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JPH09246889A - 高周波電力増幅器 - Google Patents

高周波電力増幅器

Info

Publication number
JPH09246889A
JPH09246889A JP7541796A JP7541796A JPH09246889A JP H09246889 A JPH09246889 A JP H09246889A JP 7541796 A JP7541796 A JP 7541796A JP 7541796 A JP7541796 A JP 7541796A JP H09246889 A JPH09246889 A JP H09246889A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
high frequency
fundamental wave
impedance
harmonic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7541796A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiharu Kimura
俊治 木村
Toshiyuki Kishine
利之 岸根
Yasuo Sera
泰雄 世良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Kokusai Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kokusai Electric Co Ltd filed Critical Kokusai Electric Co Ltd
Priority to JP7541796A priority Critical patent/JPH09246889A/ja
Publication of JPH09246889A publication Critical patent/JPH09246889A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 数100MHz以上の高周波帯においても高
い電力効率を確保できる高周波電力増幅器を提供する。 【解決手段】 FET1の出力端と出力端子7との間に
出力整合回路11、位相調整回路12、基本波通過回路
13を接続することにより、当該出力端から負荷側を見
た場合に、基本波に対して整合し、2次高調波に対して
は短絡終端となるようなインピーダンスの設定を行なっ
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本願発明は、高周波信号を送信す
る通信装置で用いる高周波電力増幅器に係り、特に高い
電力効率の確保に好適なものに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の高効率の高周波電力増幅器として
は、例えばF級増幅器がある。これは、増幅対象の高周
波信号の基本波および高調波に対するインピーダンスを
調節して、増幅素子の出力端の電圧および電流を整形
し、上記高効率を達成しようとするもので、増幅素子出
力端から負荷側を見たインピーダンスが、偶数次高調波
に対しては短絡、奇数次高調波に対しては開放となる回
路構成となっている。図5の(a)は、このF級増幅器
の一回路構成例を示すものである。同図において、FE
T(電界効果トランジスタ)1は、高周波信号を入力し
て、これを電力増幅する増幅素子であり(なお、このF
級増幅器の増幅素子としてはバイポーラトランジスタを
用いる場合もある)、このFET1のドレイン端子Dに
は、チョークコイル3を介してドレイン電源供給端子2
より電源が供給される。そして上記ドレイン端子Dは直
流阻止用コンデンサ4を介して伝送線路5に接続されて
いるが、この伝送線路5は、上記高周波信号の基本波の
波長の1/4の長さとなっている。また、この伝送線路
5の出力端は、並列共振回路6および出力端子7に接続
しているが、並列共振回路6は並列接続するインダクタ
ンスLおよびコンデンサCからなり、上記基本波の周波
数で並列共振する。
【0003】上記のように構成されているF級増幅器す
なわち従来の高周波電力増幅器においては、並列共振回
路6は、高調波(偶数次高調波および奇数次高調波)に
対して短絡回路となるが、これをFET1のドレイン端
子Dから伝送線路5を介して見た場合、奇数次高調波に
対しては、伝送線路5のインピーダンス変換作用によ
り、開放回路となり、偶数次高調波に対しては伝送線路
5のインピーダンス変換作用が働らかず短絡回路とな
る。このため、FET1にB級動作をさせるようなバイ
アスを与え、このFET1のゲート端子Gに振幅が十分
に大きい高周波信号を与えると、FET1のドレイン電
圧Vd およびドレイン電流Id の時間波形は図5の
(b)に示すようなものとなる。すなわち、ドレイン電
圧Vd の波形は、基本波と奇数次高調波成分からなる矩
形波となり、またドレイン電流Id の波形は、基本波と
偶数次高調波からなる半波整流波形となる。ドレイン電
圧Vd およびドレイン電流Id の時間波形が、上記図5
の(b)に示すようなものになっている場合には、すな
