JPH08211407A - 液晶表示装置および液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】アクティブマトリクス型の液晶表示装置におい
て動画を正確に表示させる 【構成】 画素領域に、中央画素電極１０１と、中央画
素電極１０２を囲むように周辺画素電極１０２を配置す
る。最初に周辺画素電極１０２により電界を液晶に対し
て印加して、所定時間だけのタイミングを遅らせて、中
央画素電極により液晶に電界を印加する。こうすること
で、画素領域周囲の液晶の影響による画素領域の中央部
の液晶の動作の遅れを解消して、見掛け上、画素領域の
液晶を殆ど同時に高速に応答させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アクティブマトリクス
型の液晶表示装置及びその駆動方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、表示装置としてＣＲＴが最も一般
的である。しかし、ＣＲＴは真空のガラスチューブを使
用し、高電圧で電子を加速しているため、容積が大き
い、重さが大きい、消費電力が大きい等の問題点があ
る。そのため、プラズマや、液晶を使ったフラットパネ
ル型の表示装置が開発されている。特に近年、液晶表示
装置のなかでも、アクティブマトリクス型の液晶表示装
置が普及しつつある。

【０００３】図１０は従来例のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の構成図であり、画素マトリクス１には、
信号線２、走査線３により信号線駆動回路４、走査線駆
動回路５が接続されている。

【０００４】図１１は従来例の画素マトリクス１の構成
図であり、ガラス基板上に、信号線１１〜１３、走査線
１４〜１６がマトリクス状に配置され、その交差部分に
それぞれ薄膜トランジスタ１７〜２０が配置されてい
る。薄膜トランジスタ１７〜２０において、ソース電極
は信号線１１〜１３に接続され、ゲイト電極は走査線１
４〜１６に接続されている。また、ドレイン電極は画素
領域の液晶セル２１〜２４と、保持容量２５〜２８とに
対応して配置された図示しない画素電極に接続されてい
る。

【０００５】図１２は薄膜トランジスタ１７〜２０の電
極に印加される電位の時間変化を示すグラス図であり、
図１２（ａ）は薄膜トランジスタのソース電極に印加さ
れる電位Ｖ_S であり、図１２（ｂ）はゲイト電極に印加
される電位Ｖ_G であり、図１２（ｃ）はドレイン電極の
電位Ｖ_D である。

【０００６】薄膜トランジスタ１７〜２０がＮチャネル
の場合、ゲイト電極がハイ（ゲイト電極の電位Ｖ_G がプ
ラス側）になると、薄膜トランジスタ１７〜２０はオン
となり、ソース電極の電位Ｖ_S とドレイン電極の電位Ｖ
_D は等しくなるように動作する。この動作により、信号
線１１〜１３の電位が保持容量２５〜２８に書き込まれ
る。次に薄膜トランジスタ１７〜２０のゲイト電極がロ
ウ（ゲイト電極のマイナス側電位）になると、薄膜トラ
ンジスタ１７〜２０はオフとなり、ソース電極、ドレイ
ン電極間はオープン状態になる。これによって、保持容
量２５〜２８の電位は次に薄膜トランジスタ１７〜２０
がオンになり、再び書き込みが発生するまでの間、保持
される。また、対向電極と画素電極の間に挟まれた図１
１の液晶セル２１〜２４はその両電極の差電圧が印加さ
れ、その電圧に応じて光の偏光特性が変化する。そし
て、偏光板を介することにより、最終的に透過率が変化
して、明暗が形成される。

【０００７】即ち、液晶表示装置は液晶物質が分子軸に
対して平行方向と垂直方向とで誘電率が異なることを利
用して、光の偏光や透過光量、さらには散乱量を制御す
ることでＯＮ／ＯＦＦを制御して、明暗を表示する。液
晶材料としてはＴＮ液晶、ＳＴＮ液晶、強誘電性液晶等
が一般的に使用されている。

【０００８】また、画素を駆動する周辺駆動回路を作製
する方法には、単結晶シリコンのトランジスタ集積回路
で作製する方法と、ポリシリコンを利用した薄膜トラン
ジスタで構成し、アクティブマトリクスと同じガラス基
板上に一体的に作製する方法とがある。単結晶シリコン
で作製された駆動回路はＴＡＢまたはＣＯＧという形で
アクティブマトリクスに接続されるのが普通である。他
方、ポリシリコン薄膜トランジスタで作製する方法で
は、駆動回路はＴＡＢやＣＯＧではなく、基板上の金属
配線でアクティブマトリクスに接続される。

【０００９】

【本発明が解決しようとする課題】従来のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置では、液晶材料には低価格及び
配向制御が容易な点から、主にＴＮ液晶が使用されてい
る。ＴＮ液晶は偏光板を介した状態で、図１３に示すよ
うな透過率−印加電圧（Ｖ）特性を有する。図１３に示
すように、透過率−印加電圧（Ｖ）特性は曲線の勾配が
比較的緩やかなため、ＴＮ液晶を用いた液晶表示装置は
印加電圧により諧調表示が可能である。

【００１０】しかしながら、ＴＮ液晶は印加する電圧に
対する応答が遅いという問題点がある。一般にＴＮ液晶
を用いた液晶表示装置では、図１４に示すように諧調が
黒から白に変化した場合、またはその逆に白から黒に変
化した場合には、１０ｍｓｅｃから数１０ｍｓｅｃの応
答遅れが発生する。特に一つの表示画素に着目すると、
黒から白に諧調が変化する際に、画素中心部の階調がま
ず変化して、これに遅れて、表示画素周辺部の諧調が変
化していることが観察される。この応答の遅れは、画素
領域の液晶の周辺部と中心部とでは、電界を加えた際に
おける応答時間に違いが見られる現象に起因する。

