JPH09153842A - High frequency parts - Google Patents
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- JPH09153842A JPH09153842A JP7313074A JP31307495A JPH09153842A JP H09153842 A JPH09153842 A JP H09153842A JP 7313074 A JP7313074 A JP 7313074A JP 31307495 A JP31307495 A JP 31307495A JP H09153842 A JPH09153842 A JP H09153842A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機、例
えば携帯電話機等の高周波回路において、２つの異なる
周波数帯の高周波信号を分配、結合する高周波部品に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency component for distributing and coupling high frequency signals of two different frequency bands in a high frequency circuit of a mobile communication device such as a mobile phone.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、高周波信号を分配、結合する高
周波部品１は、図４に示すように、デジタル携帯電話機
などにおいて、第１のポートＰ１からの高周波信号を、
第２のポートＰ２及び第３のポートＰ３に分配、あるい
は、第２のポートＰ２及び第３のポートＰ３からの高周
波信号を、第１のポートＰ１に結合するために用いられ
る。2. Description of the Related Art Generally, as shown in FIG. 4, a high-frequency component 1 for distributing and coupling a high-frequency signal, as shown in FIG.
It is used for distribution to the second port P2 and the third port P3, or for coupling the high frequency signal from the second port P2 and the third port P3 to the first port P1.
【０００３】ところで、上記の３ポート型高周波部品と
しては、一般的に、ピンダイオードスイッチあるいはガ
リウムひ素（ＧａＡｓ）半導体スイッチが知られてい
る。By the way, a pin diode switch or a gallium arsenide (GaAs) semiconductor switch is generally known as the above three-port type high frequency component.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ピンダイオードスイッチを用いた場合には、ディスクリ
ート部品を多く使用するため、小形化が困難であった。
また、基板上にチョークコイル、ストリップラインの引
き回しが必要となり、この面からも小形化が困難であっ
た。However, when the conventional pin diode switch is used, it is difficult to reduce the size because many discrete parts are used.
Further, it is necessary to route the choke coil and the strip line on the substrate, and it is difficult to make the device compact from this point of view.
【０００５】一方、従来のＧａＡｓ半導体スイッチを用
いた場合には、スイッチング用の負電源及びその電源用
配線が必要となるため、小形化が困難であった。また、
消費電力が大きく、スイッチを経由する際の損失が大き
いという問題点もあった。On the other hand, when the conventional GaAs semiconductor switch is used, it is difficult to miniaturize it because a negative power supply for switching and a wiring for the power supply are required. Also,
There is also a problem that the power consumption is large and the loss when passing through the switch is large.
【０００６】本発明の目的は、このような問題点を解消
するためになされたものであり、構成部品点数を低減で
き、かつスイッチング電源を設ける必要のない高周波部
品を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a high frequency component which can reduce the number of constituent components and which does not require a switching power supply.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明は、第１乃至第３のポートを有する高周波
部品であって、前記第１ポートと前記第２のポートとの
間に、分布定数線路からなる第１の移相器を接続し、該
第１の移相器と前記第２のポートの接続点と、基準電位
との間に、分布定数線路及びコンデンサの直列回路から
なる第１の直列共振器を接続し、前記第１ポートと前記
第３のポートとの間に、分布定数線路からなる第２の移
相器を接続し、該第２の移相器と前記第３のポートの接
続点と、基準電位との間に、分布定数線路及びコンデン
サの直列回路からなる第２の直列共振器を接続したこと
を特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is a high-frequency component having first to third ports, which is provided between the first port and the second port. , A first phase shifter composed of a distributed constant line is connected, and between the connection point of the first phase shifter and the second port and the reference potential, a series circuit of the distributed constant line and the capacitor is connected. And a second phase shifter formed of a distributed constant line is connected between the first port and the third port, and the second phase shifter and the second phase shifter are connected to each other. A second series resonator including a series circuit of a distributed constant line and a capacitor is connected between the connection point of the third port and the reference potential.
