JPH08264591A - Ｔａｂ接続方法 - Google Patents
Ｔａｂ接続方法Info
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- JPH08264591A JPH08264591A JP6963295A JP6963295A JPH08264591A JP H08264591 A JPH08264591 A JP H08264591A JP 6963295 A JP6963295 A JP 6963295A JP 6963295 A JP6963295 A JP 6963295A JP H08264591 A JPH08264591 A JP H08264591A
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- bonding
- semiconductor device
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- tab
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＡＢインナーリードボンディング時、強い
圧力をかけても劣化が生じることがなく、また、ＴＡＢ
アウターリードボンディング時、基板温度を加熱せず、
しかもパット面積を広げることなしに信頼性の高い接続
を行うことができるＴＡＢ接続方法を提供する。 【構成】 半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法にお
いて、インナーリードボンディング用銅フィンガー３１
１，３２１に鉛層３１２，３２２をコーティングし、熱
処理する工程と、このインナーリードボンディング用フ
ィンガー３１１，３２１を半導体装置のバンプにボンデ
ィングする工程とを施す。
圧力をかけても劣化が生じることがなく、また、ＴＡＢ
アウターリードボンディング時、基板温度を加熱せず、
しかもパット面積を広げることなしに信頼性の高い接続
を行うことができるＴＡＢ接続方法を提供する。 【構成】 半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法にお
いて、インナーリードボンディング用銅フィンガー３１
１，３２１に鉛層３１２，３２２をコーティングし、熱
処理する工程と、このインナーリードボンディング用フ
ィンガー３１１，３２１を半導体装置のバンプにボンデ
ィングする工程とを施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ素子を配線基板
に実装するに際して用いる、いわゆるＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）接続方法に関
するものである。
に実装するに際して用いる、いわゆるＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）接続方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
「第１回マイクロエレクトロニクスシンポジウム、１９
８５年７月、東京 １１４〜１１８頁」に示されるもの
があった。この文献に示されているように、例えば、ボ
ンディング用のツール温度を、５００℃、圧力を１〜２
ｋｇ／チップとすることにより、安定なインナーリード
ボンディングが行える。
「第１回マイクロエレクトロニクスシンポジウム、１９
８５年７月、東京 １１４〜１１８頁」に示されるもの
があった。この文献に示されているように、例えば、ボ
ンディング用のツール温度を、５００℃、圧力を１〜２
ｋｇ／チップとすることにより、安定なインナーリード
ボンディングが行える。
【０００３】また、基板に配線回路を設け、これに１．
５ｋｇ／３２本のリードの圧力で、アウターリードボン
ディングを行うと、信頼性の良い接続が行えることも記
されている。
５ｋｇ／３２本のリードの圧力で、アウターリードボン
ディングを行うと、信頼性の良い接続が行えることも記
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来技術によれば、インナーリードボンディングの圧
力を強くすると、バンプで応力を支えきれなくなり、フ
ィンガーがＡ１パットまで達し、Ａ１パットごと剥離し
やすくなる。図６はＴＡＢ用のテープにＬＳＩがインナ
ーリードボンディングされる状況を示した図である。
た従来技術によれば、インナーリードボンディングの圧
力を強くすると、バンプで応力を支えきれなくなり、フ