【００１１】図１５（ａ）、（ｂ）に基づいて、上記の
現象を説明する。画素電極に電圧を印加した状態での図
１５（ａ）は液晶セル内の液晶分子の模式図であり、図
１５（ｂ）は液晶セルの画素電極間の電気力線の模式図
である。図１５（ａ）に示すように、液晶セルは一対の
ガラス基板３１、３２間に液晶分子３３が挟まれてお
り、ガラス基板３１、３２には一対の透明な画素電極３
４、３５が対向して設けられている。更に、図示される
構成要素以外に配向膜やスイッチング用の薄膜トランジ
スタが設けられているが、図１５（ａ）ではその記載は
省略してある。また、図１５（ａ）に示す構成を一対の
偏向板で挟むことによって、最も基本的な構成の液晶表
示装置を得ることができる。

【００１２】図１５（ａ）に示すように、一対の画素電
極３４、３５により電界が液晶分子３３に印加される
と、図１５（ｂ）に示す電気力線３６に沿って、液晶分
子３３の分子軸が一様な方向に揃う。この結果、液晶分
子３３中を透過する光の偏光状態が変化する。

【００１３】しかしながら、画素電極３４、３５の周縁
部においては、境界面３７を境として、右側、即ち中央
よりの液晶分子３３は向きを変えようと回転するのに対
して、左側の液晶分子３３はそのままの状態を保持しよ
うとする。この結果、画素電極３４、３５間において、
境界面３７近傍の液晶分子３３は応答速度が画素電極３
４、３５の中央付近の変化速度に比べて遅い。

【００１４】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、静止画をＣＲＴと同等以上の画質で表示すること
が可能であるが、前述したような液晶分子の応答遅れの
ために、動画像の画質はＣＲＴよりも低い。実際には、
この応答遅れは高速で色調が変化した際の表示の不自然
さ、動画表示の動きの鈍さとして現れる。

【００１５】

【課題を解決する手段】上述の問題点を解消するため
に、本明細書で開示する主要な発明は、透明基板上に信
号線、走査線をマトリクス状に交差させ、その交差部分
に薄膜トランジスタと透明画素電極を配置し、前記透明
基板と異なる透明基板と、前記透明基板の間に液晶材料
を挟み、前記液晶材料に電圧を印加して、表示を行うア
クティブマトリクス型の液晶表示装置において、透明画
素電極は走査線、信号線に囲まれた画素領域のほぼ中央
に位置する第１の画素電極と第１の画素電極の少なくと
も２方向を囲む形状を有する第２の画素電極から成り、
第１、第２の画素電極はそれぞれ異なる第１、第２の薄
膜トランジスタに接続され、前記第１、第２の薄膜トラ
ンジスタはそれぞれ異なる信号線、走査線に接続されて
いる。

【００１６】図１は上記構成を有する表示装置の具体的
な構成図であり、表示単位となる１つの画素セルのみを
図示している。信号線１０７、１０８と走査線１０５、
１０６は格子状に配置され、この格子部分の中央には透
明電極から成る中央画素電極１０１が配置されている。
更に、中央画素の略３辺を囲んで「コ」の字型の透明電
極から成る周辺画素電極１０２が配置されている。周辺
画素電極１０２は中央画素電極１０１の周囲のおよそ３
／４を囲んでいる。中央画素電極１０１は第１の画素電
極に相当し、周辺画素電極１０２は第２の画素電極に相
当する。中央画素電極１０１には第１の薄膜トランジス
タ１０３が接続され、周辺画素電極１０２には第２の薄
膜トランジスタ１０４が接続されている。薄膜トランジ
スタ１０３には走査線１０５、信号線１０７が接続さ
れ、薄膜トランジスタ１０４には走査線１０６、信号線
１０８が接続されている。

【００１７】動画像を表示する際には、薄膜トランジス
タ１０４をＯＮにして、周辺画素電極１０２のみに電圧
を印加する。そして所定のタイミングだけ遅らせて薄膜
トランジスタ１０３をＯＮにして、中央画素電極１０１
にも電圧を印加する。即ち、最初に画素領域の周辺部の
およそ３／４の液晶が応答して、しかる後に画素領域の
中心領域を占める液晶が遅れて応答する。

【００１８】従来例では、画素電極に電荷が印加されて
も、画素電極の周縁部の液晶は電極外の液晶の影響を受
けて、応答が緩慢であったが、本発明では、あらかじめ
応答に時間のかかる画素の周辺部の液晶を先に応答さ
せ、しかる後に画素の中心領域の液晶を応答させてい
る。更に、中央画素電極１０１、周辺画素電極１０２の
動作タイミングを適宜設定することで、画素領域全体の
液晶が立ち上がるタイミングを揃えている。その結果、
見かけ上、画素セル内の液晶がほとんど同時に高速に応
答するようにして、動画を正確に表示することができ
る。

【００１９】上記のように動作させるには、第１の薄膜
トランジスタ１０３、第２の薄膜トランジスタ１０４を
それぞれ異なる信号線、走査線を介して、異なる駆動回
路によって、異なるタイミングで駆動する必要がある。
具体的なタイミングの例としては、例えば第１の薄膜ト
ランジスタ１０３を駆動するための画像信号を第２の薄
膜トランジスタ１０４を駆動する画像信号よりも１フレ
ーム期間の少なくとも１以上の自然数倍の時間遅れを有
する信号とすればよい。

【００２０】また、中央画素電極１０１と周辺画素電極
１０２とを離して配置しているが、この場合は、その離
れる距離が重要である。図１５（ｂ）に示すように、一
対の画素電極により電圧を印加した際には、画素の境界
面から電気力線がはみだしているため、画素電極に挟ま
れていない液晶分子も応答している。図３は印加電圧に
応答した液晶分子の位置を電極から離間距離として測定
した結果を示す。５Ｖの電圧印加に対して、離間距離は
４μｍ程度である。これは、５Ｖの電圧印加に対して
は、画素電極から４μｍ程度離れた位置に在る液晶分子
の向きを変化させることができることを意味している。
従って、印加電圧を５Ｖとする場合には、図１におい
て、中央画素電極１０１と周辺画素電極１０２の離間距
離は４μｍ以内とすればよい。

【００２１】更に、本明細書で開示する他の発明は、液
晶に電界を加えるための１単位の領域を有し、前記１単
位の領域には複数の電極が配置されており、前記複数の
電極として、前記１単位の領域の周辺に接する領域の１
／２以上を占める電極と、前記１単位の領域における中
心部分を占める電極と、を少なくとも有することを特徴
とする。

