JPH08222501A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH08222501A JPH08222501A JP7023592A JP2359295A JPH08222501A JP H08222501 A JPH08222501 A JP H08222501A JP 7023592 A JP7023592 A JP 7023592A JP 2359295 A JP2359295 A JP 2359295A JP H08222501 A JPH08222501 A JP H08222501A
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- JP
- Japan
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- exposure
- resist film
- electron beam
- light
- pattern
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 近接効果を防止できかぶせ露光法よりもスル
ープットが得られる露光方法を提供する。 【構成】 光と電子線とに反応するネガ型のレジスト膜
に、電子線を照射してパターンの露光を行う。照射する
電子線の露光エネルギーＥｅは、露光後の現像で、電子
線のみの照射ではレジスト膜が残らず電子線と光とが照
射されたレジスト膜領域にはレジスト膜が残る範囲Ｅ2
−Ｅｐ＜Ｅｅ＜Ｅ2 にする。レジスト膜におけるパター
ン形成領域の全面に光を照射して露光を行う。照射する
光の露光エネルギーＥｐは、露光後の現像で、光のみが
照射されたレジスト膜領域にはレジスト膜が残らない範
囲Ｅｐ＜Ｅ1 にする。
ープットが得られる露光方法を提供する。 【構成】 光と電子線とに反応するネガ型のレジスト膜
に、電子線を照射してパターンの露光を行う。照射する
電子線の露光エネルギーＥｅは、露光後の現像で、電子
線のみの照射ではレジスト膜が残らず電子線と光とが照
射されたレジスト膜領域にはレジスト膜が残る範囲Ｅ2
−Ｅｐ＜Ｅｅ＜Ｅ2 にする。レジスト膜におけるパター
ン形成領域の全面に光を照射して露光を行う。照射する
光の露光エネルギーＥｐは、露光後の現像で、光のみが
照射されたレジスト膜領域にはレジスト膜が残らない範
囲Ｅｐ＜Ｅ1 にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光方法に関し、特に
は半導体装置の製造工程で基板上のレジスト膜に電子線
を用いてパターン露光を行う際の露光方法に関する。
は半導体装置の製造工程で基板上のレジスト膜に電子線
を用いてパターン露光を行う際の露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線を用いたパターン露光では、照射
電子のレジスト内における前方散乱及びレジストの下地
からの後方散乱によって、露光部周辺のレジストにもわ
ずかに露光反応が生じる。これによって、パターンが近
接した部分におけるパターン寸法精度の低下、すなわち
近接効果が引き起される。このため、電子線を用いたパ
ターン露光では、パターン寸法補正法，パターンドーズ
量補正法，代表図形法，ビットマップ法，ゴースト露光
法，かぶり露光法等によって、上記近接効果を補正した
パターン露光を行っている。
電子のレジスト内における前方散乱及びレジストの下地
からの後方散乱によって、露光部周辺のレジストにもわ
ずかに露光反応が生じる。これによって、パターンが近
接した部分におけるパターン寸法精度の低下、すなわち
近接効果が引き起される。このため、電子線を用いたパ
ターン露光では、パターン寸法補正法，パターンドーズ
量補正法，代表図形法，ビットマップ法，ゴースト露光
法，かぶり露光法等によって、上記近接効果を補正した
パターン露光を行っている。
【０００３】特に上記露光方法のうちのかぶり露光法
は、電子線を用いてパターン露光を行った後に再度電子
線を用いてレジスト膜を全面露光することで、レジスト
膜におけるパターン形成領域の全面での散乱電子の発生
量をより均一化する方法であり、複雑な補正計算を行う
ことなく近接効果による寸法精度のばらつきを抑制する
ことが可能である。
