JPH09218662A - 自発光画像表示パネルの駆動方法 - Google Patents
自発光画像表示パネルの駆動方法Info
- Publication number
- JPH09218662A JPH09218662A JP8027087A JP2708796A JPH09218662A JP H09218662 A JPH09218662 A JP H09218662A JP 8027087 A JP8027087 A JP 8027087A JP 2708796 A JP2708796 A JP 2708796A JP H09218662 A JPH09218662 A JP H09218662A
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- JP
- Japan
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- divided
- subfield
- subfields
- field
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- Pending
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of Gas Discharge Display Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 偽輪郭の発生を抑制することの出来る発光表
示パネルの駆動方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 画素データのビット桁の重みづけが最も
大なる第Ｎ番サブフィールドを２ｎ個の第Ｎ番分割サブ
フィールドに分割し、第（Ｎ−１）番サブフィールドを
２ｎ個の第（Ｎ−１）番分割サブフィールドに分割し、
第（Ｎ−２）番サブフィールドをｎ個の第（Ｎ−２）番
分割サブフィールドに分割し、第（Ｎ−３）番サブフィ
ールドをｎ個の第（Ｎ−３）番分割サブフィールドに分
割し、上記第Ｎ番分割サブフィールド及び第（Ｎ−１）
番分割サブフィールドが互いに隣接して配列されてなる
分割サブフィールド対の２つと、第（Ｎ−２）番分割サ
ブフィールド及び第（Ｎ−３）番分割サブフィールドが
互いに隣接して配列されてなる分割サブフィールド対の
１つとが互いに隣接して各フィールドを構成する。
示パネルの駆動方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 画素データのビット桁の重みづけが最も
大なる第Ｎ番サブフィールドを２ｎ個の第Ｎ番分割サブ
フィールドに分割し、第（Ｎ−１）番サブフィールドを
２ｎ個の第（Ｎ−１）番分割サブフィールドに分割し、
第（Ｎ−２）番サブフィールドをｎ個の第（Ｎ−２）番
分割サブフィールドに分割し、第（Ｎ−３）番サブフィ
ールドをｎ個の第（Ｎ−３）番分割サブフィールドに分
割し、上記第Ｎ番分割サブフィールド及び第（Ｎ−１）
番分割サブフィールドが互いに隣接して配列されてなる
分割サブフィールド対の２つと、第（Ｎ−２）番分割サ
ブフィールド及び第（Ｎ−３）番分割サブフィールドが
互いに隣接して配列されてなる分割サブフィールド対の
１つとが互いに隣接して各フィールドを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル、ＥＬパネル等の自発光画像表示パネルの駆
動方法に関する。
レイパネル、ＥＬパネル等の自発光画像表示パネルの駆
動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】自発画像表示パネルとして、例えば、プ
ラズマディスプレイは放電現象を利用しているために、
発光量の制御を連続的に行う事が出来ない。そのため発
光をパルスで行い、そのパルス数、すなわち発光の頻度
で明るさを表現する。視覚的には単位時間当りの発光回
数すなわち発光頻度が高いほど明るく見えるので、これ
によって階調が表現できるのである。
ラズマディスプレイは放電現象を利用しているために、
発光量の制御を連続的に行う事が出来ない。そのため発
光をパルスで行い、そのパルス数、すなわち発光の頻度
で明るさを表現する。視覚的には単位時間当りの発光回
数すなわち発光頻度が高いほど明るく見えるので、これ
によって階調が表現できるのである。
【０００３】プラズマディスプレイでは自然画像を表現
するのにサブフィールド法と言う方法を用いる。これは
ディジタル化した映像信号データを各画素単位で点順次
に表示するのではなく、画素毎の各ビットの重みがビッ
トプレーン単位で面順次に繰り返し表示することで階調
を表現する点である。各画素毎に映像信号データを８ビ
ットでディジタル化して、輝度成分に対応して重みづけ
された画素データビットＤ８，Ｄ７，……Ｄ１を生成す
る。この際、高輝度成分のビットから順にＤ８，Ｄ７，
……Ｄ１となる。
するのにサブフィールド法と言う方法を用いる。これは
ディジタル化した映像信号データを各画素単位で点順次
に表示するのではなく、画素毎の各ビットの重みがビッ
トプレーン単位で面順次に繰り返し表示することで階調
を表現する点である。各画素毎に映像信号データを８ビ
ットでディジタル化して、輝度成分に対応して重みづけ
された画素データビットＤ８，Ｄ７，……Ｄ１を生成す
る。この際、高輝度成分のビットから順にＤ８，Ｄ７，
……Ｄ１となる。
【０００４】ここで、図１（Ａ）に示す如く、１フィー
ルドを８つのサブフィールドＳＦ８〜ＳＦ１に分割し
て、各サブフィールドに夫々画素データビットＤ８，Ｄ
７，……Ｄ１を割り当て、各サブフィールド毎に、割り
当てられた画素データビットに応じた発光を実行する。
この場合は一枚の画像を完結するのにＤ８用の画面、Ｄ
７用の画面……最後にＤ１用の画面と合計８回の面順次
走査が必要となる。
ルドを８つのサブフィールドＳＦ８〜ＳＦ１に分割し
て、各サブフィールドに夫々画素データビットＤ８，Ｄ
７，……Ｄ１を割り当て、各サブフィールド毎に、割り
当てられた画素データビットに応じた発光を実行する。
この場合は一枚の画像を完結するのにＤ８用の画面、Ｄ
７用の画面……最後にＤ１用の画面と合計８回の面順次
走査が必要となる。
【０００５】例えば、サブフィールドＳＦ８に対応する
画素データビットＤ８の値が論理“１”すなわち発光論
理値であったとするとその画素は、かかるサブフィール
ドＳＦ８において１２８回発光する。又、かかる画素デ
ータビットＤ８の値が“０”すなわち消光論理値のとき
はサブフィールドＳＦ８による発光は実行されない。同
様に、サブフィールドＳＦ７に対応する画素データビッ
トＤ７の値が論理“１”すなわち発光論理値であったと
するとその画素は、かかるサブフィールドＳＦ７におい
て６４回発光するが、“０”の画素は発光しない。
画素データビットＤ８の値が論理“１”すなわち発光論
理値であったとするとその画素は、かかるサブフィール
ドＳＦ８において１２８回発光する。又、かかる画素デ
ータビットＤ８の値が“０”すなわち消光論理値のとき
はサブフィールドＳＦ８による発光は実行されない。同
様に、サブフィールドＳＦ７に対応する画素データビッ
トＤ７の値が論理“１”すなわち発光論理値であったと
するとその画素は、かかるサブフィールドＳＦ７におい
て６４回発光するが、“０”の画素は発光しない。
【０００６】この様に発光回数は、図１（Ｂ）に示した
如く、順に１２８，６４，３２，１６，８，４，２，１
となる。全部で８回の面順次走査を行うと、各画素は８
回のサブフィールドでパルス点灯した数の合計に相当し
