JPH08247735A - 電子部品の端子検査装置 - Google Patents
電子部品の端子検査装置Info
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- JPH08247735A JPH08247735A JP7080879A JP8087995A JPH08247735A JP H08247735 A JPH08247735 A JP H08247735A JP 7080879 A JP7080879 A JP 7080879A JP 8087995 A JP8087995 A JP 8087995A JP H08247735 A JPH08247735 A JP H08247735A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品を装着した状態に近い状態で検査可
能な電子部品の端子検査装置を提供する。 【構成】ガラスデーブル１に載せた被測定対象ワークＷ
のリードＬ下面にレーザ発光部１０からレーザ光を照射
し、その反射光をポジションセンサ１２により受光し、
反射光の変位量ｐから、リードＬの浮き量を求める。
能な電子部品の端子検査装置を提供する。 【構成】ガラスデーブル１に載せた被測定対象ワークＷ
のリードＬ下面にレーザ発光部１０からレーザ光を照射
し、その反射光をポジションセンサ１２により受光し、
反射光の変位量ｐから、リードＬの浮き量を求める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電子部品の端子検査装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の電子部品には多数の端子（リ
ード）が備えられており、このリードが基板などの所定
位置に接触し、半田付けされて電子部品が実装されるよ
うになっている。このような電子部品において、リード
の高さ方向の位置が揃っていることが重要であり、リー
ドの高さ位置が揃わず、所謂浮きが生じていると、電子
部品の実装を精度良く行うことができず、またリードの
半田付けも不正確なものとなる。またリードとリードの
間隔（ピッチ）も一定であることが重要であり、このピ
ッチが不揃いであると、同様に精度の高い実装及び半田
付けが行われない問題がある。このような観点から、従
来より集積回路等のリードの浮きやピッチを検査する装
置が種々提案されている。この種の装置としてＣＣＤや
ＩＴＶカメラを用いて、画像処理により検査する装置
と、レーザ光による検査装置が知られている。
ード）が備えられており、このリードが基板などの所定
位置に接触し、半田付けされて電子部品が実装されるよ
うになっている。このような電子部品において、リード
の高さ方向の位置が揃っていることが重要であり、リー
ドの高さ位置が揃わず、所謂浮きが生じていると、電子
部品の実装を精度良く行うことができず、またリードの
半田付けも不正確なものとなる。またリードとリードの
間隔（ピッチ）も一定であることが重要であり、このピ
ッチが不揃いであると、同様に精度の高い実装及び半田
付けが行われない問題がある。このような観点から、従
来より集積回路等のリードの浮きやピッチを検査する装
置が種々提案されている。この種の装置としてＣＣＤや
ＩＴＶカメラを用いて、画像処理により検査する装置
と、レーザ光による検査装置が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、画像処理によ
る検査装置は画像の分解能に限界があり、近年のように
ＩＣが大規模化してリードの数が多くなり、しかも密に
配設されるようになってきているため、高精度の検査が
出来なくなっている。また、端子がモールドの下面に配
設されているタイプのＩＣ（ＢＧＡ）には対応できない
欠点がある。一方、レーザ光によるものはリードの上面
の位置を検出して、そこからリードの厚さを引いてリー
ド下面の位置を算出しているため、リードの厚さのバラ
ツキがそのまま検出精度に悪影響を与え、高精度の検出
ができない問題がある。また前記したＢＧＡの検査を行
う場合には、パッケージを裏返す必要があり、検出精度
