JPH08287758A - 断路接点装置 - Google Patents
断路接点装置Info
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- JPH08287758A JPH08287758A JP7182343A JP18234395A JPH08287758A JP H08287758 A JPH08287758 A JP H08287758A JP 7182343 A JP7182343 A JP 7182343A JP 18234395 A JP18234395 A JP 18234395A JP H08287758 A JPH08287758 A JP H08287758A
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- coating layer
- coating
- composite coating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 グリスを不要とし、長期間にわたって電気特
性を維持できる断路接点装置を得る。 【構成】 可動側導体に接触する接触子２Ｂの接触部の
表面に、Ａｇと他の金属又は無機化合物からなる複合被
膜層を形成させる。
性を維持できる断路接点装置を得る。 【構成】 可動側導体に接触する接触子２Ｂの接触部の
表面に、Ａｇと他の金属又は無機化合物からなる複合被
膜層を形成させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば遮断器または開
閉器などの主回路端子を母線に接離する断路接点装置に
関する。
閉器などの主回路端子を母線に接離する断路接点装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】閉鎖配電盤などの電気機器においては、
図12、図13に示すように、遮断器または開閉器などを出
し入れする際に主回路端子を母線に接離する断路接点装
置が設けられている。すなわち、断路接点装置１におけ
る接触子２Ａ，２Ｂは、対を成とて対向して１組を形成
し、一端は固定側導体３に接触部２ａ，２ｂが突出して
接触し、他端は可動側導体４に接触部２ｃ，２ｄが突出
して接触している。また、接触子２Ａ，２Ｂはピン５で
連結され、ピン５をコイルばね６で引っ張り、接触部２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと固体側導体３および可動側導体
４とが押圧するように配置されている。
図12、図13に示すように、遮断器または開閉器などを出
し入れする際に主回路端子を母線に接離する断路接点装
置が設けられている。すなわち、断路接点装置１におけ
る接触子２Ａ，２Ｂは、対を成とて対向して１組を形成
し、一端は固定側導体３に接触部２ａ，２ｂが突出して
接触し、他端は可動側導体４に接触部２ｃ，２ｄが突出
して接触している。また、接触子２Ａ，２Ｂはピン５で
連結され、ピン５をコイルばね６で引っ張り、接触部２
ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄと固体側導体３および可動側導体
４とが押圧するように配置されている。
【０００３】一方、これら導体が挿入されているときに
は、図13のように導体が挿入しやすいよう間隔片７で接
触子２の間隔が一定に保たれている。接触子２Ａ，２Ｂ
の表面は、一般的には電気めっきによるＡｇ被膜が形成
されるが、Ａｇメッキは柔らかく摺動により剥れやすい
ので、潤滑剤としてグリスを塗布してＡｇ被膜を保護し
ている。
は、図13のように導体が挿入しやすいよう間隔片７で接
触子２の間隔が一定に保たれている。接触子２Ａ，２Ｂ
の表面は、一般的には電気めっきによるＡｇ被膜が形成
されるが、Ａｇメッキは柔らかく摺動により剥れやすい
ので、潤滑剤としてグリスを塗布してＡｇ被膜を保護し
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た断路接点装置は、使用しているグリスが使用環境や経
年的な酸化により劣化すると、これに起因して電気特性
を損なうことがある。このため、グリスの良好な状態を
確保するため、定期的な保守点検（分解、清掃、グリス
の再塗布、再組立など）を行う必要があった。本発明の
目的は、グリスを不要とし、長期間にわたって電気特性
を維持できる断路接点装置を提供することにある。
た断路接点装置は、使用しているグリスが使用環境や経
年的な酸化により劣化すると、これに起因して電気特性
を損なうことがある。このため、グリスの良好な状態を
確保するため、定期的な保守点検（分解、清掃、グリス
の再塗布、再組立など）を行う必要があった。本発明の
