JPH08307160A - 温度補償回路 - Google Patents
温度補償回路Info
- Publication number
- JPH08307160A JPH08307160A JP7108515A JP10851595A JPH08307160A JP H08307160 A JPH08307160 A JP H08307160A JP 7108515 A JP7108515 A JP 7108515A JP 10851595 A JP10851595 A JP 10851595A JP H08307160 A JPH08307160 A JP H08307160A
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- JP
- Japan
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- temperature
- control voltage
- circuit
- voltage
- thermistors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体素子を含む回路の温度による特性変化
を補償することにある。 【構成】 回路１１は半導体素子を含み温度によって特
性変化が生じ、演算増幅器１２の出力に誤差が発生す
る。そこで温度補償用の制御電圧１７を出力する分圧抵
抗の一方に２個のサーミスタ１３，１４の直列接続回路
を用い、サーミスタ１３，１４間から分圧した制御電圧
１７を取り出す。制御電圧１７は温度によって抵抗変化
するサーミスタ１３，１４と固定抵抗１８の分圧によっ
て発生し、温度上昇したがって制御電圧１７は増大す
る。また、２個のサーミスタ１３，１４はその抵抗温度
特性に伴なう誤差が互の変化で調整され、制御電圧１７
は温度変化に高精度に対応する。そして、この制御電圧
１７を演算増幅器１２に基準電圧として加えることによ
り温度補償された増幅出力が得られる。
を補償することにある。 【構成】 回路１１は半導体素子を含み温度によって特
性変化が生じ、演算増幅器１２の出力に誤差が発生す
る。そこで温度補償用の制御電圧１７を出力する分圧抵
抗の一方に２個のサーミスタ１３，１４の直列接続回路
を用い、サーミスタ１３，１４間から分圧した制御電圧
１７を取り出す。制御電圧１７は温度によって抵抗変化
するサーミスタ１３，１４と固定抵抗１８の分圧によっ
て発生し、温度上昇したがって制御電圧１７は増大す
る。また、２個のサーミスタ１３，１４はその抵抗温度
特性に伴なう誤差が互の変化で調整され、制御電圧１７
は温度変化に高精度に対応する。そして、この制御電圧
１７を演算増幅器１２に基準電圧として加えることによ
り温度補償された増幅出力が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は温度検出素子を使用した
温度補償回路に関するものである。
温度補償回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子を使用した回路での温
度特性の補償は、図３あるいは図４に示すように温度検
出素子を１個使用して半導体素子回路の温度補償をして
いる。半導体素子回路３１，４１の特性が温度に対して
変化する場合、図３の温度検出素子３２あるいは図４の
温度検出素子４２を制御電圧を出力する分圧抵抗３３，
４３回路に入れ、温度検出素子の周囲温度の検出によっ
て半導体素子回路３１，４１の温度特性を補正する。温
度検出素子が負特性サーミスタであれば、サーミスタの
抵抗値は数１で表わされる。
度特性の補償は、図３あるいは図４に示すように温度検
出素子を１個使用して半導体素子回路の温度補償をして
いる。半導体素子回路３１，４１の特性が温度に対して
変化する場合、図３の温度検出素子３２あるいは図４の
温度検出素子４２を制御電圧を出力する分圧抵抗３３，
４３回路に入れ、温度検出素子の周囲温度の検出によっ
て半導体素子回路３１，４１の温度特性を補正する。温
度検出素子が負特性サーミスタであれば、サーミスタの
抵抗値は数１で表わされる。
【０００３】
【数１】
【０００４】Ｒ0は周囲温度Ｔ0での抵抗値，Ｒは周囲温
度Ｔでの抵抗値である。この数１式から、周囲温度とサ
ーミスタの抵抗値には指数関数の関係がある。
度Ｔでの抵抗値である。この数１式から、周囲温度とサ
ーミスタの抵抗値には指数関数の関係がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３又