が劣る問題があった。更に、被検査部品の端子を浮かせ
た状態で端子の下面位置を測定する技術も提案されてい
るが、この場合端子が浮いた状態であるため、部品を実
際に基板に実装した時の端子の位置が正確に測定できな
い欠点がある。本発明は上記した従来技術の問題点を解
決することを目的とする。
る検査装置は画像の分解能に限界があり、近年のように
ＩＣが大規模化してリードの数が多くなり、しかも密に
配設されるようになってきているため、高精度の検査が
出来なくなっている。また、端子がモールドの下面に配
設されているタイプのＩＣ（ＢＧＡ）には対応できない
欠点がある。一方、レーザ光によるものはリードの上面
の位置を検出して、そこからリードの厚さを引いてリー
ド下面の位置を算出しているため、リードの厚さのバラ
ツキがそのまま検出精度に悪影響を与え、高精度の検出
ができない問題がある。また前記したＢＧＡの検査を行
う場合には、パッケージを裏返す必要があり、検出精度
が劣る問題があった。更に、被検査部品の端子を浮かせ
た状態で端子の下面位置を測定する技術も提案されてい
るが、この場合端子が浮いた状態であるため、部品を実
際に基板に実装した時の端子の位置が正確に測定できな
い欠点がある。本発明は上記した従来技術の問題点を解
決することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段及び作用】上記目的を達成
するために本発明の電子部品の端子検査装置は、被検査
対象である電子部品を載置する光透過体と、該光透過体
の下側から載置された電子部品の端子の下面に光を投射
する手段と、該端子に反射される反射光の基準位置から
の偏差を検出する手段と、該検出する手段からの信号に
より前記電子部品の端子下面の基準位置からの変位を算
出する手段と、を備えたことを特徴とする。被検査電子
部品は光透過体上に載置され、基板などに実装されたの
と同じ状態で検査を受ける。しかも光透過体を介して下
側から端子の下面の位置を直接検出するから、極めて高
精度の端子位置検出が可能である。ＩＣ等の複数の端子
を備えた電子部品を検査する場合には、光を投射する手
段を載置された電子部品の外形状に沿って電子部品と相
対的に移動しつつ、前記光透過体の下側から複数の端子
の下面に順次光を投射させるようにすることが望まし
い。この構成により、被検査対象の位置決めを行う必要
がなくなる。前記変位の算出の際には、前記光透過体に
よる光の屈折を補正して変位を算出することにより高精
度の検査が実現できる。端子の検査は１つの端子に付い
て複数点行うのが望ましく、端子に反射される反射光の
基準位置からの偏差を検出する手段が、端子の複数点に
おける基準位置からの偏差を検出するように構成するこ
とが望ましい。該偏差の検出は種々の方法により実現可
能であるが、端子からの反射光を受光する複数の受光素
子を備え、該受光素子の受光量の分布により基準位置か
らの偏差を検出するように構成することが望ましい。端
子間のピッチは、端子の下面から順次光を投射し、この
投射光が端子に反射する時点と端子間を光が透過する時
点とを検出することにより検出するのが望ましい。反射
光だけから端子ピッチを検出することも可能であるが、
精度の良いピッチ検出のためには端子間透過光を検出す
るのが望ましい。前記透明体は、一般的にはガラスを用
いるが、投射光の波長を透過出来る材質であれば、どの
ようなものも使用可能である。また投射する光はレーザ
光が望ましい。
するために本発明の電子部品の端子検査装置は、被検査
対象である電子部品を載置する光透過体と、該光透過体
の下側から載置された電子部品の端子の下面に光を投射
する手段と、該端子に反射される反射光の基準位置から
の偏差を検出する手段と、該検出する手段からの信号に
より前記電子部品の端子下面の基準位置からの変位を算
出する手段と、を備えたことを特徴とする。被検査電子
部品は光透過体上に載置され、基板などに実装されたの
と同じ状態で検査を受ける。しかも光透過体を介して下
側から端子の下面の位置を直接検出するから、極めて高
精度の端子位置検出が可能である。ＩＣ等の複数の端子
を備えた電子部品を検査する場合には、光を投射する手
