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JPH0845037A - 薄膜磁気抵抗トランスジューサ - Google Patents

薄膜磁気抵抗トランスジューサ

Info

Publication number
JPH0845037A
JPH0845037A JP7115867A JP11586795A JPH0845037A JP H0845037 A JPH0845037 A JP H0845037A JP 7115867 A JP7115867 A JP 7115867A JP 11586795 A JP11586795 A JP 11586795A JP H0845037 A JPH0845037 A JP H0845037A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
magnetoresistive
magnetic
thin film
transducer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7115867A
Other languages
English (en)
Inventor
Durga Ravipati
ラビパティ ドゥルガ
Yong Shen
シェン ヨン
William C Cain
チャールズ カイン ウィリアム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Read Rite Corp
Original Assignee
Read Rite Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Read Rite Corp filed Critical Read Rite Corp
Publication of JPH0845037A publication Critical patent/JPH0845037A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/399—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures with intrinsic biasing, e.g. provided by equipotential strips

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気的信頼性と電気的信頼性の両方の観点か
ら最適な構造とし、性能を高めた磁気抵抗読出トランス
ジューサを提供する。 【構成】 強磁性材料で形成されていて、両端部領域
とこれらを相互に隔離する中央活性領域とを有する磁気
抵抗層と、磁気抵抗層の両端部領域に各々突き合わせ
接触していて、共働して磁気抵抗層に磁気バイアスを付
与する第１および第２の硬質磁性層と、導電性材料で
形成されていて、該磁気抵抗層の両端部領域に各々接触
して該磁気抵抗と共に低リード抵抗の直接電流路を形成
している第１および第２の電気的リード部とを備え、磁
気抵抗層と第１および第２の硬質磁性層と第１および第
２の電気的リード部とが相互に突き合わせ接合面を形成
している薄膜磁気抵抗トランスジューサ。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗（ＭＲ２magn
etoresistive）装置、特に低抵抗のハードバイアス設計
を取り入れた磁気抵抗装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】これまでに、磁気媒体上に記録された情
報を検出するために種々のデバイスが作られてきた。初
期には電磁誘導式センサ（inductive sensors ）が一般
に用いられていた。その後、種々のタイプの磁気抵抗装
置が提案され使用されてきた。読出トランスジューサに
磁気抵抗素子を用いると種々の利点がある。今日の薄膜
技術は、高密度記録用に適用できる小型の磁気抵抗トラ
ンスジューサの作製を可能にした。磁気抵抗トランスジ
ューサを用いると、非常に狭いトラック幅の記録媒体上
の情報を読み出すことができる。同じく重要な点は、読
出過程で生成される出力信号が記録媒体の走行速度には
依存せず、出力振幅が非常に大きいという点である。信
