JPH08225751A - 新規フタロシアニン化合物、その製造方法およびそれらを用いた光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 新規フタロシアニン化合物及びその製造方
法、ならびに近赤外域に吸収を持つ近赤外吸収材料、特
に光記録媒体に関するものである。本発明にかかる新規
フタロシアニン化合物は、６００〜１０００ｎｍの近赤
外域に吸収を有し、用途に応じた溶媒、例えばアルコー
ル系溶媒等に対して溶解性に優れ、かつ耐熱性、耐光性
の高い新規なフタロシアニン化合物を提供することにあ
る。 【解決手段】 フタロシアニン骨格のベンゼン核の１６
個の置換可能な位置のうちの１〜８個がフェノキシ基で
置換されてなり、該フェノキシ基が１つ以上のＣＯＯＲ
で表されるヘテロ環を有するカルボン酸エステル基で置
換されていることを特徴とする新規フタロシアニン化合
物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規フタロシアニ
ン化合物およびその製造方法、ならびに近赤外域に吸収
を持つ近赤外吸収材料、特に光記録媒体に関するもので
ある。本発明にかかる新規フタロシアニン化合物は、６
００〜１０００ｎｍの近赤外域に吸収を有し溶解性に優
れているので、半導体レーザーを使う光記録媒体、液晶
表示装置、光学文字読取機等における書き込みあるいは
読み取りのための近赤外吸収色素、近赤外増感剤、感熱
転写、感熱紙・感熱孔版などの光熱変換剤、近赤外線吸
収フィルター、眼性疲労防止剤、光導電材料などとして
用いる近赤外線吸収材料として、あるいは、撮像管に用
いる色分解フィルター、液晶表示素子、カラーブラウン
管選択吸収フィルター、カラートナー、インクジェット
用インク、改ざん偽造防止用バーコード用インク、さら
に微生物不活性化剤、腫瘍治療用感光性色素等に用いる
際に優れた効果を発揮する。特にコンパクトディスク対
応の追記型光記録媒体に用いるための近赤外吸収色素と
して非常に優れた効果を発揮するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体レーザーを光源として用い
るコンパクトディスク、レーザーディスク、光メモリー
ディスク、光カード等の光記録媒体の開発が活発であ
る。特に、ＣＤ、ＰＨＯＴＯ−ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯ
Ｍは、大容量、高速アクセスのデジタル記録媒体として
音声、画像、コードデータ等の保存再生に、大量に利用
されている。これらのシステムはいずれも半導体レーザ
ーに感受するいわゆる近赤外吸収色素を必要とし、それ
らの色素に関して特性の良好なものが求められている。

【０００３】なかでも光、熱、温度等に対して安定であ
り堅牢性に優れているフタロシアニン系化合物について
は、数多く検討されている。

【０００４】コンパクトディスク対応の追記型光記録媒
体に用いる際に要求される特性としては、 （１）薄膜での極大吸収波長が７００〜７３０ｎｍに制
御されている。（会合によるピークが少なく、そのこと
により吸光度が高く、ピークがシャープである。） （２）スピンコート等の簡便でかつ生産性に優れた方法
で基板上に塗布でき、かつ基板を侵さない溶媒に対して
の溶解性に優れていること。

【０００５】（３）反射率が高い。

【０００６】（４）耐熱性、耐光性が良好。

【０００７】（５）感度が高い。

【０００８】（６）製造方法などにおいて経済性に優れ
た化合物である。

【０００９】等が挙げられる。

【００１０】例えば、特開昭５８−５６８９２号には、
ペルフルオロフタロシアニン化合物を用いる方法が提案
されている。しかしながら、これらの化合物は、有機溶
媒に対しての溶解性に乏しく、また満足できる吸収波長
に制御できない。

【００１１】特開昭６１−１９２７８０号、特開昭６１
−２４６０９１号、特開昭６３−３７９９１号、特開昭
６４−４２２８３号、特開平２−２７６６７７号、特開
平２−９１３６０号、特開平２−２６５７８８号、特開
平３−２１５４６６号、特開平４−２２６３９０号など
には、フタロシアニン骨格のベンゼン環に酸素を介して
置換基を導入したものが提案されている。しかしなが
ら、これらの化合物は、色素の置換基の種類、数および
位置によっては耐光性が悪かったり、反射率が小さかっ
たり、通常よく用いられているポリカーボネートなどの
基板に直接塗布できる溶剤に溶解しなかったり、あるい
は吸収波長の制御において難点があったりするなどの問
題点を有している。

【００１２】それらの欠点が比較的解決されたものとし
て特開平５−１２７２号などにはフタロシアニンのα位
にアルコキシ基を４個導入し、残基にハロゲン化合物な
どを一部導入したものが提案されている。しかしなが
ら、α位に置換基を導入したものは、原料とするフタロ
ニトリルからの生産性が悪いなど、経済性の点で問題点
を有している。またこのようなフタロシアニン化合物
も、必ずしもすべての特性を満足すべきものでなく、よ
って更なる良好な特性が望まれている。

【００１３】しかしながら、これまでに提案されている
フタロシアニン化合物は、上記特性をすべて満足するも
のではない。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
有する前記事情に考慮してなされたものである。すなわ
ち、本発明の目的は６００〜１０００ｎｍの吸収波長域
において目的に応じた吸収制御が可能であり、また用途
に応じた溶媒、例えばアルコール系溶媒等に対して溶解
性に優れ、かつ耐熱性、耐光性の高い新規なフタロシア
ニン化合物を提供することにある。

【００１５】また、本発明の他の目的はフタロシアニン
化合物を、効率よく、しかも高純度で製造する方法を提
供することにある。

【００１６】さらに本発明の他の目的は、光記録媒体、
特にコンパクトディスク対応の光記録媒体として用いる
にあたって、それらに必要な特性である溶解度、吸収波
長、感度、反射率、耐光性において優れた効果を発揮す
るフタロシアニン化合物を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記諸目的は、フタロシ
アニン骨格のベンゼン核の１６個の置換可能な位置のう
ちの１〜８個がフェノキシ基で置換されてなり、該フェ
ノキシ基が１つ以上のＣＯＯＲで表されるヘテロ環を有
するカルボン酸エステル基で置換されていることを特徴
とする新規フタロシアニン化合物により達成される。

