[go: up one dir, main page]

JPH09107011A - Semiconductor device and aligning method thereof - Google Patents

Semiconductor device and aligning method thereof

Info

Publication number
JPH09107011A
JPH09107011A JP26290395A JP26290395A JPH09107011A JP H09107011 A JPH09107011 A JP H09107011A JP 26290395 A JP26290395 A JP 26290395A JP 26290395 A JP26290395 A JP 26290395A JP H09107011 A JPH09107011 A JP H09107011A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
semiconductor device
pad
probe
pads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26290395A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masami Mori
雅美 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP26290395A priority Critical patent/JPH09107011A/en
Publication of JPH09107011A publication Critical patent/JPH09107011A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/0601Structure
    • H01L2224/0603Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302Disposition
    • H01L2224/13026Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad, of the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/13028Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad, of the semiconductor or solid-state body the bump connector being disposed on at least two separate bonding areas, e.g. bond pads

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aligning method which is capable of easily judging not only whether a semiconductor device is accurately aligned with a test probe but also the extent of positional deviation (direction and distance) of the semiconductor device when it gets out of alignment. SOLUTION: A dedicated alignment pad 4 which is different from a pad 3 that serves as a usual input/output terminal or a power supply terminal is provided on at least two out of the four corners of a semiconductor device substrate 2 respectively and composed of a center pad A and peripheral pads B to E concentrically arranged surrounding the center pad A, wherein grounding resistors RA to RE are connected to the center pad A and the peripheral pads B to E respectievly, and the resistors RA to RE are set different from each other in resistance.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば半導体装
置の電気的な試験を実施するような場合に、テスタに装
着されるプローブ(探針)に対して半導体装置の入出力端
子や電源端子となるパッドが良好に接触するように容易
に位置合わせできるようにした半導体装置、およびその
半導体装置の位置合わせ方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an input / output terminal and a power supply terminal of a semiconductor device with respect to a probe (probe) attached to a tester when, for example, conducting an electrical test of the semiconductor device. The present invention relates to a semiconductor device that can be easily aligned so that the pads are in good contact with each other, and a method for aligning the semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、LSIチップなどの半導体装
置の製造途中のウェハ段階で電気的な特性の確認試験を
実施する場合には、半導体装置に設けられた入出力端子
や電源端子となるパッドに試験用のプローブを接触さ
せ、この状態でテスタから各種試験に応じた信号をプロ
ーブを介して半導体装置に供給する。そして、半導体装
置は、供給された入力信号や電源に応じて動作し、その
出力信号が再びテスタに取り込むことで、この半導体装
置の特性の良否を判定する。
2. Description of the Related Art For example, when conducting a test for confirming electrical characteristics at a wafer stage in the process of manufacturing a semiconductor device such as an LSI chip, pads for an input / output terminal and a power supply terminal provided in the semiconductor device are used. A test probe is brought into contact, and in this state, signals corresponding to various tests are supplied from the tester to the semiconductor device via the probe. Then, the semiconductor device operates according to the supplied input signal or power supply, and the output signal is captured again in the tester to determine the quality of the characteristics of the semiconductor device.

【0003】したがって、このような試験を実施する上
では、半導体装置のパッドにプローブが良好に接触する
ように事前に位置合わせを行うことが必要となる。
Therefore, in carrying out such a test, it is necessary to carry out alignment in advance so that the probe is in good contact with the pad of the semiconductor device.

【0004】ところで、従来技術では、顕微鏡で半導体
装置とプローブとを観察しつつ、半導体装置の全パッド
に各プローブが良好に接触するように位置の調整をして
いる。
By the way, in the prior art, while observing the semiconductor device and the probe with a microscope, the position is adjusted so that each probe is in good contact with all pads of the semiconductor device.

【0005】しかしながら、近年のように、半導体装置
の端子の多ピン化、狭ピッチ化が進行する状況下では、
プローブと半導体装置の各パッドとを目視で正確に位置
合わせするには、多大の労力を要する。特に、液晶ドラ
イバなどで採用されている細長(縦横の長さが1:10
のような特殊な形状)のチップでは、そのチップが右回
りあるいは左回りに傾斜した状態でずれていると、目視
での位置合わせが極めて困難となる。
However, under the circumstances where the number of pins of a semiconductor device is increasing and the pitch is narrowing as in recent years,
A great deal of labor is required to visually and accurately align the probe and each pad of the semiconductor device. In particular, it has a long and narrow shape (vertical and horizontal lengths are 1:10
With a chip having a special shape such as the above, if the chip is tilted clockwise or counterclockwise, it becomes extremely difficult to perform visual alignment.

【0006】そのような位置合わせに要する労力を軽減
するための対策として、たとえば、画像処理によって半
導体装置のパッドとプローブとの位置ずれ量を抽出し、
その位置ずれ量をフィードバック制御することで、自動
的に位置合わせを行うようにすることが考えられる。
As a measure for reducing the labor required for such alignment, for example, the amount of positional deviation between the pad of the semiconductor device and the probe is extracted by image processing,
It is conceivable that the position is automatically adjusted by performing feedback control on the position shift amount.

【0007】しかしながら、このような画像処理に基づ
く位置合わせの自動化を行うには、新たにモニタカメラ
や画像処理用のプログラムを実行するマイクロコンピュ
ータ等を導入する必要があり、設備投資が多くなってコ
ストアップとなる。
However, in order to automate the alignment based on such image processing, it is necessary to newly install a monitor camera, a microcomputer which executes a program for image processing, and the like, resulting in a large capital investment. The cost will increase.

