JPH09255953A - 蛍光体及びその製造方法 - Google Patents
蛍光体及びその製造方法Info
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- JPH09255953A JPH09255953A JP7252696A JP7252696A JPH09255953A JP H09255953 A JPH09255953 A JP H09255953A JP 7252696 A JP7252696 A JP 7252696A JP 7252696 A JP7252696 A JP 7252696A JP H09255953 A JPH09255953 A JP H09255953A
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】Y2SiO5:Ce 蛍光体よりも抵抗が低く、寿命特性
が良い、青色発光発光の新規な酸化物蛍光体を提供す
る。 【解決手段】La2O3 を5.43g とNb2O5 を4.57g を良く混
合し、アルミナルツボに充填して1500℃で３時間大気中
で焼成した。アルミナボールミルで粉砕しLaNbO4蛍光体
を得た。前記蛍光体を陽極に設けた評価用の蛍光表示管
を製造し、陽極に400Vを印加して蛍光体の輝度特性を測
定した。約60cd/m2 の青色発光が得られた。LaNbO4蛍光
体と、Y2SiO5:Ce 蛍光体とを、アノード電圧に対するア
ノード電流の相対値で比較する。LaNbO4蛍光体の方が、
Y2SiO5:Ce 蛍光体よりも低い電圧から電流が流れ始めて
おり、LaNbO4蛍光体の方がY2SiO5:Ce 蛍光体よりも抵抗
が小さい。
が良い、青色発光発光の新規な酸化物蛍光体を提供す
る。 【解決手段】La2O3 を5.43g とNb2O5 を4.57g を良く混
合し、アルミナルツボに充填して1500℃で３時間大気中
で焼成した。アルミナボールミルで粉砕しLaNbO4蛍光体
を得た。前記蛍光体を陽極に設けた評価用の蛍光表示管
を製造し、陽極に400Vを印加して蛍光体の輝度特性を測
定した。約60cd/m2 の青色発光が得られた。LaNbO4蛍光
体と、Y2SiO5:Ce 蛍光体とを、アノード電圧に対するア
ノード電流の相対値で比較する。LaNbO4蛍光体の方が、
Y2SiO5:Ce 蛍光体よりも低い電圧から電流が流れ始めて
おり、LaNbO4蛍光体の方がY2SiO5:Ce 蛍光体よりも抵抗
が小さい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光表示管や、電
界放出素子を電子源に用いた蛍光表示装置などにおい
て、発光部である陽極に被着されて陰極からの電子の射
突を受けて青色に発光する蛍光体に関する。
界放出素子を電子源に用いた蛍光表示装置などにおい
て、発光部である陽極に被着されて陰極からの電子の射
突を受けて青色に発光する蛍光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な蛍光表示管は、蛍光体を有する
陽極と、制御電極と、電子を放出する電子源としてのフ
ィラメント状の陰極とを、内部が高真空状態に保持され
た外囲器の内部に有する表示素子である。本出願人は、
近年、この蛍光表示管の原理を応用した表示素子とし
て、電子源に電界放出形陰極（Field Emission Cathod
e)を用いた表示素子（Field Emission Display, 以下略
してFED と呼ぶ) を提案している。電界放出素子は、絶
縁性の陰極基板の内面に設けられた陰極と、陰極の上に
形成された絶縁層と、絶縁層の上に形成されたゲート電
極と、絶縁層とゲート電極に形成された孔と、孔の内部
に現れた陰極の上に形成されたコーン形状のエミッタと
を有している。蛍光体を有する陽極は陽極基板の内面に
形成されている。電界放出素子と陽極が対向するよう
に、陰極基板と陽極基板を所定間隔をおいて配置する。
両基板の外周を気密に封着して内部を排気すればＦＥＤ
が完成する。駆動時に陽極とゲート電極と陰極に適当な
電位を与えれば、ゲート電極が形成する電界によってエ
ミッタの先端から放出された電子が陽極に引きつけら