段を載置された電子部品の外形状に沿って電子部品と相
対的に移動しつつ、前記光透過体の下側から複数の端子
の下面に順次光を投射させるようにすることが望まし
い。この構成により、被検査対象の位置決めを行う必要
がなくなる。前記変位の算出の際には、前記光透過体に
よる光の屈折を補正して変位を算出することにより高精
度の検査が実現できる。端子の検査は１つの端子に付い
て複数点行うのが望ましく、端子に反射される反射光の
基準位置からの偏差を検出する手段が、端子の複数点に
おける基準位置からの偏差を検出するように構成するこ
とが望ましい。該偏差の検出は種々の方法により実現可
能であるが、端子からの反射光を受光する複数の受光素
子を備え、該受光素子の受光量の分布により基準位置か
らの偏差を検出するように構成することが望ましい。端
子間のピッチは、端子の下面から順次光を投射し、この
投射光が端子に反射する時点と端子間を光が透過する時
点とを検出することにより検出するのが望ましい。反射
光だけから端子ピッチを検出することも可能であるが、
精度の良いピッチ検出のためには端子間透過光を検出す
るのが望ましい。前記透明体は、一般的にはガラスを用
いるが、投射光の波長を透過出来る材質であれば、どの
ようなものも使用可能である。また投射する光はレーザ
光が望ましい。
【０００５】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は本発明による検査装置の一実施例の全体の構
成を示す平面図である。複数のガラスデーブル１が並べ
られており、このガラスデーブル１上に被測定対象ワー
クＷが載置されるようになっている。このガラスデーブ
ル１の下側にセンサユニット２が入り、被測定対象ワー
クＷのリードＬの状態を検査するようになっている。セ
ンサユニット２はＸＹステージ３により移動可能に支持
されており、被測定対象ワークＷの４辺に設けられたリ
ードＬを被測定対象ワークＷの外形に沿って走査しつ
つ、検査を行うようになっている。ＸＹステージ３はモ
ータ４によりｘ−ｙ方向に移動可能になっており、また
その位置をエンコーダ５により検出できるように構成さ
れている。
る。図１は本発明による検査装置の一実施例の全体の構
成を示す平面図である。複数のガラスデーブル１が並べ
られており、このガラスデーブル１上に被測定対象ワー
クＷが載置されるようになっている。このガラスデーブ
ル１の下側にセンサユニット２が入り、被測定対象ワー
クＷのリードＬの状態を検査するようになっている。セ
ンサユニット２はＸＹステージ３により移動可能に支持
されており、被測定対象ワークＷの４辺に設けられたリ
ードＬを被測定対象ワークＷの外形に沿って走査しつ
つ、検査を行うようになっている。ＸＹステージ３はモ
ータ４によりｘ−ｙ方向に移動可能になっており、また
その位置をエンコーダ５により検出できるように構成さ
れている。
【０００６】センサユニット２は図２に示すようにレー
ザ発光部１０とポジションセンサ１２とを備えている。
レーザ発光部１０はガラスデーブル１の下から発光レン
ズ１１を介してレーザ光をリードＬに向けて投射し、ポ
ジションセンサ１２は受光レンズ１３を介してリードＬ
で反射された光を受光するようになっている。ポジショ
ンセンサ１２は受光素子を多数並べたアレイになってお
り、各素子の受光量を検出することにより反射光の偏差
（ズレ）を検出し、これによりリードＬにおける反射位
置の変位を検出するようになっている。この検出原理に
ついては後に詳しく説明する。ガラスデーブル１の上側
には透過光センサ１４が設けられており、受光レンズ１
５を介してリードＬ間を透過する光を受光するようにな
っている。この透過光センサ１４の受光によりリードＬ
のピッチ間隔の検査を行うように構成されている。レー
ザ発光部１０、発光レンズ１１、ポジションセンサ１
２、受光レンズ１３、透過光センサ１４、受光レンズ１
５は前記したようにＸＹステージ３に支持されて移動す
るようになっており、被測定対象ワークＷのリードＬの
配列方向に移動して、リードＬを１本づつ順次検査する
ようになっている。
ザ発光部１０とポジションセンサ１２とを備えている。
