JPH08233747A - 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェハ基板上に形成されたパターンの異常、
欠陥の存在などを検知する際に、複数の手段によって正
確な欠陥の情報を得られる欠陥検査装置とその検査方法
を得る。 【構成】 投光器によって照射された光は多機能ミラー
に取り込まれ、この多機能ミラーの第一の機能によって
入射光は多機能ミラーを透過し、被検査物に垂直に照射
される。また、多機能ミラーの第二の機能によって、入
射光は所定位置に向かって反射し、反射板等を介して反
射光を被検査物に対して斜め方向から照射する。このよ
うに異なった２方向から光を照射することによって正反
射像及び散乱像をそれぞれ同一の装置において検出する
ことができる。これら正反射像及び散乱像から得られる
情報を合成し、精度の高い欠陥検査を行うことが可能と
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ウェハ基板若しくは
ウェハ基板上に形成された半導体装置等の欠陥を検出す
る欠陥検査装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を形成する際に、半導体基板
であるウェハ基板（シリコン基板）に付着している種々
の異物の存在は、そのウェハ基板上に配線等のパターン
を形成する際に、パターン欠陥、配線間短絡、断線等を
引き起こす原因となる。従って、種々の異物を早期発見
し、除去すること、若しくは欠陥発生工程を特定し、欠
陥発生を抑制するために対策を打ち管理する必要があ
る。そのために、種々の異物を発見する手段として欠陥
検査装置がある。

【０００３】例えば、図６は、一般に用いられている欠
陥検査装置（ＫＬＡ社−２３１０）の概念図であり、図
において、１は被検査物の平面部に対して垂直に光を照
射する投光器、２ａ、２ｂは入射する光を平行光に変化
させるレンズ、３はミラーの一種であり、平板からなる
ものであり、その一面は入射する光を透過させ、裏面は
入射する光を反射させる特徴を持っている。４ａ、４
ｂ、４ｃは入射する光を平行光から集束光に変化させる
レンズ、５は被検査物であるウェハ基板６を設置するス
テージ、７は光を被検査物に照射することで得られた反
射像を検知するイメージセンサ、８は上記イメージセン
サ７によって検知された情報を計算処理する計算機部、
９は上記計算機部によって得た計算結果を記憶するメモ
リー部をそれぞれ示している。

【０００４】次に、この従来の欠陥検査装置によって一
つの反射像を得る方法について述べる。まず、欠陥検査
装置の位置調整可能なステージ５に被検査物であるウェ
ハ基板６をセットする。次に、投光器１から光を照射
し、ミラー３を介してその透過光をレンズ４ａに入射さ
せて、この入射光を集束させることでウェハ基板６の検
査位置６ａに垂直光を照射する。次に、検査位置６ａに
光を照射することによって得られた反射像をミラー３の
裏面において反射させ、反射像をレンズ４ｂ、２ｂ、４
ｃを順次介することによって最終的に反射像をイメージ
センサ７に取り込む。イメージセンサ７において上記反
射像を画像として読み取り、この情報を計算機部８を介
してメモリー部９に記憶する。以上が一つの反射像を得
るために必要な工程であり、以降この一連の工程を反射
像の受像工程として略記することにする。

【０００５】この従来の技術に示した欠陥検査装置を用
いて被検査物に対して垂直光を照射した場合、理想的な
パターンが形成されており、被検査物に全く欠陥がない
場合は垂直光のほとんどが正反射し、反射像の画像は明
るくなる。一方、異物や断線等の欠陥が存在する場合
は、異物若しくは断線が存在する箇所において垂直光が
散乱して、この反射像の画像は暗いものとなる。従っ
て、この反射像の受像工程において、投光器１から照射
された光は被検査物の検査位置上に存在する種々の異物
により散乱若しくは干渉し、検知される反射像には明暗
が生じる。従って、これらの明暗の情報を含む反射像に
基づいて欠陥が存在するかどうかを検査することが可能
となる。

【０００６】次に、上記のような欠陥検査装置を用いて
行うことが可能な欠陥検査方法の一例について説明す
る。まず、同一ウェハ基板６上に形成された任意の検査
位置において上記反射像の受像工程を行い、この反射像
の明暗を２値化し、この情報を記憶する。次に、任意の
検査位置と同一パターンが存在する別の位置を同様に受
像工程によって検査を行い、別の反射像の明暗に基づい
て２値化した画像情報を得、この情報を記憶する。次
に、得られた反射像に基づく両者の画像を比較する。こ
の画像に差が認められた場合、欠陥が抽出されたことに
なる。また、同一ウェハ基板６上の同一パターンが形成
された別の検査位置においても受像工程によって検査を
行い、先に検査済みの任意の検査位置、若しくは別の位
置から得た画像との比較を行い、非合致部分が存在し、
差があれば欠陥が抽出されたとし、差がなければ欠陥が
なかったと見なす。これを繰り返すことによって被検査
領域の欠陥検査を行うものである。

【０００７】また、上記欠陥検査の画像の明暗から２値
化した情報を得るには、例えばイメージセンサ７にＣＣ
Ｄ（CHARGE COUPLED DEVICE）カメラを用いる方法があ
る。このＣＣＤカメラの１画素毎に比較する領域の各々
の対応するパターンの明暗の濃度を調べ、このときの濃
淡を２５６段階に識別し、階調差があるしきい値を越え
ているかどうかで２値化した情報を得、これを比較する
ことで２つの画像に差があった場合に欠陥が生じている
と判断する方法がある（この欠陥検査方法については特
開平３−４８１４１に記載されている）。この方法を用
いた場合、１画素毎に微小な欠陥が生じていた場合に、
１画素内で濃淡が平均化される。従って、１画素の面積
よりも微小な欠陥を検出することが難しい場合があり、
またバックグランドの色調等の影響によって感度が悪く
なり正確な検出ができなくなる場合があった。また、ウ
ェハ基板６をシリコンインゴットからスライスして形成
する段階において、既に均一な厚さのウェハ基板でなか
った場合、若しくはウェハ基板の反り、またはパターン
形成において積層膜の厚さの相違が生じた場合にウェハ
基板の表面に見られる色ムラが存在する場合に、実際に
は欠陥がなくても欠陥があるものとして誤検出される等
の問題があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来の欠陥検査装置及
び欠陥検査方法は以上のように構成されていたので、欠
陥の有無が誤検出される、または欠陥の形状について詳
しい情報が得られない等の問題があった。

【０００９】この発明は上記のような問題を解消するた
めになされたものであり、正確に異物を検出できるとと
もに、従来では発見できなかった微小な欠陥をも検出で
きる欠陥検査装置を得ることを目的としており、さらに
この装置に適した欠陥検査方法を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この発明に係る欠陥検査
装置は、投光器によって投光された光を透過させ、被検
査物の所定位置に透過光を照射し、被検査物上で照射し
た光を受け、一定方向に反射させる第一の機能と、投光
された光を反射させ、被検査物の所定位置に反射光を照
射し、被検査物上で反射した反射像を受け、一定方向に
反射させる第二の機能を持つ多機能ミラーを設けたもの
である。

【００１１】また、この発明に係る欠陥検査装置は、多
機能ミラーの第一の機能により透過した光は被検査物に
対して垂直に照射されるように設定され、多機能ミラー
の第二の機能によって反射した光は被検査物に対して斜
め方向から照射されるように設定されたものである。

【００１２】この発明に係る欠陥検査方法は、投光器に
よって投光された光を多機能ミラーを透過させて被検査
物の所定位置に照射し、反射像を得る工程と、投光器に
よって投光された光を多機能ミラーにおいて反射させ、
この反射光を一定の経路を経て被検査物の所定位置に照
射し、他の反射像を得る工程を含むものとする。

【００１３】また、この発明に係る欠陥検査方法は、光
を被検査物に対して垂直に照射して得られた正反射像
と、光を被検査物に対して斜め方向から照射して得られ
た散乱像を得る工程を含むものとする。

【００１４】

【作用】この発明に係る欠陥検査装置は、第一の機能と
第二の機能を持つ多機能ミラーを構成要素とすることに
より、二つの異なった経路から被検査物に光を照射して
それぞれの反射像を得、これらの反射像の情報を計算処
理することによって欠陥検査結果を得るものである。

【００１５】また、この発明に係る欠陥検査装置は、光
を被検査物に対して垂直に照射することによって正反射
像を得、光を被検査物に対して斜め方向から照射するこ
とによって散乱像を得、これらの二つの反射像の情報を
計算処理することによって欠陥検査結果を得るものであ
る。

【００１６】この発明に係る欠陥検査方法は、第一の機
能と第二の機能を持つ多機能ミラーを構成要素とするこ
とにより、二つの異なった経路から被検査物に光を照射
してそれぞれの反射像を得、これらの反射像の情報を計
算処理することによって欠陥検査結果を得るというもの
である。

【００１７】また、この発明に係る欠陥検査方法は、光
を被検査物に対して垂直に照射することによって正反射
像を得、光を被検査物に対して斜め方向から照射するこ
とによって散乱像を得、これらの像の情報を計算処理す
ることによって欠陥検査結果を得るというものである。

【００１８】

【実施例】

実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、１０は多機能ミラーであり、この
多機能ミラー１０はその内部に、平面体の一面に入射す
る光を透過させ、さらにその裏面において入射する光を
反射させることが可能な第一のミラーと、平面体の両面
において入射する光を反射させることが可能な第二のミ
ラーと、これら第一、第二のミラーの平面部に投光器１
から照射される光が照射されるように、ミラーの位置を
調節するミラー制御部を持っている。また、１１は多機
能ミラー１０の一面において反射された光をさらに反射
させ、この反射させた光を被検査位置に照射させる反射
板、１２は反射板１１と被検査位置を結ぶ直線上に設け
られ、光を平行光から集束光に変化させるレンズであ
る。その他、従来の技術の説明に用いた図と同一符号は
同一、若しくは相当部分を示すものである。

【００１９】次に、この発明による欠陥検査装置の特徴
について説明する。この欠陥検査装置では投光器１から
被検査物であるウェハ基板６に対して、垂直光を照射す
ることができ、さらに、従来の欠陥検査装置（図６）内
のミラー３を上記のように、２種類の異なる機能（第
一、第二のミラー）を持つ多機能ミラー１０に置き換
え、反射板１１、レンズ１２を加えることによって、ウ
ェハ基板６に対して斜め方向からの光の照射を行うこと
が可能な構造となっている。このような構造を取ること
によって、垂直光による正反射像だけでなく、斜め方向
からの光による散乱像を検出することができ、より正確
な欠陥検査が行えるというものである。

【００２０】まず、上記のような欠陥検査装置の垂直光
による第一の受像工程について図２を用いて説明する。
ハロゲンランプ等からなる投光器（光源）１から照射さ
れた光は、レンズ２ａを通過することによって平行光に
変化する。この平行光は多機能ミラー１０に取り込ま
れ、ミラー制御部によってミラーの位置を調整されてい
る第一のミラーの一面に入射する（光路１３）。この第
一のミラーの一面は入射した光を透過し、裏面に入射す
る光を反射するという特性を持っているため、一面に入
射した光は、この第一のミラーを透過し、これらレンズ
２ａ及び多機能ミラー１０と同様に、投光器１とウェハ
基板６上の被検査位置を結ぶ直線上に設置されたレンズ
４ａを介することによって平行光を収束させ、被検査位
置に照射する。これによって被検査物の垂直光による正
反射像が得られる。

【００２１】この正反射像は、従来の技術において示し
た場合と同様に、多機能ミラー１０内の第一のミラーの
裏面において反射し（光路１４）、レンズ４ｂ、２ｂ、
４ｃを順次介してイメージセンサ７に画像として取り込
まれる（光路１５）。さらに、この画像は計算機部８に
おいて明暗に基づいて区別するものであり、若しくは濃
淡の階調差によって区別することで２値化した画像情報
とし、この情報をメモリー部９に記憶する。これらの処
理を行うことで垂直光による情報を検知できる。以降、
これを第一の受像工程とする。この第一の受像工程で
は、多機能ミラー１０の構成要素である第一のミラー
は、その一面は入射した光を透過し、裏面に入射する光
を反射するという特性を持つものとして記載したが、こ
の第一のミラーにハーフミラーを用いている場合は、一
面に入射する光の一部が透過、一部が反射するため、こ
こで反射した光を遮る必要があり、この対策として、例
えば多機能ミラー１０と反射板１１との間に遮光板を介
在させることが考えられる。

【００２２】次に、同欠陥検査装置の斜方投射光による
第二の受像工程について図３を用いて説明する。上記第
一の受像工程を行う場合と同様に投光器（ハロゲンラン
プ）１から照射された光は、レンズ２ａを介することに
よって平行光に変化する。この平行光は多機能ミラー１
０に入射して、多機能ミラー１０内のミラー制御部によ
ってミラーの位置を調整されており、両平面が反射板
（ミラー）で構成されている第二のミラーの一面に入射
する（光路１３）。この第二のミラーの一面において平
行光は、所定の角度に反射し、この反射した光を反射板
１１によって再び反射させることによって第一の受像工
程において被検査位置としていた位置に、斜め方向から
光を照射する。この斜方投射光は被検査物の凹凸のため
に散乱して、その散乱光の一部が多機能ミラー１０の裏
面に照射され、多機能ミラー１０の裏面においてこの散
乱光をイメージセンサ７の方向に、さらに反射させる
（光路１６）。この反射光はレンズ４ｂ、２ｂ、４ｃを
介してイメージセンサ７に画像として取り込まれる（光
路１５）。その後の処理については、第一の受像工程と
同様に行い、これによって得られた２値化した情報をメ
モリー部９に記憶させておく。このように斜方投射光に
よる情報を得る工程を以下、第二の受像工程と略するこ
とにする。

【００２３】この斜方投射光による情報からは、ウェハ
基板６上に形成されたパターンのエッジ部分、等の凹凸
が顕著に表れている部分、つまりパターンの輪郭と平面
的な部分とを識別することが可能である。また、検査領
域中に突起等の異物がある場合や、形成されたパターン
の膨れ、細り等はこの斜方投射光によってパターンの輪
郭を見ることによって正確に検知することができる。一
方、この第二の受像工程による検査では先述の垂直光に
よる第一の受像工程で認識できたウェハ基板６の表面に
存在している下地となっている薄膜の微妙な膜厚差によ
る色ムラ等を異物等の欠陥として認識することはない。

【００２４】次に、上記のような第一、第二の受像工程
をどのように繰り返すか、また得られた情報を比較検討
する方法について図４を用いて説明する。図４において
１７ないし１９は、それぞれ上記第一の受像工程によっ
て得られた正反射像であり、また２０ないし２２は、そ
れぞれ上記第二の受像工程によって得られた散乱像を示
したものである。これらの像は１７と２０、１８と２
１、１９と２２はそれぞれ全く同じ被検査位置を異なる
検査方法によって検査した結果の像である。また全ての
被検査位置に形成されたパターン（配線等の線状のパタ
ーン）２４ａ、２４ｂは、いずれも同じ形状のパターン
（突起状異物２５ａ、２５ｂは意図的に形成したパター
ンではない。）である。また、符号２３はウェハ基板表
面、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅ、２４ｆは散乱像を検出し
た際に検出されるパターン端部を示す像、２５ａ、２５
ｂ、２５はパターン２４ａからはみ出して形成された突
起状異物、２６はシミ（ウェット工程後に水分が残った
場合にウェハ基板表面２３上に生じる酸化膜等の不純物
であり本明細書中ではこれをシミという表現を用いて表
す、２７はパターン２４ｂ上に存在する微小突起物）、
２８ないし３４で示した図面は受像した１７ないし２２
の像を計算処理して得られる画像である。

【００２５】次に、受像の順序及び計算処理方法につい
て述べる。まず、第一の受像工程によって正反射像１７
を検査し、次に、同じ検査位置において、欠陥検査装置
内の多機能ミラー１０のミラー制御部において調整する
ことによって第一のミラーと第二のミラーを切り換え、
第二の受像工程によって散乱像２０を得る。この第一、
第二の受像工程を被検査位置を移動して繰り返し、順次
１８、２１の画像を得る（ここで画像１８、２１には欠
陥が存在しないと仮定する）。画像１７、１８を得た時
点で、計算機部８において上記画像１７、１８の情報を
メモリー部９から読み出し、二つの像を比較し、２値化
した情報が合致していない部分を検出し、正反射像差画
像２８を得、この場合は正反射像１７に見られた非合致
部分である突起状異物２５ａとシミ２６を欠陥として認
識し、この情報をメモリー部９に記憶させる。また、同
様に散乱像２０、２１についても画像比較を行い、被合
致部分である突起状異物２５ｂと微小突起物２７を欠陥
として認識し、この情報（散乱差画像３０）をメモリー
部９に記憶させる。

【００２６】次に、さらに別の被検査位置において第一
の受像工程によって正反射像１９を得、同被検査位置に
おいて第二の受像工程において散乱像２２を得る。ここ
で計算機部８において上記画像１８、１９の情報をメモ
リー部９から読み出し、二つの像を比較し、２値化した
情報が合致していない部分を検出し、正反射像差画像２
９を得、この場合は画像１８、１９が正確に合致するた
め非合致部分を全く持たない正反射差画像２９が得ら
れ、この情報をメモリー部９に記憶させる。また、同様
に散乱像２１、２２についても画像比較を行い、散乱差
画像３１を得、この情報をメモリー部９に記憶させる。

【００２７】その後、上記画像２８、２９の情報をメモ
リー部９から読み出し、二つの像を比較し、非合致部分
を検出し、正反射像の最終的な差画像３２を得る。次
に、散乱像についても同様に画像３０、３１から散乱像
の最終的な差画像３３を得る。これらの正反射像と散乱
像の最終的な差画像３２、３３を合成し、正反射像及び
散乱像から得られた異物、欠陥情報を一つの画像情報３
４（合成画像）としてまとめる。このように、情報３４
（合成画像）を得ることによって、被検査物に対して垂
直に光を照射して得た情報だけでは見落としてしまって
いたような微小な欠陥を正確に検出し、また、パターン
が形成されたウェハ基板６の表面の色ムラによる誤検出
を抑制することができる。また、この実施例においては
検査位置を３カ所として欠陥検査方法を示したが、２カ
所以上の位置を被検査位置として検査を行うことによっ
て、この欠陥検査装置の性能を生かした欠陥検査が可能
になると考えられる。

【００２８】実施例２．実施例１ではウェハ基板６上に
形成したパターンに突起物や水分が残ったために形成さ
れる薄いシリコン酸化膜を欠陥として検出するものであ
った。本実施例では、パターンの突起物（水平方向にパ
ターンからはみ出して形成された部分）は欠陥として検
出し、正反射像を得る際に検出され、配線等のパターン
を目視した場合などに見られる、膜厚の微妙な差、若し
くはウェハ基板６の厚さの微妙な差若しくは反り等に起
因する色調の変化や、散乱像を得る際に検出され、配線
の端部（エッジ）の微妙な曲がりによるパターンのゆが
みを欠陥として検出しない欠陥検査方法を示す。