【０００８】また、前記第１の移相器と前記第２のポー
トの接続点と、基準電位との間に、前記第１の直列共振
器と並列に分布定数線路を接続したことを特徴とする。Further, a distributed constant line is connected in parallel with the first series resonator between a connection point between the first phase shifter and the second port and a reference potential. To do.
【０００９】また、前記第２の移相器と前記第３のポー
トの接続点と、基準電位との間に、前記第２の直列共振
器と並列にコンデンサを接続したことを特徴とする。Further, a capacitor is connected in parallel with the second series resonator between a connection point between the second phase shifter and the third port and a reference potential.
【００１０】本発明の高周波部品によれば、周波数が高
くなるにともない、コンデンサのインピーダンスは小さ
くなり、分布定数線路のインピーダンスは大きくなるた
め、共振周波数において、直列共振器のインピーダンス
はゼロになる。According to the high frequency component of the present invention, the impedance of the capacitor decreases and the impedance of the distributed constant line increases as the frequency increases, so that the impedance of the series resonator becomes zero at the resonance frequency.
【００１１】従って、遮断する高周波信号の共振周波数
において、並列共振器のインピーダンスが無限大、ある
いは直列共振器のインピーダンスがゼロとなるように、
コンデンサ及び分布定数線路の値を設定することによ
り、第１のポートＰ１からの高周波信号を第２のポート
Ｐ２及び第３のポートＰ３に分配する分配器、あるい
は、第２のポートＰ２及び第３のポートＰ３からの高周
波信号を第１のポートＰ１に結合する結合器を実現する
ことができる。Therefore, at the resonance frequency of the high frequency signal to be cut off, the impedance of the parallel resonator becomes infinite or the impedance of the series resonator becomes zero.
By setting the values of the capacitor and the distributed constant line, a distributor for distributing the high frequency signal from the first port P1 to the second port P2 and the third port P3, or the second port P2 and the third port P3. It is possible to realize a coupler that couples the high-frequency signal from the port P3 of the first port P1 to the first port P1.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は、本発明に係る高周波部品の一
実施例の回路図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a high frequency component according to the present invention.
【００１３】高周波部品１０は、第１〜第３のポートＰ
１〜Ｐ３を有し、第１のポートＰ１からの高周波信号を
第２のポートＰ２及び第３のポートＰ３に分配、あるい
は、第２のポートＰ２及び第３のポートＰ３からの高周
波信号を第１のポートＰ１に結合する。そして、この高
周波部品１０は、例えば１つのチップ内部に構成され
る。The high frequency component 10 includes the first to third ports P.
1 to P3, the high frequency signal from the first port P1 is distributed to the second port P2 and the third port P3, or the high frequency signal from the second port P2 and the third port P3 is 1 port P1. The high-frequency component 10 is formed inside, for example, one chip.
【００１４】第１のポートＰ１と第２のポートＰ２の間
には、分布定数線路ＳＴＬ１からなる第１の移相器１１
が接続され、第１の移相器１１と第２のポートＰ２の接
続点Ａと基準電位、すなわち接地電位との間には、分布
定数線路ＳＴＬ２及びコンデンサＣ１が直列に接続され
てなる第１の直列共振器１２が接続されている。A first phase shifter 11 comprising a distributed constant line STL1 is provided between the first port P1 and the second port P2.
And a distributed constant line STL2 and a capacitor C1 are connected in series between a connection point A of the first phase shifter 11 and the second port P2 and a reference potential, that is, a ground potential. The series resonator 12 of is connected.
【００１５】また、第１のポートＰ１と第３のポートＰ
３の間には、分布定数線路ＳＴＬ３からなる第２の移相
器１３が接続され、第２の移相器１３と第３のポートＰ
３の接続点Ｂと接地電位との間には、分布定数線路ＳＴ
Ｌ４及びコンデンサＣ２が直列に接続されてなる第２の
直列共振器１４が接続されている。Further, the first port P1 and the third port P
A third phase shifter 13 including a distributed constant line STL3 is connected between the third and third lines, and the second phase shifter 13 and the third port P are connected.
