JPH09160030A

JPH09160030A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH09160030A
Application number: JP7337863A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Takeshi Nishi; 毅西
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1995-12-01
Filing date: 1995-12-01
Publication date: 1997-06-20

Abstract

(57)【要約】【目的】ＲＧＢを合成する形式の液晶表示装置におい
て、各色の輝度やコントラストをそろえた構成を提供す
る。【構成】ＲＧＢの各像を光学変調する液晶パネル１０
１〜１０３を備えた投影型の液晶表示装置において、各
液晶パネル１０１〜１０３の基板間隔を適時設定し、各
液晶パネルからの像の輝度やコントラストを調整し、そ
れらをそろえるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本明細書で開示する発明は、カラ
ー表示を行うことができるアクティブマトリクス型の液
晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、ＣＲＴと比較して軽量
かつコンパクトな表示装置としてコンピュータ、電卓、
時計など幅広い分野で使用されている。液晶表示装置
は、液晶材料の外場（電場、熱等）の印加に対する液晶
分子の配向状態の変化や相転移により、液晶材料の光学
的性質（干渉、散乱、回折、旋光、吸収等）が変化する
ことを動作原理としている。

【０００３】一般的な液晶表示装置の構成、駆動方法
は、少なくとも一方が透光性を有し、間隔が１乃至数１
０μｍに保たれた２枚の基板の間に液晶材料を挟み（以
下これを液晶パネルと言う）、前記２枚の基板の両方又
はいずれか一方に形成された電極により液晶材料に電界
を印加して液晶分子の配向状態を基板面内の画素毎に制
御し、液晶パネルを透過する光量を制御する事で画像表
示を行うものである。この時、上記のいずれの光学的性
質を利用するかによって、例えば液晶パネルの外側に偏
光板を設ける等、動作モードに応じた構成とする。

【０００４】現在液晶表示装置で広く用いられているの
は、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型またはＳＴＮ
（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型というもの
で、これらはそれぞれ液晶材料の旋光性、複屈折光の干
渉といった光学的性質を利用しており、いずれも偏光板
を設ける必要がある。

【０００５】また、上記液晶表示装置で画像を表示させ
る場合、数多くの画素を同時に動作制御するために、種
々の方法が提案されている。この中でアクティブマトリ
クス駆動が高画質、高密度の表示が可能な方法として、
広く用いられている。これは各画素に非線型能動素子
（ダイオード、トランジスタ等）を配置し、各画素を電
気的に独立した関係になるようにし、余分な信号の干渉
を排除し高画質を実現することを目的とするものであ
る。この方法によれば各画素は電気的スイッチが接続さ
れたコンデンサとして見ることができる。従って必要に
応じてスイッチをＯＮ／ＯＦＦさせることで画素に電荷
を注入／流出させることができる。さらにスイッチをＯ
ＦＦにすれば画素に電荷を保持されるためメモリー性を
付与することが可能となる。

【０００６】また、このような液晶標示装置においてカ
ラー表示を行う場合、混色の原理を用いた方法が現在最
も広く用いられている。混色には一般に減法混色と加法
混色がありそれぞれシアン、マゼンダ、黄色及び赤、
青、緑の三原色を用いればフルカラー表示が可能にな
る。カラーＬＣＤにおいては印加電圧によって三原色の
色の強度を変化させて表示カラーを制御することにな
る。

【０００７】液晶表示装置の場合、色分離の方法とし
て、液晶表示装置内にＲＧＢのマイクロカラーフィルタ
ーを設けたり、ＲＧＢ三種のパネルを用意して、色分離
を行い、表現したい画像に応じて液晶パネルにより光変
調し、再び色合成を行うなどの方法で行う。この点に関
しては液晶パネルの使用方法に依存するところが大き
く、直視型の液晶表示装置の場合、マイクロカラーフィ
ルターを用いる場合が多く、投射型ではＲＧＢ三種のパ
ネルを用意して色表示を行う場合が多い。