は図４のようにサーミスタ１個を使用した温度補償回路
では、補償する回路の温度特性にある程度しか近づける
ことができない。
は図４のようにサーミスタ１個を使用した温度補償回路
では、補償する回路の温度特性にある程度しか近づける
ことができない。
【０００６】すなわち、図３の回路では、温度上昇に対
応してサーミスタ３２が抵抗変化し、サーミスタ３２と
固定抵抗３３との分圧による制御電圧が増大し、また図
４の回路では、サーミスタ４２により温度上昇に対応し
て固定抵抗４３との分圧による制御電圧が減少するが、
サーミスタは、一般に抵抗温度特性が指数関数曲線にな
り、使用温度範囲で許容できない誤差を生じる欠点があ
る。
応してサーミスタ３２が抵抗変化し、サーミスタ３２と
固定抵抗３３との分圧による制御電圧が増大し、また図
４の回路では、サーミスタ４２により温度上昇に対応し
て固定抵抗４３との分圧による制御電圧が減少するが、
サーミスタは、一般に抵抗温度特性が指数関数曲線にな
り、使用温度範囲で許容できない誤差を生じる欠点があ
る。
【０００７】本発明の目的は、上記欠点を解決した温度
補償回路の提供にある。
補償回路の提供にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、温度補償
用の制御電圧を出力する分圧抵抗の一方に、周囲温度に
対応して負あるいは正特性の抵抗温度特性を有する温度
検出素子を少なくとも２個直列に接続した回路を設け、
該直列回路を形成する温度検出素子間より上記制御電圧
を取り出す回路を設けた、ことによって達成される。
用の制御電圧を出力する分圧抵抗の一方に、周囲温度に
対応して負あるいは正特性の抵抗温度特性を有する温度
検出素子を少なくとも２個直列に接続した回路を設け、
該直列回路を形成する温度検出素子間より上記制御電圧
を取り出す回路を設けた、ことによって達成される。
【０００９】
【作用】上記手段を用いれば、直列回路を形成する一方
の温度検出素子の抵抗温度特性によって温度上昇すると
分圧電圧は増大し、直列回路の他方の温度検出素子の抵
抗温度特性によっては温度上昇すると分圧電圧が減少す
る。したがって、この２つの温度検出素子間の出力電圧
は互の変化によって微妙に調整され、温度検出素子の抵
抗温度特性の指数関数特性による誤差が補正される。そ
して、この温度検出素子の直列回路が分圧抵抗の一方に
設けられたことにより、周囲温度の変化に対応して変化
する分圧電圧を制御電圧取り出し回路に出力することが
できる。
の温度検出素子の抵抗温度特性によって温度上昇すると
分圧電圧は増大し、直列回路の他方の温度検出素子の抵
抗温度特性によっては温度上昇すると分圧電圧が減少す
る。したがって、この２つの温度検出素子間の出力電圧
は互の変化によって微妙に調整され、温度検出素子の抵
抗温度特性の指数関数特性による誤差が補正される。そ
して、この温度検出素子の直列回路が分圧抵抗の一方に
設けられたことにより、周囲温度の変化に対応して変化
する分圧電圧を制御電圧取り出し回路に出力することが
できる。
【００１０】
【実施例】以下本発明を実施例によって説明する。図１
は、本発明の一実施例で、半導体素子回路１１の直流出
力電圧を演算増幅器１２で基準電圧と比較増幅する回路
である。
は、本発明の一実施例で、半導体素子回路１１の直流出
力電圧を演算増幅器１２で基準電圧と比較増幅する回路
である。
【００１１】回路１１は半導体を含むため温度による特
性変化が生じ、出力レベルが温度によって変動する。そ
のため温度変化に応じて比較基準電圧をオフセットする
必要がある。この場合の比較基準電圧は分圧抵抗の分圧
出力を利用する。分圧抵抗の一方に、２個のサーミスタ
１３，１４を直列に接続した回路を設け、サーミスタ１
３，１４間より分圧による制御電圧１７を取り出し、こ
れを比較基準電圧として演算増幅器１２に加え、回路１
１の温度特性に追従させる。
性変化が生じ、出力レベルが温度によって変動する。そ
のため温度変化に応じて比較基準電圧をオフセットする
必要がある。この場合の比較基準電圧は分圧抵抗の分圧
出力を利用する。分圧抵抗の一方に、２個のサーミスタ
１３，１４を直列に接続した回路を設け、サーミスタ１
３，１４間より分圧による制御電圧１７を取り出し、こ
れを比較基準電圧として演算増幅器１２に加え、回路１
１の温度特性に追従させる。
【００１２】分圧抵抗回路を構成するサーミスタ１３で
は周囲温度の上昇によって出力する制御電圧１７が増大
し、サーミスタ１４では反対に、温度上昇にしたがって
制御電圧１７が減少するように働く。この２つのサーミ