は、電子線を用いてパターン露光を行った後に再度電子
線を用いてレジスト膜を全面露光することで、レジスト
膜におけるパターン形成領域の全面での散乱電子の発生
量をより均一化する方法であり、複雑な補正計算を行う
ことなく近接効果による寸法精度のばらつきを抑制する
ことが可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記露光方法
では、露光に先立って複雑な補正計算を行う必要がない
代わりに、同一基板を電子線によって２度露光する必要
があることから、露光に要する実描画時間が長くなり、
スループットが得ることができない。また、レジスト膜
内部での電子線の照射による散乱電子の発生量を減少さ
せることができないため、近接効果の発生そのものを抑
えることはできない。そこで本発明は、かぶり露光法と
の比較において実描画時間を抑えてスループットを向上
させることができ、かつ近接効果の発生を防止できる露
光方法を提供することを目的とする。
では、露光に先立って複雑な補正計算を行う必要がない
代わりに、同一基板を電子線によって２度露光する必要
があることから、露光に要する実描画時間が長くなり、
スループットが得ることができない。また、レジスト膜
内部での電子線の照射による散乱電子の発生量を減少さ
せることができないため、近接効果の発生そのものを抑
えることはできない。そこで本発明は、かぶり露光法と
の比較において実描画時間を抑えてスループットを向上
させることができ、かつ近接効果の発生を防止できる露
光方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の露光方法では、光と電子線とに反応するレジ
スト膜に電子線を照射してパターンの露光を行う工程
と、上記レジスト膜のパターン形成領域の全面に光を照
射して露光を行う工程とを備えたことを上記課題を解決
するための手段としている。
の本発明の露光方法では、光と電子線とに反応するレジ
スト膜に電子線を照射してパターンの露光を行う工程
と、上記レジスト膜のパターン形成領域の全面に光を照
射して露光を行う工程とを備えたことを上記課題を解決
するための手段としている。
【０００６】
【作用】上記露光方法では、電子線と光とに反応するレ
ジスト膜の全面に光を照射して露光を行うため、当該レ
ジスト膜の電子線に対する感度が向上してより小さな電
子線の露光エネルギーで上記レジスト膜に対してパター
ン露光が行われる。このため、電子線の照射によってレ
ジスト膜内に生じる散乱電子の発生量が抑えられる。
ジスト膜の全面に光を照射して露光を行うため、当該レ
ジスト膜の電子線に対する感度が向上してより小さな電
子線の露光エネルギーで上記レジスト膜に対してパター
ン露光が行われる。このため、電子線の照射によってレ
ジスト膜内に生じる散乱電子の発生量が抑えられる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図面に基づいて
説明する。ここでは、基板上に使用膜厚Ｔ1 で成膜され
たネガ型のレジスト膜をパターン露光する場合を例に取
って実施例を説明する。上記レジスト膜は、光と電子線
との照射によってレジスト膜を構成する物質の架橋反応
が進行するものであり、例えばノボラック系の化学増幅
型レジストを用いることとする。
説明する。ここでは、基板上に使用膜厚Ｔ1 で成膜され
たネガ型のレジスト膜をパターン露光する場合を例に取
って実施例を説明する。上記レジスト膜は、光と電子線
との照射によってレジスト膜を構成する物質の架橋反応
が進行するものであり、例えばノボラック系の化学増幅
型レジストを用いることとする。
【０００８】図３には、上記ネガ型のレジスト膜におい
て、各膜厚のレジスト膜で充分に架橋反応を進めるため
に必要な露光エネルギーを示す。ここで、露光エネルギ
ーとは、露光反応（ここでは架橋反応）に寄与するエネ
ルギーであり、光と電子線とによって供与されることと
する。ここに示すように、使用膜厚Ｔ1 で成膜された上
記ネガ型のレジスト膜において、現像処理後の露光部に
レジストパターンが残るまで当該レジスト膜内の架橋反
応を充分に進めるために必要な露光エネルギーＥは、Ｅ
2 ≦Ｅの範囲である。そして、ここでは露光エネルギー
がＥ＜Ｅ2 の範囲では、露光部の架橋反応がレジスト膜
