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JPH09196929A - 表面観察装置と表面観察方法、記録装置と記録方法、及び再生装置と再生方法 - Google Patents

表面観察装置と表面観察方法、記録装置と記録方法、及び再生装置と再生方法

Info

Publication number
JPH09196929A
JPH09196929A JP2473696A JP2473696A JPH09196929A JP H09196929 A JPH09196929 A JP H09196929A JP 2473696 A JP2473696 A JP 2473696A JP 2473696 A JP2473696 A JP 2473696A JP H09196929 A JPH09196929 A JP H09196929A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
conductive
recording
recording layer
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2473696A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyoji Yano
亨治 矢野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2473696A priority Critical patent/JPH09196929A/ja
Publication of JPH09196929A publication Critical patent/JPH09196929A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】観察時に生じる不必要な電界、静電力の発生を
抑制し、より正確な表面観察装置および表面観察方法を
提供する。 【解決手段】試料ホルダに支持された試料の試料表面ま
たは導電性基板と該導電性基板上に形成され非導電性部
分を含む記録層に対向して配置され、かつ弾性体に支持
されたプローブ(PV)を用い、PVと試料表面または
記録層表面との位置を移動させ、前記試料表面または記
録媒体とPVとの間に発生する相互作用を検出すること
により試料表面を観察する表面観察装置と方法または前
記記録媒体と前記プローブとの間に物理作用を加えるこ
とにより記録を行う記録装置と方法、或は記録媒体とP
Vとの間に発生する物理作用を検出して再生を行う再生
装置と方法において、前記弾性体の表面が導電性を有
し、前記試料ホルダの一部分又は前記試料の一部分もし
くはその両者と前記弾性体の導電性部分とを同電位に保
ちながら観察を行い、または、PVと前記導電性基板と
を常に同電位に保ちながら記録、再生を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は走査型プローブ顕微
鏡の原理を応用した情報処理装置に係り、特に、このよ
うな走査型プローブ顕微鏡の原理を応用した表面観察装
置と表面観察方法、記録装置と記録方法、及び再生装置
と再生方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、物質の表面を原子オーダーの分解
能で観察できる走査型トンネル顕微鏡(以下STMとい
う)[G.Binnig et al.,Physic
alReview Letters 第49巻57頁
(1982)]が開発され、原子、分子レベルの実空間
観察が可能になってきた。走査型トンネル顕微鏡は、ト
ンネル電流を一定に保つようにプローブ電極、導電性試
料の距離を制御しながら走査し、その時の制御信号から
試料表面の電子雲の情報、試料の形状をサブナノメート
ルのオーダーで観測することができる。また、物質の表
面をやはり高分解能で観察できる手段として原子間力顕
微鏡(以下AFMという)が開発されている。STMあ
るいはAFM等、試料表面をプローブを用いて2次元走
査を行い、そのプローブと試料表面の相互作用から試料
表面の物理情報を観測する手段は一般に走査型プローブ
顕微鏡(SPM)といわれ、高分解能の表面観察手段と
して注目されている。
【0003】また、情報の大型化にともなって、大容量
化への要求が非常に強くなってきている。そこでこれら
SPMの原理を応用すれば、十分に原子オーダー(サブ
ナノメートルオーダー)での高密度再生を行うことが可
能である。このような記録再生方法として、例えば原子
間力顕微鏡を用いて記録媒体に力を加えて記録媒体に穴
状の構造を形成させることにより記録を行い、記録され
たビットを原子間力顕微鏡の原理を用いてよみだすとい
う方法がApplied Physics Lette
rs 第61巻1003頁(1992年)に開示されて
いる。この方法によれば、大容量の記録が単純な機構で
可能となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おいては、この様なSPM技術により試料表面を観察す
る際、実際には予期せぬ電界が存在することがあり、プ
ローブが不必要な力を受けて正確な測定ができなくなる
という問題があった。また、観察中に試料を帯電させて
しまう場合があり、この場合もプローブに不必要な力を
受けて正確な測定ができなくなったり、試料の状態を変
化させてしまったりする恐れがある。またSPM技術を
応用して情報を記録したり再生するときに、不必要な電
界が発生したりプローブの走査にともない記録媒体が電
荷を帯びてしまい、情報を記録しようとしたときにエラ
ーを生じたり、また読みだすときに情報を間違って読み
だしてしまう可能性があった。例えば、従来の技術で述
べたAFMを用いて記録媒体に力を加えて記録媒体に穴
を開けて記録を行う方法(Applied Physi
cs Letters第61巻1003頁,1992
年)の場合、プローブ材料としてSi3N4、記録媒体と
してはポリメチルメタクリレート(PMMA)を用いて
いる。この場合、プローブと記録媒体を接触させたり、
プローブを記録媒体上で走査することにより記録媒体に
静電荷が誘起されることがある。また、プローブにも同
様に静電荷が誘起される場合がある。記録媒体やプロー
ブに静電荷が生じると、記録時や再生時にプローブと記
録媒体との間に予期せぬ力が働き、記録時のエラーや再
生時のエラーを生じさせる原因となる場合がある。ま
た、プローブ周辺に不必要な電界が生じるとプローブが
異常な動きを示したりする等の問題点が発生する場合が
ある。
【0005】そこで、本発明は上記従来のものにおける
課題を解決するため、観察時に生じる不必要な電界、静
電力の発生を抑制し、より正確な表面観察装置および表
面観察方法を提供することを目的とするものである。ま
た本発明は、記録時、再生時に生じる不必要な電界、静
電力の発生を抑制し、エラーの可能性の少ない記録装置
と記録方法、及び再生装置と再生方法を提供することを
目的とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、表面観察装置と表面観察方法、記録装置と
記録方法、及び再生装置と再生方法について、つぎのよ
うに構成したことを特徴とするものである。
【0007】まず、本発明の表面観察装置は、試料ホル
ダに固定した試料の試料表面に対向して配置され、表面
の少なくとも一部分が導電性であるプローブと、前記プ