わち、常に、ドレイン電圧Vd およびドレイン電流Id
のいずれか一方が0になる場合には、FET1内部での
消費電力は0となって、原理的に電力効率が100%と
なる。従来の高周波電力増幅器では以上のようにして高
効率化を実現しているのである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような
従来の高周波電力増幅器では、数100MHz以上の高
周波帯で使用したとき、並列共振回路6の損失が増加
し、すなわちQ(Quality factor)が低
下して、高調波に対して十分な低インピーダンス回路
(すなわち短絡回路)ではなくなる。更に、上記のよう
な高周波帯では、FET1を封入しているパッケージ等
に起因する各種寄生リアクタンスの影響が無視できなく
なり、基本波に対する整合も困難となる。このような事
情により、上記のような高周波帯では高電力効率は確保
できなくなるという問題があった。
【0005】本願発明は上述のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、数100MHz以上の高周波帯におい
ても高い電力効率を確保できる高周波電力増幅器の提供
を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記従来例では、全ての
偶数次高調波に対する負荷インピーダンスを短絡、ま
た、全ての奇数次高調波に対する負荷インピーダンスを
開放とする必要があるが、高効率動作に対する高調波の
寄与度は低次の高調波ほど大きく、実用的には2次高調
波を最適に短絡処理できれば、高い電力効率を得られる
ことが知られている。請求項1の発明はこの点に着目し
たもので、負荷が純抵抗とみなせるものとなる高周波電
力増幅器を以下のように構成した。
【0007】すなわち、高周波用の増幅素子と、上記増
幅素子の出力端に接続されて、当該増幅素子に入力され
る高周波信号の基本波周波数および2次高調波周波数の
両周波数において、当該増幅素子の出力インピーダンス
と共役整合となる入力インピーダンス特性を有する出力
整合回路と、上記高周波信号の2次高調波の波長の4分
の1の長さの伝送線路からなり、上記出力整合回路の出
力端に接続される位相調整回路と、上記位相調整回路の
出力端に接続され、上記高周波信号の基本波に対しては
損失なく若しくは低損失で通過させ、他方、上記高周波
信号の2次高調波に対しては開放性のインピーダンスを
呈する基本波通過回路とを備える構成とした。
【0008】また請求項2の発明では、上記請求項1の
発明における基本波通過回路をアイソレータで構成する
ようにした。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面に示す実施の一形態に
基づいて本願発明を具体的に説明する。図1は、当該実
施の一形態の回路構成を示すものである(同図は、交流
分にのみ着目した回路構成図であり、前記従来例を示す
図5の(a)に示すドレイン電源供給端子2、チョーク
コイル3、直流阻止用コンデンサ4の記載は省略してい
る)。なお、当該実施の形態に係る高周波電力増幅器
は、高周波信号を入力し、これを電力増幅して、入力イ
ンピーダンスが純抵抗Z0 となる負荷に供給するもので
ある。
【0010】上記図1において、FET1は、前記従来
例におけるFET1と同一構成および同一機能を備える
高周波電力増幅素子である。また出力整合回路11は上
記FET1の出力端に接続され、増幅対象とする高周波
信号の基本波周波数および2次高調波周波数において、
FET1の出力インピーダンスを後述の特性インピーダ
ンスZ0 に共役整合させる回路部である。位相調整回路
12は、出力整合回路11の出力端に接続する特性イン
ピーダンスZ0 の伝送線路からなり、長さは上記高周波
信号の2次高調波の波長の1/4となっている。
【0011】そして、基本波通過回路13は、上記位相
調整回路12の出力端に接続し、上記基本波に対しては
損失なく出力伝送路14の入力端に整合状態で入力さ
せ、他方、上記2次高調波に対しては開放性のインピー
ダンスを呈する回路部である。この基本波通過回路13
の出力端に接続する出力伝送路14は、いずれの周波数
においても、特性インピーダンスが上記純抵抗Z0 とな
る伝送路である。この出力伝送路14の出力端に接続す
る出力端子7は、この実施の形態に係る高周波電力増幅
器の出力端となり、接続される入力インピーダンスZ0
(上記のように純抵抗)の負荷(図示せず)へ電力増幅
した高周波信号を供給する。
【0012】以上のように構成された上記実施の形態に
おいては、FET1のパッケージ等に起因する当該FE
T1の出力端近傍の前記寄生リアクタンス成分のうち基
本波と2次高調波に対するものは出力整合回路11の存
在により、相殺される。
【0013】また,基本波通過回路13は、2次高調波
に対して、開放性の入力インピーダンスを呈するもので
あるが、インピーダンス変換作用を有する位相調整回路
12の存在により、出力整合回路11の出力端において
は、当該2次高調波に対して短絡終端となる。このた
め、FET1のドレイン端子Dすなわち出力端から見た
負荷は基本波に対しては整合がとれ、2次高調波に対し
ては短絡終端となり、高い電力効率を得ることができる
ことになる。
【0014】
【実施例】図2は、本願発明の一実施例を示すものであ
