JPH08281063A - 有害ガスの浄化方法 - Google Patents
有害ガスの浄化方法Info
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Landscapes
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- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造工程などで使用され、排出される
ガス中などに含まれる一酸化炭素または金属カルボニル
を安全、かつ、効率よく除去する。 【構成】 一酸化炭素および／または金属カルボニルを
含有するガスを、酸化銅（ＩＩ）および酸化マンガン
（ＩＶ）を主成分とする金属酸化物にパラジウム塩を添
着させた浄化剤と接触させる。
ガス中などに含まれる一酸化炭素または金属カルボニル
を安全、かつ、効率よく除去する。 【構成】 一酸化炭素および／または金属カルボニルを
含有するガスを、酸化銅（ＩＩ）および酸化マンガン
（ＩＶ）を主成分とする金属酸化物にパラジウム塩を添
着させた浄化剤と接触させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有害ガスの除去方法に関
し、さらに詳細には、半導体製造工程で使用されるとと
もに、使用後に排出される一酸化炭素または金属カルボ
ニルを含む有害ガスの浄化方法に関する。近年、半導体
工業の発展とともに、半導体製造に各種のガスが使用さ
れており、一酸化炭素およびコバルトカルボニル、タン
グステンカルボニルなどの金属カルボニルなども使用さ
れるようになってきた。一酸化炭素および金属カルボニ
ルは可燃性であるとともに毒性が高く、人体に有害であ
る。一酸化炭素および金属カルボニルは、半導体製造工
程で窒素、アルゴンなどの不活性ガス、あるいは水素に
希釈された状態で使用されたのち排出されるが、排出に
先立ちこれらの有害成分を除去した上で大気に放出する
必要がある。
し、さらに詳細には、半導体製造工程で使用されるとと
もに、使用後に排出される一酸化炭素または金属カルボ
ニルを含む有害ガスの浄化方法に関する。近年、半導体
工業の発展とともに、半導体製造に各種のガスが使用さ
れており、一酸化炭素およびコバルトカルボニル、タン
グステンカルボニルなどの金属カルボニルなども使用さ
れるようになってきた。一酸化炭素および金属カルボニ
ルは可燃性であるとともに毒性が高く、人体に有害であ
る。一酸化炭素および金属カルボニルは、半導体製造工
程で窒素、アルゴンなどの不活性ガス、あるいは水素に
希釈された状態で使用されたのち排出されるが、排出に
先立ちこれらの有害成分を除去した上で大気に放出する
必要がある。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ガス中に含まれる一酸化炭素
および金属カルボニルを除去する方法としては、白金
やパラジウムをアルミナなどの担体に担持させた貴金属
系触媒を用いる方法（特開昭６２−１４９４４）、酸
化銅、酸化マンガンなどの酸化物系触媒による浄化方法
（特開昭６２−１３６２３９）、活性炭や無機化合物
系の多孔質吸着剤を使用する方法などが知られている。
および金属カルボニルを除去する方法としては、白金
やパラジウムをアルミナなどの担体に担持させた貴金属
系触媒を用いる方法（特開昭６２−１４９４４）、酸
化銅、酸化マンガンなどの酸化物系触媒による浄化方法
（特開昭６２−１３６２３９）、活性炭や無機化合物
系の多孔質吸着剤を使用する方法などが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、貴金
属系触媒を用いる方法は、常温では十分な処理能力が得
られないことから実質的に約３００℃程度の温度を必要
とし、酸化物系触媒は簡便な方法であるが、常温での
浄化処理能力が低い。また活性炭を用いる方法では、
