JPH08300394A

JPH08300394A - 成形金型及びそれを用いた樹脂封止体の成形方法

Info

Publication number: JPH08300394A
Application number: JP7105076A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Horiuchi; 整堀内; Hiroshi Tate; 宏舘; Takayuki Okinaga; 隆幸沖永; Koji Emata; 孝司江俣; Masako Sasaki; 雅子佐々木; Fujiaki Nose; 藤明野瀬; Atsushi Honda; 厚本多
Original assignee: Hitachi ULSI Engineering Corp; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Solutions Technology Ltd
Priority date: 1995-04-28
Filing date: 1995-04-28
Publication date: 1996-11-19

Abstract

(57)【要約】【目的】キャビティ内に供給された樹脂が板状物の一
表面側に廻り込む不具合を防止する成形金型を提供す
る。また、板状物の一表面が露出される樹脂封止体の成
形不良を防止する。【構成】底面２Ａの装着領域上に板状物１４が装着さ
れるキャビティ２を備えた成形金型１において、前記キ
ャビティ２の底面２Ａの装着領域の中央部に凹部３を構
成する。また、板状物１４の一表面が露出される樹脂封
止体１０の成形方法において、板状物１４が装着される
底面２Ａの装着領域の中央部に凹部３を構成したキャビ
ティ２を有する成形金型１を準備する段階と、前記キャ
ビティ２の底面の装着領域に板状物１４を装着する段階
と、前記キャビティ２内に樹脂１０を供給する段階とを
備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、成形金型及びそれを用
いた樹脂封止体の成形方法に関し、特に、トランスファ
モールド装置に塔載される成形金型及びそれを用いた樹
脂封止体の成形方法に適用して有効な技術に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】回路システムが塔載された半導体ペレッ
トを樹脂封止体で封止する樹脂封止型半導体装置は、樹
脂封止体の熱抵抗が高いので、回路システムの動作で発
生した熱を外部に放出する放熱効率が低い。そこで、放
熱効率を高める目的として、例えば板状物であるヒート
スプレッダを塔載し、このヒートスプレッダの一表面を
樹脂封止体から露出させている。ヒートスプレッダの一
表面と対向する裏面はタブを介在して半導体ペレットの
裏面又は直に半導体ペレットの裏面に連結される。この
ヒートスプレッダを塔載する樹脂封止型半導体装置につ
いては、例えば日経ＢＰ社発行の日経マイクロデバイス
〔１９９１年、５月号、第９４頁乃至第９９頁〕に記載
されている。

【０００３】一方、ヒートスプレッダを塔載する樹脂封
止型半導体装置の樹脂封止体はトランスファモールド装
置で成形される。トランスファモールド装置の成形部に
は成形金型が装着される。成形金型は、上型及び下型で
形成されるキャビティを備え、更にポット、ランナー、
流入ゲート、キャビティ等を備えている。以下、ヒート
スプレッダを塔載する樹脂封止型半導体装置の樹脂封止
体成形方法について説明する。

【０００４】まず、半導体ペレット、リード、タブ、ボ
ンディングワイヤ、ヒートスプレッダを有するリードフ
レームを準備すると共に、成形金型を準備する。半導体
ペレットはタブのペレット塔載面上に接着層を介在して
固着され、リードのインナー部(インナーリード)はボン
ディングワイヤを介して半導体ペレットの外部端子に電
気的に接続され、ヒートスプレッダはタブの裏面に例え
ば接着層を介在して固着される。

【０００５】次に、前記成形金型の上型と下型との間に
前記リードフレームを配置し、上型と下型とで形成され
るキャビティ内に前記半導体ペレット、リードのインナ
ー部、タブ、ボンディングワイヤ、ヒートスプレッダの
夫々を配置すると共に、前記キャビティの底面の装着領
域にヒートスプレッダを装着する。

