JPH09167939A - High pass filter - Google Patents
High pass filterInfo
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- JPH09167939A JPH09167939A JP32746895A JP32746895A JPH09167939A JP H09167939 A JPH09167939 A JP H09167939A JP 32746895 A JP32746895 A JP 32746895A JP 32746895 A JP32746895 A JP 32746895A JP H09167939 A JPH09167939 A JP H09167939A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、オーディオ信号帯
で用いられ、外付け素子をIC内に内蔵化を可能とする
IC化に好適なハイパスフィルタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-pass filter which is used in an audio signal band and which is suitable for use as an IC in which an external element can be incorporated in the IC.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、HPF(ハイパスフィルター)回
路には、抵抗RとコンデンサーCとにより構成されるC
R型HPFや、抵抗Rの代わりにオペアンプを用いてH
PF特性を得るアクティブフィルタが知られている。こ
の様なCR型のHPF回路において、遮断周波数fc
は、fc=1/(2π・C・R)となる。また、アクテ
ィブフィルタの場合、オペアンプのコンダクタンスgm
を抵抗として用いているので、遮断周波数fc’は、f
c’=gm/(2π・C)となる。2. Description of the Related Art Conventionally, an HPF (high-pass filter) circuit has a C composed of a resistor R and a capacitor C.
R type HPF or op amp instead of resistor R
An active filter that obtains a PF characteristic is known. In such a CR type HPF circuit, the cutoff frequency fc
Is fc = 1 / (2π · C · R). Also, in the case of an active filter, the conductance gm of the operational amplifier
Is used as a resistor, the cutoff frequency fc ′ is f
c ′ = gm / (2π · C).
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、HPF
をオーディオ信号の周波数帯(20〜20KHz)で用
いると、抵抗RまたはコンデンサーCのいずれか一方が
IC化をすることができない値となり、抵抗R及びコン
デンサーCが外付け素子となっていた。その為、IC化
の際、ICの外付けピンが余計に増えるという問題があ
った。However, the HPF
Is used in the frequency band (20 to 20 KHz) of the audio signal, either the resistor R or the capacitor C has a value that cannot be integrated into an IC, and the resistor R and the capacitor C are external elements. Therefore, there is a problem in that the number of external pins of the IC is increased when the IC is formed.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明は上述の点に鑑み
成されたものであり、入力信号が印加される第1トラン
ジスタと、エミッタが第1抵抗を介して前記第1トラン
ジスタのエミッタと接続される第2トランジスタと、前
記第1及び第2トランジスタのコレクタ電流がそれぞれ
供給される第1及び第2可変負荷と、該第1及び第2可
変負荷の出力電圧が印加され、その出力端が第2抵抗に
接続された第1差動増幅回路と、ベースに該第1差動増
幅回路の出力信号が印加される第3トランジスタと、エ
ミッタが第3抵抗を介して前記第3トランジスタのエミ
ッタと接続される第4トランジスタと、コレクタ及びベ
ースが前記第4トランジスタのコレクタ及びベースと共
通接続される第5トランジスタと、エミッタが第4抵抗
を介して前記第5トランジスタのエミッタと接続される
第6トランジスタと、前記第3及び第6トランジスタの
コレクタ電流がそれぞれ供給される第3及び第4ダイオ
ードと、該第3及び第4ダイオードの出力電圧が印加さ
れ、出力信号が前記第6トランジスタのベースに印加さ
れる第2差動増幅回路と、前記第1及び第6トランジス
タのベース間に接続されたコンデンサーとを備え、前記
第2差動増幅回路の出力端にフィルター特性を得るよう
にしたことを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and includes a first transistor to which an input signal is applied and an emitter of the first transistor via a first resistor. A connected second transistor, first and second variable loads to which collector currents of the first and second transistors are supplied respectively, and output voltages of the first and second variable loads are applied, and output terminals thereof A first differential amplifier circuit connected to the second resistor, a third transistor to which the output signal of the first differential amplifier circuit is applied to the base, and an emitter of the third transistor via a third resistor. A fourth transistor connected to the emitter, a fifth transistor having a collector and a base commonly connected to a collector and a base of the fourth transistor, and an emitter connected to the fifth transistor via a fourth resistor. A sixth transistor connected to the emitter of the transistor, third and fourth diodes to which collector currents of the third and sixth transistors are respectively supplied, and output voltages of the third and fourth diode are applied to output A second differential amplifier circuit to which a signal is applied to the base of the sixth transistor; and a capacitor connected between the bases of the first and sixth transistors, and an output terminal of the second differential amplifier circuit. It is characterized in that the filter characteristics are obtained.