た明るさで視覚的に認識される。即ちゼロから２５５ま
での任意の階調が表現できるのである。図１（Ｃ）は、
８ビットの単位画素データ（１，１，１，１，１，１，
１，１），（１，０，０，０，０，０，０，０）及び
（０，０，０，０，０，０，０，１）の各々に対応した
各サブフィールド期間内の発光期間を示している。
如く、順に１２８，６４，３２，１６，８，４，２，１
となる。全部で８回の面順次走査を行うと、各画素は８
回のサブフィールドでパルス点灯した数の合計に相当し
た明るさで視覚的に認識される。即ちゼロから２５５ま
での任意の階調が表現できるのである。図１（Ｃ）は、
８ビットの単位画素データ（１，１，１，１，１，１，
１，１），（１，０，０，０，０，０，０，０）及び
（０，０，０，０，０，０，０，１）の各々に対応した
各サブフィールド期間内の発光期間を示している。
【０００７】ところで、上記サブフィールド法は、１と
０の二つの階調しか表現できない単階調ディスプレイで
も多階調表現が出来る技術として優れた方法であるが、
「偽輪郭」という画質上の問題を解決する必要に迫られ
ている。偽輪郭発生現象は視覚の特性から来るもので、
平坦な映像でその信号レベルが上記の１２８，６４，３
２，１６など、２のｎ乗境界を横切る付近に沿って、あ
たかも階調が失われた映像のような縞状の偽輪郭が視認
される現象である。特に平坦な物体が動いたときに顕著
に認められる。しかし、画像が完全に静止している場
合、すなわち映像のメモリーに蓄積した静止画像を表示
した場合には偽輪郭は感知されない。映像の動きのある
部分で且つ上記レベルの周辺でのみ感知されるのが偽輪
郭の特徴である。又、静止していても画像信号に含まれ
るノイズによって信号レベルに揺らぎがある場合は動き
のある場合と同じように上記レベル周辺で偽輪郭が感知
されるのである。
０の二つの階調しか表現できない単階調ディスプレイで
も多階調表現が出来る技術として優れた方法であるが、
「偽輪郭」という画質上の問題を解決する必要に迫られ
ている。偽輪郭発生現象は視覚の特性から来るもので、
平坦な映像でその信号レベルが上記の１２８，６４，３
２，１６など、２のｎ乗境界を横切る付近に沿って、あ
たかも階調が失われた映像のような縞状の偽輪郭が視認
される現象である。特に平坦な物体が動いたときに顕著
に認められる。しかし、画像が完全に静止している場
合、すなわち映像のメモリーに蓄積した静止画像を表示
した場合には偽輪郭は感知されない。映像の動きのある
部分で且つ上記レベルの周辺でのみ感知されるのが偽輪
郭の特徴である。又、静止していても画像信号に含まれ
るノイズによって信号レベルに揺らぎがある場合は動き
のある場合と同じように上記レベル周辺で偽輪郭が感知
されるのである。
【０００８】サブフィールド法による階調表現方式で偽
輪郭が何故発生するかについて図２を用いて説明する。
図２のｎフィールドにおいては、第ｊ＋１列から右方の
部分の画素が“１０００００００”以上の明るさであ
り、しかも第ｊ列から左方の部分の画素が“０１１１１
１１１”以下の明るさである。そしてこの映像は１フィ
ールド当り３列（３画素）の速度で画面左方に移動して
いる。これに伴って、その連続部分（“０１１１１１１
１”以下の明るさの画素と“１０００００００”以上の
明るさの画素の境界部分）もｎ＋１フィールドでは第ｊ
−３列目、ｎ＋２フィールドでは第ｊ−６列目、ｎ＋３
フィールドでは第ｊ−９列目と移動する。
輪郭が何故発生するかについて図２を用いて説明する。
図２のｎフィールドにおいては、第ｊ＋１列から右方の
部分の画素が“１０００００００”以上の明るさであ
り、しかも第ｊ列から左方の部分の画素が“０１１１１
１１１”以下の明るさである。そしてこの映像は１フィ
ールド当り３列（３画素）の速度で画面左方に移動して
いる。これに伴って、その連続部分（“０１１１１１１
１”以下の明るさの画素と“１０００００００”以上の
明るさの画素の境界部分）もｎ＋１フィールドでは第ｊ
−３列目、ｎ＋２フィールドでは第ｊ−６列目、ｎ＋３
フィールドでは第ｊ−９列目と移動する。
【０００９】ここで、ｎフィールドでは第ｊ＋１列から
右方の列において垂直走査期間の後半時期に発光期間
（Ｄ８）が設けられる一方、第ｊ列から左方の列におい
て垂直走査期間の前半時期に発光期間（Ｄ７，Ｄ６，Ｄ
５）が設けられる。続いて、ｎ＋１フィールドでは、第
ｊ−２列から右方の列において垂直走査期間の後半時期
に発光期間（Ｄ８）が設けられる一方、第ｊ−３列から
左方の列において垂直走査期間の前半時期に発光期間
（Ｄ７，Ｄ６，Ｄ５）が設けられる。続いて、ｎ＋２フ
ィールドでは、第ｊ−５列から右方の列において垂直走
査期間の後半時期に発光期間（Ｄ８）が設けられる一
方、第ｊ−６列から左方の列において垂直走査期間の前
半時期に発光期間（Ｄ７，Ｄ６，Ｄ５）が設けられる。
続いて、ｎ＋３フィールドでは、第ｊ−８列から右方の
列において垂直走査期間の後半時期に発光期間（Ｄ８）
が設けられる一方、第ｊ−９列から左方の列において垂
直走査期間の前半時期に発光期間（Ｄ７，Ｄ６，Ｄ５）
が設けられる。
右方の列において垂直走査期間の後半時期に発光期間
（Ｄ８）が設けられる一方、第ｊ列から左方の列におい
て垂直走査期間の前半時期に発光期間（Ｄ７，Ｄ６，Ｄ
５）が設けられる。続いて、ｎ＋１フィールドでは、第
ｊ−２列から右方の列において垂直走査期間の後半時期
に発光期間（Ｄ８）が設けられる一方、第ｊ−３列から
左方の列において垂直走査期間の前半時期に発光期間
（Ｄ７，Ｄ６，Ｄ５）が設けられる。続いて、ｎ＋２フ
ィールドでは、第ｊ−５列から右方の列において垂直走
査期間の後半時期に発光期間（Ｄ８）が設けられる一
方、第ｊ−６列から左方の列において垂直走査期間の前
半時期に発光期間（Ｄ７，Ｄ６，Ｄ５）が設けられる。
続いて、ｎ＋３フィールドでは、第ｊ−８列から右方の
列において垂直走査期間の後半時期に発光期間（Ｄ８）
が設けられる一方、第ｊ−９列から左方の列において垂
直走査期間の前半時期に発光期間（Ｄ７，Ｄ６，Ｄ５）
が設けられる。
【００１０】そこで、ｎフィールドとｎ＋１フィールド
との間では第ｊ列から第ｊ−２列に亘って、ｎ＋１フィ
ールドとｎ＋２フィールドとの間では第ｊ−３列から第
ｊ−５列に亘って、又、ｎ＋２フィールドとｎ＋３フィ
ールドとの間では第ｊ−６列から第ｊ−８列に亘って帯
状に移動する非発光期間が生じる。従って、かかる画面
上において、視線を図２中の矢印Ｓの如く移動させてい
くと、ｎフィールドでの第ｊ列、ｎ＋１フィールドでの
第ｊ−３列、ｎ＋２フィールドでの第ｊ−６列、ｎ＋３
フィールドでの第ｊ−９列の各部分において生じてい
る”隙間”（破線領域Ｐにて示す）を順次、追って見る
ことになる。よって、かかる部分に集中して黒い線とし
ての偽輪郭が強く視認されてしまうのである。これが動
きによる偽輪郭である。動きの方向が逆になると白い線
として視認される。また、サブフィールドの並び順を時
間的に逆にしても白い線として視認される。
との間では第ｊ列から第ｊ−２列に亘って、ｎ＋１フィ
ールドとｎ＋２フィールドとの間では第ｊ−３列から第
ｊ−５列に亘って、又、ｎ＋２フィールドとｎ＋３フィ
ールドとの間では第ｊ−６列から第ｊ−８列に亘って帯
状に移動する非発光期間が生じる。従って、かかる画面
上において、視線を図２中の矢印Ｓの如く移動させてい
くと、ｎフィールドでの第ｊ列、ｎ＋１フィールドでの
第ｊ−３列、ｎ＋２フィールドでの第ｊ−６列、ｎ＋３
フィールドでの第ｊ−９列の各部分において生じてい
る”隙間”（破線領域Ｐにて示す）を順次、追って見る
ことになる。よって、かかる部分に集中して黒い線とし
ての偽輪郭が強く視認されてしまうのである。これが動
きによる偽輪郭である。動きの方向が逆になると白い線
として視認される。また、サブフィールドの並び順を時
間的に逆にしても白い線として視認される。
【００１１】ここで、かかる偽輪郭発生現象を回避する
ことを目的とした技術が既に特開平第４−211294号公報
によって知られている。かかる技術においては、サブフ
ィールドの並び順を入れ替えることにより偽輪郭の発生
を防止しようとするものである。例えば、最上位ビット
に対応するサブフィールドの前後に、それより下位のビ
ットに対応するサブフィールドを夫々配置することによ
り、特に最上位ビットのレベルでの輝度変化を少なくさ
せて、偽輪郭の発生を抑えているのである。
ことを目的とした技術が既に特開平第４−211294号公報
によって知られている。かかる技術においては、サブフ
ィールドの並び順を入れ替えることにより偽輪郭の発生
を防止しようとするものである。例えば、最上位ビット
に対応するサブフィールドの前後に、それより下位のビ
ットに対応するサブフィールドを夫々配置することによ
り、特に最上位ビットのレベルでの輝度変化を少なくさ
せて、偽輪郭の発生を抑えているのである。
【００１２】しかしながら、本願発明者による実験によ
れば、最上位ビットのレベルのみならず、それより下位
のビットに対応するサブフィールドの輝度変化が生じた
場合にも偽輪郭が視認されることが判明した。よって、
上記従来例によっても偽輪郭の防止は十分ではないこと
が確認された。
れば、最上位ビットのレベルのみならず、それより下位
のビットに対応するサブフィールドの輝度変化が生じた
場合にも偽輪郭が視認されることが判明した。よって、
上記従来例によっても偽輪郭の防止は十分ではないこと
が確認された。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、偽輪郭の発生を十分に抑制することの出来る発光表
示パネルの駆動方法を提供することである。
は、偽輪郭の発生を十分に抑制することの出来る発光表
示パネルの駆動方法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明による自発光表示パネルの駆動方法にお
いては、各々がビデオ信号の各フィールドの画素毎の輝
度に応じたＮ（Ｎは自然数）ビットの画素データの各ビ
ット桁の重みづけに対応した時間だけ発光を行う複数の
サブフィールドにて１フィールド分の発光表示を行う自
発光画像表示パネルの駆動方法であって、前記サブフィ
ールドの内、前記ビット桁の重みづけが最も大なる第Ｎ
番サブフィールドを２ｎ（ｎは２以上の自然数）個の第
Ｎ番分割サブフィールドに分割し、前記第Ｎ番サブフィ
ールドの次に重みづけが大なる第（Ｎ−１）番サブフィ
ールドを２ｎ個の第（Ｎ−１）番分割サブフィールドに
分割し、前記第（Ｎ−１）番サブフィールドの次に重み
づけが大なる第（Ｎ−２）番サブフィールドをｎ個の第
（Ｎ−２）番分割サブフィールドに分割し、前記第（Ｎ
−２）番サブフィールドの次に重みづけが大なる第（Ｎ
−３）番サブフィールドをｎ個の第（Ｎ−３）番分割サ
ブフィールドに分割し、前記第Ｎ番分割サブフィールド
及び前記第（Ｎ−１）番分割サブフィールドが互いに隣
接して配列されてなる第１分割サブフィールド対の２つ
と、前記第（Ｎ−２）番分割サブフィールド及び前記第
（Ｎ−３）番分割サブフィールドが互いに隣接して配列
されてなる第２分割サブフィールド対の１つとを互いに
隣接して配列して各フィールドを構成する。
ために、本発明による自発光表示パネルの駆動方法にお
いては、各々がビデオ信号の各フィールドの画素毎の輝
度に応じたＮ（Ｎは自然数）ビットの画素データの各ビ
ット桁の重みづけに対応した時間だけ発光を行う複数の
サブフィールドにて１フィールド分の発光表示を行う自
発光画像表示パネルの駆動方法であって、前記サブフィ
ールドの内、前記ビット桁の重みづけが最も大なる第Ｎ
番サブフィールドを２ｎ（ｎは２以上の自然数）個の第
Ｎ番分割サブフィールドに分割し、前記第Ｎ番サブフィ
ールドの次に重みづけが大なる第（Ｎ−１）番サブフィ
ールドを２ｎ個の第（Ｎ−１）番分割サブフィールドに
分割し、前記第（Ｎ−１）番サブフィールドの次に重み
づけが大なる第（Ｎ−２）番サブフィールドをｎ個の第
（Ｎ−２）番分割サブフィールドに分割し、前記第（Ｎ
−２）番サブフィールドの次に重みづけが大なる第（Ｎ
−３）番サブフィールドをｎ個の第（Ｎ−３）番分割サ
ブフィールドに分割し、前記第Ｎ番分割サブフィールド
及び前記第（Ｎ−１）番分割サブフィールドが互いに隣
接して配列されてなる第１分割サブフィールド対の２つ
と、前記第（Ｎ−２）番分割サブフィールド及び前記第
（Ｎ−３）番分割サブフィールドが互いに隣接して配列
されてなる第２分割サブフィールド対の１つとを互いに
隣接して配列して各フィールドを構成する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図３以下
の図面を参照しつつ説明する。図３において、ビデオ信
号処理回路１は、供給された複合ビデオ信号から赤色映
像成分に対応したＲビデオ信号、緑色映像成分に対応し
たＧビデオ信号、及び青色映像成分に対応したＢビデオ
信号を夫々分離抽出して、これらをＡ／Ｄ変換器３に供
給する。同期分離回路５は、かかる複合ビデオ信号中か
ら水平及び垂直同期信号を抽出してこれらをタイミング
パルス発生回路６に供給する。タイミングパルス発生回
路６は、これら水平及び垂直同期信号に基づいた種々の
タイミングパルスを発生する。Ａ／Ｄ変換器３は、タイ
ミングパルス発生回路６から供給されたタイミングパル
スに同期して、上記Ｒビデオ信号、Ｇビデオ信号及びＢ
ビデオ信号各々を１画素毎に対応した単位画素データか
らなる８ビットの画素データに変換してこれを順次フレ
ームメモリ８に供給する。
の図面を参照しつつ説明する。図３において、ビデオ信
号処理回路１は、供給された複合ビデオ信号から赤色映
像成分に対応したＲビデオ信号、緑色映像成分に対応し
たＧビデオ信号、及び青色映像成分に対応したＢビデオ
信号を夫々分離抽出して、これらをＡ／Ｄ変換器３に供
給する。同期分離回路５は、かかる複合ビデオ信号中か
ら水平及び垂直同期信号を抽出してこれらをタイミング
パルス発生回路６に供給する。タイミングパルス発生回
路６は、これら水平及び垂直同期信号に基づいた種々の
タイミングパルスを発生する。Ａ／Ｄ変換器３は、タイ
ミングパルス発生回路６から供給されたタイミングパル
スに同期して、上記Ｒビデオ信号、Ｇビデオ信号及びＢ
ビデオ信号各々を１画素毎に対応した単位画素データか
らなる８ビットの画素データに変換してこれを順次フレ
ームメモリ８に供給する。
【００１６】書込・読出パルス発生回路２０は、タイミ
ングパルス発生回路６から供給されたタイミングパルス
に応じて書込パルス及び読出パルス各々を発生してこれ
らをメモリ制御回路９に供給すると共に、かかる読出パ
ルスをメモリ制御回路９、出力装置１０、及び書込・消
去制御回路２１各々に供給する。メモリ制御回路９は、
かかる書込パルス及び読出パルス各々に同期したメモリ
書込信号及びメモリ読出信号を生成してフレームメモリ
８に供給する。フレームメモリ８は、かかるメモリ書込
信号に応じて、上記Ａ／Ｄ変換器３から供給されてくる
８ビット画素データを順次取り込む。又、フレームメモ
リ８は、かかるメモリ読出信号に応じて、このフレーム
メモリ８内に記憶されている画素データを順次読み出し
て次段の出力装置１０へ供給する。
ングパルス発生回路６から供給されたタイミングパルス
に応じて書込パルス及び読出パルス各々を発生してこれ