【０００８】投射型の液晶ライトバルブで広く用いられ
ている方式としては、ダイクロイックプリズム式液晶プ
ロジェクタがある。これは光源の白色光をＲＧＢ成分に
分離する光学系をダイクロイックミラーで形成し、それ
ぞれＲＧＢ単色の液晶表示画像をダイクロイックプリズ
ムで合成して投射レンズでスクリーンに拡大投影するも
のである。この方式は色合成光学系がプリズム１個で構
成されるのでコンパクト、調整が容易で投射レンズのバ
ックフォーカスが短くできて有利である。

【０００９】また、ダイクロイックミラー方式は色分
離、色合成の両方をダイクロイックミラーで構成し、同
様にＲＧＢ単色の液晶表示画像を投射レンズでスクリー
ンに拡大投影するものである。ダイクロイックミラーは
生産性コスト等の点で量産化に向いている。一方で全体
寸法が大きくなる、投射レンズのバックフォーカスが長
くなる等の欠点がある。しかし、現在実用化されている
ものはこの形式が多い。

【００１０】また、近年ではダイクロイックミラー方式
で単板式の投射型ディスプレイが提案されている。この
方式は１枚の液晶パネルとＲＧＢ３枚のダイクロイック
ミラーを組み合わせたものであり、小型で低価格の液晶
ディスプレイとなっている。

【００１１】

【従来技術の問題点】上記いずれの液晶表示装置も、微
妙な色表示を行うためには各三原色の輝度の制御を正確
に行う必要がある。一方で装置の低価格化のためには駆
動系が簡略なものでなければならない。しかしながら従
来の液晶表示装置では赤、緑、青表示を行うと各色で透
過率やコントラストが異なる現象が生じており、この補
正のために駆動回路が複雑になり、高価格化、装置の大
型化を引き起こしていた。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の点に鑑
み、投影型の液晶表示装置において、いかなる色を表示
しても均一な透過率及びコントラストの表示を複雑な駆
動方法に依らず容易に行い、もって高画質の表示が可能
な液晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するために手段】上記課題を解決するた
め、本発明は透光性を有する第一の絶縁基板と、該基板
に対向する第二の絶縁基板と、前記第一の基板と第二の
基板間に挟持された液晶材料を少なくとも有する液晶表
示装置において、赤、緑、青に対応する画素の基板間隔
が異なることを特徴とする。

【００１４】上記の構成は、所定の波長領域を透過させ
るのに最適な液晶層の厚さがあることに着目し、ＲＧＢ
の各液晶パネルの間隔を異なるものとし、最終的に投影
される各色の画像の輝度やコントラストをそろえること
を特徴とする。

【００１５】またこのことを利用し、光源の色バランス
の補正や、ダイクロイックミラーを用いる場合のバラン
スの補正を行うこともできる。

【００１６】またＲＧＢの画像を形成する構成として、
同一の基板を用いてＲＧＢの液晶パネルを集積化して構
成を利用することは有用である。

【００１７】この構成は、水平操作制御回路や垂直操作
制御回路を各液晶パネルにおいて共通化することができ
るので、全体の構成を簡略化することができ、また装置
自体を小型化することができるという有用性がある。

【００１８】このような構成においては、各液晶パネル
部に対応する領域に形成される絶縁膜の厚さを調整し、
各液晶パネル部の液晶層の厚さを適時設定する構成とす
ればよい。

【００１９】本明細書に開示する発明を利用した構成の
一例を図１に示す。図１に示すのは、３枚の液晶パネル
を用いて、３つの独立した光学系から個別に投影面にＲ
ＧＢの像を投影し、そこでカラー像を合成する機能を有
した投影装置である。

【００２０】図１に示す構成において、中（１０１、１
０２、１０３）はそれぞれＲ（赤）、Ｂ（青）、Ｇ
（緑）用の液晶パネル、（１０４、１０５、１０６）は
補正レンズ、（１０７、１０８、１０９）はフレネルレ
ンズ、（１１０〜１１５）は集光のためのレンズ、（１
１６、１１７）Ｒ、Ｂ用のダイクロイックミラー、（１
１８）は反射板（全反射）、（１１９）はコールドミラ
ー、（１２０）はメタルハライドランプ、（１２１）は
ＵＶ・ＩＲカットミラーである。

【００２１】図５〜図７に図１に示す構成を他の確度か
ら見た様子を示す。

【００２２】また、図２には上記液晶パネルの断面図を
示した。（２０１、２０２）は基板、（２０３、２０
４）は電極、（２０５）は配向膜、（２０６）はスペー
サー、（２０７）はシール剤、（２０８）は液晶材料で
ある。

【００２３】上記第一、第二の基板には、透光性を有
し、かつ外力に対しある程度の強度を有する材料、例え
ばガラス、石英などの無機材料などが用いられる。基板
上にＴＦＴを形成する場合、無アルカリガラスや石英基
板を用いる。また液晶パネルの軽量化を目的とする場
合、複屈折性の少ないフィルム、例えばＰＥＳ（ポリエ
チレンサルフェート）などを用いることもできる。

【００２４】また、液晶材料の駆動方法としてはマルチ
プレックス方式でもアクティブマトリクス方式でもよ
い。マルチプレックス方式では第一の基板上に形成する
のは表示用電極、基準電極の２種だけでよいが、アクテ
ィブマトリクス方式の場合、このほかにスイッチング素
子として非線型素子、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）やダイオードを各画素毎に形成する。ＴＦＴとして
は活性層にアモルファスシリコンまたはポリ（多結晶）
シリコンを用いたトランジスタを用いることができる。

【００２５】またさらに進んだ構成として、周辺駆動回
路を薄膜トランジスタで構成し、基板上に集積化してし
まう構成がある。この構成は、基板上に画素領域と周辺
回路領域とを集積化した一体構造として得られるので、
液晶パネルをより利用しやすいものとすることができ
る。

【００２６】また、表示特性の向上のため表示に関係な
い部分にブラックマトリクスを形成する。前記ブラック
マトリクスとして、Ｃｒ等の金属や、液晶表示装置の内
部での乱反射によるコントラスト低下を防止する為、透
明な物質中に黒色の物質が分散しているものを用いるこ
とができる。特に、透明な物質としてはガラス、石英な
どの無機材料や、樹脂などの有機材料を使用することが
できるが、作製の容易さの点で樹脂材料を用いるのがよ
い。樹脂材料はアクリル系材料などを用いることができ
る。また、黒色性の物質としてはカーボンブラック、ま
たは顔料などを用いることができる。

【００２７】また、使用する液晶材料は、ネマチック、
コレステリック、スメクチック性を示す材料を用いるこ
とができる。

【００２８】このようにして配向処理を施された基板
は、配向処理面もしくはＴＦＴ、透明電極などが形成さ
れた面を向かい合わせるようにして配置され、前記対向
する基板間に液晶材料が挟まれる。前記一対の基板に
は、基板間隔が一定になるようにスペーサーなどが散布
される。使用するスペーサーは１〜１０μｍの直径を有
する。前記一対の基板はエポキシ系の接着剤などで固定
される。接着剤のパターンは画素領域および周辺駆動回
路領域が内側になるように基板の外周に形成される。

【００２９】

【作用】液晶表示装置の透過光強度Ｔは次式のように表
せる。

【００３０】

【数１】

【００３１】ここで、ｕは、

【００３２】

【数２】

【００３３】であり、θはツイスト角（≠π／２）であ
る。Δｎは液晶材料の屈折率異方性、ｄはセル厚、λは
光の波長である。数１が０になるときの条件として、ｕ
＝４ｍ−１（ｍは整数）である必要がある。またＴは波
長及びセル厚に依存することが分かる。従って、各三原
色ようにセル厚が一定なパネルを作製した場合、すべて
の三原色で暗状態が同時には得られない。すべての三原
色で同時に暗状態を得るためには各色に応じて異なった
セル厚にしなければならない。

