JPH0846003A - 半導体デバイスの開封方法及び装置 - Google Patents
半導体デバイスの開封方法及び装置Info
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- JPH0846003A JPH0846003A JP17987694A JP17987694A JPH0846003A JP H0846003 A JPH0846003 A JP H0846003A JP 17987694 A JP17987694 A JP 17987694A JP 17987694 A JP17987694 A JP 17987694A JP H0846003 A JPH0846003 A JP H0846003A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パッケージ内に封入された半導体デバイスを
カッタで開封する方法及び装置に関する。 【構成】 パッケージをカッタで開封するための切断装
置３と、パッケージ内の静電気を除去するためのイオン
吹付け装置４と、塵埃を除去するための洗浄剤吹付け装
置５と、乾燥するための不活性ガス吹付け装置６と、一
次データ８、並びに前記各装置を操作するためのシーケ
ンス及び条件９が入力され、その結果にもとずいて各装
置に司令を発するＣＰＵ７とを備え、パッケージ１をカ
ッタ３−１で切断し、収納された半導体デバイス２を開
封する。
カッタで開封する方法及び装置に関する。 【構成】 パッケージをカッタで開封するための切断装
置３と、パッケージ内の静電気を除去するためのイオン
吹付け装置４と、塵埃を除去するための洗浄剤吹付け装
置５と、乾燥するための不活性ガス吹付け装置６と、一
次データ８、並びに前記各装置を操作するためのシーケ
ンス及び条件９が入力され、その結果にもとずいて各装
置に司令を発するＣＰＵ７とを備え、パッケージ１をカ
ッタ３−１で切断し、収納された半導体デバイス２を開
封する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パッケージ内に封入さ
れた半導体デバイスをカッタで開封する方法及び装置に
関する。
れた半導体デバイスをカッタで開封する方法及び装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスはパッケージ内に気密封
止された状態で装置に組み込まれ、あるいは部品として
出荷される。かかる状態の半導体デバイスが故障した場
合、その原因を究明するためにパッケージを解体し調査
する必要がある。従来、パッケージがエポキシ樹脂等に
よって封止されている場合は硝酸等を用いた化学的方
法、Ａｕ−Ｓｉ等の共晶金属によって封止されている場
合は加熱による熱的方法、その他溶接等によって封止さ
れている場合はカッタ等による機械的方法によって開封
していた。
止された状態で装置に組み込まれ、あるいは部品として
出荷される。かかる状態の半導体デバイスが故障した場
合、その原因を究明するためにパッケージを解体し調査
する必要がある。従来、パッケージがエポキシ樹脂等に
よって封止されている場合は硝酸等を用いた化学的方
法、Ａｕ−Ｓｉ等の共晶金属によって封止されている場
合は加熱による熱的方法、その他溶接等によって封止さ
れている場合はカッタ等による機械的方法によって開封
していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】機械的方法は一般によ
く用いられるが、解体時に収納された半導体デバイスチ
ップをカッタあるいは静電気等によって破損したり、ボ
ンディングワイヤを切断したり、さらに解体時の切り粉
等の異物が半導体デバイスチップ表面に付着する等の新
たなトラブルが発生し、そのために最初の故障原因につ
いて解明できなくなるという問題があった。そこで本発
明は、収納された半導体チップに損傷を与えることのな
く、機械的手段によって開封する方法と装置について提
供することを目的とする。
く用いられるが、解体時に収納された半導体デバイスチ
ップをカッタあるいは静電気等によって破損したり、ボ
ンディングワイヤを切断したり、さらに解体時の切り粉
等の異物が半導体デバイスチップ表面に付着する等の新
たなトラブルが発生し、そのために最初の故障原因につ
いて解明できなくなるという問題があった。そこで本発
明は、収納された半導体チップに損傷を与えることのな
く、機械的手段によって開封する方法と装置について提
供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体デ
バイスの開封方法は、パッケージをカッタで切断し、収
納された半導体デバイスを開封するに際し、パッケージ
及び半導体デバイスの形状、寸法並びにパッケージとそ
の中に収納された半導体デバイスの位置関係のデータに
もとずいて切断するカッタの位置を決定して開封し、切
断と共に、パッケージにイオンを吹付けてパッケージに
生じた静電気を除去し、開封後、半導体デバイスに洗浄