ィンガーがＡ１パットまで達し、Ａ１パットごと剥離し
やすくなる。図６はＴＡＢ用のテープにＬＳＩがインナ
ーリードボンディングされる状況を示した図である。
【０００５】図６において、１０はＳｉウエハを張りつ
けるフィルム、２１，２２，２３…はウエハからカット
された個々のＬＳＩであり、２１はインナーリードボン
ディングが終了した状態であり、２２，２３はまだフィ
ルムに張りつけられた状態である。３１，３２はフィル
ムキャリアのフィンガーであり、ＬＳＩの端子数（バン
プ数）と同じ数のフィンガーが各ＬＳＩに対応して作製
されている。４１，４２はＬＳＩに作製されたバンプで
あり、通常材料はＡｕで高さ２０〜３０μｍである。５
１，５２はフィンガーを支えるポリイミドフィルムであ
る。
けるフィルム、２１，２２，２３…はウエハからカット
された個々のＬＳＩであり、２１はインナーリードボン
ディングが終了した状態であり、２２，２３はまだフィ
ルムに張りつけられた状態である。３１，３２はフィル
ムキャリアのフィンガーであり、ＬＳＩの端子数（バン
プ数）と同じ数のフィンガーが各ＬＳＩに対応して作製
されている。４１，４２はＬＳＩに作製されたバンプで
あり、通常材料はＡｕで高さ２０〜３０μｍである。５
１，５２はフィンガーを支えるポリイミドフィルムであ
る。
【０００６】図６の位置にフィルムが移動した状態で、
Ａｕの共晶合金を作るのに十分な温度に加熱されたボン
ディングツール５６が、上から下りてきてフィンガーを
バンプに圧接する。即ち、インナーリードボンディング
はパット上に作製されたバンプに、テープのフィンガー
の先端を熱と圧力で接続する作業である。ボンディング
圧力が弱いと好ましい接続は得られないので、十分な圧
力が必要である。なお、図６において、５４はフィルム
ガイドである。
Ａｕの共晶合金を作るのに十分な温度に加熱されたボン
ディングツール５６が、上から下りてきてフィンガーを
バンプに圧接する。即ち、インナーリードボンディング
はパット上に作製されたバンプに、テープのフィンガー
の先端を熱と圧力で接続する作業である。ボンディング
圧力が弱いと好ましい接続は得られないので、十分な圧
力が必要である。なお、図６において、５４はフィルム
ガイドである。
【０００７】近年ＬＳＩのＡＳＩＣ技術が進み、ＬＳＩ
の端子数（パット数）が急激に多くなった。この状況に
応じＴＡＢでのインナーリードボンディング数も多くな
る傾向にあり、そのパット数が多くなるにつれ、全ての
フィンガーに適正なボンディング圧力を与えることは難
しくなった。フィンガー材料である銅箔の厚みばらつき
等もその一因と思われる。
の端子数（パット数）が急激に多くなった。この状況に
応じＴＡＢでのインナーリードボンディング数も多くな
る傾向にあり、そのパット数が多くなるにつれ、全ての
フィンガーに適正なボンディング圧力を与えることは難
しくなった。フィンガー材料である銅箔の厚みばらつき
等もその一因と思われる。
【０００８】したがって、ボンディング圧力を必要なだ
け大きくし、圧力がかかり難い場所のフィンガーにも必
要な力が加わるようにする必要がある。しかし、ボンデ
ィング時の強すぎる圧力は接続不良の原因となる。すな
わち、一般にボンディング圧力を強くすると、パット及
びその直下の材料がダメージを受け、信頼性が低下する
ことはＴＡＢ以外の接続においてもよく知られている。
例えば、ワイヤボンディングの場合、ワイヤに銅材を用
いると金線に比べて大きな力が必要になり、これに耐え
るにはＡｌパットを従来の約２倍の厚さにする必要があ
ることは良く知られた事実である。
け大きくし、圧力がかかり難い場所のフィンガーにも必
要な力が加わるようにする必要がある。しかし、ボンデ
ィング時の強すぎる圧力は接続不良の原因となる。すな
わち、一般にボンディング圧力を強くすると、パット及
びその直下の材料がダメージを受け、信頼性が低下する
ことはＴＡＢ以外の接続においてもよく知られている。
例えば、ワイヤボンディングの場合、ワイヤに銅材を用
いると金線に比べて大きな力が必要になり、これに耐え
るにはＡｌパットを従来の約２倍の厚さにする必要があ
ることは良く知られた事実である。
【０００９】また、ＴＡＢではアウターリードボンディ
ングにおいても問題が存在する。上記文献に示されるよ
うに、ボンディングツールの温度と基板との温度差が大
きいと基板にクラックが生じる。これを防ぐにはボンデ
ィング時、基板を加熱しておき温度差による熱衝撃を緩
和する、またはパットの幅を広くしておくか、パットの
長さを長くするなどの対策が必要である。パット面積を
広くすることにより熱衝撃を緩和することができる。し