【００１８】本発明はまた、下記一般式（１）

【００１９】

【化４】

【００２０】［ただし、式中、ＣＯＯＲはヘテロ環を有
するカルボン酸エステル基を表し、Ｘはハロゲン原子、
ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、アル
コキシ基およびカルボン酸エステル基よりなる群から選
ばれた少なくとも１種を表し、ｍは０〜３の整数を表
し、ｎは０〜４の整数を表し、Ｍは金属、酸化金属ある
いはハロゲン化金属を表す。］で示される前記新規フタ
ロシアニン化合物によっても達成される。

【００２１】本発明はまた、下記一般式（２）

【００２２】

【化５】

【００２３】［ただし、式中、ＣＯＯＲはヘテロ環を有
するカルボン酸エステル基を表し、Ｘはハロゲン原子、
ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、アル
コキシ基およびカルボン酸エステル基よりなる群から選
ばれた少なくとも１種を表し、ｎは０〜４の整数を表
し、Ｍは金属、酸化金属あるいはハロゲン化金属を表
す。］で示される前記新規フタロシアニン化合物によっ
ても達成される。

【００２４】本発明はさらに、前記ヘテロ環を有するカ
ルボン酸エステル基が、フェノキシ基の２位にある前記
新規フタロシアニン化合物によっても達成される。

【００２５】本発明はさらに、前記ヘテロ環が酸素原子
を有するカルボン酸エステル基である前記新規フタロシ
アニン化合物によっても達成される。

【００２６】本発明はまた、前記一般式（１）におい
て、Ｘの１つがフェノキシ基の６位にある前記新規フタ
ロシアニン化合物によっても達成される。

【００２７】本発明はさらに、前記一般式（１）におい
て、Ｘの一つがハロゲン原子で置換されていてもよい炭
素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基またはカルボン
酸エステル基である前記新規フタロシアニン化合物によ
っても達成される。

【００２８】上記諸目的は、ＣＯＯＲで表されるヘテロ
環を有するカルボン酸エステル基で１つ以上置換された
フェノキシ基で置換されたフタロニトリル化合物単独あ
るいは該フェノキシ基で置換されていないフタロニトリ
ルとの混合物と金属化合物とを反応させることを特徴と
する前記新規フタロシアニン化合物の製造方法によって
も達成される。

【００２９】本発明は、また、下記一般式（３）

【００３０】

【化６】

【００３１】［ただし、式中、ＣＯＯＲはヘテロ環を有
するカルボン酸エステル基を表し、Ｘはハロゲン原子、
ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、アル
コキシ基およびカルボン酸エステル基よりなる群から選
ばれた少なくとも１種を表し、ｍは０〜３の整数を表
し、ｎは０〜４の整数を表す。］で示されるフタロニト
リル化合物と金属化合物とを反応させることを特徴とす
る前記新規フタロシアニン化合物の製造方法によっても
達成される。

【００３２】上記諸目的は、さらに、前記新規フタロシ
アニン化合物を基板上に設けられた記録層に含有してな
る光記録媒体によっても達成される。

【００３３】本発明はまた、透明な樹脂製基板上に設け
られた記録層および金属の反射層を有するコンパクトデ
ィスク対応の追記型光記録媒体において、該記録層が前
記の記録層である光記録媒体によっても達成される。

【００３４】

【発明の実施の形態】本発明に係るフタロシアニン化合
物は、フタロシアニン骨格のベンゼン核の１６個の置換
可能な位置のうちの１〜８個がフェノキシ基で置換され
てなり、該フェノキシ基が１つ以上のＣＯＯＲで表され
るヘテロ環を有するカルボン酸エステル基で置換されて
いることを特徴とする新規なフタロシアニン化合物であ
る。ここで、ＣＯＯＲで表されるヘテロ環を有するカル
ボン酸エステル基とは、エステル部分にヘテロ環単位を
有するものである。該ヘテロ環はカルボン酸に直結して
いてもよいし、アルキレン基を介していてもよい。アル
キレン基を介しているものの方が熱分解温度が低下す
る。ヘテロ環中のヘテロ原子としては、酸素、窒素、硫
黄、セレン、テルルなどが挙げられる。これらの中で酸
素または窒素が好ましく、特に酸素が好ましい。また、
ヘテロ環は、四員環から八員環の間であることが好まし
く、特に五員環から六員環である。具体的にはテトラヒ
ドロフルフリルオキシカルボニル基、ピランオキシカル
ボニル基、ピペリジノオキシカルボニル基、ピペリジノ
エトキシカルボニル基、テトラヒドロピロールオキシカ
ルボニル基、テトラヒドロピランメトキシカルボニル
基、テトラヒドロチオフェンオキシカルボニル基、シク
ロヘキシルオキシカルボニル基等を示す。この新規フタ
ロシアニン化合物のうち好ましいものが上記一般式
（１）で表されるものであり、以下、これにつき詳述す
る。

【００３５】まず、一般式（１）においても、ＣＯＯＲ
に関しては、すでに上述した通りである。

【００３６】次に、一般式（１）において、Ｍは金属、
酸化金属あるいはハロゲン化金属である。Ｍで示される
フタロシアニン化合物の中心金属の具体例としては鉄、
マグネシウム、ニッケル、コバルト、銅、パラジウム、
亜鉛、塩化アルミニウム、塩化インジウム、塩化ゲルマ
ニウム、塩化錫、塩化珪素、チタニル、バナジル等が挙
げられ、耐光性が良好である点で、コバルト、銅、亜
鉛、塩化錫もしくはバナジルが好ましく、特にバナジル
が好ましい。

【００３７】さらに、一般式（１）において、Ｘで表わ
されるフェノキシ基上の置換基は、ハロゲン原子、ハロ
ゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、アルコキ
シ基またはカルボン酸エステル基を表す。

【００３８】ここで、ハロゲン原子とは、フッ素、塩
素、臭素およびヨウ素であり、この中で好ましくはフッ
素もしくは塩素であり、特に好ましくはフッ素である。

【００３９】ハロゲン原子で置換されていてもよいアル
キル基とは、炭素数１〜２０の直鎖、分岐鎖または環状
のアルキル基であり、好ましくは炭素数１〜８のアルキ
ル基およびこれらアルキル基がハロゲン原子で置換され
てなるハロゲン化アルキル基である。具体的には、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンテル基、ｎ
−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、２
−エチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ラウリル基、ステ
アリル基、塩化メチル基、臭化メチル基、塩化エチル
基、臭化エチル基等を示す。