目的は、グリスを不要とし、長期間にわたって電気特性
を維持できる断路接点装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために第１の本発明は、一端が固定側導体を挟持
し、他端が可動側導体を挟持するように両者に接触した
接触子を備え、少なくとも前記接触子表面にＡｇと他の
金属から成る複合被膜層を形成させたので、グリスを不
要とし、長期間にわたって電気特性を維持することがで
きる。
成するために第１の本発明は、一端が固定側導体を挟持
し、他端が可動側導体を挟持するように両者に接触した
接触子を備え、少なくとも前記接触子表面にＡｇと他の
金属から成る複合被膜層を形成させたので、グリスを不
要とし、長期間にわたって電気特性を維持することがで
きる。
【０００６】また第２の発明は、一端が固定側導体を挟
持し、他端が可動側導体を挟持するように接触した接触
子を備え、少なくとも接触子表面に、Ａｇと無機化合物
から成る複合被膜層を形成させたので、グリスを不要と
し、長期間にわたって電気特性を維持することができ
る。
持し、他端が可動側導体を挟持するように接触した接触
子を備え、少なくとも接触子表面に、Ａｇと無機化合物
から成る複合被膜層を形成させたので、グリスを不要と
し、長期間にわたって電気特性を維持することができ
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。従来と同様のものについては、同一番号を付し
て説明を省略する。図１（ａ）は、本発明の一実施例を
示す断路接点装置の接触子の斜視図であり、同（ｂ）は
（ａ）の部分拡大図である。
明する。従来と同様のものについては、同一番号を付し
て説明を省略する。図１（ａ）は、本発明の一実施例を
示す断路接点装置の接触子の斜視図であり、同（ｂ）は
（ａ）の部分拡大図である。
【０００８】同図において、接触子２Ｂの接触部２ｄの
表面に、イオンプレーティング装置などの真空蒸着装置
内でＡｇと他の金属、例えばＭｏを適正な組成比、厚さ
となるように制御し、所定の複合被膜を形成させる。そ
の方法は、真空蒸着装置内を１０-4〜１０-5Ｔorr 程度
の真空度とし、接触子２Ｂを 350〜 450℃程度の処理温
度に加熱する。次に、電子銃により電圧を10kv一定と
し、電流を調整してＡｇとＭｏを溶融、蒸発、イオン化
させ、両金属を蒸発反応させることにより、約５〜10μ
ｍのＡｇ−Ｍｏ複合被膜層を表面に形成させる。電子銃
の電流は、ＡｇとＭｏの組成比をどのようにするかによ
って変える。例えば、85Ａｇ−15Ｍｏの場合には、Ａｇ
への電子ビームの照射電流を 300〜 600ｍＡ程度にし、
Ｍｏへの電子ビームの照射電流を 500〜 700ｍＡ程度に
なるようにする。Ａｇ−Ｍｏのコーティングは、一般に
は霜柱上の柱状晶状態で成長することにより一定の厚さ
でコーティングされる。
表面に、イオンプレーティング装置などの真空蒸着装置
内でＡｇと他の金属、例えばＭｏを適正な組成比、厚さ
となるように制御し、所定の複合被膜を形成させる。そ
の方法は、真空蒸着装置内を１０-4〜１０-5Ｔorr 程度
の真空度とし、接触子２Ｂを 350〜 450℃程度の処理温
度に加熱する。次に、電子銃により電圧を10kv一定と
し、電流を調整してＡｇとＭｏを溶融、蒸発、イオン化
させ、両金属を蒸発反応させることにより、約５〜10μ
ｍのＡｇ−Ｍｏ複合被膜層を表面に形成させる。電子銃
の電流は、ＡｇとＭｏの組成比をどのようにするかによ
って変える。例えば、85Ａｇ−15Ｍｏの場合には、Ａｇ
への電子ビームの照射電流を 300〜 600ｍＡ程度にし、
Ｍｏへの電子ビームの照射電流を 500〜 700ｍＡ程度に
なるようにする。Ａｇ−Ｍｏのコーティングは、一般に
は霜柱上の柱状晶状態で成長することにより一定の厚さ
でコーティングされる。
【０００９】この様なＡｇ−Ｍｏからなる被膜層２ｅを
接触部２ｄの表面に形成させたので、電気特性および耐
摩耗性の向上を図ることができ、グリスを塗布すること
なく長期間にわたって良好な電気特性を維持することが
できる。さらに、定期的な保守点検も不要にでき、メン
テナンスフリーが可能になる。次に示す表１は、Ａｇ−
Ｍｏ被膜の硬さおよび電気伝導度を比較した一例であ
る。
接触部２ｄの表面に形成させたので、電気特性および耐
摩耗性の向上を図ることができ、グリスを塗布すること
なく長期間にわたって良好な電気特性を維持することが
できる。さらに、定期的な保守点検も不要にでき、メン
テナンスフリーが可能になる。次に示す表１は、Ａｇ−
Ｍｏ被膜の硬さおよび電気伝導度を比較した一例であ
る。
【００１０】
【表１】
【００１１】すなわち、Ａｇ膜に比べ、98Ａｇ−２Ｍｏ
被膜は３〜 4.5倍，85Ａｇ−15Ｍｏ被膜は 2.5〜 3.8倍