かし、ボンディング時、基板を加熱すると、パット材料
によっては、大気中で表面酸化を起こす場合があり好ま
しくない。また、パットの幅は広く、あるいは長くでき
ない場合が多い。
ングにおいても問題が存在する。上記文献に示されるよ
うに、ボンディングツールの温度と基板との温度差が大
きいと基板にクラックが生じる。これを防ぐにはボンデ
ィング時、基板を加熱しておき温度差による熱衝撃を緩
和する、またはパットの幅を広くしておくか、パットの
長さを長くするなどの対策が必要である。パット面積を
広くすることにより熱衝撃を緩和することができる。し
かし、ボンディング時、基板を加熱すると、パット材料
によっては、大気中で表面酸化を起こす場合があり好ま
しくない。また、パットの幅は広く、あるいは長くでき
ない場合が多い。
【００１０】本発明は、上記問題点を解決するために、
ＴＡＢインナーリードボンディング時、強い圧力をかけ
ても劣化が生じることがなく、また、ＴＡＢアウターリ
ードボンディング時、基板を加熱せず、しかもパット面
積を広げることなしに信頼性の高い接続を行うことがで
きるＴＡＢ接続方法を提供することを目的とするもので
ある。
ＴＡＢインナーリードボンディング時、強い圧力をかけ
ても劣化が生じることがなく、また、ＴＡＢアウターリ
ードボンディング時、基板を加熱せず、しかもパット面
積を広げることなしに信頼性の高い接続を行うことがで
きるＴＡＢ接続方法を提供することを目的とするもので
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法におい
て、インナーリードボンディング用フィンガーの先端を
軟化させる工程と、このインナーリードボンディング用
フィンガーを半導体装置のバンプにボンディングする工
程とを施すようにしたものである。
成するために、 （１）半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法におい
て、インナーリードボンディング用フィンガーの先端を
軟化させる工程と、このインナーリードボンディング用
フィンガーを半導体装置のバンプにボンディングする工
程とを施すようにしたものである。
【００１２】（２）半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続
方法において、インナーリードボンディング用フィンガ
ーに鉛をコーティングし、このインナーリードボンディ
ング用フィンガーを半導体装置のバンプにボンディング
する工程とを施すようにしたものである。 （３）半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法におい
て、半導体装置が実装される基板の表面の熱伝導を高め
る工程と、アウターリードボンディングを行う工程とを
施すようにしたものである。
方法において、インナーリードボンディング用フィンガ
ーに鉛をコーティングし、このインナーリードボンディ
ング用フィンガーを半導体装置のバンプにボンディング
する工程とを施すようにしたものである。 （３）半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法におい
て、半導体装置が実装される基板の表面の熱伝導を高め
る工程と、アウターリードボンディングを行う工程とを
施すようにしたものである。
【００１３】（４）半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続
方法において、半導体装置が実装される基板の表面の配
線パターン以外の全部または一部に、熱伝導が高い絶縁
膜を被着する工程と、アウターリードボンディングを行
う工程とを施すようにしたものである。 （５）半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法におい
て、半導体装置が実装される基板の表面の配線パターン
以外の全部または一部に、熱伝導の高い基板を密着させ
る工程と、アウターリードボンディングを行う工程とを
施すようにしたものである。
方法において、半導体装置が実装される基板の表面の配
線パターン以外の全部または一部に、熱伝導が高い絶縁
膜を被着する工程と、アウターリードボンディングを行
う工程とを施すようにしたものである。 （５）半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法におい
て、半導体装置が実装される基板の表面の配線パターン
以外の全部または一部に、熱伝導の高い基板を密着させ
る工程と、アウターリードボンディングを行う工程とを
施すようにしたものである。