【0008】一方、従来技術では、過大なコストアップ
を招来することなく、比較的簡単な構成でもって、プロ
ーブが半導体装置のパッドに正確に接触しているか否か
を判断できるようにした装置も提案されている(たとえ
ば、特開平1−129432号公報参照)。
On the other hand, in the prior art, there is also an apparatus which can judge whether or not the probe is accurately in contact with the pad of the semiconductor device with a relatively simple structure without causing an excessive increase in cost. It has been proposed (see, for example, JP-A-1-129432).

【0009】すなわち、この従来技術では、図7に示す
ように、半導体装置としてたとえばLSIチップを製作
する場合には、そのチップaの入出力端子や電源端子と
なるパッドbとは別個に、基板cの4隅にそれぞれアライ
メント用パッドe1〜e4を形成し、左右の各パッドe1
e2、e3とe4の間を配線パターンfを介して互いに接続し
ている。
That is, in this prior art, as shown in FIG. 7, when a semiconductor device, for example, an LSI chip is manufactured, the substrate a is separately provided from the pads b serving as the input / output terminals and power supply terminals of the chip a. Alignment pads e 1 to e 4 are formed at the four corners of c, and the left and right pads e 1 to
e 2 , e 3 and e 4 are connected to each other via a wiring pattern f.

【0010】また、テスタに装着されるプローブカード
には、各アライメント用パッドe1〜e4に接触させるため
の左右各々一対のアライメント用プローブg1〜g4を別個
に設け、左側の一対のアライメント用プローブg1,g3
にはモニタ回路hを接続し、右側の一対のアライメント
用プローブg2,g4間を外部配線iで互いに接続する。
Further, a pair of alignment probes g 1 to g 4 for contacting the respective alignment pads e 1 to e 4 are separately provided on the probe card mounted on the tester, and a pair of left side pair of alignment probes g 1 to g 4 are provided. A monitor circuit h is connected between the alignment probes g 1 and g 3 , and the pair of right alignment probes g 2 and g 4 are connected to each other by an external wiring i.

【0011】テスタでチップaの各種特性を試験する場
合には、予め、モニタ回路hによって左側のアライメン
ト用パッドe1,e3間の抵抗値を測定する。
When testing various characteristics of the chip a with a tester, the resistance value between the left alignment pads e 1 and e 3 is measured by the monitor circuit h in advance.

【0012】ここで、図示のようにチップaの位置合わ
せが正確に行われている場合には、アライメント用プロ
ーブg1〜g4が全てのアライメント用パッドe1〜e4に接触
することになり、閉回路がモニタ回路hを介して構成さ
れるため、モニタ回路hで検出される抵抗値は小さな値
を示す。
[0012] Here, if the alignment of the chip a, as shown is being carried out correctly is that the alignment probe g 1 to g 4 is in contact with all of the alignment pad e 1 to e 4 Therefore, since the closed circuit is configured via the monitor circuit h, the resistance value detected by the monitor circuit h shows a small value.

【0013】これに対して、アライメント用プローブg1
〜g4の内の一つでもアライメント用パッドe1〜e4から外
れている場合には、オープン状態となり、モニタ回路h
で検出される抵抗値は非常に大きな値、あるいは無限大
の値を示すので、チップaの位置合わせが不良であると
判断することができる。
On the other hand, the alignment probe g 1
If even one of the to g 4 are out of alignment pads e 1 to e 4 becomes an open state, monitor circuit h
Since the resistance value detected by means a very large value or an infinite value, it can be judged that the alignment of the chip a is defective.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7に
示す従来技術では、半導体装置がテスタに対して正確に
位置合わせができているか否かの判断はできるものの、
両者に位置ずれが生じている場合には、方向的および距
離的にどの程度の位置ずれがあるのかを把握することが
できない。つまり、従来は、位置合わせの良否について
の二者択一的な判断ができるだけであり、どの方向にど
れだけの距離ずれているかという位置ずれの程度までは
判断することができない。
However, in the prior art shown in FIG. 7, although it is possible to judge whether the semiconductor device is accurately aligned with the tester,
When the two are misaligned, it is not possible to grasp how much the misalignment is directionally and distanceally. In other words, conventionally, it is only possible to make an alternative decision as to whether or not the alignment is good, but it is not possible to make a decision as to the extent of the misalignment in which direction and how much the distance is misaligned.

【0015】また、プローブがパッドに接触した際に生
じるパッド上の痕跡によって位置ずれの程度を判断しよ
うとした場合でも、既に一度試験を実施したためにプロ
ーブの痕跡があるパッドについては、今回、新たに試験
したために発生した痕跡との区別がつかなくなるので、
位置ずれの程度を把握するのが困難となる。
Further, even when it is attempted to determine the degree of displacement by the trace on the pad generated when the probe comes into contact with the pad, the pad having the trace of the probe because it has already been tested once is newly added this time. Since it can not be distinguished from the traces generated by the test
It is difficult to understand the degree of misalignment.

【0016】このため、位置ずれが生じていると判断し
た場合には、結局、目視によって再度位置合わせを行わ
ねばならず、従来の場合と同様に調整に多くの労力を費
やすことになる。
For this reason, when it is determined that the positional deviation has occurred, after all, the positional adjustment must be performed again by visual observation, and much labor is spent on the adjustment as in the conventional case.

【0017】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、半導体装置が試験用のプローブに対し
て正確に位置合わせができているか否かの判断を容易に
行えるだけでなく、位置ずれが生じている場合には、そ
の位置ずれの程度(方向および距離)も容易に認識できる
ようにして、コストアップを殊更招来することなく、従
来よりも簡単に位置合わせが行えるようにすることを課
題とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and not only can easily determine whether the semiconductor device is accurately aligned with the test probe, but also If there is a positional deviation, the degree of the positional deviation (direction and distance) can be easily recognized, so that the positioning can be performed more easily than before without further increasing the cost. The task is to do.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため、次の構成を採用した。
The present invention adopts the following constitution in order to solve the above problems.

【0019】すなわち、請求項1記載の発明では、半導
体装置基板の少なくとも2隅に、通常の入出力端子や電
源端子となるパッドとは別個に専用のアライメント用パ
ッドが形成されており、これらの各アライメント用パッ
ドは、中心パッドとその中心パッドを囲んで同心状に配
置された複数の外周パッドとからなり、前記中心パッド
と外周パッドとはそれぞれ接地抵抗に接続され、かつ、
各接地抵抗は互いに異なる抵抗値をもつように設定され
ている。
That is, according to the first aspect of the present invention, dedicated alignment pads are formed at least at two corners of the semiconductor device substrate separately from the pads that are used as normal input / output terminals and power supply terminals. Each alignment pad is composed of a center pad and a plurality of peripheral pads arranged concentrically around the center pad, and the center pad and the peripheral pad are respectively connected to a ground resistance, and
The ground resistances are set to have different resistance values.

【0020】また、請求項2記載の発明では、請求項1
記載の構成において、中心パッドに接続されている接地
抵抗は、その抵抗値が最小になるように設定されてい
る。
According to the second aspect of the invention, the first aspect is
In the configuration described, the ground resistance connected to the center pad is set so that its resistance value is minimized.

【0021】請求項3記載の発明では、請求項1または
請求項2記載の半導体装置の前記アライメント用パッド
に対応して、アライメント用プローブを設け、このアラ
イメント用プローブを半導体装置に接触させた状態で通
電し、その際に生じる電圧値の検出出力に基づいて半導
体装置の位置ずれの程度を判断して、半導体装置の位置
合わせを行うようにしている。
According to a third aspect of the present invention, an alignment probe is provided corresponding to the alignment pad of the semiconductor device according to the first or second aspect, and the alignment probe is brought into contact with the semiconductor device. The semiconductor device is aligned by determining the degree of positional deviation of the semiconductor device based on the detected output of the voltage value generated at that time.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】この実施形態においては、半導体
装置としてLSIチップを対象とした場合を例にとって
説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In this embodiment, a case where an LSI chip is used as a semiconductor device will be described as an example.

【0023】図1はこの実施形態におけるLSIチップ
の平面図、図2は図1の符号Xで示す部分を拡大した平
面図である。
FIG. 1 is a plan view of an LSI chip according to this embodiment, and FIG. 2 is an enlarged plan view of a portion indicated by reference numeral X in FIG.

【0024】このLSIチップ1には、その基板2の4
隅に、通常の入出力端子や電源端子となるパッド3とは
別個に、専用のアライメント用パッド4が形成されてい
る。なお、これらの各アライメント用パッド4は、上記
の通常の入出力端子や電源端子となるパッド3を形成す
る工程で同時に形成される。
This LSI chip 1 has four substrates 2
In the corner, a dedicated alignment pad 4 is formed separately from the pad 3 which is a normal input / output terminal or a power supply terminal. It should be noted that these alignment pads 4 are formed at the same time in the process of forming the pads 3 serving as the above-mentioned normal input / output terminals and power supply terminals.

【0025】本例のように、基板2の4隅にアライメン
ト用パッド4を形成した場合には、後述のように、LS
Iチップ1の位置ずれの方向および距離を特定する上で
精度が高まり有利であるが、これに限定されるものでは
ない。たとえば、最低限として、基板2の対角線上の2
隅にアライメント用パッド4を形成しておけば、位置ず
れの程度(方向および距離)を知ることができる。
When the alignment pads 4 are formed at the four corners of the substrate 2 as in this example, the LS is set as described later.
This is advantageous in that the accuracy and accuracy are increased in identifying the direction and distance of the displacement of the I-chip 1, but the present invention is not limited to this. For example, as a minimum, 2 on the diagonal of substrate 2
If the alignment pads 4 are formed in the corners, the degree of positional deviation (direction and distance) can be known.

【0026】上記の各アライメント用パッド4は、共に
同じ形状をしていて、本例では中心パッドAとその中心
パッドAを囲んで同心状に均等に4分割して配置された
円弧状の外周パッドB,C,D,Eとからなる。
Each of the above-mentioned alignment pads 4 has the same shape, and in this example, the center pad A and the arc-shaped outer periphery which is concentrically surrounded by the center pad A and is equally divided into four parts are arranged. It comprises pads B, C, D and E.

【0027】そして、中心パッドAの直径l3は、通常の
入出力端子や電源端子となるパッド3に接触するプロー
ブの先端径と同じ大きさに設定されており、また、中心
パッドAと外周パッドB〜E間の距離l1については、通
常の入出力端子や電源端子となるパッド3間の距離l2
考慮して、目標精度に応じて適宜、最適値に設定され
る。
The diameter l 3 of the center pad A is set to the same size as the tip diameter of the probe that comes into contact with the pad 3 that is a normal input / output terminal or power supply terminal. The distance l 1 between the pads B to E is appropriately set to an optimum value in consideration of the distance l 2 between the pads 3 which are normal input / output terminals and power supply terminals, depending on the target accuracy.