【００３４】本発明では視野角を低減させないためｕ＝
√３又は√１５となるようにセル厚と、液晶材料のΔｎ
を調節した。

【００３５】数１は下記の数３

【００３６】

【数３】

【００３７】と変形できる。飽和電圧が印加されると、
Ｔ（ｄ）＝１となる。従って数１、数３はコントラスト
の逆数となる。

【００３８】本発明に依れば、可視光領域でコントラス
ト５０以上が得られる。

【００３９】

【実施例】

〔実施例１〕以下に本実施例における投影型の液晶表示
装置およびその作製方法を示す。液晶パネルは三原色に
応じて１枚ずつ計３枚作製した。図１に本実施例の液晶
表示装置を示した。

【００４０】また、図２には液晶パネルを示した。ま
ず、第一及び第二の絶縁基板としてガラス基板（２０
１、２０２）の上に、透明電極を形成した。次にそれぞ
れの基板上に配向膜を形成した。配向膜は低温焼成型ポ
リイミドのAL3046（日産化学製）を公知のスピンコート
法などにより８００Å塗布し、その後１６０℃で焼成し
た。次に液晶材料の配向処理のため、それぞれの基板に
ついて公知のラビング処理を行った。

【００４１】次にラビングした基板上にスペーサーを乾
式又は湿式で散布した。スペーサーは、ＳｉＯ₂ （酸化
珪素）又はプラスチック等の樹脂製の球状のものを使用
した。また、三原色に応じてセル厚を変えるため、赤用
のパネルには５．４μｍ、緑用のパネルにはには４．６
μｍ、青用のパネルには３．８μｍのスペーサーを使用
した。

【００４２】次に、これら基板を用いて液晶セルを作製
した。まず各色のパネルの第一もしくは第二の基板にシ
ール剤を印刷した。シール剤としては熱硬化型のエポキ
シ樹脂が含まれた接着剤を使用した。その後、対向する
基板をラビングの向きが一対の基板で直交するように重
ね合わせ、さらに熱プレスなどで一対の基板をプレスし
ながらシール剤を硬化させ、液晶セルとした。

【００４３】次に液晶材料を液晶セルに真空注入法など
により注入した。本実施例で使用した液晶材料はメルク
社製ネマチック液晶ＺＬＩ−４７９２で（商品名）であ
った。本液晶材料のしきい値は２Ｖであった。

【００４４】本実施例における光学系はダイクロイック
ミラー型を使用した。図１に示す液晶パネルの位置に上
記ＲＧＢのパネルを設置した。この投影型液晶表示装置
によりコントラスト５０以上の高精細画像を表示するこ
とが可能になった。

【００４５】〔実施例２〕以下に本実施例におけるアク
ティブマトリクス回路を用いた液晶表示装置の基板の作
製方法の説明を行う。本実施例の液晶表示装置は単板式
のリアプロジェクションとした。また、本実施例の液晶
表示装置の液晶パネルは周辺駆動回路をも基板内に形成
した、モノリシック型アクティブマトリクス回路とし
た。この制作工程について、図３を用いて説明する。こ
の工程は低温ポリシリコンプロセスのものである。

【００４６】図３の左側に駆動回路のTFT の作製工程
を、右側にアクティブマトリクス回路のTFT の作製工程
をそれぞれ示す。

【００４７】まず、第一の絶縁基板としてガラス基板
（301)の上に、下地酸化膜（302)として厚さ1000〜3000
Åの酸化珪素膜を形成した。この酸化珪素膜の形成方法
としては、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマCVD
法を用いればよい。