近い硬さを有しており、このため摩耗が少なくなる。Ａ
ｇとＮｉによる複合被膜の場合も、電子銃の電流を変え
るだけで、ほぼ同様の工程で電気特性、耐摩耗性に優れ
たコーティングを接触子２Ｂの接触部２ｄの表面に行う
ことができる。
被膜は３〜 4.5倍，85Ａｇ−15Ｍｏ被膜は 2.5〜 3.8倍
近い硬さを有しており、このため摩耗が少なくなる。Ａ
ｇとＮｉによる複合被膜の場合も、電子銃の電流を変え
るだけで、ほぼ同様の工程で電気特性、耐摩耗性に優れ
たコーティングを接触子２Ｂの接触部２ｄの表面に行う
ことができる。
【００１２】図２は、従来のＡｇめっきを施したもの
と、本実施例に関するＡｇ−Ｍｏ（90Ａｇ−10Ｍｏ），
Ａｇ−Ｎｉ（80Ａｇ−20Ｎｉ）をコーティングしたもの
について、摩擦−摩耗特性（すべり距離と摩擦係数の関
係）を測定した結果の一例である。同図によれば、Ａｇ
−Ｍｏ，Ａｇ−Ｎｉ被膜がＡｇめっきに比べ摩擦係数が
小さく、かじりが発生するまでのすべり距離が長く、耐
摩耗性に優れていることを示している。
と、本実施例に関するＡｇ−Ｍｏ（90Ａｇ−10Ｍｏ），
Ａｇ−Ｎｉ（80Ａｇ−20Ｎｉ）をコーティングしたもの
について、摩擦−摩耗特性（すべり距離と摩擦係数の関
係）を測定した結果の一例である。同図によれば、Ａｇ
−Ｍｏ，Ａｇ−Ｎｉ被膜がＡｇめっきに比べ摩擦係数が
小さく、かじりが発生するまでのすべり距離が長く、耐
摩耗性に優れていることを示している。
【００１３】図３は、実機での通電試験において得られ
た時間−温度特性の一例を示す。Ａｇ−Ｍｏ，Ａｇ−Ｎ
ｉ被膜はＡｇメッキに比べ高くはなっているが、日本電
気学会規格ＪＥＣ−2300の規定値 105℃（温度上昇値65
℃）は満足しており問題はない。
た時間−温度特性の一例を示す。Ａｇ−Ｍｏ，Ａｇ−Ｎ
ｉ被膜はＡｇメッキに比べ高くはなっているが、日本電
気学会規格ＪＥＣ−2300の規定値 105℃（温度上昇値65
℃）は満足しており問題はない。
【００１４】ところで、摩擦係数や通電試験における温
度特性は、ＡｇとＭｏ、またはＡｇとＮｉの組成比によ
り変わってくる。組成比と硬さ、摩擦係数、電気伝導度
の関係をそれぞれ図４（ａ），（ｂ）に示す。硬さ、摩
擦係数、電気伝導度は、Ａｇめっきとの比（すなわち、
Ａｇめっきを１とする。）で示してある。同図によれ
ば、Ａｇメッキに比べて硬さが高くなり、それに伴って
摩擦係数が小さくなる。さらに、電気伝導度の低下がそ
れ程大きくなく、通電試験においても規定値 105℃（温
度上昇値65℃）は満足する組成比を適用限界とすると、
（ａ）よりＡｇ−Ｍｏの場合には98：２〜80：20、
（ｂ）よりＡｇ−Ｎｉの場合には95：５〜70：30の範囲
となる。
度特性は、ＡｇとＭｏ、またはＡｇとＮｉの組成比によ
り変わってくる。組成比と硬さ、摩擦係数、電気伝導度
の関係をそれぞれ図４（ａ），（ｂ）に示す。硬さ、摩
擦係数、電気伝導度は、Ａｇめっきとの比（すなわち、
Ａｇめっきを１とする。）で示してある。同図によれ
ば、Ａｇメッキに比べて硬さが高くなり、それに伴って
摩擦係数が小さくなる。さらに、電気伝導度の低下がそ
れ程大きくなく、通電試験においても規定値 105℃（温
度上昇値65℃）は満足する組成比を適用限界とすると、
（ａ）よりＡｇ−Ｍｏの場合には98：２〜80：20、
（ｂ）よりＡｇ−Ｎｉの場合には95：５〜70：30の範囲
となる。
【００１５】以上のように、固定側導体と可動側導体に
接触する接触子表面に、Ａｇ−Ｍｏ被膜またはＡｇ−Ｎ
ｉ被膜をコーティングすることにより、摺動部の摩擦係
数が小さく、グリスを塗布しなくてもかじりや剥離がな
く、長期間にわたって電気特性を維持できる断路接点装
置を得ることができる。
接触する接触子表面に、Ａｇ−Ｍｏ被膜またはＡｇ−Ｎ
ｉ被膜をコーティングすることにより、摺動部の摩擦係
数が小さく、グリスを塗布しなくてもかじりや剥離がな
く、長期間にわたって電気特性を維持できる断路接点装
置を得ることができる。
【００１６】次に、本発明の第２の実施例を図面を参照
して説明する。なお、ここでも従来と同様のものについ
ては同一番号を付して説明を省略する。同図において、
前述した実施例と同様に、図１に示す接触子２Ｂの接触
部２ｄの表面に、イオンプレーティング装置などの真空
蒸着装置内でＡｇと他の金属、ここではＰｄを適正な組
成比、厚さとなるように制御し、所定の複合被膜を形成
させる。その方法は、真空蒸着装置内を 1.3×１０-2〜
1.3×１０-3Ｐａ程度の真空度とし、接触子２Ｂを 350
〜 450℃程度の処理温度に加熱する。次に、電子銃によ
り電圧を10kv一定とし、電流を調整してＡｇとＭｏを溶
融、蒸発、イオン化させ、両金属を蒸発反応させること
により、約５〜10μｍのＡｇ−Ｐｄ複合被膜層を表面に