ローブと記録層表面との位置を移動させる移動手段と、
前記試料表面と前記プローブとの間に発生する相互作用
を検出する相互作用検出手段と、前記試料ホルダの一部
又は前記試料の一部のいずれかもしくはその両者が導電
性を有し、かつ該導電性部分と前記プローブの導電性部
分とを常に同電位に保つ同電位保持手段と、を具備した
ことを特徴とする。そして、この表面観察装置において
は、前記プローブの導電性部分をプローブの試料と接す
る部分により構成することができ、また、前記プローブ
を弾性体で支持するようにしてもよい。また、本発明の
別の表面観察装置は、試料ホルダに固定した試料の試料
表面に対向して配置され、弾性体に支持されたプローブ
と、前記プローブと記録層表面との位置を移動させる移
動手段と、前記試料表面と前記プローブとの間に発生す
る相互作用を検出する相互作用検出手段とを具備し、前
記弾性体表面の少なくとも一部が導電性を有すると共
に、前記試料ホルダの一部又は前記試料の一部のいずれ
かもしくは両者が導電性を有し、かつ該導電性部分と前
記弾性体の導電性部分とを常に同電位に保つ同電位保持
手段を備えたことを特徴とする。この場合、前記プロー
ブの表面の少なくとも一部が導電性を有し、前記同電位
保持手段が、前記プローブの表面の導電性部分をもあわ
せて同電位に保つ構成を採ることができる。そして、本
発明においては、前記同電位保持手段は、導電性部材を
用いて直接接続する構成を採るものでもよく、また、き
ょう体に接地するものであってもよい。
【0008】つぎに、本発明の表面観察方法は、試料ホ
ルダに固定した試料の試料表面に対向して配置されたプ
ローブを用い、前記プローブと前記試料表面との位置を
移動させ、前記試料表面と前記プローブとの間に発生す
る相互作用を検出することにより試料表面を観察する表
面観察方法において、前記プローブの表面の少なくとも
一部が導電性を有すると共に、前記試料ホルダの一部又
は前記試料の一部のいずれかもしくはその両者が導電性
を有し、かつ該導電性部分と前記プローブの導電性部分
を同電位に保ちながら観察することを特徴とする。そし
て、この表面観察方法においては、前記プローブの導電
性部分が、プローブの試料と接する部分により構成する
ことができ、また、前記プローブを弾性体で支持するよ
うにしてもよい。また、本発明の別の表面観察方法は、
試料ホルダに支持された試料の試料表面に対向して配置
され、かつ弾性体に支持されたプローブを用い、前記プ
ローブと前記試料表面との位置を移動させ、前記試料表
面と前記プローブとの間に発生する相互作用を検出する
ことにより試料表面を観察する表面観察方法において、
前記弾性体の表面の少なくとも一部が導電性を有し、前
記試料ホルダの一部分又は前記試料の一部分もしくはそ
の両者と前記弾性体の導電性部分とを同電位に保ちなが
ら観察することを特徴とする。この場合、前記プローブ
の表面の少なくとも一部が導電性を有し、前記プローブ
の表面の導電性部分をもあわせて同電位に保つ構成を採
ることができる。そして、本発明においては、前記同電
位に保つ方法は、導電性部材を用いて直接接続する構成
を採るものでもよく、また、きょう体に接地するもので
あってもよい。
【0009】つぎに、本発明の記録装置は、導電性基板
と該導電性基板上に形成され非導電性部分を含む記録層
と、前記記録層表面に対向して配置される少なくとも表
面の一部が導電性のプローブと、前記プローブと記録層
表面との位置を移動させる移動手段と、前記記録層表面
と前記プローブとの間に物理作用を加える物理作用印加
手段と、前記プローブと前記導電性基板とを常に同電位
に保つ同電位保持手段とを具備することを特徴とする。
そして、この記録装置においては、前記プローブの導電
性部分をプローブの記録層表面と接する部分により構成
することができ、また、前記プローブを弾性体で支持す
るようにしてもよい。また、本発明の別の記録装置は、
導電性基板と該導電性基板上に形成され非導電性部分を
含む記録層と、前記記録層表面に対向して配置され弾性
体に支持されたプローブと、前記プローブと記録層表面
との位置を移動させる移動手段と、前記記録層表面と前
記プローブとの間に物理作用を加える物理作用印加手段
とを具備し、前記弾性体表面の少なくとも一部が導電性
を有し、前記導電性基板と前記弾性体の導電性部分を常
に同電位に保つ同電位保持手段を備えたことを特徴とす
る。この場合、前記プローブの表面の少なくとも一部が
導電性を有し、前記同電位保持手段が、前記プローブの
表面の導電性部分をもあわせて同電位に保つ構成を採る
ことができる。そして、本発明においては、前記同電位
保持手段は、導電性部材を用いて直接接続する構成を採
るものでもよく、また、きょう体に接地するものであっ
てもよい。
【0010】つぎに、本発明の記録方法は、導電性基板
に形成され、非導電性部分を含む記録層と、前記記録層
表面に対向して配置され、前記記録層表面との位置が移
動できる機構とを有し、かつその少なくともその表面の
一部分が導電性であるプローブを用い、前記記録層表面
と前記プローブとの間に物理作用を加えることにより記
録を行う記録方法において、前記プローブと前記導電性
基板とを常に同電位に保ちながら記録を行うことを特徴
とする。そして、この記録方法においては、前記プロー
ブの導電性部分をプローブの記録層表面と接する部分に
より構成することができ、また、前記プローブを弾性体
で支持するようにしてもよい。また、本発明の別の記録
方法は、導電性基板に形成され、非導電性部分を含む記
録層と、前記記録層表面に対向して配置され、前記記録
層表面との位置が移動できる機構とを有し、かつ少なく
ともその表面の一部分が導電性である弾性体により支持
されたプローブを用い、前記記録層表面と前記プローブ
との間に物理作用を加えることにより記録を行う記録方
法において、前記弾性体の導電性部分と前記導電性基板
とを常に同電位に保ちながら記録を行うことを特徴とす
る。この場合、前記プローブの表面の少なくとも一部が
導電性を有し、前記プローブの表面の導電性部分をもあ
わせて同電位に保つ構成を採ることができる。そして、
本発明においては、前記同電位に保つ方法は、導電性部
材を用いて直接接続する構成を採るものでもよく、ま
た、きょう体に接地するものであってもよい。
【0011】つぎに、本発明の再生装置は、導電性基板
と該導電性基板上に形成され非導電性部分を含む記録層
と、前記記録層表面に対向して配置される少なくとも表
面の一部が導電性のプローブと、前記プローブと記録層
表面との位置を移動させる移動手段と、前記記録層表面
と前記プローブとの間に発生する物理作用を検出する物
理作用検出手段と、前記プローブと前記導電性基板とを
常に同電位に保つ同電位保持手段とを具備することを特
徴とする。そして、この再生装置においては、前記プロ
ーブの導電性部分をプローブの記録層表面と接する部分
により構成することができ、また、前記プローブを弾性
体で支持するようにしてもよい。また、本発明の別の再
生装置は、導電性基板と該導電性基板上に形成され非導
電性部分を含む記録層と、前記記録層表面に対向して配
置され弾性体に支持されたプローブと、前記プローブと
記録層表面との位置を移動させる移動手段と、前記記録
層表面と前記プローブとの間に発生する物理作用を検出
する物理作用検出手段とを具備し、前記弾性体表面の少
なくとも一部が導電性を有し、前記導電性基板と前記弾
性体の導電性部分を常に同電位に保つ同電位保持手段を
備えたことを特徴とする。この場合、前記プローブの表
面の少なくとも一部が導電性を有し、前記同電位保持手