スタ１３及び１４の抵抗温度特性がほぼ等しいものであ
れば、その指数関数特性に伴なう誤差が互の変化で調整
される。
は周囲温度の上昇によって出力する制御電圧１７が増大
し、サーミスタ１４では反対に、温度上昇にしたがって
制御電圧１７が減少するように働く。この２つのサーミ
スタ１３及び１４の抵抗温度特性がほぼ等しいものであ
れば、その指数関数特性に伴なう誤差が互の変化で調整
される。
【００１３】そして、この周囲温度によって抵抗値が変
化するサーミスタ１３，１４と固定抵抗１８による分圧
出力の制御電圧１７は温度上昇に対応して電圧増大し、
温度変化に高精度に対応したものとなり、これを演算増
幅器１２の比較基準電圧とすることにより、回路１１の
温度変化に高精度に追従させることができ、したがって
演算増幅器１２の出力は温度補償され温度変化が無い場
合と同様な高精度の増幅出力を発生させることができ
る。
化するサーミスタ１３，１４と固定抵抗１８による分圧
出力の制御電圧１７は温度上昇に対応して電圧増大し、
温度変化に高精度に対応したものとなり、これを演算増
幅器１２の比較基準電圧とすることにより、回路１１の
温度変化に高精度に追従させることができ、したがって
演算増幅器１２の出力は温度補償され温度変化が無い場
合と同様な高精度の増幅出力を発生させることができ
る。
【００１４】また、サーミスタ１３，１４には、並列又
は直列に抵抗１５，１６を接続することによって、サー
ミスタ１３，１４の温度特性の誤差を補正すると同時に
抵抗変化量の平均化を図ることができ、回路１１の温度
特性に、より適切に追従させることができる。
は直列に抵抗１５，１６を接続することによって、サー
ミスタ１３，１４の温度特性の誤差を補正すると同時に
抵抗変化量の平均化を図ることができ、回路１１の温度
特性に、より適切に追従させることができる。
【００１５】図２は、本発明の他の実施例で、半導体回
路２１に温度変化による制御電圧を直接加えて温度によ
る回路特性の変化を補償するようにしたものである。
路２１に温度変化による制御電圧を直接加えて温度によ
る回路特性の変化を補償するようにしたものである。
【００１６】制御電圧２７は、分圧固定抵抗２２と、２
個のサーミスタ２３，２４の分圧電圧であり、サーミス
タ２３，２４間により出力する。サーミスタ２３では周
囲温度の上昇によって出力する制御電圧２７は増大し、
サーミスタ２４では周囲温度の上昇によって出力制御電
圧２７が減少するように作用するから、この２つのサー
ミスタ２３，２４によって抵抗温度特性の指数関数特性
に伴なう誤差が調整される。
個のサーミスタ２３，２４の分圧電圧であり、サーミス
タ２３，２４間により出力する。サーミスタ２３では周
囲温度の上昇によって出力する制御電圧２７は増大し、
サーミスタ２４では周囲温度の上昇によって出力制御電
圧２７が減少するように作用するから、この２つのサー
ミスタ２３，２４によって抵抗温度特性の指数関数特性
に伴なう誤差が調整される。
【００１７】そして、この周囲温度によって抵抗値が変
化するサーミスタ２３，２４と固定抵抗２２による分圧
出力の制御電圧２７は、温度上昇に伴なって電圧が低下
し、温度変化に高精度に対応したものとなる。この制御
電圧２７を半導体回路２１に加えて制御することによ
り、半導体素子の温度変化による特性変化を補償し追従
制御することができる。これにより通常の使用温度範囲
での誤差は極めて小さく、許容できるようになる。
化するサーミスタ２３，２４と固定抵抗２２による分圧
出力の制御電圧２７は、温度上昇に伴なって電圧が低下
し、温度変化に高精度に対応したものとなる。この制御
電圧２７を半導体回路２１に加えて制御することによ
り、半導体素子の温度変化による特性変化を補償し追従
制御することができる。これにより通常の使用温度範囲
での誤差は極めて小さく、許容できるようになる。
【００１８】また、この実施例においても、サーミスタ
２３，２４に並列抵抗２５，２６を接続しているが、こ
れによる作用は前記図１の実施例のものと同様である。
２３，２４に並列抵抗２５，２６を接続しているが、こ
れによる作用は前記図１の実施例のものと同様である。
【００１９】なお、図２の回路において、検出した制御
電圧２７を増幅し、あるいは信号変換等任意に調整制御
してから半導体回路２１に加えることができる。
電圧２７を増幅し、あるいは信号変換等任意に調整制御
してから半導体回路２１に加えることができる。
【００２０】以上の実施例では、周囲温度の検出素子と
して負特性の抵抗温度特性を有するサーミスタを使用し