形成させる。電子銃の電流は、ＡｇとＭｏの組成比をど
のようにするかによって変える。例えば、90Ａｇ−10Ｐ
ｄの場合には、Ａｇへの電子ビームの照射電流を 300〜
600ｍＡ程度にし、Ｐｄへの電子ビームの照射電流を 4
00〜700ｍＡ程度になるようにする。Ａｇ−Ｐｄのコー
ティングは、一般には霜柱上の柱状晶状態で成長するこ
とにより一定の厚さでコーティングされる。
して説明する。なお、ここでも従来と同様のものについ
ては同一番号を付して説明を省略する。同図において、
前述した実施例と同様に、図１に示す接触子２Ｂの接触
部２ｄの表面に、イオンプレーティング装置などの真空
蒸着装置内でＡｇと他の金属、ここではＰｄを適正な組
成比、厚さとなるように制御し、所定の複合被膜を形成
させる。その方法は、真空蒸着装置内を 1.3×１０-2〜
1.3×１０-3Ｐａ程度の真空度とし、接触子２Ｂを 350
〜 450℃程度の処理温度に加熱する。次に、電子銃によ
り電圧を10kv一定とし、電流を調整してＡｇとＭｏを溶
融、蒸発、イオン化させ、両金属を蒸発反応させること
により、約５〜10μｍのＡｇ−Ｐｄ複合被膜層を表面に
形成させる。電子銃の電流は、ＡｇとＭｏの組成比をど
のようにするかによって変える。例えば、90Ａｇ−10Ｐ
ｄの場合には、Ａｇへの電子ビームの照射電流を 300〜
600ｍＡ程度にし、Ｐｄへの電子ビームの照射電流を 4
00〜700ｍＡ程度になるようにする。Ａｇ−Ｐｄのコー
ティングは、一般には霜柱上の柱状晶状態で成長するこ
とにより一定の厚さでコーティングされる。
【００１７】この様なＡｇ−Ｐｄからなる被膜層２ｅを
接触部２ｄの表面に形成させたので、電気特性および耐
摩耗性の向上を図ることができ、グリスを塗布すること
なく長期間にわたって良好な電気特性を維持することが
できる。さらに、定期的な保守点検も不要にでき、メン
テナンスフリーが可能になる。次に示す表２は、Ａｇ−
Ｐｄ被膜の硬さおよび電気伝導度を比較した一例であ
る。
接触部２ｄの表面に形成させたので、電気特性および耐
摩耗性の向上を図ることができ、グリスを塗布すること
なく長期間にわたって良好な電気特性を維持することが
できる。さらに、定期的な保守点検も不要にでき、メン
テナンスフリーが可能になる。次に示す表２は、Ａｇ−
Ｐｄ被膜の硬さおよび電気伝導度を比較した一例であ
る。
【００１８】
【表２】
【００１９】すなわち、Ａｇ膜に比べ90Ａｇ−10Ｐｄ被
膜は 1.5〜 2.7倍、40Ａｇ−60Ｐｄ被膜は 2.5〜 3.3倍
近い硬さを有しており、このため磨耗が少なくなる。ま
た、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ被膜では表３に示すような特性と
なる。
膜は 1.5〜 2.7倍、40Ａｇ−60Ｐｄ被膜は 2.5〜 3.3倍
近い硬さを有しており、このため磨耗が少なくなる。ま
た、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ被膜では表３に示すような特性と
なる。
【００２０】
【表３】
【００２１】図５は、銅材にＡｇめっきを施したもの
と、本発明に係るＡｇ−Ｐｄ（90Ａｇ−10Ｐｄ）、Ａｇ
−Ｐｄ−Ｃｕ（40Ａｇ−40Ｐｄ−20Ｃｕ）をコ−ティン
グしたものについて、摩擦−摩耗特性（すべり距離と摩
擦係数の関係）を測定した結果の一例である。すなわ
ち、本発明に係るＡｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ被膜
が、Ａｇめっきに比べて摩擦係数が小さく、かじりが発
生するまでのすべり距離が長く耐摩耗性に優れているこ
とを示している。
と、本発明に係るＡｇ−Ｐｄ（90Ａｇ−10Ｐｄ）、Ａｇ
−Ｐｄ−Ｃｕ（40Ａｇ−40Ｐｄ−20Ｃｕ）をコ−ティン
グしたものについて、摩擦−摩耗特性（すべり距離と摩
擦係数の関係）を測定した結果の一例である。すなわ
ち、本発明に係るＡｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ被膜
が、Ａｇめっきに比べて摩擦係数が小さく、かじりが発
生するまでのすべり距離が長く耐摩耗性に優れているこ
とを示している。
【００２２】図６は、実機での通電試験において得られ
た時間−温度特性の一例を示す。Ａｇ−Ｐｄ及びＡｇ−
Ｐｄ−Ｃｕ被膜はＡｇめっきに比べ高くはなっている
が、日本電気学会規格ＪＥＣ−2300の規定値 105℃（温
度上昇値65℃）は満足しており問題はない。
た時間−温度特性の一例を示す。Ａｇ−Ｐｄ及びＡｇ−
Ｐｄ−Ｃｕ被膜はＡｇめっきに比べ高くはなっている
が、日本電気学会規格ＪＥＣ−2300の規定値 105℃（温
度上昇値65℃）は満足しており問題はない。