段が、前記プローブの表面の導電性部分をもあわせて同
電位に保つ構成を採ることができる。そして、本発明に
おいては、前記同電位保持手段は、導電性部材を用いて
直接接続する構成を採るものでもよく、また、きょう体
に接地するものであってもよい。
【0012】さらに、本発明の再生方法は、導電性基板
に形成され、非導電性部分を含む記録層と、前記記録層
表面に対向して配置され、前記記録層表面との位置が移
動できる機構とを有し、かつその少なくともその表面の
一部分が導電性であるプローブを用い、前記記録層表面
と前記プローブとの間に発生する物理作用を検出するこ
とにより再生を行う再生方法において、前記プローブと
前記導電性基板とを常に同電位に保ちながら再生を行う
ことを特徴とする。そして、この再生方法においては、
前記プローブの導電性部分をプローブの記録層表面と接
する部分により構成することができ、また、前記プロー
ブを弾性体で支持するようにしてもよい。また、本発明
の別の再生方法は、導電性基板に形成され、非導電性部
分を含む記録層と、前記記録層表面に対向して配置さ
れ、前記記録層表面との位置が移動できる機構とを有
し、かつ少なくともその表面の一部分が導電性である弾
性体により支持されたプローブを用い、前記記録層表面
と前記プローブとの間に発生する物理作用を検出するこ
とにより再生を行う再生方法において、前記弾性体の導
電性部分と前記導電性基板とを常に同電位に保ちながら
再生を行うことを特徴とする。この場合、前記プローブ
の表面の少なくとも一部が導電性を有し、前記プローブ
の表面の導電性部分をもあわせて同電位に保つ構成を採
ることができる。そして、本発明においては、前記同電
位に保つ方法は、導電性部材を用いて直接接続する構成
を採るものでもよく、また、きょう体に接地するもので
あってもよい。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明は、上記した構成を備えて
おり、これにより上記目的を達成するものであるが、つ
ぎに、さらにその内容を具体的に説明する。本発明の表
面観察装置は、上記したとおり試料を固定する試料ホル
ダと試料表面に対向して配置され、表面の少なくとも一
部分が導電性であるプローブと、前記プローブと記録層
表面との位置を移動させる移動手段と前記試料表面と前
記プローブとの間に発生する相互作用を検出する相互作
用検出手段と前記試料ホルダの一部又は前記試料の一部
のいずれかもしくは両者が導電性を有しかつ該導電性部
分と前記プローブの導電性部分とを常に同電位に保つ同
電位保持手段とを具備している。ここで、試料ホルダは
観察しようとする試料を固定するものである。プローブ
は試料表面と接して、または試料表面に接近して、試料
表面と平行(以下XY方向という)に2次元的に走査す
るものであり、この走査をおこなうのが移動手段であ
る。また、移動手段はプローブと試料の相対的な位置を
XY方向に移動するのみならず、試料表面と垂直な方向
(以下Z方向という)の位置も移動させる。プローブと
試料との間に発生する相互作用は相互作用検出手段によ
り検出される。相互作用としては力、電流、電圧、磁
気、光等が挙げられる。プローブを試料と平行にXY方
向に走査を行うと、この相互作用の大きさが変化する
が、この相互作用の大きさをマッピングしてもよいが、
一般的には相互作用の大きさが一定になるようにプロー
ブのZ方向の位置に対してフィードバック制御を行い、
その信号から試料の情報を得る。本発明による観察装置
ではプローブの表面の少なくとも一部は導電性材料で形
成されている。また、本発明においては試料又は試料ホ
ルダの一部分が導電性を有している。試料の一部が導電
性を有しているとは、例えば試料の構成が導電性材料の
上に薄膜が堆積している場合が挙げられる。試料の一部
を導電性とする場合は試料表面とこの導電性部分が近い
方がより効果が大きい。また、試料ホルダの一部が導電
性を有しているとは例えは試料ホルダが金属でできてい
たり、表面の試料側が金属でコートされている場合等が
ある。同電位保持手段は、このプローブの導電性部分が
試料ホルダの導電性部分又は試料の導電性部分もしくは
その両者が同じ電位になるように動作する。これによ
り、プローブ、試料の周辺に不必要な電界の発生が抑制
され、また、試料とプローブの電位差により不必要な電
荷が発生することが抑制できる。このプローブ表面の導
電性部分が大きいほどその効果は大きい。また、プロー
ブが試料と接する場合、プローブの導電性部分に試料が
接する部分が含まれているとその効果は一段と大きくな
る。また、プローブが弾性体に支持されている場合プロ
ーブ先端に働く電気力はプローブの動きに大きな影響を
与えるのでその本発明による効果がより著しく発揮され
る。また、同電位保持手段は例えば電気回路をとおして
常に同じ電位に保つものでもよいが、単に両者を導体で
接続すると、急激な変動にも追従でき、また機構も簡単
である。また、きょう体に接続することにより、装置内
の電位の分布を少なくすることができより大きな効果を
あげることができる。
【0014】また、本発明においては、上記した表面観
察装置とは別の形態として、プローブを支持する弾性体
に導電体を含む構成を採る表面観察装置を構成すること
ができる。この形態の発明は、試料を固定する試料ホル
ダと試料表面に対向して配置され弾性体に支持されたプ
ローブと、前記プローブと記録層表面との位置を移動さ
せる移動手段と前記記録媒体と前記プローブとの間に発
生する相互作用を検出する相互作用検出手段とを具備し
前記弾性体表面の少なくとも一部が導電性を有し、前記
試料ホルダの一部又は前記試料の一部のいずれかもしく
は両者が導電性を有しかつ該導電性部分と前記弾性体の
導電性部分とを常に同電位に保つ同電位保持手段とを具
備している。この形態の発明における、試料、試料ホル
ダ、移動手段、相互作用検出手段は、先に述べた表面観
察装置と同様であるが、この形態の表面観察装置はプロ
ーブが弾性体に支持されている場合であり、その弾性体
自身も静電気力の影響を受ける。したがって、この弾性
体自身を試料と同電位にすることが望ましい。このため
弾性体表面を導電性材料にして、試料となるべく同電位
にするために、この導電性材料の部分を試料と試料ホル
ダの導電性部分のいずれかまたは両方と同電位にする。
この場合、プローブもあわせて同電位にすることにより
効果が増大する。また、同電位保持手段は例えば電気回
路をとおして常に同じ電位に保つものでもよいが、単に
両者を導体で接続すると、急激な変動にも追従でき、ま
た機構も簡単である。また、きょう体に接続することに
より、装置内の電位の分布を少なくすることができより
大きな効果をあげることができる。
【0015】また、本発明の表面観察方法は、試料表面
に対向して配置され、かつ弾性体に支持されたプローブ
を用い、前記プローブと前記試料表面との位置を移動さ
せ、前記試料表面と前記プローブとの間に発生する相互
作用を検出することにより試料表面を観察する表面観察
方法において、前記弾性体の表面の少なくとも一部が導
電性を有し、前記試料ホルダの一部又は前記試料の一部
もしくはその両者が導電性を有しかつ該導電性部分と前
記弾性体の導電性部分とを等電位に保ちながら観察する
ことによって実現されるものであるが、その実行につい
ては上記した本発明の観察装置を用いることに限られる
ものではない。また、本発明の表面観察方法の他のもの
は、導電性基板に形成され、非導電性部分を含む記録層
と、前記記録層表面に対向して配置され、前記記録層表
