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JPH09116127A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

Info

Publication number
JPH09116127A
JPH09116127A JP7275298A JP27529895A JPH09116127A JP H09116127 A JPH09116127 A JP H09116127A JP 7275298 A JP7275298 A JP 7275298A JP 27529895 A JP27529895 A JP 27529895A JP H09116127 A JPH09116127 A JP H09116127A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
layer
color filter
solid
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7275298A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Nishi
弘美 西
Kazuji Wada
和司 和田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP7275298A priority Critical patent/JPH09116127A/ja
Publication of JPH09116127A publication Critical patent/JPH09116127A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/151—Geometry or disposition of pixel elements, address lines or gate electrodes
    • H10F39/1515—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/156—CCD or CID colour image sensors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ホワイトバランスのすぐれたカラー固体撮像
装置を提供する。 【解決手段】 遮光層５の開口面積、遮光層５上の保護
層６の厚さ、およびオンチップマイクロレンズ９の形状
を、オンチップカラーフィルタ層８の各色に対応して異
ならしめ、光センサ部２への入射光量を制御する。 【効果】 従来オンチップカラーフィルタ層の染色濃度
条件に依存していた光センサ部への入射光量の制御が、
設計自由度の拡大により、正確に制御することが可能と
なる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像装置に関
し、さらに詳しくは、各色に対応する光センサ部への入
射光量バランスが高度に制御された、色再現性にすぐれ
たカラー固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ
Ｄｅｖｉｃｅ）をはじめとする固体撮像装置は、ビデ
オカメラやカメラ一体型ビデオテープレコーダ等に用い
るエリアセンサと、ファクシミリやバーコードリーダ等
に用いるラインセンサとに大別されるが、いずれも情報
化社会における電子の目として必要不可欠のデバイスと
なっている。ＣＣＤに対する小型化と高解像度化の要請
は高く、高集積化の進展にともない単位画素あたりの占
有面積は縮小され、同時にセンサ部の開口面積も縮小の
方向にある。
【０００３】かかるセンサ部の開口面積の縮小により、
センサ部に採り込まれる光量が不足し、Ｓ／Ｎ比を確保
するのに充分な光誘起電荷を発生させることが困難とな
ってきた。そこで、高集積度と高感度の両特性をともに
満たす要求に鑑みて採用されている構造がオンチップマ
イクロレンズである。オンチップマイクロレンズを採用
した単板式カラー固体撮像装置の画素部の垂直レジスタ
方向の概略断面図を、図６（ａ）を参照して説明する。
【０００４】シリコン等の半導体基板１上に第１層ポリ
シリコンゲート３および第２層ポリシリコンゲート４を
形成し、これらゲート電極をマスクとしてセルフアライ
ンでイオン注入および活性化熱処理等を施すことによ
り、光センサ部２を形成する。つぎに全面にアルミニウ
ム等の金属膜を堆積し、光センサ部２上部を開口して遮
光層５を形成する。遮光層の開口平面形状は一例として
１．５μｍ×２．５μｍの長方形である。この後Ｓｉ3
Ｎ4 等の保護層６を全面に均一厚さに形成し、さらに第
１層ポリシリコンゲート３および第２層ポリシリコンゲ
ート４により形成された段差を埋めるためにアクリル樹
脂やＳｉＯ2 等による平坦化層７を形成し、さらに各色
に対応したオンチップカラーフィルタ層８を形成する。
オンチップカラーフィルタ層８の各色の平面配列につい