酸化物系触媒よりさらに処理能力が低くなる。したがっ
て、有害ガスの処理速度が大であるとともに、処理容量
が大きく、例えばボンベや配管の異常などで漏洩した場
合のように濃度は比較的低いが大量のガスを処理しなけ
ればならない緊急処理時ばかりでなく、半導体製造プロ
セスから排出される場合のように、比較的濃度の高い有
害ガスの場合においても、確実に除去することのできる
浄化方法が強く望まれていた。
属系触媒を用いる方法は、常温では十分な処理能力が得
られないことから実質的に約３００℃程度の温度を必要
とし、酸化物系触媒は簡便な方法であるが、常温での
浄化処理能力が低い。また活性炭を用いる方法では、
酸化物系触媒よりさらに処理能力が低くなる。したがっ
て、有害ガスの処理速度が大であるとともに、処理容量
が大きく、例えばボンベや配管の異常などで漏洩した場
合のように濃度は比較的低いが大量のガスを処理しなけ
ればならない緊急処理時ばかりでなく、半導体製造プロ
セスから排出される場合のように、比較的濃度の高い有
害ガスの場合においても、確実に除去することのできる
浄化方法が強く望まれていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らはこれらの問
題点を解決するべく鋭意検討を重ねた結果、酸化銅（Ｉ
Ｉ）、酸化マンガン（ＩＶ）を主成分とする金属酸化物
にパラジウム塩を添着させてなる浄化剤を用いることに
よって、一酸化炭素または金属カルボニルを効率よく、
しかも、確実に除去しうることを見い出し、本発明を完
成した。すなわち本発明は、有害成分として一酸化炭素
および／または金属カルボニルを含有するガスを、酸化
銅（ＩＩ）および酸化マンガン（ＩＶ）を主成分とする
金属酸化物にパラジウム塩を添着せしめてなる浄化剤と
接触させ、該ガスから有害成分を除去することを特徴と
する有害ガスの浄化方法である。
題点を解決するべく鋭意検討を重ねた結果、酸化銅（Ｉ
Ｉ）、酸化マンガン（ＩＶ）を主成分とする金属酸化物
にパラジウム塩を添着させてなる浄化剤を用いることに
よって、一酸化炭素または金属カルボニルを効率よく、
しかも、確実に除去しうることを見い出し、本発明を完
成した。すなわち本発明は、有害成分として一酸化炭素
および／または金属カルボニルを含有するガスを、酸化
銅（ＩＩ）および酸化マンガン（ＩＶ）を主成分とする
金属酸化物にパラジウム塩を添着せしめてなる浄化剤と
接触させ、該ガスから有害成分を除去することを特徴と
する有害ガスの浄化方法である。
【０００５】本発明の浄化方法は一酸化炭素および／ま
たは金属カルボニルが窒素、アルゴンなどの不活性ガス
や空気、および水素などに含有される有害ガスの浄化に
適用される。また、その金属カルボニルとしては、ニッ
ケルカルボニル、コバルトカルボニル、タングステンカ
ルボニル、クロムカルボニル、バナジウムカルボニル、
モリブデンカルボニル、鉄カルボニルから選ばれる１種
または２種以上を含む有害ガスの浄化に適用される。本
発明の浄化方法により、有害ガスを低い温度においても
高い効率で除去することが可能になったことから、多量
の有害ガスを迅速に、しかも常温で除去することができ
るようになった。すなわち、本発明の浄化方法により、
例えば、半導体製造プロセスなどから排出されるガスの
浄化や、ボンベから急激に漏洩することなどによって汚
染された空気の迅速な浄化などに優れた効果が得られ
る。
たは金属カルボニルが窒素、アルゴンなどの不活性ガス
や空気、および水素などに含有される有害ガスの浄化に
適用される。また、その金属カルボニルとしては、ニッ
ケルカルボニル、コバルトカルボニル、タングステンカ
ルボニル、クロムカルボニル、バナジウムカルボニル、
モリブデンカルボニル、鉄カルボニルから選ばれる１種
または２種以上を含む有害ガスの浄化に適用される。本
発明の浄化方法により、有害ガスを低い温度においても
高い効率で除去することが可能になったことから、多量