らをメモリ制御回路９に供給すると共に、かかる読出パ
ルスをメモリ制御回路９、出力装置１０、及び書込・消
去制御回路２１各々に供給する。メモリ制御回路９は、
かかる書込パルス及び読出パルス各々に同期したメモリ
書込信号及びメモリ読出信号を生成してフレームメモリ
８に供給する。フレームメモリ８は、かかるメモリ書込
信号に応じて、上記Ａ／Ｄ変換器３から供給されてくる
８ビット画素データを順次取り込む。又、フレームメモ
リ８は、かかるメモリ読出信号に応じて、このフレーム
メモリ８内に記憶されている画素データを順次読み出し
て次段の出力装置１０へ供給する。
【００１７】書込・消去制御回路２１は、上記書込・読
出パルス発生回路２０から供給された読出パルスに同期
したタイミングにて、後述するリセットパルス、走査パ
ルス、維持パルス、及び消去パルス各々を発生せしめる
べきタイミング信号を発生してこれらを行電極駆動パル
ス発生回路１１に供給する。行電極駆動パルス発生回路
１１は、書込・消去制御回路２１から供給された各タイ
ミング信号に応答して、残留電荷量を初期状態にするた
めのリセットパルス、画素データを書き込むための走査
パルス、放電発光状態を維持するための維持パルス、放
電発光を停止させるための消去パルスを夫々発生してＰ
ＤＰ（プラズマディスプレイパネル）１２の行電極Ｙ
1，Ｙ2，Ｙ3…Ｙn-1，Ｙn及びＸ1，Ｘ2，Ｘ3…Ｘn-1，
Ｘnに供給する。
出パルス発生回路２０から供給された読出パルスに同期
したタイミングにて、後述するリセットパルス、走査パ
ルス、維持パルス、及び消去パルス各々を発生せしめる
べきタイミング信号を発生してこれらを行電極駆動パル
ス発生回路１１に供給する。行電極駆動パルス発生回路
１１は、書込・消去制御回路２１から供給された各タイ
ミング信号に応答して、残留電荷量を初期状態にするた
めのリセットパルス、画素データを書き込むための走査
パルス、放電発光状態を維持するための維持パルス、放
電発光を停止させるための消去パルスを夫々発生してＰ
ＤＰ（プラズマディスプレイパネル）１２の行電極Ｙ
1，Ｙ2，Ｙ3…Ｙn-1，Ｙn及びＸ1，Ｘ2，Ｘ3…Ｘn-1，
Ｘnに供給する。
【００１８】出力装置１０は、フレームメモリ８から供
給されてくる画素データから、その輝度成分の大きさに
対応して重みづけされた画素データビットＤ８、Ｄ７…
Ｄ１各々を分離抽出し、これらを画素データパルス発生
回路１３に供給する。この際、画素データビットＤ８は
最高輝度成分に対応したものであり、このビット桁が下
がるほど高輝度成分が低くなる。かかる画素データビッ
トＤ1〜画素データビットＤ８各々に対応している輝度
成分比は、
給されてくる画素データから、その輝度成分の大きさに
対応して重みづけされた画素データビットＤ８、Ｄ７…
Ｄ１各々を分離抽出し、これらを画素データパルス発生
回路１３に供給する。この際、画素データビットＤ８は
最高輝度成分に対応したものであり、このビット桁が下
がるほど高輝度成分が低くなる。かかる画素データビッ
トＤ1〜画素データビットＤ８各々に対応している輝度
成分比は、
【数１】｛ D1:D2:D3:D4:D5:D6:D7:D8 ｝＝ { 1:2:4:8:
16:32:64:128 } である。
16:32:64:128 } である。
【００１９】画素データパルス発生回路１３は、出力装
置１０から供給されてくる画素データビットの論理
「１」又は「０」夫々に対応した電圧値を有する画素デ
ータパルスを発生してこれを列電極Ｄ1，Ｄ2，Ｄ3…Ｄm
-1，Ｄmへ印加する。かかる列電極及び行電極各々の交
差部分にて１画素を形成している。ここで、かかる画素
データパルスが列電極に印加されている間に、行電極駆
動パルス発生回路１１から走査パルスが行電極に印加さ
れると発光が生じこの印加された画素データパルスに対
応した電荷がＰＤＰ１２に書き込まれる。その後、行電
極駆動パルス発生回路１１から維持パルスが印加される
と、この維持パルスが印加されるパルス数に応じた時間
だけ上記の発光状態が維持される。視覚上においては、
この発光状態が維持されている時間、すなわち維持発光
時間に応じた輝度が感じられるのである。
置１０から供給されてくる画素データビットの論理
「１」又は「０」夫々に対応した電圧値を有する画素デ
ータパルスを発生してこれを列電極Ｄ1，Ｄ2，Ｄ3…Ｄm
-1，Ｄmへ印加する。かかる列電極及び行電極各々の交
差部分にて１画素を形成している。ここで、かかる画素
データパルスが列電極に印加されている間に、行電極駆
動パルス発生回路１１から走査パルスが行電極に印加さ
れると発光が生じこの印加された画素データパルスに対
応した電荷がＰＤＰ１２に書き込まれる。その後、行電
極駆動パルス発生回路１１から維持パルスが印加される
と、この維持パルスが印加されるパルス数に応じた時間
だけ上記の発光状態が維持される。視覚上においては、
この発光状態が維持されている時間、すなわち維持発光
時間に応じた輝度が感じられるのである。
【００２０】上記の如き各データビット毎に対応した輝
度を得る為に、行電極駆動パルス発生回路１１は、画素
データビットＤ1に基づいた発光を実行する際には、維
持パルスを１つだけ行電極に印加する（サブフィールド
ＳＦ１）。又、画素データビットＤ２に基づいた発光を
実行する際には、維持パルスを２つ連続して行電極に印
加する（サブフィールドＳＦ２）。又、行電極駆動パル
ス発生回路１１は、画素データビットＤ３に基づいた発
光を実行する際には、維持パルスを４つ連続して行電極
に印加する（サブフィールドＳＦ３）。又、画素データ
ビットＤ４に基づいた発光を実行する際には、維持パル
スを８つ連続して行電極に印加する（サブフィールドＳ
Ｆ４）。
度を得る為に、行電極駆動パルス発生回路１１は、画素
データビットＤ1に基づいた発光を実行する際には、維
持パルスを１つだけ行電極に印加する（サブフィールド
ＳＦ１）。又、画素データビットＤ２に基づいた発光を
実行する際には、維持パルスを２つ連続して行電極に印
加する（サブフィールドＳＦ２）。又、行電極駆動パル
ス発生回路１１は、画素データビットＤ３に基づいた発
光を実行する際には、維持パルスを４つ連続して行電極
に印加する（サブフィールドＳＦ３）。又、画素データ
ビットＤ４に基づいた発光を実行する際には、維持パル
スを８つ連続して行電極に印加する（サブフィールドＳ
Ｆ４）。
【００２１】又、画素データビットＤ５に基づいた発光
を実行する際には、１フィールド期間内において維持パ
ルスを１６個だけ行電極に印加する（サブフィールドＳ
Ｆ５）。又、行電極駆動パルス発生回路１１は、画素デ
ータビットＤ６に基づいた発光を実行する際には、１フ
ィールド期間内において維維持パルスを３２個だけ行電
極に印加する（サブフィールドＳＦ６）。又、画素デー
タビットＤ７に基づいた発光を実行する際には、１フィ
ールド期間内において維持パルスを６４個だけ行電極に
印加する（サブフィールドＳＦ７）。又、画素データビ
ットＤ８に基づいた発光を実行する際には、１フィール
ド期間内において維持パルスを１２８個だけ行電極に印
加する（サブフィールドＳＦ８）。この際、かかる維持
パルスの数は、各サブフィールドの発光時間に対応した
ものである。
を実行する際には、１フィールド期間内において維持パ
ルスを１６個だけ行電極に印加する（サブフィールドＳ
Ｆ５）。又、行電極駆動パルス発生回路１１は、画素デ
ータビットＤ６に基づいた発光を実行する際には、１フ
ィールド期間内において維維持パルスを３２個だけ行電
極に印加する（サブフィールドＳＦ６）。又、画素デー
タビットＤ７に基づいた発光を実行する際には、１フィ
ールド期間内において維持パルスを６４個だけ行電極に
