JPH0864407A - 抵抗部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板内に複数個の抵抗部品を製造する際、抵
抗値バラツキを小さく製造することで、レーザートリミ
ング等の抵抗体自体を加工せずとも、抵抗値バラツキを
下げられ、更に容易に所定の抵抗値を得ることができる
抵抗部品を安価に製造することを目的とする。 【構成】 基板１２の上に第１の電極１３ａと第２の電
極１３ｂを、その間に形成する抵抗体１５の長さが、基
板中央部に比べて基板周辺部で短くなるように形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は角形チップ抵抗器、抵抗
ネットワーク、コンデンサやコイルと複合化された抵抗
部品やハイブリッドＩＣの抵抗等に利用される抵抗部品
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハイブリッドＩＣ、チップ抵抗等
の抵抗部品に対して円高等の影響により以前に増してコ
ストダウンの要求が強くなってきている。

【０００３】以下に従来の角形チップ抵抗器を例にとり
説明する。図１０（ａ）、図１０（ｂ）は従来のチップ
抵抗部品を示すものであり、分かりやすくするため抵抗
体の保護層や実装用の外部電極は省略して示している。

【０００４】図１０（ａ）、図１０（ｂ）において１は
抵抗体、２はセラミック等からなる基板、３ａ，３ｂは
第１，第２の電極である。図１０（ａ）において、抵抗
体１の両端は第１の電極３ａ、第２の電極３ｂの上部に
形成されており、図１０（ｂ）において、抵抗体１の両
端は第１の電極３ａ、第２の電極３ｂの下に埋め込まれ
て形成されている。こうして抵抗部品は、必要に応じて
図１０（ａ）や図１０（ｂ）の構造を選択することがで
きる。

【０００５】次に、図１１〜図１３を用いて、１枚の基
板から複数個の抵抗体部品を製造する様子を説明する。
図１１において、２はセラミック等からなる基板であ
り、この基板２の内部には複数のブレークライン４が縦
横に形成されている。この基板２の上に図１２に示すよ
うに複数個の第１の電極３ａ、第２の電極３ｂが形成さ
れる。更に、図１３に示すように複数の第１の電極３ａ
と第２の電極３ｂを接続するように抵抗体１が形成され
る。最後に抵抗体１をレーザートリミングすることで抵
抗値を調整し、表面に保護層を形成し、ブレークライン
４で個片に分割し、外部電極を形成することで図１０
（ａ）、図１０（ｂ）に示したような角形チップ抵抗部
品を製造することができる。なお、図１２において、抵
抗体１の下に第１の電極３ａ、第２の電極３ｂが形成さ
れるため、でき上がった抵抗部品は、図１０（ａ）に相
当のものになる。

【０００６】図１４は、図１３のサンプルの抵抗値を基
板内で測定し、その分布を示したものであり、レーザー
トリミングする前である。図１２より、基板２の中央に
形成された抵抗体１の方が周辺部に形成されたものに比
較して５％〜１０％程度低くなっていることがわかる。
しかし通常はこの後、レーザートリミングを行うためこ
の抵抗値のバラツキは問題にならない。

【０００７】ここで言うトリミングとは、抵抗体１自体
を加工することで抵抗値を変化させるものであり、主に
レーザートリミング方法や希にはブラストトリミング方
法が実用化されている。しかしこのトリミング方法は、
抵抗値を高い方向にしか調整できない。このため、実際
は抵抗体１のバラツキを考慮して初期抵抗値は大幅に低
いものに設定した後、大きくトリミングすることが行わ
れている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来の構成では
抵抗値を低めに設定しておき、レーザートリミングする
ことにより目的とする抵抗値に調整していた。このため
レーザートリミングコストが発生すると同時に、レーザ
ートリミング時に抵抗体１にマイクロクラックが発生し
て、ノイズ特性が劣化したり、信頼性が低くなったりし
ていた。また抵抗値を高い方向にしか調整できないた
め、必然的にトリミング量が大きくなりレーザートリミ
ングコストがかかっていた。

