JP2623109B2 - マスク修正方法 - Google Patents
マスク修正方法Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体集積回路等の製造に用いるマスクの修
正方法に関し、特に電子ビーム等の荷電粒子を用いたマ
スク修正方法に関する。
正方法に関し、特に電子ビーム等の荷電粒子を用いたマ
スク修正方法に関する。
［従来の技術］ 集積回路パターンの高密度化に伴ないパターン転写用
マスクの検査修正が重要な課題となっている。特にサブ
ミクロンパターンを有するＸ線マスクの検査では分解能
の高い電子ビームを用いた検査方式が提案され（電子通
信学会論文誌80/12 Vol J63−Ｃ No12 P817）更に
Ｘ線マスクの修正に関してはレーザビームや集束イオン
ビームを用いた方法が提案されている（SPIE Vol 471,1
27 Electron−Beam,Xray and Ion−Beam Techniques fo
r Submicrometer Lithographies 111（1984））。
マスクの検査修正が重要な課題となっている。特にサブ
ミクロンパターンを有するＸ線マスクの検査では分解能
の高い電子ビームを用いた検査方式が提案され（電子通
信学会論文誌80/12 Vol J63−Ｃ No12 P817）更に
Ｘ線マスクの修正に関してはレーザビームや集束イオン
ビームを用いた方法が提案されている（SPIE Vol 471,1
27 Electron−Beam,Xray and Ion−Beam Techniques fo
r Submicrometer Lithographies 111（1984））。
［発明が解決しようとする問題点］ 従来のマスク修正方法には以下の欠点があった。
（１）レーザビームやイオンビームによる修正は、マス
クのダメージが大きく、マスクの歪が生じ新たな欠陥と
なる場合があった。
クのダメージが大きく、マスクの歪が生じ新たな欠陥と
なる場合があった。
（２）更に、レーザビームによる修正方法は不要パター
ンを除去する修正しかできず、しかもその修正できるパ
ターンも限られていた。
ンを除去する修正しかできず、しかもその修正できるパ
ターンも限られていた。
［発明の目的］ 本発明は前記従来技術の欠点に鑑みなされたものであ
って、マスクにダメージを与えることなく不要パターン
の除去および欠損パターンの再形成を効率良く確実に施
すことができるマスク修正方法の提供を目的とする。
って、マスクにダメージを与えることなく不要パターン
の除去および欠損パターンの再形成を効率良く確実に施
すことができるマスク修正方法の提供を目的とする。
［実施例］ 第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明に係るマスク修正方法
の第一実施例の各過程を順番に示した図である。１はマ
スク基板、２はメッキ下地層、３はマスクパターンであ
り、これらのマスク基板１、メッキ下地層２、およびマ
スクパターン３によりマスク４が構成される。マスク４
はフレーム（図示しない）に保持される。５は感光層で
あり、マスク４のパターン形成側の表面を覆う。６は電
子ビームであり、図示しないビーム発生手段偏向手段等
からなる露光装置によりマスク面上を走査しながら照射
する。７は２次電子（反射電子）検出器であり、電子ビ
ーム照射によりマスク表面から放出される２次電子を検
出する。Ａ部は本来あるべきパターンが欠損している欠
陥部（透明欠陥）を示す。
の第一実施例の各過程を順番に示した図である。１はマ
スク基板、２はメッキ下地層、３はマスクパターンであ
り、これらのマスク基板１、メッキ下地層２、およびマ
スクパターン３によりマスク４が構成される。マスク４
はフレーム（図示しない）に保持される。５は感光層で
あり、マスク４のパターン形成側の表面を覆う。６は電
子ビームであり、図示しないビーム発生手段偏向手段等
からなる露光装置によりマスク面上を走査しながら照射
する。７は２次電子（反射電子）検出器であり、電子ビ
ーム照射によりマスク表面から放出される２次電子を検
出する。Ａ部は本来あるべきパターンが欠損している欠
陥部（透明欠陥）を示す。
以下本発明方法を順番に説明する。
（ａ）まず電子ビーム６によりマスク４上を走査し、マ
スクパターン３に照射した際に発生する２次電子を２次
電子検出器７によって検出する（ａ図）。の場合、感光
層５を現像した時実質上感光層５に影響を与えない程度
に（実質上感光されない程度に）電子ビーム６の電流が
調節されている。２次電子検出器７による検出信号は基
準パターンデータと比較されパターン欠陥が検出され
る。すなわちＡ部のパターンが欠損していることが検出
される。
スクパターン３に照射した際に発生する２次電子を２次
電子検出器７によって検出する（ａ図）。の場合、感光
層５を現像した時実質上感光層５に影響を与えない程度
に（実質上感光されない程度に）電子ビーム６の電流が