の有害ガスを迅速に、しかも常温で除去することができ
るようになった。すなわち、本発明の浄化方法により、
例えば、半導体製造プロセスなどから排出されるガスの
浄化や、ボンベから急激に漏洩することなどによって汚
染された空気の迅速な浄化などに優れた効果が得られ
る。
【０００６】本発明においては、酸化銅（ＩＩ）、酸化
マンガン（ＩＶ）を主成分とする金属酸化物にパラジウ
ム塩が添着された浄化剤が用いられる。金属酸化物とし
ては主成分となる酸化銅（ＩＩ）、酸化マンガン（Ｉ
Ｖ）に加え、酸化コバルト（ＩＩＩ）、酸化銀（Ｉ）、
酸化銀（ＩＩ）、酸化アルミニウム（ＩＩＩ），酸化硅
素（ＩＶ）などが混合されたものであってもよい。金属
酸化物中の酸化銅（ＩＩ）および酸化マンガン（ＩＶ）
の含有量は、重量比で、通常は、両者を合わせて６０重
量％以上、好ましくは７０重量％以上である。また、酸
化銅（ＩＩ）に対する酸化マンガン（ＩＶ）の割合は、
通常は、１：０．８〜５．０、好ましくは１：１．２〜
３．０程度である。
マンガン（ＩＶ）を主成分とする金属酸化物にパラジウ
ム塩が添着された浄化剤が用いられる。金属酸化物とし
ては主成分となる酸化銅（ＩＩ）、酸化マンガン（Ｉ
Ｖ）に加え、酸化コバルト（ＩＩＩ）、酸化銀（Ｉ）、
酸化銀（ＩＩ）、酸化アルミニウム（ＩＩＩ），酸化硅
素（ＩＶ）などが混合されたものであってもよい。金属
酸化物中の酸化銅（ＩＩ）および酸化マンガン（ＩＶ）
の含有量は、重量比で、通常は、両者を合わせて６０重
量％以上、好ましくは７０重量％以上である。また、酸
化銅（ＩＩ）に対する酸化マンガン（ＩＶ）の割合は、
通常は、１：０．８〜５．０、好ましくは１：１．２〜
３．０程度である。
【０００７】これらの金属酸化物系の組成物は、酸化物
の各成分を混合する方法、あるいは塩類の段階で混合し
たのち酸化物とする方法、そのほか公知の方法で調製す
ることができるが、ホプカライトとして市販もされてい
ることから、それらを使用すると便利である。 ホプカ
ライトは、酸化銅（ＩＩ）４０重量％、酸化マンガン
（ＩＶ）６０重量％の二元素系のものを中心として市販
されている。また、酸化銅（ＩＩ）、酸化マンガン（Ｉ
Ｖ）に、カリウム、マグネシウム、アルミニウム、硅素
などの酸化物が３０重量％以下の割合で混合したものも
あり、これらをそのまま、あるいは、これらに前記した
その他の金属酸化物を混合して用いてもよい。
の各成分を混合する方法、あるいは塩類の段階で混合し
たのち酸化物とする方法、そのほか公知の方法で調製す
ることができるが、ホプカライトとして市販もされてい
ることから、それらを使用すると便利である。 ホプカ
ライトは、酸化銅（ＩＩ）４０重量％、酸化マンガン
（ＩＶ）６０重量％の二元素系のものを中心として市販
されている。また、酸化銅（ＩＩ）、酸化マンガン（Ｉ
Ｖ）に、カリウム、マグネシウム、アルミニウム、硅素
などの酸化物が３０重量％以下の割合で混合したものも
あり、これらをそのまま、あるいは、これらに前記した
その他の金属酸化物を混合して用いてもよい。
【０００８】これらの金属酸化物は、通常は成型して用
いられ、破砕品、押し出し成型品、打錠成型品などの種
々の形状のものを使用することができる。その大きさと
して特に限定はないが、通常は、破砕品であれば４〜２
０メッシュ程度、押し出し成型品であれば直径１．５〜
４ｍｍ、長さ３〜２０ｍｍ程度、打錠成型品であれば通
常は円柱状であり、直径３〜６ｍｍ、高さ３〜６ｍｍ程
度の大きさのものが好ましい。
いられ、破砕品、押し出し成型品、打錠成型品などの種
々の形状のものを使用することができる。その大きさと
して特に限定はないが、通常は、破砕品であれば４〜２
０メッシュ程度、押し出し成型品であれば直径１．５〜
４ｍｍ、長さ３〜２０ｍｍ程度、打錠成型品であれば通
常は円柱状であり、直径３〜６ｍｍ、高さ３〜６ｍｍ程
度の大きさのものが好ましい。
【０００９】本発明において、金属酸化物に添着される