【0005】また、前記第1差動増幅器の動作電流を可
変にし、遮断周波数を変化させることを特徴とする。さ
らに、前記第2差動増幅回路の動作電流を可変にし、減
衰量を変化させることを特徴とする。Further, the operating current of the first differential amplifier is made variable to change the cutoff frequency. Further, the operating current of the second differential amplifier circuit is made variable and the amount of attenuation is changed.
【0006】[0006]
【発明の実施の形態】図1は本発明の実施の形態を示す
図であり、(1)は入力信号が印加される第1トランジ
スタ、(2)は第1トランジスタ(1)のエミッタに接
続された第1抵抗、(3)はエミッタが第1抵抗(2)
を介して第1トランジスタ(1)のエミッタに接続され
る第2トランジスタ、(4)及び(5)は第1及び第2
トランジスタ(1)及び(3)のコレクタ電流をそれぞ
れ電圧変換する第1及び第2ダイオード、(6)は第1
及び第2ダイオード(4)及び(5)の出力電圧がそれ
ぞれ印加されるトランジスタ(6a)及び(6b)から
成る第1差動増幅回路、(7)は第1差動増幅回路
(6)の出力端と基準電圧の印加される端子との間に接
続された第2抵抗、(8)はベースに第1差動増幅回路
(6)の出力信号が印加される第3トランジスタ、
(9)は第3トランジスタ(8)のエミッタに接続され
た第3抵抗、(10)はエミッタが第3抵抗(9)を介
して第3トランジスタ(8)のエミッタと接続される第
4トランジスタ、(11)はコレクタ及びベースが第4
トランジスタ(10)のコレクタ及びベースと共通接続
される第5トランジスタ、(12)は第5トランジスタ
(11)のエミッタに接続された第4抵抗、(13)は
エミッタが第4抵抗(12)を介して第5トランジスタ
(11)のエミッタに接続される第6トランジスタ、
(14)及び(15)は第3及び第6トランジスタ
(8)及び(13)のコレクタ電流をそれぞれ電圧変換
する第3及び第4ダイオード、(16)はベースに第3
及び第4ダイオード(14)及び(15)の出力電圧が
印加されるトランジスタ(16a)及び(16b)から
成る第2差動増幅回路、(17)は第1及び第6トラン
ジスタ(1)及び(13)のベース間に接続されたコン
デンサー、(18)は第2差動増幅回路(16)の出力
信号が印加されるバッファ回路である。1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, (1) is a first transistor to which an input signal is applied, and (2) is connected to an emitter of the first transistor (1). The first resistance is (3), and the emitter is the first resistance (2).
A second transistor (4) and (5) connected to the emitter of the first transistor (1) via
First and second diodes for converting the collector currents of the transistors (1) and (3), respectively, and (6) is the first diode.
And a first differential amplifier circuit comprising transistors (6a) and (6b) to which the output voltages of the second diodes (4) and (5) are respectively applied, and (7) is a first differential amplifier circuit (6). A second resistor connected between the output terminal and the terminal to which the reference voltage is applied; (8) a third transistor to which the output signal of the first differential amplifier circuit (6) is applied;
(9) is a third resistor connected to the emitter of the third transistor (8), and (10) is a fourth transistor whose emitter is connected to the emitter of the third transistor (8) through the third resistor (9). , (11) has the fourth collector and base
A fifth transistor commonly connected to the collector and base of the transistor (10), (12) a fourth resistor connected to the emitter of the fifth transistor (11), and (13) an emitter of the fourth resistor (12). A sixth transistor connected to the emitter of the fifth transistor (11) through
(14) and (15) are third and fourth diodes for converting the collector currents of the third and sixth transistors (8) and (13), respectively, and (16) is a third diode to the base.