印加する（サブフィールドＳＦ７）。又、画素データビ
ットＤ８に基づいた発光を実行する際には、１フィール
ド期間内において維持パルスを１２８個だけ行電極に印
加する（サブフィールドＳＦ８）。この際、かかる維持
パルスの数は、各サブフィールドの発光時間に対応した
ものである。
【００２２】ここで、本発明においては、１フィールド
内において、上記サブフィールドＳＦ８を分割サブフィ
ールドＤＳＦ８1〜ＤＳＦ８4に４分割して配置する。よ
って、分割サブフィールドＤＳＦ８1〜ＤＳＦ８4各々が
受け持つ維持発光回数は３２となる。又、１フィールド
内において、上記サブフィールドＳＦ７を分割サブフィ
ールドＤＳＦ７1〜ＤＳＦ７4に４分割して配置する。よ
って、分割サブフィールドＤＳＦ７1〜ＤＳＦ７4各々が
受け持つ維持発光回数は１６となる。更に、１フィール
ド内において、上記サブフィールドＳＦ６を分割サブフ
ィールドＤＳＦ６1及びＤＳＦ６2に２分割して配置す
る。よって、分割サブフィールドＤＳＦ６ 1及びＤＳＦ
６2各々が受け持つ維持発光回数は１６となる。更に、
１フィールド内において、上記サブフィールドＳＦ５を
分割サブフィールドＤＳＦ５1及びＤＳＦ５2に２分割し
て配置する。よって、分割サブフィールドＤＳＦ５1及
びＤＳＦ５2各々が受け持つ維持発光回数は８となる。
内において、上記サブフィールドＳＦ８を分割サブフィ
ールドＤＳＦ８1〜ＤＳＦ８4に４分割して配置する。よ
って、分割サブフィールドＤＳＦ８1〜ＤＳＦ８4各々が
受け持つ維持発光回数は３２となる。又、１フィールド
内において、上記サブフィールドＳＦ７を分割サブフィ
ールドＤＳＦ７1〜ＤＳＦ７4に４分割して配置する。よ
って、分割サブフィールドＤＳＦ７1〜ＤＳＦ７4各々が
受け持つ維持発光回数は１６となる。更に、１フィール
ド内において、上記サブフィールドＳＦ６を分割サブフ
ィールドＤＳＦ６1及びＤＳＦ６2に２分割して配置す
る。よって、分割サブフィールドＤＳＦ６ 1及びＤＳＦ
６2各々が受け持つ維持発光回数は１６となる。更に、
１フィールド内において、上記サブフィールドＳＦ５を
分割サブフィールドＤＳＦ５1及びＤＳＦ５2に２分割し
て配置する。よって、分割サブフィールドＤＳＦ５1及
びＤＳＦ５2各々が受け持つ維持発光回数は８となる。
【００２３】図４は、これら分割サブフィールドＤＳＦ
５〜ＤＳＦ８及びサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ４が配列
されてなる１フィールド期間中の駆動フォーマットを示
す図である。尚、図４中において各サブフィールド毎に
示されているＷは、各サブフィールド内で印加される維
持パルスの数に対応した発光時間を示すものである。
５〜ＤＳＦ８及びサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ４が配列
されてなる１フィールド期間中の駆動フォーマットを示
す図である。尚、図４中において各サブフィールド毎に
示されているＷは、各サブフィールド内で印加される維
持パルスの数に対応した発光時間を示すものである。
【００２４】かかる図４に示されるが如く、サブフィー
ルドＳＦ１〜ＳＦ８の内、画素データビットの重みづけ
が大なるサブフィールドＳＦ５〜ＳＦ８に関しては、１
フィールド期間内において更に分割して配置されてい
る。つまり、上述したように、サブフィールドＳＦ８に
よる発光は１フィールド期間中にＷ＝１２８なる時間に
亘り実施する必要があるが、本発明においては、これを
図４に示されるが如く、各々がＷ＝３２の時間に亘って
発光を行う分割サブフィールドＤＳＦ８1〜ＤＳＦ８4に
て４分割しているのである。同様に、サブフィールドＳ
Ｆ７による発光についても、１フィールド期間中にＷ＝
６４なる時間に亘り実施する必要があるが、これを図４
に示されるが如く、各々がＷ＝１６の時間に亘って発光
を行う分割サブフィールドＤＳＦ７1〜ＤＳＦ７4にて４
分割しているのである。更に、サブフィールドＳＦ６に
よる発光についても、１フィールド期間中にＷ＝３２な
る時間に亘り実施する必要があるが、これを図４に示さ
れるように、各々がＷ＝１６の時間に亘って発光を行う
という分割サブフィールドＤＳＦ６1及びＤＳＦ６2にて
２分割している。更に、サブフィールドＳＦ５による発
光も、１フィールド期間中にＷ＝１６なる時間に亘って
実施する必要があるが、これを図４に示されるように、
各々がＷ＝８の時間に亘って発光を行うという分割サブ
フィールドＤＳＦ５1及びＤＳＦ５2にて２分割している
のである。
ルドＳＦ１〜ＳＦ８の内、画素データビットの重みづけ
が大なるサブフィールドＳＦ５〜ＳＦ８に関しては、１
フィールド期間内において更に分割して配置されてい
る。つまり、上述したように、サブフィールドＳＦ８に
よる発光は１フィールド期間中にＷ＝１２８なる時間に
亘り実施する必要があるが、本発明においては、これを
図４に示されるが如く、各々がＷ＝３２の時間に亘って
発光を行う分割サブフィールドＤＳＦ８1〜ＤＳＦ８4に
て４分割しているのである。同様に、サブフィールドＳ
Ｆ７による発光についても、１フィールド期間中にＷ＝
６４なる時間に亘り実施する必要があるが、これを図４
に示されるが如く、各々がＷ＝１６の時間に亘って発光
を行う分割サブフィールドＤＳＦ７1〜ＤＳＦ７4にて４
分割しているのである。更に、サブフィールドＳＦ６に
よる発光についても、１フィールド期間中にＷ＝３２な
る時間に亘り実施する必要があるが、これを図４に示さ
れるように、各々がＷ＝１６の時間に亘って発光を行う
という分割サブフィールドＤＳＦ６1及びＤＳＦ６2にて
２分割している。更に、サブフィールドＳＦ５による発
光も、１フィールド期間中にＷ＝１６なる時間に亘って
実施する必要があるが、これを図４に示されるように、
各々がＷ＝８の時間に亘って発光を行うという分割サブ
フィールドＤＳＦ５1及びＤＳＦ５2にて２分割している
のである。
【００２５】更に、本発明においては、かかる図４に示
されるように、１フィールド内においては、分割サブフ
ィールドＤＳＦ７及び分割サブフィールドＤＳＦ８を互
いに隣接配列して分割サブフィールド対を形成させる。
同様に、分割サブフィールドＤＳＦ５及び分割サブフィ
ールドＤＳＦ６も互いに隣接配列して分割サブフィール
ド対を形成させる。
されるように、１フィールド内においては、分割サブフ
ィールドＤＳＦ７及び分割サブフィールドＤＳＦ８を互
いに隣接配列して分割サブフィールド対を形成させる。
同様に、分割サブフィールドＤＳＦ５及び分割サブフィ
ールドＤＳＦ６も互いに隣接配列して分割サブフィール
ド対を形成させる。
【００２６】かかる配列により、重みづけの大なる発光
を司るサブフィールド、すなわち高輝度成分に対応した
発光を司るサブフィールドが分割されると共に、この分
割されたサブフィールドが配列されているブロック内で
は、必ず、各分割サブフィールドに隣接する少なくとも
一方の分割サブフィールドが１桁だけ重みづけの異なる
ビットに対応したものとなるのである。
を司るサブフィールド、すなわち高輝度成分に対応した
発光を司るサブフィールドが分割されると共に、この分
割されたサブフィールドが配列されているブロック内で
は、必ず、各分割サブフィールドに隣接する少なくとも
一方の分割サブフィールドが１桁だけ重みづけの異なる
ビットに対応したものとなるのである。
【００２７】よって、かかる配列によれば、隣接するサ
ブフィールド間での発光時間の落差が少なくなり、この
落差によって生じるという偽輪郭を十分に抑制すること
が出来るようになるのである。ここで、重みづけの低い