【０００９】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、レーザートリミングする前の抵抗体の抵抗値のバラ
ツキを低減することにより、レーザートリミング量を低
減したり、レーザートリミングなしでも所定の抵抗値が
得られる抵抗部品を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の抵抗部品の製造方法は、基板上に設けた第１
の電極及び第２の電極と、この第１と第２の電極を接続
する抵抗体とからなる抵抗部品を前記基板上に複数個製
造する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との間隔
を、前記基板の中央部では周辺部に比べて０．２％以上
２０％以下の範囲で長くなるように形成し、この第１と
第２の電極間に接続するように抵抗体を形成した後、個
片に分割するものである。

【００１１】

【作用】この方法によって、レーザートリミングをする
前に基板内の抵抗値バラツキを低減でき、レーザートリ
ミング量を少なくできひいてはレーザートリミング自体
も省略化することもできる。

【００１２】

【実施例】

（実施例１）以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。

【００１３】図１は本発明の第１の実施例における抵抗
部品の製造方法の一例を示すものであり、図１におい
て、表面に縦横にブレークライン１４が形成されたセラ
ミック等からなる大判の基板１２の上に斜線で示した第
１の電極１３ａと第２の電極１３ｂが形成されている。
図１から、基板１２上に設けた第１の電極１３ａと第２
の電極１３ｂとの間隔が、基板の中央部では周辺部に比
べて０．２％以上２０％以下の範囲で長く形成されるこ
とになる。

【００１４】更に詳しく説明する。まず図１の形状で
１．６mm×０．８mmのチップ部品を３０００個、１枚の
基板１２から形成できるようにブレークライン１４を形
成したアルミナ基板を作製した。この上に図１に示すよ
うに基板周辺部に比較して基板中央部では、電極間隔が
長めになるような形状に第１の電極１３ａと第２の電極
１３ｂを印刷形成した。ここで電極材料には銀を用い、
印刷後に焼成することで図１相当のものを作製した。一
方、比較のため従来例として、図１２に示すような形状
で同じアルミナ基板上に同様に第１の電極３ａと第２の
電極３ｂを形成した。

【００１５】次に抵抗体を形成する様子を図２を用いて
説明する。図２は図１を部分拡大したものであり、複数
の第１の電極１３ａと第２の電極１３ｂを接続するよう
に同一の幅の抵抗体１５を形成したものである。図２に
おいて、抵抗体１５は第１の電極１３ａと第２の電極１
３ｂの間に挟まれて形成され、基板中央側の電極間隔を
Ｌ１、基板周辺側の電極間隔をＬ２とした場合、Ｌ１＞
Ｌ２の関係が成り立つ。こうして本発明例は図２に示す
ように形成した。一方、従来例の試作は、図１２の第１
の電極３ａと第２の電極３ｂはその間隔が基板２の中央
部でも周辺部でも同じ長さになるように作製した。

【００１６】図３を用いて更に説明する。図３はこうし
て作製した本発明例の抵抗部品の基板内の抵抗値バラツ
キを測定した結果である。このように本発明例では基板
中央側の第１、第２の電極間隔を基板周辺に比べて長く
形成することにより、従来例（図１１参照）では基板中
央側で抵抗値が低めになるという課題があったが、図３
に示すように、本発明の抵抗部品の製造方法を用いるこ
とにより基板内の抵抗値バラツキを小さくできた。

【００１７】第１の電極１３ａ、第２の電極１３ｂのパ
ターンの設計方法を説明する。ここで、第１の電極１３
ａ、第２の電極１３ｂの間隔は、図１３の相対抵抗値の
基板内での変化率を元にして計算することで簡単に求め
ることができる。ここで図１３の相対抵抗値の変化率
は、使用するアルミナ基板の種類や反り具合、焼成炉の
温度分布や焼成温度等によってその変化率は変わるが、
製造仕様が決まればその変化の具合は一定化させられ
る。こうして、本実施例では、使用する条件に併せて第
１の電極１３ａと第２の電極１３ｂの間隔を計算して求
めた。