【００１４】
（１）請求項１記載の半導体装置の実装を行うＴＡＢ接
続方法によれば、ＴＡＢインナーリードボンディングに
際して、先立ってインナーリードボンディング用フィン
ガーの先端を熱処理により軟化させるようにしたので、
ＴＡＢインナーリードボンディング数が増加しても、ボ
ンディング圧力を高めることなく、増加したボンディン
グ数を一括し、信頼性の高いボンディングを行うことが
できる。
続方法によれば、ＴＡＢインナーリードボンディングに
際して、先立ってインナーリードボンディング用フィン
ガーの先端を熱処理により軟化させるようにしたので、
ＴＡＢインナーリードボンディング数が増加しても、ボ
ンディング圧力を高めることなく、増加したボンディン
グ数を一括し、信頼性の高いボンディングを行うことが
できる。
【００１５】（２）請求項２記載の半導体装置の実装を
行うＴＡＢ接続方法によれば、ＴＡＢインナーリードボ
ンディングに際して、先立ってインナーリードボンディ
ング用フィンガーに鉛をコーティングし、フィンガーの
先端を柔らかくすることができ、ボンディング圧力を高
めることなく、増加したボンディング数を一括し、信頼
性の高いボンディングを行うことができる。
行うＴＡＢ接続方法によれば、ＴＡＢインナーリードボ
ンディングに際して、先立ってインナーリードボンディ
ング用フィンガーに鉛をコーティングし、フィンガーの
先端を柔らかくすることができ、ボンディング圧力を高
めることなく、増加したボンディング数を一括し、信頼
性の高いボンディングを行うことができる。
【００１６】（３）請求項３記載の半導体装置の実装を
行うＴＡＢ接続方法によれば、ＴＡＢアウターリードボ
ンディングに際して、先立って半導体装置が実装される
基板の表面の熱伝導を高めるようにしたので、ＴＡＢア
ウターリードボンディング時、基板を加熱することな
く、しかもパット面積を広げることなしに信頼性の高い
接続を行うことができる。
行うＴＡＢ接続方法によれば、ＴＡＢアウターリードボ
ンディングに際して、先立って半導体装置が実装される
基板の表面の熱伝導を高めるようにしたので、ＴＡＢア
ウターリードボンディング時、基板を加熱することな
く、しかもパット面積を広げることなしに信頼性の高い
接続を行うことができる。
【００１７】（４）請求項４記載の半導体装置の実装を
行うＴＡＢ接続方法によれば、ＴＡＢアウターリードボ
ンディングに際して、先立って半導体装置が実装される
基板の表面の配線パターン以外の全部または一部に、熱
伝導が高い絶縁膜を被膜するようにしたので、簡単な方
法でアウターリードボンディング時の熱の拡散を促すこ
とができ、基板温度を加熱することなく、しかもパット
面積を広げることなしに信頼性の高い接続を行うことが
できる。
行うＴＡＢ接続方法によれば、ＴＡＢアウターリードボ
ンディングに際して、先立って半導体装置が実装される
基板の表面の配線パターン以外の全部または一部に、熱
伝導が高い絶縁膜を被膜するようにしたので、簡単な方
法でアウターリードボンディング時の熱の拡散を促すこ
とができ、基板温度を加熱することなく、しかもパット
面積を広げることなしに信頼性の高い接続を行うことが
できる。
【００１８】（５）請求項５記載の半導体装置の実装を
行うＴＡＢ接続方法によれば、ＴＡＢアウターリードボ
ンディングに際して、先立って半導体装置が実装される
基板の表面の配線パターン以外の全部または一部に、熱
伝導の高い基板を密着させるようにしたので、この基板
により熱を放散させることができ、基板温度を加熱する
ことなく、しかもパット面積を広げることなしに信頼性
の高い接続を行うことができる。
行うＴＡＢ接続方法によれば、ＴＡＢアウターリードボ
ンディングに際して、先立って半導体装置が実装される
基板の表面の配線パターン以外の全部または一部に、熱
伝導の高い基板を密着させるようにしたので、この基板
により熱を放散させることができ、基板温度を加熱する
ことなく、しかもパット面積を広げることなしに信頼性
の高い接続を行うことができる。
【００１９】
【実施例】本発明の実施例について図を参照しながら説
明する。図１に各種銅の熱処理による機械的性質の変化
が示されている。すなわち、４００℃の焼き鈍しによ
り、ヴィッカース硬度はほぼ１／３に低下している。ワ
イヤボンド用のＡｌ、Ａｕ線のヴィッカース硬度は、各
々６０，４０であるから、十分柔らかくなっていること
が分かる。
明する。図１に各種銅の熱処理による機械的性質の変化
が示されている。すなわち、４００℃の焼き鈍しによ
り、ヴィッカース硬度はほぼ１／３に低下している。ワ
イヤボンド用のＡｌ、Ａｕ線のヴィッカース硬度は、各