面との位置が移動できる機構とを有し、かつ少なくとも
その表面の一部分が導電性である弾性体により支持され
たプローブを用い、前記記録層表面と前記プローブとの
間に物理作用を加えることにより記録を行うことにより
達成されるが、この表面観察方法の実行については本発
明の表面観察装置を用いることに限られるものではな
い。また、この場合、プローブもあわせて同電位にする
ことにより効果が増大する。
【0016】また、本発明の記録装置は、導電性基板
と、前記導電性基板上に形成され、非導電性部分を含む
記録層と、前記記録層表面に対向して配置される少なく
とも表面の一部が導電性のプローブと、前記プローブと
記録層表面との位置を移動させる移動手段と前記記録層
表面と前記プローブとの間に物理作用を加える物理作用
印加手段と、前記プローブと前記導電性基板とを常に同
電位に保つ同電位保持手段とを具備する。ここで、導電
性基板とは、記録層の下部にあり記録層を支えるもので
あり、なるべく平坦であるものが望ましい。基板上には
記録が実行される記録層が配置されている。プローブに
よる記録は例えばこの記録層にプローブにより力を加え
て穴を開けることにより行う方法などがある。導電性基
板は、膜基板全体が導電性である必要はなく、記録層と
接する部分、あるいはその近傍に導電性部分が形成され
ていればよく、記録層への電荷の蓄積を防止する。プロ
ーブと記録層表面との位置を移動させる移動手段はプロ
ーブと記録層表面の相対的な位置を、記録層表面に平行
な方向(以下XY方向という)、記録層表面に垂直な方
向(以下Z方向という)の3次元方向に制御するもので
記録を実行する位置にプローブ先端を移動する。前記記
録媒体と前記プローブとの間に物理作用を加える物理作
用印加手段は例えば光を発生させる手段、磁場を発生す
る手段などがある。プローブと導電性基板とを常に同電
位に保つ同電位保持手段とは、プローブ先端の導電性部
分と導電性の基板の電位差を0にする装置で、電気回路
を用いて両者を等しくなるように制御してもよいが両者
を導体で直接接続するのが簡便であり、かつ応答時間に
遅れがない。また両者をきょう体に接地すると、装置内
の電界分布がより少なくなり、効果が大きくなる。また
前記プローブが弾性体に支持されている場合、静電気力
によりプローブに働く力によりプローブが不必要に変動
するなど影響がでるため、記録に与える影響がより強く
なるため、本発明による効果がより大きくなる。本発明
による記録の実行は以下の手順で行われる。まず、XY
方向及びZ方向にプローブを移動し、記録層表面の記録
をおこなおうとする位置にプローブを接触または接近さ
せる。次に物理作用印加手段により物理作用を加えるこ
とにより、記録bitを形成する。この物理作用とは
力、光、磁気等が挙げられる。本発明においてはプロー
ブは導電性物質で形成されており、また、導電性基板と
同じ電位に保たれている。そのため、記録のためにプロ
ーブの位置を移動させている間や、記録の実行中におい
ても、記録層に電荷が注入されることがない。従って、
記録を安定に行うことができるようになる。また、この
ような記録を行った場合、記録層には電荷がないので、
記録bitに不必要な電界が加わることもなく、また再
生時に記録層から不必要な電界が生じないので再生が安
定に行うことができる。
【0017】また、本発明においては、上記した記録装
置とは別の形態として、プローブを支持する弾性体に導
電体を含むようにして記録装置を構成することができ
る。この形態の発明は、導電性基板と、前記導電性基板
上に形成され、非導電性部分を含む記録層と、前記記録
層表面に対向して配置され弾性体に支持されたプローブ
と、前記プローブと記録層表面との位置を移動させる移
動手段と、前記記録層表面と前記プローブとの間に物理
作用を加える物理作用印加手段とを具備し、前記弾性体
表面の少なくも一部が導電性を有し、前記導電性基板と
前記弾性体の導電性部分を常に同電位に保つ同電位保持
手段とを具備する。この形態の発明における基板、記録
層、物理作用印加手段は上記した記録装置のものと同様
であるが、プローブは必ずしも一部が導電性を有してい
なければならないことはない。この形態の記録装置はプ
ローブが弾性体に支持されている場合であり、その弾性
体自身も静電気力の影響を受ける。したがって、この弾
性体自身を試料と同電位にすることが望ましい。このた
め弾性体表面を導電性材料にして、記録層となるべく同
電位にするためにこの導電性材料の部分を基板と同電位
にする。これにより、不必要な電界や電荷が発生するこ
とが抑制される。なお、本記録装置の動作は上記した記
録装置と同様である。なお、本記録装置の場合、プロー
ブもあわせて同電位にすることにより効果が増大する。
【0018】また、本発明の記録方法の一つのものは、
導電性基板に形成され、非導電性部分を含む記録層と、
前記記録層表面に対向して配置され、前記記録層表面と
の位置が移動できる機構を有し、かつその少なくともそ
の表面の一部分が導電性であるプローブを用い、前記記
録層表面と前記プローブとの間に物理作用を加えること
により記録を行う記録方法において、前記プローブと前
記導電性基板とを常に同電位に保ちながら記録を行うこ
とにより実現されるものであるが、その記録方法の実行
については本発明の観察装置を用いることに限られるも
のではない。本記録方法においてもプローブと導電性基
板との電位が同じになり、不必要な電界が発生したり、
電荷が発生したりすることが抑制される。
【0019】また、本発明の記録方法の他のものは、導
電性基板に形成され、非導電性部分を含む記録層と、前
記記録層表面に対向して配置され、前記記録層表面との
位置が移動できる機構を有し、かつ少なくともその表面
の一部分が導電性である弾性体により支持されたプロー
ブを用い、前記記録層表面と前記プローブとの間に物理
作用を加えることにより記録を行う記録方法において、
前記弾性体の導電性部分と前記導電性基板とを常に同電
位に保ちながら記録を行うことより実現されるものであ
るが、その記録方法の実行については本発明の記録装置
を用いることに限られるものではない。また、この場
合、プローブもあわせて同電位にすることにより効果が
増大する。また、本発明の再生装置は、導電性基板と、
前記導電性基板上に形成され、非導電性部分を含む記録
層と、前記記録層表面に対向して配置される少なくとも
表面の一部が導電性のプローブと、前記プローブと記録
層表面との位置を移動させる移動手段と、前記記録層表
面と前記プローブとの間に発生する物理作用を検出する
物理作用検出手段と前記プローブと前記導電性基板とを
常に同電位に保つ同電位保持手段とを具備する。この再
生装置は、上記した記録装置と以下の点で異なる。本再
生装置においては物理作用印加手段が必要ではない。ま
た本再生装置には物理作用検出手段を有している。ま
た、プローブは物理作用を記録層に施す必要はないが、
プローブと記録層の間に発生する物理相互作用を検出す
るものである。その相互作用としては接触による力、磁
気力、静電力、光等が挙げられる。本発明においても上
記した記録装置と同様にプローブの導電性部分と導電性
基板とが同電位であるため、不必要な電界や電荷が抑制
される。したがって安定に再生を行うことが可能であ
る。
【0020】本発明による再生の実行は以下の手順で行
われる。まず、XY方向及びZ方向にプローブを移動
し、記録層表面の再生をおこなおうとする位置にプロー
ブを接触または接近させる。次に相互作用検出手段によ
り検出されたプローブと記録媒体間での相互作用により