調節されている。２次電子検出器７による検出信号は基
準パターンデータと比較されパターン欠陥が検出され
る。すなわちＡ部のパターンが欠損していることが検出
される。
（ｂ）次に欠陥部の検出信号に基づきＡ部に電子ビーム
を照射する（ｂ図）。このとき電子ビーム照射量D1は通
常の電子ビーム露光に用いる際の照射量と同程度に調節
されている。すなわち感光層５が充分感光する程度に電
子ビームの電流量が増加されている。
を照射する（ｂ図）。このとき電子ビーム照射量D1は通
常の電子ビーム露光に用いる際の照射量と同程度に調節
されている。すなわち感光層５が充分感光する程度に電
子ビームの電流量が増加されている。
（ｃ）次にマスク４を現像してＡ部の感光層５を除去す
る（ｃ図）。
る（ｃ図）。
（ｄ）次にメッキ等によりＡ部（感光層除去部）に所定
厚のマスクパターン31を形成する（ｄ図）。
厚のマスクパターン31を形成する（ｄ図）。
（ｅ）次に感光層５およびメッキ下地層２を必要に応じ
て除去しマスク修正が完了する（ｅ図）。
て除去しマスク修正が完了する（ｅ図）。
第２図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施例を順番
に示す図である。この実施例は不要パターン（不透明欠
陥）の除去を行なう場合の修正方法である。
に示す図である。この実施例は不要パターン（不透明欠
陥）の除去を行なう場合の修正方法である。
（ａ）まず第１実施例と同様に電子ビーム６でマスク４
表面を走査し、２次電子検出器７により欠陥部を検出す
る（ａ図）。これによりＢ部の不透明欠陥（不要パター
ン32）が検出される。
表面を走査し、２次電子検出器７により欠陥部を検出す
る（ａ図）。これによりＢ部の不透明欠陥（不要パター
ン32）が検出される。
（ｂ）次にＢ部の感光層５を露光する（ｂ図）。
（ｃ）次にマスクを現像して露光部の感光層５を除去す
る（ｃ図）。
る（ｃ図）。
（ｄ）次にドライエッチングまたはウエットエッチング
等によりＢ部の不要パターン32を除去する（ｄ図）。
等によりＢ部の不要パターン32を除去する（ｄ図）。
（ｅ）次に感光層５およびメッキ下地層２を必要に応じ
て除去してマスク修正が完了する（ｅ図）。
て除去してマスク修正が完了する（ｅ図）。
第３図（ａ）〜（ｇ）に本発明の第３実施例を順番に
示す。この実施例は透明欠陥と不透明欠陥が混在する場
合に各欠陥部を連続して修正する方法を示す。
示す。この実施例は透明欠陥と不透明欠陥が混在する場
合に各欠陥部を連続して修正する方法を示す。
（ａ）まず、電子ビーム６によりマスク４上を走査しＡ
部の透明欠陥およびＢ部の不透明欠陥を検出する（ａ
図）。
部の透明欠陥およびＢ部の不透明欠陥を検出する（ａ
図）。
（ｂ）次にＡ部およびＢ部に電子ビームを照射する（ｂ
図）。このときＡ部の照射量DAはＢ部の照射量DBより小
さく設定しておく（DA＜DB）。
図）。このときＡ部の照射量DAはＢ部の照射量DBより小
さく設定しておく（DA＜DB）。
（ｃ）次にマスク４の現像を行なう。このときＡ部の感
光層は残り、Ｂ部の感光層は除去されるように現像時間
が設定される（ｃ図）。このような現像時間は例えば第
４図のグラフに基づいて決定される。第４図は照射量に
対する現像速度の特性グラフである。ここで現像速度と
は感光層を現像液に溶かしたときの時間当りの膜減り
（速度）を示す。この場合、現像時間tdは の範囲で選ぶ。ここでT0は感光層の初期膜厚、RA,RBは
各々Ａ部,B部の現像速度である。なお、パターン検査の
際に照射した電子ビームの照射量をDSとし、このDSに対
応する現像速度をRSとすれば、RS＜RAとなるようにDSを
選んでおかなければならない。
光層は残り、Ｂ部の感光層は除去されるように現像時間
が設定される（ｃ図）。このような現像時間は例えば第
４図のグラフに基づいて決定される。第４図は照射量に
対する現像速度の特性グラフである。ここで現像速度と
は感光層を現像液に溶かしたときの時間当りの膜減り
（速度）を示す。この場合、現像時間tdは の範囲で選ぶ。ここでT0は感光層の初期膜厚、RA,RBは
各々Ａ部,B部の現像速度である。なお、パターン検査の
際に照射した電子ビームの照射量をDSとし、このDSに対
応する現像速度をRSとすれば、RS＜RAとなるようにDSを
選んでおかなければならない。
（ｄ）次にＢ部の不要パターンをエッチング等によって
除去する（ｄ図）。この場合、Ｂ部のメッキ下地層２も
除去する。
除去する（ｄ図）。この場合、Ｂ部のメッキ下地層２も
除去する。
（ｅ）次に再び感光層５の現像を行なう。この場合の現
像時間はＡ部の感光層のみが除去されるように設定する
（ｅ図）。
像時間はＡ部の感光層のみが除去されるように設定する
（ｅ図）。
（ｆ）次にメッキ等によりＡ部にパターン31を形成する
（ｆ図）。
（ｆ図）。
（ｇ）次にメッキ下地層２および感光層５を必要に応じ
て除去しマスク修正が完了する（ｇ図）。
て除去しマスク修正が完了する（ｇ図）。