れ、蛍光体層に射突してこれを励起発光させる。
陽極と、制御電極と、電子を放出する電子源としてのフ
ィラメント状の陰極とを、内部が高真空状態に保持され
た外囲器の内部に有する表示素子である。本出願人は、
近年、この蛍光表示管の原理を応用した表示素子とし
て、電子源に電界放出形陰極（Field Emission Cathod
e)を用いた表示素子（Field Emission Display, 以下略
してFED と呼ぶ) を提案している。電界放出素子は、絶
縁性の陰極基板の内面に設けられた陰極と、陰極の上に
形成された絶縁層と、絶縁層の上に形成されたゲート電
極と、絶縁層とゲート電極に形成された孔と、孔の内部
に現れた陰極の上に形成されたコーン形状のエミッタと
を有している。蛍光体を有する陽極は陽極基板の内面に
形成されている。電界放出素子と陽極が対向するよう
に、陰極基板と陽極基板を所定間隔をおいて配置する。
両基板の外周を気密に封着して内部を排気すればＦＥＤ
が完成する。駆動時に陽極とゲート電極と陰極に適当な
電位を与えれば、ゲート電極が形成する電界によってエ
ミッタの先端から放出された電子が陽極に引きつけら
れ、蛍光体層に射突してこれを励起発光させる。
【０００３】前記ＦＥＤに用いられる蛍光体に要求され
る特性としては、輝度特性がよいことの他、同時に抵抗
が低いことや、分解してエミッタに害のある物質を飛散
させない等もある。安全性という観点からは酸化物蛍光
体が適していると考えられるが、現在青色に発光する蛍
光体の中には前記条件を満足するものはない。青色発光
のＹ2 ＳｉＯ5:Ｃｅ蛍光体が知られているが、この蛍光
体は抵抗が高く寿命特性も良くない。
る特性としては、輝度特性がよいことの他、同時に抵抗
が低いことや、分解してエミッタに害のある物質を飛散
させない等もある。安全性という観点からは酸化物蛍光
体が適していると考えられるが、現在青色に発光する蛍
光体の中には前記条件を満足するものはない。青色発光
のＹ2 ＳｉＯ5:Ｃｅ蛍光体が知られているが、この蛍光
体は抵抗が高く寿命特性も良くない。
【０００４】本発明は、Ｙ2 ＳｉＯ5:Ｃｅ蛍光体よりも
抵抗が低く、寿命特性が良い、青色発光発光の新規な酸
化物蛍光体を提供することを目的としている。
抵抗が低く、寿命特性が良い、青色発光発光の新規な酸
化物蛍光体を提供することを目的としている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】請求項１に記載された
蛍光体は、化学式ＬａＮｂＯ4 であらわされる。
蛍光体は、化学式ＬａＮｂＯ4 であらわされる。
【０００６】請求項２に記載された蛍光体の製造方法
は、Ｌａ2 Ｏ3 とＮｂ2 Ｏ5 を混合し、１３００℃以上
の温度で焼成してＬａＮｂＯ4 を得るものである。
は、Ｌａ2 Ｏ3 とＮｂ2 Ｏ5 を混合し、１３００℃以上
の温度で焼成してＬａＮｂＯ4 を得るものである。
【０００７】請求項３に記載された蛍光体の製造方法
は、請求項２の製造方法によって得た蛍光体を粉砕した
後、アニール処理を行うものである。
は、請求項２の製造方法によって得た蛍光体を粉砕した
後、アニール処理を行うものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明者等は、実験・研究を進め
る中で、蛍光体の抵抗を低くすることと、分解飛散しに
くいという点から、酸化物半導体であるＬａＮｂＯ4 に
着目し、これを初めて蛍光体に応用するという新規な着
想を得るに至った。この蛍光体は、ＰＬ（紫外線照射に
よる発光）やＣＬ（カソードルミネッセンス）によって
青色発光を呈する。
る中で、蛍光体の抵抗を低くすることと、分解飛散しに
くいという点から、酸化物半導体であるＬａＮｂＯ4 に
着目し、これを初めて蛍光体に応用するという新規な着
想を得るに至った。この蛍光体は、ＰＬ（紫外線照射に
よる発光）やＣＬ（カソードルミネッセンス）によって
青色発光を呈する。
【０００９】この蛍光体は、Ｌａ2 Ｏ3 とＮｂ2 Ｏ5 を
混合して焼成すると得られる。焼成温度は１３００℃以
上の場合に特に輝度の面で高い効果が得られる。このよ
うにして得た蛍光体を粉砕した後、アニール処理を行え
