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JPH08225382A - 複合エレクトロニクス被膜 - Google Patents

複合エレクトロニクス被膜

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Publication number
JPH08225382A
JPH08225382A JP7312646A JP31264695A JPH08225382A JP H08225382 A JPH08225382 A JP H08225382A JP 7312646 A JP7312646 A JP 7312646A JP 31264695 A JP31264695 A JP 31264695A JP H08225382 A JPH08225382 A JP H08225382A
Authority
JP
Japan
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coating
coating composition
resin
fiber
fibers
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP7312646A
Other languages
English (en)
Inventor
Robert Charles Camilletti
チャールズ カミレッティ ロバート
Loren A Haluska
アンドリュー ハルスカ ローレン
Keith Winton Michael
ウィントン マイケル キース
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Corp filed Critical Dow Corning Corp
Publication of JPH08225382A publication Critical patent/JPH08225382A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 エレクトロニクス基体上に複合被膜を形成す
る新規な方法及びそれによって得られるエレクトロニク
ス基体を提供する。 【解決手段】 水素シルセスキオキサン樹脂及び耐熱性
繊維を含む被覆材をエレクトロニクス基体上に適用し、
この被覆された基体を前記水素シルセスキオキサン樹脂
をセラミックに変換するに充分な温度で加熱する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水素シルセスキオ
キサン樹脂及び耐熱性繊維から形成される複合被膜に関
する。これらの被膜はエレクトロニクス基体上に不透明
な誘電層を形成するのに有用である。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】水素シ
ルセスキオキサン樹脂から誘導されたセラミック被膜を
エレクトロニクス装置のような基体の上に使用すること
は、当技術分野で公知である。例えば、ＵＳ−Ａ４７５
６９７７は、エレクトロニクス基体の上にシリカ被膜を
形成する方法を開示しており、この場合、水素シルセス
キオキサン樹脂（以下「Ｈ−樹脂」ということがある）
の溶液を基体の上に適用し、その後、被覆された基体を
空気中２００〜１０００℃の温度で加熱する。しかしな
がら、この文献は前記被膜中に繊維を使用することを記
載していない。
【０００３】同様に、セラミック材料中にセラミック繊
維を含有するセラミック複合被膜も当技術分野において
公知である。しかしながら、当技術分野はＨ−樹脂をマ
トリックスとして使用することも、そのような被膜をエ
レクトロニクス基体上に適用することも記載していな
い。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は耐熱性繊維
を含むセラミック複合被膜がエレクトロニクス装置上に
その保護のために形成できることを見出した。
【０００５】本発明は、エレクトロニクス装置上に被膜
を形成する方法、及びそのようにして被覆した装置を提
供する。この方法は、先ずＨ−樹脂及び耐熱性繊維を含
む組成物を基体上に適用する。次いでこの被覆された基
体を、前記Ｈ−樹脂をセラミックに変換するに充分な温
度で加熱する。
【０００６】本発明は、溶剤中に希釈されたＨ−樹脂及
び耐熱性繊維を含む被覆組成物にも関する。
【０００７】本発明は、Ｈ−樹脂及び耐熱性繊維を含む
組成物からセラミック複合被膜を形成することができる
ことを、本発明者等が見出したことに基づいている。こ
れらの被膜は、それらが優れた機械的保護及び誘電保護
を与えるので、Ｈ−樹脂装置上に使用して有用である。
加えて、この被膜は不透明なので、下に横たわる装置が
目で見えることが損なわれる。この方法にＨ−樹脂を使
