JPH0827977B2 - 書込み／消去型光デイスク - Google Patents
書込み／消去型光デイスクInfo
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- JPH0827977B2 JPH0827977B2 JP61257264A JP25726486A JPH0827977B2 JP H0827977 B2 JPH0827977 B2 JP H0827977B2 JP 61257264 A JP61257264 A JP 61257264A JP 25726486 A JP25726486 A JP 25726486A JP H0827977 B2 JPH0827977 B2 JP H0827977B2
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザ光を用いて書込み（記録・再生）お
よび記録消去を行う書込み／消去型光ディスクに関し、
録音や録画に利用される。
よび記録消去を行う書込み／消去型光ディスクに関し、
録音や録画に利用される。
従来の技術 レーザ光を用いて記録再生を行う光ディスクはレーザ
光を透明基板を透しその裏面記録溝に形成されている記
録膜に当てて、記録膜にレーザ光のエネルギーによる相
変化を引き起こさせ、その相変化による反射率の違いと
して音や画像の信号を記録し、またそれを音や画像の信
号として再生するものである。又、レーザエネルギの与
え方を変えることにより元の反射率にもどすこともでき
る。記録膜は蒸着又はスパッタリングにより形成され
る。記録消去はレーザ光を記録膜に当てて相変化させ反
射率を元にもどすこと例えば非晶質にすることで行われ
る。日経エレクトロニクス1985、3.25に示されているよ
うに、さらに記録方式が異なるカー効果を利用した光磁
気光ディスクなどがある。
光を透明基板を透しその裏面記録溝に形成されている記
録膜に当てて、記録膜にレーザ光のエネルギーによる相
変化を引き起こさせ、その相変化による反射率の違いと
して音や画像の信号を記録し、またそれを音や画像の信
号として再生するものである。又、レーザエネルギの与
え方を変えることにより元の反射率にもどすこともでき
る。記録膜は蒸着又はスパッタリングにより形成され
る。記録消去はレーザ光を記録膜に当てて相変化させ反
射率を元にもどすこと例えば非晶質にすることで行われ
る。日経エレクトロニクス1985、3.25に示されているよ
うに、さらに記録方式が異なるカー効果を利用した光磁
気光ディスクなどがある。
従来前記透明基板としては、主にガラス基板が用いら
れ、樹脂基板としては、熱可塑タイプのポリメチルメタ
アクリレート（以下PMMAと略す）基板や、ポリカーボネ
イト（以下PCと略す）基板などが用いられている。
れ、樹脂基板としては、熱可塑タイプのポリメチルメタ
アクリレート（以下PMMAと略す）基板や、ポリカーボネ
イト（以下PCと略す）基板などが用いられている。
発明が解決しようとする問題点 前記従来の樹脂基板であるPMMA基板やPC基板は射出成
形機で生産でき、生産性は良いものの、耐熱性に優れて
おらず、書込み／消去型光ディスク用としては不都合で
あった。即ち、PC基板に形成される記録膜に対し、レー
ザ光により記録・再生，消去をくり返して行うと、数回
から数十回でPC基板の熱変形のために記録膜に穴があい
てしまう。これはPMMA基板の場合も同じで、書込み／消
去型光ディスクとしては品質を保証できず、もっぱら一
回書込み型光ディスクとしてしか利用されていない。
形機で生産でき、生産性は良いものの、耐熱性に優れて
おらず、書込み／消去型光ディスク用としては不都合で
あった。即ち、PC基板に形成される記録膜に対し、レー
ザ光により記録・再生，消去をくり返して行うと、数回
から数十回でPC基板の熱変形のために記録膜に穴があい
てしまう。これはPMMA基板の場合も同じで、書込み／消
去型光ディスクとしては品質を保証できず、もっぱら一
回書込み型光ディスクとしてしか利用されていない。
本発明者らが、記録膜周辺の耐熱性の目標を得るため
コンピュータにより解析を行った結果、記録周辺は200
℃以上の温度になることが解った。又、松下電器産業
（株）樫原らは、光メモリシンポジウム′85論文集に発
表している。
コンピュータにより解析を行った結果、記録周辺は200
℃以上の温度になることが解った。又、松下電器産業
（株）樫原らは、光メモリシンポジウム′85論文集に発
表している。
これに対応するための記録膜の下に適当な無機断熱膜
を形成する方法も考えられるが、PC基板等に無機膜を形
成する設備，工法，材料など、最適化するための課題
と、設備費用が高くなるため、光ディスクコストの削減
が問題で実用化されていないのが現状である。
を形成する方法も考えられるが、PC基板等に無機膜を形