の使用膜厚に対して不十分であり、その後の現像によっ
て露光部及び未露光部のレジスト膜が除去されることと
する。
て、各膜厚のレジスト膜で充分に架橋反応を進めるため
に必要な露光エネルギーを示す。ここで、露光エネルギ
ーとは、露光反応（ここでは架橋反応）に寄与するエネ
ルギーであり、光と電子線とによって供与されることと
する。ここに示すように、使用膜厚Ｔ1 で成膜された上
記ネガ型のレジスト膜において、現像処理後の露光部に
レジストパターンが残るまで当該レジスト膜内の架橋反
応を充分に進めるために必要な露光エネルギーＥは、Ｅ
2 ≦Ｅの範囲である。そして、ここでは露光エネルギー
がＥ＜Ｅ2 の範囲では、露光部の架橋反応がレジスト膜
の使用膜厚に対して不十分であり、その後の現像によっ
て露光部及び未露光部のレジスト膜が除去されることと
する。
【０００９】上記感光特性を有するレジスト膜のパター
ン露光は、以下のように行う。先ず、図１（１）に示す
工程では、レジスト膜に電子線を照射してパターンを描
画するパターン露光を行う。ここで照射する電子線の露
光エネルギーＥｅは、以下のように設定する。電子線の
露光エネルギーＥｅは、電子線のみの照射では上記レジ
スト膜の露光が完全でない範囲Ｅ2 ＞Ｅｅとする。ま
た、電子線と光とが照射される露光部では、使用膜厚Ｔ
1 のレジスト膜の架橋反応が充分に進むように、Ｅｐ
（光の照射による露光エネルギー）＋Ｅｅ＞Ｅ 2 ，すな
わち電子線の露光エネルギーＥｅ＞Ｅ2 −Ｅｐとする。
以上から、当該パターン露光において露光部に照射され
る電子線の露光エネルギーＥｅをＥ2 ＞Ｅｅ＞Ｅ2 ーＥ
ｐの範囲に設定する。
ン露光は、以下のように行う。先ず、図１（１）に示す
工程では、レジスト膜に電子線を照射してパターンを描
画するパターン露光を行う。ここで照射する電子線の露
光エネルギーＥｅは、以下のように設定する。電子線の
露光エネルギーＥｅは、電子線のみの照射では上記レジ
スト膜の露光が完全でない範囲Ｅ2 ＞Ｅｅとする。ま
た、電子線と光とが照射される露光部では、使用膜厚Ｔ
1 のレジスト膜の架橋反応が充分に進むように、Ｅｐ
（光の照射による露光エネルギー）＋Ｅｅ＞Ｅ 2 ，すな
わち電子線の露光エネルギーＥｅ＞Ｅ2 −Ｅｐとする。
以上から、当該パターン露光において露光部に照射され
る電子線の露光エネルギーＥｅをＥ2 ＞Ｅｅ＞Ｅ2 ーＥ
ｐの範囲に設定する。
【００１０】また、図１（２）に示す工程では、レジス
ト膜のパターン形成領域の全面に光を照射する全面露光
を行う。ここで照射する光は、波長１９３〜２４８ｎｍ
のエキシマレーザ光とする。また、照射する光の露光エ
ネルギーＥｐは、露光後の現像処理によって光のみが照
射されたレジスト膜部分が除去できる範囲Ｅｐ＜Ｅ2に
設定する。ここでは、光のみが照射されたレジスト膜部
分が、現像処理後に充分に除去されるように、露光エネ
ルギーＥｐ≦Ｅ1 の範囲で光による上記全面露光を行う
こととする。
ト膜のパターン形成領域の全面に光を照射する全面露光
を行う。ここで照射する光は、波長１９３〜２４８ｎｍ
のエキシマレーザ光とする。また、照射する光の露光エ
ネルギーＥｐは、露光後の現像処理によって光のみが照
射されたレジスト膜部分が除去できる範囲Ｅｐ＜Ｅ2に
設定する。ここでは、光のみが照射されたレジスト膜部
分が、現像処理後に充分に除去されるように、露光エネ
ルギーＥｐ≦Ｅ1 の範囲で光による上記全面露光を行う
こととする。
【００１１】図２（１）には、図１（１）で示した電子
線によるパターン露光と図１（２）で示した光による全
面露光とを合成した露光エネルギーを示し、図２（２）
には、上記露光方法及びその後の現像処理によって形成
されたレジストパターン２３の断面図を示す。ここで示
すように、基板２１上に使用膜厚Ｔ1 で成膜したレジス
ト膜２２に電子線が照射される領域は、電子線と光との
照射による露光エネルギーがＥｐ＋Ｅｓ＞Ｅ2 になり、
パターン露光と全面露光とによって架橋反応が充分に進
む。また、レジスト膜２２に光のみが照射される領域
は、光の照射による露光エネルギーがＥｐ＜Ｅ1 にな
り、架橋反応がほとんど進まない。このため、露光後の
現像処理によって、電子線が照射されたレジスト膜２２
領域には膜厚Ｔ1 のレジストパターン２３が形成され、
その他のレジスト膜２２領域すなわち光のみが照射され