【００４８】その後、プラズマCVD 法やLPCVD 法によっ
てアモルファスのシリコン膜を300〜1500Å、好ましく
は500 〜1000Åに形成した。そして、500 ℃以上、好ま
しくは、500 〜600 ℃の温度で熱アニールを行い、シリ
コン膜を結晶化させた、もしくは、結晶性を高めた。熱
アニールによって結晶化ののち、光（レーザーなど）ア
ニールをおこなって、さらに結晶化を高めてもよい。ま
た、熱アニールによる結晶化の際に特開平6-244103、同
6-244104に記述されているように、ニッケル等のシリコ
ンの結晶化を促進させる元素（触媒元素）を添加しても
よい。

【００４９】次にシリコン膜をエッチングして、島上の
駆動回路のTFT の活性層（303 ）（p チャネル型TFT
用）、（304 ）（N チャネル型TFT 用）とマトリクス回
路のTFT （画素TFT)の活性層（305 ）を形成した。さら
に、酸素雰囲気中でのスパッタ法によって厚さ500 〜20
00Åの酸化珪素のゲート絶縁膜（306 ）を形成した。ゲ
ート絶縁膜の形成方法としては、プラズマCVD 法を用い
てもよい。プラズマCVD法によって酸化珪素膜を形成す
る場合には、原料ガスとして、一酸化二窒素（Ｎ₂ Ｏ）
もしくは酸素（Ｏ₂ ）とモノシラン（SiH4) を用いるこ
とが好ましかった。

【００５０】その後、厚さ2000〜6000Åのアルミニウム
をスパッタ法によって基板全面に形成した。ここでアル
ミニウムはその後の熱プロセスによってヒロックが発生
するのを防止するため、シリコンまたはスカンジウム、
パラジウムなどを含有するものを用いてもよい。そして
これをエッチングしてゲート電極（307 、308 、309）
を形成する（図３（A ））。

【００５１】その後、イオンドーピング法によって、全
ての島状活性層に、ゲート電極をマスクとして自己整合
的に、フォスフィン（ＰＨ₃ ）をドーピングガスとし
て、燐が注入される。ドーズ量は1 ×10¹²〜5 ×10¹³原
子／ｃｍ² する。この結果、弱いＮ型領域（310 、311
、312)が形成される。（図３（B ））

【００５２】次に、P チャネル型TFT の活性層を覆うフ
ォトレジストのマスク(313) 及び画素TFT の活性層(30
5) のうち、ゲート電極に平行にゲート電極(309) の端
から３μｍ離れた部分まで覆うフォトレジストのマスク
(314) が形成される。

【００５３】そして、再びイオンドーピング法によって
フォスフィンをドーピングガスとして燐を注入する。ド
ーズ量は1 ×10¹⁴〜5 ×10¹⁵原子／ｃｍ² とする。この
結果として、強いN 型領域（ソース、ドレイン）(315、
316)が形成される。画素TFTの活性層(305) の弱いＮ型
領域(312) のうち、マスク(314) に覆われていた領域(3
17) は、今回のドーピングでは燐が注入されないので、
弱いN 型のままとなる。（図３（C ））

【００５４】次に、N チャネル型TFT の活性層(304、30
5)をフォトレジストのマスク(318)で覆い、ジボラン(B₂
H₆)をドーピングガスとして、イオンドーピング法によ
り、島状領域(303) に硼素が注入される。ドーズ量は5
×10¹⁴〜8 ×10¹⁵原子／ｃｍ² とする。

【００５５】このドーピングでは、硼素のドーズ量が図
３（Ｃ）における燐のドーズ量が上回るため、先に形成
されていた弱いＮ型領域(310) は強いＰ型領域(319) に
反転する。

【００５６】以上のドーピングにより、強いＮ型領域
（ソース／ドレイン）(315、316)、強いＰ型領域（ソー
ス／ドレイン）(319) 、弱いＮ型領域（低濃度不純物領
域）(317) が形成される。本実施例においては、低濃度
不純物領域(317) の幅ｘは、約３μｍとする。（図３
（D ））