たが、正特性の抵抗温度特性を有する検出素子を用いる
こともできる。
して負特性の抵抗温度特性を有するサーミスタを使用し
たが、正特性の抵抗温度特性を有する検出素子を用いる
こともできる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明を実施することに
より、複雑な温度特性を有する回路の温度補償を高精度
に行なうことができる。
より、複雑な温度特性を有する回路の温度補償を高精度
に行なうことができる。
【図１】本発明の一実施例回路構成図である。
【図２】本発明の他の実施例回路構成図である。
【図３】従来の回路構成図である。
【図４】従来の回路構成図である。
１１…半導体素子回路、１２…演算増幅器、１３…サー
ミスタ、１４…サーミスタ、１５，１６…抵抗。
ミスタ、１４…サーミスタ、１５，１６…抵抗。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を使用した電気回路の温度補
償する回路において、温度補償用の制御電圧を出力する
分圧抵抗の一方に、周囲温度に対応して抵抗変化する抵
抗温度特性を有する温度検出素子を少なくとも２個直列
に接続した回路を設け、該直列回路を形成する温度検出
素子間より上記制御電圧を取り出す出力回路を設けたこ
とを特徴とする温度補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7108515A JPH08307160A (ja) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | 温度補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7108515A JPH08307160A (ja) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | 温度補償回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307160A true JPH08307160A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14486753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7108515A Pending JPH08307160A (ja) | 1995-05-02 | 1995-05-02 | 温度補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08307160A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012249062A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Japan Radio Co Ltd | 温度補償回路付き衛星通信用受信機モデム |
| CN111930171A (zh) * | 2020-09-27 | 2020-11-13 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | 一种低温漂精密电压输出电路 |
| JP2020202606A (ja) * | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
-
1995
- 1995-05-02 JP JP7108515A patent/JPH08307160A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012249062A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Japan Radio Co Ltd | 温度補償回路付き衛星通信用受信機モデム |
| JP2020202606A (ja) * | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
| CN111930171A (zh) * | 2020-09-27 | 2020-11-13 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | 一种低温漂精密电压输出电路 |
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