ては後述する。この後光センサ部２上部に位置するよう
に、光センサ部２の平面形状より大面積のオンチップマ
イクロレンズ９を形成する。かかる構造により、オンチ
ップマイクロレンズ９への入射光はセンサ部２に集光さ
れ、入射光の利用効率を数倍以上に向上して固体撮像装
置のＳ／Ｎ比を確保することが可能となる。
【０００５】オンチップマイクロレンズ９の製造方法と
しては、本願出願人が先に出願した特開平１−１０６６
６号公報で開示したように、オンチップカラーフィルタ
層８上に有機高分子材料層を形成し、有機高分子材料層
上に選択的にレジストパターンを形成した後、熱処理を
加えてこのレジストパターンをリフローし、略球面の一
部をなす表面形状を有するリフローレジストパターンを
形成する。この段階でオンチップマイクロレンズの形状
は確定するのであるが、後に述べる理由によりリフロー
レジストパターンと有機高分子材料層をともに全面エッ
チバックし、リフローレジストパターンをエッチオフす
るとともにリフローレジストパターンの形状をオンチッ
プマイクロレンズ材料層である有機高分子材料層に転写
し、オンチップマイクロレンズ９を完成する。
【０００６】リフローレジストパターンを直接オンチッ
プマイクロレンズとして用いない理由は、下層のオンチ
ップカラーフィルタ層８を熱退色させない例えば１８０
℃以下でリフロー可能な性質と、後処理工程でワイアボ
ンディングや樹脂モールド工程時に加わる１５０℃程度
の温度では逆にリフローしない性質とを合わせ持つレジ
スト材料の選択が困難であることによる。また１５０℃
から１８０℃の狭い温度範囲でリフロー可能なレジスト
材料が選択できたとしても、温度管理の点から実際のプ
ロセスウィンドウが狭く、使用には困難が伴うことによ
る。そこで低温リフロー性に優れたレジスト材料と、耐
熱性や光学特性に優れた有機高分子材料層を個別に材料
選択して使用するのである。
【０００７】このように形成され形状にすぐれたオンチ
ップマイクロレンズ９の平面形状を図６（ｂ）に示す。
図６（ｂ）は被写体側からＣＣＤ固体撮像装置の表面に
形成されたオンチップマイクロレンズ９群を見たもので
あり、同図のＡ−Ａ断面が図６（ａ）に相当する。同図
に見られるように各オンチップマイクロレンズ９の平面
形状および断面形状は全て同一となるように形成され、
各色の光センサ部２への入射光量が一定となるように設
計されている。
【０００８】ところで、オンチップカラーフィルタ層８
は、原色系であればＲ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）
の組み合わせを、補色系であればＭｇ（マゼンタ）、Ｃ
ｙ（シアン）、Ｇ（緑）およびＹ（黄色）の組み合わせ
を構成単位とし、これを周期的に例えば市松模様に配列
した構成となっている。構成単位中の各色の配置は、フ
レーム読み出しあるいはフィールド読み出しのカラーコ
ーディングにより異なるが、本発明の主旨には直接関係
しないので詳細な記述は省略する。ＲＧＢ３原色系フィ
ールド読み出しの固体撮像装置のカラーコーディングに
ついては、例えば特公平５−７２７９６号公報に詳述さ
れている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】かかるオンチップカラ
ーフィルタ層を有する固体撮像装置においては、良好な
ホワイトバランスをとるためには、例えばＢのカラーフ
ィルタ層を透過して光センサに入射する光量、Ｇのカラ
ーフィルタ層を透過して光センサに入射する光量および
Ｒのカラーフィルタ層を透過して光センサに入射する光
量の割合を、ある一定の範囲内におさめる必要がある。
これを図５（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００１０】まず、Ｓｉ光電変換素子による光センサの
感度の分光感度特性は、図５（ａ）に示される。なお、
図５（ａ）に示した分光感度特性は、スミア防止等のた
めの赤外線カットフィルタ込みの特性である。
【００１１】一方カラーテレビジョンのカラー画像は、
図５（ｃ）に示すようにＢ：Ｇ：Ｒの各色のオンチップ
カラーフィルタ層搭載後の光センサ感度が、０．１１：
０．５９：０．３０の割合となるときに正確なホワイト
バランスが得られるように設計されている。そこで固体
撮像装置のオンチップカラーフィルタ層の各色のフィル
タ特性に例えば図５（ｂ）に示される光透過率特性を持
たせ、Ｓｉ光電変換素子による光センサの分光感度特性
と併せて、各色の光センサからの出力電圧が丁度０．１
１：０．５９：０．３０の割合となるように設計するの
である。各色の光センサからの出力電圧の割合がこの値
からある範囲以上外れた場合にはホワイトバランスが崩
れ、被写体の忠実な色再現は電気回路的な補正のみでは
困難となる。
【００１２】各色の光センサへの入射光量のバランスを
ある一定の範囲内におさめ、各色の光センサからの出力
電圧の割合を先述したような一定の値とする方法として
は、従来より例えばオンチップカラーフィルタ層の染色