【０００６】次に、前記成形金型のポットに樹脂タブレ
ット（取り扱い易いように熱硬化性樹脂を筒状に圧縮し
た樹脂体）を投入する。

【０００７】次に、前記樹脂タブレットをトランスファ
モールド装置のプランジャーで加圧し、ポットからラン
ナー、流入ゲートの夫々を通してキャビティ内に樹脂を
供給する。これにより、半導体ペット、リードのインナ
ー部、タブ、ボンディングワイヤの夫々を封止し、ヒー
トスプレッダの一表面を露出した樹脂封止体が成形され
る。

【０００８】なお、トランスファモールド装置で樹脂封
止体を成形するトランスファモールド技術については、
例えば日経ＢＰ社発行の日経マイクロデバイス〔１９８
８年、６月号、第９５頁乃至第１０２頁〕に記載されて
いる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】板状物であるヒートス
プレッダを塔載する樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体
成形において、樹脂封止体からヒートスプレッダの一表
面を露出させるため、成形金型のキャビティ内に配置さ
れたヒートスプレッダの一表面(露出面)はキャビティの
底面の装着領域に密着される。しかしながら、キャビテ
ィの底面の装着領域には硬化した樹脂等の異物が付着し
ている場合があり、この異物によってキャビティの底面
の装着領域からヒートスプレッダが浮き上がってしま
い、キャビティ内に供給された樹脂がヒートスプレッダ
の一表面側(露出面側)に廻り込む不具合が発生する。

【００１０】また、ヒートスプレッダの一表面側に廻り
込んだ樹脂はヒートスプレッダの一表面を覆い、ヒート
スプレッダの一表面が樹脂で被覆されるので、ヒートス
プレッダの一表面を露出する樹脂封止体に成形不良が発
生する。

【００１１】本発明の目的は、キャビティ内に供給され
た樹脂が板状物の一表面側に廻り込む不具合を防止する
成形金型を提供することにある。

【００１２】また、本発明の他の目的は、板状物の一表
面が露出される樹脂封止体の成形不良を防止することが
可能な技術を提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１５】（１）底面の装着領域に板状物が装着され
るキャビティを備えた成形金型において、前記キャビテ
ィの底面の装着領域の中央部に、前記板状物の外形サイ
ズに比べて小さい外形サイズの凹部を構成する。

【００１６】（２）板状物の一表面が露出される樹脂封
止体の成形方法において、板状物が装着される底面の装
着領域に前記板状物の外形サイズに比ベて小さい外形サ
イズの凹部を構成したキャビティを有する成形金型を準
備する段階と、前記成形金型のキャビティの底面の装着
領域に板状物を装着する段階と、前記成形金型のキャビ
ティ内に樹脂を供給する段階とを備える。

【００１７】

【作用】上述した手段（１）によれば、キャビティの底
面の装着領域に板状物を装着した際、キャビティの底面
の装着領域に付着した異物による板状物の浮き上がりを
凹部で回避することができるので、キャビティ内に供給
された樹脂が板状物の一表面側に廻り込む不具合を防止
することができる。

【００１８】上述した手段（２）によれば、キャビティ
の底面の装着領域に付着した異物による板状物の浮き上
がりを凹部で回避することができ、キャビティ内に供給
された樹脂が板状物の一表面側に廻り込むまないので、
板状物の一表面が露出される樹脂封止体の成形不良を防
止することができる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の構成について、本発明を適用
した実施例とともに説明する。

【００２０】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００２１】（実施例１）図１は本発明の実施例１
である成形金型の概略構成を示す要部断面図であり、図
２は前記成形金型の下型の要部平面図であり、図３は前
記成形金型で樹脂封止体が成形された樹脂封止型半導体
装置の断面図である。

【００２２】図３に示すように、樹脂封止型半導体装置
は、半導体ペレット１１、リード１２Ａのインナー部、
タブ１２Ｂ、ボンディングワイヤ１３の夫々を樹脂封止
体１０で封止し、この樹脂封止体１０から板状物である
ヒートスプレッダ１４の一表面(露出面)を露出した構造
で構成される。半導体ペレット１１は、タブ１２Ｂのペ
レット塔載面上に接着層を介在して固着される。リード
１２Ａのインナー部は、ボンディングワイヤ１３を介し
て半導体ペレット１１の外部端子に電気的に接続され
る。本実施例のヒートスプレッダ１４は、タブ１２Ｂの
裏面に接着層を介在して固着される。また、ヒートスプ
レッダ１４は、その平面形状が例えば方形状に形成され
る。