たレジスト膜２２領域は除去される。
線によるパターン露光と図１（２）で示した光による全
面露光とを合成した露光エネルギーを示し、図２（２）
には、上記露光方法及びその後の現像処理によって形成
されたレジストパターン２３の断面図を示す。ここで示
すように、基板２１上に使用膜厚Ｔ1 で成膜したレジス
ト膜２２に電子線が照射される領域は、電子線と光との
照射による露光エネルギーがＥｐ＋Ｅｓ＞Ｅ2 になり、
パターン露光と全面露光とによって架橋反応が充分に進
む。また、レジスト膜２２に光のみが照射される領域
は、光の照射による露光エネルギーがＥｐ＜Ｅ1 にな
り、架橋反応がほとんど進まない。このため、露光後の
現像処理によって、電子線が照射されたレジスト膜２２
領域には膜厚Ｔ1 のレジストパターン２３が形成され、
その他のレジスト膜２２領域すなわち光のみが照射され
たレジスト膜２２領域は除去される。
【００１２】上記露光方法では、上記のような条件で光
による全面露光を行うことによって、電子線に対するレ
ジスト膜の感度を向上させることが可能になる。このた
め、より少ない電子線の照射量でレジストパターン２３
が形成され、レジスト膜内における電子線の照射による
散乱電子の発生量を抑えることが可能になる。したがっ
て、近接効果の発生を抑制することが可能になる。ま
た、電子線と比較してフィールドサイズの大きい露光光
源である光を用いて全面露光を行うため、当該全面露光
の際のショット数を少なくすることが可能になる。例え
ば、電子線描画装置の偏向フィールドサイズが５×５ｍ
ｍ2 であり、光ステッパの画角が２５×２５ｍｍ2 であ
る場合、上記全面露光を電子線で行った場合と比較し
て、上記露光方法では全面露光のショット数を１／２５
に減らすことが可能になる。
による全面露光を行うことによって、電子線に対するレ
ジスト膜の感度を向上させることが可能になる。このた
め、より少ない電子線の照射量でレジストパターン２３
が形成され、レジスト膜内における電子線の照射による
散乱電子の発生量を抑えることが可能になる。したがっ
て、近接効果の発生を抑制することが可能になる。ま
た、電子線と比較してフィールドサイズの大きい露光光
源である光を用いて全面露光を行うため、当該全面露光
の際のショット数を少なくすることが可能になる。例え
ば、電子線描画装置の偏向フィールドサイズが５×５ｍ
ｍ2 であり、光ステッパの画角が２５×２５ｍｍ2 であ
る場合、上記全面露光を電子線で行った場合と比較し
て、上記露光方法では全面露光のショット数を１／２５
に減らすことが可能になる。
【００１３】次に、本発明の第２実施例を図面に基づい
て説明する。ここでは、基板上に使用膜厚Ｔ1 で成膜さ
れたポジ型のレジスト膜をパターン露光する場合を例に
取って実施例を説明する。上記レジスト膜は、光と電子
との照射によって当該レジスト膜を構成する高分子物質
の分解反応が進行するものであり、例えばポリヒドロキ
シスチレン系化学増幅型レジストを用いることとする。
ここで、図３は露光反応（ここでは分解反応）に寄与す
る露光エネルギーに対する上記ポジ型のレジスト膜の膜
減り厚を示すものとする。ここに示すように、使用膜厚
Ｔ1 で成膜された上記ポジ型のレジスト膜において、露
光による分解反応を充分に進めて露光部のレジスト膜部
分を除去するために必要な露光エネルギーはＥ≧Ｅ2 の
範囲である。
て説明する。ここでは、基板上に使用膜厚Ｔ1 で成膜さ
れたポジ型のレジスト膜をパターン露光する場合を例に
取って実施例を説明する。上記レジスト膜は、光と電子
との照射によって当該レジスト膜を構成する高分子物質
の分解反応が進行するものであり、例えばポリヒドロキ
シスチレン系化学増幅型レジストを用いることとする。
ここで、図３は露光反応（ここでは分解反応）に寄与す
る露光エネルギーに対する上記ポジ型のレジスト膜の膜
減り厚を示すものとする。ここに示すように、使用膜厚
Ｔ1 で成膜された上記ポジ型のレジスト膜において、露
光による分解反応を充分に進めて露光部のレジスト膜部
分を除去するために必要な露光エネルギーはＥ≧Ｅ2 の
範囲である。
【００１４】上記感光特性を有するレジスト膜のパター
ン露光は、以下のように行う。先ず、図４（１）に示す
工程では、レジスト膜に電子線を照射してパターン露光
を行う。ここで照射する電子線の露光エネルギーＥｅ