条件により染色濃度を選択する方法が採られている。す
なわち、ゼラチン等を主体とする塗布膜へ各色染料を定
着する際の染料濃度や染色温度、染色時間等を制御して
図４（ｂ）に示すようにカラーフィルタ光透過率を制御
し、各色の透過光量バランスを確保するのである。しか
しながら、オンチップカラーフィルタ層の染色条件のみ
では、固体撮像装置の設計自由度が小さく、満足な結果
が得られない場合も発生する。
【００１３】本発明は上述した従来技術の問題点に鑑み
て提案するものであり、各色の光センサ部に入射する光
量のバランスを所望の一定範囲内に確実におさめ、色再
現性に優れた固体撮像装置を提供することをその課題と
する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、複数の光センサ部上に選択的に形成された開口部を
有する遮光層と、複数の光センサ部上および前記遮光層
上の全面に形成された保護層と、保護層上に形成された
平坦化層上に、前記複数の光センサ部に臨んで周期的に
形成された複数色のオンチップカラーフィルタ層と、オ
ンチップカラーフィルタ層上に形成されたオンチップマ
イクロレンズと、を具備する固体撮像装置であって、こ
れら遮光層、保護層およびオンチップマイクロレンズの
うちの少なくともいずれか１種は、オンチップカラーフ
ィルタ層の各色に対応して、光センサ部への入射光量を
異にすることを特徴とするものである。
【００１５】本発明の好ましい実施態様においては、オ
ンチップマイクロレンズの平面形状は、オンチップカラ
ーフィルタ層の各色に対応してその面積を異ならしめる
ことにより、その入射光量を異にすることを特徴とす
る。
【００１６】本発明の別の好ましい実施態様において
は、オンチップマイクロレンズの断面形状は、オンチッ
プカラーフィルタ層の各色に対応してその高さを異なら
しめることにより、その入射光量を異にすることを特徴
とする。
【００１７】本発明のさらに別の好ましい実施態様にお
いては、保護層の断面形状は、オンチップカラーフィル
タ層の各色に対応してその厚さを異ならしめることによ
り、その入射光量を異にすることを特徴とする。
【００１８】本発明のまた別の好ましい実施態様におい
ては、遮光層の平面形状は、オンチップカラーフィルタ
層の各色に対応してその開口面積を異ならしめることに
より、その入射光量を異にすることを特徴とする。
【００１９】従来の固体撮像装置においては、オンチッ
プマイクロレンズ、保護層および遮光層の形状は、いず
れも均一に形成することに主眼を置いて設計されてき
た。このためオンチップカラーフィルタ層の各色に対応
した光センサ部への入射光量の制御は、オンチップカラ
ーフィルタ層の染色濃度条件のみに依存し、このため必
ずしも充分な制御をおこなうことができなかった。
【００２０】本発明においては、これらいずれの実施態
様においても、オンチップカラーフィルタ層の各色に対
応して入射光量を制御するとが可能となり、固体撮像装
置の設計自由度が飛躍的に向上する。各実施態様は個別
に採用してもよく、複数を組み合わせてもよい。さらに
オンチップカラーフィルタ層の染色濃度を選択する方法
と組み合わせて使用することも可能である。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例につ
き、添付図面を参照して説明する。なお以下の実施の形
態例においては、従来技術の説明に供した図６中の構成
要素と同様の構成要素については同じ参照符号を付すも
のとする。
【００２２】実施の形態例１ 本実施の形態例は、オンチップマイクロレンズの平面形
状をオンチップカラーフィルタ層の各色に対応してその
面積を異ならしめた例であり、これを図１（ａ）〜
（ｂ）を参照して説明する。
【００２３】本実施の形態例による固体撮像装置の画素
部分の垂直レジスタ方向の概略断面図を図１（ａ）に、
そして被写体側からみた固体撮像装置の概略平面図を図
１（ｂ）に示す。図１（ｂ）のＡ−Ａ断面が図１（ａ）
に相当する。同図に見られるように、オンチップマイク
ロレンズ９の平面形状はＧのオンチップカラーフィルタ
層８に対応するものが最も大きく、ＲおよびＢのオンチ
ップカラーフィルタ層８に対応するものの順に小さくな
る。このようなオンチップマイクロレンズ９の形状は、
先述したオンチップマイクロレンズ形成用の有機高分子
材料層上に形成するレジストパターンの平面形状に大小
を持たせ、これをリフローすることにより容易に形成で
きる。
【００２４】かかるオンチップマイクロレンズ９の平面
形状の採用により、各オンチップカラーフィルタ層８に
対応したオンチップマイクロレンズ９の透過光量を異な
らしめて入射光量を制御することが可能となり、ホワイ
トバランスに優れた固体撮像装置を得ることができる。
【００２５】実施の形態例２ 本実施の形態例は、オンチップマイクロレンズの断面形
状をオンチップカラーフィルタ層の各色に対応してその
高さを異ならしめた例であり、これを図２（ａ）〜
（ｂ）を参照して説明する。
【００２６】本実施の形態例による固体撮像装置の垂直