【００５７】その後、450 〜850 ℃で0.5 〜3 時間の熱
アニールを施すことにより、ドーピングによるダメージ
を回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリコンの
結晶性を回復させた。その後、全面に層間絶縁物(320)
として、プラズマCVD 法によって酸化珪素膜を厚さ3000
〜6000Å形成した。これは、窒化珪素膜あるいは酸化珪
素膜と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。そして、層
間絶縁膜(320) をウエットエッチング法またはドライエ
ッチング法によって、エッチングして、ソース/ ドレイ
ンにコンタクトホールを形成した。

【００５８】そして、スパッタ法によって厚さ2000〜60
00Åのアルミニウム膜、もしくはチタンとアルミニウム
の多層膜を形成する。これをエッチングして、周辺回路
の電極・配線(321、322 、323)および画素TFT の電極・
配線(324、325)を形成した。さらに、プラズマCVD 法に
よって、厚さ1000〜3000Åの窒化珪素膜(326) がパッシ
ベーション膜として形成され、これをエッチングして層
間膜とした。さらにこの上に表示用電極としてＩＴＯ(3
27) を1200Å成膜し、実施例１における表示用電極と同
様なパターンとなるようパターニングした。

【００５９】さらに、プラズマCVD 法によって、厚さ10
00〜3000Åの窒化珪素膜(328) がパッシベーション膜と
して形成され、この上に基準電極としてＩＴＯ（図示せ
ず）を1200Å成膜し、画素部が実施例１における基準電
極と同じパターンになるようパターニングした。（図３
（E ））

【００６０】次いで、図２において、対向する基板２０
４上にはブラックマトリクスを形成した（図示せず）。
ここで用いたブラックマトリクスはＣｒからなり、膜厚
1200Åとし、公知のフォトリソグラフィー法により所望
の形状にパターニングした。次にカラーフィルターを形
成した（図示せず）。カラーフィルターはエチレングリ
コール、モノエチルエーテルアセテート等の溶媒にＲ、
Ｇ、Ｂ色を示す顔料を分散させた材料を各色毎に塗布、
パターニング、硬化（焼成）を繰り返して、マイクロカ
ラーフィルターを形成した各色の膜厚は1.7μｍとし
た。

【００６１】さらにこの上にアクリル系樹脂からなるオ
ーバーコート剤（平坦化膜）を形成した。オーバーコー
ト剤は初め１μｍの厚さで全面に形成する。次に０．８
μｍの厚さで形成する。さらに公知のパターニング技術
によりＲ（赤）の部分についてのみ前記オーバーコート
剤をエッチングする。次に次に再び０．８μｍの厚さで
オーバーコート剤を塗布し、ＲとＧの部分にみ選択的に
エッチングする。この結果、膜厚はＲＧＢで異なるもの
となる。例えばＲに部分は、カラーフィルターとオーバ
ーコート剤でなる膜を合わせた膜厚が２．７μｍとな
る。またＧの部分は３．５μｍとなる。またＢの部分は
４．３μｍとなる。

【００６２】次にその上に全面にＩＴＯよりなる透明電
極２０４を形成した。対向基板２０１の上に透明電極２
０３を形成した。次に基板２０１、２０２上に配向膜と
してポリイミドからなる配向膜２０５を形成した。

【００６３】次に配向膜２０５を通常の方法によりラビ
ングした。この時ラビングの方向は上下の基板で９０°
の角度をなすような方向で行なった。

【００６４】次に直径3.8 μｍの酸化珪素より成るスペ
ーサー２０６を基板の配向膜を塗布した基板上に散布し
た（図示せず）。

【００６５】こうして作製された液晶パネルは、ＲＧＢ
に対応する領域において、それぞれ液晶層の厚さが、Ｒ
が５．４μｍ、Ｇが４．６μｍ、Ｂが３．８μｍとな
る。

【００６６】次に、基板２０１上にシール剤２０７を印
刷し、基板２０１、２０４を重ね合わせ、固定した。こ
のときシール材は画素領域及び周辺駆動回路領域を内側
にするように基板の外周近くに印刷した。次に液晶材料
２０８を上記セルに真空注入法で注入した。使用した液
晶材料はメルク社製ネマチック液晶ＺＬＩ−４７９２
（商品名）であった。こうして、図２の液晶パネルが形
成された。