る。なお、同図においてはドレイン電源供給端子2、チ
ョークコイル3および直流阻止用コンデンサ4が記載さ
れているが、これらは、それぞれ従来例を示す図5の
(a)におけるドレイン電源供給端子2、チョークコイ
ル3および直流阻止用コンデンサ4と同一機能を有する
ものである。
【0015】本実施例では、出力整合回路11として集
中定数素子としてのインダクタンスおよびコンデンサに
よる2段構成の回路を用いている。しかし、これを1段
構成若しくは3段以上の多段構成のものにしてもよい。
更に、この出力整合回路11は、マイクロストリップ線
路等の分布定数素子で構成してもよい。また本実施例で
は位相調整回路12として、長さが2次高調波の波長の
1/4で前記特性インピーダンスZ0 のマイクロストリ
ップ線路で構成している。しかし、これを長さおよび特
性インピーダンスが上記同様の同軸線路で構成すること
も可能である。そして基本波通過回路13としては、上
記基本波に対しては、前記特性インピーダンスZ0 に等
しいインピーダンスを呈して低損失で当該基本波を通過
させ、他方、2次高調波に対しては、開放性の入力イン
ピーダンスを示す非可逆回路であるアイソレータを用い
ている。当該実施例で用いたアイソレータの実測入力イ
ンピーダンスをスミスチャート上に示したのが図3であ
る。なお、上記入力インピーダンスの測定に際しては、
基本波周波数を280MHzとしている。同図から分か
るように、当該アイソレータは、基本波に対してはZ0
(本測定系では50Ω)のインピーダンスを示し、2次
高調波に対しては、開放性とみなせる極めて大きなイン
ピーダンスを示す。
【0016】以上のように構成した280MHz帯電力
増幅器の実測入出力特性を従来の特に高調波に対する工
夫がなされていない高周波電力増幅器の入出力特性と比
較して示したのが図4である。同図から分かるように、
例えば、入力電力Pinが30dBmのときは、本実施
例の方がドレイン効率で約13%向上しており(このデ
ータは、上述のように基本波周波数を280MHzとし
た場合のものであるが、ドレイン効率に関する上記傾向
は、基本波周波数を数GHzとした場合にまで保持され
る)、本発明が高周波電力増幅器の電力効率を高めるの
に極めて有効であることが確認できる。
【0017】また、本実施例では、基本波通過回路13
としてアイソレータを用いているので、これによるFE
T1の保護および出力端子7側からの干渉波によるFE
T1での相互変調歪発生の抑圧といった効果をも、合わ
せて期待できる(一般に電力増幅器では、これらの効果
を得るためにアイソレータを増幅素子に後置することが
多い)。
【0018】なお、本願発明は、上記実施例に限定され
るものではなく、本願発明の範囲で種々応用変形が可能
である。
【0019】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1の発明に
よれば、数100MHz以上の高周波帯においても高い
電力効率を確保できる高周波電力増幅器の提供を可能と
する。また請求項2の発明によれば、上記の高い電力効
率の確保に加えて、増幅素子の保護および出力端側から
の干渉波による増幅素子での相互変調歪発生の抑圧をも
可能となる高周波電力増幅器の提供を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の実施の一形態の構成を示す図であ
る。
【図2】本願発明の実施例を示す図である。
【図3】図2におけるアイソレータの実測入力インピー
ダンスを示す図である。
【図4】上記実施例における効果を示す図である。
【図5】従来例を説明するための図である。
【符号の説明】
1 FET D ドレイン端子 S ソース端子 G ゲート端子 2 ドレイン電源供給端子 3 チョークコイル 4 直流阻止用コンデンサ 5 伝送線路 6 並列共振回路 L インダクタンス C コンデンサ 7 出力端子 11 出力整合回路 12 位相調整回路 13 基本波通過回路 14 出力伝送路

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高周波用の増幅素子と、 上記増幅素子の出力端に接続されて、当該増幅素子に入
    力される高周波信号の基本波周波数および2次高調波周
    波数の両周波数において、当該増幅素子の出力インピー
    ダンスと共役整合となる入力インピーダンス特性を有す
    る出力整合回路と、 上記高周波信号の2次高調波の波長の4分の1の長さの
    伝送線路からなり、上記出力整合回路の出力端に接続さ
    れる位相調整回路と、 上記位相調整回路の出力端に接続され、上記高周波信号
    の基本波に対しては損失なく若しくは低損失で通過さ
    せ、他方、上記高周波信号の2次高調波に対しては開放
    性のインピーダンスを呈する基本波通過回路とを備える
    ことを特徴とする高周波電力増幅器。
  2. 【請求項2】 上記基本波通過回路をアイソレータで構
    成したことを特徴とする請求項1記載の高周波電力増幅
    器。
JP7541796A 1996-03-06 1996-03-06 高周波電力増幅器 Pending JPH09246889A (ja)

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