ば発光効率を改善できる。特に１０００℃前後でアニー
ルした場合に高い効果が得られる。
混合して焼成すると得られる。焼成温度は１３００℃以
上の場合に特に輝度の面で高い効果が得られる。このよ
うにして得た蛍光体を粉砕した後、アニール処理を行え
ば発光効率を改善できる。特に１０００℃前後でアニー
ルした場合に高い効果が得られる。
【００１０】
(1) 実施例１ Ｌａ2 Ｏ3 を５．４３ｇと、Ｎｂ2 Ｏ5 を４．５７ｇを
良く混合する。両物質は等モルである。混合したものを
アルミナルツボに充填し、１５００℃で３時間大気中で
焼成した。その後、アルミナボールミルにて粉砕しＬａ
ＮｂＯ4 蛍光体の試料を得た。
良く混合する。両物質は等モルである。混合したものを
アルミナルツボに充填し、１５００℃で３時間大気中で
焼成した。その後、アルミナボールミルにて粉砕しＬａ
ＮｂＯ4 蛍光体の試料を得た。
【００１１】前記蛍光体を有機バインダ等を用いてペー
スト化し、陽極基板上に形成した陽極導体の上にスクリ
ーン印刷法によって所定のパターンに印刷する。印刷
後、５００℃でベーキングを行う。
スト化し、陽極基板上に形成した陽極導体の上にスクリ
ーン印刷法によって所定のパターンに印刷する。印刷
後、５００℃でベーキングを行う。
【００１２】この陽極基板の陽極上方に制御電極とフィ
ラメント状の陰極を設け、さらにこれらを囲んで陽極基
板の上面側に箱形の容器部を被せる。陽極基板と容器部
を封着し、内部を高真空状態に封止し、評価用の蛍光表
示管とした。
ラメント状の陰極を設け、さらにこれらを囲んで陽極基
板の上面側に箱形の容器部を被せる。陽極基板と容器部
を封着し、内部を高真空状態に封止し、評価用の蛍光表
示管とした。
【００１３】前記蛍光表示管において、陽極に４００Ｖ
を印加して陽極の蛍光体の輝度特性を測定したところ、
約６０ｃｄ／ｍ2 の青色発光が得られた。
を印加して陽極の蛍光体の輝度特性を測定したところ、
約６０ｃｄ／ｍ2 の青色発光が得られた。
【００１４】(2) 実施例２ Ｌａ2 Ｏ3 を５．４３ｇと、Ｎｂ2 Ｏ5 を４．５７ｇを
良く混合する。両物質は等モルである。混合したものを
アルミナルツボに充填し、１１００℃〜１６００℃の範
囲において１００℃間隔の６つの温度においてそれぞれ
３時間大気焼成を行った。その後、アルミナボールミル
にて粉砕しＬａＮｂＯ4 蛍光体の試料を得た。
良く混合する。両物質は等モルである。混合したものを
アルミナルツボに充填し、１１００℃〜１６００℃の範
囲において１００℃間隔の６つの温度においてそれぞれ
３時間大気焼成を行った。その後、アルミナボールミル
にて粉砕しＬａＮｂＯ4 蛍光体の試料を得た。
【００１５】表１は焼成温度の相違による相対輝度と
Ｃ．Ｉ．Ｅ．色度図における色座標値の違いを示す。図
１は、各焼成温度の蛍光体の発光スペクトルを示す。
Ｃ．Ｉ．Ｅ．色度図における色座標値の違いを示す。図
１は、各焼成温度の蛍光体の発光スペクトルを示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１から分かるように、焼成温度は相対輝
度が５０％を越える１３００℃以上が好ましい。また、
色座標値のｘは焼成温度の変化によってもほとんど変わ
らないが、ｙは焼成温度が高くなるほど小さくなり、ま
た図１のスペクトルのピーク位置が焼成温度が高くなる
ほど青色側にずれ、蛍光体の発光色はより純度の高い青
色に変化していく。
度が５０％を越える１３００℃以上が好ましい。また、
色座標値のｘは焼成温度の変化によってもほとんど変わ
らないが、ｙは焼成温度が高くなるほど小さくなり、ま
た図１のスペクトルのピーク位置が焼成温度が高くなる
ほど青色側にずれ、蛍光体の発光色はより純度の高い青
色に変化していく。
【００１８】(3) 実施例３ 前記各実施例において製造された蛍光体をアニール処理
すると、発光効率が改善される。まず、焼成温度１４０
０℃、ホールド時間３時間で前記蛍光体を製造する。溶
媒としてエタノールを使用し、瑪瑙ボールミルを用い
る。粉砕後、篩を通し、分級を行い乾燥した。
すると、発光効率が改善される。まず、焼成温度１４０
０℃、ホールド時間３時間で前記蛍光体を製造する。溶
媒としてエタノールを使用し、瑪瑙ボールミルを用い