【００１８】まず図１２〜図１３に相当する電極間隔を
一定にした従来の抵抗体を試作し、この基板内の抵抗値
分布を基板２０００枚について測定したところ、９９．
７％以上の基板において基板周辺部と基板中央部の抵抗
値の差は４％〜６％（図１４に相当の結果）が得られ
た。

【００１９】そこでこの４％〜６％の抵抗値の差の発生
に対して、電極間隔を補正する実験を行った。実験には
ルテニウムを主体とした８５０℃焼成タイプの厚膜抵抗
体材料と、銀パラジウムを主体とした８５０℃焼成タイ
プの厚膜電極材料を用いた。まず電極間隔の変化に対し
て、どれだけの感度で抵抗値分布が変化するかを実際の
抵抗体を試作して求めた。電極間隔を５mmとして電極間
隔を０．００５mm変化させた場合は、アルミナ基板表面
の粗さの影響のためか実際のサンプルでは効果は認めら
れなかった。

【００２０】一方０．０１mm変化させた場合では実際の
サンプルに明らかな変化が認められた。そこで最小調整
範囲を０．２％（つまり０．０１mm／５mm）として電極
間隔を調整することとし、この電極間隔を５mm→４．５
mm→４．０mm→３．５mm→３．０mmと大きく変化させた
ところ、それに応じて抵抗値は大きく変化したが、後工
程のレーザートリミング時において問題が発生すること
があった。電極間隔が４．０mmの場合、レーザ切りしろ
は問題なかったが、３．５mm以下では切りしろが不足す
る場合があった。

【００２１】以上を考慮した結果、電極間隔は５mmを中
心とし最小微調幅が０．０１mmで±１mmの範囲（０．２
％以上２０％以下）で変化させても実用上問題ないこと
がわかった。更にチップサイズを１．０mm×０．５mmか
ら６．３mm×３．２mmの範囲で変化させたが、同様に
０．２％以上２０％の範囲なら後工程や特性に悪影響を
与えることはなかった。

【００２２】以上の結果を踏まえて、抵抗値が基板内で
一定になるように電極間隔で製品を試作した。まず図１
に示すように電極間隔を基板周辺部で５％程度長く設計
したパターンを用いて基板２０００枚の上に前記銀パラ
ジウム材料を用いて厚膜電極を形成した。次にこの上に
前記ルテニウム抵抗体を形成し、基板内の抵抗値を測定
したところ、基板内の抵抗値分布は、９９．７％以上の
基板において基板周辺部と基板中央部の抵抗値の差を１
％程度（図３に相当の結果）におさめることができた。
次にこの基板をレーザートリミングしたところ、抵抗値
バラツキの小さい分だけレーザー加工時間を短くできコ
ストダウンも可能になった。

【００２３】次に、この基板上にガラスまたは樹脂を主
体とした保護層を印刷し、抵抗値を捺印後に基板をチッ
プ状に分割した。印刷及びメッキによって端面電極を形
成した後、分別装置によって抵抗値分別を行い、自動実
装機用にテーピングまたはバルクケースにセットし、チ
ップ抵抗器とした。こうしてできあがったチップ抵抗器
は、個々には電極間隔が０．２％以上２０％以下の範囲
で変化しているにも関わらず、特性面や実装面において
は、電極間隔の一定な従来のチップ抵抗器と差はなかっ
た。

【００２４】次に第１の電極１３ａと第２の電極１３ｂ
の形状について説明する。図４に示すように第１の電極
１３ａと第２の電極１３ｂの形状として、抵抗体１５に
対して垂直に交わる構成とし、しかも第１の電極１３ａ
と第２の電極１３ｂは基板１２の周辺部に比べて基板１
２の中央部ではその間隔が段階的に長くなるように構成
することもできる。

