JPH08316644A - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPH08316644A JPH08316644A JP7115522A JP11552295A JPH08316644A JP H08316644 A JPH08316644 A JP H08316644A JP 7115522 A JP7115522 A JP 7115522A JP 11552295 A JP11552295 A JP 11552295A JP H08316644 A JPH08316644 A JP H08316644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- case
- functional element
- electronic component
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 端子の引出しのための貫通孔からの水分等の
浸入を防止する。 【構成】 少なくとも一面に開口部を有したケース２内
に、弾性表面波素子４等の電気的機能素子を配置し、そ
の後、前記ケース２の開口部に上、下フタ１，３を接着
し、次に電気的機能素子を内蔵した前記ケース２を真空
中に置き、前記下フタ３に設けた貫通孔６の内周縁およ
びこの貫通孔６に臨む前記電気的機能素子の取り出し電
極４ａ上にメタライズ電極膜５ａ，５ｂを形成し、その
後前記貫通孔６中に金、ハンダ、Ｓｎ、Ｉｎの少なくと
も一つを、線材、球状、棒状、塊状、溶融状態のいずれ
かの状態で供給して封孔するとともに、前記メタライズ
電極膜５ａ，５ｂと接合した。
浸入を防止する。 【構成】 少なくとも一面に開口部を有したケース２内
に、弾性表面波素子４等の電気的機能素子を配置し、そ
の後、前記ケース２の開口部に上、下フタ１，３を接着
し、次に電気的機能素子を内蔵した前記ケース２を真空
中に置き、前記下フタ３に設けた貫通孔６の内周縁およ
びこの貫通孔６に臨む前記電気的機能素子の取り出し電
極４ａ上にメタライズ電極膜５ａ，５ｂを形成し、その
後前記貫通孔６中に金、ハンダ、Ｓｎ、Ｉｎの少なくと
も一つを、線材、球状、棒状、塊状、溶融状態のいずれ
かの状態で供給して封孔するとともに、前記メタライズ
電極膜５ａ，５ｂと接合した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はケース内に電気的機能素
子を収納した電子部品の製造方法に関するものである。
子を収納した電子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波素子やＣＣＤ撮像デバイス等
の電気的機能素子は、環境による劣化や特性変動を抑制
するために金属製や、セラミック製のケース内に収納さ
れていた。またケースには貫通孔を設け、この貫通孔を
介して端子の一端をケース外に引出し、この端子の他端
はケース内において電気的機能素子に電気的に接続して
いた。
の電気的機能素子は、環境による劣化や特性変動を抑制
するために金属製や、セラミック製のケース内に収納さ
れていた。またケースには貫通孔を設け、この貫通孔を
介して端子の一端をケース外に引出し、この端子の他端
はケース内において電気的機能素子に電気的に接続して
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のものは、ケース
の貫通孔から端子の一端を引出すものであるが、この貫
通孔部分における気密性が問題となっていた。すなわ
ち、貫通孔と端子との間には必ず隙間が形成され、この
隙間からケース内へ湿気等が浸入し、電気的機能素子の
劣化や特性変動を生じさせてしまうのであった。
の貫通孔から端子の一端を引出すものであるが、この貫
通孔部分における気密性が問題となっていた。すなわ
ち、貫通孔と端子との間には必ず隙間が形成され、この
隙間からケース内へ湿気等が浸入し、電気的機能素子の
劣化や特性変動を生じさせてしまうのであった。
【０００４】そこで本発明は電気的機能素子の劣化や特
性変動を生じさせないような気密構造を得ることを目的
とするものである。
性変動を生じさせないような気密構造を得ることを目的
とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、少なくとも一面に開口部を有したケ
ース内に、電気的機能素子を配置し、その後、前記ケー
スの開口部にフタを接着し、次に電気的機能素子を内蔵
した前記ケースを真空中に置き、前記ケースまたはフタ
に設けた貫通孔の内周縁およびこの貫通孔に臨む前記電
気的機能素子の電極取り出し部上に電極膜を形成し、そ
の後前記貫通孔中に金、ハンダ、Ｓｎ、Ｉｎの少なくと