号振幅が大きいので、公知のパルス幅縮小技術を用いて
信号の直線密度を更に向上させることができる。
【０００３】図１は、従来の磁気抵抗トランスジューサ
をその空気対向表面（Air BearingSurface: ABS) に平
行な面で切った断面である。このトランスジューサ（全
体を参照番号２で示した）は、一対のシールド材６Ａと
６Ｂの間に絶縁誘電体１０を介して多層構造部４を挟ん
である。一般にシールド材６Ａおよび６Ｂは、高透磁率
・低保磁力の強磁性材料で作ってある。シールド材６Ａ
および６Ｂは多層構造部４を囲い込んでいて、その役割
は、高分解能のデバイスを構成することである。多層構
造部４内には、低透磁率の軟質強磁性材料の磁気抵抗
（ＭＲ）層８がある。読出過程で、磁気抵抗層８を通過
する磁束の変化によって磁気抵抗層８の抵抗率が変化す
る。この特性が、後に詳細に説明するトランスジューサ
２の読出能力の基礎になっている。当分野で周知のよう
に、バルクハウゼンノイズを抑制するために、磁気抵抗
層８は単磁区状態に配向していなくてはならない。この
作用を行うために硬質磁性層１４Ａおよび１４Ｂによっ
て、磁気抵抗層８に長さ方向の磁気バイアスを付与して
いる。また、磁気抵抗層８を直線領域内で作動させるた
めに、もう一つ別のバイアスとして幅方向の磁気バイア
スも磁気抵抗層８に付与する必要がある。この機能を果
たすために、磁気抵抗層８に隣接して軟質隣接層（Soft
Adjacent Layer: SAL) １８が設けてある。軟質隣接層
１８と磁気抵抗層８とは、非磁性材料で通常作られてい
るスペーサ層１６で間隔を持たせてある。軟質隣接層１
８は一般に高透磁率の軟質磁性材料で作られていて、硬
質磁性層が生起する長さ方向バイアスを横切る方向にほ
ぼ磁気飽和している。
【０００４】読出モード時には、タングステン（Ｗ）ま
たは金（Ａｕ）のような導電材料で通常作られている電
気的リード部２０Ａおよび２０Ｂを介してバイアス電流
が印加される。バイアス電流は硬質磁性層１４Ａおよび
１４Ｂを介して磁気抵抗層８を通過する。既に述べたよ
うに、トランスジューサ２が横切った磁束の変化によっ
て磁気抵抗層８の電気抵抗率が変化する。磁気抵抗層８
を通過する電流によって抵抗率が変化し、その結果、変
動電圧が生ずる。この電圧は記録媒体（図示せず）から
読み出された情報に対応する。この変動電圧は電気的リ
ード部２０Ａおよび２０Ｂに現れるから、これを検知増
幅器（図示せず）に入力して増幅させることができる。
トランスジューサ２においては、硬質磁性層１４Ａおよ
び１４Ｂが電気的リード部２０Ａおよび２０Ｂの間にそ
れぞれ介在している点が注目される。
【０００５】米国特許第 4,663,685号および第 5,005,0
96号には、接続リード部からの電流路に、ＣｏＰのよう
な長さ方向バイアス用永久磁石材料とＣｏＣｒ、ＣｏＮ
ｉＣｒ、またはＣｏＣｒＰｔの複数層とが共存する領域
を設けた構造が記載されている。これらの特許には、Ｍ
Ｒ層までの電流路の電気抵抗を更に増加させるもう一つ
の共存する導電層が記載されている。すなわちこれら先
行特許には、望ましくない状態であるＭＲ層までの高抵
抗電流路が示されている。
【０００６】長さ方向の磁気バイアスを高めるために、
本発明ではこれとは別のタイプのトランスジューサを考
えた。そのようなトランスジューサを図２に参照番号２
２で示す。トランスジューサ２２においては、硬質磁性
バイアス層２４Ａおよび２４Ｂと磁気抵抗層８とは、突
き合わせ接合面２６Ａおよび２６Ｂをそれぞれ形成して
いる。硬質磁性層２４Ａおよび２４Ｂによって、上記引
用した特許に比べて、長さ方向の磁気バイアスがより連
続的になると共に、磁気抵抗層８までの電流路がより直
接的になる。図１および図２に示した従来のトランスジ
ューサの場合、読出モード時にはバイアス電流が電気的
リード部２０Ａおよび２０Ｂを介して磁気抵抗層８を流
れる。電気的リード部２０Ａおよび２０Ｂは硬質磁性バ
イアス層２４Ａおよび２４Ｂと接触させて配置してあ
る。バイアス電流は、磁気抵抗層８に到達するためには
突き合わせ接合面２６Ａおよび２６Ｂを通過しなければ
ならない。しかし、突き合わせ接合面２６Ａおよび２６
Ｂには、製造時の残留酸化物が付着していることがあ
る。接合面にあるこの残留酸化物は、長さ方向磁気バイ
アスの磁束には影響しないが、バイアス電流にとっては