レーザ発光部１０はガラスデーブル１の下から発光レン
ズ１１を介してレーザ光をリードＬに向けて投射し、ポ
ジションセンサ１２は受光レンズ１３を介してリードＬ
で反射された光を受光するようになっている。ポジショ
ンセンサ１２は受光素子を多数並べたアレイになってお
り、各素子の受光量を検出することにより反射光の偏差
（ズレ）を検出し、これによりリードＬにおける反射位
置の変位を検出するようになっている。この検出原理に
ついては後に詳しく説明する。ガラスデーブル１の上側
には透過光センサ１４が設けられており、受光レンズ１
５を介してリードＬ間を透過する光を受光するようにな
っている。この透過光センサ１４の受光によりリードＬ
のピッチ間隔の検査を行うように構成されている。レー
ザ発光部１０、発光レンズ１１、ポジションセンサ１
２、受光レンズ１３、透過光センサ１４、受光レンズ１
５は前記したようにＸＹステージ３に支持されて移動す
るようになっており、被測定対象ワークＷのリードＬの
配列方向に移動して、リードＬを１本づつ順次検査する
ようになっている。
【０００７】図３にこの装置の機能ブロック図を示す。
センサユニット２は前記した様にレーザ発光部１０とポ
ジションセンサ１２及び透過光センサ１４を備えてい
る。ポジションセンサ１２の信号は変位量検出器２０に
入力し、ここでリードＬの変位量（浮き）が検出される
ようになっている。一方透過光センサ１４からの信号は
受光量検出器２２に入力され、ここでリードＬのピッチ
に対応した信号が出力されるようになっている。受光量
検出器２２からの信号は、マイクロコンピュータ２８に
より閾値設定器２４で設定された閾値と比較されて、信
号のピーク部分のみが抽出されるようになっている。こ
の信号処理に付いては後に詳説する。この比較器２３か
らの信号はリードＬの幅に対応しており、比較器２３か
らの信号に応じて時分割信号発生器２１から時分割信号
が変位量検出器２０に出力され、変位量検出器２０は該
時分割信号に応じて１つのリードＬに対する多点の変位
量を出力するようになっている。この動作についても後
述する。
センサユニット２は前記した様にレーザ発光部１０とポ
ジションセンサ１２及び透過光センサ１４を備えてい
る。ポジションセンサ１２の信号は変位量検出器２０に
入力し、ここでリードＬの変位量（浮き）が検出される
ようになっている。一方透過光センサ１４からの信号は
受光量検出器２２に入力され、ここでリードＬのピッチ
に対応した信号が出力されるようになっている。受光量
検出器２２からの信号は、マイクロコンピュータ２８に
より閾値設定器２４で設定された閾値と比較されて、信
号のピーク部分のみが抽出されるようになっている。こ
の信号処理に付いては後に詳説する。この比較器２３か
らの信号はリードＬの幅に対応しており、比較器２３か
らの信号に応じて時分割信号発生器２１から時分割信号
が変位量検出器２０に出力され、変位量検出器２０は該
時分割信号に応じて１つのリードＬに対する多点の変位
量を出力するようになっている。この動作についても後
述する。
【０００８】変位量検出器２０および比較器２３からの
出力はＤＭＡ２５により直接メモリ２６に格納されるよ
うになっている。また、エンコーダ５からのセンサユニ
ット２の位置信号もＤＭＡ２５によりメモリ２６に出力
され、個々のリードＬと変位量検出器２０及び比較器２
３からの信号が対応づけられるようになっている。マイ
クロコンピュータ２８はエンコーダ５からの位置信号と
比較器２３からの受光量の変化の信号により、リードＬ
のピッチ間隔を計算して、表示器３０に表示するように
なっている。また、エンコーダ５からの位置信号と変位
量検出器２０からのリードＬの変位量の信号により、ど
のリードＬに大きな変位があるか（浮きがあるか）、表
示器３０に表示するようになっている。なお、マイクロ
コンピュータ２８にはエンコーダ５からの信号が入力イ
ンターフェース２７を介して入力し、この信号に基づい
てモータコントローラ２９を介してＸＹステージ３、モ
ータ４をコントロールするようになっている。
出力はＤＭＡ２５により直接メモリ２６に格納されるよ
うになっている。また、エンコーダ５からのセンサユニ
