JPH08228075A - 基板の製造方法 - Google Patents
基板の製造方法Info
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- JPH08228075A JPH08228075A JP5805495A JP5805495A JPH08228075A JP H08228075 A JPH08228075 A JP H08228075A JP 5805495 A JP5805495 A JP 5805495A JP 5805495 A JP5805495 A JP 5805495A JP H08228075 A JPH08228075 A JP H08228075A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、基板の上面と下面それぞれ
の導電パターンの導通が確実に信頼性高くなされ、さら
に他の実装基板に接続不良を生じることなく接続できる
基板の製造方法にある。 【構成】 上面から下面に連通するスルーホール4を設
け、スルーホール4の下面開口部5を受け部材6で閉塞
し、スルーホール4の上面開口部7よりフラックス8を
注入し、さらに上面開口部7より半田粉末9を注入し、
フラックス8および粉末半田9をリフローする事を特徴
とする基板の製造方法および粉末半田9注入工程の後上
面開口部7に球状半田11を搭載し、フラックス8、粉
末半田9および球状半田11をリフローする事を特徴と
する基板の製造方法。
の導電パターンの導通が確実に信頼性高くなされ、さら
に他の実装基板に接続不良を生じることなく接続できる
基板の製造方法にある。 【構成】 上面から下面に連通するスルーホール4を設
け、スルーホール4の下面開口部5を受け部材6で閉塞
し、スルーホール4の上面開口部7よりフラックス8を
注入し、さらに上面開口部7より半田粉末9を注入し、
フラックス8および粉末半田9をリフローする事を特徴
とする基板の製造方法および粉末半田9注入工程の後上
面開口部7に球状半田11を搭載し、フラックス8、粉
末半田9および球状半田11をリフローする事を特徴と
する基板の製造方法。
Description
【0001】
【産業状の利用分野】本発明は、半導体装置用基板の製
造方法に関する。
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、絶縁性基板材の上面および下面に
それぞれ形成した導電パターンをスルーホールを介して
導通させた基板、例えばプリント基板がある。また、半
導体装置の高密度化、多ピン化及び実装性の向上を図る
ものとして、上面および下面に導電パターンを形成した
半導体素子搭載基板がある。
それぞれ形成した導電パターンをスルーホールを介して
導通させた基板、例えばプリント基板がある。また、半
導体装置の高密度化、多ピン化及び実装性の向上を図る
ものとして、上面および下面に導電パターンを形成した
半導体素子搭載基板がある。
【0003】これら基板の上面と下面の導電パターンの
導通は、当該両導電パターンに通じたスルーホールの内
周面に銅メッキ、又は銅メッキした後に半田メッキを施
すことにより行われている。
導通は、当該両導電パターンに通じたスルーホールの内
周面に銅メッキ、又は銅メッキした後に半田メッキを施
すことにより行われている。
【0004】
【この発明が解決しようとする課題】前記基板の導通で
は、メッキされる基板材が絶縁性であるので密着性が悪
く、メッキ剥離を生じることがあり信頼性が低下する。
なかでも基板材がポリミイドテープ等の半導体素子搭載
基板では前記メッキ剥離が多発し問題である。
は、メッキされる基板材が絶縁性であるので密着性が悪
く、メッキ剥離を生じることがあり信頼性が低下する。
なかでも基板材がポリミイドテープ等の半導体素子搭載
基板では前記メッキ剥離が多発し問題である。
【0005】前記メッキ剥離の防止には、スルーホール
の内周面へのメッキに先立って複雑で多工程からなる前
処理が必要となり、作業性及び生産性に問題を生じ、ま
たコスト高になる。
の内周面へのメッキに先立って複雑で多工程からなる前
処理が必要となり、作業性及び生産性に問題を生じ、ま
たコスト高になる。
【0006】前記上面と下面に導電パターンを形成した
基板は、他の実装基板の配線端子に接続し組立てられ
る。その接続のために基板には半田ボールが実装面側の
スルーホール上に設けられ、該半田ボールに加熱作用を
与えて溶融させ前記配線端子と接続しているが、前記加
熱時にスルーホール内の中空部に該半田ボールが流れ込
む場合があり、半田ボールの高さ不良や基板と実装基板
の接続不良が生じることがある。
基板は、他の実装基板の配線端子に接続し組立てられ
る。その接続のために基板には半田ボールが実装面側の
スルーホール上に設けられ、該半田ボールに加熱作用を
与えて溶融させ前記配線端子と接続しているが、前記加
熱時にスルーホール内の中空部に該半田ボールが流れ込
む場合があり、半田ボールの高さ不良や基板と実装基板
の接続不良が生じることがある。
【0007】また、該半田ボールは前記基板との接触面
積が小さく接着強度が低いため基板から半田ボールが取
れてしまうことがあった。
積が小さく接着強度が低いため基板から半田ボールが取
れてしまうことがあった。
【0008】本発明は、上面と下面にそれぞれ形成した
導電パターンの導通が確実に信頼性高くなされ、さらに
他の実装基板に接続不良を生じることなく接続できる基
板の製造方法を目的とする。
導電パターンの導通が確実に信頼性高くなされ、さらに
他の実装基板に接続不良を生じることなく接続できる基
板の製造方法を目的とする。
【0009】
【問題を解決するための手段】本発明の要旨は、上面か
ら下面に連通するスルーホールを設け、当該スルーホー
ル内に導電性物質を充填してなる基板の製造方法におい
て、前記上面もしくは下面のいずれか一方の面を閉塞し
て前記スルーホール内に半田ぬれ性を良くするフラック
スを注入するフラックス注入工程と、フラックスが注入
された前記スルーホールに粉末状の半田を充填する半田
粉末充填工程と、フラックスおよび粉末状の半田を加熱
するリフロー工程を経てなる基板の製造方法にある。
ら下面に連通するスルーホールを設け、当該スルーホー
ル内に導電性物質を充填してなる基板の製造方法におい
て、前記上面もしくは下面のいずれか一方の面を閉塞し
て前記スルーホール内に半田ぬれ性を良くするフラック
スを注入するフラックス注入工程と、フラックスが注入
された前記スルーホールに粉末状の半田を充填する半田
粉末充填工程と、フラックスおよび粉末状の半田を加熱
するリフロー工程を経てなる基板の製造方法にある。
【0010】また、他の要旨は、上面から下面に連通す
るスルーホールを設け、当該スルーホール内に導電性物
質を充填してなる基板の製造方法において、前記上面も
しくは下面のいずれか一方の面を閉塞して前記スルーホ
ール内に半田ぬれ性を良くするフラックスを注入するフ
ラックス注入工程と、フラックスが注入された前記スル
ーホールに粉末状の半田を充填する半田粉末充填工程
と、閉塞されない面のスルーホールに球状半田を搭載す
る工程とフラックスおよび粉末状の半田を加熱するリフ
ロー工程を経てなる基板の製造方法にある。
るスルーホールを設け、当該スルーホール内に導電性物
質を充填してなる基板の製造方法において、前記上面も
しくは下面のいずれか一方の面を閉塞して前記スルーホ
ール内に半田ぬれ性を良くするフラックスを注入するフ
ラックス注入工程と、フラックスが注入された前記スル
ーホールに粉末状の半田を充填する半田粉末充填工程
と、閉塞されない面のスルーホールに球状半田を搭載す
る工程とフラックスおよび粉末状の半田を加熱するリフ
ロー工程を経てなる基板の製造方法にある。
【0011】
【作用】本発明の基板の製造方法は、フラックスおよび
半田粉末をスルーホールに充填しリフローするので、充
填物の体積の減少を抑えることができるとともにボイド
の発生を防ぐことができ、上面と下面の導通が確実に信
頼性高くなされる。
半田粉末をスルーホールに充填しリフローするので、充
填物の体積の減少を抑えることができるとともにボイド
の発生を防ぐことができ、上面と下面の導通が確実に信
頼性高くなされる。
【0012】さらには、スルーホールの上面もしくは下
面の一方に確実に安定した高さの半田ボールを搭載する
ことができ、他の実装基板との導通が確実に信頼性高く
なされる。
面の一方に確実に安定した高さの半田ボールを搭載する
ことができ、他の実装基板との導通が確実に信頼性高く
なされる。
【0013】
【実施例】本発明について半導体素子搭載に使用される
基板の製造方法を図面を参照して詳細に説明する。
基板の製造方法を図面を参照して詳細に説明する。
【0014】まず、第1の実施例は、図1に示すように
基材1の上面および下面にエッチングにより上面導電パ
ターン2および下面導電パターン3を形成し、エッチン
グによりスルーホール4を上面導電パターン2および下
面導電パターン3に連通するよう形成し、スルーホール
4の下面開口部5を受け部材6で閉塞し、スルーホール
4の上面開口部7よりフラックス8を注入し、さらに上
面開口部7より半田粉末9を注入して当該スルーホール
4の上面上方まで充填し、受け部材6を直接または間接
的に加熱しフラックス8および半田粉末9をリフロー
し、受け部材6を取りはずし基板を製造する方法であ
る。
基材1の上面および下面にエッチングにより上面導電パ
ターン2および下面導電パターン3を形成し、エッチン
グによりスルーホール4を上面導電パターン2および下
面導電パターン3に連通するよう形成し、スルーホール
4の下面開口部5を受け部材6で閉塞し、スルーホール
4の上面開口部7よりフラックス8を注入し、さらに上
面開口部7より半田粉末9を注入して当該スルーホール
4の上面上方まで充填し、受け部材6を直接または間接
的に加熱しフラックス8および半田粉末9をリフロー
し、受け部材6を取りはずし基板を製造する方法であ
る。
【0015】第2の実施例は、図2に示すように基材1
の上面および下面にエッチングにより上面導電パターン
2および下面導電パターン3を形成し、エッチングによ
りスルーホール4を上面導電パターン2および下面導電
パターン3に連通するよう形成し、スルーホール4の上
面開口部7に半田レジスト10を形成し、スルーホール
4の下面開口部5を受け部材6で閉塞し、スルーホール
4の上面開口部7よりフラックス8を注入し、さらに上
面開口部7より半田粉末9を注入して当該スルーホール
4の上面上方まで充填し、スルーホール4の上面開口部
7に球状半田11を搭載し、受け部材6を直接または間
接的に加熱しフラックス8および半田粉末9および球状
半田10をリフローし、受け部材6を取りはずし基板を
製造する方法である。
の上面および下面にエッチングにより上面導電パターン
2および下面導電パターン3を形成し、エッチングによ
りスルーホール4を上面導電パターン2および下面導電
パターン3に連通するよう形成し、スルーホール4の上
面開口部7に半田レジスト10を形成し、スルーホール
4の下面開口部5を受け部材6で閉塞し、スルーホール
4の上面開口部7よりフラックス8を注入し、さらに上
面開口部7より半田粉末9を注入して当該スルーホール
4の上面上方まで充填し、スルーホール4の上面開口部
7に球状半田11を搭載し、受け部材6を直接または間
接的に加熱しフラックス8および半田粉末9および球状
半田10をリフローし、受け部材6を取りはずし基板を
製造する方法である。
【0016】第3の実施例は、図3に示すように基材1
の上面および下面にエッチングにより上面導電パターン
2および下面導電パターン3を形成し、エッチングによ
りスルーホール4を上面導電パターン2および下面導電
パターン3に連通するよう形成し、スルーホール4の上
面開口部7に半田レジスト10を形成し、スルーホール
4の下面開口部5を受け部材6で閉塞し、スルーホール
4の上面開口部7よりフラックス8を注入し、さらに上
面開口部7より半田粉末9を注入して当該スルーホール
4の上面上方まで充填し、受け部材6を直接または間接
的に加熱しフラックス8および半田粉末9をリフロー
し、リフローした充填半田12の上に球状半田11を搭
載し、該充填半田12および球状半田11をリフロー
し、受け部材6を取りはずし基板を製造する方法であ
る。
の上面および下面にエッチングにより上面導電パターン
2および下面導電パターン3を形成し、エッチングによ
りスルーホール4を上面導電パターン2および下面導電
パターン3に連通するよう形成し、スルーホール4の上
面開口部7に半田レジスト10を形成し、スルーホール
4の下面開口部5を受け部材6で閉塞し、スルーホール
4の上面開口部7よりフラックス8を注入し、さらに上
面開口部7より半田粉末9を注入して当該スルーホール
4の上面上方まで充填し、受け部材6を直接または間接
的に加熱しフラックス8および半田粉末9をリフロー
し、リフローした充填半田12の上に球状半田11を搭
載し、該充填半田12および球状半田11をリフロー
し、受け部材6を取りはずし基板を製造する方法であ
る。
【0017】この製造方法によれば、半田粉末9を充填
する時半田粉末9を上面開口部7よりも高く盛り上げる
ことができ、充填半田12を上面方向に高く形成するこ
とができるので半田ボール部13の高さを高くすること
ができ、他の実装基板との接続がさらに確実になる。
する時半田粉末9を上面開口部7よりも高く盛り上げる
ことができ、充填半田12を上面方向に高く形成するこ
とができるので半田ボール部13の高さを高くすること
ができ、他の実装基板との接続がさらに確実になる。
【0018】第4の実施例は、図4に示すように、基材
1の上面および下面にエッチングにより上面導電パター
ン2および下面導電パターン3を形成し、エッチングに
よりスルーホール4を上面導電パターン2および下面導
電パターン3に連通するよう形成し、スルーホール4の
上面開口部7に半田レジスト10を形成し、スルーホー
ル4の下面開口部5を受け部材6で閉塞し、上面開口部
7に半田粉末保持治具14を搭載し、該半田粉末保持治
具14の上面開口部15よりフラックス8を注入し、さ
らに半田粉末9を充填して当該半田粉末保持治具14の
上面上方まで充填し、受け部材6を直接または間接的に
加熱しフラックス8および半田粉末9をリフローすると
ともに、リフロー中に半田粉末9が溶融した段階で半田
保持治具14を取りはずし、受け部材6を取りはずすこ
とを特徴とする基板の製造方法である。
1の上面および下面にエッチングにより上面導電パター
ン2および下面導電パターン3を形成し、エッチングに
よりスルーホール4を上面導電パターン2および下面導
電パターン3に連通するよう形成し、スルーホール4の
上面開口部7に半田レジスト10を形成し、スルーホー
ル4の下面開口部5を受け部材6で閉塞し、上面開口部
7に半田粉末保持治具14を搭載し、該半田粉末保持治
具14の上面開口部15よりフラックス8を注入し、さ
らに半田粉末9を充填して当該半田粉末保持治具14の
上面上方まで充填し、受け部材6を直接または間接的に
加熱しフラックス8および半田粉末9をリフローすると
ともに、リフロー中に半田粉末9が溶融した段階で半田
保持治具14を取りはずし、受け部材6を取りはずすこ
とを特徴とする基板の製造方法である。
【0019】この方法によれば、球状半田11を必要と
せず、工程を簡略化することができるとともに半田ボー
ル13の高さを高くすることができ、他の実装基板との
接続が更に確実になる。
せず、工程を簡略化することができるとともに半田ボー
ル13の高さを高くすることができ、他の実装基板との
接続が更に確実になる。
【0020】実施例2、実施例3および実施例4におい
て上面および下面にそれぞれ上面導電パターン2および
下面導電パターン3を形成したがこれは任意であり、図
5に示すように上面には導電パターンは形成せず他の実
装基板との導通を行う半田ボール部13のみを形成して
もよい。
て上面および下面にそれぞれ上面導電パターン2および
下面導電パターン3を形成したがこれは任意であり、図
5に示すように上面には導電パターンは形成せず他の実
装基板との導通を行う半田ボール部13のみを形成して
もよい。
【0021】以上に述べた実施例において、受け部材6
で下面開口部5を覆い、さらには受け部材6を直接また
は間接的に加熱することによりフラックス8および半田
粉末9もしくはフラックス8および半田粉末9および球
状半田11をリフローしたがこれは任意であり、図6に
示すように、スルーホール4を覆うように下面導電パタ
ーン16を形成し、該下面導電パターン16を直接また
は間接的に加熱することによりフラックス8および半田
粉末9もしくはフラックス8および半田粉末9および球
状半田11をリフローしてもよい。
で下面開口部5を覆い、さらには受け部材6を直接また
は間接的に加熱することによりフラックス8および半田
粉末9もしくはフラックス8および半田粉末9および球
状半田11をリフローしたがこれは任意であり、図6に
示すように、スルーホール4を覆うように下面導電パタ
ーン16を形成し、該下面導電パターン16を直接また
は間接的に加熱することによりフラックス8および半田
粉末9もしくはフラックス8および半田粉末9および球
状半田11をリフローしてもよい。
【0022】この方法によれば、受け部材6の取り付け
および取りはずしの工程を省くことができ製造工程の簡
略化になる。
および取りはずしの工程を省くことができ製造工程の簡
略化になる。
【0023】また、以上に述べた実施例において下面よ
りリフローを行ないながらフラックス8および半田粉末
9を充填することにより、ボイドの発生をさらに防ぐこ
とができ、上面と下面の導通もさらに確実になる。
りリフローを行ないながらフラックス8および半田粉末
9を充填することにより、ボイドの発生をさらに防ぐこ
とができ、上面と下面の導通もさらに確実になる。
【0024】
【発明の効果】本発明の基板の製造方法によれば、前述
のように半田粉末およびフラックスを使用するので、リ
フロー工程における体積の減少が少なく、スルーホール
内には十分な半田が充填されるため、基板の上面および
下面に設けられた導電パターンの導通不良を防止するこ
とができ、製造歩留りを格段に向上させることが可能と
なる。
のように半田粉末およびフラックスを使用するので、リ
フロー工程における体積の減少が少なく、スルーホール
内には十分な半田が充填されるため、基板の上面および
下面に設けられた導電パターンの導通不良を防止するこ
とができ、製造歩留りを格段に向上させることが可能と
なる。
【0025】さらに、スルーホールの上面もしくは下面
の一方の面に安定した高さの半田ボールを形成できるた
め、他の実装基板に接続不良を生じることなく接続可能
である。
の一方の面に安定した高さの半田ボールを形成できるた
め、他の実装基板に接続不良を生じることなく接続可能
である。
【0026】
【図1】本発明における基板の製造方法の第1の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図2】本発明における基板の製造方法の第2の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図3】本発明における基板の製造方法の第3の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図4】本発明における基板の製造方法の第4の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図5】本発明における基板の製造方法の実施例の一部
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図6】本発明における基板の製造方法の実施例の一部
を説明するための図である。
を説明するための図である。
1 基材 2 上面導電パターン 3 下面導電パターン 4 スルーホール 5 下面開口部 6 受け部材 7 上面開口部 8 フラックス 9 半田粉末 10 半田レジスト 11 球状半田 12 充填半田 13 半田ボール部 14 半田粉末保持治具 15 上面開口部 16 下面導電パターン
Claims (2)
- 【請求項1】 上面から下面に連通するスルーホールを
設け、当該スルーホール内に導電性物質を充填してなる
基板の製造方法において、前記上面もしくは下面のいず
れか一方の面を閉塞して前記スルーホール内にフラック
スを注入するフラックス注入工程と、フラックスが注入
された前記スルーホールに粉末状の半田を充填する半田
粉末充填工程と、フラックスおよび粉末状の半田を加熱
するリフロー工程を経てなる基板の製造方法。 - 【請求項2】 上面から下面に連通するスルーホールを
設け、当該スルーホール内に導電性物質を充填してなる
基板の製造方法において、前記上面もしくは下面のいず
れか一方の面を閉塞して前記スルーホール内にフラック
スを注入するフラックス注入工程と、フラックスが注入
された前記スルーホールに粉末状の半田を充填する半田
粉末充填工程と、閉塞されない面のスルーホールに球状
半田を搭載する工程とフラックスおよび粉末状の半田お
よび球状半田を加熱するリフロー工程を経てなる基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5805495A JPH08228075A (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5805495A JPH08228075A (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08228075A true JPH08228075A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=13073207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5805495A Pending JPH08228075A (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08228075A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2003005789A1 (fr) * | 2001-07-05 | 2003-01-16 | Nitto Denko Corporation | Procede de production d'une carte de circuit imprime multicouche |
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JP2011086694A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | バンプ形成方法及び配線基板 |
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1995
- 1995-02-21 JP JP5805495A patent/JPH08228075A/ja active Pending
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