成する設備，工法，材料など、最適化するための課題
と、設備費用が高くなるため、光ディスクコストの削減
が問題で実用化されていないのが現状である。
問題点を解決するための手段 本発明は前記目的を達成するため透明基板の裏面の記
録溝に前記透明基板を透して当てられるレーザー光によ
り相変化（結晶または非晶）を受ける記録膜を形成し、
記録膜を保護層で覆った光ディスクにおいて、前記透明
基板が、架橋反応硬化型の耐熱基板であることを特徴と
する。好ましくは架橋反応硬化型材料が主鎖分子にトリ
シクロ環を有する分子である耐熱基板である。又、好し
くは前記保護層を溝のない耐熱基板を接着したものと
し、好しくは、トリシクロ環を有する分子が２官能アク
リレート、又は２官能ジアクリレートを架橋反応させた
耐熱基板が好しく、さらに好しくは前記透明基板である
架橋硬化型の耐熱基板のガラス転移温度が150℃以上で
あり、60℃,90％RHの吸水率が飽和時点で1.5％以下であ
るようにするとよい。
録溝に前記透明基板を透して当てられるレーザー光によ
り相変化（結晶または非晶）を受ける記録膜を形成し、
記録膜を保護層で覆った光ディスクにおいて、前記透明
基板が、架橋反応硬化型の耐熱基板であることを特徴と
する。好ましくは架橋反応硬化型材料が主鎖分子にトリ
シクロ環を有する分子である耐熱基板である。又、好し
くは前記保護層を溝のない耐熱基板を接着したものと
し、好しくは、トリシクロ環を有する分子が２官能アク
リレート、又は２官能ジアクリレートを架橋反応させた
耐熱基板が好しく、さらに好しくは前記透明基板である
架橋硬化型の耐熱基板のガラス転移温度が150℃以上で
あり、60℃,90％RHの吸水率が飽和時点で1.5％以下であ
るようにするとよい。
尚、400Å以下のZnS又はSiO2の断熱無機膜を記録膜の
上下又は一方の面に形成して使用することもできる。
上下又は一方の面に形成して使用することもできる。
作用 上記の各条件で架橋している透明基板は、書込み／消
去時のレーザ光エネルギーによって、記録溝又はレーザ
スポット樹脂部が熱変形することがなく、記録膜が破壊
されるのを防止することができる。
去時のレーザ光エネルギーによって、記録溝又はレーザ
スポット樹脂部が熱変形することがなく、記録膜が破壊
されるのを防止することができる。
実施例 第１図，第２図，第３図に示す本発明の一実施例につ
いて説明すれば、耐熱透明基板の記録溝６、トラック溝
７を持つ裏面に記録膜４を形成し、その上に保護層とし
ての耐熱基板２を接着剤５により接着してある。耐熱透
明基板１は、片面に記録溝６、トラック溝７用のガラス
板に接着補強したニッケルスタンパーとガラス板とシリ
コーンゴムスペーサとの空間に表−１に示した分子構造
のモノマーと熱開始剤（ベンゾイルパーオキサイド（BP
O））とその液状配合組成物No.1を注液し80℃に加熱す
る事によって一次硬化させ、その後脱型して80℃２時
間,150℃1.5時間のポストキュアを行った架橋反応硬化
型のものである。また耐熱基板２は耐熱透明基板１と同
様の条件で、ニッケルスタンパーを、ガラス板にした、
両面平面の耐熱基板２を形成したものである。記録膜４
は、溝付耐熱基板１上に酸化テルルを主体とした記録材
を400Å程度スパッタリングにより形成したものであ
る。耐熱透明基板１とエポキシの方が優れた書込み／消
去サイクル寿命を有している。又、本発明の特殊なメタ
アクリレート組成物の基板ではさらに優れた、長寿命性
を示しておりNo.2が最良であることが解る（一応現状の
書込み／消去サイクルは105以上である）。即ち、ガラ
ス転移温度、200℃以上であることがさらに好ましいと
いう結果を得た。
いて説明すれば、耐熱透明基板の記録溝６、トラック溝
７を持つ裏面に記録膜４を形成し、その上に保護層とし
ての耐熱基板２を接着剤５により接着してある。耐熱透
明基板１は、片面に記録溝６、トラック溝７用のガラス
板に接着補強したニッケルスタンパーとガラス板とシリ
コーンゴムスペーサとの空間に表−１に示した分子構造
のモノマーと熱開始剤（ベンゾイルパーオキサイド（BP
O））とその液状配合組成物No.1を注液し80℃に加熱す
る事によって一次硬化させ、その後脱型して80℃２時
間,150℃1.5時間のポストキュアを行った架橋反応硬化
型のものである。また耐熱基板２は耐熱透明基板１と同
様の条件で、ニッケルスタンパーを、ガラス板にした、
両面平面の耐熱基板２を形成したものである。記録膜４
は、溝付耐熱基板１上に酸化テルルを主体とした記録材
を400Å程度スパッタリングにより形成したものであ
る。耐熱透明基板１とエポキシの方が優れた書込み／消
去サイクル寿命を有している。又、本発明の特殊なメタ
アクリレート組成物の基板ではさらに優れた、長寿命性
を示しておりNo.2が最良であることが解る（一応現状の
書込み／消去サイクルは105以上である）。即ち、ガラ