々６０，４０であるから、十分柔らかくなっていること
が分かる。
【００２０】図１では６０分の焼き鈍し結果であるが、
ここでは、極めて短い時間、例えば、５分以内でも同様
の軟化を得ることができた。図２は本発明の第１実施例
であるテープキャリアのフィンガーリードの熱処理方法
の一例を示しており、６１，６２は加熱した台である。
この加熱した台６１，６２でフィンガー３１，３２を挟
み熱処理を実行するものである。このように、フィンガ
ー３１，３２の先端を柔らかくすることにより、実質的
にＡｌパットの厚さを厚くした時と同じ効果があり、３
ｋｇの圧力においても良好なボンディングを行うことが
できた。
ここでは、極めて短い時間、例えば、５分以内でも同様
の軟化を得ることができた。図２は本発明の第１実施例
であるテープキャリアのフィンガーリードの熱処理方法
の一例を示しており、６１，６２は加熱した台である。
この加熱した台６１，６２でフィンガー３１，３２を挟
み熱処理を実行するものである。このように、フィンガ
ー３１，３２の先端を柔らかくすることにより、実質的
にＡｌパットの厚さを厚くした時と同じ効果があり、３
ｋｇの圧力においても良好なボンディングを行うことが
できた。
【００２１】図２ではフィンガー３１，３２の上下から
加熱した。しかし、バンプに接続する面のみを加熱して
も良好な効果を得ることができた。次に、本発明におい
て、フィンガーの先端を軟化させる第２の実施例につい
て説明する。図３は本発明の第２実施例を示すテープキ
ャリアのフィンガーリードの部分側面図である。
加熱した。しかし、バンプに接続する面のみを加熱して
も良好な効果を得ることができた。次に、本発明におい
て、フィンガーの先端を軟化させる第２の実施例につい
て説明する。図３は本発明の第２実施例を示すテープキ
ャリアのフィンガーリードの部分側面図である。
【００２２】図３において、５１，５２はＴＡＢ用フィ
ンガーを支えるポリイミドフィルム、３１１，３２１は
銅材でできたフィンガーであり、通常はこれにＳｎを
０．５μｍ厚に被着する。この実施例では、このＳｎに
または銅材に直接鉛層３１２，３２２を層状に被着す
る。ボンディング時、強い衝撃が加わった場合、鉛は柔
らかいので、この鉛層で衝撃を吸収できる。
ンガーを支えるポリイミドフィルム、３１１，３２１は
銅材でできたフィンガーであり、通常はこれにＳｎを
０．５μｍ厚に被着する。この実施例では、このＳｎに
または銅材に直接鉛層３１２，３２２を層状に被着す
る。ボンディング時、強い衝撃が加わった場合、鉛は柔
らかいので、この鉛層で衝撃を吸収できる。
【００２３】また、図３において、１０は搬送フィル
ム、２０はウエハからカットされたＬＳＩであり、２０
ａはそのＬＳＩのバンプである。この実施例では、銅フ
ィンガー３１１，３２１に鉛層３１２，３２２を、例え
ば、概ね１μｍ以上形成することにより、銅フィンガー
３１１，３２１の先端を柔らかくすることができること
が確認できた。また、この鉛層３１２，３２２にＳｎを
０．５μｍコーティングすることにより、ボンディング
温度の高温化を避けることが可能であった。
ム、２０はウエハからカットされたＬＳＩであり、２０
ａはそのＬＳＩのバンプである。この実施例では、銅フ
ィンガー３１１，３２１に鉛層３１２，３２２を、例え
ば、概ね１μｍ以上形成することにより、銅フィンガー
３１１，３２１の先端を柔らかくすることができること
が確認できた。また、この鉛層３１２，３２２にＳｎを
０．５μｍコーティングすることにより、ボンディング
温度の高温化を避けることが可能であった。
【００２４】図３においては、鉛層３１２，３２２をバ
ンプ側のみに形成しているが、銅フィンガー３１１，３
２１の表面全てに被着しても、同様の効果を奏すること
ができた。なお、ここでは、鉛層の被着方法としては、
例えば、電気メッキ、半田、蒸着等を用いることがで
き、上記した効果を奏することができた。
ンプ側のみに形成しているが、銅フィンガー３１１，３
２１の表面全てに被着しても、同様の効果を奏すること
ができた。なお、ここでは、鉛層の被着方法としては、
例えば、電気メッキ、半田、蒸着等を用いることがで
き、上記した効果を奏することができた。
【００２５】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。図４は本発明の第３実施例を示すアウターリードボ
ンディングされた基板の側面図である。図において、１
１０は基板、１２１，１２２は基板１１０上に形成され
た配線回路である。また、２０はアウターリードボンド
されたＬＳＩ、３１はインナーリード、７１，７２はア