ビットに対応しているサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ４に
よる発光は視覚上、偽輪郭が目立たないので分割は行わ
ない。これらサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ４は、図４に
示されているように、１フィールド期間中の時間軸上の
中央区間にて実行する。これらサブフィールドＳＦ１〜
ＳＦ４の前後で、上述した如き分割サブフィールド各々
を配列するのである。
ブフィールド間での発光時間の落差が少なくなり、この
落差によって生じるという偽輪郭を十分に抑制すること
が出来るようになるのである。ここで、重みづけの低い
ビットに対応しているサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ４に
よる発光は視覚上、偽輪郭が目立たないので分割は行わ
ない。これらサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ４は、図４に
示されているように、１フィールド期間中の時間軸上の
中央区間にて実行する。これらサブフィールドＳＦ１〜
ＳＦ４の前後で、上述した如き分割サブフィールド各々
を配列するのである。
【００２８】かかる図４に示されるが如き方法にてＰＤ
Ｐ１２を発光駆動したところ、偽輪郭の発生が抑制さ
れ、その表示品質が向上した。尚、かかる図４に示され
る実施例以外でも、例えば、図５〜図９に示される駆動
パターンにおいても上記実施例と同様に偽輪郭の発生を
抑制することが出来る。更に、画素データビットのビッ
ト数も上述の如き８ビットに限定されるものではない。
又、上述した如き分割数も、４回及び２回に限定される
ものではない。
Ｐ１２を発光駆動したところ、偽輪郭の発生が抑制さ
れ、その表示品質が向上した。尚、かかる図４に示され
る実施例以外でも、例えば、図５〜図９に示される駆動
パターンにおいても上記実施例と同様に偽輪郭の発生を
抑制することが出来る。更に、画素データビットのビッ
ト数も上述の如き８ビットに限定されるものではない。
又、上述した如き分割数も、４回及び２回に限定される
ものではない。
【００２９】要するに、先ず、画素データビットのビッ
ト桁の重みづけが最も大なる第Ｎ番サブフィールド及び
かかる第Ｎ番サブフィールドよりも１桁だけ重みづけの
低い第（Ｎ−１）番サブフィールド各々を２ｎ（ｎは２
以上の自然数）個の第Ｎ番分割サブフィールド及び２ｎ
個の第（Ｎ−１）番分割サブフィールドに夫々分割する
と共に、第（Ｎ−２）番サブフィールド及び第（Ｎ−
３）番サブフィールド各々を、ｎ個の第（Ｎ−２）番分
割サブフィールド及びｎ個の第（Ｎ−３）番分割サブフ
ィールドに夫々分割する。ここで、１フィールド内にお
いて、上記第Ｎ番分割サブフィールド及び第（Ｎ−１）
番分割サブフィールドを互いに隣接して配列して第１の
分割サブフィールド対を形成させ、この第１の分割サブ
フィールド対の２組と、上記第（Ｎ−２）番分割サブフ
ィールド及び第（Ｎ−３）番分割サブフィールドを互い
に隣接して配列されてなる第２分割サブフィールド対の
１つとを互いに隣接して配列するようにすれば良いので
ある。
ト桁の重みづけが最も大なる第Ｎ番サブフィールド及び
かかる第Ｎ番サブフィールドよりも１桁だけ重みづけの
低い第（Ｎ−１）番サブフィールド各々を２ｎ（ｎは２
以上の自然数）個の第Ｎ番分割サブフィールド及び２ｎ
個の第（Ｎ−１）番分割サブフィールドに夫々分割する
と共に、第（Ｎ−２）番サブフィールド及び第（Ｎ−
３）番サブフィールド各々を、ｎ個の第（Ｎ−２）番分
割サブフィールド及びｎ個の第（Ｎ−３）番分割サブフ
ィールドに夫々分割する。ここで、１フィールド内にお
いて、上記第Ｎ番分割サブフィールド及び第（Ｎ−１）
番分割サブフィールドを互いに隣接して配列して第１の
分割サブフィールド対を形成させ、この第１の分割サブ
フィールド対の２組と、上記第（Ｎ−２）番分割サブフ
ィールド及び第（Ｎ−３）番分割サブフィールドを互い
に隣接して配列されてなる第２分割サブフィールド対の
１つとを互いに隣接して配列するようにすれば良いので
ある。
【００３０】更に、かかる分割を行っていないサブフィ
ールド各々を、１フィールドの時間軸上の中央区間に配
置すれば良いのである。尚、分割を行わないサブフィー
ルドＳＦ１〜ＳＦ４の内、サブフィールドＳＦ１及びサ
ブフィールドＳＦ４を、それぞれ図１０に示されるが如
く、１フィールド期間の先頭及び後尾に配置するように
しても良い。
ールド各々を、１フィールドの時間軸上の中央区間に配
置すれば良いのである。尚、分割を行わないサブフィー
ルドＳＦ１〜ＳＦ４の内、サブフィールドＳＦ１及びサ
ブフィールドＳＦ４を、それぞれ図１０に示されるが如
く、１フィールド期間の先頭及び後尾に配置するように
しても良い。
【００３１】行電極駆動パルス発生回路１１及び画素デ
ータパルス発生回路１３は、上述した図４〜図１０に示
されるが如き形態にてＰＤＰ１２の発光駆動を実行すべ
く、各サブフィールド及び分割サブフィールド内におい
て、リセットパルス、走査パルス、維持パルス、消去パ
ルス及び画素データパルスなる駆動パルス各々の印加を
行う。
ータパルス発生回路１３は、上述した図４〜図１０に示
されるが如き形態にてＰＤＰ１２の発光駆動を実行すべ
く、各サブフィールド及び分割サブフィールド内におい
て、リセットパルス、走査パルス、維持パルス、消去パ
ルス及び画素データパルスなる駆動パルス各々の印加を
行う。
【００３２】図１１及び図１２は、本発明による１サブ
フィールド内における各駆動パルスの印加タイミングを
示す図である。尚、図１１は、発光駆動すべき１フィー
ルドが奇数フィールドの場合におけるタイミングを示す
ものであり、一方、図１２は、発光駆動すべき１フィー
ルドが偶数フィールドの場合におけるタイミングを示す
図である。
フィールド内における各駆動パルスの印加タイミングを
示す図である。尚、図１１は、発光駆動すべき１フィー
ルドが奇数フィールドの場合におけるタイミングを示す
ものであり、一方、図１２は、発光駆動すべき１フィー
ルドが偶数フィールドの場合におけるタイミングを示す
図である。
【００３３】これら図１１及び図１２において、先ず、
行電極駆動パルス発生回路１１は、ＰＤＰ１２の行電極
Ｘ及びＹにそれぞれリセットパルスＲx及びＲYを同時に
印加して、ＰＤＰ１２の残留電荷を初期化せしめる。次
に、画素データパルス発生回路１３は、各行毎に対応し
たデータパルスＤＰを列電極Ｄに順次印加して行く。か
かるデータパルスＤＰの印加タイミングと同タイミング
にて、行電極駆動パルス発生回路１１は、走査パルスＳ
Ｐを２行同時に行電極Ｙ1〜Ｙnへと順次印加して行く。
この際、発光駆動すべき１フィールドが偶数フィールド
の場合には、図１２に示されるが如く、行電極Ｙ1に対
してだけは単独で走査パルスＳＰを印加し、この行電極
Ｙ1以降の行電極Ｙ2〜Ｙnに対して走査パルスＳＰの２
行同時印加を行う。走査パルスＳＰが印加された行にお
いて、画素データの書き込みが為される。 この際、行
電極Ｙ1に走査パルスＳＰが印加されてから行電極Ｙnに
走査パルスＳＰが印加されるまでの時間が、１サブフィ
ールド内にて費やされる画素データの書き込み時間とな
るのである。
行電極駆動パルス発生回路１１は、ＰＤＰ１２の行電極
Ｘ及びＹにそれぞれリセットパルスＲx及びＲYを同時に
印加して、ＰＤＰ１２の残留電荷を初期化せしめる。次
に、画素データパルス発生回路１３は、各行毎に対応し
たデータパルスＤＰを列電極Ｄに順次印加して行く。か