And a second differential amplifier circuit comprising transistors (16a) and (16b) to which the output voltages of the fourth diodes (14) and (15) are applied, and (17) is the first and sixth transistors (1) and ( A capacitor connected between the bases of 13) and (18) is a buffer circuit to which the output signal of the second differential amplifier circuit (16) is applied.
【0007】図1において、入力信号は、トランジスタ
(1)のベースに印加され、差動接続される第1及び第
2トランジスタ(1)及び(3)のコレクタから入力信
号に応じたコレクタ電流が発生する。前記コレクタ電流
は第1及び第2ダイオード(4)及び(5)で電圧変換
され、第1及び第2ダイオード(4)及び(5)の出力
電圧は第1差動増幅回路(6)で差動増幅される。第1
差動増幅回路(6)の出力信号は第3トランジスタ
(8)のベースに印加されると共に、第2抵抗(7)を
介して第2トランジスタ(3)のベースにも印加され、
負帰還される。さらに、第3及び第4トランジスタ
(8)及び(10)が差動接続され、第5及び第6トラ
ンジスタ(11)及び(13)が差動接続されるので、
第1差動増幅回路(6)の出力信号に応じて第3及び第
6トランジスタ(8)及び(13)のコレクタ電流が発
生する。前記コレクタ電流は第3及び第4ダイオード
(14)及び(15)で電圧変換された後、第2差動増
幅回路(16)に印加される。第2差動増幅回路(1
6)の出力信号はコンデンサー(17)を介して第1ト
ランジスタ(1)のベースに印加されると共に、バッフ
ァ回路(18)を介して出力端子に発生する。In FIG. 1, an input signal is applied to the base of the transistor (1), and collector currents corresponding to the input signal are generated from the collectors of the first and second transistors (1) and (3) which are differentially connected. Occur. The collector current is voltage-converted by the first and second diodes (4) and (5), and the output voltages of the first and second diodes (4) and (5) are different by the first differential amplifier circuit (6). Dynamically amplified. First
The output signal of the differential amplifier circuit (6) is applied to the base of the third transistor (8) and also to the base of the second transistor (3) via the second resistor (7),
Negative feedback is given. Furthermore, since the third and fourth transistors (8) and (10) are differentially connected, and the fifth and sixth transistors (11) and (13) are differentially connected,
Collector currents of the third and sixth transistors (8) and (13) are generated according to the output signal of the first differential amplifier circuit (6). The collector current is voltage-converted by the third and fourth diodes (14) and (15) and then applied to the second differential amplifier circuit (16). Second differential amplifier circuit (1
The output signal of 6) is applied to the base of the first transistor (1) via the capacitor (17) and is generated at the output terminal via the buffer circuit (18).
【0008】次に、出力端子に得られるHPF特性を具
体的に説明する。入力信号の交流電圧をVinとし、第
1抵抗(2)の値をR1とすると、第1抵抗(2)に流
れる電流i1は、Next, the HPF characteristic obtained at the output terminal will be specifically described. When the AC voltage of the input signal is Vin and the value of the first resistor (2) is R1, the current i1 flowing through the first resistor (2) is
【0009】[0009]
【数1】 [Equation 1]
【0010】となる。また、第1及び第2ダイオード
(4)及び(5)の出力電圧の差V2は、第1及び第2
ダイオード(4)及び(5)のオン抵抗をre1とする
と、[0010] The difference V2 between the output voltages of the first and second diodes (4) and (5) is equal to the difference between the first and second diodes.