ット２の位置信号もＤＭＡ２５によりメモリ２６に出力
され、個々のリードＬと変位量検出器２０及び比較器２
３からの信号が対応づけられるようになっている。マイ
クロコンピュータ２８はエンコーダ５からの位置信号と
比較器２３からの受光量の変化の信号により、リードＬ
のピッチ間隔を計算して、表示器３０に表示するように
なっている。また、エンコーダ５からの位置信号と変位
量検出器２０からのリードＬの変位量の信号により、ど
のリードＬに大きな変位があるか（浮きがあるか）、表
示器３０に表示するようになっている。なお、マイクロ
コンピュータ２８にはエンコーダ５からの信号が入力イ
ンターフェース２７を介して入力し、この信号に基づい
てモータコントローラ２９を介してＸＹステージ３、モ
ータ４をコントロールするようになっている。
【０００９】図４乃至図６により、リードＬの変位量の
検出原理を説明する。最初に図４によりガラスデーブル
１がない場合の測定原理を説明する。図４において、ポ
ジションセンサ１２で検出する偏差ｐが０になる位置を
基準として、この時のレーザ発光部１０からのレーザー
光とリードＬにおける反射光とのなす角度をＣとする。
またレーザー光の中心からのびる垂線と反射光が通過す
る受光レンズ１３の位置までの距離をＢとし、ポジショ
ンセンサ１２から受光レンズの中心までの距離をＡとす
る。前記したように偏差ｐ＝０のとき、角度α＝α
（０）＝Ｃであるから、レーザー光の反射位置から基準
位置にあるリードＬまでの距離は、
検出原理を説明する。最初に図４によりガラスデーブル
１がない場合の測定原理を説明する。図４において、ポ
ジションセンサ１２で検出する偏差ｐが０になる位置を
基準として、この時のレーザ発光部１０からのレーザー
光とリードＬにおける反射光とのなす角度をＣとする。
またレーザー光の中心からのびる垂線と反射光が通過す
る受光レンズ１３の位置までの距離をＢとし、ポジショ
ンセンサ１２から受光レンズの中心までの距離をＡとす
る。前記したように偏差ｐ＝０のとき、角度α＝α
（０）＝Ｃであるから、レーザー光の反射位置から基準
位置にあるリードＬまでの距離は、
【数１】 となる。一方基準位置から変位して浮きが生じているリ
ードＬ’においては、ｐ≠０α＝α（ｐ）となり、ｈ
（ｐ）は
ードＬ’においては、ｐ≠０α＝α（ｐ）となり、ｈ
（ｐ）は
【数２】 となる。ここで
【数３】 と表わせるから、
【数４】 となる。式２に式３を代入すると、
【数５】 となる。基準位置ｈ（０）（ｐ＝０）からの変位Ｄ
（ｐ）は
（ｐ）は
【数６】 となる。
【００１０】上記ではガラスの屈折を考慮してないが、
実際はガラスデーブル１のガラスの屈折率の影響で図５
に示すように実際の距離よりｄだけ短く見える。このｄ
は、
実際はガラスデーブル１のガラスの屈折率の影響で図５
に示すように実際の距離よりｄだけ短く見える。このｄ
は、
【数７】 で表わせる。ここでガラスの屈折率ｎは
【数８】 で表わせ、式８にこの式９を代入すると、
【数９】 となる。ここで
【数１０】 ０＜β＜π/2 なので＋符号のみ式１０に式１１を代入
すると、
すると、
【数１１】 がもとまる。
【００１１】次に図６に示すようにガラスデーブル１上
に被測定対象ワークＷを置いた時の変位量（浮き）Ｄｇ
（ｐ）の算出方法を説明する。ガラスデーブル１の上に
あるワークＷ位置を基準として、ガラスの上方向の変位
量をＤｇ（ｐ）とすれば Ｄｇ（ｐ）＝Ｈ（ｐ）−Ｈ（０）・・・・式１３ ここでガラスの屈折率ｎを考慮すれば Ｈ（ｐ）＝ｈ（ｐ）＋ｄ（ｐ）・・・・式１４ Ｈ（０）＝ｈ（０）＋ｄ（０）・・・・式１５ 式１３に式１４と式１５を代入すれば Ｄｇ（ｐ）＝（ｈ（ｐ）−ｈ（０）） ＋ （ｄ（ｐ）−ｄ（０）） ＝Ｄ（ｐ）＋ｄ（ｐ）−ｄ（０）・・・・式１６ ここで式１２を式３によりｄをｐの関数で置き換えると
に被測定対象ワークＷを置いた時の変位量（浮き）Ｄｇ
（ｐ）の算出方法を説明する。ガラスデーブル１の上に
あるワークＷ位置を基準として、ガラスの上方向の変位
量をＤｇ（ｐ）とすれば Ｄｇ（ｐ）＝Ｈ（ｐ）−Ｈ（０）・・・・式１３ ここでガラスの屈折率ｎを考慮すれば Ｈ（ｐ）＝ｈ（ｐ）＋ｄ（ｐ）・・・・式１４ Ｈ（０）＝ｈ（０）＋ｄ（０）・・・・式１５ 式１３に式１４と式１５を代入すれば Ｄｇ（ｐ）＝（ｈ（ｐ）−ｈ（０）） ＋ （ｄ（ｐ）−ｄ（０）） ＝Ｄ（ｐ）＋ｄ（ｐ）−ｄ（０）・・・・式１６ ここで式１２を式３によりｄをｐの関数で置き換えると
【数１２】 となる。この式１７と式５を式１６に代入すれば
【数１３】 としてガラスデーブル１のガラス面からのワークＷのリ
ードＬ下面までの浮き変位量を求めることができる。
ードＬ下面までの浮き変位量を求めることができる。
【００１２】以上の算出方法を用いることにより、変位
量検出器２２はリードＬの変位量（浮き）を正確に求め
ることが可能になる。この変位量は実際に被測定対象ワ
ークＷを載置した状態の変位量であるから、被測定対象
ワークＷを基板などに装着した状態と同じ状態の変位量
であり、実際的な変位量である。また、ガラスデーブル
１による屈折率を補正しているから、高精度の値が得ら
れる。
量検出器２２はリードＬの変位量（浮き）を正確に求め
ることが可能になる。この変位量は実際に被測定対象ワ
ークＷを載置した状態の変位量であるから、被測定対象
ワークＷを基板などに装着した状態と同じ状態の変位量
であり、実際的な変位量である。また、ガラスデーブル
１による屈折率を補正しているから、高精度の値が得ら
れる。
【００１３】図７は受光量検出器２２の受光量の変化を
示すもので、この実施例では上記したように閾値設定器
２４により閾値を設定し、（Ｂ）に示すように閾値以上
の信号を抽出するようにしている。そして、この立ち上
がりと立ち下がりによりリードＬの幅を検出するように
している。更にこのリードＬの幅の間を時分割信号発生
器２１により所定数で時分割し、該時分割点で、上記し
たリードＬの変位量の検出を行うようにしている。この
ように時分割点で変位量を検出することにより、リード
Ｌに付着した異物等による検出誤差を効果的に排除で
き、更に検出精度を向上できる効果がある。
示すもので、この実施例では上記したように閾値設定器
２４により閾値を設定し、（Ｂ）に示すように閾値以上
の信号を抽出するようにしている。そして、この立ち上
がりと立ち下がりによりリードＬの幅を検出するように
している。更にこのリードＬの幅の間を時分割信号発生
器２１により所定数で時分割し、該時分割点で、上記し
たリードＬの変位量の検出を行うようにしている。この
ように時分割点で変位量を検出することにより、リード
Ｌに付着した異物等による検出誤差を効果的に排除で
き、更に検出精度を向上できる効果がある。
【００１４】以上説明した実施例によれば、被測定対象
ワークＷをガラスデーブル１上に載せた状態で、リード
Ｌの浮きとピッチを測定できるから、被測定対象ワーク
Ｗを基板などに実際にマウントした状態に極めて近い状
態での浮きとピッチの測定が可能になる。またガラスデ
ーブル１の屈折率を補正しているため、精度の高い測定
が可能である。更に１つのリードＬを時分割点で複数回
測定するため、誤差のない測定が可能になる。また、セ
ンサユニット２をＸＹステージ３によりｘ−ｙ方向に自
由に走査させることができるから、ガラスデーブル１の
被測定対象ワークＷの位置を厳密に調整する必要がな
く、被測定対象ワークＷに沿ってセンサユニット２を走
査させることが可能になる。
ワークＷをガラスデーブル１上に載せた状態で、リード
Ｌの浮きとピッチを測定できるから、被測定対象ワーク
Ｗを基板などに実際にマウントした状態に極めて近い状
態での浮きとピッチの測定が可能になる。またガラスデ
ーブル１の屈折率を補正しているため、精度の高い測定
が可能である。更に１つのリードＬを時分割点で複数回
測定するため、誤差のない測定が可能になる。また、セ
ンサユニット２をＸＹステージ３によりｘ−ｙ方向に自
由に走査させることができるから、ガラスデーブル１の
被測定対象ワークＷの位置を厳密に調整する必要がな
く、被測定対象ワークＷに沿ってセンサユニット２を走
査させることが可能になる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の電子部品の
端子検査装置は、電子部品を実際に基板などに装着した