致命的になる可能性があり、結局は検知電圧にとっても
致命的になり得る。その結果、信号対ノイズ比が劣化し
たり、更には信頼性に問題が生じたりする。この欠点を
改善するには、残留酸化物の除去をより徹底すればよい
が、製造工程が増加し、監視もより厳重にするという負
担が生ずる。このタイプのトランスジューサは、米国特
許第 5,018,037号（Krounbi et al.、名称「硬質磁性バ
イアスを持つ磁気抵抗読出トランスジューサ」、発行 1
991/05/21 ）に記載されている。
【０００７】トランスジューサ２２の構造のもう一つの
欠点は、この構造に起因する磁気的な制限のために、層
８、１６、１８のうちの一番長いもので決まる横幅Ｌを
更に減少させることができないことである。磁気的な信
頼性の観点からは、各硬質磁性層２４Ａおよび２４Ｂは
短い方が良いし、これらと磁気抵抗層８との界面も短い
方が良い。しかし電気的な信頼性の観点からは、各硬質
磁性層２４Ａおよび２４Ｂは長くする必要があるし、こ
れらと磁気抵抗層８との界面も長い方が良い。現実に
は、通常これら矛盾する両条件の中庸を選択している。
したがって、トランスジューサ２２は矛盾する条件間の
妥協で成り立っている。
【０００８】電子製品の寸法をコンパクトにして携帯可
能にするという要望が絶えずあるため、製造者にとって
記憶装置の小型化を進めることが急務である。トラック
幅が狭く高直線記録密度の記録媒体上の情報を読み出す
ことができる磁気読出トランスジューサが是非とも必要
である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、磁気
的信頼性と電気的信頼性の両方の観点から最適な構造と
し、性能を高めた磁気抵抗読出トランスジューサを提供
することである。この目的は、製造条件の許容範囲を広
げ厳格な監視工程を不要にして、製造を容易化すること
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、本発明に
よれば、強磁性材料で形成されていて、両端部領域とこ
れらを相互に隔離する中央活性領域とを有する磁気抵抗
層と、該磁気抵抗層の両端部領域に各々突き合わせ接触
していて、共働して該磁気抵抗層に磁気バイアスを付与
する第１および第２の硬質磁性層と、導電性材料で形成
されていて、該磁気抵抗層の両端部領域に各々接触して
該磁気抵抗と共に低リード抵抗の直接電流路を形成して
いる第１および第２の電気的リード部とを備えていて、
該磁気抵抗層と、該第１および第２の硬質磁性層と、該
第１および第２の電気的リード部とが、相互に突き合わ
せ接合面を形成している薄膜磁気抵抗トランスジューサ
によって達成される。
【００１１】上記の目的は、本発明によれば、記録媒体
からの磁束の変化を電気信号に変換するための、低信号
リード抵抗を有する薄膜磁気抵抗トランスジューサであ
って、強磁性材料で形成されていて、両端部領域とこれ
らを相互に隔離する中央活性領域とを有し、該磁束の変
化に応答して電気抵抗率が変化する磁気抵抗層と、該磁
気抵抗層の両端部領域に各々突き合わせ接触していて、
共働して該磁気抵抗層に磁気バイアスを付与する第１お
よび第２の硬質磁性層と、導電性材料で形成されてい
て、該トランスジューサが横切る磁束の変化に応答して
抵抗が変化する該磁気抵抗層を電流が通過するのに対応
して、低リード抵抗の電流路としての該電気的リード部
を直接に通過する電気信号に対応した変動電圧が該磁気
抵抗層に生ずるように、該磁気抵抗層の両端部領域に各
々接触して配置された第１および第２の電気的リード部
とを備えていて、該磁気抵抗層と、該第１および第２の
硬質磁性層と、該第１および第２の電気的リード部と
が、相互に突き合わせ接合面を形成している薄膜磁気抵
抗トランスジューサによっても達成される。
【００１２】本発明の望ましい態様においては、磁気抵
抗読出トランスジューサは両端の領域が中央の活性領域
によって隔離された構造を持つ。一対の硬質磁性層が磁
気抵抗層に長さ方向磁気バイアスを付与する。硬質磁性
層の各々が磁気抵抗層の両端領域の一方に接触してい
る。また、一対の電気的リード部が磁気抵抗層に検知電
流を付与する。電気的リード部の各々も磁気抵抗層の両
端領域の一方に接触している。実質的に、低電気抵抗電
流路としての電気的リード部から、磁気抵抗層の中央活
性領域を電流が直接に流れる。バイアス膜からの磁束