Between the connection point B of 3 and the ground potential, the distributed constant line ST
A second series resonator 14 in which L4 and a capacitor C2 are connected in series is connected.
【００１６】このとき、分布定数線路ＳＴＬ１〜ＳＴＬ
４は、ストリップライン、マイクロストリップライン、
コプレーナガイドライン等で構成されている。At this time, the distributed constant lines STL1 to STL
4 is a strip line, a micro strip line,
It is composed of coplanar guidelines.
【００１７】次に、高周波部品１０の動作を説明する。
高周波分配器及び高周波結合器における各ポート間の動
作を表１に示す。Next, the operation of the high frequency component 10 will be described.
Table 1 shows the operation between each port in the high frequency distributor and the high frequency coupler.
【００１８】[0018]
【表１】 [Table 1]
【００１９】ここで、高周波分配器を実現する場合につ
いて、ＰＤＣ８００(Personal Digital Cellular 800：
800MHz帯) とＰＨＳ(Personal Handy-phone System：1.
9GHz帯) のデュアルバンド用として説明する。この際、
８００ＭＨｚの高周波信号は第２のポートＰ２へ分配さ
れ、１．９ＧＨｚの高周波信号は第３のポートＰ３へ分
配される。Here, in the case of realizing a high frequency distributor, a PDC 800 (Personal Digital Cellular 800:
800MHz band) and PHS (Personal Handy-phone System): 1.
Described as a dual band (9 GHz band). On this occasion,
A high frequency signal of 800 MHz is distributed to the second port P2, and a high frequency signal of 1.9 GHz is distributed to the third port P3.
【００２０】まず、周波数が高くなるにともない、コン
デンサＣ１、Ｃ２のインピーダンスは小さくなり、分布
定数線路ＳＴＬ１〜ＳＴＬ４のインピーダンスは大きく
なるため、共振周波数において、第１及び第２の直列共
振器１２、１４のインピーダンスはゼロになる。First, as the frequency increases, the impedances of the capacitors C1 and C2 decrease and the impedances of the distributed constant lines STL1 to STL4 increase. Therefore, at the resonance frequency, the first and second series resonators 12, The impedance of 14 becomes zero.
【００２１】従って、第１のポートＰ１と第２のポート
Ｐ２の間に、１．９ＧＨｚの共振周波数においてインピ
ーダンスが無限大となる第１の移相器１１及び第１の直
列共振器１２を、第１のポートＰ１と第２のポートＰ３
の間に、８００ＭＨｚの共振周波数においてインピーダ
ンスが無限大となる第２の移相器１３及び第２の直列共
振器１４を設けておくと、第１のポートＰ１から入力さ
れた８００ＭＨｚの高周波信号は第２のポートＰ２へ、
１．９ＧＨｚの高周波信号は第３のポートＰ３へそれぞ
れ分配される。Therefore, between the first port P1 and the second port P2, the first phase shifter 11 and the first series resonator 12 whose impedance becomes infinite at the resonance frequency of 1.9 GHz are provided. First port P1 and second port P3
If a second phase shifter 13 and a second series resonator 14 having an infinite impedance at a resonance frequency of 800 MHz are provided between the two, a high-frequency signal of 800 MHz input from the first port P1 is generated. To the second port P2,
A high frequency signal of 1.9 GHz is distributed to each of the third ports P3.