用することは、低変換温度で形成され、Ｈ−樹脂がさほ
ど収縮しないので、この被膜が割れない点で有利であ
る。
【０００８】ここで用いている用語「シリカ含有マトリ
ックス」又は「セラミックマトリックス」は、Ｈ−樹脂
を加熱した後に得られる硬い被膜を記述するのに用いら
れている。この被膜は、アモルファスシリカ（Ｓｉ
Ｏ2 ）材料並びにアルファスシリカ様材料で、残留炭素
（例えばＳｉ−Ｃ又はＳｉ−ＯＣ）、シラノール（Ｓｉ
−ＯＨ）及び／又は水素の完全には抜けていないもの
（これらは前記シリカ前駆体樹脂を加熱したとき得られ
る）並びに耐熱性繊維の両方を含む。用語「エレクトロ
ニクス基体」は、エレクトロニクス装置又はエレクトロ
ニクス回路、例えばシリコンをベースにした装置又はガ
リウムをベースにした装置、焦点面配列（ｆｏｃａｌ
ｐｌａｎｅ ａｒｒａｙｓ）、光電式装置、光起電力セ
ル及び光学装置を含む。
【０００９】本発明において、Ｈ−樹脂と耐熱性繊維と
を含む被覆組成物を基体に適用し、次いでこの被覆され
た基体を、前記組成物をセラミックに変換するに充分な
温度で加熱することを含むプロセスによって、基体上に
セラミック被膜が形成される。
【００１０】本発明において使用できるＨ−樹脂は、式
ＨＳｉ（ＯＨ）x （ＯＲ）y Ｏz/2（ここに、各Ｒは独
立に有機基又は置換された有機基であって酸素原子を介
してケイ素に結合したとき、加水分解性置換基形成する
ものであり、ｘ＝０〜２、ｙ＝０〜２、ｚ＝１〜３、ｘ
＋ｙ＋ｚ＝３である）で示されるヒドリドシロキサン樹
脂を含む。Ｒの例は、アルキル、例えばメチル、エチ
ル、プロピル及びブチル；アリール、例えばフェニル及
びアルケニル、例えばアリール及びビニルである。その
ようなものとして、これらの樹脂は完全に縮合していて
もよく（ＨＳｉＯ 3/2)n 、又はそれらは単に部分的に加
水分解しているか（即ち、幾らかのＳｉ−ＯＲを含んで
いる）及び／又は部分的に縮合している（即ち、幾らか
のＳｉ−ＯＨを含んでいる）。この構造によっては表せ
ないが、これらの樹脂は、それらの形成又は取扱いに含
まれる種々のファクターの故にそれらに結合している０
又は２個の水素原子を有する少数（例えば、１０％未
満）のケイ素原子を含んでいてもよい。
【００１１】上記Ｈ−樹脂及びそれらの製造は当技術分
野において公知である。例えば、ＵＳ−Ａ３６１５２７
２は、トリクロロシランをベンゼンスルホン酸水和物加
水分解媒体中で加水分解し、次いで得られた樹脂を水又
は硫酸水溶液で洗浄することをふくむプロセスによって
ほぼ完全に縮合したＨ−樹脂（これは１００〜３００pp
m までのシラノールを含んでいてもよい）の製造を特許
請求している。同様に、ＵＳ−Ａ５０１０１５９は、ア
リールスルホン酸水和物加水分解媒体中でヒドリドシラ
ンを加水分解して樹脂を形成し、次いでこれを中和剤に
接触することを含む代替方法を開示している。
【００１２】他のヒドリドシロキサン樹脂、例えばＵＳ
−Ａ４９９９３９７に記載されているもの、酸性アルコ
ール性加水分解性媒体中でアルコキシ又はアシロキシシ
ランを加水分解することによって製造されるもの、ＪＰ
−Ａ５９−１７８７４９、６０−８６０１７及び６３−
１０７１２２において作られているもの、又は他の均等
なヒドリドシロキサンも、ここで機能するであろう。
【００１３】この被覆組成物は、他のセラミック酸化物
前駆体をも含んでいてもよい。そのようなセラミック酸
化物の例は、種々の金属の化合物、例えばアルミニウ
ム、チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブ及／又は
バナジウム、並びに種々の非金属化合物、例えばホウ素
又は燐の化合物を含む。但し、これらの化合物は溶媒に
溶解され、加水分解され、そして比較的低い温度で、比
較的速い反応速度で熱分解してセラミック酸化物被膜を
形成する場合に限る。
【００１４】上記セラミック酸化物前駆体化合物は、一
般に、前記金属又は非金属の原子価に依存して、上記金
属又は非金属に結合した１又はそれ以上の加水分解性基
を有する。これら化合物は、溶媒に溶解性である限りそ
れらの化合物に含まれる加水分解性基の数は重要でな
い。同様に、置換基は加水分解されるか又は熱分解され
て系から出てしまうから、正確な加水分解性置換基の選
択は重要でない。典型的な加水分解性基は、アルコキ
シ、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ
及びヘキソキシ；アシロキシ、例えばアセトキシ；又は
酸素を介して前記金属又は非金属に結合した他の有機
基、例えばアセチルアセトネートである。従って、特別
な化合物はジルコニウムテトラアセチルアセトネート、
チタニウムジブトキシジアセチルアセトネート、アルミ
ニウムトリアセチルアセトネート及びテトライソブトキ
シチタニウムを含む。
【００１５】Ｈ−樹脂が上記セラミック酸化物前駆体の
１つと組み合わせられるとき、それは一般に最終セラミ
ック被膜が０．１〜３０ｗｔ％の変性用セラミック酸化
物を含んでいる。
【００１６】前記被覆組成物は、シリカへの変換の速度
及び程度を増すために白金、ロジウム又は銅触媒を含ん
でいてもよい。一般に、可溶化できるどんな白金、ロジ
ウム又は銅化合物又は錯体も機能するであろう。例え
ば、白金アセチルアセトネート、Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎ
ｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ， Ｍｉｄｌａｎｄ， Ｍ
ｉｃｈ．から得られるロジウム触媒ＲｈＣｌ3 〔Ｓ（Ｃ
Ｈ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ3）2 〕3 、又はナフテン酸銅は
全て本発明において適当である。これらの触媒は一般に
Ｈ−樹脂の重量を基準として、５〜１０００ppm の量の
白金、ロジウム又は銅を加えられる。
【００１７】ここで用いられる耐熱性繊維は当技術分野
において公知であり、Ｈ−樹脂と混和性であり、加熱に
耐えることができるどんな繊維も含むことができる。こ
れらの多数の繊維が商業的に入手可能である。適当な繊
維の例は、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭素の芯に炭化ケ
イ素が析出したもの、ホウ酸アルミニウム、酸化アルミ
ニウム、酸化ケイ素、チタンを含む炭化ケイ素、酸化炭
化ケイ素、シリコンオキシカルボナイトライド、炭素、
グラファイト、アラミド及び有機顔料を含む。これらの
繊維は、１トウ（ｔｏｗ）当たりどんな望みの数のフィ
ラメントを含んでいてもよく、１μm 未満（例えば０．
１μm ）〜５００μm の範囲のサイズを有する。
【００１８】特別な繊維の例は、日本カーバイド社によ
って製造され商標“Ｎｉｃａｌｏｎ TM”の下に販売され
ている炭化ケイ素繊維；Ａｖｃｏによって製造され“Ｓ
ＣＳ−６TM”と呼ばれている直径１４３μm の炭素芯上
に炭化ケイ素の析出されたものを含む繊維；３Ｍによっ
て製造され商標“Ｎｅｘｔｅｌ ３１２TM”、“Ｎｅｘ
ｔｅｌ ４４０TM”及び“Ｎｅｘｔｅｌ ４８０TM”の
下に販売されている直径１０〜１２μm のアルミナ−ボ
リア（ｂｏｒｉａ）−シリカ繊維；名称“ＦＰ TM”の下
にＤｕ Ｐｏｎｔによって製造されている直径２０μm
のＡｌ2 Ｏ3 繊維；Ｊ．Ｐ． Ｓｔｅｖｅｎｓによって
製造されている直径８〜１０μm のＳｉＯ2 繊維；住友
によって製造されている直径９〜１７μm の範囲のＡｌ
2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 繊維；宇部によって製造され商標“Ｔ
ｙｒａｎｎｏTM”の下に販売されている直径８〜１０μ
m の範囲のチタン含有炭化ケイ素繊維；Ａｖｃｏによっ
て製造され直径６〜１０μm の範囲の炭化ケイ素繊維；
Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇによって製造され“ＭＰＤ
ＺTM”及び“ＨＰＺTM”と呼ばれる直径１０〜１５μm
の範囲のシリコンオキシカルボナイトライド繊維；Ｄｏ
ｗ Ｃｏｒｎｉｎｇによって製造され“ＭＰＳTM”と呼
ばれる直径１０〜１５μm の範囲の炭化ケイ素繊維；東
燃又はＲｈｏｎｅ Ｐｏｕｌａｎｃによって製造されて
いるような窒化ケイ素繊維；Ｄｕ Ｐｏｎｔによって製
造され“ＰＲＤ−１６６TM”と呼ばれる直径２０μm の
Ａｌ2 Ｏ3 −ＺｒＯ2 繊維；Ｈｉｔｃｏによって販売さ
れているような炭素繊維；及びＤｕＰｏｎｔによって商
標“ＫＥＶＬＡＲ”の下に販売されるアラミド繊維を含
む。
【００１９】ここで用いられる耐熱性繊維は被覆を容易
にするために短い長さに細断される。望みの被覆剤中で
うまく処理できるどんな長さの繊維もここでは使用でき
る。一般に、この長さは１cm未満で、１０μm 〜１０mm
の範囲の長さが好ましい。
【００２０】本発明において使用される耐熱性繊維の量
も、例えば、最終被覆に望まれる特性に依存して広い範
囲に亘って変化しうる。しかしながら、一般に、耐熱性
繊維は、充分なＨ−樹脂が存在して耐熱性繊維を結び付
けることを確保するために、９０容量％未満の量で使用
される。明らかに、より少量の繊維（例えば、１〜５容
量％）も使用できる。繊維の体積は２５〜８０％の範囲
にあることが好ましい。
【００２１】望むならば、他の材料も本発明被覆組成物
中に存在してもよい。例えば、繊維の表面を変性してよ
りよい接着性を与えたり、よりよい剥離性を与えたりす
るための物質を使用することができる。これらの物質
は、例えば、シラン類、例えばグリシドキシプロピルト
リメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン及びビニルトリアセトキシシランを含む。同様に、
懸濁剤が被覆組成物中に含まれていてもよい。いろいろ
な任意の成分は当業者に知られている。
【００２２】本発明によれば、Ｈ−樹脂、耐熱性繊維及
びどんな任意成分であれそれはエレクトロニクスの表面
に適用される。エレクトロニクス基体の表面は裸であっ
てもよく（即ちパッシベーション無し）、また、回路は
パッシベーションを持っていてもよい。そのようなパッ
シベーションは、例えば、シリカ、窒化ケイ素、炭化ケ
イ素、酸化窒化ケイ素及び酸化炭化ケイ素のようなセラ
ミック被膜であってもよく；ＣＶＤ、ＰＶＤ又はゾル−
ゲル法で析出されてもよい。そのようなパッシベーショ
ンは当業者に公知である。同様に、前記回路は事前の又
は事後の相互接続であり得る。
【００２３】この被覆組成物はどんな方法で調製するこ
ともできるが、好ましい方法はＨ−樹脂を溶媒に溶解
し、繊維及びもしあれば何らかの任意成分をその中に分
散する。次いでこの分散体をエレクトロニクス基体の表
面に適用する。Ｈ−樹脂及び繊維を溶解又は分散し、ま
たより均一な塗布材料を作るために、攪拌及び／又は加
熱のような種々の促進手段も用いてよい。使用できる溶
媒は、Ｈ−樹脂を溶解し、繊維を分散して、得られる被
覆材に影響を与えることなく均一な液体混合物を形成す
るどんな薬剤も薬剤混合物も使用できる。これらの溶媒
は、芳香族炭化水素、例えばベンゼン又はトルエン；ア
ルカン、例えばｎ−ヘプタン又はドデカン；ケトン；エ
ステル；エーテル；又は環状ジメチルポリシロキサンを
含み、上記材料を適用のために望まれる濃度に溶解／分
散させるに充分な量で使用される。一般に、０．１〜８
０ｗｔ％、好ましくは１〜５０ｗｔ％の混合物を形成す
るに充分な量の上記溶媒が使用される。
【００２４】もし、液体法が使用されるならば、Ｈ−樹
脂、耐熱性繊維、溶媒及びもしあれば何らかの任意の成
分を含む液体混合物を基体の表面に塗布する。塗布の方
法は、スピンコーティング、ディップコーティング、ス
プレーコーティング又はフローコーティングであり得
る。しかしながら、他の均等な手段も適当である。
【００２５】次いで、前記溶媒は被覆された表面から蒸
発され、Ｈ−樹脂及び耐熱性繊維被膜の析出物をもたら
す。どんな適当な蒸発手段も使用できる。例えば、周囲
の雰囲気への暴露による、真空もしくは穏やかな加熱
（例えば、５０℃未満）による、又は加熱処理の早期の
段階での、単純な空気乾燥が使用できる。スピンコーテ
ィングが使用されるときは、スピンニングは溶媒を追い
出すので、追加の乾燥期間を最小にする。
【００２６】上記の方法は主に液体アプローチの使用に
焦点を当てているが、当業者は他の均等な方法、例えば
急熱加工（ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｐｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｇ）もここでは機能するであろうことを理解する
であろう。
【００２７】次いで、Ｈ−樹脂及び耐熱性繊維の被膜
は、一般にそれを充分な温度に加熱することによりセラ
ミックに変換されるであろう。一般に、この温度は、熱
分解雰囲気に依存して、５０〜１０００℃の範囲にあ
る。好ましい温度は５０〜８００℃、より好ましくは５
０〜５００℃の範囲にある。加熱は一般にセラミック化
に充分な時間行われる。この時間は一般に６時間まで、
好ましくは３時間未満である。
【００２８】上記加熱は、真空から過圧までのいずれか
の有効な雰囲気圧で、いずれかの有効な酸化性又は非酸
化性ガス状雰囲気、例えば空気含有ガス、Ｏ2 、不活性
ガス（Ｎ2 、Ａｒ、等）、アンモニア、アミン、水蒸
気、Ｎ2 Ｏ及び水素の下で行うことができる。
【００２９】熱対流炉、急熱加工、ホットプレート、又
は放射エネルギーもしくはマイクロ波エネルギーの使用
のようなどんな加熱方法も、一般にここでは有効であ
る。更に、加熱速度は重要ではないが、できるだけ早く
加熱することが実際的であり、好ましい。
【００３０】上記の方法によりセラミック被膜が基体上
に形成される。被膜の厚さは広い範囲に亘って変化しう
る（例えば、５００μm まで）。これらの被膜は種々の
基体の不規則な表面を平滑にし（即ち、プレーナライジ
ング（ｐｌａｎａｒｉｚｉｎｇ））；それらは欠陥がな
く；それらは優れた接着性を有し；それらは機械的、電
気的保護を与え；そしてそれらは不透明である。更に、
前記繊維は前記セラミック被膜に強度と靱性を与える。
【００３１】望むならば、追加の被膜をこれらの被膜の
上に適用してもよい。これらは、例えば、ＳｉＯ2 被
膜、ＳｉＯ2 ／セラミック酸化物層、ケイ素含有被膜、
ケイ素炭素含有被膜、ケイ素窒素含有被膜、ケイ素酸素
窒素含有被膜、ケイ素窒素炭素含有被膜、有機被膜、シ
リコーン被膜及び／又はダイヤモンド様炭素被膜を含ん
でいる。そのような被膜の適用の方法は当技術分野にお
いて公知であり、多数がＵＳ−Ａ４７５６９７７に記載
されている。特に好ましい被膜は、シラシクロブタンの
化学蒸着により適用された炭化ケイ素である。このプロ
セスはＵＳ−Ａ５０１１７０６により詳しく記載されて
いる。
【００３２】
【実施例】
（実施例１）ＵＳ−Ａ３６１５２７２の方法で製造した
１ｇの水素シルセスキオキサン樹脂（Ｈ−樹脂）、Ｔａ
ｋｅｈｏ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ
Ｃｏ． Ｌｔｄ．から入手した１ｇの炭化ケイ素ウィス
カー（０．５×１５．２μm）、０．４ｇのグリシドキ
シプロピルトリメトキシシラン及び３．０ｇの環状ポリ
ジメチルシロキサンを、音波探針と共に混合し被覆溶液
を形成した。アルミナパネル（１１．２５cm2 ）を７５
μm ドローダウン棒で被覆した。この被覆されたパネル
を３時間空気乾燥し、空気中で２時間４００℃で熱分解
した。この熱分解した被膜を顕微鏡で調べたところ、１
０００倍の拡大でクラックが発見されなかった。この被
膜の厚みは２６μm であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 キース ウィントン マイケル アメリカ合衆国，ミシガン，ミッドラン ド，シーベルト 2715

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 次のことを含むエレクトロニクス基体上
    に複合被膜を形成する方法：水素シルセスキオキサン樹
    脂及び耐熱性繊維を含む被覆組成物をエレクトロニクス
    基体上に適用し、ここに前記繊維は前記被覆組成物中に
    ９０容量％未満で存在し；そして前記被覆されたエレク
    トロニクス基体を、５０℃〜１０００℃の範囲の温度で
    ６時間未満で、前記被覆組成物をセラミック被膜に変換
    するに充分な温度で加熱すること。
  2. 【請求項２】 前記耐熱性繊維が炭素繊維、炭化ケイ
    素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、有機顔料及びアラ
    ミドから選ばれる請求項１の方法。
  3. 【請求項３】 前記被覆組成物が、更に前記耐熱性繊維
    の表面を変性する物質を含んでいる請求項１又は２に記
    載の方法。
  4. 【請求項４】 前記被覆組成物が、更に懸濁剤を含んで
    いる請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
  5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の被
    覆方法で得ることのできるエレクトロニクス基体。
JP7312646A 1994-12-19 1995-11-30 複合エレクトロニクス被膜 Withdrawn JPH08225382A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014072448A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
JP2014072447A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
JPWO2013103141A1 (ja) * 2012-01-06 2015-05-11 日立化成株式会社 パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
JPWO2013103140A1 (ja) * 2012-01-06 2015-05-11 日立化成株式会社 パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
JP2017195377A (ja) * 2017-05-19 2017-10-26 日立化成株式会社 半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5814397A (en) * 1995-09-13 1998-09-29 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method for waterproofing ceramic materials
US5693701A (en) * 1995-10-26 1997-12-02 Dow Corning Corporation Tamper-proof electronic coatings
US5753374A (en) * 1995-11-27 1998-05-19 Dow Corning Corporation Protective electronic coating
US5789325A (en) * 1996-04-29 1998-08-04 Dow Corning Corporation Coating electronic substrates with silica derived from polycarbosilane
US5780163A (en) * 1996-06-05 1998-07-14 Dow Corning Corporation Multilayer coating for microelectronic devices
US5776235A (en) * 1996-10-04 1998-07-07 Dow Corning Corporation Thick opaque ceramic coatings
US5730792A (en) * 1996-10-04 1998-03-24 Dow Corning Corporation Opaque ceramic coatings
US6270642B1 (en) * 1999-09-30 2001-08-07 The Penn State Research Foundation Fabrication of zirconia electrolyte films by electrophoretic deposition
JP3604002B2 (ja) * 2000-06-02 2004-12-22 シャープ株式会社 半導体装置
KR20180114099A (ko) 2016-02-19 2018-10-17 다우 실리콘즈 코포레이션 에이징된 중합체 실세스퀴옥산
FR3060601B1 (fr) * 2016-12-20 2018-12-07 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Composition adhesive et son utilisation dans l'electronique

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4756977A (en) * 1986-12-03 1988-07-12 Dow Corning Corporation Multilayer ceramics from hydrogen silsesquioxane
US5458912A (en) * 1993-03-08 1995-10-17 Dow Corning Corporation Tamper-proof electronic coatings

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2013103141A1 (ja) * 2012-01-06 2015-05-11 日立化成株式会社 パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
JPWO2013103140A1 (ja) * 2012-01-06 2015-05-11 日立化成株式会社 パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
JP2016066805A (ja) * 2012-01-06 2016-04-28 日立化成株式会社 パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
JP2018082211A (ja) * 2012-01-06 2018-05-24 日立化成株式会社 パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
JP2014072448A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
JP2014072447A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Hitachi Chemical Co Ltd 半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法
JP2017195377A (ja) * 2017-05-19 2017-10-26 日立化成株式会社 半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法

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EP0718255A2 (en) 1996-06-26

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