パラジウム塩としては塩化物、硫酸塩、硝酸塩または酢
酸塩などであり、例えば、塩化パラジウム、硫酸パラジ
ウム、硝酸パラジウムまたは酢酸パラジウムが挙げられ
る。これらのうちでも塩化パラジウムおよび硫酸パラジ
ウムが好ましい。金属酸化物に添着されるパラジウム塩
の量は一酸化炭素または金属カルボニルの種類、濃度な
どによって異なり一概に特定はできないが、通常は、金
属酸化物１００重量部に対し、金属パラジウム換算で
０. １〜２０重量部、好ましくは０. ５〜５重量部程度
とされる。添着量が０. １重量部よりも少ないと一酸化
炭素または金属カルボニルの除去効率が低くなる。一
方、２０重量部を越えると金属酸化物に充分に保持され
ず、かつ、高価にもなる。
パラジウム塩としては塩化物、硫酸塩、硝酸塩または酢
酸塩などであり、例えば、塩化パラジウム、硫酸パラジ
ウム、硝酸パラジウムまたは酢酸パラジウムが挙げられ
る。これらのうちでも塩化パラジウムおよび硫酸パラジ
ウムが好ましい。金属酸化物に添着されるパラジウム塩
の量は一酸化炭素または金属カルボニルの種類、濃度な
どによって異なり一概に特定はできないが、通常は、金
属酸化物１００重量部に対し、金属パラジウム換算で
０. １〜２０重量部、好ましくは０. ５〜５重量部程度
とされる。添着量が０. １重量部よりも少ないと一酸化
炭素または金属カルボニルの除去効率が低くなる。一
方、２０重量部を越えると金属酸化物に充分に保持され
ず、かつ、高価にもなる。
【００１０】金属酸化物にパラジウム塩を添着させる方
法としては、成型された金属酸化物をかき混ぜながらこ
れにパラジウム塩の溶液をふりかけ乾燥する方法、ある
いは成型された金属酸化物をパラジウム塩の水溶液に浸
漬したのち乾燥させる方法などがあり、特に限定され
ず、パラジウム塩水溶液の濃度、添着量や浄化剤調製量
などに応じて適宜選択される。本発明に適用される有害
ガスの濃度は、通常は１％以下、好ましくは０．１％以
下である。また、浄化剤とガスとの接触温度は０〜１０
０℃程度であり、通常は室温（１０〜４０℃）で操作さ
れ、特に加熱や冷却を必要としない。接触開始後は反応
熱によって、有害成分の濃度が高い場合などには、発熱
により１０〜４０℃程度の温度上昇が見られることもあ
るが、異常な発熱を生じたりすることはない。
法としては、成型された金属酸化物をかき混ぜながらこ
れにパラジウム塩の溶液をふりかけ乾燥する方法、ある
いは成型された金属酸化物をパラジウム塩の水溶液に浸
漬したのち乾燥させる方法などがあり、特に限定され
ず、パラジウム塩水溶液の濃度、添着量や浄化剤調製量
などに応じて適宜選択される。本発明に適用される有害
ガスの濃度は、通常は１％以下、好ましくは０．１％以
下である。また、浄化剤とガスとの接触温度は０〜１０
０℃程度であり、通常は室温（１０〜４０℃）で操作さ
れ、特に加熱や冷却を必要としない。接触開始後は反応
熱によって、有害成分の濃度が高い場合などには、発熱
により１０〜４０℃程度の温度上昇が見られることもあ
るが、異常な発熱を生じたりすることはない。
【００１１】浄化時の圧力は、通常は常圧であるが、減
圧乃至１ｋｇ／ｃｍ2 Ｇのような加圧下で操作すること
も可能である。本発明において、浄化剤が湿潤した場合
には浄化能力が低下することから、処理対象ガスは乾燥
していることが好ましい。本発明の浄化方法が適用され
る処理対象ガス中に含有される一酸化炭素または金属カ
ルボニルの濃度および流速には特に制限はないが、一般
に濃度が高いほど流速を小さくすることが望ましい。除
去可能な有害ガスの濃度は通常は１％以下であるが、流
量が小さい場合にはさらに高濃度のガスを処理すること
も可能である。
圧乃至１ｋｇ／ｃｍ2 Ｇのような加圧下で操作すること
も可能である。本発明において、浄化剤が湿潤した場合
には浄化能力が低下することから、処理対象ガスは乾燥
していることが好ましい。本発明の浄化方法が適用され
る処理対象ガス中に含有される一酸化炭素または金属カ