記録bitを検出する。この物理作用とは力、光、磁気
等が挙げられる。本発明においてはプローブの先端付近
は導電性物質で形成されており、また、導電性基板と同
じ電位に保たれている。そのため、再生のためにプロー
ブの位置を移動させている間や、再生の実行中において
も、記録層に電荷が注入されることがない。従って、再
生を安定に行うことができるようになる。
【0021】また、本発明においては、上記した再生装
置とは別の形態の再生装置として、プローブを支持する
弾性体に導電体を含む構成を採る再生装置を構成するこ
とができる。この形態の発明は、導電性基板と、前記導
電性基板上に形成され、非導電性部分を含む記録層と、
前記記録層表面に対向して配置され弾性体に支持された
プローブと、前記プローブと記録層表面との位置を移動
させる移動手段と、前記記録層表面と前記プローブとの
間に発生する物理作用を検出する物理作用検出手段とを
具備し、前記弾性体表面の少なくとも一部が導電性を有
し、前記導電性基板と前記弾性体の導電性部分を常に同
電位に保つ同電位保持手段とを具備する。この形態の発
明においては、基板、記録層、物理作用印加手段は上記
した再生装置のものと同様であるが、プローブは必ずし
も一部が導電性を有していなければならないことはな
い。この形態の再生装置はプローブが弾性体に支持され
ている場合であり、その弾性体自身も静電気力の影響を
受ける。したがって、この弾性体自身を試料と同電位に
することが望ましい。このため弾性体表面を導電性材料
にして、記録層となるべく同電位にするために、この導
電性材料の部分を基板と同電位にする。これにより、不
必要な電界や電荷が発生することが抑制される。なお、
この形態の再生装置の動作は上記した再生装置と同様で
ある。なお、本記録装置の場合、プローブもあわせて同
電位にすることにより効果が増大する。
【0022】また、本発明の再生方法の一つのものは、
導電性基板に形成され、非導電性部分を含む記録層と、
前記記録層表面に対向して配置され、前記記録層表面と
の位置が移動できる機構を有し、かつその少なくともそ
の表面の一部分が導電性であるプローブを用い、前記記
録層表面と前記プローブとの間に発生する物理作用を検
出することにより再生を行う再生方法において、前記プ
ローブと前記導電性基板とを常に同電位に保ちながら再
生を行うことにより達成されるが、その再生方法の実行
については本発明の再生装置を用いることに限られるも
のではない。本再生方法においてもプローブと導電性基
板との電位が同じになり、不必要な電界が発生したり、
電荷が発生したりすることが抑制され、安定した再生が
実行できる。また、本発明の再生方法の他のものは、導
電性基板に形成され、非導電性部分を含む記録層と、前
記記録層表面に対向して配置され、前記記録層表面との
位置が移動できる機構を有し、かつその少なくともその
表面の一部分が導電性である弾性体により支持されたプ
ローブを用い、前記記録層表面と前記プローブとの間に
発生する物理作用を検出することにより再生を行う再生
方法において、前記弾性体の導電性部分と前記導電性基
板とを常に同電位に保ちながら再生を行うことにより達
成されるが、この再生方法の実行については本発明の再
生装置を用いることに限られるものではない。また、こ
の場合、プローブもあわせて同電位にすることにより効
果が増大する。
【0023】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。 [実施例1]本発明の実施例1を図1に示す構成図を用
いて説明する。本実施例に示す表面観察装置はAFMに
基づく装置で、試料表面の形状を観察する装置である。
観察試料102は本実施例に示す表面観察装置により観
察する試料である。本実施例においてカンチレバー10
3は通常のAFMで用いるカンチレバーでありその先端
にはプローブ104が固定されている。プローブ104
は窒化シリコン製で表面にPt薄膜114が形成されて
おり、このPt薄膜114からはカンチレバー103の
内部に配したAlの配線によりきょう体に接続されてい
る。先端は観察試料102に接触する。試料ホルダ10
1は観察試料102を保持する機構であり真鍮で形成さ
れている。また試料102と試料ホルダ101とは導電
性の接着剤で固定されている。この試料ホルダは電気的
にきょう体と接続されている。
【0024】記録駆動機構105は試料ホルダ101を
図示X−Y及びZ方向に移動することにより、プローブ
104と観察試料102の位置を移動する。Z方向位置
制御回路106は試料駆動機構105のZ方向の動きを
制御し、X−Y方向位置制御回路107は試料駆動機構
105のX−Y方向の動きを制御する。レーザ108は
レーザ光をカンチレバー103の観察試料102と反対
側の面を照射しており、ここで反射された光は2分割セ
ンサ110に入射しこの2分割センサ110の出力によ
りたわみ量検出装置111がカンチレバー103のたわ
みを検出する。この検出方法は通常光てこ方式と呼ばれ
ている方法である。このたわみ量はプローブ104の先
端についているPt薄膜114が観察試料102から受
ける力をあらわしている。たわみ量検出装置111は検
出されたたわみ量をマイクロコンピュータ113、及び
サーボ回路112に送る。マイクロコンピュータ113
はサーボ回路112にプローブ104のZ方向の位置に
関する制御信号をカンチレバーのたわみ量として、また
X−Y方向位置制御回路107にX−Y方向の位置の制
御信号を送る。サーボ回路112はマイクロコンピュー
タ113から指示されたたわみ量とたわみ量検出装置1
11から送られてくるたわみ量とが同じになるようにZ
方向位置制御回路に制御信号を送る。この制御信号の情
報はマイクロコンピュータ113にも送られる。本実施
例に示す観察装置を用いて観察を行おうとする時は以下
のとおりに行う。まず、マイクロコンピュータ113の
指示によりX−Y方向位置制御回路107が信号を出
し、プローブ104の先端が観察試料102の観察した
い位置に来るように試料駆動機構105をX−Y方向に
移動させる。
【0025】つぎにマイクロコンピュータ113の指示
によりZ方向位置制御回路106が信号を出し、プロー
ブ104の先端が観察試料102に接触するように試料
駆動機構105をZ方向に移動させる。つぎにマイクロ
コンピュータ113はプローブ104と観察試料102
に働く力を決め、その値をサーボ回路112に送る。こ
のサーボ回路112が動作するもとでマイクロコンピュ
ータ113の指令によりX−Y方向位置制御回路が動作
し、試料駆動機構105がX−Y方向に試料ホルダ10
1を走査させることにより、プローブ104の先端が観
察試料102表面上をX−Y方向に走査する。この時プ
ローブ104と観察試料102との間に働く力はサーボ
回路112の動作のために一定になっている。サーボ回
路112がZ方向位置制御回路106に送った制御信号
に関する情報は、マイクロコンピュータ113に送られ
ており、観察試料表面102の形状はこの信号から得る
ことができる。これは従来のAFMの動作と同様なもの
である。
【0026】本表面観察装置においてはプローブ104
がPtでコートされており、この電位が試料ホルダ10
1と同じことから、観察試料102とPt薄膜114の
電位がほぼ等しくなっている。従って、不必要な電界が
観察点付近で発生せず、より正確な測定が行える。ま
た、本実施例ではプローブと観察試料の接触点も同じ電
位であるので、より効果が大きい。従来の観察装置で
は、測定毎に像が異なったりしたが、本観察装置によ