ス転移温度、200℃以上であることがさらに好ましいと
いう結果を得た。
発明の効果 本発明の架橋反応硬化型耐熱透明基板を用いることに
より記録膜に穴が明くようなことを防止するに充分な耐
熱性が得られ、数100Å〜1000Å程度の断熱無機膜を形
成する工程が不用とな設備費もかからなかった。特に光
学ギャップ層ではなく基板側の断熱膜が不用になった。
光ディスクを安価に生産する目途も立った点で工業的価
値は大なるものがある。
より記録膜に穴が明くようなことを防止するに充分な耐
熱性が得られ、数100Å〜1000Å程度の断熱無機膜を形
成する工程が不用とな設備費もかからなかった。特に光
学ギャップ層ではなく基板側の断熱膜が不用になった。
光ディスクを安価に生産する目途も立った点で工業的価
値は大なるものがある。
第１図は本発明の一実施例を示す半部の平面図、第２図
は横断正面図、第３図は同一部の拡大断面図、第４図は
本発明の実施例と比較例との特性図である。 １……透明基板、２……保護層、３……記録膜と接着
層、４……記録膜、５……接着層、６……記録溝、７…
…トラック溝。
は横断正面図、第３図は同一部の拡大断面図、第４図は
本発明の実施例と比較例との特性図である。 １……透明基板、２……保護層、３……記録膜と接着
層、４……記録膜、５……接着層、６……記録溝、７…
…トラック溝。
Claims (1)
- 【請求項１】透明基板の少なくとも裏面の記録膜に、前
記透明基板を透かして当てられるレーザー光により相変
化を受ける記録膜を形成し、記録膜を保護層で覆った光
ディスクにおいて、前記透明基板が少なくともトリシク
ロ環を有する化合物を架橋反応硬化させた耐熱基板であ
って、前記トリシクロ環を有する化合物の官能基が、２
官能基であり、ジアクリレート、又はジメタアクリレー
トであることを特徴とする書込み／消去型光ディスク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5113686 | 1986-03-07 | ||
| JP61-51136 | 1986-03-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313145A JPS6313145A (ja) | 1988-01-20 |
| JPH0827977B2 true JPH0827977B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=12878403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61257264A Expired - Lifetime JPH0827977B2 (ja) | 1986-03-07 | 1986-10-29 | 書込み／消去型光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0827977B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258219A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-20 | Kyowa Gas Chem Ind Co Ltd | デイスク用基板およびその製造方法 |
| JPS619436A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-17 | Matsushita Electric Works Ltd | 光学式デイスクの製法 |
| JPS6183213A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Kyowa Gas Chem Ind Co Ltd | デイスク基板とその製造方法 |
| JPS61142546A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-30 | Kyowa Gas Chem Ind Co Ltd | 光デイスク基板およびその製造方法 |
| JPS61281114A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-12-11 | Toray Ind Inc | 情報記録体用樹脂およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP61257264A patent/JPH0827977B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6313145A (ja) | 1988-01-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |