JPS5840840A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPS5840840A JPS5840840A JP56138933A JP13893381A JPS5840840A JP S5840840 A JPS5840840 A JP S5840840A JP 56138933 A JP56138933 A JP 56138933A JP 13893381 A JP13893381 A JP 13893381A JP S5840840 A JPS5840840 A JP S5840840A
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- JP
- Japan
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- pellet
- semiconductor device
- elements
- groove
- manufacturing
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置およびその製造方法にががり、特に
半導体素子ペレットの周囲端部に丸味を帯びさせた信頼
度の高い半導体装置およびその製造方法に関する。
半導体素子ペレットの周囲端部に丸味を帯びさせた信頼
度の高い半導体装置およびその製造方法に関する。
従来、砒化ガリウム、シリコン又はゲルマニウム等のウ
ェーハに作りこまれた素子ペレットは組立てに先立ち格
子状に分離されるが、分離は通常ダイヤモンドポイント
又はダイサーにより切削し、その後プラスチックフィル
ムを介して行なわれている。このような分離によるとき
は素子ペレットの周辺の端部は鋭角又は尖鋭な角を形成
し易い。
ェーハに作りこまれた素子ペレットは組立てに先立ち格
子状に分離されるが、分離は通常ダイヤモンドポイント
又はダイサーにより切削し、その後プラスチックフィル
ムを介して行なわれている。このような分離によるとき
は素子ペレットの周辺の端部は鋭角又は尖鋭な角を形成
し易い。
特にシリコンのときは結晶軸に添って分離されるので少
くも部分的に鋭角を形成し易い。また砒化ガリウムは鋭
角又は尖鋭な角を形成し易いことと、非常に破砕され易
い性質ヲ持っている。従ってこれらの素子ベレットヲへ
ラダーにダイマウントするとき、使用するペレットキャ
リア、例えばダイコレットやピンセットによる操作時簡
単に鋭角部又は尖鋭な角部が破壊する。
くも部分的に鋭角を形成し易い。また砒化ガリウムは鋭
角又は尖鋭な角を形成し易いことと、非常に破砕され易
い性質ヲ持っている。従ってこれらの素子ベレットヲへ
ラダーにダイマウントするとき、使用するペレットキャ
リア、例えばダイコレットやピンセットによる操作時簡
単に鋭角部又は尖鋭な角部が破壊する。
第１図は従来の素子ペレットのダイマウントの説明用断
面図で、図において１はダイコレットでペレット３に接
する面は傾斜面を形成している。
面図で、図において１はダイコレットでペレット３に接
する面は傾斜面を形成している。
また２は吸引口である。ペレット３の表面の端部４およ
び４′は尖鋭な角になっており、まり表面は酸化保護膜
５および電極６が形成されている。
び４′は尖鋭な角になっており、まり表面は酸化保護膜
５および電極６が形成されている。
ダイマウントにあたってはダイコレットの吸引口２より
の減圧吸引によりペレット３がコレットに吸着される。
の減圧吸引によりペレット３がコレットに吸着される。
このときペレットの端ＭＳ４および４′は共に尖鋭な角
になっているため、吸着するとその角の弱い部分で破損
を生じ、破片粉末が付近に飛散する。
になっているため、吸着するとその角の弱い部分で破損
を生じ、破片粉末が付近に飛散する。
その後ダイマウントのため付着面に圧接後こすられるが
、このとき再び主として尖鋭な角部で破壊される。その
結果第２図に示すように飛散した粉末８は例えば電極６
の上に付着する。この付着した粉末はダイマウント時の
加熱の影響もあり、一度付着すると容易に脱離すること
がなく素子ペレット全不良品とするか、その後の信頼性
の低下全米たす原因となっていた５、第２図は従来の素
子ペレットの破損状況を示す平面図であり、図中７はペ
レットの破損個所である。ダイマウントにあたり素子ベ
レットが平衡状態に吸引されないときは端部の破損は加
速され上記問題奮起し易くなる。
、このとき再び主として尖鋭な角部で破壊される。その
結果第２図に示すように飛散した粉末８は例えば電極６
の上に付着する。この付着した粉末はダイマウント時の
加熱の影響もあり、一度付着すると容易に脱離すること
がなく素子ペレット全不良品とするか、その後の信頼性
の低下全米たす原因となっていた５、第２図は従来の素
子ペレットの破損状況を示す平面図であり、図中７はペ
レットの破損個所である。ダイマウントにあたり素子ベ
レットが平衡状態に吸引されないときは端部の破損は加
速され上記問題奮起し易くなる。
従って本発明の目的は以上の問題点に対処してなされた
もので、ダイマウントにあたり破損することがなく信頼
性の優れた半導体装置およびその製造方法を提供するに
ある。
もので、ダイマウントにあたり破損することがなく信頼
性の優れた半導体装置およびその製造方法を提供するに
ある。
すなわち本発明の第１の要旨は、砒化ガリウム。
シリコン又はゲルマニウム等より製作される半導体装置
において、該半導体装置の素子ペレットの周囲の端部に
丸味を帯びさせたことを特徴とする半導体装置にある。
において、該半導体装置の素子ペレットの周囲の端部に
丸味を帯びさせたことを特徴とする半導体装置にある。
また本発明の第２の要旨は、素子の形成された半導体ウ
ェーハのスクライプ部分を除く全面にホトレジスト膜を
被層する工程と、スクライプ部分に添って細い溝を形成
する工程と、該ウェーハの溝部および近傍の露出部をケ
ミカルエツチングし溝の端部に丸味を帯びさせる工程と
、素子に分離する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法にある。
ェーハのスクライプ部分を除く全面にホトレジスト膜を
被層する工程と、スクライプ部分に添って細い溝を形成
する工程と、該ウェーハの溝部および近傍の露出部をケ
ミカルエツチングし溝の端部に丸味を帯びさせる工程と
、素子に分離する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法にある。
また本発明の第３の要旨は、素子の形成された半導体ウ
ェーハのスクライブ部分に添って細いレーザビームで分
離用の溝全形成する工程と、レーザビームを調整し前工
程より太いビームで前記溝部を走査し溝部の端部に丸味
を帯びさせる工程と、素子に分離する工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法にある。
ェーハのスクライブ部分に添って細いレーザビームで分
離用の溝全形成する工程と、レーザビームを調整し前工
程より太いビームで前記溝部を走査し溝部の端部に丸味
を帯びさせる工程と、素子に分離する工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法にある。
以下実施例を用いて具体的に説明する。
第３図は本発明の一実施例による半導体装置の２子ペレ
ツトのダイマウントの説明用断面図である。因において
各部の番号は第１図と同じ部分は第１図に準する。図中
９，９′は本発明ペレット３′の丸味を帯びさせた端部
である。本発明によるペレット３′は端部が丸味を帯び
て形成されて ５− いるので、先ず吸引口２の減圧によりダイコレット１に
吸着されたとき端部の破損を生ずることはない。
ツトのダイマウントの説明用断面図である。因において
各部の番号は第１図と同じ部分は第１図に準する。図中
９，９′は本発明ペレット３′の丸味を帯びさせた端部
である。本発明によるペレット３′は端部が丸味を帯び
て形成されて ５− いるので、先ず吸引口２の減圧によりダイコレット１に
吸着されたとき端部の破損を生ずることはない。
次に加熱されたヘッダーにペレット全圧接およびこする
ことによる接着工程においても端部が尖鋭でなく丸味を
帯びているので殆んど破損されることがなく、従って破
損粉末の付着現象はおきることがなく、それによって引
き起こされた不良や信頼性の低下はなくなる。
ことによる接着工程においても端部が尖鋭でなく丸味を
帯びているので殆んど破損されることがなく、従って破
損粉末の付着現象はおきることがなく、それによって引
き起こされた不良や信頼性の低下はなくなる。
次に上述した素子ペレットの周囲の端部に丸味を帯びさ
せた半導体装置の製造方法につき説明する。
せた半導体装置の製造方法につき説明する。
第１の製造方法は化学的処理を併用することにより実施
できる。すなわち、先ず半導体素子を形成した例えば２
００μｍの厚さのウェーハにホトレジスト被膜を形成し
たのち、スクライプ部分のホトレジストを５０〜６０μ
ｍ 除去する。このウェーハをスクライブ盤に接着した
のち、水洗しながらダイシングにより１００〜１５０μ
ｍ程度の深さまで溝を形成する。しかるのちウェーハを
注意して ６− スクライブ盤より脱離させる。その後シリコンウェーハ
の場合はエツチング液、例えば弗酸１に対し硝酸４で、
砒化ガリウムウェーハに対【２てはエツチング液、例え
ば硝酸３．過酸化水素１．水１（τよりエツチングすれ
ばウェーハの溝部の尖鋭な角部又は鋭角部はエツチング
されて丸味を帯びた端部となる。次に注意して洗条、乾
燥したあと１プラスチツクフイルムを介して個々の素子
ペレットに分割すると周囲の端が丸味を帯びた本発明（
Ｃよる半導体装置用の素子ペレットが得られる。
できる。すなわち、先ず半導体素子を形成した例えば２
００μｍの厚さのウェーハにホトレジスト被膜を形成し
たのち、スクライプ部分のホトレジストを５０〜６０μ
ｍ 除去する。このウェーハをスクライブ盤に接着した
のち、水洗しながらダイシングにより１００〜１５０μ