は、以下のように設定する。電子線の露光エネルギーＥ
ｅは、電子線のみの照射では上記レジスト膜の露光が完
全でない範囲Ｅｅ＜Ｅ2 とする。また、電子線と光とが
照射された露光部では、使用膜厚Ｔ1 分のレジスト膜の
分解反応が充分に進むように、Ｅｐ（光の照射による露
光エネルギー）＋Ｅｅ＞Ｅ2 ，すなわち電子線の露光エ
ネルギーＥｅ＞Ｅ2 −Ｅｐとする。以上から、当該パタ
ーン露光において露光部に照射される電子線の露光エネ
ルギーＥｅをＥ2 ＞Ｅｅ＞Ｅ2 ーＥｐの範囲に設定す
る。
ン露光は、以下のように行う。先ず、図４（１）に示す
工程では、レジスト膜に電子線を照射してパターン露光
を行う。ここで照射する電子線の露光エネルギーＥｅ
は、以下のように設定する。電子線の露光エネルギーＥ
ｅは、電子線のみの照射では上記レジスト膜の露光が完
全でない範囲Ｅｅ＜Ｅ2 とする。また、電子線と光とが
照射された露光部では、使用膜厚Ｔ1 分のレジスト膜の
分解反応が充分に進むように、Ｅｐ（光の照射による露
光エネルギー）＋Ｅｅ＞Ｅ2 ，すなわち電子線の露光エ
ネルギーＥｅ＞Ｅ2 −Ｅｐとする。以上から、当該パタ
ーン露光において露光部に照射される電子線の露光エネ
ルギーＥｅをＥ2 ＞Ｅｅ＞Ｅ2 ーＥｐの範囲に設定す
る。
【００１５】また、図４（２）に示す工程では、レジス
ト膜のパターン形成領域の全面に光を照射して全面露光
を行う。ここで照射する光は、波長１９３〜２４８ｎｍ
のエキシマレーザ光とする。また、照射する光の露光エ
ネルギーＥｐは、露光後の現像処理によって当該光のみ
が照射されたレジスト膜部分が基板上に残る範囲Ｅｐ＜
Ｅ2 に設定する。
ト膜のパターン形成領域の全面に光を照射して全面露光
を行う。ここで照射する光は、波長１９３〜２４８ｎｍ
のエキシマレーザ光とする。また、照射する光の露光エ
ネルギーＥｐは、露光後の現像処理によって当該光のみ
が照射されたレジスト膜部分が基板上に残る範囲Ｅｐ＜
Ｅ2 に設定する。
【００１６】図５（１）には、図４（１）で示した電子
線によるパターン露光と図４（２）で示した光による全
面露光とを合成した露光エネルギーを示し、図５（２）
には、上記露光方法及びその後の現像処理によって形成
されたレジストパターン５３の断面図を示す。ここで示
すように、基板５１上に使用膜厚Ｔ1 で成膜したレジス
ト膜５２に電子線が照射される領域は、電子線と光との
照射による露光エネルギーがＥｐ＋Ｅｓ＞Ｅ2 になり、
パターン露光と全面露光とによって分解反応が充分に進
む。また、レジスト膜５２に光のみが照射される領域
は、光の照射による露光エネルギーがＥｐ＜Ｅ2 にな
り、露光エネルギーＥｐに対応する膜減り厚Ｔｐの分だ
け分解反応が進む。このため、露光後の現像処理によっ
て、電子線が照射されたレジスト膜５２部分は除去さ
れ、その他のレジスト膜５２部分は膜厚Ｔ1 −Ｔｐのレ
ジストパターン５３が形成される。
線によるパターン露光と図４（２）で示した光による全
面露光とを合成した露光エネルギーを示し、図５（２）
には、上記露光方法及びその後の現像処理によって形成
されたレジストパターン５３の断面図を示す。ここで示
すように、基板５１上に使用膜厚Ｔ1 で成膜したレジス
ト膜５２に電子線が照射される領域は、電子線と光との
照射による露光エネルギーがＥｐ＋Ｅｓ＞Ｅ2 になり、
パターン露光と全面露光とによって分解反応が充分に進
む。また、レジスト膜５２に光のみが照射される領域
は、光の照射による露光エネルギーがＥｐ＜Ｅ2 にな
り、露光エネルギーＥｐに対応する膜減り厚Ｔｐの分だ
け分解反応が進む。このため、露光後の現像処理によっ
て、電子線が照射されたレジスト膜５２部分は除去さ
れ、その他のレジスト膜５２部分は膜厚Ｔ1 −Ｔｐのレ
ジストパターン５３が形成される。
【００１７】上記露光方法では、上記第１実施例と同様
に光による全面露光を行うことによって、より少ない電
子線の照射量でレジストパターン５３を形成して、レジ
スト膜内における電子線の照射による散乱電子の発生量
を抑えて近接効果の発生を抑制することが可能になる。
このため、近接効果を補正する手間、すなわち近接効果
の発生によるパターンの寸法補正を行う手間を省くこと
ができる。これと共に、電子線と比較して全面露光の際
のショット数を少なくすることが可能になる。
に光による全面露光を行うことによって、より少ない電
子線の照射量でレジストパターン５３を形成して、レジ
スト膜内における電子線の照射による散乱電子の発生量
を抑えて近接効果の発生を抑制することが可能になる。
このため、近接効果を補正する手間、すなわち近接効果
の発生によるパターンの寸法補正を行う手間を省くこと
ができる。これと共に、電子線と比較して全面露光の際
のショット数を少なくすることが可能になる。
【００１８】尚、上記各実施例で示した電子線によるパ
ターン露光工程と光による全面露光工程とは、何方の工
程を先に行っても良い。
ターン露光工程と光による全面露光工程とは、何方の工
程を先に行っても良い。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の露光方法に
よれば、光と電子線とに反応するレジスト膜に対して光
を用いた全面露光を行うことで、電子線に対するレジス
ト膜の感度を向上させた状態で当該電子線によるパター
ン露光を行うことができる。このため、電子線の照射に
よるレジスト膜内の散乱電子の発生量を抑えた露光を行
うことが可能になり、電子線によるパターン露光におけ
る近接効果の発生そのものを防止することができる。ま
た、電子線と比較してフィールドサイズの大きな光によ
って全面露光を行うことで、電子線による全面露光を行
うかぶり露光と比較してスループットを向上させること
が可能になる。
よれば、光と電子線とに反応するレジスト膜に対して光
を用いた全面露光を行うことで、電子線に対するレジス
ト膜の感度を向上させた状態で当該電子線によるパター
ン露光を行うことができる。このため、電子線の照射に
よるレジスト膜内の散乱電子の発生量を抑えた露光を行
うことが可能になり、電子線によるパターン露光におけ
る近接効果の発生そのものを防止することができる。ま
た、電子線と比較してフィールドサイズの大きな光によ
って全面露光を行うことで、電子線による全面露光を行
うかぶり露光と比較してスループットを向上させること
が可能になる。
【図１】第１実施例を説明する第１図である。
【図２】第１実施例を説明する第２図である。
【図３】レジストの感光曲線を示す図である。
【図４】第２実施例を説明する第１図である。
【図５】第２実施例を説明する第２図である。
２２，５２ レジスト膜
Claims (1)
- 【請求項１】 光と電子線とに反応するレジスト膜に電
子線を照射してパターンの露光を行う工程と、 前記レジスト膜におけるパターン形成領域の全面に光を
照射して露光を行う工程とを備え、 前記レジスト膜がネガ型である場合には、前記光のみが
照射された当該レジスト膜領域が露光後の現像によって
除去される範囲の露光エネルギーで前記光が照射され、 前記レジスト膜がポジ型である場合には、前記光のみが
照射された当該レジスト膜領域が露光後の現像によって
残る範囲の露光エネルギーで前記光が照射されることを
特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7023592A JPH08222501A (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7023592A JPH08222501A (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222501A true JPH08222501A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12114861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7023592A Pending JPH08222501A (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222501A (ja) |
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-
1995
- 1995-02-13 JP JP7023592A patent/JPH08222501A/ja active Pending
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