JP2003139523A - 表面欠陥検出方法および表面欠陥検出装置 - Google Patents
表面欠陥検出方法および表面欠陥検出装置Info
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Abstract
立体的な面あるいは複数の異なる性状の面からなる検査
対象物の面の微少凹凸状欠陥を検出することを目的とす
る。 【解決手段】 拡散光光源によって検査対象物の鏡面状
表面を照明し、検査対象物の鏡面状表面の画像をテレセ
ントリック光学系とリニアセンサアレイで構成された複
数の撮像手段により撮像し、このリニアセンサアレイか
ら出力される信号の明暗度から鏡面状検査対象物表面の
微少凹凸欠陥を検出する。 【効果】 立体的な形状の撮像対象であってもすべて
の検査対象面の微少凹凸を確実に検出することが可能と
なり、シリコンウエハなどのエッジ部のように立体的な
面あるいは不定形の面の微少凹凸状欠陥を検出するのに
用いることができる。
Description
エッジ部の微少凹凸状の欠陥およびその他の鏡面板の上
にある微少凹凸状の欠陥を検出することができる表面欠
陥検出方法および表面欠陥検出装置に関する。
エッジ部の検査は、鏡面部の検査と比べてこれまで重視
されてこなかった。ところが、半導体用のシリコンウエ
ハのエッジ部に、打痕、クラック、微少突起およびパー
ティクルの付着などの欠陥があると、この欠陥が原因で
シリコンウエハに致命的な不具合が発生することがあ
る。
ク等がある場合では、熱処理工程などの工程でシリコン
ウエハに熱が加えられると、これらの欠陥が原因となっ
てシリコンウエハの鏡面部すなわち半導体回路が形成さ
れる面にクラックが発生して不良品となるおそれがあ
る。
ィクルが付着している場合では、工程が進むにつれてこ
のパーティクルが鏡面部に転位して付着するおそれがあ
る。あるいは、打痕、クラック部の一部が剥離し鏡面部
に付着するおそれがある。
ンピッチ化の要求が高まるにつれてシリコンウエハの鏡
面部にこのような微少なパーティクルが付着したり、鏡
面にクラックが発生したシリコンウエハを次に工程に供
給するのを完全に排除しなければならず、そのためには
半導体用のシリコンウエハのエッジ部に打痕、クラッ
ク、パーティクルの付着などの欠陥の有無を厳密に検査
する必要がある。
の鏡面の微少凹凸欠陥検査には、鏡面仕上げされている
表面に平行光線を当てて、コリメートレンズにより反射
輝度の濃淡を発生させることにより、表面の微少凹凸の
検査を行うことができる。
エッジ部の表面の微少凹凸の検査に用いることはできな
い。なぜなら、シリコンウエハのエッジ部は、幾つかの
平面部とR部分からなるために、一定方向の平行光では
一つの面のみが検出可能であり、他の平面部およびR部
の欠陥の有無を判別することができる画像を撮像するこ
とができない。
はテーパを有するエッジ部の検査について幾つかの提案
がなされている。
現象を利用して凹凸欠陥を検出する方法が開示されてい
るが、この方法では微細クラックや微少突起の欠陥を検
出することが困難であり、さらに汚れに過剰に検出する
という不具合がある。
にはエッジ面の欠陥内部に焦点を合わせて欠陥と研摩く
ずなどと区別して欠陥の検出を行う方法が提案されてい
るが、被写界深度を浅くすることが必要であり、ウエハ
の偏心や撮像装置のアライメント誤差などにより微細ク
ラックや微少突起の検出が困難である。
体用のシリコンウエハのエッジ部以外の鏡面の凹凸欠陥
検査に用いられている検査方法では、ほぼ平坦な面以外
の表面の凹凸状欠陥の検査に用いることができない。
を検出する方法は、上記の説明から明らかなように微少
クラックおよび微少突起を検出するのに適切な方法とは
いえず、また、表面の汚れを欠陥と過って認識するおそ
れがある。
ハなどのエッジ部のように立体的な面あるいは不定形の
面の微少凹凸状欠陥を検出することを可能にするととも
に、検査対象面の汚れなどを過って欠陥と認識すること
を無くすることで検査精度を向上させ、さらに検査のス
ループットを高く設定することができる表面欠陥検査方
法およびその検査装置を提供することを目的とする。
検査対象物の鏡面状表面の微少凹凸欠陥を検出する表面
欠陥検出方法であって、拡散光光源によって検査対象物
の鏡面状表面を照明し、検査対象物の鏡面状表面の画像
をテレセントリック光学系とリニアセンサアレイで構成
された複数の撮像手段により撮像し、このリニアセンサ
アレイから出力される信号の明暗度から鏡面状検査対象
物表面の微少凹凸欠陥を検出することを特徴とする。
方法において、前記拡散光光源は近赤外線光源であるこ
とを特徴とする。
方法において、前記撮像手段は近赤外線フイルターを備
え、リニアセンサアレイは近赤外線光のみ受光すること
を特徴とする。
状表面の微少凹凸欠陥を検出する表面欠陥検出装置であ
って、検査対象物の鏡面状表面を拡散光によって照明す
る拡散光光源と、検査対象物の鏡面状表面の画像を撮像
するテレセントリック光学系とリニアセンサアレイで構
成された複数の撮像手段と、このリニアセンサアレイか
ら出力される信号の明暗度から鏡面状検査対象物表面の
微少凹凸欠陥を検出する画像処理手段とを備えることを
特徴とする。
装置において、前記拡散光光源は近赤外線光源であるこ
とを特徴とする。
装置において、前記撮像手段は近赤外線フイルターを備
え、リニアセンサアレイは近赤外線光のみ受光すること
を特徴とする。
装置において、前記検査対象物は、円板のエッジ部であ
り、前記拡散光光源は光源部が円弧状または楕円弧状ま
たは門型であり、検査対象物の面取り部および側面部を
撮像する複数の前記撮像手段を備えることを特徴とす
る。
って検査対象物の鏡面状表面を照明するので、複数の平
面から構成される立体的な形状の検査対象物であっても
撮像可能に照明することができるとともに、検査対象物
の鏡面状表面の画像をテレセントリック光学系とリニア
センサアレイで構成された複数の撮像手段により撮像す
る結果、鏡面状検査対象物表面の微少凹凸状欠陥をリニ
アセンサアレイから出力される信号の明暗度として検出
することを可能にしている。
像手段に近赤外線フイルターを用いるなどの手段を用い
ることにより検査表面の濃度および汚れの影響を軽減す
ることができる。
たは楕円弧状または門型にすることにより円板のエッジ
部分のテーパ部および端面を同時に照明することにより
立体的な形状の表面にある微少凹凸状欠陥を検出するこ
とができる。
装置および検査方法について詳細に説明する。なお、本
発明は本実施例によって限定されるものではない。
側面図でもって示すものであり、図2は表面欠陥検査装
置1の平面図である。図1および図2でもって示す表面
欠陥装置1は半導体製造用のシリコンウエハ6のエッジ
部を検査対象物とする場合の実施例を示すものであり、
撮像手段として上面用撮像手段2、側面用撮像手段3お
よび下面用撮像手段4を備える。また、照明手段として
C型光源5を用いている。
ように、2つのテーパ部、上側テーパ面61と下側テー
パ面63および側面62とからなる。それぞれの面と他
の面との交叉部はR面で滑らかに繋がれている。
帯状でかつ円弧状あるいは楕円弧状に形成されている拡
散光光源であり、シリコンウエハ6のエッジ部を上下お
よび側面方向から拡散光でもって照明する。
ウエハ6の半径方向から僅かに傾けた姿勢で配置され、
側面用撮像手段3はシリコンウエハ6の半径方向から反
対側に傾けた姿勢で配置されることで、C型光源5から
出た光の正反射光を最も効率よく受ける構成としてい
る。
手段4は、図1に示すように、それぞれ、シリコンウエ
ハ6のエッジ部の上側テーパ面61と下側テーパ面63
にほぼ正対するように配置され、側面用撮像手段3と同
様に、C型光源5から出た光の正反射光を最も効率よく
受ける位置に配置される。
り、図示しない回転テーブルに載置されて一定速度で回
転する。上面用撮像手段2、側面用撮像手段3および下
面用撮像手段4のラインセンサアレイは、シリコンウエ
ハ6のエッジ部の画像を連続的にスキャンし、その出力
を画像処理装置7に送って欠陥の検出を行う。
段3および下面用撮像手段4に適用されているテレセン
トリック光学系を説明する説明図である。
3との間に絞り82が配置されており、その位置は、像
側レンズ81の後側焦点であって、かつリニアセンサ側
レンズ83の前側焦点である位置に置かれる。このよう
に構成されている光学系では、主光線は像側レンズ81
の光軸に平行な光線となり、さらにリニアセンサ側レン
ズ83を通過した主光線はリニアセンサ側レンズ83の
光軸に平行になる。すなわち、リニアセンサアレイ84
には、テレセントリック光学系の光軸に平行な光線のみ
入射することになる。
子を一列に配置した高い解像度を得られ受光素子であ
り、検査対象物の移動方向と直交する方向に配置してス
キャンを行うことで、2次元画像を得る撮像素子であっ
て、回転運動するシリコンウエハ6のエッジ部の表面を
連続的に撮像する。
検査手順について説明する。図示しない回転テーブルに
載置されたシリコンウエハ6はその中心軸を回転中心に
して一定速度で回転している。この間に上面用撮像手段
2、側面用撮像手段3および下面用撮像手段4に備えら
れているラインセンサアレイ74がそれぞれ上側テーパ
面61、側面62および下側テーパ面63の画像を連続
的に撮像する。
段はテレセントリック光学系撮像手段であるために、撮
像手段の光学系の光軸に平行な光線のみ撮像素子のリニ
アセンサアレイ84に入射する。したがって、図5に示
すように、撮像している面に微少凹凸がある箇所では光
が散乱する結果、撮像手段に入射する光軸に平行は光線
が減少し、平坦である箇所とは明暗の差が生じる。本発
明の微少凹凸欠陥検査装置ではこの性質を利用して検査
面の微少凹凸を明暗度の違いとして検出する。
光照明であり、さらに光源が円弧状の形状をしているた
めに、上側テーパ面61、側面62および下側テーパ面
63の全面にわたって多方向から照明することになり、
そのうち正反射光が撮像手段の光軸と平行になるものが
ラインセンサアレイ74に入射する。
に示すR部においては反射光が散乱して暗い画像となる
結果、表面の欠陥を検出することができない。一方本発
明のように光源を拡散光光源とすることによりR部にお
ける反射光で撮像手段に入射する光が存在するために明
るい画像が得られ、欠陥の有無を検出することが可能と
なる。
っても、拡散光光源で照明し、テレセントリック光学系
の撮像手段により撮像することにより、すべての検査対
象面の微少凹凸を確実に検出することができる。
素子にリニアセンサアレイを用いているために、2次元
のエリアセンサと比較して高い解像度を得ることが可能
となり、微細な凹凸状欠陥の検出を行うことができる。
また、リニアセンサアレイのスキャン速度はエリアセン
サと比較して格段と速いので、高いスループットを保証
し、検査処理能力が高い。
か、あるいは撮像手段に近赤外線光のみ通すフィルター
を用いることで、汚れの影響を受けにくい検査装置を構
成することが可能となる。
存在する微少凹凸状の欠陥を検出する表面欠陥検出装置
として説明したが、これに限るものではなく性状の異な
る複数の面を持つ形状の検査対象物に存在する微少凹凸
状の欠陥を検査することができる。
対象面91A、91B、91Cを有する検査対象物であ
っても、拡散光照明93でもってこれらの検査対象面9
3を照明し、撮像手段92A、92B、92Cで撮像す
ることにより、検査対象面に存在する微少凹凸状の欠陥
を明暗度の違いにより検出することが可能である。
陥検出装置は、拡散光光源で照明し、テレセントリック
光学系の撮像手段により撮像することにより、立体的な
形状の撮像対象であってもすべての検査対象面の微少凹
凸を確実に検出することを可能にしたものであり、シリ
コンウエハなどのエッジ部のように立体的な面あるいは
不定形の面の微少凹凸状欠陥を検出するのに用いること
ができる。
ことにより、汚れを欠陥と過って認識することを防ぎ検
出精度を向上させることを可能にする。
用いることで、高い解像度およびスループットが得ら
れ、生産性の向上に寄与すること大なるものがある。
ある。
る。
る。
Claims (7)
- 【請求項1】 移動する検査対象物の鏡面状表面の微少
凹凸欠陥を検出する表面欠陥検出方法であって、拡散光
光源によって検査対象物の鏡面状表面を照明し、検査対
象物の鏡面状表面の画像をテレセントリック光学系とリ
ニアセンサアレイで構成された複数の撮像手段により撮
像し、このリニアセンサアレイから出力される信号の明
暗度から鏡面状検査対象物表面の微少凹凸欠陥を検出す
ることを特徴とする表面欠陥検出方法。 - 【請求項2】 前記拡散光光源は近赤外線光源であるこ
とを特徴とする請求項1に記載の表面欠陥検出方法。 - 【請求項3】 前記撮像手段は近赤外線フイルターを備
え、リニアセンサアレイは近赤外線光のみ受光すること
を特徴とする請求項1に記載の表面欠陥検出方法。 - 【請求項4】 移動する検査対象物の鏡面状表面の微少
凹凸欠陥を検出する表面欠陥検出装置であって、検査対
象物の鏡面状表面を拡散光によって照明する拡散光光源
と、検査対象物の鏡面状表面の画像を撮像するテレセン
トリック光学系とリニアセンサアレイで構成された複数
の撮像手段と、このリニアセンサアレイから出力される
信号の明暗度から鏡面状検査対象物表面の微少凹凸欠陥
を検出する画像処理手段とを備えることを特徴とする表
面欠陥検出装置。 - 【請求項5】 前記拡散光光源は近赤外線光源であるこ
とを特徴とする請求項4に記載の表面欠陥検出装置。 - 【請求項6】 前記撮像手段は近赤外線フイルターを備
え、リニアセンサアレイは近赤外線光のみ受光すること
を特徴とする請求項4に記載の表面欠陥検出装置。 - 【請求項7】 前記検査対象物は、円板のエッジ部であ
り、前記拡散光光源は光源部が円弧状または楕円弧状ま
たは門型であり、前記検査対象物の面取り部および側面
部を撮像する複数の前記撮像手段を備えることを特徴と
する請求項4に記載の表面欠陥検出装置。
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Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100492158B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-06-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사 장치 |
JP2006017685A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Nippon Electro Sensari Device Kk | 表面欠陥検査装置 |
WO2006059647A1 (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Shibaura Mechatronics Corporation | 表面検査装置及び表面検査方法 |
JP2006294969A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Reitetsukusu:Kk | ウエハ検査装置及びウエハの検査方法 |
JP2006308336A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Ohkura Industry Co | 撮像システム |
JP2007024528A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Nano System Solutions:Kk | ウェーハ外周検査装置 |
JP2007047010A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Nano System Solutions:Kk | ウェーハ外周検査方法 |
JP2007147433A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Nano Scope Ltd | セラミック板の欠陥検出方法と装置 |
JP2007171149A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Nippon Electro Sensari Device Kk | 表面欠陥検査装置 |
JP2007256257A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-10-04 | Kobe Steel Ltd | 形状測定装置、形状測定方法 |
JP2007285876A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Nano System Solutions:Kk | 球面検査方法及び球面検査装置 |
US7298470B2 (en) | 2004-03-29 | 2007-11-20 | Jatco Ltd | Defect inspection device for metal ring end faces of a continuously variable transmission belt |
JP2008500907A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-17 | 株式会社荏原製作所 | 基板縁部測定装置および基板縁部研磨装置 |
JP2008026255A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Kobe Steel Ltd | 傷検査装置、傷検査方法 |
US20080200100A1 (en) * | 2005-04-19 | 2008-08-21 | Ebara Corporation | Substrate Processing Apparatus |
JP2008241377A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Olympus Corp | 外観検査装置 |
JP2008541058A (ja) * | 2005-05-06 | 2008-11-20 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | ウエハー端部検査システム |
WO2008143228A1 (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Nikon Corporation | ウエハ端面検査装置 |
WO2009013857A1 (ja) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法 |
WO2009013887A1 (ja) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Nikon Corporation | 端部検査装置 |
JP2009115668A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Shibaura Mechatronics Corp | 板状基板のエッジ検査装置 |
JP2009135382A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Nippon Electro Sensari Device Kk | ウエーハ保持装置 |
JP2009535782A (ja) * | 2006-05-02 | 2009-10-01 | アクレテック ユーエスエイ インコーポレイテッド | 基板照明・検査装置 |
JP2010027931A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板の周辺端部に付着した異物検出方法、装置及び記憶媒体 |
JP2010256090A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Raytex Corp | 表面検査用照明装置 |
KR101002606B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2010-12-21 | (주)시스윈일렉트로닉스 | 웨이퍼 크랙검출 시스템 |
JP2011154038A (ja) * | 2006-02-23 | 2011-08-11 | Kobe Steel Ltd | 形状測定装置、形状測定方法 |
US8045150B2 (en) | 2008-09-11 | 2011-10-25 | Sumco Techxiv Corporation | Semiconductor wafer inspection method |
US8363214B2 (en) | 2006-07-04 | 2013-01-29 | Nikon Corporation | Surface inspection apparatus |
JP5322257B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2013-10-23 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 面粗さ検査装置 |
JP5610462B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2014-10-22 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 撮影画像に基づいた検査方法及び検査装置 |
CN109540911A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-29 | 天津市协力自动化工程有限公司 | 一种木板边缘崩边检测装置 |
US10324044B2 (en) | 2014-12-05 | 2019-06-18 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus, method and computer program product for defect detection in work pieces |
JP2020169822A (ja) * | 2019-04-01 | 2020-10-15 | 株式会社ディスコ | 測定方法 |
CN119164970A (zh) * | 2024-11-21 | 2024-12-20 | 杭州光研科技有限公司 | 一种晶圆缺陷自动检测装置及方法 |
CN119470475A (zh) * | 2025-01-14 | 2025-02-18 | 上海优睿谱半导体设备有限公司 | 一种晶圆边缘缺陷检测装置及方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5490855B2 (ja) * | 2012-07-12 | 2014-05-14 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 板状基板のエッジ検査装置 |
-
2001
- 2001-11-02 JP JP2001374982A patent/JP3709426B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100492158B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-06-02 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사 장치 |
DE102005014208B4 (de) * | 2004-03-29 | 2009-04-16 | Jatco Ltd, Fuji | Fehlerprüfvorrichtung für Metallringenden eines Riemens eines stufenlos einstellbaren Getriebes |
US7298470B2 (en) | 2004-03-29 | 2007-11-20 | Jatco Ltd | Defect inspection device for metal ring end faces of a continuously variable transmission belt |
US10134614B2 (en) | 2004-05-28 | 2018-11-20 | Ebara Corporation | Substrate peripheral portion measuring device, and substrate peripheral portion polishing apparatus |
JP2008500907A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-17 | 株式会社荏原製作所 | 基板縁部測定装置および基板縁部研磨装置 |
JP2006017685A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Nippon Electro Sensari Device Kk | 表面欠陥検査装置 |
US7403278B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-07-22 | Shibaura Mechatronics Corporation | Surface inspection apparatus and surface inspection method |
JP4990630B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-08-01 | コバレントマテリアル株式会社 | 表面検査装置及び表面検査方法 |
KR100904007B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2009-06-22 | 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 | 표면 검사 장치 및 표면 검사 방법 |
CN101069088B (zh) * | 2004-11-30 | 2010-05-12 | 芝浦机械电子株式会社 | 表面检查装置 |
WO2006059647A1 (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-08 | Shibaura Mechatronics Corporation | 表面検査装置及び表面検査方法 |
JPWO2006059647A1 (ja) * | 2004-11-30 | 2008-06-05 | コバレントマテリアル株式会社 | 表面検査装置及び表面検査方法 |
JP2006294969A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Reitetsukusu:Kk | ウエハ検査装置及びウエハの検査方法 |
US20080200100A1 (en) * | 2005-04-19 | 2008-08-21 | Ebara Corporation | Substrate Processing Apparatus |
US9287158B2 (en) * | 2005-04-19 | 2016-03-15 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus |
JP2006308336A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Ohkura Industry Co | 撮像システム |
JP2008541058A (ja) * | 2005-05-06 | 2008-11-20 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | ウエハー端部検査システム |
JP2007024528A (ja) * | 2005-07-12 | 2007-02-01 | Nano System Solutions:Kk | ウェーハ外周検査装置 |
JP2007047010A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-02-22 | Nano System Solutions:Kk | ウェーハ外周検査方法 |
JP2007147433A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Nano Scope Ltd | セラミック板の欠陥検出方法と装置 |
JP5322257B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2013-10-23 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 面粗さ検査装置 |
JP2007171149A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Nippon Electro Sensari Device Kk | 表面欠陥検査装置 |
JP2007256257A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-10-04 | Kobe Steel Ltd | 形状測定装置、形状測定方法 |
JP2011154038A (ja) * | 2006-02-23 | 2011-08-11 | Kobe Steel Ltd | 形状測定装置、形状測定方法 |
JP2007285876A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Nano System Solutions:Kk | 球面検査方法及び球面検査装置 |
JP2009535782A (ja) * | 2006-05-02 | 2009-10-01 | アクレテック ユーエスエイ インコーポレイテッド | 基板照明・検査装置 |
US8363214B2 (en) | 2006-07-04 | 2013-01-29 | Nikon Corporation | Surface inspection apparatus |
JP2008026255A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Kobe Steel Ltd | 傷検査装置、傷検査方法 |
JP2008241377A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Olympus Corp | 外観検査装置 |
WO2008143228A1 (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Nikon Corporation | ウエハ端面検査装置 |
WO2009013887A1 (ja) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Nikon Corporation | 端部検査装置 |
US7861421B2 (en) | 2007-07-25 | 2011-01-04 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for measuring rotation angle of bonded wafer |
WO2009013857A1 (ja) * | 2007-07-25 | 2009-01-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法 |
JP2009032802A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法 |
JP5610462B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2014-10-22 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 撮影画像に基づいた検査方法及び検査装置 |
JP2009115668A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-05-28 | Shibaura Mechatronics Corp | 板状基板のエッジ検査装置 |
JP2009135382A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Nippon Electro Sensari Device Kk | ウエーハ保持装置 |
KR101002606B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2010-12-21 | (주)시스윈일렉트로닉스 | 웨이퍼 크랙검출 시스템 |
JP2010027931A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板の周辺端部に付着した異物検出方法、装置及び記憶媒体 |
US8045150B2 (en) | 2008-09-11 | 2011-10-25 | Sumco Techxiv Corporation | Semiconductor wafer inspection method |
JP2010256090A (ja) * | 2009-04-22 | 2010-11-11 | Raytex Corp | 表面検査用照明装置 |
US10324044B2 (en) | 2014-12-05 | 2019-06-18 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus, method and computer program product for defect detection in work pieces |
US10935503B2 (en) | 2014-12-05 | 2021-03-02 | Kla Corporation | Apparatus, method and computer program product for defect detection in work pieces |
US11105839B2 (en) | 2014-12-05 | 2021-08-31 | Kla Corporation | Apparatus, method and computer program product for defect detection in work pieces |
US11726126B2 (en) | 2014-12-05 | 2023-08-15 | Kla Corporation | Apparatus, method and computer program product for defect detection in work pieces |
US11892493B2 (en) | 2014-12-05 | 2024-02-06 | Kla Corporation | Apparatus, method and computer program product for defect detection in work pieces |
CN109540911A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-03-29 | 天津市协力自动化工程有限公司 | 一种木板边缘崩边检测装置 |
JP2020169822A (ja) * | 2019-04-01 | 2020-10-15 | 株式会社ディスコ | 測定方法 |
JP7195706B2 (ja) | 2019-04-01 | 2022-12-26 | 株式会社ディスコ | 測定方法 |
CN119164970A (zh) * | 2024-11-21 | 2024-12-20 | 杭州光研科技有限公司 | 一种晶圆缺陷自动检测装置及方法 |
CN119470475A (zh) * | 2025-01-14 | 2025-02-18 | 上海优睿谱半导体设备有限公司 | 一种晶圆边缘缺陷检测装置及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3709426B2 (ja) | 2005-10-26 |
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