り、測定毎のばら付きが減少し、従来より安定した測定
が可能になった。
【0027】[実施例2]つぎに図2に基づいて本発明
の実施例2について説明する。実施例2において、カン
チレバー201は内部の配線は特に設けておらず、プロ
ーブ104先端のPtコートがカンチレバー201表面
まで被われており、これがきょう体に接地されている
(図示Pt薄膜201)という点が実施例1と異なる。
本実施例による表面観察方法は実施例1と同様である。
本実施例においては弾性体であるカンチレバーと観察試
料との電位がほぼ等しくなり、不必要な電界が抑制され
ており、プローブの動きが安定になり、従来より正確な
測定が可能となった。しかも本実施例においてはプロー
ブ先端も同じ電位になっておりより効果が顕著であっ
た。
【0028】[実施例3]つぎに図3に基づいて本発明
の実施例3について説明する。図3は記録媒体に穴を開
けることにより記録を実行する記録装置である。本装置
の構成は実施例1に示す表面観察装置と同様であるが、
以下(1)および(2)の点で異なる。 (1)記録媒体301を備えている。 記録媒体301は、シリコン基板302上にAu薄膜3
03が形成されており、その上部に約1nmのPMMA
薄膜304が形成されている。Au薄膜303はきょう
体に接地されている。 (2)試料ホルダ101がなく、かわりに記録媒体ステ
ージ305をかね備えている。 記録媒体ステージ305は記録媒体301を支持するも
のである。また、記録媒体駆動機構306は記録媒体ス
テージ305をX−Y方向、Z方向に移動するものであ
るが、試料駆動機構105と同様のものである。本実施
例においても実施例1と同様にプローブ104は窒化シ
リコン製で表面にPt薄膜114が形成されており、こ
のPt薄膜114からはカンチレバー103の内部に配
したAlの配線によりきょう体に接続されている。また
本実施例で用いたプローブによる本実施例のPMMA薄
膜101の破壊荷重はおよそ5×10-8Nであった。
【0029】記録を行おうとするときは、まずマイクロ
コンピュータ113がX−Y方向位置制御回路107に
X−Y方向の位置に関する信号を送り、X−Y方向位置
制御回路107からの制御信号により記録媒体駆動機構
105がX−Y方向に移動し、プローブ105先端を記
録媒体301表面の記録を行いたいX−Y方向の位置へ
移動する。また、マイクロコンピュータ113はプロー
ブ先端のZ方向の位置を決め、それに対応するカンチレ
バー103のたわみを算出する。この設定たわみ値をサ
ーボ回路112に送り、サーボ回路112はこの設定値
とたわみ量検出装置111からの出力値が同じになるよ
うに制御を行う信号をZ方向位置制御回路106に信号
を送る。Z方向位置制御回路106はサーボ回路112
からの信号に従い記録媒体駆動機構306を制御し、記
録媒体駆動機構306はその信号にしたがってプローブ
104と記録媒体301とのZ方向の位置を調節する。
一般的には、記録を行うときプローブ104の先端と記
録媒体301の表面がちょうど接触する程度の位置にな
るようにする。その後、マイクロコンピュータ113が
記録すべき情報により、記録bitを形成する場合、サ
ーボ回路112に記録媒体100に対してプローブ10
5が、その破壊荷重である5×10-8Nより大きい1×
10-7Nの力が加わるように、設定値を送る。サーボ回
路はその力の設定値になるように制御信号をZ方向位置
制御回路106に送り、Z方向位置制御回路106がそ
の信号に基づき記録媒体駆動機構306を駆動し、プロ
ーブ104と記録媒体301を近づける方向に移動す
る。この動作によりカンチレバー103がたわみ、その
力によってプローブが記録媒体301を押しつけ、プロ
ーブ104が記録媒体301表面に機械的に穴を形成す
る。本情報処理装置においては、”0”の情報に相当す
るbitは力を加えずに穴を開けない状態とする。”
1”の情報に相当するbitはPMMA薄膜304に穴
が形成された状態とする。
【0030】本実施例に示した記録装置ではPMMA薄
膜304薄膜の下部にはAu薄膜303がある。一方、
プローブ104の表面にはPt薄膜114があり、PM
MA薄膜304にはこのPt薄膜114が接触している
ことになる。Pt薄膜114とAu薄膜303とが外部
で共に接地されて同電位になっており、またPMMA薄
膜304の膜厚が1nmと十分に薄いことから、PMM
A薄膜304が帯電することがない。すなわち、記録媒
体中に電荷が存在することが抑制されるために、プロー
ブ105が変則的な運動をすることがなく、記録が安定
に実行される。また、不必要な電界が形成されることが
なく、従来より安定に記録が実行される。本実施例で
は、従来の記録装置に比較して、bit抜けが少ない記
録を行うことができるようになった。また、プローブの
動きが安定したために、bitの形成される位置のずれ
が発生することが従来の記録装置より少なかった。
【0031】また、本実施例に示した記録装置を用い
て、記録した情報の再生も可能である。そのためにはマ
イクロコンピュータ113がプローブ105と記録媒体
100が接触するようにサーボ回路112に設定値を送
り、サーボ回路112はたわみ量検出装置の出力がその
設定値になるようにZ方向位置制御回路106に信号を
送り、Z方向位置制御回路はその信号に基づき、記録媒
体駆動機構306を駆動する。サーボ回路112はその
制御信号を同時にマイクロコンピュータ113に送る。
この一連のフィードバックが実施された状態でマイクロ
コンピュータ113の指示によりX−Y方向位置制御回
路107が動作して記録媒体駆動機構306が動き、プ
ローブ104の先端が記録媒体301上に接した状態で
走査される。このときのマイクロコンピュータ113は
X−Y方向の位置と、サーボ回路112の出力から記録
媒体301の表面形状を得ることができ、穴が形成され
ているかすなわち、記録情報の書き込みが行われている
か、の情報を得ることにより、記録された情報を得るこ
とができる。本実施例に示す再生装置においても、PM
MA薄膜103が帯電することがない。すなわち、記録
媒体中に電荷が存在することが抑制され、また不必要な
電界の形成が抑制されるため、プローブ105が変則的
な運動をすることがなく、bit読み出しの抜けの発生
が抑制され、再生が安定に実行された。
【0032】[実施例4]つぎに図4に基づいて本発明
の実施例4について説明する。実施例4は、カンチレバ
ー201は内部の配線は特に設けておらず、プローブ1
04先端のPtコートがカンチレバー201表面まで被
われており、これがきょう体に接地されている(図示P
t薄膜201)という点が実施例3と異なる。本実施例
による記録方法は実施例1と同様である。本実施例にお
いては弾性体であるカンチレバーと観察試料との電位が
ほぼ等しくなり、不必要な電界が抑制されており、プロ
ーブの動きが安定になり、従来よりbitの抜けが少な
く、また記録の行なわれる位置の本来の位置からのずれ
も抑制され、より安定な記録が可能となった。しかも本
実施例においてはプローブ先端も同じ電位になっており
より効果が顕著であった。本装置においても再生を実行
することが可能で、その方法は実施例3で示した方法と
同様である。この場合も不必要な電界の形成が抑制さ
れ、安定に再生が実行できた。さらにプローブ先端も同
じ電位になっており、より安定に記録が実行され、効果
が顕著であった。
【0033】
【発明の効果】本発明は、以上の構成により、試料の観
察点付近の不必要な電界の発生、電荷の発生を抑制する