【００２３】摩擦係数や通電試験における温度特性は、
Ａｇ−Ｐｄ又はＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕの組成比により変わっ
てくる。組成比と硬さ、摩擦係数、電気伝導度の関係を
図７に示す。硬さ、摩擦係数、電気伝導度は、Ａｇめっ
きとの比（すなわち、Ａｇめっき１として）で示してあ
る。これより、Ａｇめっきに比べて硬さが高くなり、そ
れに伴って摩擦係数が小さくなり、電気伝導度の低下が
それ程大きくない。通電試験においても規定値 105℃
（温度上昇値65℃）は満足する組成比を適用限界とする
と、（ａ）よりＡｇ−Ｐｄ被膜の場合にはＡｇ：Ｐｄ＝
90：10〜30：70の範囲、（ｂ）よりＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ被
膜の場合には（Ａｇ＋Ｐｄ）：Ｃｕ＝80：20〜50：50の
範囲となる。
Ａｇ−Ｐｄ又はＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕの組成比により変わっ
てくる。組成比と硬さ、摩擦係数、電気伝導度の関係を
図７に示す。硬さ、摩擦係数、電気伝導度は、Ａｇめっ
きとの比（すなわち、Ａｇめっき１として）で示してあ
る。これより、Ａｇめっきに比べて硬さが高くなり、そ
れに伴って摩擦係数が小さくなり、電気伝導度の低下が
それ程大きくない。通電試験においても規定値 105℃
（温度上昇値65℃）は満足する組成比を適用限界とする
と、（ａ）よりＡｇ−Ｐｄ被膜の場合にはＡｇ：Ｐｄ＝
90：10〜30：70の範囲、（ｂ）よりＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ被
膜の場合には（Ａｇ＋Ｐｄ）：Ｃｕ＝80：20〜50：50の
範囲となる。
【００２４】以上のように、固定側導体と可動側導体に
接触する接触子表面に、Ａｇ−Ｐｄ被膜又はＡｇ−Ｐｄ
−Ｃｕ被膜をコ−ティングすることにより、摺動部の摩
擦係数が小さく、グリス塗布しなくてもかじりや剥離が
少なく、長期間にわたって電気特性を維持できる。
接触する接触子表面に、Ａｇ−Ｐｄ被膜又はＡｇ−Ｐｄ
−Ｃｕ被膜をコ−ティングすることにより、摺動部の摩
擦係数が小さく、グリス塗布しなくてもかじりや剥離が
少なく、長期間にわたって電気特性を維持できる。
【００２５】次に、本発明の第３の実施例を図面を参照
して説明する。図８（ａ）は本発明の第３の実施例を示
す断路接点装置の接触子の斜視図であり、同（ｂ）は
（ａ）の部分拡大図である。
して説明する。図８（ａ）は本発明の第３の実施例を示
す断路接点装置の接触子の斜視図であり、同（ｂ）は
（ａ）の部分拡大図である。
【００２６】同図において、接触子２Ｂ′の接触部２
ｄ′の表面に、電気めっき法によるＡｇめっき工程中に
めっき液に微細なＭｏＳ2 （二硫化モリブデン）粉末
（大きさ： 0.1〜１μｍ）を添加し、そのめっき液を一
定速度で撹拌し、Ａｇめっきに均一にＭｏＳ2 粉末を分
散させた状態で共析させることにより、10〜30μｍ程度
の皮膜層２ｅ′を形成させる。皮膜中のＡｇの量は99〜
90％の範囲になるようにＭｏＳ2 量を調整する。このよ
うなＡｇ−ＭｏＳ2 から成る皮膜層２ｅ′を接触部２
ｄ′の表面に形成させたので、Ａｇにより良好な電気特
性を維持し、ＭｏＳ2により低摩擦、耐摩耗性の向上が
図れ、グリスを塗布することなく、長期間にわたって良
好な電気特性を維持できる。さらに、定期的な保守点検
も不要にでき、メンテナンスフリーが可能になる。
ｄ′の表面に、電気めっき法によるＡｇめっき工程中に
めっき液に微細なＭｏＳ2 （二硫化モリブデン）粉末
（大きさ： 0.1〜１μｍ）を添加し、そのめっき液を一
定速度で撹拌し、Ａｇめっきに均一にＭｏＳ2 粉末を分
散させた状態で共析させることにより、10〜30μｍ程度
の皮膜層２ｅ′を形成させる。皮膜中のＡｇの量は99〜
90％の範囲になるようにＭｏＳ2 量を調整する。このよ
うなＡｇ−ＭｏＳ2 から成る皮膜層２ｅ′を接触部２
ｄ′の表面に形成させたので、Ａｇにより良好な電気特
性を維持し、ＭｏＳ2により低摩擦、耐摩耗性の向上が
図れ、グリスを塗布することなく、長期間にわたって良
好な電気特性を維持できる。さらに、定期的な保守点検
も不要にでき、メンテナンスフリーが可能になる。
【００２７】一方、Ａｇ−ＷＳ2 皮膜の場合も同様で、
電気めっき法によるＡｇめっき工程中にめっき液に微細
なＷＳ2 （二硫化タングステン）粉末（大きさ： 0.1〜
１μｍ）を添加し、そのめっき液を一定速度で撹拌し、
Ａｇめっきに均一にＷＳ2 粉末を分散させた状態で共析
させる。被膜中のＡｇの量は99〜85％の範囲になるよう
にＷＳ2 量を調整する。
電気めっき法によるＡｇめっき工程中にめっき液に微細