【００６７】このようにして形成された本実施例のリア
プロジェクションの断面概略図を図４に示す。４０１は
ハロゲンランプ、４０２は集光光学系、４０３は液晶パ
ネル、４０４は反射板、４０５は投射レンズ、４０７は
スクリーンである。

【００６８】上記プロジェクション型液晶表示装置によ
り良好な画像の表示が可能になった。

【００６９】

【発明の効果】以上詳述したように、プロジェクション
型液晶表示装置において、ＲＧＢ各色でセル厚の異なる
液晶パネルを用いた構成としたことで、いかなる色を表
示しても均一な透過率及びコントラストの表示を複雑な
駆動方法に依らず容易に行い、もって高画質の表示が可
能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１における液晶表示装置の概
略を示す。

【図２】本発明の実施例１における液晶パネルの断面
概略を示す。

【図３】本発明の実施例２における液晶表示装置の画
素ＴＦＴと周辺駆動回路断面を示す。

【図４】本発明の実施例２における液晶表示装置の断
面概略を示す。

【図５】実施例１における液晶表示装置を他の角度か
ら見た概要を示す。

【図６】実施例１における液晶表示装置を他の角度か
ら見た概要を示す。

【図７】実施例１における液晶表示装置を他の角度か
ら見た概要を示す。

【符号の説明】

１０１、１０２、１０３液晶パネル１０４、１０５、１０６ダイクロイックミラー１０７反射板１０８ハロゲンランプ１０９フレネルレンズ１１０投射レンズ２０１、２０２基板２０３、２０４透明電極２０５配向膜２０６スペーサー２０７シール剤２０８液晶材料３０１基板３０２下地膜（酸化珪素）３０３、３０４、３０５活性層３０６ゲート絶縁膜３０７、３０８、３０９ゲート絶縁膜・ゲート線３１０、３１１、３１２弱いＮ型領域３１３、３１４フォトレジストのマスク３１５、３１６強いＮ型領域（ソース／
ドレイン）３１７低濃度不純物領域３１８フォトレジストのマスク３１９強いＰ型領域（ソース／
ドレイン）３２０層間絶縁膜３２１〜３２５周辺駆動回路、画素ＴＦ
Ｔの電極・配線３２６、３２８窒化珪素膜３２７表示用電極（ＩＴＯ）４０１ランプ４０２集光光学系４０３液晶パネル４０４ミラー４０５投射レンズ４０６スクリーン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性を有する第一の絶縁基板と、該基板に対向する第二の絶縁基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された液晶材料
と、を少なくとも有する液晶表示装置において、赤、緑、青に対応する画素の基板間隔が異なることを特
徴とする液晶表示装置。
【請求項２】赤、青、緑の各画像を形成する液晶パネル
からの画像を光学系を介して投影することによりカラー
画像を得る構成を有し、前記各液晶パネルは一対の基板間に液晶が挟持された構
成を有し、前記各液晶パネルのそれぞれは、異なる基板間隔を有す
ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】請求項２において光学系は各液晶パネルに
対してそれぞれ独立に配置されていることを特徴とする
液晶表示装置。
【請求項４】赤、青、緑の各画像を形成する液晶パネル
からの画像を光学系を介して投影することによりカラー
画像を得る構成を有し、前記各液晶パネルは一対の基板間に液晶が挟持された構
成を有し、前記各液晶パネルのそれぞれは、異なる基板間隔を有す
ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】赤、青、緑の各画像を形成する液晶パネル
が同一の基板を用いて集積化された構成を有し、前記各液晶パネルの少なくとも一つは他の液晶パネルに
対して異なる液晶層の厚さを有し、ていることを特徴とする液晶表示装置。