【００２２】図１は上記構成を有する表示装置の具体的
な構成図であり、画素領域として画定される１単位の画
素領域は中央画素電極１０１と周辺画素電極１０２から
構成され、表示の最小単位となるものである。表示単位
となる画素領域の中心部分に中心画素電極１０１が配置
され、中心画素電極１０１の周囲に、周辺画素電極１０
２が配置されている。

【００２３】上記の構成を有する発明において、中央画
素電極の少なくとも１／２以上の領域が周辺画素電極で
占められる必要がある。言い換えれば、表示単位の周辺
部の領域を１／２以上を周辺画素電極占める必要があ
る。これは、中央画素電極下の液晶において、電極外部
の液晶と接する部分の割合がその周囲全体に対して５０
％以上となると、周辺画素電極を中央画素電極よりも早
いタイミングで駆動しても、画素領域周辺の液晶の影響
による液晶の応答の遅れが顕著になるからである。図１
に示す構成においては、画素領域の周辺に接する領域の
およそ３／４が周辺画素電極１０２によって占められ、
中央画素電極下の液晶が電極外部の液晶と接する部分の
割合はおよそ２５％となっている。

【００２４】他の発明の構成は、液晶に電界を加えるた
めの１単位の領域を有し、前記領域には複数の電極が配
置されており、前記複数の電極として、前記１単位の領
域の周辺に接する領域の１／２以上を占める電極と、前
記領域における中心領域を占める電極と、を少なくとも
有することを特徴とする。

【００２５】他の発明の構成は、液晶に電界を加えるた
めの１単位の領域を有し、前記領域には複数の電極が配
置されており、前記複数の電極として、前記領域におけ
る中心部を占める電極と、該電極周囲の１／２以上を囲
んで配置された電極と、を少なくとも有することを特徴
とする。

【００２６】他の発明の構成は、液晶を用いた表示を行
う１単位の領域を有し、前記１単位の領域の周辺に接す
る領域の１／２以上の領域に電界を加える手段と、該手
段からの電界が液晶に加えられた後に前記１単位の領域
の中心部に電界を加える手段と、を少なくとも有するこ
とを特徴とする。

【００２７】上記構成を有する発明を図１を用いて具体
的に説明する。図１には、中央画素電極１０１と周辺画
素電極１０２で構成された１単位の領域が示されてい
る。図１に示す構成においては、この１単位の領域が画
素電極となる。ここで、中心画素電極１０１が１単位の
領域の中心部を占める電極であり、周辺画素電極１０２
がこの１単位の領域の周辺に接する領域のおよそ３／４
の領域に電界を加えるための電極である。

【００２８】図１に示す構成においては、周辺画素電極
１０２から液晶に対して電界を印加した後に、所定のタ
イミングを遅らせて、中心画素電極１０１から液晶に対
して電界を印加する。こうして、画素領域の周辺に接す
る領域から画素領域の中心領域へと順次所定のタイニン
グで電界を加える構成を実現することができる。このた
め、応答の遅い画素領域の周辺に接した領域を最初に応
答させることができ、結果として画素全体を一様に高速
度で応答させることができる。

【００２９】他の発明の構成は、液晶の一部の領域に電
界を加える手段を少なくとも有する表示装置であって、
前記手段は、前記一部の領域の周辺に接する領域の１／
２以上の領域にまず電界を加え、その後に他の領域に電
界を加える機能を有することを特徴とする。

【００３０】他の発明の構成は、液晶の所定の領域に電
界を加える手段を少なくとも有する表示装置であって、
前記手段は、前記所定の領域の周辺に接する少なくとも
一部の領域から前記所定の領域の中心部および／または
中心周辺部へと順次電界を加える機能を有することを特
徴とする。

【００３１】他の発明の構成は、液晶の所定の領域に電
界を加える手段を少なくとも有する表示装置であって、
前記手段は、前記所定の領域の周辺に接する少なくとも
一部の領域に電界を加えた後前記所定の領域の中心部お
よび／または中心周辺部に電界を加える機能を有するこ
とを特徴とする。

【００３２】上記構成の具体的な例としては、図１に示
すように、画素領域である所定の領域の周辺に接する領
域に電界を加えるための周辺画素電極１０２と、所定の
領域の中心部に電界を加えるための中央画素電極１０１
を有する構成を挙げることができる。このような構成を
採用することにより、画素領域となる液晶の所定の領域
の周辺部から中心部へと順次に液晶を応答させることが
でき、画素領域周辺の液晶の影響による応答の遅れを補
正することができる。

【００３３】さらに本明細書で開示する発明では、周辺
画素電極を中央画素電極とは異なる面内に形成したこと
を特徴とする。このような構成を採用すると、中央画素
電極の周辺領域に電界がより印加されやすくなる構成と
することができる。

【００３４】また、上述の問題点を解消するために、本
明細書で開示する発明の他の主要な構成は、透明基板上
に信号線、走査線をマトリクス状に交差させ、その交差
部分に薄膜トランジスタと透明画素電極を配置し、前記
透明基板と異なる透明基板と前記透明基板の間に液晶材
料をはさみ、前記液晶材料に電圧を印加し、表示を行う
アクティブマトリクス型液晶表示装置において、透明画
素電極は走査線、信号線に囲まれた画素領域のほぼ中央
に位置する第１の画素電極と第１の画素電極を囲む形状
を持った第２の画素電極からなり、第１、第２の画素電
極は、それぞれ異なる第１、第２の薄膜トランジスタに
接続され、前記第１、第２の薄膜トランジスタはそれぞ
れ異なる信号線、走査線に接続され、前記第１の画素電
極と前記第２の画素電極とは、異なる平面上に形成され
ていることを特徴とする。