ことが可能となり、より正確な観察装置、観察方法を提
供することができ、また、記録媒体付近の不必要な電界
の発生、電荷の発生を抑制することが可能となり、より
エラーの少ない記録装置、再生装置、記録方法、再生方
法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1における観察装置を示す図で
ある。
【図2】本発明の実施例2における観察装置を示す図で
ある。
【図3】本発明の実施例3における記録、再生装置を示
す図である。
【図4】本発明の実施例4における記録、再生装置を示
す図である。
【符合の説明】
101:試料ホルダ 102:観察試料 103:カンチレバー 104:プローブ 105:試料駆動機構 106:Z方向位置制御回路 107:X−Y方向位置制御回路 108:レーザ 109:レーザ光用電源 110:2分割センサ 111:たわみ量検出装置 112:サーボ回路 113:マイクロコンピュータ 114:Pt薄膜 201:カンチレバー 202:Pt薄膜 301:記録媒体 302:シリコン基板 303:Au薄膜 304:PMMA薄膜 305:記録媒体ステージ 306:記録媒体駆動機構

Claims (42)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】試料ホルダに固定した試料の試料表面に対
    向して配置され、表面の少なくとも一部分が導電性であ
    るプローブと、 前記プローブと前記試料表面との位置を移動させる移動
    手段と、 前記試料表面と前記プローブとの間に発生する相互作用
    を検出する相互作用検出手段と、前記試料ホルダの一部
    又は前記試料の一部のいずれかもしくはその両者が導電
    性を有し、かつ該導電性部分と前記プローブの導電性部
    分とを常に同電位に保つ同電位保持手段と、 を具備することを特徴とする表面観察装置。
  2. 【請求項2】前記プローブの導電性部分が、プローブの
    試料と接する部分であることを特徴とする請求項1に記
    載の表面観察装置。
  3. 【請求項3】前記プローブが、弾性体に支持されている
    ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表面
    観察装置。
  4. 【請求項4】試料ホルダに固定した試料の試料表面に対
    向して配置され、弾性体に支持されたプローブと、 前記プローブと前記試料表面との位置を移動させる移動
    手段と、 前記記録媒体と前記プローブとの間に発生する相互作用
    を検出する相互作用検出手段とを具備し、 前記弾性体表面の少なくとも一部が導電性を有すると共
    に、前記試料ホルダの一部又は前記試料の一部のいずれ
    かもしくは両者が導電性を有し、かつ該導電性部分と前
    記弾性体の導電性部分とを常に同電位に保つ同電位保持
    手段を備えたことを特徴とする表面観察装置。
  5. 【請求項5】前記プローブの表面の少なくとも一部が導
    電性を有し、前記同電位保持手段が、前記プローブの表
    面の導電性部分をもあわせて同電位に保つことを特徴と
    した請求項4に記載の表面観察装置。
  6. 【請求項6】前記同電位保持手段が、導電性部材を用い
    て直接接続するものであることを特徴とする請求項1〜
    請求項5のいずれか1項に記載の表面観察装置。
  7. 【請求項7】前記同電位保持手段が、きょう体に接地す
    るものであることを特徴とする請求項1〜請求項5のい
    ずれか1項に記載の表面観察装置。
  8. 【請求項8】試料ホルダに固定した試料の試料表面に対
    向して配置されたプローブを用い、前記プローブと前記
    試料表面との位置を移動させ、前記試料表面と前記プロ
    ーブとの間に発生する相互作用を検出することにより試
    料表面を観察する表面観察方法において、 前記プローブの表面の少なくとも一部が導電性を有する
    と共に、前記試料ホルダの一部又は前記試料の一部のい
    ずれかもしくはその両者が導電性を有し、かつ該導電性
    部分と前記プローブの導電性部分を同電位に保ちながら
    観察することを特徴とする表面観察方法。
  9. 【請求項9】前記プローブの導電性部分が、プローブの
    試料と接する部分であることを特徴とする請求項8に記
    載の表面観察方法。
  10. 【請求項10】前記プローブが、弾性体に支持されてい
    ることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の表
    面観察方法。
  11. 【請求項11】試料ホルダに支持された試料の試料表面
    に対向して配置され、かつ弾性体に支持されたプローブ
    を用い、前記プローブと前記試料表面との位置を移動さ
    せ、前記試料表面と前記プローブとの間に発生する相互
    作用を検出することにより試料表面を観察する表面観察
    方法において、 前記弾性体の表面の少なくとも一部が導電性を有し、前
    記試料ホルダの一部分又は前記試料の一部分もしくはそ
    の両者と前記弾性体の導電性部分とを同電位に保ちなが
    ら観察することを特徴とする表面観察方法。
  12. 【請求項12】前記プローブの表面の少なくとも一部が
    導電性を有し、前記プローブの表面の導電性部分をもあ
    わせて同電位に保つことを特徴とした請求項11に記載
    の表面観察方法。
  13. 【請求項13】前記同電位に保つ方法が、導電性部材を
    用いて直接接続するものであることを特徴とする請求項
    8〜請求項12のいずれか1項に記載の表面観察方法。
  14. 【請求項14】前記同電位に保つ方法が、きょう体に接
    地するものであることを特徴とする請求項8〜請求項1
    2のいずれか1項に記載の表面観察方法。
  15. 【請求項15】導電性基板と該導電性基板上に形成され
    非導電性部分を含む記録層と、 前記記録層表面に対向して配置される少なくとも表面の
    一部が導電性のプローブと、 前記プローブと記録層表面との位置を移動させる移動手
    段と、 前記記録層表面と前記プローブとの間に物理作用を加え
    る物理作用印加手段と、前記プローブと前記導電性基板
    とを常に同電位に保つ同電位保持手段と、 を具備することを特徴とする記録装置。
  16. 【請求項16】前記プローブの導電性部分が、プローブ
    の記録層表面と接する部分であることを特徴とする請求
    項15に記載の記録装置。
  17. 【請求項17】前記プローブが、弾性体に支持されてい
    ることを特徴とする請求項15または請求項16に記載
    の記録装置。
  18. 【請求項18】導電性基板と該導電性基板上に形成され
    非導電性部分を含む記録層と、 前記記録層表面に対向して配置され弾性体に支持された
    プローブと、 前記プローブと記録層表面との位置を移動させる移動手
    段と、 前記記録層表面と前記プローブとの間に物理作用を加え
    る物理作用印加手段とを具備し、 前記弾性体表面の少なくとも一部が導電性を有し、前記
    導電性基板と前記弾性体の導電性部分を常に同電位に保
    つ同電位保持手段を備えたことを特徴とする記録装置。
  19. 【請求項19】前記プローブの表面の少なくとも一部が
    導電性を有し、前記同電位保持手段が、前記プローブの