If the on resistance of the diodes (4) and (5) is re1,
【0011】[0011]
【数2】 (Equation 2)
【0012】になる。さらに、第2差動増幅回路(6)
の出力信号i2は、トランジスタ(6a)及び(6b)
のエミッタ抵抗をre2とすると、[0012] Further, a second differential amplifier circuit (6)
Of the output signal i2 of the transistors (6a) and (6b)
If the emitter resistance of is re2,
【0013】[0013]
【数3】 (Equation 3)
【0014】となる。また、第4及び第5トランジスタ
(10)及び(11)のベースに流れる電流をi3は、
第3及び第4抵抗(9)及び(12)の値をR3とし、
第2差動増幅回路(6)の出力電圧をVaとし、出力端
子の出力電圧をVoutとすれば、## EQU1 ## In addition, i3 is a current flowing through the bases of the fourth and fifth transistors (10) and (11)
Let R3 be the value of the third and fourth resistors (9) and (12),
If the output voltage of the second differential amplifier circuit (6) is Va and the output voltage of the output terminal is Vout,
【0015】[0015]
【数4】 (Equation 4)
【0016】となる。そして、第3及び第4ダイオード
(14)及び(15)の出力電圧の差V3は、第3及び
第4ダイオード(14)及び(15)のオン抵抗をre
3とすれば、## EQU1 ## Then, the difference V3 between the output voltages of the third and fourth diodes (14) and (15) is the on resistance of the third and fourth diodes (14) and (15).
If it is 3,
【0017】[0017]
【数5】 (Equation 5)
【0018】となる。さらに、第2差動増幅回路(1
6)の出力電流i5は、トランジスタ(16a)及び
(16b)のエミッタ抵抗をre4とすると、## EQU1 ## Further, the second differential amplifier circuit (1
If the emitter resistances of the transistors (16a) and (16b) are re4, the output current i5 of 6) is
【0019】[0019]
【数6】 (Equation 6)
【0020】となり、また、And again,
【0021】[0021]
【数7】 (Equation 7)
【0022】にもなる。ここで、第1差動増幅回路
(6)の出力電圧Vaは、第2抵抗(7)の値をR2と
すると、It also becomes Here, the output voltage Va of the first differential amplifier circuit (6) is set to R2 when the value of the second resistor (7) is R2.
【0023】[0023]
【数8】 (Equation 8)
【0024】であるので、式(8)に式(3)乃至
(1)を順次代入すると、Therefore, when the equations (3) to (1) are sequentially substituted into the equation (8),
【0025】[0025]
【数9】 (Equation 9)
【0026】になる。一方、式(7)に式(6)乃至
(4)を順次代入すると、## EQU1 ## On the other hand, when the expressions (6) to (4) are sequentially substituted into the expression (7),
【0027】[0027]
【数10】 (Equation 10)
【0028】になる。そして、式(10)に式(9)を
電圧Vaを消去するように代入すると、入力信号と出力
信号との伝達関数は、It becomes Then, by substituting the equation (9) into the equation (10) so as to eliminate the voltage Va, the transfer function of the input signal and the output signal becomes
【0029】[0029]
【数11】 [Equation 11]
【0030】になる。式(11)より、図1の回路はH
PF回路の特性になる。また、式(11)より、減衰量
が−6dBとなる周波数f1は、## EQU1 ## From the equation (11), the circuit of FIG.
It becomes the characteristic of the PF circuit. Further, from the equation (11), the frequency f1 at which the attenuation amount is −6 dB is
【0031】[0031]
【数12】 (Equation 12)
【0032】となり、高域側の遮断周波数fcは、Therefore, the cutoff frequency fc on the high frequency side is
【0033】[0033]
【数13】 (Equation 13)
【0034】となる。よって、周波数f1またはfcを
定める時定数は所定の値となり、、第3及び第4抵抗
(9)及び(12)とコンデンサー(17)とで定まる
時定数に、第1及び第2抵抗(2)及び(7)と、第1
及び第2ダイオード(4)及び(5)のオン抵抗re1
と、トランジスタ(16a)及び(16b)のエミッタ
抵抗re2と、第3及び第4ダイオード(14)及び
(15)のオン抵抗re3と、トランジスタ(16a)
及び(16b)のエミッタ抵抗re4とにより定まる定
数で乗算して得られる。## EQU1 ## Therefore, the time constant that determines the frequency f1 or fc becomes a predetermined value, and the time constant determined by the third and fourth resistors (9) and (12) and the capacitor (17) becomes equal to the first and second resistors (2 ) And (7), and the first
And the on-resistance re1 of the second diodes (4) and (5)
An emitter resistance re2 of the transistors (16a) and (16b), an on resistance re3 of the third and fourth diodes (14) and (15), and a transistor (16a).