なＷＳ2 （二硫化タングステン）粉末（大きさ： 0.1〜
１μｍ）を添加し、そのめっき液を一定速度で撹拌し、
Ａｇめっきに均一にＷＳ2 粉末を分散させた状態で共析
させる。被膜中のＡｇの量は99〜85％の範囲になるよう
にＷＳ2 量を調整する。
【００２８】図９は、銅材にＡｇめっきを施した従来の
ものと、本発明のＡｇ−ＭｏＳ2 （99Ａｇ−１ＭｏＳ2
および90Ａｇ−10ＭｏＳ2 ）をコーティングしたものに
ついて摩擦特性（すべり距離と摩擦係数の関係）を測定
した結果の一例である。すなわち、本発明のＡｇ−Ｍｏ
Ｓ2 が、Ａｇめっきに比べ摩擦係数が小さく、かじりが
発生するまでのすべり距離が長く、耐摩耗性に優れてい
ることを示している。Ａｇ−ＷＳ2 皮膜についても同様
である。
ものと、本発明のＡｇ−ＭｏＳ2 （99Ａｇ−１ＭｏＳ2
および90Ａｇ−10ＭｏＳ2 ）をコーティングしたものに
ついて摩擦特性（すべり距離と摩擦係数の関係）を測定
した結果の一例である。すなわち、本発明のＡｇ−Ｍｏ
Ｓ2 が、Ａｇめっきに比べ摩擦係数が小さく、かじりが
発生するまでのすべり距離が長く、耐摩耗性に優れてい
ることを示している。Ａｇ−ＷＳ2 皮膜についても同様
である。
【００２９】図10は、皮膜中のＭｏＳ2 またはＷＳ2 の
含有量と摩擦係数の関係を示したものである。ＭｏＳ
2 、ＷＳ2 とも摩擦特性に優れているため、１％程度含
有させると摩擦係数は大幅に低下する。さらに、ＭｏＳ
2 またはＷＳ2 の添加量を増やしても摩擦係数はほとん
ど変化せず、安定した特性を維持する。
含有量と摩擦係数の関係を示したものである。ＭｏＳ
2 、ＷＳ2 とも摩擦特性に優れているため、１％程度含
有させると摩擦係数は大幅に低下する。さらに、ＭｏＳ
2 またはＷＳ2 の添加量を増やしても摩擦係数はほとん
ど変化せず、安定した特性を維持する。
【００３０】図11は、Ａｇ−ＭｏＳ2 皮膜を施した接触
子を組込んだ実機での通電試験において得られた時間−
温度特性の一例を示す。Ａｇ−ＭｏＳ2 皮膜はＡｇめっ
きに比べ高くはなっているが、90Ａｇ−10ＭｏＳ2 まで
は日本電気学会規格ＪＥＣ−2300の規定値 105℃（温度
上昇値65℃）は満足しており問題はない。Ａｇ−ＷＳ2
皮膜の場合には、85Ａｇ−15ＷＳ2 までは同様に規格値
を満足している。
子を組込んだ実機での通電試験において得られた時間−
温度特性の一例を示す。Ａｇ−ＭｏＳ2 皮膜はＡｇめっ
きに比べ高くはなっているが、90Ａｇ−10ＭｏＳ2 まで
は日本電気学会規格ＪＥＣ−2300の規定値 105℃（温度
上昇値65℃）は満足しており問題はない。Ａｇ−ＷＳ2
皮膜の場合には、85Ａｇ−15ＷＳ2 までは同様に規格値
を満足している。
【００３１】以上のように、固定側導体と可動側導体に
接触する接触子表面に、Ａｇ−ＭｏＳ2 被膜またはＡｇ
−ＷＳ2 被膜をコーティングすることにより、摺動部の
摩擦係数が小さく、グリスを塗布しなくてもかじりや剥
離がなく、長期間にわたって電気特性を維持できる断路
接点装置を得ることができる。
接触する接触子表面に、Ａｇ−ＭｏＳ2 被膜またはＡｇ
−ＷＳ2 被膜をコーティングすることにより、摺動部の
摩擦係数が小さく、グリスを塗布しなくてもかじりや剥
離がなく、長期間にわたって電気特性を維持できる断路
接点装置を得ることができる。
【００３２】なお、上述した各実施例において、同様の
被膜を他の接触部にも施したり、接触子２と接触する固
定側導体３や可動側導体４にも施した方が、さらに顕著
な効果を得ることができる。
被膜を他の接触部にも施したり、接触子２と接触する固
定側導体３や可動側導体４にも施した方が、さらに顕著
な効果を得ることができる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、固定側導
体と可動側導体に接触する接触子表面に、Ａｇと他の金
属からなる複合被膜層を形成させたので、グリスを不要
とし、長期間にわたって電気特性を維持することができ
る。
体と可動側導体に接触する接触子表面に、Ａｇと他の金
属からなる複合被膜層を形成させたので、グリスを不要
とし、長期間にわたって電気特性を維持することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の断路接点装置の第１の実施例を示す図
であり、（ａ）はその接触子の斜視図、（ｂ）は（ａ）
の部分拡大図。
であり、（ａ）はその接触子の斜視図、（ｂ）は（ａ）
の部分拡大図。
【図２】本発明の第１の実施例を示す断路接点装置と従
来の断路接点装置の摩擦−摩耗特性を比較した図。
来の断路接点装置の摩擦−摩耗特性を比較した図。
【図３】本発明の第１の実施例を示す断路接点装置と従
来の断路接点装置の温度上昇特性を比較した図。
来の断路接点装置の温度上昇特性を比較した図。
【図４】本発明の第１の実施例を示す断路接点装置と従
来の断路接点装置の組成比と硬さ、摩擦係数、電気伝導
率の関係を示す図であり、（ａ）はＡｇ−Ｍｏ被膜の特
性図、（ｂ）はＡｇ−Ｎｉ被膜の特性図。
来の断路接点装置の組成比と硬さ、摩擦係数、電気伝導
率の関係を示す図であり、（ａ）はＡｇ−Ｍｏ被膜の特
性図、（ｂ）はＡｇ−Ｎｉ被膜の特性図。
【図５】本発明の第２の実施例を示す断路接点装置と従
来の断路接点装置の摩擦−摩耗特性を比較した図。
来の断路接点装置の摩擦−摩耗特性を比較した図。
【図６】本発明の第２の実施例を示す断路接点装置と従
来の断路接点装置の温度上昇特性を比較した図。
来の断路接点装置の温度上昇特性を比較した図。
【図７】本発明の第２の実施例を示す断路接点装置と従
来の断路接点装置の組成比と硬さ、摩擦係数、電気伝導
率の関係を示す図であり、（ａ）はＡｇ−Ｐｄ被膜の特
性図、（ｂ）はＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ被膜の特性図。
来の断路接点装置の組成比と硬さ、摩擦係数、電気伝導
率の関係を示す図であり、（ａ）はＡｇ−Ｐｄ被膜の特
性図、（ｂ）はＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ被膜の特性図。
【図８】本発明の断路接点装置の第３の実施例を示す図
であり、（ａ）はその接触子の斜視図、（ｂ）は（ａ）
の部分拡大図。
であり、（ａ）はその接触子の斜視図、（ｂ）は（ａ）
の部分拡大図。
【図９】本発明の第３の実施例を示す断路接点装置と従
来の断路接点装置の摩擦−摩耗特性を比較した図。
来の断路接点装置の摩擦−摩耗特性を比較した図。
【図１０】本発明の第３の実施例を示す断路接点装置の
無機化合物含有量と摩擦係数の関係を示す図。
無機化合物含有量と摩擦係数の関係を示す図。
【図１１】本発明の第３の実施例を示す断路接点装置と
従来の断路接点装置の温度上昇特性を比較した図であ
り、（ａ）はＡｇ−ＭｏＳ2 被膜の特性図、（ｂ）はＡ
ｇ−ＷＳ2 被膜の特性図。
従来の断路接点装置の温度上昇特性を比較した図であ
り、（ａ）はＡｇ−ＭｏＳ2 被膜の特性図、（ｂ）はＡ
ｇ−ＷＳ2 被膜の特性図。
【図１２】従来の断路接点装置の正面図。
【図１３】従来の断路接点装置の側面図。
２Ａ，２Ｂ…接触子、２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ…接触
部、３…固定側導体、４…可動側導体
部、３…固定側導体、４…可動側導体
Claims (14)
- 【請求項１】 一端が固定側導体を挟持し、他端が可動
側導体を挟持するように両者に接触した接触子を備え、
少なくとも前記接触子表面にＡｇと他の金属から成る複
合被膜層を形成したことを特徴とする断路接点装置。 - 【請求項２】 前記複合被膜層をＡｇとＭｏの合金被膜
としたことを特徴とする請求項１記載の断路接点装置。 - 【請求項３】 前記複合被膜層のＡｇとＭｏの組成比率
を98：２〜80：20としたことを特徴とする請求項２記載
の断路接点装置。 - 【請求項４】 前記複合被膜層をＡｇとＮｉの合金被膜
としたことを特徴とする請求項１記載の断路接点装置。 - 【請求項５】 前記複合被膜層のＡｇとＮｉの組成比率
を95：５〜70：30としたことを特徴とする請求項４記載
の断路接点装置。 - 【請求項６】 前記複合被膜層をＡｇとＰｄの合金被膜
としたことを特徴とする請求項１記載の断路接点装置。 - 【請求項７】 前記複合被膜層のＡｇとＰｄの組成比率
を90：10〜30：70としたことを特徴とする請求項６記載
の断路接点装置。 - 【請求項８】 前記複合被膜層をＡｇ、Ｐｄ及びＣｕの
合金被膜としたことを特徴とする請求項１記載の断路接
点装置。 - 【請求項９】 前記複合被膜層の（Ａｇ＋Ｐｄ）とＣｕ
の組成比率を80：20〜50：50としたことを特徴とする請
求項８記載の断路接点装置。 - 【請求項１０】 一端が固定側導体を挟持し、他端が可
動側導体を挟持するように両者に接触した接触子を備
え、少なくとも前記接触子表面にＡｇと無機化合物から
成る複合被膜層を形成したことを特徴とする断路接点装
置。 - 【請求項１１】 前記複合被膜層は、ＡｇとＭｏＳ2 か
ら成る共析皮膜としたことを特徴とする請求項１０記載
の断路接点装置。 - 【請求項１２】 前記複合被膜層のＡｇとＭｏＳ2 の組
成比率を99：１〜90：10としたことを特徴とする請求項
１１記載の断路接点装置。 - 【請求項１３】 前記複合被膜層をＡｇとＷＳ2 から成
る共析皮膜としたことを特徴とする請求項１０記載の断
路接点装置。 - 【請求項１４】 前記複合被膜層のＡｇとＷＳ2 の組成