【００３５】更に、本発明の他の構成は、透明基板上に
マトリクス状に配置された透明画素電極を有し、前記透
明画素電極は、走査線、信号線に囲まれた画素領域のほ
ぼ中央に位置する第１の画素電極と第１の画素電極を囲
む形状を持った第２の画素電極からなり、第１、第２の
画素電極はそれぞれ異なる第１、第２の薄膜トランジス
タに接続され、前記第１、第２の薄膜トランジスタはそ
れぞれ異なる信号線、走査線に接続され、前記第１の画
素電極と前記第２の画素電極とは異なる平面上に形成さ
れているアクティブマトリクス型の液晶表示装置におい
て、入力された画像信号をフレームメモリによって遅延
させ、原信号と比較を行い、動き部分を検出し、動き部
分が検出された場合に、前記第２の薄膜トランジスタ
を、第１の薄膜トランジスタを駆動するより１フレーム
以上先の画像信号を用いて駆動することを特徴とする。

【００３６】図６は上記発明の具体的な構成図であり、
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置における画素
セルの構成図であり、図６（ａ）は画素の上面図を示
し、図６（ｂ）は図６（ａ）の線ａ−ａ’で切った断面
図である。図６（ａ）に示すように、透光性を有する基
板上に、従来の画素に対応する中央画素電極６０１が設
けられ、更に、第２の画素電極として、周辺画素電極６
０２が中央画素電極６０１の周辺に接し、その４辺を囲
むように設けられている。中央画素電極６０１には画素
薄膜トランジスタ６０３が接続され、周辺画素電極６０
２には薄膜トランジスタ６０４が接続されている。

【００３７】更に、薄膜トランジスタ６０３、６０４に
はそれぞれ走査線６０５、６０６、信号線６０７、６０
８が独立に接続されている。更に、走査線６０５、６０
６、信号線６０７、６０８にはそれぞれ図示しない駆動
回路が独立に接続されている。このため、中央画素電極
６０１と周辺画素電極６０２とを異なる駆動回路によ
り、異なるタイミングで動作させることができる。

【００３８】また、図６（ｂ）に示すように、周辺画素
電極６０２は中央画素電極６０１の下層に配置されてお
り、中央画素電極６０１が形成される層と周辺画素電極
６０２が形成される層との間には、ＳｉＮ、Ａｌ₂ Ｏ₃
等の絶縁膜層６０９が形成されている。

【００３９】周辺画素電極６０２を中央画素電極６０１
と異なる層に配置することにより、電気的に絶縁された
層において、それぞれの電極に接続させる配線を設ける
ことができる。例えば、中央画素電極６０１に接続され
た配線パターンを絶縁膜６０９上に形成することができ
るため、周辺画素電極６０２上を横断して配置すること
ができる。従って、中央画素電極６０１の周囲を全て囲
んで周辺画素電極６０２を配置することができる。

【００４０】また、図６（ｂ）に示すように、中央画素
電極６０１と周辺画素電極６０２とは、中央画素電極６
０１の周縁で重なるようにしている。このような構成を
採用したため、中央画素電極６０１の周縁部分に対し
て、周辺画素電極６０２により、電圧を印加することが
できる。更に、中央画素電極６０１と周辺画素電極６０
２とが部分的に重なっているために、プロセスでのアラ
イメントのずれを補償することができる。このため、プ
ロセスマージンを高めることができる。

【００４１】具体な動作としては、中央画素電極６０１
に電圧が印加されるよりも先に周辺画素電極６０２間に
電圧を印加する。すると周辺画素電極６０２に挟まれる
液晶分子が長軸の方向が電気力線と平行になるように配
向すると同時に、中央画素電極６０１の周縁の液晶分子
もが分子の長軸の向きが初期配向状態から、電気力線に
沿うようになるように変わる。便宜上これを第１の応答
ということとする。

【００４２】次に、所定の時間遅れたタイミングで中央
画素電極６０１にも電圧を印加する。これにより、中央
画素電極６０１に挟まれる液晶分子が長軸の方向が電気
力線と平行になるように配向する。便宜上、これを第２
の応答という。

【００４３】第２の応答において、周辺画素電極６０２
からの電圧印加により、中央画素電極６０１の周縁の液
晶分子は既に応答しているため、中央画素電極６０１間
の液晶分子は位置に拘らず、応答の遅さが生じることが
なく、中央画素電極の領域全体において均一に応答させ
ることができる。

【００４４】第１の応答に要する時間Ｔ₁ と第２の応答
に要する時間Ｔ₂ との関係は、Ｔ₁＞Ｔ₂ となる。これ
は、第１の応答において、周辺画素電極６０２に挟まれ
る液晶分子は周辺の液晶分子の影響を受けて、その応答
が遅くなるためである。ここで、ΔＴをＴ₁ −Ｔ₂ ＝Δ
Ｔと定義する。本発明では、周辺画素電極６０２に電圧
を印加してから中央画素電極６０１に電圧を印加するま
での時間差がΔＴとなるようにする。これにより、中央
画素電極の中央における液晶の応答と中央画素電極の縁
近くの液晶の応答とが同時に応答したような状態が実現
できる。このような動作状態は、動画の表示において、
色調の変化や動画の動きを自然なものとするために非常
に有用になる。

【００４５】なお、周囲画素電極６０２には、ブラック
マトリクスを兼ねてクロムを用いることも可能である。
これにより、画素周辺領域での液晶分子の配向乱れを遮
蔽することができるという利点が生ずる。

【００４６】他の発明の構成は、複数の画素電極が配置
された画素領域を有する液晶表示装置であって、前記画
素領域には、画素領域の中心領域を占める第１の画素電
極と、前記第１の画素電極の周囲全てを囲んで形成され
た第２の画素電極と、を有することを特徴とする。

【００４７】上記構成において、画素領域というのは、
例えば表示の一つの単位がマトリクス状に配置されてい
る領域のことをいう。例えば、図６に示す構成の場合、
周辺画素電極６０２と中央画素電極６０１で構成される
領域が画素領域となる。

【００４８】他の発明の構成は、複数の画素電極が配置
された画素領域を有する液晶表示装置であって、前記画
素領域には、画素領域の中心領域を占める第１の画素電
極と、前記第１の画素電極の周囲の少なくとも一部を囲
んで配置された第２の画素電極と、を有し、前記第１の
画素電極と前記第２の画素電極とは異なる平面上に形成
されていることを特徴とする。

【００４９】上記構成において、第１の画素電極と前記
第２の画素電極とは異なる平面上に形成され、特に第１
の画素電極の縁部分と第２の画素電極の一部とが重なる
ことを特徴とする。

【００５０】具体的な構成としては、図６（ｂ）に示す
構成を採用できる。周辺画素電極６０２は中央画素電極
６０１の下層に配置され、中央画素電極６０１が形成さ
れる層と周辺画素電極６０２が形成される層との間に
は、絶縁膜層６０９が形成されている。

【００５１】また、本明細書に開示する発明において、
画素を駆動するための周辺駆動回路をポリシリコン薄膜
トランジスタにより構成することが好ましい。周辺駆動
回路をポリシリコン薄膜トランジスタで構成することに
より以下の長所が生ずる。

【００５２】１、アクティブマトリクスの画素ピッチを
小さくできる。ＴＡＢを用いてアクティブマトリクスを
駆動する場合、ＴＡＢのピッチはガラス基板と張り合わ
せが可能な大きさに限定されるため、アクティブマトリ
クスのピッチを小さくできない。駆動回路を基板内に内
蔵した場合アクティブマトリクスとの張り合わせが存在
しないため、マトリクスのピッチを小さくできる。

【００５３】２、配線接続の信頼性が向上できる。ＴＡ
Ｂを用いる場合にアクティブマトリクスから外部に対し
て数千本の配線が出力されるため、ＴＡＢ−アクティブ
マトリクス基板の接続点において断線の確率が高いとい
うのに対して、駆動回路を内蔵した場合アクティブマト
リクス基板より外部にでる端子の数は百分の一程度とな
り信頼性の向上が期待できる。

【００５４】３、表示装置の大きさを小さくできる。Ｔ
ＡＢを用いる場合に画面の大きさが小さい表示装置、た
とえばビュウファインダの様なものではアクティブマト
リクスよりも駆動回路のＴＡＢの方が大きくなりビデオ
カメラ等の容積縮小の足かせとなっていた。駆動回路内
蔵の場合、回路の幅は５ｍｍ以下に抑えることが可能で
あるため、ビュウファインダ等の表示装置の小型化に貢
献することが可能である。

【００５５】

【作用】本明細書で開示する発明は画素電極を中央画素
電極と周囲画素電極に分離し、画面上で「動き」を要求
される部分では予め周囲画素電極を駆動し、中央画素電
極を駆動しようとしたときに、液晶材料が印加電圧に対
して容易に応答させるようにしている。即ち、応答に時
間のかかる画素の周辺に接する領域の液晶を先に応答さ
せ、しかる後に画素の中心領域の液晶を応答させること
によって、見かけ上、画素内の液晶がほとんど同時に高
速に応答するようにしている。

【００５６】更に、本明細書で開示する発明では、画像
信号をフレームメモリにより遅延させて、遅延前後の画
像信号データを比較することにより、動き部分を検出し
て、動きが検出された場合には、上記のように周辺画素
電極を先に駆動して、中央画素電極を１フレームの自然
数倍ずらしたタイミングで駆動して、動画を正確に表示
するようにする。

【００５７】

【実施例】

〔実施例１〕 図１は本明細書で開示する発明を利用し
て、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の一つの画
素セルの構成図である。従来では、１つの画素で構成さ
れていた画素電極を本実施例では中央の画素電極と、そ
の周囲を囲む画素電極とに分割することを特徴とする。

【００５８】図１は上記構成を有する表示装置の具体的
な構成図であり、表示単位となる１つの画素セルのみを
図示している。信号線１０７、１０８と走査線１０５、
１０６は格子状に配置され、この格子部分の中央には透
明電極から成る中央画素電極１０１が配置され、中央画
素の略３辺を囲んで「コ」の字型の透明電極から成る周
辺画素電極１０２が配置されている。従って、周辺画素
電極１０２は中央画素電極１０１の周囲のおよそ３／４
を囲んでいる。中央画素電極１０１には第１の薄膜トラ
ンジスタ１０３が接続され、周辺画素電極１０２には第
２の薄膜トランジスタ１０４が接続されている。薄膜ト
ランジスタ１０３には走査線１０５、信号線１０７が接
続され、薄膜トランジスタ１０４には走査線１０６、信
号線１０８が接続されている。走査線１０５、１０６、
信号線１０７、１０８にはそれぞれ図示しない駆動回路
が独立に接続されている。

【００５９】図２は画素セルの断面構成図であり、透明
基板１１０上に、中央画素電極１０１、周辺画素電極１
０２が形成されている。他方の透明基板１１１上には、
中央画素電極１０１に対向する中央画素電極１１２と、
周辺画素電極１０２と対向する周辺画素電極１１３がそ
れぞれ形成されている。また、透明基板１１０、１１１
間には、液晶１１４が封入されている。

【００６０】画素セルが表示すべき画面が静止画像の場
合は、従来の方式の駆動方法を採用すればよく、中央の
画素電極１０１が従来の画素電極と同じ役割を果して画
面表示を行う。

【００６１】動画を表示する場合には、中央画素電極１
０１の境界面（周囲と接する部分）の動作速度を改善す
るため、中央画素電極１０１、周辺画素電極１０２を異
なるタイミングで駆動させ、動画を正確に表示するよう
する。最初に、周辺画素電極１０２、１１３のみにより
電圧を印加する。図２（ｂ）は、周辺画素電極１０２、
１１３のみに電界を印加した状態での電気力線１１５の
様子を示したものである。

【００６２】図２（ｂ）に示すように、電気力線１１４
は周辺画素領域の外側にも作用するため、周辺画素電極
１０２、１１１に挟まれている液晶分子１１４をが応答
させると共に中央画素電極１０１、１１２の周縁部の液
晶分子１１４をも予め応答させて、その向きを変化させ
ることができる。

【００６３】そして、中央画素電極１０１、１１２によ
り中央画素電極１０１１１２に挟まれている液晶分子１
１４に電界を印加する。この状態での液晶分子１１４を
図２（ａ）に示めす。この状態では、中央画素電極１０
１、１１２の周縁部の液晶分子が１１４予め応答してい
るので、電極１０１、１０２、１１２、１１３が配置さ
れていない領域の液晶分子１１４の影響を受けずに、中
央画素電極１０１、１１２の間の液晶分子１１４は円滑
に応答することができる。

【００６４】本実施例では、中央画素電極１０１、１１
２と周辺画素電極１０２、１１３とを離して配置するよ
うにしたが、その離す距離が重要になる。図２（ａ）に
示すように一対の画素電極から電圧を印加した際に、画
素の境界面から電気力線１１５がはみだす。その結果、
周辺画素電極１０２、１１３の境界面の外側の液晶分子
１１４も応答させることができる。

【００６５】図３は印加電圧に応答した液晶分子の位置
を電極から離間距離として測定した結果を示す。５Ｖの
電圧印加に対して、離間距離は４μｍ程度である。これ
は、５Ｖの電圧印加に対しては、画素電極から４μｍ程
度離れた位置に在る液晶分子の向きを変化させることが
できることを意味している。従って、印加電圧を５Ｖと
する場合には、図１において、中央画素電極１０１と周
辺画素電極１０２の離間距離は４μｍ以内とすればよ
い。４μｍの離間距離を形成するには、現在の液晶表示
装置のフォトリソグラフィの解像度を考慮すると十分可
能である。

【００６６】〔実施例２〕 本実施例は、表示単位が２
つの画素電極から成る画素マトリクスの駆動方法を示
す。本実施例では、画素電極を実施例１と同じ構成とす
る。従って、中央画素電極、周辺画素電極を独立に動作
させるために、それぞれに対してスイッチング素子とな
る薄膜トランジスタを独立に接続し、更に、これらの薄
膜トランジスタ対して駆動回路を独立に接続する必要が
ある。

【００６７】一般に、周辺駆動回路は信号線駆動回路と
走査線駆動回路とで構成される。これらの信号線駆動回
路と走査線駆動回路とが一体的に動作して、各画素領域
において１つの薄膜トランジスタを駆動することができ
る。本実施例では、中央画素領域と周辺画素領域におい
て異なる動作を行う薄膜トランジスタが２つ配置されて
いるので、信号線駆動回路と走査線駆動回路とはそれぞ
れ２組以上、最低でも２組必要となる。

【００６８】図４は本実施例の液晶表示装置の概略の構
成図である。図４（ａ）に示すように、画素マトリクス
４０１は、図１、２に示す中央画素電極、周辺画素電極
から成る画素セルがマトリクス状に配置されている。中
央画素電極に接続された薄膜トランジスタを制御するた
めに、信号線駆動回路４０２、走査線駆動回路４０４が
それぞれ信号線、走査線により画素マトリクス４０１に
接続されている。更に、周辺画素電極に接続された薄膜
トランジスタを制御するために、信号線駆動回路４０
３、走査線駆動回路６０５がそれぞれ信号線、走査線に
より画素マトリクス４０１に接続されている。信号線駆
動回路４０２、４０３にはそれぞれ動き検出回路４０６
の出力が接続されている。

【００６９】信号線駆動回路４０２、４０３、走査線駆
動回路４０４、４０５は画素マトリクス４０１をの４辺
を取り囲むように配置され、かつ、画素マトリクス４０
１を隔てて、信号線駆動回路４０２と４０３が対峙し、
走査線駆動回路４０４と４０５が対峙している。図４
（ｂ）は周辺駆動回路の配置の変形例であり、図４
（ａ）と同じ符号は同じ部材を示している。図４（ｂ）
に示すように、画素マトリクス４０１の２辺を取り囲む
ように、信号線駆動回路４０２、４０３、走査線駆動回
路４０４、４０５を配置して、かつ信号線駆動回路４０
２と４０３及び走査線駆動回路４０４と４０５がそれぞ
れ同じ側に配置されている。ただし信号線駆動回路４０
２、４０３、走査線駆動回路４０４、４０５はそれぞれ
信号線、走査線を共有していない。

【００７０】図５は信号線駆動回路４０２、４０３に表
示信号を与えるためのシステムのブロック図であり、こ
のシステムでは、外部から入力される画像信号はデジタ
ル信号であり、システムから出力される信号もデジタル
信号である。図５に示すように、フレームメモリ４０
７、動き検出回路４０６にはそれぞれ外部から画像信号
が入力される。フレームメモリ４０７の出力は動き検出
回路４０６、信号線駆動回路４０３、フレームメモリ４
０８にそれぞれ接続され、フレームメモリ４０８の出力
は信号線駆動回路４０２に接続されている。

【００７１】フレームメモリ４０７には外部から画像信
号が入力されて、１フレーム分の画像データとして記憶
される。フレームメモリ４０７は記憶している画像デー
タをフレームメモリ４０８に出力する。フレームメモリ
４０８はその画像データを記憶する。画像データをフレ
ームメモリ４０８に出力すると、フレームメモリ４０７
には新たな画像データが外部から入力されて、記憶され
ている画像データが更新される。即ち、フレームメモリ
４０７は画像データをフレームメモリ４０８に出力する
毎に、画像データが更新されるため、フレームメモリ４
０７に記憶されている画像データはフレームメモリ４０
８に記憶されている画像データよりも１フレーム先のデ
ータとなる。

【００７２】動き検知回路４０６には、外部からの画像
信号と、フレームメモリ４０７に記憶された画像データ
がそれぞれ入力される。動き検出回路４０６において、
外部からの画像信号に「動き」の成分が在るか否かが判
断される。フレームメモリ４０７から入力された画像デ
ータは外部からの画像信号よりも１フレーム後のデータ
となるため、フレームメモリ４０７から入力された画像
データを基準にして、外部から入力された画像信号から
「動き」の成分を検出する。そのため入力された２つの
画像データが減算されて、差分信号が作成され、この差
分信号からノイズ成分を除去た後に、「動き」を現すも
のであるか、否かを判断する。

【００７３】差分信号が「動き」を示すものでない場合
には、動き検出信号４０６から駆動信号が信号線駆動回
路４０２に出力されて、信号線駆動回路４０２は駆動信
号が入力されると、信号線を介して薄膜トランジスタを
駆動して、従来の画素電極と同様に、中央画素電極に画
像データを書き込む。

【００７４】差分信号が「動き」を示すものである場合
には、動き検出信号４０６から駆動信号が信号線駆動回
路４０３に出力される。信号線駆動回路４０３は駆動信
号が入力されると、信号線を介して薄膜トランジスタを
駆動して、周辺画素電極にフレームメモリ４０７に記憶
されている画像データを書き込む。これと同時に、フレ
ームメモリ４０７に記憶されている画像データはフレー
ムメモリ４０８出力されて、遅延された後に、信号線駆
動回路４０２により薄膜トランジスタを駆動して、中央
画素に書き込まれて、中央画素と周辺画素には同一フレ
ームの画像データが表示される。

【００７５】このように、２つのフレームメモリ４０
７、４０８に画像データを蓄積することにより、中央画
素に書き込む画像データを遅延させて、かつ周辺画素に
画像データを書き込むタイミングを中央画素よりも１フ
レーム先にすることができるため、実質的には、中央部
と周辺部との応答の差が生じなくなり、動画像を正確に
表示することが可能になる。

【００７６】図６の例ではデジタル信号処理を想定して
いるが、画像信号がアナログの場合には、フレームメモ
リ４０７、４０８に画像信号を入力する際には、ＡＤコ
ンバータによりデジタル信号に変換するようにして、信
号線駆動回路４０２、４０３からの出力信号はＤＡコン
バータにより、アナログ信号に変換して、画素マトリク
スに出力するようにすればよい。

【００７７】〔実施例３〕 本実施例は実施例１の変形
例であり、中央画素電極と周辺画素電極とが重なるよう
に配置することを特徴とする。画素セルは透光性を有す
る一対のガラス基板間にネマチック性を有する液晶材料
を挟持した構成を有し、図６（ａ）は１つの画素領域の
上面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）の線ａ−ａ‘で
切った断面図である。また、図７は画素セルの断面構成
図である。

【００７８】図６（ａ）に示すように、従来の画素に対
応する中央画素電極６０１が設けられている。中央画素
電極６０１の周辺に接して、その周辺を囲むように周辺
画素電極６０２が設けられている。中央画素電極６０１
には画素薄膜トランジスタ６０３が接続され、周辺画素
電極６０２には画素薄膜トランジスタ６０４が接続され
ている。これらの薄膜トランジスタ６０３、６０４のゲ
イト電極、にはそれぞれ走査線６０５、６０６が接続さ
れ、ソース電極には信号線６０７、６０８が独立に接続
されている。また、これらの走査線６０５、６０６、信
号線６０７、６０８にはそれぞれ図示しない駆動回路が
独立に接続されている。

【００７９】また、図６（ｂ）に示すように、周辺画素
電極６０２は中央画素電極６０１の下層に配置されてお
り、中央画素電極６０１が形成される層と周辺画素電極
１６２が形成される層との間には、絶縁膜層６０９が形
成されている。

【００８０】以下に液晶表示装置のアクティブマトリク
スパネルの作製方法を説明する。第１の透明基板６１０
として、コーニング社製の＃７０５９ガラス基板（厚さ
１．１ｍｍ）または＃１７１３ガラス基板（厚さ１．１
ｍｍ）を用いる。この透明基板６１０上に画素電極を駆
動するための薄膜トランジスタ、周辺画素電極、及び中
央画素電極をそれぞれ形成する。画素は必要とする数を
マトリクス状に形成する。

【００８１】通常のスパッタ法により、透明基板６１０
上に、クロムを厚さ１０００Åに成膜して、パターニン
グを施すことにより周辺画素電極６０２を形成する。こ
の周辺画素電極６０２はブラックマトリクスとしても機
能する。周辺画素電極６０２の形成と同時、その前に或
いは後に、周辺画素電極６０２と薄膜トランジスタ６０
４とを接続するための図示しない配線パターンを形成す
る。

【００８２】周辺画素電極６０２上に、スパッタ法によ
り酸化アルミニウム膜を成膜してパターニングして、絶
縁膜６０９を形成する。なお、絶縁膜６０９を窒化珪素
で形成してもよい。更に、絶縁膜６０９上に、厚さ１０
００ÅのＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜する。ＩＴＯ
膜をパターニングして、中心画素電極６０１を形成す
る。中心画素電極６０１の形成と同時、その前或いは後
に、中央画素電極６０１と薄膜トランジスタ６０３とを
接続するための配線パターンを形成する。

【００８３】ここで重要なことは、中央画素電極６０１
と薄膜トランジスタ６０３を結ぶ配線は絶縁膜６０９上
に形成され、周辺画素電極６０２と薄膜トランジスタ６
０４とを結ぶ配線は絶縁膜６０９下に形成されることで
ある。このような構成を採用することで、中央画素電極
６０１と周辺画素電極６０２とを一部重ねて配置するこ
とや、中央画素電極６０１の周囲を全て囲んで周辺画素
電極６０２を配置することができる。なお、第１の透明
基板６１０上には、ここでは詳述しないが、周辺駆動回
路領域等が薄膜トランジスタによって形成される。

【００８４】更に、第２の透明基板６０２として、コー
ニング社製＃７０５９（厚さ１．１ｍｍ）または＃１７
３７（厚さ１．１ｍｍ）ガラス基板を用いる。その基板
上に、第１の透明基板６１０に形成された、中央画素電
極６０１、周辺画素電極６０２の対向電極をそれぞれ形
成する。