【００２２】次に、高周波結合器を実現する場合につい
て説明する。同様に、第１のポートＰ１と第２のポート
Ｐ２の間に、１．９ＧＨｚの共振周波数においてインピ
ーダンスが無限大となる第１の移相器１１及び第１の直
列共振器１２を、第１のポートＰ１と第３のポートＰ３
の間に、８００ＭＨｚの共振周波数においてインピーダ
ンスが無限大となる第２の移相器１３及び第２の直列共
振器１４を設けておく。Next, the case of realizing a high frequency coupler will be described. Similarly, between the first port P1 and the second port P2, the first phase shifter 11 and the first series resonator 12, which have infinite impedance at the resonance frequency of 1.9 GHz, are connected between the first port P1 and the second port P2. Port P1 and third port P3
In between, a second phase shifter 13 and a second series resonator 14 whose impedance becomes infinite at the resonance frequency of 800 MHz are provided.
【００２３】すると、第２のポートＰ２から入力された
８００ＭＨｚの高周波信号は第３のポートＰ３へ流れ
ず、第１のポートＰ１へ流れる。一方、第３のポートＰ
３から入力された１．９ＧＨｚの高周波信号は第２のポ
ートＰ２へ流れず、第１のポートＰ１へ流れる。従っ
て、第２のポートＰ２から入力された８００ＭＨｚの高
周波信号と、第３のポートＰ３から入力された１．９Ｇ
Ｈｚの高周波信号は、第１のポートＰ１で結合される。Then, the 800 MHz high frequency signal input from the second port P2 does not flow into the third port P3 but flows into the first port P1. On the other hand, the third port P
The high-frequency signal of 1.9 GHz input from 3 does not flow to the second port P2 but flows to the first port P1. Therefore, the 800 MHz high frequency signal input from the second port P2 and the 1.9G input from the third port P3.
The high frequency signal of Hz is combined at the first port P1.
【００２４】図２は、高周波部品１０を多層基板で構成
した場合の斜視図である。図に示すように、高周波部品
１０は、側面に第１〜第３のポートＰ１〜Ｐ３と、５つ
のグランド端子ＧＮＤを備えている。この際、具体的な
外形の寸法は、４ｍｍ（Ｌ）×５ｍｍ（Ｗ）×１．３ｍ
ｍ（Ｈ）である。FIG. 2 is a perspective view when the high frequency component 10 is composed of a multilayer substrate. As shown in the figure, the high frequency component 10 is provided with first to third ports P1 to P3 and five ground terminals GND on the side surface. At this time, the specific outer dimensions are 4 mm (L) x 5 mm (W) x 1.3 m.
m (H).
【００２５】また、図３は、高周波部品１０を構成する
各素子を多層基板中に内蔵した場合の高周波部品１０の
分解平面図である。図に示すように、高周波部品１０
は、複数の誘電体層１４ａ〜１４ｇを積層することによ
り形成される。Further, FIG. 3 is an exploded plan view of the high frequency component 10 when each element constituting the high frequency component 10 is built in a multilayer substrate. As shown in the figure, the high frequency component 10
Is formed by stacking a plurality of dielectric layers 14a to 14g.
【００２６】最上層の誘電体層１４ａは外層となる。こ
の際、高周波部品１０を構成する各素子は多層基板中に
内蔵されるため、誘電体層１４ａの表面には、ランドパ
ターンは存在しない。The uppermost dielectric layer 14a becomes an outer layer. At this time, since each element forming the high frequency component 10 is built in the multilayer substrate, no land pattern exists on the surface of the dielectric layer 14a.
【００２７】次いで、上から２層目の誘電体層１４ｂ上
には、コンデンサ電極１５ａ、１５ｂが形成され、上か
ら３層目の誘電体層１４ｃ上には、コンデンサ電極１６
ａ、１６ｂ及びグランド電極１７ａが形成される。この
際、コンデンサ電極１５ａとコンデンサ電極１６ａでコ
ンデンサＣ２（図１）を、コンデンサ電極１５ｂとコン
デンサ電極１６ｂでコンデンサＣ１（図１）を構成す
る。Next, the capacitor electrodes 15a and 15b are formed on the second dielectric layer 14b from the top, and the capacitor electrode 16 is formed on the third dielectric layer 14c from the top.
a, 16b and the ground electrode 17a are formed. At this time, the capacitor electrode 15a and the capacitor electrode 16a constitute the capacitor C2 (FIG. 1), and the capacitor electrode 15b and the capacitor electrode 16b constitute the capacitor C1 (FIG. 1).
【００２８】次いで、上から４層目の誘電体層１４ｄ上
には、分布定数線路ＳＴＬ２、ＳＴＬ４が形成され、上
から５層目の誘電体層１４ｅ上には、グランド電極１７
ｂが形成される。この際、分布定数線路ＳＴＬ２の一端
は、ビアホール１８ａを介してコンデンサ電極１５ｂ
と、他端は、ビアホール１８ｂを介してグランド電極１
７ａとも接続される。一方、分布定数線路ＳＴＬ４の一
端は、ビアホール１８ｃを介してコンデンサ電極１５ａ
と、他端は、ビアホール１８ｄを介してグランド電極１
７ａと接続される。Next, distributed constant lines STL2, STL4 are formed on the fourth dielectric layer 14d from the top, and the ground electrode 17 is formed on the fifth dielectric layer 14e from the top.
b is formed. At this time, one end of the distributed constant line STL2 is connected to the capacitor electrode 15b via the via hole 18a.
And the other end is connected to the ground electrode 1 via the via hole 18b.
7a is also connected. On the other hand, one end of the distributed constant line STL4 is connected to the capacitor electrode 15a via the via hole 18c.
And the other end is connected to the ground electrode 1 via the via hole 18d.
7a is connected.
【００２９】次いで、上から６層目の誘電体層１４ｆ上
には、分布定数線路ＳＴＬ１、ＳＴＬ３が形成され、上
から７層目の誘電体層１４ｇ上には、グランド電極１７
ｃが形成される。この際、分布定数線路ＳＴＬ１の一端
は、第１のポートＰ１に接続され、他端は、第２のポー
トＰ２に接続される。また、分布定数線路ＳＴＬ１の他
端は、ビアホール１８ｅを介してコンデンサ電極１６ｂ
とも接続される。一方、分布定数線路ＳＴＬ３の一端
は、第１のポートＰ１に接続され、他端は、第３のポー
トＰ３に接続される。また、分布定数線路ＳＴＬ３の他
端は、ビアホール１８ｆを介してコンデンサ電極１６ａ
とも接続される。Next, distributed constant lines STL1 and STL3 are formed on the sixth dielectric layer 14f from the top, and the ground electrode 17 is formed on the seventh dielectric layer 14g from the top.
c is formed. At this time, one end of the distributed constant line STL1 is connected to the first port P1 and the other end is connected to the second port P2. Further, the other end of the distributed constant line STL1 is connected to the capacitor electrode 16b via the via hole 18e.
Also connected. On the other hand, one end of the distributed constant line STL3 is connected to the first port P1 and the other end is connected to the third port P3. The other end of the distributed constant line STL3 is connected to the capacitor electrode 16a via the via hole 18f.
Also connected.
【００３０】以上のような構成で、図１に示す回路を有
する高周波部品１０が形成される。The high-frequency component 10 having the circuit shown in FIG. 1 is formed with the above-described structure.
【００３１】上記のように、本発明の実施例の高周波部
品によれば、３ポート型高周波部品を構成し、デュアル
バンド用の高周波分配器あるいは高周波結合器として用
いることができる。As described above, according to the high frequency component of the embodiment of the present invention, a three-port type high frequency component can be configured and used as a dual band high frequency distributor or a high frequency coupler.
【００３２】また、回路素子が、分布定数線路及びコン
デンサで構成されているため、スイッチング用の電源及
びその電源用配線が不要となる。さらに、全素子を多層
基板に内蔵することができる。従って、高周波部品の小
形化及び低コスト化が可能となる。Further, since the circuit element is composed of the distributed constant line and the capacitor, the power source for switching and the wiring for the power source are unnecessary. Further, all the elements can be built in the multilayer substrate. Therefore, it is possible to reduce the size and cost of the high-frequency component.