【0028】さらに、このLSIチップ1には、その基
板2上に接地抵抗RA〜REが形成されている。これらの
各接地抵抗RA〜REは、LSIチップ1を構成する他の
回路素子を形成する際に同じ工程で製作されるものであ
って、これらの接地抵抗RA〜REが上記の中心パッドA
および外周パッドB,C,D,Eに個別に接続されてい
る。しかも、各接地抵抗RA〜REの抵抗値は、各パッド
A〜Eごとに互いに異なるように設定されている。特
に、中心パッドAに接続されている抵抗RAは、位置合
わせ精度を高めるためにその抵抗値が最小になるように
設定される。
Further, the LSI chip 1 has ground resistors R A to R E formed on the substrate 2. These ground resistances R A to R E are manufactured in the same process when forming other circuit elements constituting the LSI chip 1, and these ground resistances R A to R E are the same as those described above. Center pad A
And peripheral pads B, C, D and E are individually connected. Moreover, the resistance values of the ground resistors R A to R E are set to be different for each pad A to E. In particular, the resistance R A connected to the center pad A is set so that its resistance value is minimized in order to improve the alignment accuracy.

【0029】たとえば、各パッドに接続された各抵抗R
A〜REの値を同じ符号RA〜REとして表現したとき、R
A=1KΩ、RB=10KΩ、RC=20KΩ、RD=30
KΩ、RE=40KΩにそれぞれ設定される。
For example, each resistor R connected to each pad
When representing the value of A to R E as the same reference numerals R A ~R E, R
A = 1 KΩ, R B = 10 KΩ, R C = 20 KΩ, R D = 30
KΩ and R E = 40 KΩ are set, respectively.

【0030】次に、このLSIチップ1の各パッド3を
プローブに位置合わせする場合の手順について説明す
る。
Next, a procedure for aligning each pad 3 of the LSI chip 1 with the probe will be described.

【0031】図3および図4は、実際にプローブ10,
12とLSIチップ1との接触状態を示すものである。
3 and 4 show that the probe 10,
12 shows a contact state between the LSI chip 1 and the LSI chip 1.

【0032】すなわち、これらの図において、(1)はチ
ップに対してプローブが上にずれている状態、(2)はチ
ップに対してプローブが下側にずれている状態、(3)は
チップに対してプローブが左側にずれている状態、(4)
はチップに対してプローブが右側にずれている状態、
(5)はチップに対してプローブが左回りにずれている状
態、(6)はチップに対してプローブが右回りにずれてい
る状態、(7)はチップに対してプローブが右回りに(6)
の場合よりも極端にずれている状態をそれぞれ示してい
る。
That is, in these drawings, (1) shows a state where the probe is displaced upward with respect to the chip, (2) shows a state where the probe is displaced downward with respect to the chip, and (3) shows a state where the probe is displaced. The probe is displaced to the left with respect to (4)
Is the state where the probe is displaced to the right with respect to the chip,
(5) is a state where the probe is shifted counterclockwise with respect to the chip, (6) is a state where the probe is displaced clockwise with respect to the chip, and (7) is a state where the probe is clockwise rotated with respect to the chip ( 6)
In each case, there is a state in which the shift is extremely different from the case.

【0033】テスタでLSIチップ1の各種の電気的特
性を試験する場合には、テスタに装着されるプローブカ
ードにおいて、通常の入出力端子や電源端子となるパッ
ド3に接触すべきプローブ10とは別に、各アライメン
ト用パッド4に対応した専用のアライメント用プローブ
12を新たに設ける。
When testing various electrical characteristics of the LSI chip 1 with a tester, in the probe card mounted on the tester, what is the probe 10 that should come into contact with the pad 3 that is a normal input / output terminal or power supply terminal? Separately, a dedicated alignment probe 12 corresponding to each alignment pad 4 is newly provided.

【0034】そして、各プローブ10,12がLSIチ
ップ1に接触した状態となったときに、テスタからアラ
イメント用プローブ12を介してLSIチップ1に通電
し、その際に生じる電圧値をテスタで検出する。
When the probes 10 and 12 are in contact with the LSI chip 1, the LSI chip 1 is energized from the tester through the alignment probe 12, and the voltage value generated at that time is detected by the tester. To do.

【0035】ここでは、説明を容易にするために、各ア
ライメント用パッド4の各パッドA〜Eに接続された抵
抗の値は、RA=1KΩ、RB=10KΩ、RC=20K
Ω、RD=30KΩ、RE=40KΩに設定され、また、
各アライメント用プローブ12からは共に1mAの電流
が供給されるものとする。なお、これらの数値はあくま
で例示であって、これに限定されるものではない。
Here, for ease of explanation, the values of the resistances connected to the respective pads A to E of the respective alignment pads 4 are R A = 1KΩ, R B = 10KΩ, and R C = 20K.
Ω, R D = 30 KΩ, R E = 40 KΩ, and
A current of 1 mA is supplied from each alignment probe 12. Note that these numerical values are merely examples, and the present invention is not limited to these.

【0036】いま、LSIチップ1の位置合わせが正確
に行われている場合には、各アライメント用プローブ1
2が各アライメント用パッド4の中心パッドAにのみ個
別に接触した状態となるから、アライメント用パッド4
と接地間にはRA=1KΩの抵抗が挿入された状態にな
る。よって、テスタからアライメント用プローブ12を
介して中心パッドAに1mAの電流を供給した場合に
は、1.00Vの電圧降下が測定される。
Now, when the LSI chip 1 is accurately aligned, each alignment probe 1
2 is brought into contact with only the central pad A of each alignment pad 4, so that the alignment pad 4
A resistance of R A = 1 KΩ is inserted between this and ground. Therefore, when a current of 1 mA is supplied from the tester to the central pad A via the alignment probe 12, a voltage drop of 1.00 V is measured.

【0037】これに対して、たとえば図3(1)に示すよ
うに、LSIチップ1に対して各プローブ10,12が
僅かに上方にずれているときには、各アライメント用プ
ローブ12は、アライメント用パッド4の中心パッドA
のみならず、その上側の2つの外周パッドB,Cにも接
触するから、アライメント用パッド4と接地間にはRA
=1KΩ、RB=10KΩ、RC=20KΩの3つの抵抗
が並列に挿入されたのと同様な状態になる。したがっ
て、合成抵抗の値をRTとすれば、RT=877Ωとな
り、テスタからアライメント用プローブ12を介してア
ライメント用パッド12に1mAの電流を供給した場合
には、図5の状態(1)の結果からも分かるように、4つ
のアライメント用パッド4に関して、いずれも0.87
7Vの電圧降下が測定される。つまり、この電圧値(=
0.877V)は、位置合わせが良好な場合の電圧値(=
1.00V)と異なって小さい値となっている。
On the other hand, for example, as shown in FIG. 3A, when the probes 10 and 12 are slightly displaced upward with respect to the LSI chip 1, the alignment probes 12 are aligned with the alignment pads. Center pad A of 4
Not only is it also in contact with the two outer peripheral pads B and C on the upper side, but RA between the alignment pad 4 and the ground.
= 1KΩ, R B = 10KΩ, and R C = 20KΩ, the same state as when three resistors are inserted in parallel. Therefore, if the value of the combined resistance is R T , then R T = 877Ω, and when a current of 1 mA is supplied from the tester to the alignment pad 12 via the alignment probe 12, the state (1) in FIG. As can be seen from the result of, all of the four alignment pads 4 are 0.87.
A voltage drop of 7V is measured. In other words, this voltage value (=
0.877V is the voltage value (=) when the alignment is good.
It is a small value, unlike 1.00V).

【0038】一方、たとえば図3(2)に示すように、L
SIチップ1に対して各プローブ10,12が僅かに下
方にずれているときには、各アライメント用プローブ1
2は、アライメント用パッド4の中心パッドAのみなら
ず、その下側の2つの外周パッドD,Eにも接触するか
ら、アライメント用パッド4と接地間にはRA=1K
Ω、RD=30KΩ、RE=40KΩの3つの抵抗が並列
に挿入されたのと同様な状態になる。したがって、3つ
の合成抵抗の値RTは、RT=944Ωとなり、テスタか
らアライメント用プローブ12を介してアライメント用
パッド14に1mAの電流を供給した場合には、図5の
状態(2)の測定結果からも分かるように、4つのアライ
メント用パッド4に関して、いずれも0.944Vの電
圧降下が測定される。つまり、この電圧値(=0.944
V)は、位置合わせが良好な場合の電圧値(=1.00V)
よりも小さい値であり、しかも、上方にずれていた場合
の状態(1)の測定結果(=0.877V)とも異なってい
る。
On the other hand, for example, as shown in FIG.
When the probes 10 and 12 are slightly displaced downward with respect to the SI chip 1, the respective alignment probes 1
Since 2 contacts not only the center pad A of the alignment pad 4 but also the two outer peripheral pads D and E on the lower side, R A = 1K between the alignment pad 4 and the ground.
Ω, R D = 30 KΩ, and R E = 40 KΩ are in the same state as when three resistors are inserted in parallel. Therefore, the value R T of the three combined resistances becomes R T = 944Ω, and when a current of 1 mA is supplied from the tester to the alignment pad 14 via the alignment probe 12, the state (2) in FIG. As can be seen from the measurement results, a voltage drop of 0.944 V is measured for each of the four alignment pads 4. That is, this voltage value (= 0.944
V) is the voltage value (= 1.00V) when the alignment is good
The value is smaller than that, and is different from the measurement result (= 0.877V) in the state (1) when the value is shifted upward.

【0039】また、たとえば図4(5)に示すように、L
SIチップ1に対して各プローブ10,12が左回りに
ずれているときには、各アライメント用パッド4に対す
るアライメント用プローブ12の接触位置が各パッド4
ごとに相異したものとなる。よって、テスタから各アラ
イメント用プローブ12を介して各アライメント用パッ
ド4に1mAの電流を供給した場合には、図5の状態
(5)の測定結果からも分かるように、4つのアライメン
ト用プローブ4に関して、0.930V,0.952V,
0.967V,0.882Vというように、各アライメン
ト用プローブ4ごとに異なる値をもつ電圧降下が測定さ
れる。
Further, as shown in FIG. 4 (5), for example, L
When the probes 10 and 12 are displaced counterclockwise with respect to the SI chip 1, the contact position of the alignment probe 12 with respect to each alignment pad 4 is set to each pad 4.
Each will be different. Therefore, when a current of 1 mA is supplied from the tester to each alignment pad 4 via each alignment probe 12, the state of FIG.
As can be seen from the measurement result of (5), with respect to the four alignment probes 4, 0.930V, 0.952V,
Voltage drops having different values such as 0.967V and 0.882V are measured for each alignment probe 4.

【0040】さらに、図4(7)に示すように、チップに
対してプローブが右回りに図4(6)の場合よりも極端に
ずれたために、アライメント用プローブ12が中心パッ
ドAから完全に外れてしまった場合には、図5の状態
(7)の測定結果からも分かるように、両者12,Aが接
触している場合の状態(1)〜(6)の測定結果に比較して
電圧値が極端に大きくなる。
Further, as shown in FIG. 4 (7), since the probe is shifted clockwise relative to the chip more than in the case of FIG. 4 (6), the alignment probe 12 is completely displaced from the center pad A. If it comes off, the state of Fig. 5
As can be seen from the measurement result of (7), the voltage value becomes extremely large as compared with the measurement results of the states (1) to (6) when the both 12 and A are in contact with each other.

【0041】このように、LSIチップ1に対してプロ
ーブ10,12の相対的な位置がずれている場合には、
その測定される電圧値が良好な位置合わせ状態の場合に
測定される電圧値と異なった値を示し、しかも、位置ず
れの方向、および位置ずれの程度によっても、測定され
る電圧値が異なる値を示す。
As described above, when the relative positions of the probes 10 and 12 are deviated from the LSI chip 1,
The measured voltage value shows a value different from the voltage value measured in a good alignment state, and the measured voltage value also differs depending on the direction of the position deviation and the degree of the position deviation. Indicates.

【0042】よって、予め、図3および図4の(1)〜
(7)に示すような位置ずれの状態に応じた電圧値を測定
しておき、それらの測定結果のデータをたとえば図5に
示すようにテーブル化してコンピュータのメモリなどに
格納しておけば、容易に位置ずれの良否、および位置ず
れの程度(方向および距離)を判断できることになる。
Therefore, in advance, (1) to FIG. 3 and FIG.
If voltage values are measured in accordance with the state of positional deviation as shown in (7), and the data of the measurement results are tabulated as shown in FIG. 5 and stored in a memory of a computer, for example, The quality of the positional deviation and the degree of the positional deviation (direction and distance) can be easily determined.

【0043】なお、この実施形態では、半導体装置とし
てLSIチップ1を例にとって説明したが、これに限定
されるものではなく、TCP等の各種の半導体装置にも
本発明は適用可能である。
In this embodiment, the LSI chip 1 is described as an example of the semiconductor device, but the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to various semiconductor devices such as TCP.

【0044】また、アライメント用パッド4の形状は、
本例に限定されるものではない。たとえば、図6(a)に
示すように、中心パッドAに対して外周パッドB〜Iを
同心円状に多重に配置した形状のものや、あるいは、同
図(b)に示すように、中心パッドAを四角形にして、外
周パッドB〜Eをこの中心パッドAに添わせて同心状に
配置した構成とすることもできる。また、外周パッドB
〜E,F〜Iも本例のように4分割するだけでなく、2
分割、3分割、さらには多数に分割したものであっても
よい。分割数を増やせば、それだけ高精度の位置合わせ
を行うことができる。
The shape of the alignment pad 4 is as follows.
It is not limited to this example. For example, as shown in FIG. 6 (a), the peripheral pads B to I are concentrically arranged with respect to the central pad A, or as shown in FIG. 6 (b), the central pad is arranged. It is also possible to have a configuration in which A is a quadrangle and the outer peripheral pads B to E are concentrically arranged along with the central pad A. Also, the outer peripheral pad B
~ E and FI are not only divided into four as in this example, but also 2
It may be divided into three, or further divided into a large number. If the number of divisions is increased, it is possible to perform highly accurate alignment.

【0045】[0045]

【発明の効果】本発明によれば、次の効果を奏する。According to the present invention, the following effects can be obtained.

【0046】(1) 請求項1記載の発明では、従来のよ
うな位置ずれの良否のみの二者択一的な判断だけでな
く、位置ずれが生じている場合には、どの方向にどれだ
けの距離ずれているのかを容易に判断することができ
る。しかも、その判断のためには、画像処理のような高
機能な機器を導入する必要もないので、コストアップを
招来することなく、位置合わせを行うことが可能とな
る。
(1) In the invention according to claim 1, not only is there a conventional alternative decision based only on the quality of the positional deviation, but in the case where the positional deviation occurs, in what direction and how much. It is possible to easily judge whether the distance is shifted. Moreover, since it is not necessary to introduce a high-performance device such as image processing for the determination, it is possible to perform the alignment without increasing the cost.

【0047】(2) 請求項2記載の発明では、正確に位
置合わせできている場合とそうでない場合との検出出力
のレベル差を大きくできるので、位置合わせ精度を高め
ることができる。
(2) In the invention described in claim 2, since the level difference of the detection output between the case where the position is accurately aligned and the case where it is not aligned can be increased, the alignment accuracy can be improved.

【0048】(3) 請求項3記載の発明では、プローブ
の接触位置を確認しながら位置合わせの微調整を行うこ
とができるので、従来の目視による位置合わせ操作の場
合よりも、位置合わせに要する労力を大幅に軽減するこ
とができる。
(3) In the invention according to claim 3, since the fine adjustment of the alignment can be performed while confirming the contact position of the probe, the alignment is required more than the conventional visual alignment operation. The labor can be greatly reduced.

【0049】このため、多ピン化、狭ピッチ化された半
導体装置や、液晶ドライバなどで採用されている細長の
チップについても、容易に位置合わせを行える。
For this reason, it is possible to easily perform alignment even for a semiconductor device having a large number of pins and a narrow pitch, and an elongated chip adopted in a liquid crystal driver or the like.