る。粉砕後、篩を通し、分級を行い乾燥した。
【００１９】アニール処理は、４つのアルミナ坩堝に粉
砕した前記蛍光体をそれぞれ入れ、大気中にてそれぞれ
６００、８００、１０００、１２００℃の各温度でそれ
ぞれホールド時間２時間で行った。
砕した前記蛍光体をそれぞれ入れ、大気中にてそれぞれ
６００、８００、１０００、１２００℃の各温度でそれ
ぞれホールド時間２時間で行った。
【００２０】アニール後、実施例１と同様に、異なるア
ニール条件の各試料ごとに評価用の蛍光表示管をそれぞ
れ製造した。蛍光表示管の駆動条件は実施例１と同様で
ある。
ニール条件の各試料ごとに評価用の蛍光表示管をそれぞ
れ製造した。蛍光表示管の駆動条件は実施例１と同様で
ある。
【００２１】表２は、アニール処理の有無又はアニール
処理条件の違いと、相対発光効率との関係を示す。アニ
ール処理しない場合の発光効率を１００とする。この表
から明らかなように、アニール温度１０００℃前後で特
性が改善されている。
処理条件の違いと、相対発光効率との関係を示す。アニ
ール処理しない場合の発光効率を１００とする。この表
から明らかなように、アニール温度１０００℃前後で特
性が改善されている。
【００２２】
【表２】
【００２３】(4) 実施例４ 本実施例は、前記実施例１〜３で製造したＬａＮｂＯ4
蛍光体と、Ｙ2 ＳｉＯ 5 ：Ｃｅ蛍光体とを、アノード電
圧に対するアノード電流の相対値で比較したものであ
る。実装球としては蛍光表示管の。三極管を用い、ＤＣ
にて測定を行った。この図から分かるように、本発明の
実施例のＬａＮｂＯ4 蛍光体の方が、Ｙ2ＳｉＯ5 ：Ｃ
ｅ蛍光体よりも低い電圧から電流が流れ始めていること
が分かる。即ち、ＬａＮｂＯ4 蛍光体の方がＹ2 ＳｉＯ
5 ：Ｃｅ蛍光体よりも抵抗が小さい。
蛍光体と、Ｙ2 ＳｉＯ 5 ：Ｃｅ蛍光体とを、アノード電
圧に対するアノード電流の相対値で比較したものであ
る。実装球としては蛍光表示管の。三極管を用い、ＤＣ
にて測定を行った。この図から分かるように、本発明の
実施例のＬａＮｂＯ4 蛍光体の方が、Ｙ2ＳｉＯ5 ：Ｃ
ｅ蛍光体よりも低い電圧から電流が流れ始めていること
が分かる。即ち、ＬａＮｂＯ4 蛍光体の方がＹ2 ＳｉＯ
5 ：Ｃｅ蛍光体よりも抵抗が小さい。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、Ｙ2 ＳｉＯ5:Ｃｅ蛍光
体よりも抵抗が低く、寿命特性が良い、青色発光発光の
新規な酸化物蛍光体が得られる。この蛍光体は、ＺｎＧ
ａ2 Ｏ 4 ：Ｍｎ蛍光体や、ＳｒＴｉＯ3 ：Ｐｒ，Ａｌ蛍
光体と同程度に抵抗の低い青色発光蛍光体であり、これ
らの蛍光体とともにＦＥＤの陽極の蛍光体として使用す
れば、良好なカラー表示を行わせることが可能となる。
従来知られていた青色発光の蛍光体であるＹ2 Ｓｉ
Ｏ5 ：Ｃｅ蛍光体は、他の蛍光体に比較して抵抗が飛び
抜けて高く、この蛍光体が発光している時にはチャージ
アップによって隣接する他の蛍光体が光ってしまうとい
う問題があったが、本発明の蛍光体にはそのような問題
がない。
体よりも抵抗が低く、寿命特性が良い、青色発光発光の
新規な酸化物蛍光体が得られる。この蛍光体は、ＺｎＧ
ａ2 Ｏ 4 ：Ｍｎ蛍光体や、ＳｒＴｉＯ3 ：Ｐｒ，Ａｌ蛍
光体と同程度に抵抗の低い青色発光蛍光体であり、これ
らの蛍光体とともにＦＥＤの陽極の蛍光体として使用す
れば、良好なカラー表示を行わせることが可能となる。
従来知られていた青色発光の蛍光体であるＹ2 Ｓｉ
Ｏ5 ：Ｃｅ蛍光体は、他の蛍光体に比較して抵抗が飛び
抜けて高く、この蛍光体が発光している時にはチャージ
アップによって隣接する他の蛍光体が光ってしまうとい
う問題があったが、本発明の蛍光体にはそのような問題
がない。
【図１】実施例２における各焼成温度の各蛍光体の発光
スペクトルを示す図である。
スペクトルを示す図である。
【図２】実施例１〜３で製造したＬａＮｂＯ4 蛍光体
と、Ｙ2 ＳｉＯ5 ：Ｃｅ蛍光体のアノード電圧に対する
アノード電流の相対値を示したグラフである。
と、Ｙ2 ＳｉＯ5 ：Ｃｅ蛍光体のアノード電圧に対する