本発明の第４実施例を第５図に示す。この実施例は前
記第３実施例においてＢ部の不透明欠陥修正後、Ａ部の
透明欠陥修正の際、Ｂ部のパターン側壁面へのメッキ形
成を防止する工程を含んだものである。
記第３実施例においてＢ部の不透明欠陥修正後、Ａ部の
透明欠陥修正の際、Ｂ部のパターン側壁面へのメッキ形
成を防止する工程を含んだものである。
（ａ）〜（ｄ）Ｂ部の不透明欠陥修正までの工程は前記
第３図の第３実施例と同様である（ａ〜ｄ図）。なお、
この実施例においては必ずしもメッキ下地層まで除去し
なくてもよい。
第３図の第３実施例と同様である（ａ〜ｄ図）。なお、
この実施例においては必ずしもメッキ下地層まで除去し
なくてもよい。
（ｅ）次にＢ部の感光層除去部に露出したパターン３の
側壁面にパターンの再形成を防止するための再形成防止
層８を設ける（ｅ図）。この再形成防止層８は例えばNi
を数100Å程度メッキ形成することにより設ける。
側壁面にパターンの再形成を防止するための再形成防止
層８を設ける（ｅ図）。この再形成防止層８は例えばNi
を数100Å程度メッキ形成することにより設ける。
（ｆ）〜（ｈ）次に第３実施例と同様に、Ａ部の感光層
５を除去し（ｆ図）、Ａ部にパターン31をメッキ形成し
（ｇ図）、最後に感光層５およびメッキ下地層２を除去
してマスク修正を完了する（ｈ図）。この場合、再形成
防止層８がメッキ下地層２に比べメッキによる膜形成が
されにくいためＡ部のみにパターンが形成されＢ部には
パターンが形成されない。
５を除去し（ｆ図）、Ａ部にパターン31をメッキ形成し
（ｇ図）、最後に感光層５およびメッキ下地層２を除去
してマスク修正を完了する（ｈ図）。この場合、再形成
防止層８がメッキ下地層２に比べメッキによる膜形成が
されにくいためＡ部のみにパターンが形成されＢ部には
パターンが形成されない。
本発明の第５実施例を第６図を用いて説明する。この
実施例は透明欠陥と不透明欠陥とを連続して修正する場
合に前記第３実施例と異なりＡ部の透明欠陥を先に修正
する例を示す。
実施例は透明欠陥と不透明欠陥とを連続して修正する場
合に前記第３実施例と異なりＡ部の透明欠陥を先に修正
する例を示す。
（ａ）電子ビーム走査によりＡ部の透明欠陥およびＢ部
の不透明欠陥を検出する（ａ図）。
の不透明欠陥を検出する（ａ図）。
（ｂ）Ａ部、Ｂ部の感光層５を露光する（ｂ図）。この
場合、Ａ部,B部の照射量はDA＞DBとしておく。
場合、Ａ部,B部の照射量はDA＞DBとしておく。
（ｃ）次に感光層を現像する。この現像工程によりＡ部
の感光層は除去され、Ｂ部の感光層は幾分残る（ｃ
図）。即ち、不要パターン32上に感光層51が残る。
の感光層は除去され、Ｂ部の感光層は幾分残る（ｃ
図）。即ち、不要パターン32上に感光層51が残る。
（ｄ）次にメッキを施すと、Ａ部のメッキ下地層２上に
のみメッキが成長しパターン31が形成される（ｄ図）。
のみメッキが成長しパターン31が形成される（ｄ図）。
（ｅ）次にＡ部の修正再形成されたパターン31上にエッ
チング防止層９を形成する（ｅ図）。このエッチング防
止層９はＢ部の不要パターン除去の際のエッチングによ
りＡ部のパターン31が同時にエッチングされないように
このパターン31を保護するためのものである。パターン
が金で形成される場合、エッチング防止層９としては例
えばNiをメッキによりパターン31上に形成できる。
チング防止層９を形成する（ｅ図）。このエッチング防
止層９はＢ部の不要パターン除去の際のエッチングによ
りＡ部のパターン31が同時にエッチングされないように
このパターン31を保護するためのものである。パターン
が金で形成される場合、エッチング防止層９としては例
えばNiをメッキによりパターン31上に形成できる。
（ｆ）次にＢ部の不要パターン32上の感光層51を除去す
る（ｆ図）。
る（ｆ図）。
（ｇ）次にＢ部の不要パターン32をエッチング等によっ
て除去する（ｇ図）。パターンが金で形成され、エッチ
ング防止層９がNiで形成されている場合、エッチングは
ドライエッチングではKr等によって行なうことができ
る。
て除去する（ｇ図）。パターンが金で形成され、エッチ
ング防止層９がNiで形成されている場合、エッチングは
ドライエッチングではKr等によって行なうことができ
る。
（ｈ）最後にメッキ下地層２、感光層５およびエッチン
グ防止層９を必要に応じて除去してマスク修正が完了す
る（ｈ図）。
グ防止層９を必要に応じて除去してマスク修正が完了す
る（ｈ図）。
以上説明したマスク修正方法においては、感光層を塗
布したマスク表面を電子ビーム等の荷電粒子ビームによ
り照射して欠陥部の感光層を除去し、該感光層除去部の
パターン修正を行なっている。従って、マスク欠陥部検
出用の電子ビーム等の荷電粒子ビームを修正時にも利用
することができ、マスクの検査、修正のための装置が簡
素化するとともに修正に要する時間が短縮される。ま
た、透明欠陥と不透明欠陥の修正が１回の電子ビーム走
査でできるためマスク修正時間の短縮とともに検査時の
データの保存が不要となり、修正用制御回路が簡単にな
る。また、従来のイオンビーム折込みやレーザ照射によ
るマスク修正方法ではマスクに歪が生ずる場合があった
が、電子ビームを用いることによってＸ線マスク作製工
程と同様な工程でパターン修正が可能なためマスクの歪
の問題は減少する。
布したマスク表面を電子ビーム等の荷電粒子ビームによ
り照射して欠陥部の感光層を除去し、該感光層除去部の
パターン修正を行なっている。従って、マスク欠陥部検
出用の電子ビーム等の荷電粒子ビームを修正時にも利用
することができ、マスクの検査、修正のための装置が簡
素化するとともに修正に要する時間が短縮される。ま
た、透明欠陥と不透明欠陥の修正が１回の電子ビーム走
査でできるためマスク修正時間の短縮とともに検査時の
データの保存が不要となり、修正用制御回路が簡単にな
る。また、従来のイオンビーム折込みやレーザ照射によ
るマスク修正方法ではマスクに歪が生ずる場合があった
が、電子ビームを用いることによってＸ線マスク作製工
程と同様な工程でパターン修正が可能なためマスクの歪
の問題は減少する。
なお、前記実施例では単層レジストを用いて説明した
が多層レジストを用いてもよい。
が多層レジストを用いてもよい。
また透明欠陥部の修正はメッキ工程に限らずリフトオ
フ工程等により行なってもよい。
フ工程等により行なってもよい。
また、前記実施例では、マスクパターンの欠陥検査と
修正を同一の装置で行なったが、それぞれ別の独立した
装置で行なってもかまわない。
修正を同一の装置で行なったが、それぞれ別の独立した
装置で行なってもかまわない。
［発明の効果］ 以上本発明によれば、検査修正すべきマスクパターン
が形成されたマスク表面を感光層で覆い、検査段階と修
正段階をともに荷電粒子ビームを用いて行なうにあたっ
て、検査段階では感光層が実質上感光しない程度の荷電
粒子ビーム照射量とし、修正段階では該感光層が感光す
る程度に該検査段階よりも大きな荷電粒子ビーム照射量
とすることによって、マスクにダメージを与えることな
く不要なパターンの除去や欠損パターンの再形成などマ
スクパターンの欠陥を効率良く確実に施すことができ
る。
が形成されたマスク表面を感光層で覆い、検査段階と修
正段階をともに荷電粒子ビームを用いて行なうにあたっ
て、検査段階では感光層が実質上感光しない程度の荷電
粒子ビーム照射量とし、修正段階では該感光層が感光す
る程度に該検査段階よりも大きな荷電粒子ビーム照射量
とすることによって、マスクにダメージを与えることな
く不要なパターンの除去や欠損パターンの再形成などマ
スクパターンの欠陥を効率良く確実に施すことができ
る。
第１図は本発明の第１実施例の説明図、第２図は本発明
の第２実施例の説明図、第３図は本発明の第３実施例の
説明図、第４図は荷電ビーム照射量と現像速度の関係を
示すグラフ、第５図は本発明の第４実施例の説明図、第
６図は本発明の第５実施例の説明図である。 1:マスク基板、 2:メッキ下地層、 3:マスクパターン、 4:マスク、 5:感光層、 6:電子ビーム、 A:透明欠陥、 B:不透明欠陥。
の第２実施例の説明図、第３図は本発明の第３実施例の
説明図、第４図は荷電ビーム照射量と現像速度の関係を
示すグラフ、第５図は本発明の第４実施例の説明図、第
６図は本発明の第５実施例の説明図である。 1:マスク基板、 2:メッキ下地層、 3:マスクパターン、 4:マスク、 5:感光層、 6:電子ビーム、 A:透明欠陥、 B:不透明欠陥。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−196020（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−84833（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−281240（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−84518（ＪＰ，Ａ) 特公 昭51−24987（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭53−33396（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (8)
- 【請求項１】検査修正すべきマスクパターンが形成され
たマスク表面を感光層で覆う段階と、荷電粒子ビームを
用いて該マスクパターンの透明欠陥部と不透明欠陥部の
少なくとも一方を検出する検査段階と、検出した該欠陥
部を荷電粒子ビームを用いて修正する修正段階とを有
し、前記検査段階では前記感光層が実質上感光しない程
度の荷電粒子ビーム照射量とし、前記修正段階では該感
光層が感光する程度に該検査段階よりも大きな荷電粒子
ビーム照射量とすることを特徴とするマスク修正方法。 - 【請求項２】不透明欠陥の修正は、欠陥部の感光層に荷
電粒子ビームを照射して、該照射部の感光層を除去し、
該感光層除去部にエッチングを施して不要パターンを除
去することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマ
スク修正方法。 - 【請求項３】透明欠陥の修正は、欠陥部の感光層に荷電
粒子ビームを照射して、該照射部の感光層を除去し、該
感光層除去部に欠損パターンを再形成することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のマスク修正方法。 - 【請求項４】前記透明欠陥修正と前記不透明欠陥修正と
で荷電粒子ビームの照射量を異ならせたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のマスク修正方法。 - 【請求項５】前記検査段階では、マスクパターンに荷電
粒子ビームを照射して、発生する２次電子を検出して欠
陥部を検出することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のマスク修正方法。 - 【請求項６】荷電粒子ビームは電子ビームであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマスク修正方
法。 - 【請求項７】前記検査段階での荷電粒子ビームと前記修
正段階での荷電粒子ビームは、同一装置からのビームで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマス
ク修正方法。 - 【請求項８】前記検査段階での荷電粒子ビームと前記修
正段階での荷電粒子ビームは、異なる装置からのビーム
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマ
スク修正方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6975988A JP2623109B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | マスク修正方法 |
| US07/328,459 US4906326A (en) | 1988-03-25 | 1989-03-24 | Mask repair system |
| DE68923638T DE68923638T2 (de) | 1988-03-25 | 1989-03-28 | Korrekturverfahren für Maske. |
| EP89303016A EP0334680B1 (en) | 1988-03-25 | 1989-03-28 | Mask repair system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6975988A JP2623109B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | マスク修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01244462A JPH01244462A (ja) | 1989-09-28 |
| JP2623109B2 true JP2623109B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=13412050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6975988A Expired - Lifetime JP2623109B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | マスク修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2623109B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5124987A (en) * | 1974-08-25 | 1976-02-28 | Toyoda Machine Works Ltd | Shudotaino junkatsusochi |
| JPS5333396A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Metals Ltd | Method of manufacturing highhdensity nizn ferrite |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP6975988A patent/JP2623109B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01244462A (ja) | 1989-09-28 |
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