【0050】また、既に一度試験を実施したためにプロ
ーブの痕跡があるものでも、目視にまどわされないで、
位置合わせすることが可能となる。
Further, even if there is a trace of the probe because the test has already been carried out once, it is not visually confused.
It becomes possible to align them.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の一形態を示すLSIチップの平
面図である。
FIG. 1 is a plan view of an LSI chip showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1の符号Xで示す部分を拡大した平面図であ
る。
FIG. 2 is an enlarged plan view of a portion indicated by reference numeral X in FIG.

【図3】各位置ずれが発生している状態の説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a state in which each positional deviation has occurred.

【図4】各位置ずれが発生している状態の説明図であ
る。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a state in which each positional deviation has occurred.

【図5】図3および図4に示す各位置ずれが発生してい
る状態で電圧値を測定した結果を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing a result of measuring a voltage value in a state where the positional deviations shown in FIGS. 3 and 4 occur.

【図6】アライメント用パッドの変形例を示す平面図で
ある。
FIG. 6 is a plan view showing a modified example of the alignment pad.

【図7】従来の位置合わせ方法の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a conventional alignment method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…LSIチップ、2…基板、3…パッド、4…アライ
メント用パッド、A…中心パッド、B〜E…外周パッ
ド、RA〜RE…接地抵抗、10…プローブ、12…アラ
イメント用プローブ。
1 ... LSI chip, 2 ... substrate, 3 ... pad, 4 ... alignment pad, A ... center pad, B to E ... outer peripheral pads, R A to R E ... ground resistance, 10 ... probe, 12 ... alignment probe.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体装置基板の少なくとも2隅には、
通常の入出力端子や電源端子となるパッドとは別個に専
用のアライメント用パッドが形成されており、これらの
各アライメント用パッドは、中心パッドとその中心パッ
ドを囲んで同心状に配置された複数の外周パッドとから
なり、前記中心パッドと外周パッドとはそれぞれ接地抵
抗に接続され、かつ、各接地抵抗は互いに異なる抵抗値
をもつように設定されていることを特徴とする半導体装
置。
1. A semiconductor device substrate having at least two corners,
Dedicated alignment pads are formed separately from the pads that become the normal input / output terminals and power supply terminals. Each of these alignment pads is composed of a center pad and a plurality of concentric arrangements surrounding the center pad. The semiconductor device, wherein the central pad and the outer peripheral pad are respectively connected to a ground resistance, and the ground resistances are set to have mutually different resistance values.
【請求項2】 請求項1記載の半導体装置において、 前記中心パッドに接続されている接地抵抗は、その抵抗
値が最小になるように設定されていることを特徴とする
半導体装置。
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the ground resistance connected to the center pad is set to have a minimum resistance value.
【請求項3】 請求項1または請求項2記載の半導体装
置の前記アライメント用パッドに対応して、アライメン
ト用プローブを設け、このアライメント用プローブを半
導体装置に接触させた状態で通電し、その際に生じる電
圧値の検出出力に基づいて半導体装置の位置ずれの程度
を判断して、半導体装置の位置合わせを行うことを特徴
とする半導体装置の位置合わせ方法。
3. An alignment probe is provided corresponding to the alignment pad of the semiconductor device according to claim 1 or 2, and the alignment probe is energized while being in contact with the semiconductor device. A method for aligning a semiconductor device, comprising: determining the degree of misalignment of the semiconductor device based on a detected output of a voltage value generated in the semiconductor device, and aligning the semiconductor device.
JP26290395A 1995-10-11 1995-10-11 Semiconductor device and aligning method thereof Pending JPH09107011A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26290395A JPH09107011A (en) 1995-10-11 1995-10-11 Semiconductor device and aligning method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26290395A JPH09107011A (en) 1995-10-11 1995-10-11 Semiconductor device and aligning method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09107011A true JPH09107011A (en) 1997-04-22

Family

ID=17382213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26290395A Pending JPH09107011A (en) 1995-10-11 1995-10-11 Semiconductor device and aligning method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09107011A (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6362641B2 (en) 1998-08-25 2002-03-26 Nec Corporation Integrated circuit device and semiconductor wafer having test circuit therein
DE10213609A1 (en) * 2002-03-27 2003-10-23 Infineon Technologies Ag Electrical component with a contact and method for forming a contact on a semiconductor material
JP2005333128A (en) * 2004-05-18 2005-12-02 Samsung Electronics Co Ltd Probe pad, substrate on which semiconductor element is mounted, semiconductor element inspection method, and semiconductor element tester
JP2007158346A (en) * 2005-12-02 2007-06-21 Samsung Electronics Co Ltd Probe sensing pad and probe needle contact position inspection method
JP2007335550A (en) * 2006-06-14 2007-12-27 Seiko Instruments Inc Semiconductor device
JP2007335693A (en) * 2006-06-16 2007-12-27 Seiko Instruments Inc Semiconductor device
ITMI20092332A1 (en) * 2009-12-30 2011-06-30 St Microelectronics Srl METHOD TO CHECK THE CORRECT POSITION OF TEST PROBES ON TERMINATIONS OF ELECTRONIC DEVICES INTEGRATED ON SEMICONDUCTOR AND ITS ELECTRONIC DEVICE.
US8404496B2 (en) 1999-11-11 2013-03-26 Fujitsu Semiconductor Limited Method of testing a semiconductor device and suctioning a semiconductor device in the wafer state
CN110832633A (en) * 2017-06-30 2020-02-21 东芝三菱电机产业系统株式会社 Substrate positioning device and substrate positioning method
CN113079655A (en) * 2020-01-03 2021-07-06 北大方正集团有限公司 Detection structure and detection method for detecting processing offset of printed circuit board
CN113284815A (en) * 2020-02-19 2021-08-20 华邦电子股份有限公司 Semiconductor device and method for detecting pin mark offset
WO2022130845A1 (en) * 2020-12-16 2022-06-23 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Method for determining contact or connection state, and information processing device

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6362641B2 (en) 1998-08-25 2002-03-26 Nec Corporation Integrated circuit device and semiconductor wafer having test circuit therein
US8759119B2 (en) 1999-11-11 2014-06-24 Fujitsu Semiconductor Limited Method of testing a semiconductor device and suctioning a semiconductor device in the wafer state
US8404496B2 (en) 1999-11-11 2013-03-26 Fujitsu Semiconductor Limited Method of testing a semiconductor device and suctioning a semiconductor device in the wafer state
DE10213609A1 (en) * 2002-03-27 2003-10-23 Infineon Technologies Ag Electrical component with a contact and method for forming a contact on a semiconductor material
US6791349B2 (en) 2002-03-27 2004-09-14 Infineon Technologies Ag Electrical component with a contact and method for forming a contact on a semiconductor material
DE10213609B4 (en) * 2002-03-27 2006-02-09 Infineon Technologies Ag An electrical device having a bonding pad and method of forming a bonding pad on a semiconductor material
JP2005333128A (en) * 2004-05-18 2005-12-02 Samsung Electronics Co Ltd Probe pad, substrate on which semiconductor element is mounted, semiconductor element inspection method, and semiconductor element tester
JP2007158346A (en) * 2005-12-02 2007-06-21 Samsung Electronics Co Ltd Probe sensing pad and probe needle contact position inspection method
JP2007335550A (en) * 2006-06-14 2007-12-27 Seiko Instruments Inc Semiconductor device
JP2007335693A (en) * 2006-06-16 2007-12-27 Seiko Instruments Inc Semiconductor device
ITMI20092332A1 (en) * 2009-12-30 2011-06-30 St Microelectronics Srl METHOD TO CHECK THE CORRECT POSITION OF TEST PROBES ON TERMINATIONS OF ELECTRONIC DEVICES INTEGRATED ON SEMICONDUCTOR AND ITS ELECTRONIC DEVICE.
US9146273B2 (en) 2009-12-30 2015-09-29 Stmicroelectronics S.R.L. Process for controlling the correct positioning of test probes on terminations of electronic devices integrated on a semiconductor and corresponding electronic device
US9823300B2 (en) 2009-12-30 2017-11-21 Stmicroelectronics S.R.L. Process for controlling the correct positioning of test probes on terminations of electronic devices integrated on a semiconductor and corresponding electronic device
CN110832633A (en) * 2017-06-30 2020-02-21 东芝三菱电机产业系统株式会社 Substrate positioning device and substrate positioning method
CN110832633B (en) * 2017-06-30 2023-06-02 东芝三菱电机产业系统株式会社 Substrate positioning device and substrate positioning method
CN113079655A (en) * 2020-01-03 2021-07-06 北大方正集团有限公司 Detection structure and detection method for detecting processing offset of printed circuit board
CN113079655B (en) * 2020-01-03 2022-04-08 北大方正集团有限公司 Detection structure and detection method for detecting processing offset of printed circuit board
CN113284815A (en) * 2020-02-19 2021-08-20 华邦电子股份有限公司 Semiconductor device and method for detecting pin mark offset
WO2022130845A1 (en) * 2020-12-16 2022-06-23 国立研究開発法人産業技術総合研究所 Method for determining contact or connection state, and information processing device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4918374A (en) Method and apparatus for inspecting integrated circuit probe cards
JP3394620B2 (en) Probe assembly and inspection device
JPH09107011A (en) Semiconductor device and aligning method thereof
KR100791050B1 (en) Inspection System and Inspection Method for Flexible Circuit Boards with a Pin Driver
US20060103408A1 (en) Semiconductor wafer and testing method therefor
JP2005333128A (en) Probe pad, substrate on which semiconductor element is mounted, semiconductor element inspection method, and semiconductor element tester
US5060371A (en) Method of making probe cards
KR101227547B1 (en) Probe card
JP2638556B2 (en) Probe card checker
JPH08330368A (en) Semiconductor circuit device group and its probe test
KR0127639B1 (en) Probing test method and apparatus
JPH09260443A (en) Semiconductor device and testing thereof
JP2767291B2 (en) Inspection device
CN223123208U (en) Probe card electric leakage detection device and wafer acceptance test equipment
US20240337678A1 (en) Probe card and calibration method for prober
JP2827285B2 (en) Wafer inspection equipment
JPS6170735A (en) Wafer or chip with alignment marks for electrical measurements
US20020105348A1 (en) Electronically measuring pin-to-pad alignment using resistive pads
JP2002100658A (en) Semiconductor device inspection apparatus
JP2591453B2 (en) Burn-in board inspection apparatus and burn-in board inspection method
JPH08178992A (en) Method and apparatus for inspection circuit board
KR20080023667A (en) Inspection System for Flexible Circuit Boards with Pin Drivers
JPH0582971B2 (en)
JP2010080742A (en) Method and apparatus for testing semiconductor device
JP2005044935A (en) PROBE TEST METHOD, PROBE DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD