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JPH0821502B2 - 薄膜永久磁石 - Google Patents

薄膜永久磁石

Info

Publication number
JPH0821502B2
JPH0821502B2 JP60032655A JP3265585A JPH0821502B2 JP H0821502 B2 JPH0821502 B2 JP H0821502B2 JP 60032655 A JP60032655 A JP 60032655A JP 3265585 A JP3265585 A JP 3265585A JP H0821502 B2 JPH0821502 B2 JP H0821502B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
permanent magnet
film
coercive force
film permanent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60032655A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61194635A (ja
Inventor
正弘 北田
英男 田辺
昇 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60032655A priority Critical patent/JPH0821502B2/ja
Publication of JPS61194635A publication Critical patent/JPS61194635A/ja
Publication of JPH0821502B2 publication Critical patent/JPH0821502B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は薄膜永久磁石に係わり、特に磁気媒体,磁性
デバイスに好適なCo−Ptを主成分とする薄膜永久磁石に
係わる。
〔発明の背景〕
CoおよびPtを主成分とする薄膜永久磁石はスパッタ法
等(特開昭58−7806号公報)で形成されていた。しか
し、従来の方法では当該永久磁石の特性、たとえば保磁
力が製法や作製の条件、たとえばスパッタの方法、スパ
ッタ時のスパッタガス圧力,投入電力,スパッタ前の到
達真空度等に極めて強く依存し、常に一定の磁気特性を
得ることが難かしく、作製された永久磁石膜の磁気特性
ばらつきが極めて大きかった。
〔発明の目的〕
本発明は、極めて磁気特性ばらつきの少ないCoおよび
Ptを主成分とする薄膜永久磁石を提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明においては、多層にしたCoおよびPt薄膜の金属
間反応を利用して適当な組成および組成分布とすること
によって当該薄膜の磁気特性を向上せしめるものであ
る。これによって、スパッタ条件等の極めて微妙な調整
が不必要となり、適当な温度で所定時間熱処理すれば容
易に目的とする磁気特性を有するCo−Pt系永久磁石膜を
得ることができるようになった。
〔発明の実施例〕
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例1. ガラス,アルミナ,表面を酸化したAl,Tiなどの基板
上にCoを70nm,Ptを30nm、順次蒸着あるいはスパッタす
る。当該Pt/Co2層膜を真空中あるいは不活性雰囲気中で
300〜500℃に1〜3hr加熱するるこの熱処理によって、C
oとPtは相互に拡散を起こし両者の界面から混合状態に
なる。この混合領域(反応層)における両者の組成がCo
−(10〜30)%Ptとなる時に、当該薄膜の保磁力は最大
値を示す。その値は60〜80kA/mである。第1図に上記試
料における保磁力と熱処理温度の関係を示す。保磁力は
400〜450℃の間で最大値を示すが、300℃でも永久磁石
としては十分な値を示す。反応層の組成はCoおよびPtの
膜厚、熱処理の温度および時間により変化する。これら
を系統的に変化させることにより、形成される薄膜永久
磁石は、その深さ方向の組成分布が均一あるいは不均一
(波形の組成分布)になる。また、組成分布が不均一な
場合、膜全体が反応するのではなく、その一部のみが反
応し、他の部分は純Ptあるいは純Coの層が残留すること
になる。
実施例2. 実施例1で示したPtあるいはCo膜中に、特性の改善あ
るいは調整の目的でFe,Ni,Ru,Re,Rh,Ir,Os,Mn,Ti,Sm等
を添加した場合にも、実施例1と同様の薄膜永久磁石が
作製される。この場合添加する元素によってその効果は
異なり、例えばNiを添加すると保磁力の最大値はCo−Pt
系の3/4程度になるが、角形比は増大する。例えばFeを
添加した場合には、残留磁化が1.2〜1.3倍となる。
実施例3. CoとPtの組合せに於て、Ptの厚さを若干大きめにし、
適当に熱処理することによって表面にPtの残留層を形成
する。これによって、合金層が化学的あるいは機械的に
保護される。このPt層の厚さは熱処理を最適化すること
によって数10Åから数100Å以上まで容易にコントロー
ルすることができる。
たとえば、Ptを400Å,Coを800Åとした二層膜で450℃
で1時間熱処理すると完全に混合してHcは40kA/mと低く
Pt層も残留しない。ところが400℃で2時間熱処理する
とPtの一部が反応し、Hcは80kA/mとなり、表面にPt層が
残る。
実施例4. CoとPtを所定の厚さにする場合、CoとPtの厚さを所定
の比とし、繰返し蒸着して多層化した膜でも実施例1と
同様の効果が得られるとともに、熱処理温度の低下、熱
処理時間の短縮をすることができる。例えばCoを7nm,Pt
を3nmとし、それぞれを繰返し10層、すなわち合計20層
の多層膜とした場合には350℃の熱処理で第1図が示し
た450℃で得られた値と同じ高保磁力の膜が得られる。
また、同じ450℃で焼鈍する場合、80kA/mの保磁力を得
るためには3〜4hr必要だが、上述の多層にすると10〜3
0minの焼鈍で済む。また、多層化した場合には、組成が
均一にならなくても(波状の組成分布)保磁力は高くな
る。
実施例5. Pt薄膜あるいはCo薄膜の上に、それぞれCoあるいはPt
膜をめっきまたは蒸着で形成し、熱処理しても実施例1
と同様の高保磁力層が形成された。
実施例6 当該Co−Pt合金(形成された薄膜永久磁石)の上にSi
O2,Al2O3,Re,TiN,Si3N4,Os,Ir,Rh,などを形成するとCo
−Pt合金層が保護され、損傷防止ができた。
〔発明の効果〕
本発明によれば、極めて磁気特性ばらつきの少ないCo
およびPtを主成分とする薄膜永久磁石を提供できる。
たとえば、従来の薄膜永久磁石の保磁力Hcは、スパッ
タに関する条件(これについては〔発明の背景〕の項で
記載した。)以外の条件(Pt,Coの膜厚等)を同一にし
ても、例えば500〜1500Oeのバラツキが生じる。
これに対し、本発明の薄膜永久磁石では例えば、800
±50Oeとバラツキが著しく小さくなった。
【図面の簡単な説明】
第1図は熱処理したCo−Pt合金層の保磁力と熱処理温度
との関係図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】Co薄膜とPt薄膜が交互に二以上積層され、
    該Co薄膜とPt薄膜の界面にCoとPtの反応層が形成された
    薄膜永久磁石において、上記反応層の平均的組成がCoが
    70%ないし90%、Ptが10ないし30%であることを特徴と
    する薄膜永久磁石。
JP60032655A 1985-02-22 1985-02-22 薄膜永久磁石 Expired - Lifetime JPH0821502B2 (ja)

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JP60032655A JPH0821502B2 (ja) 1985-02-22 1985-02-22 薄膜永久磁石

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JP60032655A JPH0821502B2 (ja) 1985-02-22 1985-02-22 薄膜永久磁石

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JPS61194635A JPS61194635A (ja) 1986-08-29
JPH0821502B2 true JPH0821502B2 (ja) 1996-03-04

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JPH02186801A (ja) * 1989-01-13 1990-07-23 Murata Mfg Co Ltd 静磁波装置
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JPS58147540A (ja) * 1982-02-26 1983-09-02 Hitachi Ltd 薄膜永久磁石の製造方法

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JPS61194635A (ja) 1986-08-29

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