剤を吹き付けて塵埃を除去し、引続き不活性ガスを吹き
付けて乾燥することを特徴とする。
バイスの開封方法は、パッケージをカッタで切断し、収
納された半導体デバイスを開封するに際し、パッケージ
及び半導体デバイスの形状、寸法並びにパッケージとそ
の中に収納された半導体デバイスの位置関係のデータに
もとずいて切断するカッタの位置を決定して開封し、切
断と共に、パッケージにイオンを吹付けてパッケージに
生じた静電気を除去し、開封後、半導体デバイスに洗浄
剤を吹き付けて塵埃を除去し、引続き不活性ガスを吹き
付けて乾燥することを特徴とする。
【０００５】また、本発明に係わる半導体デバイスの開
封装置は、パッケージをカッタで切断し、収納された半
導体デバイスを開封する装置であって、パッケージをカ
ッタで開封するための切断装置と、パッケージの静電気
を除去するためのイオン吹付け装置と、塵埃を除去する
ための洗浄剤吹付け装置と、乾燥するための不活性ガス
吹付け装置と、一次データ並びに前記各装置を操作する
ためのシーケンス及び切断条件が入力され、その結果に
もとずいて各装置に司令を発するＣＰＵとを備えたこと
を特徴とし、ここで、一次データはパッケージとその中
に収納された半導体デバイスの位置関係及びそれらの形
状、寸法を含むものである。
封装置は、パッケージをカッタで切断し、収納された半
導体デバイスを開封する装置であって、パッケージをカ
ッタで開封するための切断装置と、パッケージの静電気
を除去するためのイオン吹付け装置と、塵埃を除去する
ための洗浄剤吹付け装置と、乾燥するための不活性ガス
吹付け装置と、一次データ並びに前記各装置を操作する
ためのシーケンス及び切断条件が入力され、その結果に
もとずいて各装置に司令を発するＣＰＵとを備えたこと
を特徴とし、ここで、一次データはパッケージとその中
に収納された半導体デバイスの位置関係及びそれらの形
状、寸法を含むものである。
【０００６】
【作用】上記の構成によれば、本発明に係わる半導体デ
バイスの開封方法は、上記の手順を踏むことによって開
封工程で外傷の付加されることを防ぐことができるの
で、開封後に外観検査、電気特性検査及び物理化学分析
を組合せながら故障原因、故障内容を正確に調べること
ができる。従って、これを製造ラインにフイードバック
して改善することができる。また、本発明に係わる半導
体デバイスの開封装置は、開封に必要な各装置がＣＰＵ
によって一元的に処理されるので、速やかに安定した開
封を行なうことができる。
バイスの開封方法は、上記の手順を踏むことによって開
封工程で外傷の付加されることを防ぐことができるの
で、開封後に外観検査、電気特性検査及び物理化学分析
を組合せながら故障原因、故障内容を正確に調べること
ができる。従って、これを製造ラインにフイードバック
して改善することができる。また、本発明に係わる半導
体デバイスの開封装置は、開封に必要な各装置がＣＰＵ
によって一元的に処理されるので、速やかに安定した開
封を行なうことができる。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。図１は本発明の実施例に係わる全体の構成を
示す概略図である。図において、パッケージ１をカッタ
で開封するための切断装置３と、パッケージに発生した
静電気を除去するためのイオン吹付け装置４と、塵埃を
除去するための洗浄剤吹付け装置５と、半導体デバイス
を乾燥するための不活性ガス吹付け装置６の他に、収納
された半導体デバイスとパッケージの形状、寸法等の一
次データ８、並びに前記各装置３、４、５、６を操作す
るためのシーケンス及び切断条件９が入力され、その結
果にもとずいて各装置に司令を発するＣＰＵ７とを備え
ている。
説明する。図１は本発明の実施例に係わる全体の構成を
示す概略図である。図において、パッケージ１をカッタ
で開封するための切断装置３と、パッケージに発生した
静電気を除去するためのイオン吹付け装置４と、塵埃を
除去するための洗浄剤吹付け装置５と、半導体デバイス
を乾燥するための不活性ガス吹付け装置６の他に、収納
された半導体デバイスとパッケージの形状、寸法等の一
次データ８、並びに前記各装置３、４、５、６を操作す
るためのシーケンス及び切断条件９が入力され、その結
果にもとずいて各装置に司令を発するＣＰＵ７とを備え
ている。
【０００８】図２は半導体デバイス２を収納したパッケ
ージ１の断面図、図３はカッタ３−１によってパッケー
ジ１を切断する工程を説明するための平面図である。パ
ッケージ１はコバール等の金属あるいはセラミックスに
よって箱状に形成され、その中心部にはゲルマニウムあ
るいはシリコンからなる半導体デバイス２が固定され、
ワイヤボンディング２−１が施されて蓋１−１を被せて
密閉されている。
ージ１の断面図、図３はカッタ３−１によってパッケー
ジ１を切断する工程を説明するための平面図である。パ
ッケージ１はコバール等の金属あるいはセラミックスに
よって箱状に形成され、その中心部にはゲルマニウムあ
るいはシリコンからなる半導体デバイス２が固定され、