が、中央ＭＲ活性領域を単磁区状態にする。
【００１３】本発明のこれらおよびその他の特徴および
利点について、以下に添付図面を参照して詳細に説明す
る。
【００１４】
【実施例】図３および図４において、保護ケース３６を
持つ磁気ヘッド３４の中にトランスジューサ３２が配置
されている。保護ケース３６は非磁性・非導電性材料、
例えばセラミックで作られていることが望ましい。保護
ケース３６の内部に複数の磁気シールド材３８Ａ〜３８
Ｃが配置されている。シールド材３８Ａ〜３８Ｃは磁束
を種々の目的に制御できるように拘束する。例えば、書
込モード時に書込コイル（図示せず）から放射された磁
束が、シールド材３８Ｂと３８Ｃとの間の書込ギャップ
４０を通って記録媒体４２上に達する。読出モード時に
は、記録媒体４２からの磁束が、シールド材３８Ａと３
８Ｂとの間の読出ギャップ４１を通って読出トランスジ
ューサ３２に達する。磁気シールド材３８Ａ〜３８Ｃ
は、低保磁力・高透磁率の軟質磁性材料で作られている
ことが望ましい。パーマロイ（ＮｉＦｅ）およびセンダ
スト（ＡｌＳｉＦｅ）がその例である。また、読出トラ
ンスジューサ３２に接続された２つの導電ストリップ４
６Ａおよび４６Ｂは、検知された電気信号を検知増幅器
（図示せず）に搬送する。
【００１５】例えば読出モード時には、磁気ヘッド３４
の空気対向表面４３の下を、記録媒体４２が矢印４８の
方向に走行する。記録媒体４２上に記録されている情報
はトランスジューサ３２が横切ることにより磁束変化と
して現れる。この磁束変化はトランスジューサ３２によ
って電気信号に変換され、導電ストリップ４６Ａおよび
４６Ｂのところに現れる。図３には示していないが、シ
ールド材３８Ａ〜３８Ｃの間には絶縁誘電体がある。こ
の絶縁誘電体は図４および図５に示してある。
【００１６】図４および図５は、それぞれ図３の線４−
４および線５−５に沿った断面図である。シールド材３
８Ａと３８Ｂの間にある読出トランスジューサ３２は、
絶縁誘電体５０によってシールド材３８Ａおよび３８Ｂ
から隔離されている。絶縁誘電体５０は非磁性・非導電
性の材料であることが望ましい。この望ましい実施態様
においては、絶縁誘電体５０はアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）
で構成されている。トランスジューサ３２内には、高透
磁率・低保磁力の軟質磁性材料で作られた磁気抵抗層５
２がある。磁気抵抗層５２は２つの端部領域５２Ａと５
２Ｂとが中央活性領域５２Ｃで隔離された構造である。
端部領域５２Ａおよび５２Ｂの各々には硬質磁性層５４
Ａおよび５４Ｂがそれぞれ配置されている。バルクハウ
ゼンノイズを抑制するために、硬質磁性層５４Ａおよび
５４Ｂは永久磁化されていて、両者の共働により形成さ
れる長さ方向磁気バイアスが、磁気抵抗層５２内に単磁
区状態を維持する。長さ方向磁気バイアスについての磁
気モーメントを参照番号５６で表してある。この実施態
様においては、硬質磁性層５４Ａおよび５４Ｂと磁気抵
抗層５２の両端部領域５２Ａおよび５２Ｂとが、それぞ
れ突き合わせ接合面５８Ａおよび５８Ｂを介して突き合
わせ接触している。硬質磁性層５４Ａおよび５４Ｂは高
磁気モーメント・高保磁力の材料で作られている。その
例としては、コバルトとクロムと白金の合金（ＣｏＣｒ
Ｐｔ）、コバルトとクロムの合金（ＣｏＣｒ）、および
コバルトとクロムとタンタルの合金（ＣｏＣｒＴａ）が
ある。この望ましい実施態様においては、磁気抵抗層５
２はパーマロイ（ＮｉＦｅ）と呼ばれる強磁性材料で構
成されており、従来の堆積技術により厚さ５０〜５００
Åに形成したものである。硬質磁性層は厚さ２００〜８
００Åに堆積されている。軟質磁性層６０（場合により
軟質隣接層と呼ぶ）は磁気抵抗層５２に平行であり、ス
ペーサ層６２によって磁気抵抗層５２から隔離されてい
る。磁気抵抗層５２を直線作動範囲内で機能させるため
に、もう一つ別のバイアスとして幅方向バイアスと呼ば
れるバイアスを軟質磁性層６０によって付与する。幅方
向磁気バイアスについての磁気モーメントを図５に参照
番号６４で示した。軟質磁性層６０は低保磁力・高透磁
率の材料で作られている。この実施態様においては、軟
質磁性材料６０はニッケルと鉄とロジウム（ＮｉＦｅＲ
ｈ）の合金を含んでおり、従来の堆積技術により厚さ５