And the emitter resistance re4 of (16b).
【0035】従って、単に抵抗とコンデンサーとから成
るHPFと比較して、図1のHPFでは抵抗及びコンデ
ンサーの値を小さくすることができる。但し、この場
合、Therefore, in the HPF of FIG. 1, the values of the resistor and the capacitor can be made smaller than those of the HPF which is simply composed of the resistor and the capacitor. However, in this case,
【0036】[0036]
【数14】 [Equation 14]
【0037】を条件とする必要がある。より具体的な例
として、図1のHPFの遮断周波数を2.2KHzに設
定しようとする場合、R1=40KΩ、R2=20K
Ω、re1=360Ω、re2=26KΩ、re3=3
60Ω、re4=26KΩとすると、コンデンサー(1
7)の容量は100pFに、第3及び第4抵抗(14)
及び(15)の値R3は20KΩにすることができる。
この様な値であれば、図1のHPFの第1乃至第4抵抗
及びコンデンサー(12)をIC化できるので、外付け
素子のないHPFを形成することができる。It is necessary to satisfy the following conditions. As a more specific example, when setting the cutoff frequency of the HPF of FIG. 1 to 2.2 KHz, R1 = 40 KΩ and R2 = 20 K
Ω, re1 = 360Ω, re2 = 26KΩ, re3 = 3
Assuming 60Ω and re4 = 26KΩ, the condenser (1
The capacitance of 7) is 100 pF, and the third and fourth resistors (14)
The value R3 of (15) and (15) can be 20 KΩ.
With such values, the first to fourth resistors and the capacitor (12) of the HPF of FIG. 1 can be integrated into an IC, so that the HPF without external elements can be formed.
【0038】また、第1差動増幅回路(5)の動作電流
を可変にすれば、エミッタ抵抗re2の値が変化し、式
(12)より周波数f1が変化する。その為、図2
(イ)の如く、動作電流を大きくすると周波数f1は高
くなり、動作電流を小さくすると周波数f1は低くな
る。また、式(11)よりフィルタ回路の減衰量を定め
る初期ゲインGは、When the operating current of the first differential amplifier circuit (5) is made variable, the value of the emitter resistance re2 changes, and the frequency f1 changes according to the equation (12). Therefore, Figure 2
As shown in (a), when the operating current is increased, the frequency f1 is increased, and when the operating current is decreased, the frequency f1 is decreased. Further, the initial gain G that determines the attenuation amount of the filter circuit from the equation (11) is
【0039】[0039]
【数15】 (Equation 15)
【0040】があり、前記初期ゲインGはエミッタ抵抗
re2により変化する。よって、図2(ロ)の如く動作
電流を大きくすると減衰量は大きくなり、動作電流を小
さくすると減衰量は小さくなる。尚、第1差動増幅回路
(16)の動作電流を可変することに限らず、第2差動
増幅回路(16)の動作電流を可変にすれば、遮断周波
数fcを変化させることができる。The initial gain G varies depending on the emitter resistance re2. Therefore, as shown in FIG. 2B, the amount of attenuation increases as the operating current increases, and the amount of attenuation decreases as the operating current decreases. The cutoff frequency fc can be changed not only by changing the operating current of the first differential amplifier circuit (16) but also by changing the operating current of the second differential amplifier circuit (16).
【0041】[0041]
【発明の効果】以上述べた如く、本発明によれば、HP
Fの遮断周波数は、抵抗及びコンデンサーによる時定数
に、ダイオードのオン抵抗及びトランジスタのエミッタ
抵抗により定まる値を乗算することにより設定されるの
で、前記抵抗及びコンデンサーの値を小さくすることが
でき、集積化した場合には外付け素子のないHPFを構
成することができる。As described above, according to the present invention, HP
Since the cutoff frequency of F is set by multiplying the time constant of the resistor and the capacitor by the value determined by the on resistance of the diode and the emitter resistance of the transistor, it is possible to reduce the values of the resistor and the capacitor. When it is realized, an HPF having no external element can be constructed.