【００２５】（実施例２）図５は本発明の第２の実施例
を示す抵抗部品の製造方法を示すものである。図５にお
いて、抵抗体１５の幅を基板周辺部に比べて基板中央部
で狭くしている。一方、第１の電極１３ａ、第２の電極
１３ｂの間隔は一定にしていることから結果的に基板１
２内での抵抗値バラツキを低減することができる。ここ
で、抵抗体１５の幅の変化率をアルミナ基板の種類やそ
の表面粗さ、電極材料や抵抗体材料の種類、焼成条件等
を数十種類色々組み合わせて適用範囲を求めたところ、
基板周辺に比べて基板中央部で０．２％以上２０％以下
の範囲で抵抗体１５の幅を調整することで抵抗値を一定
にできることがわかった。またこの組み合わせのなかで
も、大半は２％〜８％の範囲内に入ることがわかった。

【００２６】また、抵抗体１５の幅以外に抵抗体の厚み
を変化させてもよい。図６のように、抵抗体１５の厚み
を基板周辺部に比べて基板中央部で薄くすることによっ
て、基板１２内での抵抗値バラツキを低減することがで
きる。ここで、抵抗体１５の厚みの変化率をアルミナ基
板の種類やその表面粗さ、電極材料や抵抗体材料の種
類、焼成条件等を数十種類色々組み合わせて適用範囲を
求めたところ、基板周辺に比べて基板中央部で０．２％
以上２０％以下の範囲で抵抗体５ｂの厚みを調整するこ
とで抵抗値を一定にできることがわかった。またこの組
み合わせのなかでも大半は２％〜８％の範囲内に入るこ
とがわかった。

【００２７】（実施例３）図７は本発明の第３の実施例
を示す抵抗部品の構造を示すものであり、図７（ａ）は
斜視図、図７（ｂ）は完成品の断面図である。図７にお
いて、１６はアジャスト電極、１７は端面電極、１８は
保護層であり、図７（ａ）においては、保護層１８と端
面電極１７は省略している。

【００２８】図７において、第１の電極１３ａとアジャ
スト電極１６の間隔を調整することで、抵抗体１５の抵
抗値をレーザートリミングしなくても所定値に設定でき
る。

【００２９】ここでアジャスト電極１６の材料として
は、銀、パラジウム、金、白金等の厚膜導体や、それ以
外に薄膜導体としてこれら金属を蒸着やスパッタで２μ
ｍ未満の薄膜で形成することもできる。また、金、ニッ
ケル、パラジウム等の有機金属インキを印刷した後、焼
成して薄膜導体材料とすることもできる。

【００３０】また、金属薄膜を直接基板に張り付けた
り、溶射したりあるいはメッキ等で形成することもでき
る。これらの電極材料のパターニングは、基板上に所定
形状にフォトリソ技術を用いることで高精度に形成でき
る。

【００３１】こうして、一枚の基板１２の上に例えば１
００mm角以上のセラミック基板の上に１．０mm×０．５
mm以下の小さな抵抗部品を一度に１万個以上作成するこ
とができる。ここで、予め基板内の抵抗体の焼成等によ
る図１３に相当のその抵抗値分布を予め測定しておき、
その抵抗値が基板内で、図３に示すように一定になるよ
うに第１の電極１３ａとアジャスト電極１６の間隔を補
正しておくことができる。

【００３２】次に図８を用いて、実施例３（図７）に相
当の抵抗部品の製造方法について、説明する。図８は、
図７に相当の抵抗部品の製造方法の一例を示すものであ
り、図８において、抵抗体１５は第１の電極１３ａの上
に覆いかぶさってアジャスト電極１６の下に潜り込んだ
状態で、接続されている。また図８において、基板中央
側の第１の電極１３ａとアジャスト電極１６の間隔をＬ
３、基板周辺側の第１の電極１３ａとアジャスト電極１
６の間隔をＬ４とした場合、Ｌ３＞Ｌ４の関係が成り立
つ。こうすることで、図３に示したように抵抗部品の基
板内の抵抗値バラツキを小さくできる。