レジスタ方向の概略断面図を図２（ａ）に、そして被写
体側からみた固体撮像装置の概略平面図を図２（ｂ）に
示す。図２（ｂ）のＡ−Ａ断面が図２（ａ）に相当す
る。同図に見られるように、オンチップマイクロレンズ
９の断面形状における高さは、例えばＧのオンチップカ
ラーフィルタ層８に対応するものが最も大きく、Ｒおよ
びＢのオンチップカラーフィルタ層８に対応するものの
順に小さくなる。このようなオンチップマイクロレンズ
９の形状は、先述したオンチップマイクロレンズ形成用
の有機高分子材料層上に形成するレジストパターンの厚
さに大小を持たせることにより容易に形成できる。
【００２７】その製造方法の１つとしては、レジストパ
ターン形成後にさらに上層レジスト膜を塗布し、厚さを
必要とするレジストパターン上にのみに上層レジストパ
ターンを残し、これらをともにリフローしてリフローレ
ジストパターンとし、これをエッチバックして有機高分
子材料層に転写すればよい。この際には上層のレジスト
膜塗布時に下層のレジストパターンとミキシングしない
ような配慮は当然必要であり、上層レジスト膜塗布液の
溶剤選択や、下層のレジスト膜のプリベーク条件の設定
等を適宜おこなう。また他の製造方法としては、均一な
厚さのリフローレジストパターンを形成後、さらに上層
レジスト膜を塗布し、厚さを必要とするリフローレジス
トパターン上にのみに上層レジストパターンを残し、こ
の上層レジストパターンをリフローする２段階リフロー
法によってもよい。この後全面エッチバックしてオンチ
ップマイクロレンズ材料層である有機高分子材料層にリ
フローレジストパターン形状を転写する。
【００２８】かかるオンチップマイクロレンズ９の断面
形状の採用により、各オンチップカラーフィルタ層８に
対応してオンチップマイクロレンズ９の透過光量を異な
らしめて入射光量を制御することが容易に可能となり、
ホワイトバランスに優れた固体撮像装置を得ることがで
きる。
【００２９】実施の形態例３ 本実施の形態例は、光センサ上の保護層の厚さを各色に
対応して異ならしめた例であり、これを図３を参照して
説明する。
【００３０】本実施の形態例による固体撮像装置の画素
部分の垂直レジスタ方向の概略断面図を図３に示す。同
図に見られるように、光センサ２上の保護層６の厚さは
Ｇのオンチップカラーフィルタ層８に対応するものが最
も薄く、ＲおよびＢのオンチップカラーフィルタ層に対
応するものの順に厚くなる。このような保護層６の厚さ
制御は、Ｓｉ3 Ｎ4 等よりなる保護層６を厚く形成し、
薄くしたい光センサ上部分の保護層６を選択的にエッチ
ングすることにより容易に形成できる。エッチングは、
ウェットエッチングあるいはプラズマエッチングのいず
れでもよい。
【００３１】かかる保護層６の厚さ制御により、各保護
層６の透過光の多重干渉モード等を異ならしめて光セン
サ部への入射光量を制御することが可能となり、ホワイ
トバランスに優れた固体撮像装置を得ることができる。
【００３２】実施の形態例４ 本実施の形態例は、遮光層の平面形状をオンチップカラ
ーフィルタ層の各色に対応してその開口面積を異ならし
めた例であり、これを図４（ａ）〜（ｄ）を参照して説
明する。
【００３３】本実施の形態例による固体撮像装置の、画
素部の垂直レジスタ方向の概略断面図を図４（ａ）に、
そして被写体側からみた固体撮像装置の概略平面図を図
４（ｂ）〜（ｄ）に示す。図４（ｂ）のＢ−Ｂ断面が図
４（ａ）に相当する。同図に見られるように、遮光層５
の開口面積は例えばＧのオンチップカラーフィルタ層に
対応するものが最も大きく、ＲおよびＢのオンチップカ
ラーフィルタ層に対応するものの順に小さくなる。図４
（ｂ）は垂直方向の開口幅を異ならしめた例、図４
（ｃ）は水平方向の開口幅を異ならしめた例、図４
（ｄ）は垂直および水平両方向の開口幅を異ならしめた
例である。これら開口形状の設計は、光センサ部やポリ
シリコンゲート等の下層構造に応じて適宜選択する。
【００３４】かかる遮光層の平面形状は、遮光層パター
ニング用のレジストパターン露光用マスクの設計により
容易に実現できる。このような遮光層の開口面積の制御
によっても、各遮光層の透過光量を異ならしめるて光セ
ンサ部への入射光量を制御することが可能となり、ホワ
イトバランスに優れた固体撮像装置を得ることができ
る。
【００３５】以上本発明を４例の形態例を用いて説明し
たが、本発明はこれら態様例に何ら限定されるものでは
ない。上述した実施の形態例は全て原色系のオンチップ
カラーフィルタ層の例で説明したが、補色系のオンチッ
プカラーフィルタ層であっても同様に本発明を適用でき
る。
【００３６】また、遮光層、保護層およびオンチップマ
イクロレンズの個々につきその光透過量を異にする他
に、これらを複数組み合わせて光透過量を異ならしめ、
光センサ部への入射光量を制御してもよい。このように
固体撮像装置の設計の自由度を大幅に拡大することによ
り、より優れたホワイトバランスを有する固体撮像装置