【００２３】前記樹脂封止体１０は、その平面形状が例
えば方形状に形成され、ヒートスプレッダ１４の一表面
(露出面)の外周部を被覆する構造で構成される。樹脂封
止体１０は、低応力化を図る目的として、例えばフェノ
ール系硬化剤、、シリコーンゴム及びフィラーが添加さ
れたエポキシ系の樹脂１０Ａで形成される。

【００２４】前記樹脂封止体１０はトランスファモール
ド装置で成形される。トランスファモールド装置の成形
部には図１に示す成形金型１が装着される。成形金型１
は、図１に示すように、上型１Ａと下型１Ｂとで形成さ
れるキャビティ２を備え、更に、図示していないが、ポ
ット、ランナー、流入ゲートの夫々を備えている。ポッ
トはランナー、流入ゲートの夫々を通してキャビティ２
に連結される。

【００２５】前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域に
は板状物であるヒートスプレッダ１４が装着される。こ
のヒートスプレッダ１４が装着されるキャビティ２の底
面２Ａの装着領域の中央部には、ヒートスプレッダ１４
の外形サイズに比べて小さい外形サイズの凹部３が構成
される。本実施例の凹部３は、キャビティ２の底面から
その上方に向って突出された突起４によって構成され
る。つまり、凹部３は、突起４の内側の側面及びキャビ
ティ２の底面によって構成される。

【００２６】前記突起４は、図１及び図２に示すよう
に、ヒートスプレッダ１４の各辺に沿って形成され、ヒ
ートスプレッダ１４の一表面(露出面)の外周部を支持す
るように構成される。つまり、ヒートスプレッダ１４
は、突起４を介在してキャビティ２の底面の装着領域に
装着される。突起４は本実施例において下型１Ｂと一体
化され、突起４の外側の側面はヒートスプレッダ１４の
側面よりも内側に位置される。

【００２７】前記凹部３には、図１及び図２に示すよう
に、吸引孔５が構成される。吸引孔５は連通路６を通し
て吸引系７に連結される。また、吸引孔５は連通路を通
して開閉器８の一次側に連結される。吸引器７は、制御
回路９の信号に基づいて、吸引・停止の動作が制御され
る。開閉器８は、制御回路９の信号に基づいて、開・閉
の動作が制御される。尚、開閉器８の二次側は大気に開
放されている。

【００２８】次に、前記樹脂封止型半導体装置の樹脂封
止体１０の成形方法について、図１を用いて説明する。

【００２９】まず、半導体ペレット１１、リード１２
Ａ、タブ１２Ｂ、ボンディングワイヤ１３、ヒートスプ
レッダ１４の夫々を有するリードフレーム１２を準備す
ると共に、前記成形金型１を準備する。半導体ペレット
１１は、タブ１２Ｂのペレット塔載面上に接着層を介在
して固着される。リード１２Ａのインナー部は、ボンデ
ィングワイヤ１３を介して半導体ペレット１１の外部端
子に電気的に接続される。ヒートスプレッダ１４は、本
実施例において、タブ１２Ｂの裏面に接着層を介在して
固着される。

【００３０】次に、前記成形金型１の上型１Ａと下型１
Ｂとの間に前記リードフレーム１２を配置し、上型１Ａ
と下型１Ｂとで形成されるキャビティ２内に半導体ペレ
ット１１、リード１２Ａのインナー部、タブ１２Ｂ、ボ
ンディングワイヤ１３、ヒートスプレッダ１４の夫々を
配置すると共に、キャビティ２の底面の装着領域に突起
４を介在してヒートスプレッダ１４を装着する。この
時、ヒートスプレッダ１４の一表面側(露出面側)にはキ
ャビティ２から分離された空間領域３Ａが形成される。
空間領域３Ａはヒートスプレッダ１４の一表面と凹部３
とで構成される。この空間領域３Ａの形成により、この
空間領域３Ａ内においてキャビティ２の底面の装着領域
に異物が付着していても、異物によるヒートスプレッダ
１４の浮き上がりを防止できる。