ｍ程度の深さまで溝を形成する。しかるのちウェーハを
注意して ６− スクライブ盤より脱離させる。その後シリコンウェーハ
の場合はエツチング液、例えば弗酸１に対し硝酸４で、
砒化ガリウムウェーハに対【２てはエツチング液、例え
ば硝酸３．過酸化水素１．水１（τよりエツチングすれ
ばウェーハの溝部の尖鋭な角部又は鋭角部はエツチング
されて丸味を帯びた端部となる。次に注意して洗条、乾
燥したあと１プラスチツクフイルムを介して個々の素子
ペレットに分割すると周囲の端が丸味を帯びた本発明（
Ｃよる半導体装置用の素子ペレットが得られる。
“また第２の製造方法としてはレーザ光の利用により芙
施できる。すがわち、第１の製造方法と同様に２００μ
ｍ厚の半導体ウェーハ金準備し、先ず５０μｍ 以下の
訓いレーザビーム全スクライブ部分に添って照射し１０
０〜１５０μＩＴＩ程度の深さの溝を形成する。次にレ
ーザビームを調節し１００μｍ程度の先に形成した溝幅
より太いレーザビームで細い溝を再び走査し、尖鋭な角
部又は鋭角の溝の端部に丸味を帯びさせる。なおレーザ
ビームにより清音形成する場合、ビームにより溶融して
飛散する微粉全除去する吸塵機を作動させ、また必要に
より所要部分をホトレジストでマスクしておく必要があ
る。ビームにより溝の上端部の丸味の形成されたウェー
ハは洗条、清浄化したのち第１の製造方法と同様プラス
チックフィルムを介して個々のペレットに分離すれば、
ペレットの周囲の端部が丸味を帯びた本発明による半導
体装置用の素子ペレットが得られる。
施できる。すがわち、第１の製造方法と同様に２００μ
ｍ厚の半導体ウェーハ金準備し、先ず５０μｍ 以下の
訓いレーザビーム全スクライブ部分に添って照射し１０
０〜１５０μＩＴＩ程度の深さの溝を形成する。次にレ
ーザビームを調節し１００μｍ程度の先に形成した溝幅
より太いレーザビームで細い溝を再び走査し、尖鋭な角
部又は鋭角の溝の端部に丸味を帯びさせる。なおレーザ
ビームにより清音形成する場合、ビームにより溶融して
飛散する微粉全除去する吸塵機を作動させ、また必要に
より所要部分をホトレジストでマスクしておく必要があ
る。ビームにより溝の上端部の丸味の形成されたウェー
ハは洗条、清浄化したのち第１の製造方法と同様プラス
チックフィルムを介して個々のペレットに分離すれば、
ペレットの周囲の端部が丸味を帯びた本発明による半導
体装置用の素子ペレットが得られる。
なお溝切り用の第１のレーザビーム、丸味を帯びさせる
第２のレーザビームの太さ２強さ１時間等全適宜調整す
れば希望する丸味を持った素子ペレット全形成すること
ができる。
第２のレーザビームの太さ２強さ１時間等全適宜調整す
れば希望する丸味を持った素子ペレット全形成すること
ができる。
以上説明したとおり、本発明によればダイマウント時に
素子ペレットの周囲の端部の破損が極めてすくなく良品
率ならびに信頼性の優れた半導体装置が得られる。
素子ペレットの周囲の端部の破損が極めてすくなく良品
率ならびに信頼性の優れた半導体装置が得られる。
第１図は従来の素子ペレットのダイマウントの説明用断
面図、第２図は従来の素子ペレットの破損状況金示す平
面図、第３図は本発明の一実施例による半導体装置の素
子ペレットのダイマウントの説明用断面図である。 １・・・・・・ダイコレット、２・・・・・・吸引口、
３・・・・・素子ペレット、４．４’ 、９．９’・・
・・・・ペレットの表面周囲の端部、５・・・・・・酸
化保護膜、６・・・・・・電極、７・・・・・・ペレッ
トの破損個所、８・・・・・・飛散刺着した粉末。 ９− 第 １ 図 第 Ｚ図
面図、第２図は従来の素子ペレットの破損状況金示す平
面図、第３図は本発明の一実施例による半導体装置の素
子ペレットのダイマウントの説明用断面図である。 １・・・・・・ダイコレット、２・・・・・・吸引口、
３・・・・・素子ペレット、４．４’ 、９．９’・・
・・・・ペレットの表面周囲の端部、５・・・・・・酸
化保護膜、６・・・・・・電極、７・・・・・・ペレッ
トの破損個所、８・・・・・・飛散刺着した粉末。 ９− 第 １ 図 第 Ｚ図
Claims (3)
- （１）砒化ガリウム、シリコン又はゲルマニウム等より
製作される半導体装置において、該半導体装置の素子ペ
レットの周囲の端部に丸味を帯びさせたことを特徴とす
る半導体装置。 - （２）素子の形成された半導体ウェーハのスクライプ部
分を除く全面にホトレジスト膜ヲ被着する工程と、スク
ライプ部分に添って細い溝を形成する工程と、該ウェー
ハの溝部およびその近傍の露出部全ケミカルエツチング
し溝の端部に丸味を帯びさせる工程と、素子に分離する
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （３）素子の形成された牛導体りエーハのスクライプ部
分に添って細いレーザビームで分離用の溝全形成する工
程と、レーザビームを調整し前工程より太いビームで前
記溝部全走査し溝部の端部に丸味を帯びさせる工程と、