も一つを、線材、球状、棒状、塊状、溶融状態のいずれ
かの状態で供給して封孔するとともに、前記電極膜と接
合して電子部品を製造するものである。
るために本発明は、少なくとも一面に開口部を有したケ
ース内に、電気的機能素子を配置し、その後、前記ケー
スの開口部にフタを接着し、次に電気的機能素子を内蔵
した前記ケースを真空中に置き、前記ケースまたはフタ
に設けた貫通孔の内周縁およびこの貫通孔に臨む前記電
気的機能素子の電極取り出し部上に電極膜を形成し、そ
の後前記貫通孔中に金、ハンダ、Ｓｎ、Ｉｎの少なくと
も一つを、線材、球状、棒状、塊状、溶融状態のいずれ
かの状態で供給して封孔するとともに、前記電極膜と接
合して電子部品を製造するものである。
【０００６】
【作用】以上の製造方法によれば、電気的機能素子を収
納したケースを真空中に配置した状態で、ケース、また
はフタに設けた貫通孔の内周縁およびこの貫通孔に臨む
電気的機能素子の電極取り出し部上に電極膜を形成後に
金、ハンダ、Ｓｎ、またはＩｎあるいはこれらの合金材
料で封孔するので、ケース内の気密が保たれ、電気的機
能素子の劣化や特性変動が生じなくなるのである。
納したケースを真空中に配置した状態で、ケース、また
はフタに設けた貫通孔の内周縁およびこの貫通孔に臨む
電気的機能素子の電極取り出し部上に電極膜を形成後に
金、ハンダ、Ｓｎ、またはＩｎあるいはこれらの合金材
料で封孔するので、ケース内の気密が保たれ、電気的機
能素子の劣化や特性変動が生じなくなるのである。
【０００７】またこの封孔体により電気的機能素子の電
極取り出し部をケース外に電気的に引出すこともでき、
製造しやすいものとなる。
極取り出し部をケース外に電気的に引出すこともでき、
製造しやすいものとなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【０００９】（実施例１）図１に本発明の第１の実施例
により作成した電子部品の断面構造を示す。本実施例で
は電気的機能素子として弾性表面波素子を用いた。同図
において、１はガラス板製の上フタ、２はその一端開口
部に上フタ１がガラス同士の直接接合で固定された枠状
のケースである。３は２ヶ所の貫通孔６を設けたガラス
板製の下フタで、ガラス同士の直接接合によりケース２
の他端開口部に固定されている。４は弾性表面波素子
で、４ａは貫通孔６と一致させて配置した取り出し電
極、４ｂはＩＤＴ（インターディジタルトランスデュー
サ）電極である。５ａ，５ｂは弾性表面波素子４をケー
ス２、上、下フタ１，３内を封止配置、封止後に真空中
でスパッタリングにより形成したメタライズ電極膜、６
ａは取り出し電極と接続のためのＡｕ製の封孔体、７は
プリント基板への半田接続を行うために設けた印刷電極
である。以下、図２から図６を用いて、本実施例の製造
方法を詳細に述べる。なお、図１と同一名称については
同一番号を付した。本実施例については、上フタ１、ケ
ース２、下フタ３ともにガラスを用い、下フタ３の所定
の位置に貫通孔６を設けた後にケース２を置き、弾性表
面波素子４を、その取り出し電極部４ａが貫通孔６とほ
ぼ一致するように配置し、その後上フタ１を置いて密着
させた後、加熱することで上フタ１、ケース２と下フタ
３との接合部３０ａ，３０ｂをガラス同士の直接接合に
より接合した。この時の加熱温度は３００℃、５分間と
した。次に、図３に示すように弾性表面波素子４を内部
に配置した封止構造体を下フタ３側が下面になるように
真空装置にセットし、スパッタリングで最下層にＴｉ
膜、次にＣｕ膜、最上層にＡｕ膜を同一真空中で連続的
に形成し、メタライズ電極膜５ａ，５ｂを設けた。それ
ぞれの膜厚はＴｉ膜が１００ｎｍ、Ｃｕ膜が２μｍ、Ａ
ｕ膜を５００ｎｍとした。この時、封止構造体の貫通孔
６側が下向きになるように真空装置にセットしたこと
で、弾性表面波素子４の取り出し電極４ａ部が貫通孔６
部とほぼ密着するようになり、スパッタリング成膜時に
スパッタ金属原子がＩＤＴ電極４ｂに回り込むのを防止
した。メタライズ電極膜５ａ，５ｂを形成後、図４に示
すように下フタ３の板厚よりやや長いＡｕ線を貫通孔６
内に差し込み、押え板８で加圧保持した。次に図５に示
すように押え板８と封止構造体を約４００℃に加熱し
て、取り出し電極４ａと貫通孔６内のメタライズ電極膜
５ａ，５ｂとをＡｕ−Ａｕ接合による接合を行った。こ
の場合、４００℃に加熱しても封止構造体には接着樹脂
等は全く無いためにガス放出等の問題は生じない。その
後、プリント基板との接合のためにＣｕペーストを印刷
形成して印刷電極７を形成した。最後に、下フタ３部に
形成された不要なメタライズ電極膜５ａ，５ｂ部をエッ
チング除去して図１に示す構成が作成された。本実施例
では、メタライズ電極膜５ａ，５ｂは下フタ３全面に形
成したが、マスクを用いて必要な部分のみに形成するこ