【００３１】次に、前記凹部３の吸引孔５に連通路６を
通して連結された吸引系７で前記空間領域３Ａ内の空気
を吸引して減圧し、キャビティ２の底面の装着領域にヒ
ートスプレッダ１４を吸引固定する。この時、開閉器８
は閉の状態にある。吸引系７の吸引は制御回路９の信号
に基づいて行なわれる。

【００３２】次に、前記成形金型１のポットに樹脂タブ
レットを投入する。

【００３３】次に、前記樹脂タブレットをトランスファ
モールド装置のプランジャで加圧し、ポットからランナ
ー、流入ゲートの夫々を通してキャビティ２内に樹脂１
０Ａを供給する。この工程により、前記半導体ペレット
１１、リード１２Ａのインナー部、タブ１２Ａ、ボンデ
ィングワイヤ１３の夫々を封止し、かつ前記ヒートスプ
レッダ１４の一表面(露出面)を露出した樹脂封止体１０
が成形される。

【００３４】次に、吸引系７の吸引を停止し、開閉器８
を開の状態にして空間領域３Ａの減圧を大気圧に戻す。
この吸引系７の停止、開閉器８の開動作の夫々は制御回
路９の信号に基づいて行なわれる。

【００３５】次に、前記形成金型１から樹脂封止体１０
を取り出し、その後、樹脂封止体１０を次段のリードフ
レーム切断工程、リード成形工程に搬送することによ
り、図３に示す樹脂封止型半導体装置がほぼ完成する。

【００３６】このように、本実施例によれば、以下の作
用効果が得られる。

【００３７】（１）底面２Ａの装着領域に板状物である
ヒートスプレッダ１４が装着されるキャビティ２を備え
た成形金型１において、前記キャビティ２の底面２Ａの
装着領域の中央部に、前記ヒートスプレッダ１４の外形
サイズに比べて小さい外形サイズの凹部３を構成する。
これにより、キャビティ２の底面２Ａの装着領域にヒー
トスプレッダ１４を装着する際、キャビティ２の底面２
Ａの装着領域に付着した異物によるヒートスプレッダ１
４の浮き上がりを凹部３で回避することができるので、
キャビティ２内に供給された樹脂１０Ａがヒートスプレ
ッダ１４の一表面側(露出面側)に廻り込む不具合を防止
することができる。

【００３８】（２）前記成形金型１において、前記突起
４の外側の側面をヒートスプレッダ１４の側面よりも内
側に位置させる。この構成により、ヒートスプレッダ１
４の一表面(露出面)の外周部を被覆する樹脂封止体１０
を成形することができるので、タブ１２Ｂの裏面に接着
層で固着されていない場合のヒートスプレッダ１４の脱
落を防止することができる。

【００３９】（３）前記成形金型１において、前記凹部
３に、吸引系７に連結される吸引孔５を構成する。この
構成により、キャビティ２の底面の装着領域に装着され
たヒートスプレッダ１４を吸引固定することができるの
で、キャビティ２内に供給された樹脂１０Ａの供給圧
（流入圧）によるヒートスプレッダ１４の位置ずれを防
止することができる。また、突起４の上面とヒートスプ
レッダ１４の一表面との間から空間領域３Ａに樹脂１０
Ａが流れ込むのを防止することができる。また、リード
フレーム１２の変形又はタブ１２Ｂとヒートスプレッダ
１４との接着不良によるヒートスプレッダ１４の浮き上
がりを回避することができる。