【００３３】また、本実施例の場合、第１の電極１３ａ
とアジャスト電極１６は別々の工程で形成するため、Ｌ
３＞Ｌ４の関係を保ったままで、前記第１の電極１３ａ
とアジャスト電極１６の間隔を例えば０．４mm→０．４
２mm→０．４４mm→０．４６mmと自由に設定できる。こ
うして、抵抗値を０．４mmの時を１００とすると、０．
４２mmの時で１０５、０．４４mmの時で１１０、０．４
６mmの時で１１５と変化させられる。この原理を用いる
ことで、レーザートリミングすることなく基板全体の抵
抗部品を一括処理でアジャスト電極１６の形成する位置
（抵抗体１５との重なり長さ）を変化させることで、抵
抗値を調整することができる。

【００３４】次に本実施例の抵抗部品の製造方法につい
て、抵抗値１．５ＫΩのチップ抵抗部品の試作例を用い
て詳しく説明する。

【００３５】まず第１の電極１３ａとしては市販のセラ
ミックコンデンサ用電極材料をもとに高温焼成用銀パラ
ジウムインキを試作した。これをブレークライン付きの
アルミナ基板上に印刷し、乾燥後、９５０℃で焼成し
た。焼成後の電極厚みは５μｍであった。次にこの上に
抵抗体インキを印刷した。この抵抗体インキは市販の８
５０℃焼成タイプの厚膜抵抗体インキを１０．０ＫΩ／
□になるようにブレンドし、これを印刷乾燥後、８５０
℃で焼成して抵抗体１５を形成した。ここで抵抗体１５
のシート抵抗を測定したところ、１１．３ＫΩ／□であ
った。なおここで、１０ＫΩ／□の抵抗体インキを選ん
だ理由は、その抵抗値領域の抵抗体インキが材料的な面
から他の低抵抗や高抵抗に比較してより抵抗値バラツキ
が大きくなるためである。

【００３６】そこで計算によって抵抗体１５の長さを求
めた結果、Ｌ＝０．４３mmに設定した場合に１５ＫΩが
得られることがわかったので、この仕様でアジャスト電
極１６を形成した。ここで計算には、予め実験的に第１
の電極１３ａと抵抗体１５の重なり部分やアジャスト電
極１６のニジミ等の影響を求め、計算式に補正係数とし
て加味したものを用いた。またアジャスト電極１６には
抵抗体１５の再焼成による抵抗値変動を防止するために
４００℃焼成の有機金属インキを用いた。

【００３７】その後、抵抗体１５の上に樹脂を主体とし
た保護層及び外部電極を３００℃以下で形成した。こう
してでき上がったチップ状抵抗部品の抵抗値を測定した
結果、計算通りの１５ＫΩが得られレーザートリミング
を行う必要がなかった。

【００３８】次に求める抵抗値を１００Ωから１ＭΩま
で変化させて同様にチップ抵抗部品を試作したが、同様
の結果が得られた。更に抵抗体材料組成の面からも、よ
り抵抗値バラツキが小さくなる結果が得られた。

【００３９】更に抵抗体インキのブレンドの違いやロッ
ト、更に焼成炉や印刷機、アルミナ基板、チップサイズ
等の変動要因についても調べたが、本実施例の場合で
は、抵抗体が形成された後で抵抗値を命中させるため、
これらの変動要因は抵抗値に影響を与えなかった。また
使用するアルミナ基板は、９９．９％アルミナ以外に９
９％、９６％アルミナであっても特に問題はなかった。

【００４０】次に比較のため、図１０（ａ）、図１０
（ｂ）に示す従来の構造のものを、基板、電極材料、抵
抗体材料を本実施例と同じものを用いて試作した。また
抵抗体インキに関しては、そのブレンドを変えてみた。
そしてでき上ったものの抵抗値を測定すると、抵抗値は
７ＫΩ〜１９ＫΩであり、目的とする１５ＫΩから離れ
たものが多数得られた。この結果を図示したところ、図
１３に相当の結果が得られた。そこで１５ＫΩより抵抗
値の低いものは、レーザートリミングによって１５ＫΩ
に調整した。

【００４１】しかし、目的とする１５ＫΩより高いもの
に関してはレーザートリミング加工ができず、不良とな
りコストを高めた。またレーザートリミングを行ったも
のは、経時変化が生じノイズ特性が悪かった。またこの
抵抗値の変動原因を解析したところ、焼成炉の違いや印
刷機等のその要因であることがわかり、抵抗体の寸法や
厚みを高精度に形成してもこの抵抗値の変動を抑えられ
ないことがわかった。

【００４２】一方、本実施例によって作製したものは、
基板内の抵抗値バラツキを図示したところ、図３に相当
のものが得られ、更に第１の電極１３ａとアジャスト電
極１６の間隔を長くしたり短くすることで、抵抗値バラ
ツキを抑えたまま抵抗値を調整できた。こうして、１５
ＫΩのものを高歩留まりで製造することができた。

【００４３】なお、本実施例においてレーザートリミン
グを行う場合でも、本実施例の場合は抵抗値バラツキの
小さい状態からレーザートリミングすることになり、レ
ーザートリミング量を少なくでき抵抗体１５の切りしろ
も小さくできることでより高性能の抵抗部品を製造する
ことができる。

【００４４】（実施例４）次に本発明の実施例４とし
て、図９を用いて抵抗値の高精度調整の一例について説
明する。図９は抵抗値をより高精度に調整できる抵抗部
品を示すものである。図９において、抵抗体１５は第１
の電極１３ａに接する側よりアジャスト電極１６に接す
る側で幅広に形成している。このように抵抗体１５のパ
ターンを変化させることで、アジャスト電極１６の形成
位置による抵抗値の調整を高精度にできる。

【００４５】また図９に示すように、基板中央側の第１
の電極１３ａとアジャスト電極１６の間隔をＬ３、基板
周辺側の第１の電極１３ａとアジャスト電極１６の間隔
をＬ４とした場合、Ｌ３＞Ｌ４の関係が成り立つ。こう
することで、図３に示したように抵抗部品の基板内の抵
抗値バラツキを小さくできる。

【００４６】また、本実施例の場合も実施例３と同様
に、第１の電極１３ａとアジャスト電極１６は別々の工
程で形成するため、Ｌ３＞Ｌ４の関係を保ったままで前
記第１の電極１３ａとアジャスト電極１６の間隔を例え
ば０．４mm→０．４２mm→０．４４mm→０．４６mmと自
由に設定できる。こうすると、抵抗体１５の幅を部分的
に変化させているため抵抗値を０．４mmの時を１００と
すると、０．４２mmの時で１０２、０．４４mmの時で１
０４、０．４６mmの時で１０６と変化させられる。こう
して、実施例３に比較してより高精度で抵抗値を所定値
に調整することができる。この原理を用いることで、レ
ーザートリミングすることなく基板全体の抵抗部品を一
括処理でアジャスト電極１６の形成する位置（抵抗体１
５との重なり長さ）を変化させることで、抵抗値をより
高精度に調整することができる。

【００４７】また本実施例をレーザートリミングと組み
合わせることで、より高精度の抵抗部品を安価に製造す
ることができる。

【００４８】また、本発明は、抵抗アレイやハイブリッ
ドＩＣの抵抗体製造に対しても応用することができる。
なお、ここでセラミック基板としては、アルミナ以外に
窒化アルミニウムや誘電体セラミック、フェライトセラ
ミック等を用いることもできる。また、金属板をセラミ
ック材料を含む絶縁体で被覆したメタルコア基板を用い
ることで割れにくく放熱性を向上させた抵抗部品を製造
できる。

【００４９】また、この抵抗部品の構成を積層セラミッ
クコンデンサや、チップコイル、チップインダクタ、チ
ップセラミックモジュール等と組み合わせて複合化する
ことも容易である。特に通常のコンデンサやインダクタ
の場合、構造的にトリミングが難しいので抵抗部分でこ
うした調整を行うことでより高精度化が容易になる。