とも可能であり、その場合には不要なメタライズ電極膜
５ａ，５ｂのエッチング工程は必要なくなる。また、本
実施例では封孔体６ａを形成するものとしてＡｕ線を用
いてＡｕ−Ａｕ接合を行ったが、半田、ＳｎまたはＩｎ
あるいはこれらの合金を用いて、半田接合やＡｕ−Ｓｎ
接合等の手段を用いることも可能である。その場合、メ
タライズ電極膜５ａ，５ｂの材料も接合手段に合わせて
適宜変更する。
により作成した電子部品の断面構造を示す。本実施例で
は電気的機能素子として弾性表面波素子を用いた。同図
において、１はガラス板製の上フタ、２はその一端開口
部に上フタ１がガラス同士の直接接合で固定された枠状
のケースである。３は２ヶ所の貫通孔６を設けたガラス
板製の下フタで、ガラス同士の直接接合によりケース２
の他端開口部に固定されている。４は弾性表面波素子
で、４ａは貫通孔６と一致させて配置した取り出し電
極、４ｂはＩＤＴ（インターディジタルトランスデュー
サ）電極である。５ａ，５ｂは弾性表面波素子４をケー
ス２、上、下フタ１，３内を封止配置、封止後に真空中
でスパッタリングにより形成したメタライズ電極膜、６
ａは取り出し電極と接続のためのＡｕ製の封孔体、７は
プリント基板への半田接続を行うために設けた印刷電極
である。以下、図２から図６を用いて、本実施例の製造
方法を詳細に述べる。なお、図１と同一名称については
同一番号を付した。本実施例については、上フタ１、ケ
ース２、下フタ３ともにガラスを用い、下フタ３の所定
の位置に貫通孔６を設けた後にケース２を置き、弾性表
面波素子４を、その取り出し電極部４ａが貫通孔６とほ
ぼ一致するように配置し、その後上フタ１を置いて密着
させた後、加熱することで上フタ１、ケース２と下フタ
３との接合部３０ａ，３０ｂをガラス同士の直接接合に
より接合した。この時の加熱温度は３００℃、５分間と
した。次に、図３に示すように弾性表面波素子４を内部
に配置した封止構造体を下フタ３側が下面になるように
真空装置にセットし、スパッタリングで最下層にＴｉ
膜、次にＣｕ膜、最上層にＡｕ膜を同一真空中で連続的
に形成し、メタライズ電極膜５ａ，５ｂを設けた。それ
ぞれの膜厚はＴｉ膜が１００ｎｍ、Ｃｕ膜が２μｍ、Ａ
ｕ膜を５００ｎｍとした。この時、封止構造体の貫通孔
６側が下向きになるように真空装置にセットしたこと
で、弾性表面波素子４の取り出し電極４ａ部が貫通孔６
部とほぼ密着するようになり、スパッタリング成膜時に
スパッタ金属原子がＩＤＴ電極４ｂに回り込むのを防止
した。メタライズ電極膜５ａ，５ｂを形成後、図４に示
すように下フタ３の板厚よりやや長いＡｕ線を貫通孔６
内に差し込み、押え板８で加圧保持した。次に図５に示
すように押え板８と封止構造体を約４００℃に加熱し
て、取り出し電極４ａと貫通孔６内のメタライズ電極膜
５ａ，５ｂとをＡｕ−Ａｕ接合による接合を行った。こ
の場合、４００℃に加熱しても封止構造体には接着樹脂
等は全く無いためにガス放出等の問題は生じない。その
後、プリント基板との接合のためにＣｕペーストを印刷
形成して印刷電極７を形成した。最後に、下フタ３部に
形成された不要なメタライズ電極膜５ａ，５ｂ部をエッ
チング除去して図１に示す構成が作成された。本実施例
では、メタライズ電極膜５ａ，５ｂは下フタ３全面に形
成したが、マスクを用いて必要な部分のみに形成するこ
とも可能であり、その場合には不要なメタライズ電極膜
５ａ，５ｂのエッチング工程は必要なくなる。また、本
実施例では封孔体６ａを形成するものとしてＡｕ線を用
いてＡｕ−Ａｕ接合を行ったが、半田、ＳｎまたはＩｎ
あるいはこれらの合金を用いて、半田接合やＡｕ−Ｓｎ
接合等の手段を用いることも可能である。その場合、メ
タライズ電極膜５ａ，５ｂの材料も接合手段に合わせて
適宜変更する。
【００１０】（実施例２）図７を用いて本発明の第２の
実施例により作成する方式を説明する。図７において図
１と同一名称については同一番号を付している。本実施
例では第１の実施例と同じく上フタ１、ケース２と下フ
タ３はガラスを用いて直接接合によりパッケージ封止を
行った。メタライズ電極膜５ａ，５ｂはメタルマスクを
用いて必要部分のみに形成した。メタライズ電極５ａ，
５ｂの形成材料は最下層にＴｉ膜（１００ｎｍ）、次に
Ｎｉ膜（１μｍ）、最上層にＳｎ膜（１μｍ）をスパッ
タリングで成膜した。この後、図７に示すようにＰｂを
主成分とする高温半田１０を加熱し溶融させたディスペ
ンサ９を貫通孔６部に位置合わせして、適量を貫通孔６
部に注入して弾性表面波素子４の取り出し電極部４ａ上
のメタライズ電極膜５ａと下フタ３上のメタライズ電極
膜５ｂの両方に半田１０で接合を行った。この時、封止
構造体は約２５０℃に加熱し、非酸化性雰囲気の中で行
った。このようにして貫通孔６部を半田１０で埋め込ん