ルボニルの濃度および流速には特に制限はないが、一般
に濃度が高いほど流速を小さくすることが望ましい。除
去可能な有害ガスの濃度は通常は１％以下であるが、流
量が小さい場合にはさらに高濃度のガスを処理すること
も可能である。
【００１２】浄化筒は有害ガス濃度、処理対象ガスの量
などに応じて設計されるが、有害ガス濃度が０．１％以
下のような比較的低濃度では空筒線速度（ＬＶ）は０．
５〜５０ｃｍ／ｓｅｃ、有害ガス濃度が０．１〜１％程
度ではＬＶは０．０５〜２０ｃｍ／ｓｅｃ、濃度が１％
以上のような高濃度では１０ｃｍ／ｓｅｃ以下の範囲で
設計することが好ましい。従って、半導体製造工程プロ
セスから定常的に排出される濃度の高い有害ガスの様な
場合にはＬＶは１０ｃｍ／ｓｅｃ以下、有害ガスがガス
ボンベから急激に漏洩し、多量の空気などで希釈される
ような場合にはＬＶは０．５〜５０ｃｍ／ｓｅｃが一般
的な基準となる。
などに応じて設計されるが、有害ガス濃度が０．１％以
下のような比較的低濃度では空筒線速度（ＬＶ）は０．
５〜５０ｃｍ／ｓｅｃ、有害ガス濃度が０．１〜１％程
度ではＬＶは０．０５〜２０ｃｍ／ｓｅｃ、濃度が１％
以上のような高濃度では１０ｃｍ／ｓｅｃ以下の範囲で
設計することが好ましい。従って、半導体製造工程プロ
セスから定常的に排出される濃度の高い有害ガスの様な
場合にはＬＶは１０ｃｍ／ｓｅｃ以下、有害ガスがガス
ボンベから急激に漏洩し、多量の空気などで希釈される
ような場合にはＬＶは０．５〜５０ｃｍ／ｓｅｃが一般
的な基準となる。
【００１３】浄化剤は、通常は有害ガスの浄化筒に充填
され、固定床として用いられるが移動床、流動床として
用いることも可能である。通常は浄化剤は浄化筒内に充
填され、一酸化炭素または金属カルボニルを含有するガ
スは浄化筒内に流され、浄化剤と接触させることによ
り、有害成分である一酸化炭素または金属カルボニルが
除去される。本発明において浄化剤が浄化筒に充填され
たときの充填密度は０. ５〜１. ０ｇ／ｍｌ程度であ
る。
され、固定床として用いられるが移動床、流動床として
用いることも可能である。通常は浄化剤は浄化筒内に充
填され、一酸化炭素または金属カルボニルを含有するガ
スは浄化筒内に流され、浄化剤と接触させることによ
り、有害成分である一酸化炭素または金属カルボニルが
除去される。本発明において浄化剤が浄化筒に充填され
たときの充填密度は０. ５〜１. ０ｇ／ｍｌ程度であ
る。
【００１４】
実施例１〜３ パラジウムとして５ｇを含む塩化パラジウムの水溶液１
００ｍｌを調製した。直径１．５ｍｍ、長さ３〜２０ｍ
ｍに成形されたホプカライト（日産ガードラー（株）
製、ＣｕＯ ４０ｗｔ％、ＭｎＯ2 ６０ｗｔ％）１００
重量部に対して、前記塩化パラジウム溶液を金属パラジ
ウムとしてそれぞれ０．５、０．９、１．２重量部とな
るように採取し、これにイオン交換水を加えて全体を６
０ｇの希釈溶液にしたのち散布し、かき混ぜ添着させた
のち、２００℃で乾燥して、遊離水分が１ｗｔ％以下に
された３種類の浄化剤を調製した。
００ｍｌを調製した。直径１．５ｍｍ、長さ３〜２０ｍ
ｍに成形されたホプカライト（日産ガードラー（株）
製、ＣｕＯ ４０ｗｔ％、ＭｎＯ2 ６０ｗｔ％）１００
重量部に対して、前記塩化パラジウム溶液を金属パラジ
ウムとしてそれぞれ０．５、０．９、１．２重量部とな
るように採取し、これにイオン交換水を加えて全体を６
０ｇの希釈溶液にしたのち散布し、かき混ぜ添着させた
のち、２００℃で乾燥して、遊離水分が１ｗｔ％以下に
された３種類の浄化剤を調製した。
【００１５】この３種類の浄化剤についてそれぞれ、８
５ｍｌを内径１９ｍｍ、長さ３００ｍｍのガラス製の浄
化筒に充填し、一酸化炭素を１％含有する乾燥窒素ガス
を２０℃、常圧下で８５０ｍｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５. ０
ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で流通させた。浄化筒の出口に
は、一酸化炭素用検知器（バイオニクス機器（株）製、
ＴＧ−１２００ＴＡ、検知範囲０〜１５０ｐｐｍ、検知
下限１５ｐｐｍ）および検知管（ガステック（株）製、
検知範囲５〜５０ｐｐｍ、検知下限１ｐｐｍ）を取り付
けて破過時間を測定した。浄化筒出口ガス中の一酸化炭
素濃度が５０ｐｐｍを越えた時を、破過時間とした。結
果を表１に示した。
５ｍｌを内径１９ｍｍ、長さ３００ｍｍのガラス製の浄
化筒に充填し、一酸化炭素を１％含有する乾燥窒素ガス
を２０℃、常圧下で８５０ｍｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５. ０
ｃｍ／ｓｅｃ）の流量で流通させた。浄化筒の出口に
は、一酸化炭素用検知器（バイオニクス機器（株）製、
ＴＧ−１２００ＴＡ、検知範囲０〜１５０ｐｐｍ、検知
下限１５ｐｐｍ）および検知管（ガステック（株）製、
検知範囲５〜５０ｐｐｍ、検知下限１ｐｐｍ）を取り付
けて破過時間を測定した。浄化筒出口ガス中の一酸化炭
素濃度が５０ｐｐｍを越えた時を、破過時間とした。結
果を表１に示した。
【００１６】
比較例１〜２ 実施例１〜３で用いたと同じホプカライトを２００℃で
乾燥して、遊離水分を１ｗｔ％以下に調整した。このポ
プカライト８５ｍｌを内径１９ｍｍ、長さ３００ｍｍの
ガラス製の浄化筒に充填し、一酸化炭素をそれぞれ１
％、および０．１％含有する乾燥窒素ガスを２０℃、常
圧下で８５０ｍｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５. ０ｃｍ／ｓｅ
ｃ）の流量で流通させ、実施例１〜３と同様にして破過
時間を測定した。結果を表２に示す。
乾燥して、遊離水分を１ｗｔ％以下に調整した。このポ
プカライト８５ｍｌを内径１９ｍｍ、長さ３００ｍｍの
ガラス製の浄化筒に充填し、一酸化炭素をそれぞれ１
％、および０．１％含有する乾燥窒素ガスを２０℃、常
圧下で８５０ｍｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５. ０ｃｍ／ｓｅ
ｃ）の流量で流通させ、実施例１〜３と同様にして破過
時間を測定した。結果を表２に示す。
【００１７】
【表１】 表１ 実施例 Ｐｄ 有害ガス 空筒線速度 破過時間 添着量 の濃度 ＬＶ （ｗｔ％） （％） （ｃｍ／ｓｅｃ） （ｍｉｎ） １ ０. ５ １ ５．０ ２４５ ２ ０. ９ 〃 〃 ２９２ ３ １. ２ 〃 〃 ３２０
【００１８】
【表２】 表２ 比較例 Ｐｄ 有害ガス 空筒線速度 破過時間 添着量 の濃度 ＬＶ （ｗｔ％） （％） （ｃｍ／ｓｅｃ） （ｍｉｎ） １ ０ １ ５．０ １４３ ２ ０ ０．１ ５．０ １５４６
【００１９】実施例４〜８ 実施例２と同じ浄化剤を用い、一酸化炭素濃度およびガ
スの流通速度（ＬＶ）変えたほかは、実施例１と同様に
して浄化試験をおこなった。その結果を表３に示す。
スの流通速度（ＬＶ）変えたほかは、実施例１と同様に
して浄化試験をおこなった。その結果を表３に示す。
【００２０】
【表３】 表３ 実施例 Ｐｄ 有害ガス 空筒線速度 破過時間 添着量 の濃度 ＬＶ （ｗｔ％） （％） （ｃｍ／ｓｅｃ） （ｍｉｎ） ４ ０. ９ １ ２．５ ７４０ ５ 〃 〃 １．０ ２１５０ ６ 〃 ０. １ ７．５ ４５２ ７ 〃 〃 ５．０ ２５９１ ８ 〃 〃 ２．５ ６３００
【００２１】実施例９、１０ 実施例２と同じ浄化剤を用い、一酸化炭素の代りに金属
カルボニルとしてそれぞれニッケルカルボニル、および
鉄カルボニルを含有する窒素ガスについて、実施例１〜
３と同様にして浄化試験をおこない、浄化筒出口のニッ
ケルカルボニルおよび鉄カルボニルの濃度を検知管（日
本ドレ−ゲル（株）検知範囲０. １〜１ｐｐｍ）を用い
て測定し、０. １ｐｐｍに達する迄の時間を破過時間と