【００５０】また、抵抗体の材料としては、酸化ルテニ
ウム等の厚膜抵抗体材料以外に、ニクロム等の薄膜抵抗
体を蒸着やスパッタ等の薄膜法で形成することもでき
る。また無電解メッキやマトリックスメッキ等を用いる
ことで抵抗体材料を形成できる。更に抵抗体材料を直接
基板に張り付けたり、溶射したりすることでも形成でき
る。

【００５１】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、１枚の基
板上に多数の抵抗体を抵抗値バラツキの少ない状態に一
括して製造することができ、レーザートリミング量の低
減やレーザートリミング工程の省略をも可能にできる。
そして、抵抗体材料のロット間バラツキや基板の影響等
による複雑な抵抗値の変動要素を除去しながら、更に目
的とする抵抗値をレーザートリミングを行わなくとも抵
抗値を高歩留まりで得られる抵抗部品を製造することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における抵抗部品の製造
方法の一例を示す斜視図

【図２】同図１を部分拡大した斜視図

【図３】本発明例の抵抗部品の基板内の抵抗値バラツキ
を測定した説明図

【図４】同電極形状の一例を示す斜視図

【図５】本発明の第２の実施例を示す抵抗部品の製造方
法を示す斜視図

【図６】同他の実施例における抵抗体の厚さを変化させ
る構成を示す断面図

【図７】（ａ）は本発明の第３の実施例を示す抵抗部品
の構造を示す斜視図 （ｂ）は同断面図

【図８】同実施例３の抵抗体部品の製造方法について説
明する斜視図

【図９】同第４の実施例の抵抗値をより高精度に調整で
きる抵抗部品を示す斜視図

【図１０】（ａ），（ｂ）はそれぞれ従来のチップ抵抗
部品を示す斜視図

【図１１】従来の１枚の基板から複数個の抵抗体部品を
製造する様子を説明する斜視図

【図１２】同従来の製造上の斜視図

【図１３】同従来の製造上の斜視図

【図１４】同抵抗分布図

【符号の説明】

１２ 基板 １３ａ，１３ｂ 電極 １４ ブレークライン １５ 抵抗体 １６ アジャスト電極 １７ 端面電極 １８ 保護層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に設けた第１の電極及び第２の電
   極と、この第１と第２の電極を接続する抵抗体とからな
   る抵抗部品を前記基板上に複数個製造する際に、前記第
   １の電極と前記第２の電極との間隔を前記基板の中央部
   では周辺部に比べて０．２％以上２０％以下の範囲で長
   くなるように形成し、この第１と第２の電極間に接続さ
   れるように抵抗体を形成した後、個片に分割する抵抗部
   品の製造方法。
2. 【請求項２】 基板上に設けた第１の電極及び第２の電
   極と、この第１と第２の電極を接続する抵抗体とからな
   る抵抗部品を前記基板上に複数個製造する際に、前記抵
   抗体の断面積を前記基板の中央部では周辺部に比べて、
   ０．２％以上２０％以下の範囲で薄く形成し、この第１
   と第２の電極間に接続されるように抵抗体を形成した
   後、個片に分割する抵抗部品の製造方法。
3. 【請求項３】 基板上に設けた第１の電極及び第２の電
   極と、この第１と第２の電極を接続する抵抗体とからな
   り、前記抵抗体の一端部は第１の電極の上に、他端部は
   第２の電極の下に形成する請求項１または２に記載の抵
   抗部品の製造方法。
4. 【請求項４】 基板上に設けた第１の電極及び第２の電
   極と、この第１と第２の電極を接続する抵抗体とからな
   り、前記抵抗体の一端部は第１の電極の上に、他端部は
   アジャスト電極の下に形成され、前記抵抗体が目的とす
   る抵抗値になる位置の前記抵抗体上にアジャスト電極を
   形成する請求項１または２に記載の抵抗部品の製造方
   法。