比率を99：１〜85：15としたことを特徴とする請求項１
３記載の断路接点装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7182343A JPH08287758A (ja) | 1994-08-31 | 1995-07-19 | 断路接点装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20625894 | 1994-08-31 | ||
| JP2366995 | 1995-02-13 | ||
| JP6-206258 | 1995-02-13 | ||
| JP7-23669 | 1995-02-13 | ||
| JP7182343A JPH08287758A (ja) | 1994-08-31 | 1995-07-19 | 断路接点装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08287758A true JPH08287758A (ja) | 1996-11-01 |
Family
ID=27284356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7182343A Pending JPH08287758A (ja) | 1994-08-31 | 1995-07-19 | 断路接点装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08287758A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008251976A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Daihen Corp | インピーダンス整合装置 |
| JP2013531729A (ja) * | 2010-03-12 | 2013-08-08 | エクスタリック コーポレイション | 被覆物および方法 |
| WO2014077410A1 (ja) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | 田中貴金属工業株式会社 | Ａｇ含有層の製造方法、その装置、Ａｇ含有層、及びそれを用いた摺動接点材 |
| JP2015502007A (ja) * | 2011-11-21 | 2015-01-19 | エッセ・セ２エヌ | 摩擦接触を有する電気スイッチ |
| US8936857B2 (en) | 2010-03-12 | 2015-01-20 | Xtalic Corporation | Coated articles and methods |
| CN109022841A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-18 | 昆明理工大学 | 一种Mo纳米颗粒增强银基电触头材料的制备方法 |
-
1995
- 1995-07-19 JP JP7182343A patent/JPH08287758A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008251976A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Daihen Corp | インピーダンス整合装置 |
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| WO2014077410A1 (ja) * | 2012-11-19 | 2014-05-22 | 田中貴金属工業株式会社 | Ａｇ含有層の製造方法、その装置、Ａｇ含有層、及びそれを用いた摺動接点材 |
| JP5914693B2 (ja) * | 2012-11-19 | 2016-05-11 | 田中貴金属工業株式会社 | Ａｇ含有層およびＡｇ含有層を有する摺動接点材 |
| JPWO2014077410A1 (ja) * | 2012-11-19 | 2017-01-05 | 田中貴金属工業株式会社 | Ａｇ含有層およびＡｇ含有層を有する摺動接点材 |
| CN109022841A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-18 | 昆明理工大学 | 一种Mo纳米颗粒增强银基电触头材料的制备方法 |
| CN109022841B (zh) * | 2018-07-26 | 2020-10-27 | 昆明理工大学 | 一种Mo纳米颗粒增强银基电触头材料的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040507 |