【0042】また、差動増幅回路の動作電流を可変する
だけで、簡単に遮断周波数及び最大減衰量を可変できる
LPFを提供することができる。Further, it is possible to provide an LPF in which the cutoff frequency and the maximum attenuation amount can be easily changed only by changing the operating current of the differential amplifier circuit.
【図1】本発明の実施の形態を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
【図2】本発明を説明するための特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram for explaining the present invention.
1 第1トランジスタ 2 第1抵抗 3 第2トランジスタ 4 第1ダイオード 5 第2ダイオード 6 第1差動増幅回路 7 第2抵抗 8 第3トランジスタ 9 第3抵抗 10 第4トランジスタ 11 第5トランジスタ 12 第4抵抗 13 第6トランジスタ 14 第3ダイオード 15 第4ダイオード 16 第2差動増幅回路 17 コンデンサー 1 1st transistor 2 1st resistance 3 2nd transistor 4 1st diode 5 2nd diode 6 1st differential amplifier circuit 7 2nd resistance 8 3rd transistor 9 3rd resistance 10 4th transistor 11 5th transistor 12 4th Resistor 13 6th transistor 14 3rd diode 15 4th diode 16 2nd differential amplifier circuit 17 Capacitor
Claims (3)
と、 エミッタが第1抵抗を介して前記第1トランジスタのエ
ミッタと接続される第2トランジスタと、 前記第1及び第2トランジスタのコレクタ電流がそれぞ
れ供給される第1及び第2可変負荷と、 該第1及び第2可変負荷の出力電圧が印加され、その出
力端が第2抵抗に接続された第1差動増幅回路と、 ベースに該第1差動増幅回路の出力信号が印加される第
3トランジスタと、 エミッタが第3抵抗を介して前記第3トランジスタのエ
ミッタと接続される第4トランジスタと、 コレクタ及びベースが前記第4トランジスタのコレクタ
及びベースと共通接続される第5トランジスタと、 エミッタが第4抵抗を介して前記第5トランジスタのエ
ミッタと接続される第6トランジスタと、 前記第3及び第6トランジスタのコレクタ電流がそれぞ
れ供給される第3及び第4ダイオードと、 該第3及び第4ダイオードの出力電圧が印加され、出力
信号が前記第6トランジスタのベースに印加される第2
差動増幅回路と、 前記第1及び第6トランジスタのベース間に接続された
コンデンサーとを備え、前記第2差動増幅回路の出力端
にフィルター特性を得るようにしたことを特徴とするハ
イパスフィルタ。1. A first transistor to which an input signal is applied, a second transistor whose emitter is connected to an emitter of the first transistor through a first resistor, and collector currents of the first and second transistors. The first and second variable loads respectively supplied, the first differential amplifier circuit to which the output voltages of the first and second variable loads are applied, and the output terminals thereof are connected to the second resistor, and the first differential amplifier circuit to the base. A third transistor to which the output signal of the first differential amplifier circuit is applied; a fourth transistor whose emitter is connected to the emitter of the third transistor through a third resistor; and a collector and a base of the fourth transistor. A fifth transistor commonly connected to the collector and the base, and a sixth transistor having an emitter connected to the emitter of the fifth transistor through a fourth resistor, Third and fourth diodes to which collector currents of the third and sixth transistors are supplied respectively, output voltages of the third and fourth diodes are applied, and an output signal is applied to a base of the sixth transistor. Second
A high-pass filter comprising a differential amplifier circuit and a capacitor connected between the bases of the first and sixth transistors, and a filter characteristic is obtained at an output terminal of the second differential amplifier circuit. .
し、遮断周波数を変化させることを特徴とする請求項1
記載のハイパスフィルタ。2. An operating current of the first differential amplifier is made variable, and a cutoff frequency is changed.
High pass filter as described.
し、減衰量を変化させることを特徴とする請求項1記載
のハイパスフィルタ。3. The high-pass filter according to claim 1, wherein the operating current of the second differential amplifier circuit is made variable and the amount of attenuation is changed.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32746895A JPH09167939A (en) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | High pass filter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32746895A JPH09167939A (en) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | High pass filter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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ID=18199501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32746895A Pending JPH09167939A (en) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | High pass filter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09167939A (en) |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP32746895A patent/JPH09167939A/en active Pending
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