【００３３】さらに、ＧａＡｓ等からなる半導体スイッ
チを用いていないため、消費電力を無くし、損失を低減
することができる。Furthermore, since no semiconductor switch made of GaAs or the like is used, power consumption can be eliminated and loss can be reduced.
【００３４】次に、高周波部品１０の第１及び第２の変
形例につき説明する。図１に破線で示すように、第１の
変形例として、第１の移相器１１と第２のポートＰ２と
の接続点Ａと接地電位との間に、分布定数線路ＳＴＬ５
を接続してもよい。この場合には、分布定数線路ＳＴＬ
５が第１の直列共振器１２と並列に接続されるため、接
地電位への高周波信号の漏れを防止することができ、そ
れによって高周波部品１０の挿入損失を効果的に低減す
ることができる。Next, first and second modifications of the high frequency component 10 will be described. As shown by a broken line in FIG. 1, as a first modified example, the distributed constant line STL5 is provided between the connection point A between the first phase shifter 11 and the second port P2 and the ground potential.
May be connected. In this case, the distributed constant line STL
Since 5 is connected in parallel with the first series resonator 12, it is possible to prevent the leakage of the high frequency signal to the ground potential, thereby effectively reducing the insertion loss of the high frequency component 10.
【００３５】また、図１に破線で示すように、第２の変
形例として、第２の移相器１３と第３のポートＰ３との
接続点Ｂと接地電位との間に、コンデンサＣ３を接続し
てもよい。この場合には、コンデンサＣ３が第２の直列
共振器１４と並列に接続されるため、接地電位への高周
波信号の漏れを防止することができ、それによって高周
波部品１０の挿入損失を効果的に低減することができ
る。As shown by a broken line in FIG. 1, as a second modification, a capacitor C3 is provided between the connection point B between the second phase shifter 13 and the third port P3 and the ground potential. You may connect. In this case, since the capacitor C3 is connected in parallel with the second series resonator 14, it is possible to prevent the high-frequency signal from leaking to the ground potential, thereby effectively reducing the insertion loss of the high-frequency component 10. It can be reduced.
【００３６】なお、分布定数線路ＳＴＬ５、コンデンサ
Ｃ３は、いずれか一方を接続してもよいし、両方を接続
してもよい。Either one of the distributed constant line STL5 and the capacitor C3 may be connected, or both of them may be connected.
【００３７】[0037]
【発明の効果】請求項１の高周波部品によれば、デュア
ルバンド用の高周波分配器あるいは高周波結合器として
用いることができる。According to the high frequency component of the first aspect, it can be used as a high frequency distributor or a high frequency coupler for dual bands.
【００３８】また、回路素子が、分布定数線路及びコン
デンサで構成されているため、スイッチング用の電源及
びその電源用配線が不要となる。さらに、全素子を多層
基板に内蔵することができる。従って、高周波部品の小
形化及び低コスト化が可能となる。Further, since the circuit element is composed of the distributed constant line and the capacitor, the power supply for switching and the wiring for the power supply are unnecessary. Further, all the elements can be built in the multilayer substrate. Therefore, it is possible to reduce the size and cost of the high-frequency component.
【００３９】さらに、ＧａＡｓ等からなる半導体スイッ
チを用いていないため、消費電力を無くし、損失を低減
することができる。Furthermore, since no semiconductor switch made of GaAs or the like is used, power consumption can be eliminated and loss can be reduced.
【００４０】請求項２の高周波部品によれば、分布定数
線路を第１の直列共振器と並列に接続することにより、
接地電位への高周波信号の漏れを防止することができ、
それによって高周波部品の挿入損失を効果的に低減する
ことができる。According to the high frequency component of claim 2, by connecting the distributed constant line in parallel with the first series resonator,
It is possible to prevent leakage of high frequency signals to the ground potential,
Thereby, the insertion loss of the high frequency component can be effectively reduced.
