２の厚みの制御が容易で量産可能で
あり、また、この領域においてＲ1 ，Ｒ2 は共に１０％
程度であり、十分、情報を再生可能な値となる。
かるように、Ｒ1 とＲ2 が略等しくなるｄの領域は２７
ｎｍ付近であり、且つＲ1 とＲ2 が略等しい範囲が広い
ため、情報記録層１２の厚みの制御が容易で量産可能で
あり、また、この領域においてＲ1 ，Ｒ2 は共に１０％
程度であり、十分、情報を再生可能な値となる。
【００５０】一方、消衰係数ｋが１．０の場合は、図６
から分かるように、Ｒ1 とＲ2 が略等しくなるｄの領域
は１８ｎｍ付近であるが、Ｒ1 とＲ2 が略等しい範囲は
消衰係数ｋが１．０の場合に比べて狭い。なお、この領
域においてＲ1 ，Ｒ2 は共に９％程度であり、十分、情
報を再生可能な値となる。
から分かるように、Ｒ1 とＲ2 が略等しくなるｄの領域
は１８ｎｍ付近であるが、Ｒ1 とＲ2 が略等しい範囲は
消衰係数ｋが１．０の場合に比べて狭い。なお、この領
域においてＲ1 ，Ｒ2 は共に９％程度であり、十分、情
報を再生可能な値となる。
【００５１】ここで、情報記録層１２の厚みｄの制御の
難易を判断する目安として、次の式で表されるリフレク
ティブ・アンバランスＲＵを用いることとする。
難易を判断する目安として、次の式で表されるリフレク
ティブ・アンバランスＲＵを用いることとする。
【００５２】
【数７】ＲＵ＝２｜Ｒ1 −Ｒ2 ｜／（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）
【００５３】このリフレクディブ・アンバランスＲＵ
は、反射率Ｒ1 ，Ｒ2 のアンバランスの度合いを示すも
のであり、その値が小さい程、反射率Ｒ1 ，Ｒ2 のアン
バランスが小さく、光学的情報記録再生装置の再生動作
の安定上好ましい。そこで、ＲＵ≦２０％という条件を
設定して、この条件を満たす情報記録層１２の厚みｄの
範囲の大小を、情報記録層１２の厚みｄの制御の難易を
判断する目安とする。
は、反射率Ｒ1 ，Ｒ2 のアンバランスの度合いを示すも
のであり、その値が小さい程、反射率Ｒ1 ，Ｒ2 のアン
バランスが小さく、光学的情報記録再生装置の再生動作
の安定上好ましい。そこで、ＲＵ≦２０％という条件を
設定して、この条件を満たす情報記録層１２の厚みｄの
範囲の大小を、情報記録層１２の厚みｄの制御の難易を
判断する目安とする。
【００５４】図７は、比較のために、図１１に示したよ
うに第１情報記録部Ｌ1 の情報記録層１０３としてＴｂ
ＦｅＣｏを用い、ｄとＲ1 ，Ｒ2 との関係が図１２に示
した特性となる場合におけるｄとＲＵとの関係を示した
ものである。この場合、ＲＵ≦２０％を満たすｄの範囲
は、おおよそ５．７ｎｍを中心として±７．８％の範囲
である。従って、ｄのマージンは±７．８％である。図
８は、第１の実施の形態で示した条件で、ｄとＲ1 ，Ｒ
2 との関係が図２に示した特性となる場合において、ｄ
が５０ｎｍ付近の領域におけるｄとＲＵとの関係を示し
たものである。この場合、ＲＵ≦２０％を満たすｄの範
囲は、一部ＲＵが２０％を越える部分があるが、おおよ
そ５０ｎｍを中心として±３８％の範囲である。従っ
て、ｄのマージンは±３８％である。
うに第１情報記録部Ｌ1 の情報記録層１０３としてＴｂ
ＦｅＣｏを用い、ｄとＲ1 ，Ｒ2 との関係が図１２に示
した特性となる場合におけるｄとＲＵとの関係を示した
ものである。この場合、ＲＵ≦２０％を満たすｄの範囲
は、おおよそ５．７ｎｍを中心として±７．８％の範囲
である。従って、ｄのマージンは±７．８％である。図
８は、第１の実施の形態で示した条件で、ｄとＲ1 ，Ｒ
2 との関係が図２に示した特性となる場合において、ｄ
が５０ｎｍ付近の領域におけるｄとＲＵとの関係を示し
たものである。この場合、ＲＵ≦２０％を満たすｄの範
囲は、一部ＲＵが２０％を越える部分があるが、おおよ
そ５０ｎｍを中心として±３８％の範囲である。従っ
て、ｄのマージンは±３８％である。
【００５５】図９は、消衰係数ｋが０．５の場合、すな
わちｄとＲ1 ，Ｒ2 との関係が図５に示した特性となる
場合におけるｄとＲＵとの関係を示したものである。こ
の場合、ＲＵ≦２０％を満たすｄの範囲は、おおよそ２
７ｎｍを中心として±１０％の範囲である。従って、ｄ
のマージンは±１０％である。図１０は、消衰係数ｋが
１．０の場合、すなわちｄとＲ1 ，Ｒ2 との関係が図６
に示した特性となる場合におけるｄとＲＵとの関係を示
したものである。この場合、ＲＵ≦２０％を満たすｄの
範囲は、おおよそ１８．５ｎｍを中心として±８．０％
の範囲である。従って、ｄのマージンは±８．０％であ
る。
わちｄとＲ1 ，Ｒ2 との関係が図５に示した特性となる
場合におけるｄとＲＵとの関係を示したものである。こ
の場合、ＲＵ≦２０％を満たすｄの範囲は、おおよそ２
７ｎｍを中心として±１０％の範囲である。従って、ｄ
のマージンは±１０％である。図１０は、消衰係数ｋが
１．０の場合、すなわちｄとＲ1 ，Ｒ2 との関係が図６
に示した特性となる場合におけるｄとＲＵとの関係を示
したものである。この場合、ＲＵ≦２０％を満たすｄの
範囲は、おおよそ１８．５ｎｍを中心として±８．０％
の範囲である。従って、ｄのマージンは±８．０％であ
る。
【００５６】情報記録層１２の厚みｄの制御が容易であ
ることの条件として、ＲＵ≦２０％を満たすｄのマージ
ンが図７に示した比較例と同程度（７．８％）以上であ
るという条件を設定すると、情報記録層１２を形成する
光磁気記録材料の消衰係数ｋは１．０以下である必要が
ある。また、ＲＵ≦２０％を満たすｄのマージンをより
大きくして１０％以上に設定すると、消衰係数ｋは０．
５以下である必要がある。
ることの条件として、ＲＵ≦２０％を満たすｄのマージ
ンが図７に示した比較例と同程度（７．８％）以上であ
るという条件を設定すると、情報記録層１２を形成する
光磁気記録材料の消衰係数ｋは１．０以下である必要が
ある。また、ＲＵ≦２０％を満たすｄのマージンをより
大きくして１０％以上に設定すると、消衰係数ｋは０．
５以下である必要がある。
【００５７】以上の考察より、情報記録層１２の厚みの
制御が容易であるという観点から、情報記録層１２を形
成する光磁気記録材料の望ましい条件は、消衰係数ｋが
１．０以下であり、より好ましくは消衰係数ｋが０．５
以下である。
制御が容易であるという観点から、情報記録層１２を形
成する光磁気記録材料の望ましい条件は、消衰係数ｋが
１．０以下であり、より好ましくは消衰係数ｋが０．５
以下である。
【００５８】消衰係数ｋが１．０以下の光磁気記録材料
としては、第１の実施の形態で挙げたＹ2 ＢｉＦｅ5-X
Ｇａx Ｏ12（波長５００ｎｍにおいてｋ＝０．１２）や
第２の実施の形態で挙げたＣｏＦｅ2 Ｏ4 （波長７８０
ｎｍにおいてｋ＝０．１２４）の他にも、例えば以下に
列挙したような材料がある。 ＣｏＲｈＦｅＯ4 …波長６３３ｎｍにおいてｋ＝０．６
６、波長７８０ｎｍにおいてｋ＝０．３１（ＩＥＥＥ
Ｍａｇ−１１、１９７５年、第１１０３ページ参照） ＣｏＣｒＦｅＯ4 …波長６３３ｎｍにおいてｋ＝０．２
３、波長７８０ｎｍにおいてｋ＝０．１２（ＩＥＥＥ
Ｍａｇ−１１、１９７５年、第１１０３ページ参照） ＢａＦｅ12Ｏ19…波長７００ｎｍにおいてｋ＝０．０４
（１９８５年春 応用物理学会予稿、３０ａＧ−１，
２、第３６１〜３６２ページ参照） ＢａＴｉＣｏＦｅ10Ｏ19…波長７８０ｎｍにおいてｋ＝
０．０５（１９８５年春 応用物理学会予稿、３０ａＧ
−１，２、第３６１〜３６２ページ参照） Ｇｄ3 Ｆｅ4.34Ｃｏ0.33Ｇｅ0.33Ｏ12…波長６３３ｎｍ
においてｋ＝０．０１、波長７３０ｎｍにおいてｋ＝
０．００６、波長７８０ｎｍにおいてｋ＝０．００１
（ＩＥＥＥ Ｍａｇ−８、１９７２年、第６４６ページ
参照）
としては、第１の実施の形態で挙げたＹ2 ＢｉＦｅ5-X
Ｇａx Ｏ12（波長５００ｎｍにおいてｋ＝０．１２）や
第２の実施の形態で挙げたＣｏＦｅ2 Ｏ4 （波長７８０
ｎｍにおいてｋ＝０．１２４）の他にも、例えば以下に
列挙したような材料がある。 ＣｏＲｈＦｅＯ4 …波長６３３ｎｍにおいてｋ＝０．６
６、波長７８０ｎｍにおいてｋ＝０．３１（ＩＥＥＥ
Ｍａｇ−１１、１９７５年、第１１０３ページ参照） ＣｏＣｒＦｅＯ4 …波長６３３ｎｍにおいてｋ＝０．２
３、波長７８０ｎｍにおいてｋ＝０．１２（ＩＥＥＥ
Ｍａｇ−１１、１９７５年、第１１０３ページ参照） ＢａＦｅ12Ｏ19…波長７００ｎｍにおいてｋ＝０．０４
（１９８５年春 応用物理学会予稿、３０ａＧ−１，
２、第３６１〜３６２ページ参照） ＢａＴｉＣｏＦｅ10Ｏ19…波長７８０ｎｍにおいてｋ＝
０．０５（１９８５年春 応用物理学会予稿、３０ａＧ
−１，２、第３６１〜３６２ページ参照） Ｇｄ3 Ｆｅ4.34Ｃｏ0.33Ｇｅ0.33Ｏ12…波長６３３ｎｍ
においてｋ＝０．０１、波長７３０ｎｍにおいてｋ＝
０．００６、波長７８０ｎｍにおいてｋ＝０．００１
（ＩＥＥＥ Ｍａｇ−８、１９７２年、第６４６ページ
参照）
【００５９】なお、本発明は上記各実施の形態に限定さ
れず、例えば、光ディスクの第２情報記録部Ｌ2 は書き
換え可能型に限らず、再生専用型や追記型としても良
い。再生専用型とする場合には、例えば第１情報記録部
Ｌ1 側とは反対側のスペーサ層１３の面に情報ピットの
凹凸を形成し、その上に反射膜を形成すれば良い。追記
型とする場合には、第２情報記録部Ｌ2 に追記型の記録
層を設ければ良い。また、光ディスクは、片側に３層以
上の情報記録層を有するものでも良い。また、光学的情
報記録再生装置の構成は図３に示した構成に限定され
ず、実質的に同様の機能を有する範囲内であれば適宜に
変更することができる。
れず、例えば、光ディスクの第２情報記録部Ｌ2 は書き
換え可能型に限らず、再生専用型や追記型としても良
い。再生専用型とする場合には、例えば第１情報記録部
Ｌ1 側とは反対側のスペーサ層１３の面に情報ピットの
凹凸を形成し、その上に反射膜を形成すれば良い。追記
型とする場合には、第２情報記録部Ｌ2 に追記型の記録
層を設ければ良い。また、光ディスクは、片側に３層以
上の情報記録層を有するものでも良い。また、光学的情
報記録再生装置の構成は図３に示した構成に限定され
ず、実質的に同様の機能を有する範囲内であれば適宜に
変更することができる。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし４の
いずれか１に記載の光ディスクによれば、光入射側の一
層目の情報記録層を、吸収特性を決める複素屈折率の虚
数部の係数である消衰係数が１以下の材料で形成したの
で、一層目の情報記録層の単位厚み当たりの光吸収率が
十分小さくなり、一層目の情報記録層の厚みおよびその
許容範囲を量産可能な程度に十分大きくすることが可能
となり、片面に複数層の情報記録層を有し、少なくとも
光入射側の一層目の情報記録層が書き換え可能型であ
り、且つ量産が可能な光ディスクを実現することができ
るという効果を奏する。
いずれか１に記載の光ディスクによれば、光入射側の一
層目の情報記録層を、吸収特性を決める複素屈折率の虚
数部の係数である消衰係数が１以下の材料で形成したの
で、一層目の情報記録層の単位厚み当たりの光吸収率が
十分小さくなり、一層目の情報記録層の厚みおよびその
許容範囲を量産可能な程度に十分大きくすることが可能
となり、片面に複数層の情報記録層を有し、少なくとも
光入射側の一層目の情報記録層が書き換え可能型であ
り、且つ量産が可能な光ディスクを実現することができ
るという効果を奏する。
【００６１】また、請求項５記載の光学的情報記録再生
装置によれば、請求項１記載の光ディスクにおける各情
報記録層のうちの書き換え可能型の情報記録層に対して
焦点位置を合わせて情報記録用光を照射して情報の記録
を行う情報記録手段と、光ディスクにおける各情報記録
層に選択的に焦点位置を合わせて情報再生用光を照射
し、各情報記録層からの光を検出して、各情報記録層に
記録された情報の再生を行う情報再生手段とを備えたの
で、請求項１記載の光ディスクへの情報の記録とこの光
ディスクに記録されている情報の再生とを行うことがで
きるという効果を奏する。
装置によれば、請求項１記載の光ディスクにおける各情
報記録層のうちの書き換え可能型の情報記録層に対して
焦点位置を合わせて情報記録用光を照射して情報の記録
を行う情報記録手段と、光ディスクにおける各情報記録
層に選択的に焦点位置を合わせて情報再生用光を照射
し、各情報記録層からの光を検出して、各情報記録層に
記録された情報の再生を行う情報再生手段とを備えたの
で、請求項１記載の光ディスクへの情報の記録とこの光
ディスクに記録されている情報の再生とを行うことがで
きるという効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光ディスクの
断面構成を示す説明図である。
断面構成を示す説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る光ディスクに
おける第１情報記録部の情報記録層の厚みと第１情報記
録部の強度反射率，第２情報記録部の最終強度反射率お
よび第１情報記録部の光吸収率との関係を示す特性図で
ある。
おける第１情報記録部の情報記録層の厚みと第１情報記
録部の強度反射率，第２情報記録部の最終強度反射率お
よび第１情報記録部の光吸収率との関係を示す特性図で
ある。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る光学的情報記
録再生装置の構成を示す説明図である。
録再生装置の構成を示す説明図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る光ディスクに
おける第１情報記録部の情報記録層の厚みと第１情報記
録部の強度反射率，第２情報記録部の最終強度反射率お
よび第１情報記録部の光吸収率との関係を示す特性図で
ある。
おける第１情報記録部の情報記録層の厚みと第１情報記
録部の強度反射率，第２情報記録部の最終強度反射率お
よび第１情報記録部の光吸収率との関係を示す特性図で
ある。
【図５】図１に示した構成の光ディスクにおいて第１情
報記録部の情報記録層を形成する光磁気記録材料の消衰
係数ｋが０．５の場合における第１情報記録部の情報記
録層の厚みと第１情報記録部の強度反射率，第２情報記
録部の最終強度反射率および第１情報記録部の光吸収率
との関係を示す特性図である。
報記録部の情報記録層を形成する光磁気記録材料の消衰
係数ｋが０．５の場合における第１情報記録部の情報記
録層の厚みと第１情報記録部の強度反射率，第２情報記
録部の最終強度反射率および第１情報記録部の光吸収率
との関係を示す特性図である。
【図６】図１に示した構成の光ディスクにおいて第１情
報記録部の情報記録層を形成する光磁気記録材料の消衰
係数ｋが１．０の場合における第１情報記録部の情報記
録層の厚みと第１情報記録部の強度反射率，第２情報記
録部の最終強度反射率および第１情報記録部の光吸収率
との関係を示す特性図である。
報記録部の情報記録層を形成する光磁気記録材料の消衰
係数ｋが１．０の場合における第１情報記録部の情報記
録層の厚みと第１情報記録部の強度反射率，第２情報記
録部の最終強度反射率および第１情報記録部の光吸収率
との関係を示す特性図である。
【図７】２層の情報記録層を有し一層目の情報記録層と
してＴｂＦｅＣｏを用いた光ディスクにおける一層目の
情報記録層の厚みとリフレクティブ・アンバランスとの
関係を示す特性図である。
してＴｂＦｅＣｏを用いた光ディスクにおける一層目の
情報記録層の厚みとリフレクティブ・アンバランスとの
関係を示す特性図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態で示した条件下にお
ける第１情報記録部の情報記録層の厚みとリフレクティ
ブ・アンバランスとの関係を示す特性図である。
ける第１情報記録部の情報記録層の厚みとリフレクティ
ブ・アンバランスとの関係を示す特性図である。
【図９】図１に示した構成の光ディスクにおいて第１情
報記録部の情報記録層を形成する光磁気記録材料の消衰
係数ｋが０．５の場合における第１情報記録部の情報記
録層の厚みとリフレクティブ・アンバランスとの関係を
示す特性図である。
報記録部の情報記録層を形成する光磁気記録材料の消衰
係数ｋが０．５の場合における第１情報記録部の情報記
録層の厚みとリフレクティブ・アンバランスとの関係を
示す特性図である。
【図１０】図１に示した構成の光ディスクにおいて第１
情報記録部の情報記録層を形成する光磁気記録材料の消
衰係数ｋが１．０の場合における第１情報記録部の情報
記録層の厚みとリフレクティブ・アンバランスとの関係
を示す特性図である。
情報記録部の情報記録層を形成する光磁気記録材料の消
衰係数ｋが１．０の場合における第１情報記録部の情報
記録層の厚みとリフレクティブ・アンバランスとの関係
を示す特性図である。
【図１１】ディスクの片面に２層の情報記録層を設けた
書き換え可能型光ディスクを考えた場合の代表的な設計
例の断面構成を示す説明図である。
書き換え可能型光ディスクを考えた場合の代表的な設計
例の断面構成を示す説明図である。
【図１２】図１１に示した構成の光ディスクにおける第
１情報記録部の情報記録層の厚みと第１情報記録部の強
度反射率，第２情報記録部の最終強度反射率および第１
情報記録部の光吸収率との関係を示す特性図である。
１情報記録部の情報記録層の厚みと第１情報記録部の強
度反射率，第２情報記録部の最終強度反射率および第１
情報記録部の光吸収率との関係を示す特性図である。
１０…光ディスク、Ｌ1 …第１情報記録部、Ｌ2 …第２
情報記録部、１１…基板、１２…情報記録層、１３…ス
ペーサ層、１４，１６…透明誘電体膜、１５…情報記録
層、１７…反射膜
情報記録部、１１…基板、１２…情報記録層、１３…ス
ペーサ層、１４，１６…透明誘電体膜、１５…情報記録
層、１７…反射膜
Claims (5)
- 【請求項１】 片面に複数層の情報記録層を有し、光入
射側の一層目の情報記録層が書き換え可能型であり且つ
複素屈折率の虚数部の係数である消衰係数が１以下の材
料で形成されていることを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 前記一層目の情報記録層がビスマス置換
磁性ガーネットからなる光磁気記録材料で形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の光ディスク。 - 【請求項３】 前記一層目の情報記録層がコバルトフェ
ライトからなる光磁気記録材料で形成されていることを
特徴とする請求項１記載の光ディスク。 - 【請求項４】 前記情報記録層は二層設けられ、二層目
の情報記録層も書き換え可能型であることを特徴とする
請求項１記載の光ディスク。 - 【請求項５】 片面に複数層の情報記録層を有し、光入
射側の一層目の情報記録層が書き換え可能型であり且つ
複素屈折率の虚数部の係数である消衰係数が１以下の材
料で形成されている光ディスクに対して情報の記録を行
うと共に前記光ディスクに記録されている情報の再生を
行う光学的情報記録再生装置であって、 前記光ディスクにおける各情報記録層のうちの書き換え
可能型の情報記録層に対して焦点位置を合わせて情報記
録用光を照射して情報の記録を行う情報記録手段と、 前記光ディスクにおける各情報記録層に選択的に焦点位
置を合わせて情報再生用光を照射し、各情報記録層から
の光を検出して、各情報記録層に記録された情報の再生
を行う情報再生手段とを備えたことを特徴とする光学的
情報記録再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8115268A JPH09282710A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 光ディスクおよび光学的情報記録再生装置 |
| US08/839,752 US6324148B1 (en) | 1996-04-15 | 1997-04-15 | Optical disk and optical information recording/reproducing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8115268A JPH09282710A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 光ディスクおよび光学的情報記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09282710A true JPH09282710A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14658472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8115268A Pending JPH09282710A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 光ディスクおよび光学的情報記録再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6324148B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09282710A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100345199C (zh) * | 2004-03-19 | 2007-10-24 | 株式会社理光 | 光记录媒体 |
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1996
- 1996-04-15 JP JP8115268A patent/JPH09282710A/ja active Pending
-
1997
- 1997-04-15 US US08/839,752 patent/US6324148B1/en not_active Expired - Fee Related
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| CN100345199C (zh) * | 2004-03-19 | 2007-10-24 | 株式会社理光 | 光记录媒体 |
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|---|---|
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