状態に極めて近い状態で端子の検査を行えるため、正確
な端子検査を行える効果がある。
端子検査装置は、電子部品を実際に基板などに装着した
状態に極めて近い状態で端子の検査を行えるため、正確
な端子検査を行える効果がある。
【図１】本発明の一実施例の全体の構成を示す平面図。
【図２】本発明の一実施例におけるセンサユニット２部
の拡大図。
の拡大図。
【図３】本発明の一実施例を示す機能ブロック図。
【図４】本発明の一実施例における変位量の算出方法を
示す説明図。
示す説明図。
【図５】本発明の一実施例における変位量の算出方法を
示す説明図。
示す説明図。
【図６】本発明の一実施例における変位量の算出方法を
示す説明図。
示す説明図。
【図７】本発明の一実施例におけるピッチの検出方法を
示す説明図。
示す説明図。
１：ガラスデーブル、２：センサユニット、３：ＸＹス
テージ、４：モータ、５：エンコーダ、１０：レーザ発
光部、１１：発光レンズ、１２：ポジションセンサ、１
３：受光レンズ、１４：透過光センサ、１５：受光レン
ズ、２０：変位量検出器、２１：時分割信号発生器、２
２：受光量検出器、２３：比較器、２４：閾値設定器、
２５：ＤＭＡ、２６：メモリ、２７：入力インターフェ
ース、２８：マイクロコンピュータ、２９：モータコン
トローラ、３０：表示器。
テージ、４：モータ、５：エンコーダ、１０：レーザ発
光部、１１：発光レンズ、１２：ポジションセンサ、１
３：受光レンズ、１４：透過光センサ、１５：受光レン
ズ、２０：変位量検出器、２１：時分割信号発生器、２
２：受光量検出器、２３：比較器、２４：閾値設定器、
２５：ＤＭＡ、２６：メモリ、２７：入力インターフェ
ース、２８：マイクロコンピュータ、２９：モータコン
トローラ、３０：表示器。
Claims (10)
- 【請求項１】 被検査対象である電子部品を載置する光
透過体と、 該光透過体の下側から載置された電子部品の端子の下面
に光を投射する手段と、 該端子に反射される反射光の基準位置からの偏差を検出
する手段と、 該検出する手段からの信号により前記電子部品の端子下
面の基準位置からの変位を算出する手段と、 を備えたことを特徴とする電子部品の端子検査装置。 - 【請求項２】 複数の端子を備えた電子部品を載置する
光透過体と、 載置された電子部品の外形状に沿って電子部品と相対的
に移動しつつ、前記光透過体の下側から複数の端子の下
面に順次光を投射する手段と、 該端子に反射される反射光の基準位置からの偏差を検出
する手段と、 該検出する手段からの信号により前記電子部品の端子下
面の基準位置からの変位を算出する手段と、 を備えたことを特徴とする電子部品の端子検査装置。 - 【請求項３】 前記算出する手段が、前記光透過体によ
る光の屈折を補正して変位を算出する、 請求項１又は２に記載の電子部品の端子検査装置。 - 【請求項４】 前記電子部品が、その外形状に沿って複
数の端子を有し、該端子により基板上に載置されて装着
される、 請求項１又は２に記載の電子部品の端子検査装置。 - 【請求項５】 前記端子に反射される反射光の基準位置
からの偏差を検出する手段が、端子の複数点における基
準位置からの偏差を検出する、 請求項１又は２に記載の電子部品の端子検査装置。 - 【請求項６】 前記端子に反射される反射光の基準位置
からの偏差を検出する手段が、反射光を受光する複数の
受光素子を備え、該受光素子の受光量の分布により基準
位置からの偏差を検出する、 請求項１又は２に記載の電子部品の端子検査装置。 - 【請求項７】 前記電子部品が集積回路である、 請求項１又は２に記載の電子部品の端子検査装置。
- 【請求項８】 前記透明体がガラス板である、 請求項１又は２に記載の電子部品の端子検査装置。
- 【請求項９】 複数の端子を備えた電子部品を載置する
光透過体と、 載置された電子部品の外形状に沿って電子部品と相対的
に移動しつつ、前記光透過体の下側から複数の端子の下
面に順次光を投射する手段と、 該端子に光が反射する時点と該端子間を光が透過する時
点とを検出する手段と、 該検出する手段からの信号により端子間のピッチを検出
する手段と、 を備えたことを特徴とする電子部品の端子検査装置。 - 【請求項１０】 前記光を投射する手段がレーザ光を投