０〜４００Åに形成したものである。スペーサ層６２は
５０〜２００Åの範囲の堆積厚さのタンタルで構成され
ている。
【００１７】電気的リード部６６Ａおよび６６Ｂは、そ
れぞれ接触接合面６８Ａおよび６８Ｂを介して磁気抵抗
層５２の両端部領域５２Ａおよび５２Ｂと接触させて形
成してある。この場合、電気的リード部６６Ａおよび６
６Ｂは、図４に示したように、それぞれ硬質磁性バイア
ス層５４Ａおよび５４Ｂとも接触させてある。電気的リ
ード部６６Ａおよび６６Ｂは導電体であって、導電性の
高い種々の材料で作ることができる。その例としては、
金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）およびタングステン（Ｗ）等の
金属や種々の合金がある。この望ましい実施態様におい
ては、電気的リード部は約１００Åの薄いタンタル層上
に金で形成してあり、従来の堆積プロセスにより厚さ５
００〜３０００Åに堆積させたものである。
【００１８】トランスジューサ３２の動作の詳細を以下
に説明する。読出モード時には、検知電流７０を電気的
リード部６６Ａおよび６６Ｂに印加する（図４）。記録
媒体４２が矢印４８の方向に移動するのに伴って、トラ
ンスジューサ３２は磁束変化を受ける（図５）。この磁
束変化にさらされた磁気抵抗層５２は、それに対応した
抵抗変化を生ずる。その結果、抵抗率が変動している磁
気抵抗層５２を電流が流れることで変動電圧が発生す
る。この変動電圧が、記録媒体４２から読み出された情
報に対応する電気信号である。この電気信号を電気的リ
ード部６６Ａおよび６６Ｂを介して検知増幅器（図示せ
ず）に入力して増幅させることができる。前述のよう
に、軟質磁性バイアス層６０によって磁気抵抗層が適正
に直線作動範囲内の状態にされており、硬質磁性層５４
Ａおよび５４Ｂによってバルクハウゼノイズが適切に抑
制されている。したがって、移動している記録媒体４２
から放出されている磁束の変化に対してほぼ直線的に出
力信号が変化する。
【００１９】ここで特に強調すべきは、多くの従来の読
出トランスジューサとは異なり、電気的リード部６６Ａ
および６６Ｂが、それぞれ接触接合面６８Ａおよび６８
Ｂを介して磁気抵抗層５２の両端部領域５２Ａおよび５
２Ｂと接触していることである。実質的に、電流７０と
長さ方向磁気バイアス５６とは、進路がある程度隔離し
ているはずである。ほとんどの従来技術の磁気抵抗トラ
ンスジューサは、電気的リード部が磁気抵抗層に接触し
て形成されていないため、電流と長さ方向磁気バイアス
とが硬質磁性バイアス層内で共通の進路をとるような配
置になっている。これは、磁束と電流の進路を共通にす
れば物理的に占める空間が少なくなるから、トランスジ
ューサを小型化できるというのが、その元々の考え方で
ある。しかし、電気的な信頼性を確保するには、硬質磁
性層およびそれと磁気抵抗層との界面の接合面の面積を
大きくして、電気抵抗をできるだけ小さくし且つ、製造
工程に起因する接触面の剥離や、接合面を通過させられ
る高密度の電流に起因するエレクトロマイグレーション
の発生の可能性をできるだけ小さくする必要がある。そ
の反面、硬質磁性層およびその界面の接合面を大きな面
積にすることは、磁気的な断路の機会が増加することに
なり、結局は磁気的な信頼性を低下させることになる。
実用上は、一つの妥協として、上記両極端の中庸をとる
場合が非常に多い。このような理由から、ほとんどの従
来技術のトランスジューサは最適な構造ではなかった。
【００２０】本発明のトランスジューサ３２において
は、電気的リード部６６Ａおよび６６Ｂを磁気抵抗層５
２に接触させてあり、また同時に、低リード抵抗の電流
路を形成させてある。したがって、電気的な信頼性を確
保するために、硬質磁性層５４Ａおよび５４Ｂおよびそ
れと磁気抵抗層５２との界面の接合面を大きい面積にし
た構造にする必要はない。その結果、横幅Ｌの寸法を小
さくすることができるので、記録媒体４２上の記録トラ
ック幅も小さくすることができる。このようにして、高
性能のトランスジューサを作製することができる。
【００２１】更にもう一点注目すべきは、動作の大部分
が実質的に磁気抵抗層５２の中央活性領域５２Ｃに集中
することである。本発明のトランスジューサ３２におい
ては、接触接合面６８Ａおよび６８Ｂを大きく設けたこ
とによって、電流７０がかなり磁気抵抗層５２の中央活