【００４０】（４）板状物であるヒートスプレッダ１４
の一表面が露出される樹脂封止体１０の成形方法におい
て、ヒートスプレッダ１４が装着される底面２Ａの装着
領域に前記ヒートスプレッダ１４の外形サイズに比ベて
小さい外形サイズの凹部３を構成したキャビティ２を有
する成形金型１を準備する段階と、前記成形金型１のキ
ャビティ２の底面２Ａの装着領域にヒートスプレッダ１
４を装着する段階と、前記成形金型１のキャビティ２内
に樹脂１０Ａを供給する段階とを備える。これにより、
キャビティ２の底面２Ａの装着領域に付着した異物によ
るヒートスプレッダ１４の浮き上がりを凹部３で回避す
ることができ、キャビティ２内に供給された樹脂１０Ａ
がヒートスプレッダ１４の一表面側(露出面側)に廻り込
むまないので、ヒートスプレッダ１４の一表面が露出さ
れる樹脂封止体１０の成形不良を防止することができ
る。また、樹脂封止体１０の成形不良を防止することが
できるので、半導体ペレット１１、リード１２Ａのイン
ナー部、タブ１２Ｂ、ボンディングワイヤ１３の夫々を
樹脂封止体１０で封止し、この樹脂封止体１０からヒー
トスプレッダ１４の一表面(露出面)を露出した樹脂封止
型半導体装置の歩留まりを高めることができる。

【００４１】（５）前記樹脂封止体１０の成形方法にお
いて、前記成形金型１のキャビティ２の底面２Ａの装着
領域に前記ヒートスプレッダ１４を装着する段階の後で
あって、前記成形金型１のキャビティ２内に樹脂１０Ａ
を供給する段階の前に、前記キャビティ２の底面２Ａの
装着領域にヒートスプレッダ１４を吸引固定する段階を
備える。これにより、ヒートスプレッダ１４を吸引固定
しながらキャビティ２内に供給された樹脂１０Ａで樹脂
封止体１０を成形することができるので、キャビティ２
内に供給された樹脂１０Ａの供給圧（流入圧）によるヒ
ートスプレッダ１４の位置ずれを防止できる。また、密
着不良による突起４の上面とヒートスプレッダ１４の一
表面との間から空間領域３Ａに樹脂１０Ａが流れ込むの
を防止することができる。また、リードフレーム１２の
変形又はタブ１２Ｂとヒートスプレッダ１４との接着不
良によるヒートスプレッダ１４の浮き上がりを回避する
ことができる。この結果、樹脂封止体１０の成形不良を
更に防止することができると共に、樹脂封止型半導体装
置の歩留まりを更に高めることができる。

【００４２】なお、前記突起４の上面に耐熱性の材料例
えばシリコームゴムからなる弾性体を構成してもよい。
また、前記突起４を耐熱性の材料例えばシリコームゴム
からなる弾性体で構成してもよい。この場合、突起４と
板状物であるヒーシスプレッダ１４との密着性を高める
ことができる。

【００４３】（実施例２）図４は本発明の実施例２
である成形金型の概略構成を示す要部断面図であり、図
５は前記成形金型で樹脂封止体が成形された樹脂封止型
半導体装置の断面図である。

【００４４】図５に示すように、樹脂封止型半導体装置
は、半導体ペレット１１、リード１２Ａのインナー部、
タブ１２Ｂ、ボンディングワイヤ１３の夫々を樹脂封止
体１０で封止し、この樹脂封止体１０から板状物である
ヒートスプレッダ１４の一表面(露出面)を露出した構造
で構成される。本実施例のヒートスプレッダ１４は、タ
ブ１２Ｂの裏面に接着層で固着されず、その裏面がタブ
１２Ｂの裏面に連結される。また、ヒートスプレッダ１
４には、その一表面とその裏面とを連結する連結孔１４
Ａが構成される。

【００４５】前記樹脂封止体１０は、ヒートスプレッダ
１４の一表面(露出面)の外周領域を被覆する構造で構成
される。このように、ヒートスプレッダ１４の一表面
（露出面）の外周領域を被覆する構造で樹脂封止体１０
を構成することにより、樹脂封止体１０でヒートスプレ
ッダ１４を抑え込むことができるので、ヒートスプレッ
ダ１４の脱落を防止することができる。

【００４６】前記樹脂封止体１０はトランスファモール
ド装置で成形される。トランスファモールド装置の成形
部には図４に示す成形金型１が装着される。成形金型１
は、図４に示すように、上型１Ａと下型１Ｂとで形成さ
れるキャビティ２を備えている。