だ後は、第１の実施例と同じくＣｕペーストを用いて印
刷電極７を形成して完成したが、第１の実施例と同一で
あるので本実施例では図示していない。本実施例ではメ
タライズ電極５ａ，５ｂとしてＳｎ／Ｎｉ／Ｔｉを用い
たが、Ａｕ／Ｃｕ／Ｔｉ構成や、Ｃｕ／Ｔｉ構成でも可
能であり、電極構成は本実施例に限定されるものではな
く、半田材料との最適な組み合わせを選ぶことが可能で
ある。
実施例により作成する方式を説明する。図７において図
１と同一名称については同一番号を付している。本実施
例では第１の実施例と同じく上フタ１、ケース２と下フ
タ３はガラスを用いて直接接合によりパッケージ封止を
行った。メタライズ電極膜５ａ，５ｂはメタルマスクを
用いて必要部分のみに形成した。メタライズ電極５ａ，
５ｂの形成材料は最下層にＴｉ膜（１００ｎｍ）、次に
Ｎｉ膜（１μｍ）、最上層にＳｎ膜（１μｍ）をスパッ
タリングで成膜した。この後、図７に示すようにＰｂを
主成分とする高温半田１０を加熱し溶融させたディスペ
ンサ９を貫通孔６部に位置合わせして、適量を貫通孔６
部に注入して弾性表面波素子４の取り出し電極部４ａ上
のメタライズ電極膜５ａと下フタ３上のメタライズ電極
膜５ｂの両方に半田１０で接合を行った。この時、封止
構造体は約２５０℃に加熱し、非酸化性雰囲気の中で行
った。このようにして貫通孔６部を半田１０で埋め込ん
だ後は、第１の実施例と同じくＣｕペーストを用いて印
刷電極７を形成して完成したが、第１の実施例と同一で
あるので本実施例では図示していない。本実施例ではメ
タライズ電極５ａ，５ｂとしてＳｎ／Ｎｉ／Ｔｉを用い
たが、Ａｕ／Ｃｕ／Ｔｉ構成や、Ｃｕ／Ｔｉ構成でも可
能であり、電極構成は本実施例に限定されるものではな
く、半田材料との最適な組み合わせを選ぶことが可能で
ある。
【００１１】また、本実施例では上フタ１、ケース２、
下フタ３の接合一体化はガラスを用いた直接接合方式の
例を示したが、これら三者を半田接合やガラスによる接
合方式で接合一体化することも接合温度と貫通孔６部の
接合温度を充分に配慮することで使用できる。
下フタ３の接合一体化はガラスを用いた直接接合方式の
例を示したが、これら三者を半田接合やガラスによる接
合方式で接合一体化することも接合温度と貫通孔６部の
接合温度を充分に配慮することで使用できる。
【００１２】（実施例３）図８を用いて本発明の第３の
実施例により作成する方法を説明する。本実施例では上
フタ１１と一面にだけ開口部を有するケース１２はセラ
ミックで作成した。そしてその内部に表面弾性波フィル
ター１４を取り出し電極１４ａと上フタ１１に形成した
貫通孔１１ｂ部とをほぼ一致させて配置し、上フタ１１
とケース１２とを図示してはいないが低融点のガラス材
料で約４３０℃に加熱して接合部１３を接合封止した。
次に、上記した第１の実施例と同様に真空装置中にセッ
トして、メタライズ電極５ａ，５ｂを形成した。本実施
例のメタライズ電極膜５ａ，５ｂは、最下層にＣｒ膜
（１００ｎｍ）、次にＡｇ膜（５μｍ）を形成した。こ
の後、図８に示すように、形状記憶合金よりなる棒状物
を貫通孔１１ｂ内部に差し込み、所定の温度に加熱する
ことで形状記憶合金が本来記憶していた形状に変形し、
取り出し電極との接続と封止が実現される封孔体１５と
なる。形状記憶合金の形状変化を図９と図１０を用いて
説明する。図９は形状記憶合金よりなる棒状体を貫通孔
１１ｂ内部に挿入した状態を示す。形状記憶合金よりな
る棒状体は初期の形状として、図１０に示すようにメタ
ライズ電極膜５ｂの膜厚を含む貫通孔１１ｂ部よりやや
大きい直径Ｈを記憶させておく。この後、図９に示すよ
うに貫通孔１１ｂ部よりやや小さな直径ｈになるように
機械的に変形させてやる。この状態では、貫通孔１１ｂ
部よりやや小さな直径ｈを有しているので、簡単に貫通
孔１１ｂ内部に差し込むことができる。複数の貫通孔１
１ｂ部全部に棒状の形状記憶合金を差し込んだ後、上フ
タ１１とケース１２よりなる封止構造体全体を、形状記
憶合金のマルテンサイト変態点温度以上に加熱すること
で、形状記憶合金は初期の形状に戻る。この時、形状記
憶合金の直径は貫通孔１１ｂ部の径よりやや大きく形状
記憶していることから形状記憶合金はメタライズ電極５
ｂにくい込み、またメタライズ電極膜５ａを介して取り
出し電極１４ａとの接続と封止が同時に完了する。この
時、メタライズ電極膜５ｂはパッキングの役割をし、メ
タライズ電極膜５ｂを形成しない場合に比べてより完全
な封止が達成された。また、取り出し電極１４ａとの接
触もメタライズ電極膜５ａにより圧力が緩和されて弾性
表面波フィルター１４に余計な変形力が加わらず周波数
特性に異常が生じないことが確認された。この方式の接
続は機械的な接触で行われるが、形状記憶合金の変形能
力は大きく、かつ、一度復元したらその形状を維持する