【００２９】この実施例を図５を用いて説明する。図５
において、３６、３７、３８は正反射像。９、４０、４
１は散乱像、４２はパターン２４ａ、２４ｂ内部に見ら
れる色ムラ、４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄは散乱像
によって得られるパターンの端部、４４、４５は正反射
像差画像、４６、４７は散乱像差画像、４８はパターン
の端部の非共通部分、４９は最終的な正反射差画像、５
０は最終的な散乱差画像、５１は合成画像をそれぞれ示
している。

【００３０】この実施例において、正反射像及び散乱像
を得る方法は上記実施例１の第一の受像工程及び第二の
受像工程と全く同様の方法を用いる。まず、一つの被検
査位置において第一の受像工程を用いて正反射像３６を
得、次に第二の受像工程を用いて散乱像３９を得る。こ
れを繰り返し、順次正反射像３７、散乱像４０を得る。
この時点で上記正反射像３６、３７の画像情報をメモリ
ー部から読み出し、両者の２値化した画像情報が合致し
ていない部分を差画像４４とし、この情報をメモリー部
９に記憶させる。また、同様に、上記散乱像３９、４０
の画像情報をメモリー部から読み出し、両者の２値化し
た画像情報が合致していない部分を差画像４６とし、こ
の画像情報をメモリー部９に記憶させる。次に、正反射
像３８、散乱像４１を得、実施例１で示した場合と同様
にそれぞれ差画像４５、４８を得、この画像情報をメモ
リー部９に記憶させる。

【００３１】その後、正反射像の差画像４４、４５の非
共通部分を読み出した差画像（最終的な正反射差画像）
４９を得、次に同様に散乱像の差画像４６、４７の非共
通部分を読み出した差画像（最終的な散乱差画像）５０
を得る。次に、上記最終的な正反射差画像４９と最終的
な散乱差画像５０の画像情報をメモリー部９から読み出
し、計算機部８において、二つの画像の共通部分を取り
出し、合成画像５１を得る処理を行う。この合成画像５
１により、最終的な正反射差画像４９と最終的な散乱差
画像５０に共通に示されていた２５ａ、２５ｂは突起状
欠陥２５として検出でき、上記差画像４９、５０に示さ
れていた色ムラ４２やパターンの端部の非共通部分４８
等の製品の品質に影響を及ぼさない欠陥は検出すること
なく、これら色ムラ４２及びパターンの端部の非共通部
分４８に起因する欠陥はないものと見なした欠陥検査結
果が得られる。

【００３２】従来の技術では、正反射像のみ、若しくは
散乱像のみから検出した差画像だけでは、実際には欠陥
となり得ないものについても欠陥として検出することが
あったが、この欠陥検査装置及び欠陥検査方法を用いる
と、正反射像と散乱像のいずれにも共通して検出される
明らかに欠陥と見なすことができる実質的な欠陥のみを
最終的に検出することができる。 このように、検出し
たい欠陥の種類に応じて画像情報の計算処理方法を変え
ることで所望の情報（合成画像）を得ることが可能であ
る。また、この実施例においては検査位置を３カ所とし
て欠陥検査方法を示したが、２カ所以上の位置を被検査
位置として検査を行うことによって、この欠陥検査装置
の性能を生かした欠陥検査が可能になると考えられる。

【００３３】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、欠陥
検査装置に多機能ミラーを付加した構造としたので、装
置の価格をほとんど上昇させることなく、精度の高い欠
陥検査を行うことが可能な装置を得ることができる効果
がある。

【００３４】また、この発明によれば、多機能ミラーを
付加した構造とした欠陥検査装置に適しており、必要と
する欠陥情報に応じた欠陥検査方法を得ることが可能で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の一実施例による欠陥検査装置を示
す概要図である。

【図２】 この発明の一実施例による欠陥検査装置の使
用方法を示す図である。

【図３】 この発明の一実施例による欠陥検査装置の使
用方法を示す図である。

【図４】 この発明の一実施例による欠陥検査方法の説
明に必要な図である。

【図５】 この発明の一実施例による欠陥検査方法の説
明に必要な図である。

【図６】 従来の技術による欠陥検査装置を示す概要図
である。

【符号の説明】

１．投光器、 ２ａ、２ｂ、４ａ、４ｂ、４ｃ、１
２．レンズ ３．ミラー、 ５．ステージ、 ６．ウェハ基板、
７．イメージセンサ ８．計算機部、 ９．メモリー部、 １０．多機能ミラ
ー、 １１．反射板 １３、１４、１５、１６．光路 １７、１８、１９、３６、３７、３８．正反射像 ２０、２１、２２、３９、４０、４１．散乱像、 ２
３．ウェハ基板表面 ２４ａ、２４ｂ．パターン ２４ｃ、２４ｄ、２４ｅ、２４ｆ．パターン端部 ２５ａ、２５ｂ、２５ｃ．突起状異物、 ２６．シミ、
２７．微小突起物 ２８、２９、４４、４５．正反射差画像 ３０、３１、４６、４７．散乱差画像 ４３ａ、４３ｂ、４３ｃ、４３ｄ．パターン端部 ３２、４９．最終的な正反射差画像、 ３３、５０．最
終的な散乱差画像 ３４、５１．合成画像

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被検査物に対して光を投光する投光器
   部、上記投光器部によって投光された光を透過させ、被
   検査物の所定位置に透過光を照射し、被検査物上で反射
   した反射像を受け、一定方向に反射させる第一の機能
   と、上記投光器部によって投光された光を反射させ、被
   検査物の所定位置に反射光を照射し、被検査物上で反射
   した反射像を受け、一定方向に反射させる第二の機能を
   持つ多機能ミラー、上記多機能ミラーによって一定方向
   に反射された反射像を検知するイメージセンサ、上記イ
   メージセンサにおいて検知した反射像を情報として取り
   込んで計算処理を行う計算機部、上記計算機部の情報を
   記憶するメモリー部を備えたことを特徴とする欠陥検査
   装置。
2. 【請求項２】 投光器は被検査物に対して垂直線上に設
   置し、多機能ミラーにおいて透過した光が被検査物に対
   して垂直に照射され、多機能ミラーにおいて反射した光
   が被検査物に対して斜め方向から照射されることを特徴
   とする請求項１記載の欠陥検査装置。
3. 【請求項３】 投光器から光を投光する第一の工程、第
   一の工程において投光された光を多機能ミラーを透過さ
   せて被検査物の所定位置に照射し、反射像を得る第二の
   工程、第一の工程において照射された光を多機能ミラー
   において反射させ、この反射光を一定の経路を経て被検
   査物の所定位置に照射し、他の反射像を得る第三の工
   程、第二の工程において得られた反射像を検知する第四
   の工程、第三の工程において得られた反射像を検知する
   第五の工程、第四の工程によって検知した複数の反射像
   を比較し、差を示した第一の画像情報を検出する第六の
   工程、第五の工程によって検知した複数の反射像を比較
   し、差を示した第二の画像情報を検出する第七の工程、
   第六、第七の工程によって得られた第一、第二の画像情
   報を合成し第三の画像情報を得る第八の工程、第八の工
   程によって得られた第三の画像情報を記憶する第九の工
   程を含むことを特徴とする欠陥検査方法。
4. 【請求項４】 第二の工程によって得られた反射像は、
   光を被検査物に対して垂直に照射して得られた正反射像
   であり、第三の工程によって得られた反射像は光を被検
   査物に対して斜め方向から照射して得られた散乱像であ
   ることを特徴とする請求項３記載の欠陥検査方法。