【００４７】前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域に
は、板状物であるヒートスプレッダ１４が装着される。
このヒートスプレッダ１４が装着されるキャビティ２の
底面２Ａの装着領域の中央部には、ヒートスプレッダ１
４の外形サイズに比べて小さい外形サイズの凹部３が構
成される。本実施例の凹部３は、前述の実施例１と同様
に、キャビティ２の底面からその上方に向って突出され
た突起４によって構成される。

【００４８】前記凹部３には、前述の実施例１と同様
に、吸引孔５が構成される。吸引孔５は連通路６を通し
て吸引系７及び開閉器８の一次側に連結される。また、
凹部３の中央部には、キャビティ２の底面の装着領域に
装着されたヒートスプレッダ１４の一表面を支持する支
持突起３Ｂが構成される。

【００４９】次に、前記樹脂封止型半導体装置の樹脂封
止体１０の成形方法について、図４を用いて説明する。

【００５０】まず、半導体ペレット１１、リード１２
Ａ、タブ１２Ｂ、ボンディングワイヤ１３の夫々を有す
るリードフレーム１２及びヒートスプレッダ１４を準備
すると共に、前記成形金型１を準備する。

【００５１】次に、前記成形金型１の上型１Ａと下型１
Ｂとの間に前記リードフレーム１２を配置し、上型１Ａ
と下型１Ｂとで形成されるキャビティ２内に半導体ペレ
ット１１、リード１２Ａのインナー部、タブ１２Ｂ、ボ
ンディングワイヤ１３の夫々を配置すると共に、キャビ
ティ２の底面の装着領域に突起４を介在してヒートスプ
レッダ１４を装着する。この時、ヒートスプレッダ１４
の一表面側(露出面側)にはキャビティ２から分離された
空間領域３Ａが形成される。

【００５２】次に、前記凹部３の吸引孔５に連通路６を
通して連結された吸引系７で前記空間領域３Ａ内の空気
を吸引して減圧し、キャビティ２の底面の装着領域にヒ
ートスプレッダ１４を吸引固定する。この時、凹部３の
中央部にはヒートスプレッダ１４の一表面を支持する支
持突起３Ｂが構成されているので、吸引固定によるヒー
トスプレッダ１４の反りを防止することができる。ま
た、ヒートスプレッダ１４にはその一表面とその裏面と
を連結する連通孔１４Ａが構成されているので、キャビ
ティ２の底面の装着領域にヒートスプレッダ１４を吸引
固定することができると共に、ヒートスプレッダ１４に
タブ１２Ｂを吸引固定することができる。

【００５３】次に、前記成形金型１のポットに樹脂タブ
レットを投入する。

【００５４】次に、前記樹脂タブレットをトランスファ
モールド装置のプランジャで加圧し、ポットからランナ
ー、流入ゲートの夫々を通してキャビティ２内に樹脂１
０Ａを供給する。この工程により、前記半導体ペレット
１１、リード１２Ａのインナー部、タブ１２Ａ、ボンデ
ィングワイヤ１３の夫々を封止し、かつ前記ヒートスプ
レッダ１４の一表面(露出面)を露出した樹脂封止体１０
が成形される。

【００５５】このように、本実施例によれば、前述の実
施例１と同様の作用効果が得られると共に、下記の作用
効果が得られる。

【００５６】前記凹部３の中央部に前記板状物であるヒ
ートスプレッダ１４の一表面を支持する支持突起３Ｂを
構成する。これにより、ヒートスプレッダ１４の一表面
の中央部を支持突起３Ｂで支持することができるので、
吸引固定によるヒートスプレッダ１４の反りを防止する
ことができる。

【００５７】また、ヒートスプレッダ１４にその一表面
とその裏面とを連結する連通孔１４を構成することによ
り、キャビティ２の底面の装着領域にヒートスプレッダ
１４を吸引固定することができると共に、ヒートスプレ
ッダ１４にタブ１２Ｂを吸引固定することができるの
で、キャビティ２内に供給された樹脂１０Ａの供給圧に
よるヒートスプレッダ１４とタブ１２Ｂとの位置ずれを
防止できる。また、密着不良によるヒートスプレッダ１
４の裏面とタブ１２Ａの裏面との間に樹脂１０Ａが流れ
込むのを防止することができる。また、リードフレーム
１２の変形によるタブ１２Ｂの浮き上がりを回避するこ
とができる。

【００５８】（実施例４）図６は本発明の実施例３
である成形金型の概略構成を示す要部断面図であり、図
７は前記成形金型の下型の要部平面図である。

【００５９】図６に示すように、成形金型１は、上型１
Ａと下型１Ｂとで形成されるキャビティ２を備えてい
る。この成形金型１は、トランスファモールド装置の成
形部に装着され、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体形
成工程において、半導体ペレット１１、リード１２Ａの
インナー部、タブ１２Ｂ、ボンディングワイヤ１３の夫
々を封止し、ヒートスプレッダ１４の一表面を露出した
樹脂封止体１０を成形する。

【００６０】前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域に
は板状物であるヒートスプレッダ１４が装着される。こ
のヒートスプレッダ１４が装着されるキャビティ２の底
面２Ａの装着領域の中央部には、ヒートスプレッダ１４
の外形サイズに比べて小さい外形サイズの凹部３が構成
される。本実施例の凹部３は、キャビティ２の底面から
その深さ方向に向って形成された溝３によって構成され
る。つまり、凹部３は、溝３側壁面及びその底面によっ
て構成される。

【００６１】前記溝３は、図６及び図７に示すように、
ヒートスプレッダ１４の一表面の周辺部と対向する位置
に形成され、ヒートスプレッダ１４の一表面(露出面)の
外周部をキャビティ２の底面２Ａで支持するように構成
される。つまり、ヒートスプレッダ１４はキャビティ２
の底面の装着領域に直に装着される。本実施例の溝３の
側壁面はヒートスプレッダ１４の側面よりも内側に位置
される。

【００６２】前記キャビティ２の底面の装着領域にヒー
トスプレッダ１４を装着した際、ヒートスプレッダ１４
の一表面側にはキャビティ２から分離された空間領域３
Ａが構成される。空間領域３Ａはヒートスプレッダ１４
の一表面と凹部３とで構成される。

【００６３】前記凹部３には、前述の実施例１と同様
に、吸引孔５が構成される。吸引孔５は連通路６を通し
て吸引系７及び開閉器８の一次側に連結される。

【００６４】このように構成される成形金型１は、前述
の実施例１と同様の作用効果を得ることができる。

【００６５】（実施例４）図８は本発明の実施例４
である成形金型の概略構成を示す要部断面図である。

【００６６】図８に示すように、成形金型１は、上型１
Ａと下型１Ｂとで形成されるキャビティ２を備えてい
る。この成形金型１は、トランスファモールド装置の成
形部に装着され、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体形
成工程において、半導体ペレット１１、リード１２Ａの
インナー部、タブ１２Ｂ、ボンディングワイヤ１３の夫
々を封止し、ヒートスプレッダ１４の一表面を露出した
樹脂封止体１０を成形する。

【００６７】前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域に
は、板状物であるヒートスプレッダ１４が装着される。
このヒートスプレッダ１４が装着されるキャビティ２の
底面２Ａの装着領域の中央部には、ヒートスプレッダ１
４の外形サイズに比べて小さい外形サイズの凹部３が構
成される。本実施例の凹部３は、前述の実施例３と同様
に、キャビティ２の底面からその深さ方向に向って形成
された溝３によって構成される。

【００６８】前記キャビティ２の底面の装着領域にヒー
トスプレッダ１４を装着した際、ヒートスプレッダ１４
の一表面側には、前述の実施例３と同様に、空間領域３
Ａが構成される。

【００６９】前記凹部３には、前述の実施例１と同様
に、吸引孔５が構成される。吸引孔５は連通路６を通し
て吸引系７及び開閉器８の一次側に連結される。また、
凹部３の中央部には、前述の実施例２と同様に、キャビ
ティ２の底面の装着領域に装着されたヒートスプレッダ
１４の一表面を支持する支持突起３Ｂが構成される。