性領域５２Ｃを流れることができるようになった。それ
による利点として、バイアス電流に対するリード抵抗が
低下し、検知電圧の信号対ノイズ比が向上する。更に、
本発明のトランスジューサ３２は電気的信頼性が極めて
高い。図４に示したように、電気的リード部６６Ａおよ
び６６Ｂはそれぞれ硬質磁性層５４Ａおよび５４Ｂとも
接触させてある。例えば、長時間の使用や製造工程の不
備によって接触接合面６８Ａおよび６８Ｂのどこかに接
触面の剥離があった場合、必ず電流７０は各接合面に対
応する硬質磁性層５４Ａまたは５４Ｂを流れることがで
きる。この場合、トランスジューサ３２は本来程には高
い性能を発揮しないかもしれないが、その機能は確保さ
れる。そのため、壊滅的な破損の発生が最小限にくい止
められる。
【００２２】本発明の範囲内において、他にも改変が可
能である。例えば、電気的リード部６６Ａおよび６６Ｂ
は必ずしも図４に示したような形で硬質磁性層５４Ａお
よび５４Ｂと接触させる必要はない。また、トランスジ
ューサ３２を上記望ましい実施態様に記載した形態にす
る必要もない。例えば、２つのシールド材同士を同一面
上に配置し、その間に形成したギャップ内にトランスジ
ューサ３２を配置することもできる。特許請求の範囲の
規定した本発明の範囲および意図を逸脱することなく、
形態および細部について上記およびその他の改変が可能
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来の磁気抵抗トランスジューサをそ
の空気対向表面（Air BearingSurface: ABS) に平行な
面で切った断面図である。
【図２】図２は、別の従来の磁気抵抗トランスジューサ
をその空気対向表面（Air Bearing Surface: ABS) に平
行な面で切った断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施態様を単純化した斜視図
である。
【図４】図４は、図３の線４−４に沿った断面図であ
る。
【図５】図５は、図３の線５−５に沿った断面図であ
る。
【符号の説明】
３２…トランスジューサ ３４…磁気ヘッド ３６…保護ケース ３８Ａ、３８Ｂ、３８Ｃ…磁気シールド材 ４０…書込ギャップ ４１…読出ギャップ ４２…記録媒体 ４３…空気対向表面 ４６Ａ、４６Ｂ…導電ストリップ ４８…記録媒体走行方向 ５０…絶縁誘電体 ５２…磁気抵抗層 ５２Ａ、５２Ｂ…端部領域 ５２Ｃ…中央活性領域 ５４Ａ、５４Ｂ…硬質磁性層 ５６…長さ方向磁気バイアスの磁気モーメント ５８Ａ、５８Ｂ…突き合わせ接合面 ６０…軟質磁性層 ６２…スペーサ層 ６４…幅方向磁気バイアスの磁気モーメント ６６Ａ、６６Ｂ…電気的リード部 ６８Ａ、６８Ｂ…接触接合面 ７０…検知電流
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウィリアム チャールズ カイン アメリカ合衆国，カリフォルニア 95123, サン ホセ，ランダウ コート 5390

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 強磁性材料で形成されていて、両端部領
    域とこれらを相互に隔離する中央活性領域とを有する磁
    気抵抗層と、 該磁気抵抗層の両端部領域に各々突き合わせ接触してい
    て、共働して該磁気抵抗層に磁気バイアスを付与する第
    １および第２の硬質磁性層と、 導電性材料で形成されていて、該磁気抵抗層の両端部領
    域に各々接触して該磁気抵抗と共に低リード抵抗の直接
    電流路を形成している第１および第２の電気的リード部
    とを備えていて、 該磁気抵抗層と、該第１および第２の硬質磁性層と、該
    第１および第２の電気的リード部とが、相互に突き合わ
    せ接合面を形成している薄膜磁気抵抗トランスジュー
    サ。
  2. 【請求項２】 該第１および第２の電気的リード部がそ
    れぞれ該第１および第２の硬質磁性層に接触している請
    求項１記載の薄膜磁気抵抗トランスジューサ。
  3. 【請求項３】 該磁気抵抗層がパーマロイで構成されて
    いる請求項１記載の薄膜磁気抵抗トランスジューサ。
  4. 【請求項４】 該第１および第２の硬質磁性層が、クロ
    ム層上に形成されたコバルト、クロム、および白金の合