かるデータパルスＤＰの印加タイミングと同タイミング
にて、行電極駆動パルス発生回路１１は、走査パルスＳ
Ｐを２行同時に行電極Ｙ1〜Ｙnへと順次印加して行く。
この際、発光駆動すべき１フィールドが偶数フィールド
の場合には、図１２に示されるが如く、行電極Ｙ1に対
してだけは単独で走査パルスＳＰを印加し、この行電極
Ｙ1以降の行電極Ｙ2〜Ｙnに対して走査パルスＳＰの２
行同時印加を行う。走査パルスＳＰが印加された行にお
いて、画素データの書き込みが為される。 この際、行
電極Ｙ1に走査パルスＳＰが印加されてから行電極Ｙnに
走査パルスＳＰが印加されるまでの時間が、１サブフィ
ールド内にて費やされる画素データの書き込み時間とな
るのである。
【００３４】走査パルスＳＰが行極Ｙnまで印加される
と、行電極駆動パルス発生回路１１は、行電極Ｘ及びＹ
に交互に維持パルスＩX及びＩYを印加する。かかる維持
パルスが印加される度に発光が生じる。かかる維持パル
スの印加により、上記図４〜図１０にて示されているＷ
の分だけ維持発光が終了すると、行電極駆動パルス発生
回路１１は、ＰＤＰ１２の行電極Ｘに消去パルスＤＰを
印加して、その発光を停止せしめる。
と、行電極駆動パルス発生回路１１は、行電極Ｘ及びＹ
に交互に維持パルスＩX及びＩYを印加する。かかる維持
パルスが印加される度に発光が生じる。かかる維持パル
スの印加により、上記図４〜図１０にて示されているＷ
の分だけ維持発光が終了すると、行電極駆動パルス発生
回路１１は、ＰＤＰ１２の行電極Ｘに消去パルスＤＰを
印加して、その発光を停止せしめる。
【００３５】以上の如く、かかる駆動パルスの印加方法
においては、画素データの書き込みを２行同時に実施す
ることにより、１サブフィールド内にて費やされる画素
データの書き込み時間を１／２に短縮しているのであ
る。よって、上記図４〜図１０に示されるが如く、１フ
ィールド内のサブフィールド（分割サブフィールドを含
む）数が、１フィールドを単に８サブフィールドに分割
して発光駆動を行った場に比べて２倍になっても、その
画素データの書き込みに費やされる時間を同一とするこ
とが出来るのである。
においては、画素データの書き込みを２行同時に実施す
ることにより、１サブフィールド内にて費やされる画素
データの書き込み時間を１／２に短縮しているのであ
る。よって、上記図４〜図１０に示されるが如く、１フ
ィールド内のサブフィールド（分割サブフィールドを含
む）数が、１フィールドを単に８サブフィールドに分割
して発光駆動を行った場に比べて２倍になっても、その
画素データの書き込みに費やされる時間を同一とするこ
とが出来るのである。
【００３６】上記の如く、重み付けの大きいサブフィー
ルドを分割、分離する一方、図１１及び図１２に示す２
行同時書込みの手法を併用することにより、十分な画素
データの書込み時間を確保して動画像の画質の改善を実
現することができる。
ルドを分割、分離する一方、図１１及び図１２に示す２
行同時書込みの手法を併用することにより、十分な画素
データの書込み時間を確保して動画像の画質の改善を実
現することができる。
【００３７】
【発明の効果】上記したことから明らかな如く本発明に
よる自発光表示パネルの駆動方法においては、画素デー
タビットのビット桁の重みづけが最も大なる第Ｎ番サブ
フィールド及び第（Ｎ−１）番サブフィールド各々を、
２ｎ（ｎは２以上の自然数）個の第Ｎ番分割サブフィー
ルド、及び２ｎ個の第（Ｎ−１）番分割サブフィールド
に夫々分割すると共に、第（Ｎ−２）番サブフィールド
及び第（Ｎ−３）番サブフィールド各々を、ｎ個の第
（Ｎ−２）番分割サブフィールド及びｎ個の第（Ｎ−
３）番分割サブフィールドに夫々分割し、１フィールド
内において、かかる第Ｎ番分割サブフィールド及び第
（Ｎ−１）番分割サブフィールドを互いに隣接配列して
分割サブフィールド対を形成させ、これら分割サブフィ
ールド対の２組と、第（Ｎ−２）番分割サブフィールド
及び第（Ｎ−３）番分割サブフィールドを互いに隣接し
て配列されてなる分割サブフィールド対の１つとを互い
に隣接して配列する。
よる自発光表示パネルの駆動方法においては、画素デー
タビットのビット桁の重みづけが最も大なる第Ｎ番サブ
フィールド及び第（Ｎ−１）番サブフィールド各々を、
２ｎ（ｎは２以上の自然数）個の第Ｎ番分割サブフィー
ルド、及び２ｎ個の第（Ｎ−１）番分割サブフィールド
に夫々分割すると共に、第（Ｎ−２）番サブフィールド
及び第（Ｎ−３）番サブフィールド各々を、ｎ個の第
（Ｎ−２）番分割サブフィールド及びｎ個の第（Ｎ−
３）番分割サブフィールドに夫々分割し、１フィールド
内において、かかる第Ｎ番分割サブフィールド及び第
（Ｎ−１）番分割サブフィールドを互いに隣接配列して
分割サブフィールド対を形成させ、これら分割サブフィ
ールド対の２組と、第（Ｎ−２）番分割サブフィールド
及び第（Ｎ−３）番分割サブフィールドを互いに隣接し
て配列されてなる分割サブフィールド対の１つとを互い
に隣接して配列する。
【００３８】よって、この分割されたサブフィールドが
配列されているブロック内では、必ず、各分割サブフィ
ールドに隣接する少なくとも一方の分割サブフィールド
が１桁だけ重みづけの異なるビットに対応したものとな
るので、隣接している分割サブフィールド間同士での発
光時間の落差が少なくなり、この落差によって生じると
いう偽輪郭を十分に抑制することが出来るようになるの
である。
配列されているブロック内では、必ず、各分割サブフィ
ールドに隣接する少なくとも一方の分割サブフィールド
が１桁だけ重みづけの異なるビットに対応したものとな
るので、隣接している分割サブフィールド間同士での発
光時間の落差が少なくなり、この落差によって生じると
いう偽輪郭を十分に抑制することが出来るようになるの
である。
【図１】 各サブフィールドの発光期間及び単位画素デ
ータと発光期間との対応関係を示す説明図。
ータと発光期間との対応関係を示す説明図。
【図２】 偽輪郭の発生する状態の例を示す図。
【図３】 本発明による駆動方法を実行するプラズマデ
ィスプレイパネル及びその駆動装置を示すブロック図。
ィスプレイパネル及びその駆動装置を示すブロック図。
【図４】 本発明の自発光表示パネルの駆動方法による
１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を示
す図である。
１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を示
す図である。
【図５】 本発明の自発光表示パネルの駆動方法による
１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を示
す図である。
１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を示
す図である。
【図６】 本発明の自発光表示パネルの駆動方法による
１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を示
す図である。
１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を示
す図である。
【図７】 本発明の自発光表示パネルの駆動方法による
１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を示
す図である。
１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を示
す図である。
【図８】 本発明の自発光表示パネルの駆動方法による