ウターリードボンド時、配線回路に接続したフィンガー
部である。
る。図４は本発明の第３実施例を示すアウターリードボ
ンディングされた基板の側面図である。図において、１
１０は基板、１２１，１２２は基板１１０上に形成され
た配線回路である。また、２０はアウターリードボンド
されたＬＳＩ、３１はインナーリード、７１，７２はア
ウターリードボンド時、配線回路に接続したフィンガー
部である。
【００２６】また、１３１，１３２はＡｌ2 Ｏ3 あるい
はＳｉＣ、酸化ベリリウム等熱伝導の良好な絶縁膜であ
る。すなわち、パットを除く全面または一部にＡｌ2 Ｏ
3 あるいはＳｉＣ等熱伝導の高い絶縁膜１３１，１３２
を被着する。この操作により、熱の拡散を促す。ここで
は、ＲＦスパッタ装置を用いて２μｍの厚さに絶縁膜を
生成した。
はＳｉＣ、酸化ベリリウム等熱伝導の良好な絶縁膜であ
る。すなわち、パットを除く全面または一部にＡｌ2 Ｏ
3 あるいはＳｉＣ等熱伝導の高い絶縁膜１３１，１３２
を被着する。この操作により、熱の拡散を促す。ここで
は、ＲＦスパッタ装置を用いて２μｍの厚さに絶縁膜を
生成した。
【００２７】この熱伝導が良好な絶縁膜１３１，１３２
を被着した後、アウターリードボンディングした試料で
は、結果としてクラックの発生を防ぐことができた。す
なわち、パットの面積を広くする場合と同じ効果を、熱
伝導が良好な絶縁膜１３１，１３２を被着することで実
施することができた。図５は本発明の第４の実施例を示
すアウターリードボンディングされた基板の側面図であ
る。
を被着した後、アウターリードボンディングした試料で
は、結果としてクラックの発生を防ぐことができた。す
なわち、パットの面積を広くする場合と同じ効果を、熱
伝導が良好な絶縁膜１３１，１３２を被着することで実
施することができた。図５は本発明の第４の実施例を示
すアウターリードボンディングされた基板の側面図であ
る。
【００２８】この図において、基板１１０上に半導体装
置が実装され、更に、その基板１１０上に熱伝導性の良
い金属張り基板１４１，１４２、例えば、アルミニウ
ム、ベリリウム銅、銅、銅タングステン合金等を密着さ
せる。この方法では、この金属張り基板１４１，１４２
により熱を放散させることができる。
置が実装され、更に、その基板１１０上に熱伝導性の良
い金属張り基板１４１，１４２、例えば、アルミニウ
ム、ベリリウム銅、銅、銅タングステン合金等を密着さ
せる。この方法では、この金属張り基板１４１，１４２
により熱を放散させることができる。
【００２９】この実施例では、１ｍｍ厚のアルミニウム
基板を用いて検討を行い良好な結果を得ることができ
た。インナーリードボンディングにおいて、フィンガー
リードの先端をアニールにより、柔らかくし、これによ
り、加えることのできる加重を増やし、リードの厚さ等
が原因となるボンディング条件のばらつきを吸収するこ
とができた。
基板を用いて検討を行い良好な結果を得ることができ
た。インナーリードボンディングにおいて、フィンガー
リードの先端をアニールにより、柔らかくし、これによ
り、加えることのできる加重を増やし、リードの厚さ等
が原因となるボンディング条件のばらつきを吸収するこ
とができた。
【００３０】また、鉛のような柔らかい金属を被着する
ことによる軟化の方法を用いたが、フィンガーの接続部
が柔らかい状態であれば、これらの方法にこだわらない
ことは当然である。アウターリードボンディングにおい
て、クラック発生阻止のため表面に熱伝導の良好な材料
を用いた。絶縁膜の例として、Ａｌ2 Ｏ3 あるいはＳｉ
Ｃを挙げたが、酸化ベリリウム等でも好ましい結果を得
られることは当然である。
ことによる軟化の方法を用いたが、フィンガーの接続部
が柔らかい状態であれば、これらの方法にこだわらない
ことは当然である。アウターリードボンディングにおい
て、クラック発生阻止のため表面に熱伝導の良好な材料
を用いた。絶縁膜の例として、Ａｌ2 Ｏ3 あるいはＳｉ
Ｃを挙げたが、酸化ベリリウム等でも好ましい結果を得
られることは当然である。
【００３１】密着させる金属として、１ｍｍ厚のアルミ
ニウム基板を用いたが、ベリリウム銅、銅、銅タングス
テン合金等でも同様の効果を奏することができた。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これら
を本発明の範囲から排除するものではない。
ニウム基板を用いたが、ベリリウム銅、銅、銅タングス
テン合金等でも同様の効果を奏することができた。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これら
を本発明の範囲から排除するものではない。
【００３２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、ＴＡＢインナーリ
ードボンディングに際して、先立ってインナーリードボ
ンディング用フィンガーの先端を軟化させるようにした
ので、ＴＡＢインナーリードボンディング数が増加して
も、ボンディング圧力を高めることなく、増加したボン
ディング数を一括し、信頼性の高いボンディングを行う
ことができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、ＴＡＢインナーリ
ードボンディングに際して、先立ってインナーリードボ
ンディング用フィンガーの先端を軟化させるようにした
ので、ＴＡＢインナーリードボンディング数が増加して
も、ボンディング圧力を高めることなく、増加したボン
ディング数を一括し、信頼性の高いボンディングを行う
ことができる。
【００３３】（２）請求項２記載の発明によれば、ＴＡ
Ｂインナーリードボンディングに際して、先立ってイン
ナーリードボンディング用フィンガーに鉛をコーティン
グしたので、フィンガーの先端を柔らかくすることがで
き、ボンディング圧力を高めることなく、増加したボン
ディング数を一括し、信頼性の高いボンディングを行う
ことができる。
Ｂインナーリードボンディングに際して、先立ってイン
ナーリードボンディング用フィンガーに鉛をコーティン
グしたので、フィンガーの先端を柔らかくすることがで
き、ボンディング圧力を高めることなく、増加したボン
ディング数を一括し、信頼性の高いボンディングを行う
ことができる。
【００３４】（３）請求項３記載の発明によれば、ＴＡ
Ｂアウターリードボンディングに際して、先立って半導
体装置が実装される基板の表面の熱伝導を高めるように
したので、ＴＡＢアウターリードボンディング時、基板
温度を加熱することなく、しかもパット面積を広げるこ
となしに信頼性の高い接続を行うことができる。 （４）請求項４記載の発明によれば、ＴＡＢアウターリ
ードボンディングに際して、先立って半導体装置が実装
される基板の表面の配線パターン以外の全部または一部
に、熱伝導が高い絶縁膜を被膜するようにしたので、簡
単な方法でアウターリードボンディング時の熱の拡散を
促すことができ、基板温度を加熱することなく、しかも
パット面積を広げることなしに信頼性の高い接続を行う
ことができる。
Ｂアウターリードボンディングに際して、先立って半導
体装置が実装される基板の表面の熱伝導を高めるように
したので、ＴＡＢアウターリードボンディング時、基板
温度を加熱することなく、しかもパット面積を広げるこ
となしに信頼性の高い接続を行うことができる。 （４）請求項４記載の発明によれば、ＴＡＢアウターリ
ードボンディングに際して、先立って半導体装置が実装
される基板の表面の配線パターン以外の全部または一部
に、熱伝導が高い絶縁膜を被膜するようにしたので、簡
単な方法でアウターリードボンディング時の熱の拡散を
促すことができ、基板温度を加熱することなく、しかも
パット面積を広げることなしに信頼性の高い接続を行う
ことができる。
【００３５】（５）請求項５記載の発明によれば、ＴＡ
Ｂアウターリードボンディングに際して、先立って半導
体装置が実装される基板の表面の配線パターン以外の全
部または一部に、熱伝導の良好な基板を密着させるよう
にしたので、この基板により熱を放散させることがで
き、基板温度を加熱することなく、しかもパット面積を
広げることなしに信頼性の高い接続を行うことができ
る。
Ｂアウターリードボンディングに際して、先立って半導
体装置が実装される基板の表面の配線パターン以外の全
部または一部に、熱伝導の良好な基板を密着させるよう
にしたので、この基板により熱を放散させることがで
き、基板温度を加熱することなく、しかもパット面積を
広げることなしに信頼性の高い接続を行うことができ
る。
【図１】各種銅の熱処理による機械的性質の変化を示す
図である。
図である。
【図２】本発明の第１実施例であるテープキャリアのフ
ィンガーリードの熱処理方法の一例を示す図である。
ィンガーリードの熱処理方法の一例を示す図である。
【図３】本発明の第１実施例を示すテープキャリアのフ
ィンガーリードの部分側面図である。
ィンガーリードの部分側面図である。
【図４】本発明の第２実施例を示すアウターリードボン
ディングされた基板の側面図である。
ディングされた基板の側面図である。
【図５】本発明の第３の実施例を示すアウターリードボ
ンディングされた基板の側面図である。
ンディングされた基板の側面図である。
【図６】ＴＡＢ用のテープにＬＳＩがインナーリードボ
ンディングされる状況を示した図である。
ンディングされる状況を示した図である。
１０ 搬送フィルム ２０ ＬＳＩ ２０ａ バンプ ３１，３２ フィンガー ５１，５２ ポリイミドフィルム ６１，６２ 加熱した台 ７１，７２ フィンガー部 １１０ 基板 １２１，１２２ 配線回路 １３１，１３２ 絶縁膜 １４１，１４２ 金属張り基板 ３１１，３２１ 銅フィンガー ３１２，３２２ 鉛層
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法
において、（ａ）インナーリードボンディング用フィン
ガーの先端を軟化させる工程と、（ｂ）該インナーリー
ドボンディング用フィンガーを半導体装置のバンプにボ
ンディングする工程とを施すようにしたことを特徴とす
るＴＡＢ接続方法。 - 【請求項２】 半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法
において、（ａ）インナーリードボンディング用フィン
ガーに鉛をコーティング又は熱処理する工程と、（ｂ）
該インナーリードボンディング用フィンガーを半導体装
置のバンプにボンディングする工程とを施すようにした
ことを特徴とするＴＡＢ接続方法。 - 【請求項３】 半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法
において、（ａ）半導体装置が実装される基板の表面の
熱伝導を高める工程と、（ｂ）アウターリードボンディ
ングを行う工程とを施すようにしたことを特徴とするＴ
ＡＢ接続方法。 - 【請求項４】 半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法
において、（ａ）半導体装置が実装される基板の表面の
配線パターン以外の全部または一部に熱伝導が高い絶縁
膜を被着する工程と、（ｂ）アウターリードボンディン
グを行う工程とを施すようにしたことを特徴とするＴＡ
Ｂ接続方法。 - 【請求項５】 半導体装置の実装を行うＴＡＢ接続方法
において、（ａ）半導体装置が実装される基板の表面の
配線パターン以外の全部または一部に熱伝導の高い基板
を密着させる工程と、（ｂ）アウターリードボンディン
グを行う工程とを施すようにしたことを特徴とするＴＡ
Ｂ接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6963295A JPH08264591A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | Ｔａｂ接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6963295A JPH08264591A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | Ｔａｂ接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264591A true JPH08264591A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13408440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6963295A Withdrawn JPH08264591A (ja) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | Ｔａｂ接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264591A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023505663A (ja) * | 2019-12-05 | 2023-02-10 | 嘉楠明芯(北京)科技有限公司 | 文字分割方法、装置、および、コンピュータ可読記憶媒体 |
-
1995
- 1995-03-28 JP JP6963295A patent/JPH08264591A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023505663A (ja) * | 2019-12-05 | 2023-02-10 | 嘉楠明芯(北京)科技有限公司 | 文字分割方法、装置、および、コンピュータ可読記憶媒体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020604 |