構造を得ることが可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の固体撮像装置によれば、各色の光センサ部に入射する
光量のバランスを所望の一定範囲内に確実におさめ、色
再現性に優れた固体撮像装置を提供することが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した実施例１の固体撮像装置を示
し、（ａ）は画素部分の垂直レジスタ方向の概略断面図
であり、（ｂ）は被写体側からみた固体撮像装置の概略
平面図であり、オンチップマイクロレンズ群のレイアウ
トを示す図である。
【図２】本発明を適用した実施例２の固体撮像装置を示
し、（ａ）は画素部分の垂直レジスタ方向の概略断面図
であり、（ｂ）は被写体側からみた固体撮像装置の概略
平面図であり、オンチップマイクロレンズ群のレイアウ
トを示す図である。
【図３】本発明を適用した実施例３の固体撮像装置の画
素部分の垂直レジスタ方向の概略断面図である。
【図４】本発明を適用した実施例４の固体撮像装置を示
し、（ａ）は画素部分の垂直レジスタ方向の概略断面図
であり、（ｂ）〜（ｄ）はそれぞれ遮光層の概略平面図
である。
【図５】分光特性を示すグラフであり、（ａ）はＳｉ光
センサ感度の分光特性を、（ｂ）は各色のオンチップカ
ラーフィルタ層の光透過率を、（ｃ）はオンチップカラ
ーフィルタ層搭載後のＳｉ光センサ感度をそれぞれ示
す。
【図６】従来の固体撮像装置を示し、（ａ）は画素部分
の垂直レジスタ方向の概略断面図であり、（ｂ）は被写
体側からみた固体撮像装置の概略平面図であり、オンチ
ップマイクロレンズ群のレイアウトを示す図である。
【符号の説明】
１ 半導体基板 ２ 光センサ部 ３ 第１層ポリシリコンゲート ４ 第２層ポリシリコンゲート ５ 遮光層 ６ 保護層 ７ 平坦化層 ８ オンチップカラーフィルタ層 ９ オンチップマイクロレンズ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の光センサ部上に選択的に形成され
    た開口部を有する遮光層と、 前記複数の光センサ部上および前記遮光層上の全面に形
    成された保護層と、 前記保護層上に形成された平坦化層上に、前記複数の光
    センサ部に臨んで周期的に形成された複数色のオンチッ
    プカラーフィルタ層と、 前記オンチップカラーフィルタ層上に形成されたオンチ
    ップマイクロレンズと、 を具備する固体撮像装置であって、 前記遮光層、前記保護層および前記オンチップマイクロ
    レンズのうちの少なくともいずれか１種は、 前記オンチップカラーフィルタ層の各色に対応して、前
    記光センサ部への入射光量を異にする構造であることを
    特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項２】 オンチップマイクロレンズの平面形状
    は、オンチップカラーフィルタ層の各色に対応してその
    面積を異ならしめることにより、前記入射光量を異にす
    ることを特徴とする、請求項１記載の固体撮像装置。
  3. 【請求項３】 オンチップマイクロレンズの断面形状
    は、オンチップカラーフィルタ層の各色に対応してその
    高さを異ならしめることにより、前記入射光量を異にす
    ることを特徴とする、請求項１記載の固体撮像装置。
  4. 【請求項４】 保護層の断面形状は、オンチップカラー
    フィルタ層の各色に対応してその厚さを異ならしめるこ
    とにより、前記入射光量を異にすることを特徴とする、
    請求項１記載の固体撮像装置。
  5. 【請求項５】 遮光層の平面形状は、オンチップカラー
    フィルタ層の各色に対応してその開口面積を異ならしめ
    ることにより、前記入射光量を異にすることを特徴とす
    る、請求項１記載の固体撮像装置。
JP7275298A 1995-10-24 1995-10-24 固体撮像装置 Pending JPH09116127A (ja)

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JP7275298A JPH09116127A (ja) 1995-10-24 1995-10-24 固体撮像装置

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JP7275298A JPH09116127A (ja) 1995-10-24 1995-10-24 固体撮像装置

Publications (1)

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JPH09116127A true JPH09116127A (ja) 1997-05-02

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ID=17553489

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