素子に分離する工程とを含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56138933A JPS5840840A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56138933A JPS5840840A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840840A true JPS5840840A (ja) | 1983-03-09 |
Family
ID=15233532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56138933A Pending JPS5840840A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840840A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4795872A (en) * | 1985-10-25 | 1989-01-03 | Nippon Light Metal Company Limited | Electromagnetic induction heating apparatus including a magnetic flux diverting assembly |
| JPH0539594U (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-28 | 株式会社タカラ | 動作玩具 |
| JP2008529258A (ja) * | 2005-01-24 | 2008-07-31 | 松下電器産業株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5039045A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-10 | ||
| JPS5116869A (en) * | 1974-08-02 | 1976-02-10 | Hitachi Ltd | Handotaisochino seizoho |
| JPS5386569A (en) * | 1977-01-11 | 1978-07-31 | Toshiba Corp | Semiconductor pellet forming method |
| JPS546768A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS55130158A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor pellet |
-
1981
- 1981-09-03 JP JP56138933A patent/JPS5840840A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5039045A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-10 | ||
| JPS5116869A (en) * | 1974-08-02 | 1976-02-10 | Hitachi Ltd | Handotaisochino seizoho |
| JPS5386569A (en) * | 1977-01-11 | 1978-07-31 | Toshiba Corp | Semiconductor pellet forming method |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4795872A (en) * | 1985-10-25 | 1989-01-03 | Nippon Light Metal Company Limited | Electromagnetic induction heating apparatus including a magnetic flux diverting assembly |
| JPH0539594U (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-28 | 株式会社タカラ | 動作玩具 |
| JP2008529258A (ja) * | 2005-01-24 | 2008-07-31 | 松下電器産業株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
| US8383436B2 (en) | 2005-01-24 | 2013-02-26 | Panasonic Corporation | Manufacturing method for semiconductor chips, and semiconductor chip |
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