射する、 請求項１又は２又は９に記載の電子部品の端子検査装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7080879A JPH08247735A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 電子部品の端子検査装置 |
| TW084104279A TW260749B (en) | 1995-03-14 | 1995-04-29 | Electronic component terminals inspection apparatus |
| KR1019950016807A KR960035040A (ko) | 1995-03-14 | 1995-06-22 | 전자부품의 단자 검사장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7080879A JPH08247735A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 電子部品の端子検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08247735A true JPH08247735A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=13730634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7080879A Pending JPH08247735A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 電子部品の端子検査装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08247735A (ja) |
| KR (1) | KR960035040A (ja) |
| TW (1) | TW260749B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010276485A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Iwate Univ | レーザ計測装置を用いて被計測物を複数方向から同時計測するシステム |
| JP2011007710A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Nikke Kikai Seisakusho:Kk | 検査装置、検査方法および検査プログラム |
-
1995
- 1995-03-14 JP JP7080879A patent/JPH08247735A/ja active Pending
- 1995-04-29 TW TW084104279A patent/TW260749B/zh active
- 1995-06-22 KR KR1019950016807A patent/KR960035040A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010276485A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Iwate Univ | レーザ計測装置を用いて被計測物を複数方向から同時計測するシステム |
| JP2011007710A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Nikke Kikai Seisakusho:Kk | 検査装置、検査方法および検査プログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960035040A (ko) | 1996-10-24 |
| TW260749B (en) | 1995-10-21 |
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