アノード電流の相対値を示したグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鹿川 能孝 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 田村 清 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 化学式ＬａＮｂＯ4 であらわされる蛍光
体。 - 【請求項２】 Ｌａ2 Ｏ3 とＮｂ2 Ｏ5 を混合し、１３
００℃以上の温度で焼成してＬａＮｂＯ4 を得る蛍光体
の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２の製造方法によって得た蛍光体
を粉砕した後、アニール処理を行う請求項２に記載の蛍
光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7252696A JPH09255953A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 蛍光体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7252696A JPH09255953A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 蛍光体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09255953A true JPH09255953A (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=13491876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7252696A Pending JPH09255953A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 蛍光体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09255953A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000345148A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル、蛍光体および蛍光体膜ならびに蛍光体の製造方法 |
| CN100406536C (zh) * | 2005-06-09 | 2008-07-30 | 上海师范大学 | 一种新型稀土三基色荧光粉及其制备方法 |
| US8426077B2 (en) | 2004-12-23 | 2013-04-23 | Universitetet I Oslo | Proton conductors |
| CN106565241A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-04-19 | 天津大学 | 一种高性能铌酸镧系微波介质陶瓷 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP7252696A patent/JPH09255953A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000345148A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル、蛍光体および蛍光体膜ならびに蛍光体の製造方法 |
| US8426077B2 (en) | 2004-12-23 | 2013-04-23 | Universitetet I Oslo | Proton conductors |
| CN100406536C (zh) * | 2005-06-09 | 2008-07-30 | 上海师范大学 | 一种新型稀土三基色荧光粉及其制备方法 |
| CN106565241A (zh) * | 2016-11-04 | 2017-04-19 | 天津大学 | 一种高性能铌酸镧系微波介质陶瓷 |
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