１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を示
す図である。
１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を示
す図である。
【図９】 本発明の自発光表示パネルの駆動方法による
１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を示
す図である。
１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を示
す図である。
【図１０】 本発明の自発光表示パネルの駆動方法によ
る１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を
示す図である。
る１フィールド期間中の発光駆動フォーマットの一例を
示す図である。
【図１１】 奇数フィールドにおける駆動パルス印加タ
イミングを示す図である。
イミングを示す図である。
【図１２】 偶数フィールドにおける駆動パルス印加タ
イミングを示す図である。
イミングを示す図である。
１１ 行電極駆動パルス発生回路 １２ プロズマディスプレイパネル １３ 画素データパルス発生回路
Claims (9)
- 【請求項１】 各々がビデオ信号の各フィールドの画素
毎の輝度に応じたＮ（Ｎは自然数）ビットの画素データ
の各ビット桁の重みづけに対応した時間だけ発光を行う
複数のサブフィールドにて１フィールド分の発光表示を
行う自発光画像表示パネルの駆動方法であって、 前記サブフィールドの内、前記ビット桁の重みづけが最
も大なる第Ｎ番サブフィールドを２ｎ（ｎは２以上の自
然数）個の第Ｎ番分割サブフィールドに分割し、前記第
Ｎ番サブフィールドの次に重みづけが大なる第（Ｎ−
１）番サブフィールドを２ｎ個の第（Ｎ−１）番分割サ
ブフィールドに分割し、前記第（Ｎ−１）番サブフィー
ルドの次に重みづけが大なる第（Ｎ−２）番サブフィー
ルドをｎ個の第（Ｎ−２）番分割サブフィールドに分割
し、前記第（Ｎ−２）番サブフィールドの次に重みづけ
が大なる第（Ｎ−３）番サブフィールドをｎ個の第（Ｎ
−３）番分割サブフィールドに分割し、 前記第Ｎ番分割サブフィールド及び前記第（Ｎ−１）番
分割サブフィールドが互いに隣接して配列されてなる第
１分割サブフィールド対の２つと、前記第（Ｎ−２）番
分割サブフィールド及び前記第（Ｎ−３）番分割サブフ
ィールドが互いに隣接して配列されてなる第２分割サブ
フィールド対の１つとを互いに隣接して配列して各フィ
ールドを構成することを特徴とする自発光画像表示パネ
ルの駆動方法。 - 【請求項２】 １フィールド内において、前記第１分割
サブフィールド対の２つの間に前記第２分割サブフィー
ルド対を配列したことを特徴とする請求項１記載の自発
光画像表示パネルの駆動方法。 - 【請求項３】 １フィールド内において、前記第１分割
サブフィールド対の２つを隣接して配列しその直後に前
記第２分割サブフィールド対を配列したことを特徴とす
る請求項１記載の自発光画像表示パネルの駆動方法。 - 【請求項４】 前記ビット桁の重みづけが小なるサブフ
ィールドを前記１フィールドの時間軸上の中央区間に配
置することを特徴とする請求項１記載の自発光画像表示
パネルの駆動方法。 - 【請求項５】 前記Ｎ＝８及び前記ｎ＝２であることを
特徴とする請求項１記載の自発光画像表示パネルの駆動
方法。 - 【請求項６】 前記第Ｎ番サブフィールドを２ｎ個の第
Ｎ番分割サブフィールドに等分割し、前記第（Ｎ−１）
番サブフィールドを２ｎ個の第（Ｎ−１）番分割サブフ
ィールドに等分割し、前記第（Ｎ−２）番サブフィール
ドをｎ個の第（Ｎ−２）番分割サブフィールドに等分割
し、前記第（Ｎ−３）番サブフィールドをｎ個の第（Ｎ
−３）番分割サブフィールドに等分割することを特徴と
する請求項１記載の自発光画像表示パネルの駆動方法。 - 【請求項７】 各々がビデオ信号の各フィールドの画素
毎の輝度に応じたＮ（Ｎは自然数）ビットの画素データ
の各ビット桁の重みづけに対応した時間だけ発光を行う
複数のサブフィールドにて１フィールド分の発光表示を
行う自発光画像表示パネルの駆動方法であって、 前記ビット桁の重みづけが大なるサブフィールドほど多
い分割数にて前記サブフィールドを分割し、この分割し
た複数のサブフィールドの内、互いに重みづけが異なる
ｍ個のサブフィールドを含む複数のサブフィールドを１
つのブロックとし、 前記ブロック内においては、各サブフィールドに隣接す
る少なくとも一方のサブフィールドが１桁異なるビット
に対応したものとなるように配列されていることを特徴
とする自発光画像表示パネルの駆動方法。 - 【請求項８】 前記ビット桁の重みづけが小なるサブフ
ィールドを前記１フィールドの時間軸上の中央区間に配
置することを特徴とする請求項７記載の自発光画像表示
パネルの駆動方法。 - 【請求項９】 複数の行電極と前記行電極の各々に直交
する方向に配列された複数の列電極を備え、各々がビデ
オ信号の各フィールドの画像毎の輝度に応じた画素デー
タの各ビット桁の重みづけに対応した時間だけ発光を行
う複数のサブフィールドにて１フィールド分の発光表示
を行う自発光画像表示パネルの駆動方法であって、 前記サブフィールドの内、前記ビット桁の重みづけが大
なるサブフィールドを含む少なくとも１のサブフィール
ドは複数の分割サブフィールドに分割されて、その分割
サブフィールドの各々が前記１フィールドの期間内にお
いて所定間隔を隔てて配置されており、 奇数フィールド駆動時には、連続した２行の行電極を１
走査単位として線順次にて前記画素データの２行同時書
込みを行う一方、偶数フィールド駆動時には１行電極だ
けずれた連続した２行の行電極を１走査単位として線順
次にて前記画素データの２行同時書込みを行うことを特
徴とする自発光画像表示パネルの駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8027087A JPH09218662A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 自発光画像表示パネルの駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8027087A JPH09218662A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 自発光画像表示パネルの駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09218662A true JPH09218662A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12211302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8027087A Pending JPH09218662A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 自発光画像表示パネルの駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09218662A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-02-14 JP JP8027087A patent/JPH09218662A/ja active Pending
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