ことから、貫通孔１１ｂ部には常に形状記憶合金から圧
力を受けることになり信頼性の高い接続が可能である。
形状記憶合金材料としては、Ｎｉ・Ｔｉ合金が形状記憶
作用としては最も強く望ましいが、Ａｇ・Ｃｄ合金、Ｃ
ｕ・Ａｌ・Ｎｉ合金、Ｃｕ・Ａｕ・Ｚｎ合金、Ｃｕ・Ｓ
ｎ合金、Ｃｕ・Ｚｎ合金またはＮｉ・Ａｌ合金等も使用
可能である。
実施例により作成する方法を説明する。本実施例では上
フタ１１と一面にだけ開口部を有するケース１２はセラ
ミックで作成した。そしてその内部に表面弾性波フィル
ター１４を取り出し電極１４ａと上フタ１１に形成した
貫通孔１１ｂ部とをほぼ一致させて配置し、上フタ１１
とケース１２とを図示してはいないが低融点のガラス材
料で約４３０℃に加熱して接合部１３を接合封止した。
次に、上記した第１の実施例と同様に真空装置中にセッ
トして、メタライズ電極５ａ，５ｂを形成した。本実施
例のメタライズ電極膜５ａ，５ｂは、最下層にＣｒ膜
（１００ｎｍ）、次にＡｇ膜（５μｍ）を形成した。こ
の後、図８に示すように、形状記憶合金よりなる棒状物
を貫通孔１１ｂ内部に差し込み、所定の温度に加熱する
ことで形状記憶合金が本来記憶していた形状に変形し、
取り出し電極との接続と封止が実現される封孔体１５と
なる。形状記憶合金の形状変化を図９と図１０を用いて
説明する。図９は形状記憶合金よりなる棒状体を貫通孔
１１ｂ内部に挿入した状態を示す。形状記憶合金よりな
る棒状体は初期の形状として、図１０に示すようにメタ
ライズ電極膜５ｂの膜厚を含む貫通孔１１ｂ部よりやや
大きい直径Ｈを記憶させておく。この後、図９に示すよ
うに貫通孔１１ｂ部よりやや小さな直径ｈになるように
機械的に変形させてやる。この状態では、貫通孔１１ｂ
部よりやや小さな直径ｈを有しているので、簡単に貫通
孔１１ｂ内部に差し込むことができる。複数の貫通孔１
１ｂ部全部に棒状の形状記憶合金を差し込んだ後、上フ
タ１１とケース１２よりなる封止構造体全体を、形状記
憶合金のマルテンサイト変態点温度以上に加熱すること
で、形状記憶合金は初期の形状に戻る。この時、形状記
憶合金の直径は貫通孔１１ｂ部の径よりやや大きく形状
記憶していることから形状記憶合金はメタライズ電極５
ｂにくい込み、またメタライズ電極膜５ａを介して取り
出し電極１４ａとの接続と封止が同時に完了する。この
時、メタライズ電極膜５ｂはパッキングの役割をし、メ
タライズ電極膜５ｂを形成しない場合に比べてより完全
な封止が達成された。また、取り出し電極１４ａとの接
触もメタライズ電極膜５ａにより圧力が緩和されて弾性
表面波フィルター１４に余計な変形力が加わらず周波数
特性に異常が生じないことが確認された。この方式の接
続は機械的な接触で行われるが、形状記憶合金の変形能
力は大きく、かつ、一度復元したらその形状を維持する
ことから、貫通孔１１ｂ部には常に形状記憶合金から圧
力を受けることになり信頼性の高い接続が可能である。
形状記憶合金材料としては、Ｎｉ・Ｔｉ合金が形状記憶
作用としては最も強く望ましいが、Ａｇ・Ｃｄ合金、Ｃ
ｕ・Ａｌ・Ｎｉ合金、Ｃｕ・Ａｕ・Ｚｎ合金、Ｃｕ・Ｓ
ｎ合金、Ｃｕ・Ｚｎ合金またはＮｉ・Ａｌ合金等も使用
可能である。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は少なくとも一面に
開口部を有したケース内に、電気的機能素子を配置し、
その後、前記ケースの開口部にフタを接着し、次に電気
的機能素子を内蔵した前記ケースを真空中に置き、前記
ケースまたはフタに設けた貫通孔の内周縁およびこの貫
通孔に臨む前記電気的機能素子の電極取り出し部上に電
極膜を形成し、その後前記貫通孔中に金、ハンダ、Ｓ
ｎ、Ｉｎの少なくとも一つを、線材、球状、棒状、塊
状、溶融状態のいずれかの状態で供給して封孔するとと
もに、前記電極膜と接合して電子部品を製造するもので
ある。
開口部を有したケース内に、電気的機能素子を配置し、
その後、前記ケースの開口部にフタを接着し、次に電気
的機能素子を内蔵した前記ケースを真空中に置き、前記
ケースまたはフタに設けた貫通孔の内周縁およびこの貫
通孔に臨む前記電気的機能素子の電極取り出し部上に電
極膜を形成し、その後前記貫通孔中に金、ハンダ、Ｓ
ｎ、Ｉｎの少なくとも一つを、線材、球状、棒状、塊
状、溶融状態のいずれかの状態で供給して封孔するとと
もに、前記電極膜と接合して電子部品を製造するもので
ある。
【００１４】そして以上の製造方法によれば、電気的機
能素子を収納したケースを真空中に配置した状態で、ケ
ース、またはフタに設けた貫通孔の内周縁およびこの貫
通孔に臨む電気的機能素子の電極取り出し部上に電極膜
を形成後に金、ハンダ、Ｓｎ、またはＩｎあるいはこれ
らの合金材料で封孔するので、ケース内の気密が保た
れ、電気的機能素子の劣化や特性変動が生じなくなるの
である。