    金で構成されている請求項１記載の薄膜磁気抵抗トラン
    スジューサ。
  5. 【請求項５】 該磁気バイアスが長さ方向の磁気バイア
    スであり、該磁気抵抗層と平行でスペーサ層により該磁
    気抵抗層から隔離されている軟質磁性層が該磁気抵抗層
    に幅方向の磁気バイアスを付与している請求項１記載の
    薄膜磁気抵抗トランスジューサ。
  6. 【請求項６】 該軟質磁性層がニッケル、鉄、およびロ
    ジウムの合金で構成されていて、該スペーサ層がタンタ
    ルで構成されている請求項５記載の薄膜磁気抵抗トラン
    スジューサ。
  7. 【請求項７】 該磁気抵抗層と、該第１および第２の硬
    質磁性層と、該スペーサ層と、該軟質磁性層とが、軟質
    磁性材料で形成された２つの磁気シールド材の間に配置
    されている請求項６記載の薄膜磁気抵抗トランスジュー
    サ。
  8. 【請求項８】 記録媒体からの磁束の変化を電気信号に
    変換するための、低信号リード抵抗を有する薄膜磁気抵
    抗トランスジューサであって、 強磁性材料で形成されていて、両端部領域とこれらを相
    互に隔離する中央活性領域とを有し、該磁束の変化に応
    答して電気抵抗率が変化する磁気抵抗層と、 該磁気抵抗層の両端部領域に各々突き合わせ接触してい
    て、共働して該磁気抵抗層に磁気バイアスを付与する第
    １および第２の硬質磁性層と、 導電性材料で形成されていて、該トランスジューサが横
    切る磁束の変化に応答して抵抗が変化する該磁気抵抗層
    を電流が通過するのに対応して、低リード抵抗の電流路
    としての該電気的リード部を直接に通過する電気信号に
    対応した変動電圧が該磁気抵抗層に生ずるように、該磁
    気抵抗層の両端部領域に各々接触して配置された第１お
    よび第２の電気的リード部とを備えていて、 該磁気抵抗層と、該第１および第２の硬質磁性層と、該
    第１および第２の電気的リード部とが、相互に突き合わ
    せ接合面を形成している薄膜磁気抵抗トランスジュー
    サ。
  9. 【請求項９】 該磁気抵抗層と平行でスペーサ層により
    該磁気抵抗層から隔離されている軟質磁性層が該磁気抵
    抗層に幅方向の磁気バイアスを付与している請求項８記
    載の薄膜磁気抵抗トランスジューサ。
  10. 【請求項１０】 該軟質磁性層がニッケル、鉄、および
    ロジウムの合金で構成されていて、該スペーサ層がタン
    タルで構成されている請求項９記載の薄膜磁気抵抗トラ
    ンスジューサ。
  11. 【請求項１１】 該第１および第２の電気的リード部が
    それぞれ該第１および第２の硬質磁性層に接触している
    請求項１０記載の薄膜磁気抵抗トランスジューサ。
  12. 【請求項１２】 該第１および第２の硬質磁性層が、ク
    ロム層上に形成されたコバルト、クロム、および白金の
    合金で構成されている請求項１１記載の薄膜磁気抵抗ト
    ランスジューサ。
  13. 【請求項１３】 該電気的リード部がタンタルの薄層上
    の金で構成されており、該磁気抵抗層がパーマロイで構
    成されている請求項１２記載の薄膜磁気抵抗トランスジ
    ューサ。
  14. 【請求項１４】 該磁気抵抗層と、該第１および第２の
    硬質磁性層と、該スペーサ層と、該軟質磁性層とが、軟
    質磁性材料で形成された２つの磁気シールド材の間に配
    置されている請求項１３記載の薄膜磁気抵抗トランスジ
    ューサ。
  15. 【請求項１５】 該第１および第２の電気的リード部が
    それぞれ該第１および第２の硬質磁性層に接触している
    請求項８記載の薄膜磁気抵抗トランスジューサ。
  16. 【請求項１６】 該第１および第２の硬質磁性層が、ク
    ロム層上に形成されたコバルト、クロム、および白金の
    合金で構成されている請求項８記載の薄膜磁気抵抗トラ
    ンスジューサ。
  17. 【請求項１７】 該電気的リード部がタンタルの薄層上
    の金で構成されており、該磁気抵抗層がパーマロイで構
    成されている請求項８記載の薄膜磁気抵抗トランスジュ
    ーサ。
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