【００４１】請求項３の高周波部品によれば、コンデン
サを第２の直列共振器と並列に接続することにより、接
地電位への高周波信号の漏れを防止することができ、そ
れによって高周波部品の挿入損失を効果的に低減するこ
とができる。According to the high frequency component of the third aspect, by connecting the capacitor in parallel with the second series resonator, it is possible to prevent leakage of the high frequency signal to the ground potential, thereby inserting the high frequency component. The loss can be effectively reduced.
【図１】本発明に係る高周波部品の一実施例の回路図で
ある。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a high frequency component according to the present invention.
【図２】図１の高周波部品の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the high frequency component shown in FIG.
【図３】図１の高周波部品の分解平面図である。FIG. 3 is an exploded plan view of the high-frequency device shown in FIG.
【図４】高周波部品の動作を示す概念図である。FIG. 4 is a conceptual diagram showing an operation of a high frequency component.
１０ 高周波部品 １１ 第１の移相器 １２ 第１の直列共振回路 １３ 第２の移相器 １４ 第２の直列共振回路 Ｃ１〜Ｃ３ コンデンサ ＳＴＬ１〜ＳＴＬ５ 分布定数線路 Ｐ１〜Ｐ３ ポート 10 High Frequency Components 11 First Phase Shifter 12 First Series Resonance Circuit 13 Second Phase Shifter 14 Second Series Resonance Circuit C1 to C3 Capacitors STL1 to STL5 Distributed Constant Lines P1 to P3 Ports
Claims (3)
品であって、 前記第１ポートと前記第２のポートとの間に、分布定数
線路からなる第１の移相器を接続し、 該第１の移相器と前記第２のポートの接続点と、基準電
位との間に、分布定数線路及びコンデンサの直列回路か
らなる第１の直列共振器を接続し、 前記第１ポートと前記第３のポートとの間に、分布定数
線路からなる第２の移相器を接続し、 該第２の移相器と前記第３のポートの接続点と、基準電
位との間に、分布定数線路及びコンデンサの直列回路か
らなる第２の直列共振器を接続したことを特徴とする高
周波部品。1. A high-frequency component having first to third ports, wherein a first phase shifter made of a distributed constant line is connected between the first port and the second port, A first series resonator including a series circuit of a distributed constant line and a capacitor is connected between a connection point between the first phase shifter and the second port and a reference potential, and the first port is connected to the first port. A second phase shifter composed of a distributed constant line is connected between the third port and the third port, and between the connection point of the second phase shifter and the third port and the reference potential, A high frequency component comprising a second series resonator connected to a series circuit of a distributed constant line and a capacitor.
接続点と、基準電位との間に、前記第１の直列共振器と
並列に分布定数線路を接続したことを特徴とする請求項
１に記載の高周波部品。2. A distributed constant line is connected in parallel with the first series resonator between a connection point between the first phase shifter and the second port and a reference potential. The high frequency component according to claim 1.
接続点と、基準電位との間に、前記第２の直列共振器と
並列にコンデンサを接続したことを特徴とする請求項１
あるいは請求項２に記載の高周波部品。3. A capacitor is connected in parallel with the second series resonator between a connection point between the second phase shifter and the third port and a reference potential. Item 1
Alternatively, the high frequency component according to claim 2.
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| SE9604408A SE9604408L (en) | 1995-11-30 | 1996-11-29 | high-frequency component |
| DE1996149683 DE19649683A1 (en) | 1995-11-30 | 1996-11-29 | High frequency component for mobile phone |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP7313074A JPH09153842A (en) | 1995-11-30 | 1995-11-30 | High frequency parts |
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| JPH09153842A true JPH09153842A (en) | 1997-06-10 |
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ID=18036886
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| DE (1) | DE19649683A1 (en) |
| SE (1) | SE9604408L (en) |
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| SE9604408L (en) | 1997-05-31 |
| DE19649683A1 (en) | 1997-06-05 |
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