    表面の導電性部分をもあわせて同電位に保つことを特徴
    とした請求項18に記載の記録装置。
  20. 【請求項20】前記同電位保持手段が、導電性部材を用
    いて直接接続するものであることを特徴とする請求項1
    5〜請求項19のいずれか1項に記載の記録装置。
  21. 【請求項21】前記同電位保持手段が、きょう体に接地
    するものであることを特徴とする請求項15〜請求項1
    9のいずれか1項に記載の記録装置。
  22. 【請求項22】導電性基板に形成され、非導電性部分を
    含む記録層と、前記記録層表面に対向して配置され、前
    記記録層表面との位置が移動できる機構とを有し、かつ
    その少なくともその表面の一部分が導電性であるプロー
    ブを用い、前記記録層表面と前記プローブとの間に物理
    作用を加えることにより記録を行う記録方法において、 前記プローブと前記導電性基板とを常に同電位に保ちな
    がら記録を行うことを特徴とする記録方法。
  23. 【請求項23】前記プローブの導電性部分が、プローブ
    の記録層表面と接する部分であることを特徴とする請求
    項22に記載の記録方法。
  24. 【請求項24】前記プローブが、弾性体に支持されてい
    ることを特徴とする請求項22または請求項23に記載
    の記録方法。
  25. 【請求項25】導電性基板に形成され、非導電性部分を
    含む記録層と、前記記録層表面に対向して配置され、前
    記記録層表面との位置が移動できる機構とを有し、かつ
    少なくともその表面の一部分が導電性である弾性体によ
    り支持されたプローブを用い、前記記録層表面と前記プ
    ローブとの間に物理作用を加えることにより記録を行う
    記録方法において、 前記弾性体の導電性部分と前記導電性基板とを常に同電
    位に保ちながら記録を行うことを特徴とする記録方法。
  26. 【請求項26】前記プローブの表面の少なくとも一部が
    導電性を有し、前記プローブの表面の導電性部分をもあ
    わせて同電位に保つことを特徴とした請求項25に記載
    の記録方法。
  27. 【請求項27】前記同電位に保つ方法が、導電性部材を
    用いて直接接続するものであることを特徴とする請求項
    22〜請求項26のいずれか1項に記載の記録方法。
  28. 【請求項28】前記同電位に保つ方法が、きょう体に接
    地するものであることを特徴とする請求項22〜請求項
    26のいずれか1項に記載の記録方法。
  29. 【請求項29】導電性基板と該導電性基板上に形成され
    非導電性部分を含む記録層と、 前記記録層表面に対向して配置される少なくとも表面の
    一部が導電性のプローブと、 前記プローブと記録層表面との位置を移動させる移動手
    段と、 前記記録層表面と前記プローブとの間に発生する物理作
    用を検出する物理作用検出手段と、 前記プローブと前記導電性基板とを常に同電位に保つ同
    電位保持手段と、を具備することを特徴とする再生装
    置。
  30. 【請求項30】前記プローブの導電性部分が、プローブ
    の記録層表面と接する部分であることを特徴とする請求
    項29に記載の再生装置。
  31. 【請求項31】前記プローブが、弾性体に支持されてい
    ることを特徴とする請求項29または請求項30に記載
    の再生装置。
  32. 【請求項32】導電性基板と該導電性基板上に形成され
    非導電性部分を含む記録層と、 前記記録層表面に対向して配置され弾性体に支持された
    プローブと、 前記プローブと記録層表面との位置を移動させる移動手
    段と、 前記記録層表面と前記プローブとの間に発生する物理作
    用を検出する物理作用検出手段とを具備し、 前記弾性体表面の少なくとも一部が導電性を有し、前記
    導電性基板と前記弾性体の導電性部分を常に同電位に保
    つ同電位保持手段を備えたことを特徴とする再生装置。
  33. 【請求項33】前記プローブの表面の少なくとも一部が
    導電性を有し、前記同電位保持手段が、前記プローブの
    表面の導電性部分をもあわせて同電位に保つことを特徴
    とした請求項32に記載の再生装置。
  34. 【請求項34】前記同電位保持手段が、導電性部材を用
    いて直接接続するものであることを特徴とする請求項2
    9〜請求項33のいずれか1項に記載の再生装置。
  35. 【請求項35】前記同電位保持手段が、きょう体に接地
    するものであることを特徴とする請求項29〜請求項3
    3のいずれか1項に記載の再生装置。
  36. 【請求項36】導電性基板に形成され、非導電性部分を
    含む記録層と、前記記録層表面に対向して配置され、前
    記記録層表面との位置が移動できる機構とを有し、かつ
    少なくともその表面の一部分が導電性であるプローブを
    用い、前記記録層表面と前記プローブとの間に発生する
    物理作用を検出することにより再生を行う再生方法にお
    いて、 前記プローブと前記導電性基板とを常に同電位に保ちな
    がら再生を行うことを特徴とする再生方法。
  37. 【請求項37】前記プローブの導電性部分が、プローブ
    の記録層表面と接する部分であることを特徴とする請求
    項36に記載の再生方法。
  38. 【請求項38】前記プローブが、弾性体に支持されてい
    ることを特徴とする請求項36または請求項37に記載
    の再生方法。
  39. 【請求項39】導電性基板に形成され、非導電性部分を
    含む記録層と、前記記録層表面に対向して配置され、前
    記記録層表面との位置が移動できる機構とを有し、かつ
    少なくともその表面の一部分が導電性である弾性体によ
    り支持されたプローブを用い、前記記録層表面と前記プ
    ローブとの間に発生する物理作用を検出することにより
    再生を行う再生方法において、 前記弾性体の導電性部分と前記導電性基板とを常に同電
    位に保ちながら再生を行うことを特徴とする再生方法。
  40. 【請求項40】前記プローブの表面の少なくとも一部が
    導電性を有し、前記プローブの表面の導電性部分をもあ
    わせて同電位に保つことを特徴とした請求項38に記載
    の再生方法。
  41. 【請求項41】前記同電位に保つ方法が、導電性部材を
    用いて直接接続するものであることを特徴とする請求項
    36〜請求項37のいずれか1項に記載の再生方法。
  42. 【請求項42】前記同電位に保つ方法が、きょう体に接
    地するものであることを特徴とする請求項36〜請求項
    37のいずれか1項に記載の再生方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008111735A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Sii Nanotechnology Inc 試料操作装置
JP2017075935A (ja) * 2015-09-01 2017-04-20 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 荷電試料面を検査する方法及びデバイス

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