【００７０】前記キャビティ２の底面２Ａの装着領域に
は装着溝２Ｂが構成される。装着溝２Ｂはヒートスプレ
ッダ１４の外形サイズとほぼ同一の外形サイズで構成さ
れ、ヒートスプレッダ１４の一部が嵌合される。

【００７１】このように構成される成形金型１は、前述
の実施例２と同様の作用効果が得られると共に、キャビ
ティ２の底面２Ａの装着領域に板状物であるヒートスプ
レッダ１４と嵌合する装着溝２Ｂを構成することによ
り、キャビティ２の底面２Ａの装着領域にヒートスプレ
ッダ１４を装着する時の位置決めが容易になる。

【００７２】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【００７３】例えば、本発明は、底面の装着領域に板状
物であるタブ(ダイパッド)が装着されるキャビティを備
えた成形金型に適用できる。

【００７４】また、本発明は、板状物であるタブの一表
面が露出される樹脂封止体の成形技術に適用できる。

【００７５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００７６】キャビティ内に供給された樹脂が板状物の
一表面側に廻り込む不具合を防止することが可能な成形
金型を提供できる。

【００７７】また、板状物の一表面が露出される樹脂封
止体の成形不良を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１である成形金型の概略構成を
示す要部断面図。

【図２】前記成形金型の下型の要部平面図。

【図３】前記成形金型で樹脂封止体が成形された樹脂封
止型半導体装置の断面図。

【図４】本発明の実施例２である成形金型の概略構成を
示す要部断面図。

【図５】前記成形金型で樹脂封止体が成形された樹脂封
止型半導体装置の断面図。

【図６】本発明の実施例３である成形金型の概略構成を
示す要部断面図。

【図７】前記成形金型の下型の要部平面図。

【図８】本発明の実施例４である成形金型の概略構成を
示す要部断面図。

【符号の説明】

１…成形金型、１Ａ…上型、１Ｂ…下型、２…キャビテ
ィ、２Ａ…底面、２Ｂ…装着溝、３…凹部、３Ａ…空間
領域、３Ｂ…支持突起、４…突起、５…吸引孔、６…連
結路、７…吸引器、８…開閉器、９…制御回路、１０…
樹脂封止体、１０Ａ…樹脂、１１…半導体ペレット、１
２…リードフレーム、１２Ａ…リード、１２Ｂ…タブ、
１３…ボンディングワイヤ、１４…ヒートスプレッダ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者舘宏東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者沖永隆幸東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者江俣孝司東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者佐々木雅子東京都小平市上水本町５丁目20番１号日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社内 (72)発明者野瀬藤明東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者本多厚東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製作所デバイス開発センタ内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】底面の装着領域に板状物が装着されるキ
ャビティを備えた成形金型において、前記キャビティの
底面の装着領域の中央部に前記板状物の平面サイズに比
ベて小さい平面サイズの凹部を構成したことを特徴とす
る成形金型。
【請求項２】前記凹部は前記キャビティの底面からそ
の上方に向かって突出された突起によって構成されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の成形金型。
【請求項３】前記凹部は前記キャビティの底面からそ
の深さ方向に向って形成された溝によって構成されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の成形金型。
【請求項４】前記凹部の中央部に、前記板状物の一表
面を支持する支持突起を構成したことを特徴とする請求
項１に記載の成形金型。
【請求項５】前記凹部に、吸引系に連結される吸引孔
を構成したことを特徴とする請求項１又は請求項４に記
載の成形金型。
【請求項６】板状物の一表面が露出される樹脂封止体
の成形方法において、板状物が装着される底面の装着領
域の中央部に前記板状物の外形サイズに比ベて小さいサ
イズの凹部を構成したキャビティを有する成形金型を準
備する段階と、前記成形金型のキャビティの底面の装着
領域に板状物を装着する段階と、前記成形金型のキャビ
ティ内に樹脂を供給する段階とを備えたことを特徴とす
る樹脂封止体の成形方法。
【請求項７】前記板状物を装着する段階の後であっ
て、前記樹脂を供給する段階の前に、前記キャビティの
底面の装着領域に装着された板状物を吸引固定する段階
を備えたことを特徴とする請求項７に記載の樹脂封止体
の成形方法。