【００４０】アルコキシ基とは、炭素数１〜２０の直
鎖、分岐鎖または環状のアルコキシ基であり、好ましく
は炭素数１〜８のアルコキシ基である。具体的には、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプ
ロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シ
クロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エ
チルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基などを示
す。

【００４１】カルボン酸エステル基とは、エステル部分
にヘテロ原子を含んでも良い炭素数１〜８、好ましくは
１〜５のアルキルエステル、またはヘテロ原子を含んで
も良い炭素数３〜８、好ましくは５〜８の環状アルキル
エステルを示す。また、該カルボン酸エステル基は、Ｃ
ＯＯＲで示されるヘテロ環を含むカルボン酸エステル基
と同一であってもかまわない。具体的には、メトキシカ
ルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカル
ボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペン
チルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニ
ル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、メトキ
シエトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル
基、ブトキシエトキシカルボニル基、ジエチルアミノエ
トキシカルボニル基、メチルチオエトキシカルボニル
基、メトキシプロピルオキシカルボニル基、（３，６，
９−オキサ）デシルオキシカルボニル基、テトラヒドロ
フルフリルオキシカルボニル基、ピランオキシカルボニ
ル基、ピペリジノオキシカルボニル基、ピペリジノエト
キシカルボニル基、テトラヒドロピロールオキシカルボ
ニル基、テトラヒドロピランメトキシカルボニル基、テ
トラヒドロチオフェンオキシカルボニル基、シクロヘキ
シルオキシカルボニル基等を示す。

【００４２】また、Ｘのフェノキシ基上での置換位置は
特に限定されないが、いずれかひとつがフェノキシ基の
６位にあることがより好ましい。

【００４３】さらにまた、一般式（１）において、ｍは
０〜３の整数、好ましくは３であり、ｎは０〜４の整
数、好ましくは１〜２の整数である。

【００４４】本発明に用いるフタロシアニン化合物とし
て、具体的に例えば下記の化合物が挙げられる。

【００４５】一般式（４）

【００４６】

【化７】

【００４７】において、Ａが下記式で表わされる化合物
（Ｍ：ＶＯ）である； 化合物１：テトラキス（２−（２−テトラヒドロフルフ
リルオキシ）カルボニルフェノキシ）ドデカフルオロバ
ナジルフタロシアニン、

【００４８】

【化８】

【００４９】以下、同様に一般式（４）において、Ａが
下記式で表わされる化合物である； 化合物２：テトラキス（２−（２−テトラヒドロフルフ
リルオキシ）カルボニル−６−メチルフェノキシ）ドデ
カフルオロバナジルフタロシアニン、

【００５０】

【化９】

【００５１】化合物３：テトラキス（２−（２−テトラ
ヒドロフルフリルオキシ）カルボニル−６−エチルフェ
ノキシ）ドデカフルオロ亜鉛フタロシアニン、

【００５２】

【化１０】

【００５３】化合物４：テトラキス（４−（２−テトラ
ヒドロフルフリルオキシ）カルボニルフェノキシ）ドデ
カフルオロ（ジクロロ錫）フタロシアニン、

【００５４】

【化１１】

【００５５】化合物５：テトラキス（２−（２−テトラ
ヒドロフルフリルオキシ）カルボニル−６−エトキシフ
ェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン、

【００５６】

【化１２】

【００５７】化合物６：テトラキス（２−（２−テトラ
ヒドロフルフリルオキシ）カルボニル−６−ｔｅｒｔブ
チルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニ
ン、

【００５８】

【化１３】

【００５９】化合物７：テトラキス（２，３，５，６−
テトラフルオロ−４−（２−テトラヒドロフルフリルオ
キシ）カルボニルフェノキシ）ドデカフルオロ亜鉛フタ
ロシアニン、

【００６０】

【化１４】

【００６１】化合物８：テトラキス（２−（２−テトラ
ヒドロフルフリルオキシ）カルボニル−４，６−ジメチ
ルフェノキシ）ドデカフルオロチタニルフタロシアニ
ン、

【００６２】

【化１５】

【００６３】化合物９：テトラキス（２−（２−テトラ
ヒドロフルフリルオキシ）カルボニル−４−メチル−６
−メトキシフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロ
シアニン、

【００６４】

【化１６】

【００６５】化合物１０：テトラキス（２−（２−テト
ラヒドロフルフリルオキシ）カルボニル−４−メトキシ
−６−クロロフェノキシ）ドデカフルオロ（ジクロロ
錫）フタロシアニン、

【００６６】

【化１７】

【００６７】化合物１１：テトラキス（２−（２−テト
ラヒドロフルフリルオキシ）カルボニル−６−ブロモメ
チルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニ
ン、

【００６８】

【化１８】

【００６９】化合物１２：テトラキス（２−（２−テト
ラヒドロフルフリルオキシ）カルボニル−４，６−ジブ
ロモメチルフェノキシ）ドデカフルオロ銅フタロシアニ
ン、

【００７０】

【化１９】

【００７１】化合物１３：テトラキス（２，６−ジメト
キシ−４−（２−テトラヒドロフルフリルオキシ）カル
ボニルフェノキシ）ドデカフルオロパラジウムフタロシ
アニン、

【００７２】

【化２０】

【００７３】化合物１４：テトラキス（２−プロピルオ
キシ−５−（２−テトラヒドロフルフリルオキシ）カル
ボニルフェノキシ）ドデカフルオロ鉄フタロシアニン、

【００７４】

【化２１】

【００７５】化合物１５：テトラキス（２−（２−テト
ラヒドロフルフリルオキシ）カルボニル−５−（２−メ
トキシエトキシ）カルボニルフェノキシ）ドデカフルオ
ロニッケルフタロシアニン、

【００７６】

【化２２】

【００７７】化合物１６：テトラキス（２，６−ジ（２
−テトラヒドロフルフリルオキシ）カルボニルフェノキ
シ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン、

【００７８】

【化２３】

【００７９】化合物１７：テトラキス（２，６−ジ（２
−テトラヒドロフルフリルオキシ）カルボニル−４−メ
トキシフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロシア
ニン、