ワイヤボンディング２−１が施されて蓋１−１を被せて
密閉されている。
【０００９】このようなパッケージ１がＸＹＺ方向に移
動可能なステージ１０上に固定され、ダイヤモンドカッ
タ３−１によって蓋１−１が図３の点線、、、
に従って切断される。この時、切断するためのカッタの
位置としてＸ−Ｙ平面内の位置と深さであるＺ方向の位
置を決めなければならない。そのためにはパッケージ１
及びボンディングワイヤを含めた半導体デバイス２の形
状と寸法並びに収納された半導体デバイス２の位置を含
む一次データが必要である。このデータは通常半導体デ
バイスの製造メーカが持っているので入手できる。この
一次データにもとずいて半導体デバイス２を破損させな
いカッタの切断条件が求められる。この工程及び以下に
述べる工程における条件の算出し、算出された条件にも
とずく一連の司令はＣＰＵ７によって行なわれる。
動可能なステージ１０上に固定され、ダイヤモンドカッ
タ３−１によって蓋１−１が図３の点線、、、
に従って切断される。この時、切断するためのカッタの
位置としてＸ−Ｙ平面内の位置と深さであるＺ方向の位
置を決めなければならない。そのためにはパッケージ１
及びボンディングワイヤを含めた半導体デバイス２の形
状と寸法並びに収納された半導体デバイス２の位置を含
む一次データが必要である。このデータは通常半導体デ
バイスの製造メーカが持っているので入手できる。この
一次データにもとずいて半導体デバイス２を破損させな
いカッタの切断条件が求められる。この工程及び以下に
述べる工程における条件の算出し、算出された条件にも
とずく一連の司令はＣＰＵ７によって行なわれる。
【００１０】パッケージ１をカッタ３−１で切断すると
静電気が発生し、半導体デバイス２を破壊する場合があ
る。そこでパッケージ１をカッタ３−１で切断すると同
時にパッケージ１にイオン・ブローを吹き付けて発生し
た静電気を除去する。半導体デバイスがシリコンの場合
よりＧａＡｓの方が低い電圧で静電破壊を起こすので、
材料によって静電気の除去条件を調整する必要がある。
静電気が発生し、半導体デバイス２を破壊する場合があ
る。そこでパッケージ１をカッタ３−１で切断すると同
時にパッケージ１にイオン・ブローを吹き付けて発生し
た静電気を除去する。半導体デバイスがシリコンの場合
よりＧａＡｓの方が低い電圧で静電破壊を起こすので、
材料によって静電気の除去条件を調整する必要がある。
【００１１】さらに、パッケージ１をカッタ３−１で切
断すると切り粉等の塵埃が半導体デバイス２に付着し、
配線間の短絡あるいは絶縁不良等の電気特性を劣化させ
る場合がある。そこで、パッケージ１を開封後、半導体
デバイス２にアセトンあるいはアルコール等の有機溶剤
からなる洗浄剤を吹き付けて塵埃を除去する。洗浄が終
わった後、清浄な窒素ガス等の不活性ガスを吹き付けて
乾燥することによって本実施例の開封工程が完了する。
これらの操作はチャンバ１１の中で行なわれる。
断すると切り粉等の塵埃が半導体デバイス２に付着し、
配線間の短絡あるいは絶縁不良等の電気特性を劣化させ
る場合がある。そこで、パッケージ１を開封後、半導体
デバイス２にアセトンあるいはアルコール等の有機溶剤
からなる洗浄剤を吹き付けて塵埃を除去する。洗浄が終
わった後、清浄な窒素ガス等の不活性ガスを吹き付けて
乾燥することによって本実施例の開封工程が完了する。
これらの操作はチャンバ１１の中で行なわれる。
【００１２】以上の開封工程を経ることによって取り出
された半導体デバイス２は、開封工程を経ても新たに外
傷が付加されないので、オリジナルの状態を実現するこ
とができる。このように開封された半導体デバイス２は
顕微鏡観察、物理化学分析等によって正確に故障分析を
行なうことができる。
された半導体デバイス２は、開封工程を経ても新たに外
傷が付加されないので、オリジナルの状態を実現するこ
とができる。このように開封された半導体デバイス２は
顕微鏡観察、物理化学分析等によって正確に故障分析を
行なうことができる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わる半
導体デバイスの開封方法は、開封工程で外傷が付加され
ないので、開封後に外観検査、電気特性検査及び物理化
学分析を組合せながら故障原因、故障内容を正確に調べ
ることができる。従って、これを製造ラインにフイード
バックして改善することができる。また、本発明に係わ
る半導体デバイスの開封装置は、開封に必要な各装置が
ＣＰＵによって一元的に処理されるので、速やかに安定
した開封を行なうことができる。
導体デバイスの開封方法は、開封工程で外傷が付加され
ないので、開封後に外観検査、電気特性検査及び物理化
学分析を組合せながら故障原因、故障内容を正確に調べ
ることができる。従って、これを製造ラインにフイード
バックして改善することができる。また、本発明に係わ
る半導体デバイスの開封装置は、開封に必要な各装置が
ＣＰＵによって一元的に処理されるので、速やかに安定
した開封を行なうことができる。
【図１】本発明の実施例に係わる全体の構成を示す概略
図である。
図である。
【図２】半導体デバイスを収納したパッケージの構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】パッケージの切断を説明するための平面図であ
る。
る。
１：パッケージ １−１：蓋 ２：半導体デバイス ２−１：ボンディングワイヤ ３：切断装置 ３−１：カッタ ４：イオン吹付け装置 ５：洗浄剤吹付け装置 ６：不活性ガス吹付け装置 ７：ＣＰＵ ８：一次データ ９：シーケンス及び条件 １０：ステージ １１：チャンバ
Claims (3)
- 【請求項１】 パッケージをカッタで切断し、収納され
た半導体デバイスを開封するに際し、 パッケージ及び半導体デバイスの形状、寸法並びにパッ
ケージとその中に収納された半導体デバイスの位置関係
のデータにもとずいて切断するカッタの位置を決定して
開封し、 切断と共に、パッケージにイオンを吹付けてパッケージ
に生じた静電気を除去し、 開封後、半導体デバイスに洗浄剤を吹き付けて塵埃を除
去し、引続き不活性ガスを吹き付けて乾燥することを特
徴とする半導体デバイスの開封方法。 - 【請求項２】 パッケージをカッタで切断し、収納され
た半導体デバイスを開封する装置であって、 パッケージをカッタで開封するための切断装置と、パッ
ケージの静電気を除去するためのイオン吹付け装置と、
塵埃を除去するための洗浄剤吹付け装置と、乾燥するた
めの不活性ガス吹付け装置と、一次データ並びに前記各
装置を操作するためのシーケンス及び切断条件が入力さ
れ、その結果にもとずいて各装置に司令を発するＣＰＵ
とを備えたことを特徴とする半導体デバイスの開封装
置。 - 【請求項３】 一次データはパッケージとその中に収納
された半導体デバイスの位置関係及びそれらの形状、寸
法を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体デバ
イスの開封装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17987694A JPH0846003A (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 半導体デバイスの開封方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17987694A JPH0846003A (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 半導体デバイスの開封方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846003A true JPH0846003A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16073451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17987694A Pending JPH0846003A (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 半導体デバイスの開封方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846003A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100730334B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2007-06-19 | 가부시키가이샤 요시노 고교쇼 | 보형성이 우수한 합성 수지제 용기 |
| CN112735981A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-30 | 北京振兴计量测试研究所 | 一种芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法 |
-
1994
- 1994-08-01 JP JP17987694A patent/JPH0846003A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100730334B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2007-06-19 | 가부시키가이샤 요시노 고교쇼 | 보형성이 우수한 합성 수지제 용기 |
| CN112735981A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-30 | 北京振兴计量测试研究所 | 一种芯片注塑封装的金属陶瓷封装晶体振荡器的开封方法 |
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