能素子を収納したケースを真空中に配置した状態で、ケ
ース、またはフタに設けた貫通孔の内周縁およびこの貫
通孔に臨む電気的機能素子の電極取り出し部上に電極膜
を形成後に金、ハンダ、Ｓｎ、またはＩｎあるいはこれ
らの合金材料で封孔するので、ケース内の気密が保た
れ、電気的機能素子の劣化や特性変動が生じなくなるの
である。
【００１５】またこの封孔体により電気的機能素子の電
極取り出し部をケース外に電気的に引出すこともでき、
製造しやすいものとなる。
極取り出し部をケース外に電気的に引出すこともでき、
製造しやすいものとなる。
【図１】本発明の第１の実施例により製造された電子部
品の断面図
品の断面図
【図２】同第１の実施例の製造工程を示す断面図
【図３】同第１の実施例の製造工程を示す断面図
【図４】同第１の実施例の製造工程を示す断面図
【図５】同第１の実施例の製造工程を示す断面図
【図６】同第１の実施例の製造工程を示す断面図
【図７】本発明の第２の実施例の製造工程を示す断面図
【図８】本発明の第３の実施例の製造工程を示す断面図
【図９】同第３の実施例の製造工程を示す断面図
【図１０】同第３の実施例の製造工程を示す断面図
１ 上フタ ２ ケース ３ 下フタ ４ 弾性表面波素子 ５ａ メタライズ電極膜 ５ｂ メタライズ電極膜 ６ 貫通孔 ６ａ 封孔体 ７ 印刷電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 宗子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも一面に開口部を有したケース
内に、電気的機能素子を配置し、その後、前記ケースの
開口部にフタを接着し、次に電気的機能素子を内蔵した
前記ケースを真空中に置き、前記ケースまたはフタに設
けた貫通孔の内周縁およびこの貫通孔に臨む前記電気的
機能素子の電極取り出し部上に電極膜を形成し、その後
前記貫通孔中に金、ハンダ、Ｓｎ、Ｉｎの少なくとも一
つを、線材、球状、棒状、塊状、溶融状態のいずれかの
状態で供給して封孔するとともに、前記電極膜と接合し
てなる電子部品の製造方法。 - 【請求項２】 電極膜の最表面層がＡｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、
ＡｇまたはＣｕの膜よりなる請求項１記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項３】 貫通孔が下向きに開孔するようにケース
を配置し、真空蒸着またはスパッタリングで電極膜を形
成する請求項１記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項４】 電気的機能素子として弾性表面波素子を
用いた請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項５】 少なくとも一面に開口部を有したケース
内に、電気的機能素子を配置し、その後、前記ケースの
開口部にフタを接着し、次に電気的機能素子を内蔵した
前記ケースを真空中に置き、前記ケースまたはフタに設
けた貫通孔の内周縁およびこの貫通孔に臨む前記電気的
機能素子の電極取り出し部上に電極膜を形成し、その後
前記貫通孔中に、この貫通孔よりやや太く形状記憶させ
た後引き伸ばす等の加工を行い前記貫通孔よりやや細く
加工した棒状の形状記憶合金を前記貫通孔に差し込み、
その後加熱を行うことにより、もとの形状に回復させる
ことでこの貫通孔を封孔するとともに、前記電極膜と接
合してなる電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 電極膜の最表面層がＡｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、
ＡｇまたはＣｕの膜よりなる請求項５記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項７】 貫通孔が下向きに開孔するようにケース
を配置し、真空蒸着またはスパッタリングで電極膜を形
成する請求項５記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項８】 電気的機能素子として弾性表面波素子を
用いた請求項５〜７のいずれか一つに記載の電子部品の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7115522A JPH08316644A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7115522A JPH08316644A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316644A true JPH08316644A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14664616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7115522A Pending JPH08316644A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316644A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002204400A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レンズ付き撮像素子モジュール |
| JP2006197554A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-07-27 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス及びその製造方法、ｉｃカード、携帯用電子機器 |
| JP2007189501A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| WO2009104308A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| WO2009104310A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計 |
| JP2011029169A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-02-10 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 素子封止体及びその製造方法 |
| JP2011142353A (ja) * | 2011-04-19 | 2011-07-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置 |
| US8227878B2 (en) | 2004-09-13 | 2012-07-24 | Seiko Epson Corporation | Sealed surface acoustic wave element package |
-
1995
- 1995-05-15 JP JP7115522A patent/JPH08316644A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002204400A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レンズ付き撮像素子モジュール |
| US8492856B2 (en) | 2004-09-13 | 2013-07-23 | Seiko Epson Corporation | Sealed electric element package |
| US8227878B2 (en) | 2004-09-13 | 2012-07-24 | Seiko Epson Corporation | Sealed surface acoustic wave element package |
| JP2006197554A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-07-27 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス及びその製造方法、ｉｃカード、携帯用電子機器 |
| JP2007189501A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| JP5180975B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2013-04-10 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法および圧電振動子 |
| WO2009104308A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| WO2009104310A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計 |
| CN101946406A (zh) * | 2008-02-18 | 2011-01-12 | 精工电子有限公司 | 压电振动器的制造方法、压电振动器、振荡器、电子设备及电波钟 |
| US7936114B2 (en) | 2008-02-18 | 2011-05-03 | Seiko Instruments Inc. | Piezoelectric vibrator manufacturing method, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and radio-controlled watch |
| JPWO2009104308A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2011-06-16 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| US8020265B2 (en) | 2008-02-18 | 2011-09-20 | Seiko Instruments Inc. | Method of manufacturing a piezoelectric vibrator |
| JP2011029169A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-02-10 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 素子封止体及びその製造方法 |
| JP2011142353A (ja) * | 2011-04-19 | 2011-07-21 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2001067600A1 (fr) | Dispositif de vibration a cristal | |
| CN101272135A (zh) | 晶体器件及其密封方法 | |
| CN102124648A (zh) | 压电装置及其制造方法 | |
| JPH08316644A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| EP0665642B1 (en) | An electronic component device and its manufacturing method | |
| CN108370244B (zh) | 密封环、电子元件收纳用封装体、电子设备及它们的制造方法 | |
| JP5152012B2 (ja) | 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 | |
| EP2010452B1 (en) | A method for manufacturing an electronic assembly; an electronic assembly, a cover and a substrate | |
| JP4427873B2 (ja) | 圧電振動デバイス用パッケージ | |
| JPH08335839A (ja) | 振動子の製造方法 | |
| JP3401781B2 (ja) | 電子部品用パッケージおよび電子部品用パッケージの製造方法 | |
| JP3546506B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP3374395B2 (ja) | 電子部品用パッケージ | |
| JP2001110922A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
| KR100631875B1 (ko) | 마이크로 전자 부품 패키지 및 그 제조 방법 | |
| JP2006033265A (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
| JPH0884042A (ja) | パッケージ部材 | |
| JP2942424B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JPH0629769A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JPH105990A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP3211455B2 (ja) | ガラス部品の接合構造 | |
| JPH10214909A (ja) | 気密容器及びこれを用いた圧電素子とその製造方法 | |
| JP3558129B2 (ja) | 気密封止型電子部品 | |
| JP2022175865A (ja) | 圧電デバイス | |
| JP2000188349A (ja) | 気密パッケージ、その製造用金属キャップ、その金属キャップの製造方法および気密パッケージの製造方法 |