【００８０】

【化２４】

【００８１】化合物１８：テトラキス（４−（２−テト
ラヒドロフランオキシ）カルボニルフェノキシ）ドデカ
フルオロコバルトフタロシアニン、

【００８２】

【化２５】

【００８３】化合物１９：テトラキス（２−（３−テト
ラヒドロフランオキシ）カルボニル−６−メチルフェノ
キシ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン、

【００８４】

【化２６】

【００８５】化合物２０：テトラキス（２−（３−テト
ラヒドロフランオキシ）カルボニル−６−エトキシフェ
ノキシ）ドデカフルオロ亜鉛フタロシアニン、

【００８６】

【化２７】

【００８７】化合物２１：テトラキス（３−（２−テト
ラヒドロピラニルメトキシ）カルボニルフェノキシ）ド
デカフルオロ（クロロインジウム）フタロシアニン、

【００８８】

【化２８】

【００８９】化合物２２：テトラキス（２−（２−テト
ラヒドロピラニルメトキシ）カルボニル−６−エトキシ
カルボニルフェノキシ）ドデカフルオロ亜鉛フタロシア
ニン、

【００９０】

【化２９】

【００９１】化合物２３：テトラキス（２−（２−テト
ラヒドロピラニルメトキシ）カルボニル−６−メチルフ
ェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン、

【００９２】

【化３０】

【００９３】化合物２４：テトラキス（２−（１−モル
フォリニル−２−エトキシ）カルボニルフェノキシ）ド
デカフルオロバナジルフタロシアニン、

【００９４】

【化３１】

【００９５】化合物２５：テトラキス（２−メトキシ−
４−（２−ピラゾリジニルオキシ）カルボニルフェノキ
シ）ドデカフルオロ（クロロガリウム）フタロシアニ
ン、

【００９６】

【化３２】

【００９７】化合物２６：テトラキス（２−（２−ピペ
リジルメトキシ）カルボニル−４−クロロフェノキシ）
ドデカフルオロバナジルフタロシアニン、

【００９８】

【化３３】

【００９９】化合物２７：テトラキス（２−（２−ピラ
ゾリジニルメトキシ）カルボニル−６−メチルフェノキ
シ）ドデカフルオロ（ジクロロゲルマニウム）フタロシ
アニン、

【０１００】

【化３４】

【０１０１】化合物２８：テトラキス（４−（２−テト
ラヒドロチエニルメトキシ）カルボニルフェノキシ）ド
デカフルオロ（ジクロロ錫）フタロシアニン、

【０１０２】

【化３５】

【０１０３】化合物２９：テトラキス（２−（２−テト
ラヒドロチエニルメトキシ）カルボニル−６−メチルフ
ェノキシ）ドデカフルオロ（ジクロロシリコン）フタロ
シアニン、

【０１０４】

【化３６】

【０１０５】一般式（５）

【０１０６】

【化３７】

【０１０７】において、Ｙ₁ 〜Ｙ₄ のうちの２つがフッ
素原子、残りの２つが下記式で表される化合物（Ｍ：Ｖ
Ｏ）である； 化合物３０：ビス（２−（２−テトラヒドロフルフリル
オキシ）カルボニルフェノキシ）テトラデカフルオロバ
ナジルフタロシアニン、

【０１０８】

【化３８】

【０１０９】以下、同様にＹ₁ 〜Ｙ₄ のうちの２つがフ
ッ素原子、残りの２つが下記式で表される化合物（Ｍ：
ＶＯ）である； 化合物３１：ビス（２−（２−テトラヒドロフルフリル
オキシ）カルボニル−６−メチルフェノキシ）テトラデ
カフルオロバナジルフタロシアニン、

【０１１０】

【化３９】

【０１１１】一般式（６）

【０１１２】

【化４０】

【０１１３】において、Ｚが下記式で表される化合物
（Ｍ：ＶＯ）である； 化合物３２：オクタキス（２−（２−テトラヒドロフル
フリルオキシ）カルボニルフェノキシ）オクタフルオロ
バナジルフタロシアニン、

【０１１４】

【化４１】

【０１１５】以下、同様にＺが下記式で表される化合物
（Ｍ：ＶＯ）である； 化合物３３：オクタキス（２−（２−テトラヒドロフル
フリルオキシ）カルボニル−６−メチルフェノキシ）オ
クタフルオロバナジルフタロシアニン、

【０１１６】

【化４２】

【０１１７】以下に本発明の新規フタロシアニン化合物
の製造方法について詳細に明記する。

【０１１８】まず、本発明の新規フタロシアニン化合物
は、ＣＯＯＲで表されるヘテロ環を有するカルボン酸エ
ステル基で１つ以上置換されたフェノキシ基で置換され
たフタロニトリル化合物単独あるいは該フェノキシ基で
置換されていないフタロニトリルとの混合物と金属化合
物とを反応させることにより製造することができる。

【０１１９】上記フェノキシ基で置換されたフタロニト
リル化合物は、さらにフェノキシ基以外の置換基で、そ
の残基の一部または全部が置換されていてもよい。すな
わち、上記フェノキシ基で置換されたフタロニトリル化
合物単独という場合、フェノキシ基のみで置換されたフ
タロニトリル化合物の１種に限定されるのでなく、この
ほかにも、上述のフェノキシ基で置換され、さらにフェ
ノキシ基以外の置換基で、その残基の一部または全部が
置換されたフタロニトリル化合物、さらにこれら両者を
組合わせたフタロニトリル化合物であればよい。また、
上記フェノキシ基で置換されていないフタロニトリル
も、さらにフェノキシ基以外の置換基でベンゼン核の置
換可能な位置の一部または全部が置換されていてもよ
い。すなわち、上記フェノキシ基で置換されていないフ
タロニトリルという場合、フェノキシ基で置換されてい
ないフタロニトリルのみに限定されるのでなく、このほ
かにも、上述のフェノキシ基で置換されておらず、さら
にフェノキシ基以外の置換基でベンゼン核の置換可能な
位置の一部または全部がフェノキシ基以外の置換基で置
換されたフタロニトリル化合物、さらにこれら両者を組
合わせたフタロニトリル化合物であってもよい。したが
って、フェノキシ基で置換されたフタロニトリル化合物
と該フェノキシ基で置換されていないフタロニトリルと
の混合物という場合には、上述したフェノキシ基で置換
されたフタロニトリル化合物の中の１種または２種以上
と該フェノキシ基で置換されていないフタロニトリルの
中の１種または２種以上とからなる混合物をいうもので
ある。

【０１２０】このようなフェノキシ基で置換されたフタ
ロニトリル化合物単独あるいは該フェノキシ基で置換さ
れていないフタロニトリルにおける上記フェノキシ基以
外の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル
基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシ
基、ニトロ基、アミノ基（置換アミノ基を含む）、アル
コキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ
基、スルファモイルアミノ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、アルコキシカルボニルアミノ基、スルホニル
アミノ基、カルバモイル基、スルファモイル基、スルホ
ニル基、アルコキシカルボニル基、ヘテロ環オキシ基、
アゾ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、シリ
ルオキシ基、アリールオキシカルボニル基、イミド基、
ヘテロ環チオ基、スルフィニル基、ホスホリル基、アシ
ル基等が挙げられる。置換基の種類は１種類でも２種類
以上でも構わない。好ましい置換基としては、ハロゲン
原子、特に塩素原子、フッ素原子であり、中でも特にフ
ッ素原子である。

【０１２１】本発明のフタロシアニン化合物の製造に用
いるフタロニトリルは、上記のフェノキシ基で置換され
たフタロニトリル化合物単独であっても、該フェノキシ
基で置換されていないフタロニトリルとの混合物であっ
てもよいが、フェノキシ基で置換されたフタロニトリル
化合物単独であることが好ましい。

【０１２２】本発明の新規フタロシアニン化合物のうち
好ましいものである一般式（１）で表されるものの製造
方法について以下に詳述する。

【０１２３】前記一般式（１）で示される好適な新規フ
タロシアニン化合物は、例えば、下記一般式（３）

【０１２４】

【化４３】

【０１２５】［ただし、式中、ＣＯＯＲはヘテロ環を有
するカルボン酸エステル基を表し、Ｘはハロゲン原子、
ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、アル
コキシ基およびカルボン酸エステル基よりなる群から選
ばれた少なくとも１種を表し、ｍは０〜３の整数を表
し、ｎは０〜４の整数を表す。］で示されるフタロニト
リル化合物と金属化合物とを反応させることにより製造
することができる。

【０１２６】本発明の新規フタロシアニン化合物の製造
方法において、上記フタロニトリル化合物単独あるいは
該フェノキシ基で置換されていないフタロニトリルとの
混合物と金属化合物との反応は無溶媒中でも行なえる
が、有機溶媒を使用して行なうのが好ましい。有機溶媒
は出発原料と反応性のない不活性な溶媒であればいずれ
でもよく、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ニト
ロベンゼン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、
トリクロロベンゼン、１−クロロナフタレン、１−メチ
ルナフタレン、エチレングリコール、ベンゾニトリル等
の不活性溶媒、あるいはピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトフェノン、トリエチルアミン、トリ−ｎ
−ブチルアミン、ジメチルスルホキシド、スルホラン等
の非プロトン性極性溶媒等を用いることができ、好まし
くは、１−クロロナフタレン、１−メチルナフタレン、
ベンゾニトリルである。

【０１２７】本発明では有機溶媒１００部（以下重量部
を表わす）に対してフタロニトリル化合物（あるいは該
フェノキシ基で置換されていないフタロニトリルとの混
合物）を２〜４０部、好ましくは２０〜３５部の範囲、
金属化合物を該フタロニトリル化合物（あるいは該フェ
ノキシ基で置換されていないフタロニトリルとの混合
物）４モルに対して１〜２モル、好ましくは１．１〜
１．５モルの範囲で仕込んで反応温度３０〜２５０℃、
好ましくは８０〜２００℃の範囲で反応させる。

【０１２８】金属化合物としては、塩化物、臭化物、ヨ
ウ化物等のハロゲン化物、金属酸化物、酢酸塩等の有機
酸金属塩、アセチルアセトナート等の錯体化合物、金属
カルボニル化合物、金属粉等がある。

【０１２９】本発明において、出発原料であるフタロニ
トリル化合物は、例えば、一般式（３）に示すフタロニ
トリル化合物を例に取れば、下記スキームのステップＡ
に従って合成できる。そして本発明の一般式（１）で示
される新規フタロシアニン化合物の合成は、それらフタ
ロニトリル化合物単独の原料を用いてステップＢに従い
目的物を得ることができる。

【０１３０】

【化４４】

【０１３１】また、一般式（５）および（６）で示され
る新規フタロシアニン化合物は、例えば、上記一般式
（１）で示される新規フタロシアニン化合物の合成方法
と同様の方法で合成できる。すなわち、一般式（５）で
示される新規フタロシアニン化合物は、上記合成スキー
ムのステップＢにおいて、原料として３，４，５，６−
テトラフルオロフタロニトリルと上記フタロニトリル化
合物（好ましくは一般式（３）で示されるフタロニトリ
ル化合物）との１：１（モル比）混合物を用いることに
より合成できる。また、一般式（６）で示される新規フ
タロシアニン化合物は、上記合成スキームのステップＡ
の原料のフェノールを２倍量用いることによって、下記
一般式（７）

【０１３２】

【化４５】

【０１３３】に示すフタロニトリル化合物を製造し、次
いでステップＢにおいて原料として一般式（７）に示す
フタロニトリル化合物を用いることによって合成でき
る。

【０１３４】本発明の新規フタロシアニン化合物は、溶
解性が高く、反射率、感度、耐光性に優れているので、
特にそれらの特性を必要としている、透明な樹脂製基
板、該基板上に設けられた記録層と金属の反射層からな
るコンパクトディスク対応の追記型光記録媒体として、
例えばオーディオ等の音楽再生用のＣＤ、写真保存用の
ＰＨＯＴＯ−ＣＤまたはコンピューター用のＣＤ−ＲＯ
Ｍのプレーヤーに対して互換性、共用性を有する追記型
光記録媒体として効果を発揮できる。

【０１３５】フタロシアニン化合物を基板上に設けられ
た記録層に含有してなる光記録媒体として、一般式
（１）において、ヘテロ環を有するカルボン酸エステル
基がフェノキシ基の２位にあるフタロシアニン化合物が
光記録媒体における記録感度の点から好ましい。

【０１３６】また、ヘテロ環がアルキレン基を介してカ
ルボン酸に結合しているカルボン酸エステル基を有する
フェノキシ基で置換されたフタロシアニン化合物は記録
感度の点から好ましい。

【０１３７】本発明の新規フタロシアニン化合物は、耐
光性を維持しながら吸収波長の制御、薄膜における光学
特性、有機溶媒に対する溶解性において優れた特性が得
られ、さらに、ヘテロ環を有するカルボン酸エステル基
がフェノキシ基の２位にあるフタロシアニン化合物は熱
分解温度を低くでき、コンパンクトディスク対応の光記
録媒体に優れた効果が発揮できる。

【０１３８】この際に用いるディスク基板としては、信
号の記録、または読みだしを行なうための光が透過する
ものが好ましい。光の透過率としては８５％以上であっ
てかつ光学異方性の小さいものが望ましい。例えば、ガ
ラス、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチ
レン樹脂、エポキシ樹脂などからなる基板が挙げられ
る。これらの中で光学特性、成形のしやすさあるいは機
械的強度などからポリカーボネート樹脂が好ましい。

【０１３９】この基板上に前記した色素がまず形成され
て、その上に金属の反射膜層が形成される。反射膜層と
して使用する金属はアルミニウム、銀、金、銅、白金な
どが挙げられ、この反射膜層は通常、真空蒸着、スパッ
ター法などの方法により形成される。

【０１４０】本発明の光記録媒体において前記色素を含
む記録層を基板上に成膜させるためには、通常塗布法を
用いるのが良い。方法としてはスピンコート法、ディッ
プ法あるいはロールコート法によって可能であり、特に
スピンコート法が好ましい。その際使用する有機溶剤
は、基板を侵さないものを用いる。例えば、ヘキサン、
オクタン、シクロヘキサンなどの脂肪族、脂環式炭化水
素系の溶媒あるいはメチルアルコール、エチルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、アリルアルコール、２−
メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、ジアセ
トンアルコールなどのアルコール系の溶媒が好ましい。
本発明の前記色素はアルコール系溶媒に特に良く溶解す
るのでこれらの溶媒を用いるのが良い。

【０１４１】本発明の光記録媒体の１種であるＣＤは、
プレーヤーに対しての互換性の観点から基板を通しての
読み出しレーザー光に対する反射率は６０％以上である
ことが必要とされている。

【０１４２】これらはそれぞれの色素に合わせて膜厚を
最適化することによって可能であり、通常５０ｎｍ〜３
００ｎｍ、特に８０ｎｍ〜２００ｎｍが良い。

【０１４３】

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。

【０１４４】実施例１ 化合物４の製造 １００ｍｌの四つ口フラスコ中に下記構造式（８）で示
されるフタロニトリル化合物４．０２ｇ（０．０１モ
ル）、塩化第一錫０．５７ｇ（３ミリモル）およびベン
ゾニトリル１５ｍｌを仕込み、１７５℃で４時間反応さ
せた。反応終了後溶媒を留去し、得られた固形分をメチ
ルアルコール２００ｍｌで洗浄することにより目的物の
緑色ケーキ（テトラキス（４−（２−テトラヒドロフル
フリルオキシ）カルボニルフェノキシ）ドデカフルオロ
（ジクロロ錫）フタロシアニン（化合物４））３．８５
ｇを得た。（収率、フタロニトリルに対し９２．２
％）。

【０１４５】 可視吸収スペクトル 最大吸収波長 ２−エトキシエタノール中 ７２９．０ｎｍ（ε＝５．６８×１０⁴ ） 薄膜 ７３０．５ｎｍ 溶解度 ２−エトキシエタノールに対して １２重量％ 元素分析 Ｈ Ｃ Ｎ Ｆ 理論値 ２．８９％ ５３．４０％ ６．２３％ １２．６８％ 分析値 ２．９５％ ５３．５２％ ６．５３％ １２．５１％

【０１４６】

【化４６】

【０１４７】実施例２ 化合物２の製造 １００ｍｌの四つ口フラスコ中に下記構造式（９）で示
されるフタロニトリル化合物４．１６ｇ（０．０１モ
ル）、三塩化バナジウム０．４７ｇ（３ミリモル）およ
びベンゾニトリル１５ｍｌを仕込み、１７５℃で４時間
反応させた。反応終了後溶媒を留去し、得られた固形分
をメチルアルコール２００ｍｌで洗浄することにより目
的物の緑色ケーキ３．６０ｇを得た。（収率、フタロニ
トリルに対し８３．２％）。得られたテトラキス（２−
（２−テトラヒドロフルフリルオキシ）カルボニル−６
−メチルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロシ
アニン（化合物２）の赤外線吸収スペクトルを図１に示
す。

【０１４８】 可視吸収スペクトル 最大吸収波長 ２−エトキシエタノール中 ７１１．５ｎｍ（ε＝８．２２×１０⁴ ） 薄膜 ６７２．５ｎｍ 溶解度 ２−エトキシエタノールに対して １２重量％ 元素分析 Ｈ Ｃ Ｎ Ｆ 理論値 ３．４９％ ５８．２４％ ６．４７％ １８．１６％ 分析値 ３．６７％ ５８．３９％ ６．５５％ １３．０２％

【０１４９】

【化４７】

【０１５０】実施例３ 化合物５の製造 １００ｍｌの四つ口フラスコ中に下記構造式（１０）で
示されるフタロニトリル化合物４．４６ｇ（０．０１モ
ル）、三塩化バナジウム０．４７ｇ（３ミリモル）およ
びベンゾニトリル１５ｍｌを仕込み、１７５℃で４時間
反応させた。反応終了後溶媒を留去し、得られた固形分
をメチルアルコール２００ｍｌで洗浄することにより目
的物の緑色ケーキ（テトラキス（２−（２−テトラヒド
ロフルフリルオキシ）カルボニル−６−エトキシフェノ
キシ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン（化合物
５））３．８９ｇを得た。（収率、フタロニトリルに対
し８４．１％）。

【０１５１】 可視吸収スペクトル 最大吸収波長 ２−エトキシエタノール中 ７１１．５ｎｍ（ε＝１．３７×１０⁵ ） 薄膜 ７２９．０ｎｍ 溶解度 ２−エトキシエタノールに対して １３重量％ 元素分析 Ｈ Ｃ Ｎ Ｆ 理論値 ３．７０％ ５７．０６％ ６．０５％ １２．３１％ 分析値 ３．５５％ ５６．８４％ ６．００％ １２．４１％

【０１５２】

【化４８】

【０１５３】実施例４ 化合物１６の製造 １００ｍｌの四つ口フラスコ中に下記構造式（１１）で
示されるフタロニトリル化合物５．３０ｇ（０．０１モ
ル）、三塩化バナジウム０．４７ｇ（３ミリモル）およ
びベンゾニトリル１５ｍｌを仕込み、１７５℃で４時間
反応させた。反応終了後溶媒を留去し、得られた固形分
をメチルアルコール２００ｍｌで洗浄することにより目
的物の緑色ケーキ３．９０ｇを得た。（収率、フタロニ
トリルに対し７１．３％）。得られたテトラキス（２，
６−ジ（２−テトラヒドロフルフリルオキシ）カルボニ
ルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニン
（化合物１６）の赤外線吸収スペクトルを図２に示す。

【０１５４】 可視吸収スペクトル 最大吸収波長 ２−エトキシエタノール中 ７１３．０ｎｍ（ε＝１．５７×１０⁵ ） 薄膜 ７３３．５ｎｍ 溶解度 ２−エトキシエタノールに対して ７重量％ 元素分析 Ｈ Ｃ Ｎ Ｆ 理論値 ３．８７％ ５７．０７％ ５．１２％ １０．４２％ 分析値 ３．９０％ ５６．９９％ ５．０９％ １０．５１％

【０１５５】

【化４９】

【０１５６】実施例５ 化合物２３の製造 １００ｍｌの四つ口フラスコ中に下記構造式（１２）で
示されるフタロニトリル化合物４．３０ｇ（０．０１モ
ル）、三塩化バナジウム０．４７ｇ（３ミリモル）およ
びベンゾニトリル１５ｍｌを仕込み、１７５℃で４時間
反応させた。反応終了後溶媒を留去し、得られた固形分
をメチルアルコール２００ｍｌで洗浄することにより目
的物の緑色ケーキ３．３２ｇを得た。（収率、フタロニ
トリルに対し７４．３％）。得られたテトラキス（２−
（２−テトラヒドロピラニルメトキシ）カルボニル−６
−メチルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロシ
アニン（化合物２３）の赤外線吸収スペクトルを図３に
示す。

【０１５７】 可視吸収スペクトル 最大吸収波長 ２−エトキシエタノール中 ７１２．０ｎｍ（ε＝８．９９×１０⁴ ） 薄膜 ６７６．０ｎｍ 溶解度 ２−エトキシエタノールに対して １０重量％ 元素分析 Ｈ Ｃ Ｎ Ｆ 理論値 ３．８７％ ５９．１０％ ６．２７％ １２．７５％ 分析値 ３．９５％ ５８．９３％ ６．２５％ １２．８８％

【０１５８】

【化５０】

【０１５９】実施例６ 化合物１９の製造 １００ｍｌの四つ口フラスコ中に下記構造式（１３）で
示されるフタロニトリル化合物４．０２ｇ（０．０１モ
ル）、三塩化バナジウム０．４７ｇ（３ミリモル）およ
びベンゾニトリル１５ｍｌを仕込み、１７５℃で４時間
反応させた。反応終了後溶媒を留去し、得られた固形分
をメチルアルコール２００ｍｌで洗浄することにより目
的物の緑色ケーキ３．８８ｇを得た。（収率、フタロニ
トリルに対し９２．７％）。得られたテトラキス（２−
（３−テトラヒドロフランオキシ）カルボニル−６−メ
チルフェノキシ）ドデカフルオロバナジルフタロシアニ
ン（化合物１９）の赤外線吸収スペクトルを図４に示
す。

【０１６０】 可視吸収スペクトル 最大吸収波長 ２−エトキシエタノール中 ７１０．０ｎｍ（ε＝８．３１×１０⁴ ） 薄膜 ６７４．５ｎｍ 溶解度 ２−エトキシエタノールに対して １１重量％ 元素分析 Ｈ Ｃ Ｎ Ｆ 理論値 ３．１３％ ５７．３２％ ６．６８％ １３．５０％ 分析値 ３．２０％ ５７．４９％ ６．７０％ １３．４９％

【０１６１】

【化５１】

【０１６２】実施例７〜１５ 表１〜表３に示すフタロニトリル化合物および金属化合
物を用いて実施例１〜６と同様の方法によりフタロシア
ニン化合物を製造した。このときのフタロニトリル化合
物に対する収率および２−エトキシエタノール中での最
大吸収波長は、表１〜表３に示すとおりであった。

【０１６３】

【表１】

【０１６４】

【表２】

【０１６５】

【表３】

【０１６６】実施例１６ 深さ８０ｎｍ、ピッチ１．６μｍの螺旋上の案内溝を有
する厚さ１．２ｎｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍの
ポリカーボネート樹脂基板上に実施例１のフタロシアニ
ン化合物を２−メトキシエタノールに５重量％の濃度で
溶解した塗液をスピンコーターを用いて１２０ｎｍに成
膜した。次に、このようにして得られた塗布膜の上に金
を膜厚７５ｎｍで真空蒸着により成膜した。さらに、こ
の上に紫外線硬化型の樹脂からなる保護コート膜を設け
て、光記録媒体を作成した。このようにして得られた光
記録媒体の反射率を測定したところ、７７０ｎｍ〜８０
０ｎｍの波長域で７８％であり安定した光学特性が得ら
れた。

【０１６７】この光記録媒体を用いて波長７８０ｎｍの
半導体レーザーを使用し、６．５ｍＷの出力で線速１．
４ｍ／ｓでＥＭＦ信号を記録したところ、記録が可能で
あった。得られた信号を解析した結果市販のＣＤプレー
ヤーで再生できるレベルであった。

【０１６８】実施例１７〜３０ 実施例１６において、実施例２〜１５に製造方法を示し
た化合物をそれぞれ用いた以外は実施例１６と同じよう
に操作して光記録媒体を作成した。この光記録媒体を用
いて実施例１６と同じ方法で評価した。その結果作成反
射率として７５％以上あり安定した光学特性が得られ
た。

【０１６９】また、これらの光記録媒体を用いて、波長
７８０ｎｍの半導体レーザーを使用し、６．５ｍＷの出
力で、線速１．３ｍ／ｓでＥＭＦ信号を記録したとこ
ろ、記録が可能であった。得られた信号を解析した結果
市販のＣＤプレーヤーで再生できるレベルであった。

【０１７０】また、実施例１〜１５で得られたフタロシ
アニン化合物について、耐光性、溶解度および会合性に
ついて測定し、表４の結果を得た。

【０１７１】

【表４】

【０１７２】なお、耐光性の評価は、以下の方法により
行なった。

【０１７３】色素１ｇをメチルエチルケトン２０ｇに溶
解させ、ガラス基盤上にスピンコート法により色素薄膜
を作成し試料とした。この試料をキセノン耐光性試験機
（照射光量１０万Ｌｕｘ）にセットし、経時での吸光度
の減少を測定した。そして、１００時間経過後の吸光度
の残存率により次の三段階の評価を行なった。

【０１７４】 ○ １００時間経過後の吸光度の残存率 ８０％以上 △ １００時間経過後の吸光度の残存率 ３０％〜８０％ × １００時間経過後の吸光度の残存率 ３０％未満 また、２−メトキシエタノール中での溶解度を測定し、
次の三段階の評価を行なった。

【０１７５】○ ５％以上の溶解度 △ ２％〜５％の溶解度 × ２％未満 また吸収波長は、２−メトキシエタノール中で測定し
た。

【０１７６】会合ピークは次の２段階の評価を行なっ
た。

【０１７７】○ ２０％以下の会合ピーク × ２０％以上の会合ピーク

【０１７８】

【発明の効果】本発明の製造方法によれば、フタロシア
ニン骨格に位置選択的に置換基を導入することが可能で
ある。すなわち、本発明の製造方法によれば、用途に応
じた近赤外線の吸収波長域又は溶解性を変えた化合物の
分子設計が可能となり、その際、複雑な製造工程を経る
必要もなく工業的に有利である。本発明の新規フタロシ
アニン化合物中のフッ素原子はむしろ溶解性を高める効
果を有している。

【０１７９】以上述べたごとく、本発明の新規化合物
は、従来知られているフタロシアニン化合物に比べ吸収
特性、溶解性、耐光性および経済性に優れており、また
６５０〜９００ｎｍの近赤外域に吸収を有するので、近
赤外吸収色素として実用的に使用できる。特にＣＤ、Ｐ
ＨＯＴＯ−ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭのプレーヤーにたい
して互換性、共有性を有する追記型光記録媒体に用いる
際に優れた効果を発揮できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、本発明によるフタロシアニン化合物２の赤
外線吸収スペクトルである。

【図２】は、本発明によるフタロシアニン化合物１６の
赤外線吸収スペクトルである。

【図３】は、本発明によるフタロシアニン化合物２３の
赤外線吸収スペクトルである。

【図４】は、本発明によるフタロシアニン化合物１９の
赤外線吸収スペクトルである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉年 孝司 茨城県つくば市観音台１丁目25番地12 株 式会社日本触媒内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フタロシアニン骨格のベンゼン核の１６
   個の置換可能な位置のうちの１〜８個がフェノキシ基で
   置換されてなり、かつ該フェノキシ基が１つ以上のＣＯ
   ＯＲで表されるヘテロ環を有するカルボン酸エステル基
   で置換されていることを特徴とする新規フタロシアニン
   化合物。
2. 【請求項２】 下記一般式（１） 【化１】 ［ただし、式中、ＣＯＯＲはヘテロ環を有するカルボン
   酸エステル基を表し、Ｘはハロゲン原子、ハロゲン原子
   で置換されていてもよいアルキル基、アルコキシ基およ
   びカルボン酸エステル基よりなる群から選ばれた少なく
   とも１種を表し、ｍは０〜３の整数を表し、ｎは０〜４
   の整数を表し、Ｍは金属、酸化金属あるいはハロゲン化
   金属を表す。］で示される請求項１に記載の新規フタロ
   シアニン化合物。
3. 【請求項３】 下記一般式（２） 【化２】 ［ただし、式中、ＣＯＯＲはヘテロ環を有するカルボン
   酸エステル基を表し、Ｘはハロゲン原子、ハロゲン原子
   で置換されていてもよいアルキル基、アルコキシ基およ
   びカルボン酸エステル基よりなる群から選ばれた少なく
   とも１種を表し、ｎは０〜４の整数を表し、Ｍは金属、
   酸化金属あるいはハロゲン化金属を表す。］で示される
   請求項２に記載の新規フタロシアニン化合物。
4. 【請求項４】 前記ヘテロ環を有するカルボン酸エステ
   ル基が、フェノキシ基の２位にある請求項１〜３のいず
   れか１項に記載のフタロシアニン化合物。
5. 【請求項５】 前記ヘテロ環が酸素原子を有するカルボ
   ン酸エステル基である請求項１〜４のいずれか１項に記
   載のフタロシアニン化合物。
6. 【請求項６】 前記一般式（１）において、Ｘの１つが
   フェノキシ基の６位にある請求項２〜５のいずれか１項
   に記載のフタロシアニン化合物。
7. 【請求項７】 ＣＯＯＲで表されるヘテロ環を有するカ
   ルボン酸エステル基で１つ以上置換されたフェノキシ基
   で置換されたフタロニトリル化合物単独あるいは該フェ
   ノキシ基で置換されていないフタロニトリルとの混合物
   と金属化合物とを反応させることを特徴とする請求項１
   〜６のいずれか１項に記載の新規フタロシアニン化合物
   の製造方法。
8. 【請求項８】 下記一般式（３） 【化３】 ［ただし、式中、ＣＯＯＲはヘテロ環を有するカルボン
   酸エステル基を表し、Ｘはハロゲン原子、ハロゲン原子
   で置換されていてもよいアルキル基、アルコキシ基およ
   びカルボン酸エステル基よりなる群から選ばれた少なく
   とも１種を表し、ｍは０〜３の整数を表し、ｎは０〜４
   の整数を表す。］で示されるフタロニトリル化合物と金
   属化合物とを反応させることを特徴とする請求項７に記
   載の新規フタロシアニン化合物の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項１〜６に記載の新規フタロシアニ
   ン化合物を基板上に設けられた記録層に含有してなる光
   記録媒体。
10. 【請求項１０】 透明な樹脂製基板上に設けられた記録
    層および金属の反射層を有するコンパクトディスク対応
    の追記型光記録媒体において、該記録層が請求項９に記
    載の記録層である光記録媒体。