した。結果を表４に示す。
カルボニルとしてそれぞれニッケルカルボニル、および
鉄カルボニルを含有する窒素ガスについて、実施例１〜
３と同様にして浄化試験をおこない、浄化筒出口のニッ
ケルカルボニルおよび鉄カルボニルの濃度を検知管（日
本ドレ−ゲル（株）検知範囲０. １〜１ｐｐｍ）を用い
て測定し、０. １ｐｐｍに達する迄の時間を破過時間と
した。結果を表４に示す。
【００２２】
【表４】 表４ 実施例 有害ガスの Ｐｄ 有害ガス 空筒線速度 破過時間 種類 添着量 の濃度 ＬＶ （ｗｔ％） （％） （ｃｍ／ｓｅｃ） （ｍｉｎ） ニッケル ９ カルボニル ０．９ ０．９９ １．０ １５２ １０ 鉄カルボニル 〃 ２．４０ 〃 ２７
【００２３】
【発明の効果】本発明の浄化方法により、ガス中に含有
される一酸化炭素または金属カルボニルなどの有害ガス
を高濃度、低濃度に係わらず効率よく除去することがで
きる。しかも、安全で、一酸化炭素または金属カルボニ
ルを迅速に除去することができるので、例えば、半導体
製造プロセスの排ガスの浄化やボンベから漏洩したガス
の緊急除害装置に使用することによって優れた効果が得
られる。
される一酸化炭素または金属カルボニルなどの有害ガス
を高濃度、低濃度に係わらず効率よく除去することがで
きる。しかも、安全で、一酸化炭素または金属カルボニ
ルを迅速に除去することができるので、例えば、半導体
製造プロセスの排ガスの浄化やボンベから漏洩したガス
の緊急除害装置に使用することによって優れた効果が得
られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｊ 23/89 Ｂ０１Ｄ 53/36 ＺＡＢＺ
Claims (7)
- 【請求項１】 有害成分として一酸化炭素および／また
は金属カルボニルを含有するガスを、酸化銅（ＩＩ）お
よび酸化マンガン（ＩＶ）を主成分とする金属酸化物に
パラジウム塩を添着せしめてなる浄化剤と接触させ、該
ガスから有害成分を除去することを特徴とする有害ガス
の浄化方法。 - 【請求項２】 パラジウム塩がパラジウムの塩化物、硫
酸塩、硝酸塩または酢酸塩である請求項１に記載の浄化
方法。 - 【請求項３】 パラジウム塩の添着量が、金属酸化物１
００重量部に対し、パラジウム金属換算で０. １〜２０
重量部である請求項１に記載の浄化方法。 - 【請求項４】 金属カルボニルがニッケルカルボニル、
コバルトカルボニル、タングステンカルボニル、クロム
カルボニル、バナジウムカルボニル、モリブデンカルボ
ニル、鉄カルボニルから選ばれる１種または２種以上で
ある請求項１に記載の浄化方法。 - 【請求項５】 金属酸化物中の酸化銅（ＩＩ）および酸
化マンガン（ＩＶ）の含有量が６０ｗｔ％以上で、か
つ、酸化銅（ＩＩ）に対する酸化マンガン（ＩＶ）の割
合が重量比で１：０．８〜５．０である請求項１に記載
の浄化方法。 - 【請求項６】 浄化剤中の遊離水分が１重量％以下とす
るものである請求項１に記載の有害ガスの浄化方法。 - 【請求項７】 浄化剤とガスの接触温度が１００℃以下
である請求項１に記載の有害ガスの浄化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7113838A JPH08281063A (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 有害ガスの浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7113838A JPH08281063A (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 有害ガスの浄化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08281063A true JPH08281063A (ja) | 1996-10-29 |
Family
ID=14622323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7113838A Pending JPH08281063A (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 有害ガスの浄化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08281063A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999022848A1 (en) * | 1997-11-05 | 1999-05-14 | Millipore Corporation | Process and apparatus for removing metal carbonyls and moisture from a gas |
| JP2006305194A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Midori Anzen Co Ltd | 触媒保持装置及びガス除去装置 |
| JP2009207969A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 一酸化炭素の除害剤 |
| CN110272021A (zh) * | 2018-03-13 | 2019-09-24 | 国家能源投资集团有限责任公司 | 甲醇催化剂保护剂及其制备方法 |
-
1995
- 1995-04-14 JP JP7113838A patent/JPH08281063A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999022848A1 (en) * | 1997-11-05 | 1999-05-14 | Millipore Corporation | Process and apparatus for removing metal carbonyls and moisture from a gas |
| JP2001521813A (ja) * | 1997-11-05 | 2001-11-13 | ミリポア・コーポレイション | ガスから金属カルボニル及び水分を除去するための方法及び装置 |
| KR100376899B1 (ko) * | 1997-11-05 | 2003-03-19 | 마이크롤리스 코포레이션 | 가스로부터 금속 카르보닐 및 수분의 제거 방법 및 장치 |
| JP2006305194A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Midori Anzen Co Ltd | 触媒保持装置及びガス除去装置 |
| JP4636930B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2011-02-23 | ミドリ安全株式会社 | 触媒保持装置及びガス除去装置 |
| JP2009207969A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 一酸化炭素の除害剤 |
| CN110272021A (zh) * | 2018-03-13 | 2019-09-24 | 国家能源投资集团有限责任公司 | 甲醇催化剂保护剂及其制备方法 |
| CN110272021B (zh) * | 2018-03-13 | 2021-04-13 | 国家能源投资集团有限责任公司 | 甲醇催化剂保护剂及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040220 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040616 |