【００８５】透明基板６１１上に、厚さ１０００Åのク
ロムをスパッタ法により成膜する。そしてパターニング
して、周辺画素電極６０２に対向する周辺画素電極６１
２を形成する。この周辺画素電極６１２はブラックマト
リクスとしても機能する。次に、周辺画素電極６１２上
に、スパッタ法により酸化アルミニウム膜を成膜し、パ
ターニングして、絶縁膜６１３を形成する。更に、絶縁
膜６１３上に、厚さ１０００ÅのＩＴＯ膜をスパッタ法
により成膜する。ＩＴＯ膜をパターニングして、中心画
素電極６０１との対向電極として中心画素電極６１４を
形成する。この中心画素電極６１４は、パターニングせ
ずに、全面にベタに形成されるものでよい。以上のプロ
セスにより、液晶表示装置を構成する一対の透光性基板
が完成する。

【００８６】次に、透明基板６１０、６１１の液晶に接
する面に、液晶材料を配向制御するための図示しない配
向膜を形成する。配向膜として、ポリイミド系樹脂を成
膜して、ラビング処理を施す。本実施例ではＴＮ型とす
るため、ラビングの方向は、透明基板６１０と６１１と
で直交するようにする。

【００８７】そして、所定の間隔を開けて透明基板６１
０と６１１とをエポキシ系接着剤により張り合わせる。
この際に、直径５．０μｍの球形スペーサをにより透明
基板６１０と６１１との間隔を制御する。そして、液晶
材料を第１及び第２の基板６１０、６１１間に注入す
る。注入法としては、例えば真空注入法を用いればよ
い。

【００８８】静止画像を表示する際には、中央画素電極
６０１、６１４を従来例と同様に駆動すればよい。中央
画素電極６０１、６１４が従来の画素電極と同じ役割を
して画面表示をおこなう。

【００８９】動画を表示する際には、２種類の画素電極
を異なるタイミングで動作させ、表示速度の向上を図
る。そのため、周辺画素電極により電圧を印加して、所
定のタイミング遅れて中央画素電極から電圧を印加する
ようにする。

【００９０】図７は、一対の透明基板６１０と６１１と
の間において、周辺画素電極６０２、６１２間のみに電
圧を印加した状態を示し、図７（ａ）は電気力線６１５
の様子を示したものであり、図７（ｂ）は液晶分子６１
６の状態を示したものである。

【００９１】中央画素電極６０１、６１４に電圧が印加
されるよりも先に周辺画素電極６０２、６１２間に電圧
を印加する。このため、中央画素領域の周縁領域の液晶
分子６１６が分子長軸の向きを電気力線６１５の向きに
従うように初期配向状態から変化する。次に、少し遅れ
たタイミングで中央画素電極６０１、６１４にも電圧を
印加する。中央画素電極６０１、６１４間に電圧が印加
された状態では、中央画素領域のの周縁の液晶分子は既
に周辺画素電極６０２、６１２から印加されている電圧
に応答している。従って、中央画素電極６０１、６１４
による電圧に対する液晶分子の応答は、その周辺領域の
液晶が遅さが生じることがなく、中央画素の領域全体に
おいて均一な応答させることができる。

【００９２】本実施例は、周辺画素電極６０２、６１２
をブラックマトリクスを兼ねたクロムで作成したため、
周辺画素電極６０２、６１２を中央画素電極６０１、６
１４と異なるタイミングで動作させても、画素周辺領域
での液晶分子の配向乱れを遮蔽することができるという
利点が生ずる。また、図６、７に示す画素セルを駆動す
るには、実施例２の駆動回路を用いることが可能であ
る。

【００９３】なお、中央画素電極と周辺画素電極を独立
に動作させることができるのであれば、図８に示す構成
を採用することも可能である。図８において、図６と同
じ符号は同じ部材を表す。図８に示すように、中央画素
電極６０１には画素薄膜トランジスタ６０３が接続さ
れ、周辺画素電極１０２には画素薄膜トランジスタ１０
４が接続されている。これらの薄膜トランジスタのゲイ
ト電極は同一の走査線６０５に接続され、他方、ソース
電極はそれぞれ相異なる信号線６０７、６０８に接続さ
れている。

【００９４】図８に示す構成を採用することにより、図
６に示す構成と比較して、薄膜トランジスタ６０３、６
０４の配置がより簡潔となると共に、同一画素数で必要
とする走査線を半減できるので、画素の開口率を向上す
ることもできる。

【００９５】更に、薄膜トランジスタ６０３、６０４が
共通の走査線６０５に接続されているため、従来例と同
様に、画素を駆動する周辺回路には、走査線駆動回路１
つを設ければよく、例えば、図４（ａ）に対応して、図
９に示す構成を採用することができる。

【００９６】図９に示すように、画素マトリクス９０１
には、２つの信号線駆動回路９０２、９０３と、走査線
駆動回路９０４とが画素マトリクスの３辺を取り囲むよ
うに接続され、信号線駆動回路９０２、９０３にはそれ
ぞれ動き検出回路９０６が接続されている。走査線駆動
回路９０４は共通であるが、信号線駆動回路９０２、９
０３は独立に設けられているため、中央画素電極６０
１、周辺画素電極６０２には互いに異なる画像信号を入
力することが可能である。このため、実施例２と同様
に、動き検出回路９０６において画像信号に「動き」成
分があるか否かを判別して、中央画素電極６０１、周辺
画素電極６０２を独立に制御することにより、静止画、
動画共に良好に表示することができる。

【００９７】

【効果】本発明は画素を中央画素と周囲画素の２つの領
域に分離して、画面に高速動作が要求される場合には、
周辺画素をあらかじめ、中央画素に先行して動作させる
ことにより、中央画素の動作速度を向上させる効果をも
つ。従って、液晶表示装置の動作速度を向上すことが可
能になり、より高画質な表示をユーザーに提供すること
が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１の画素セルの上面構成図である。

【図２】 画素セルの断面構成図であり、図２（ａ）は
液晶の応答を説明する模式図であり、図２（ｂ）は電気
力線の模式図である。

【図３】 印加電圧に対する、応答可能な液晶分子の電
極からの距離の関係を示すグラフ図である。

【図４】 実施例２のアクティブマトリクス型の液晶表
示装置の概略図である。

【図５】 動き検出システムのブロック回路図である。

【図６】 実施例３の画素電極の上面構成図である。

【図７】 画素電極の断面構成図であり、図７（ａ）は
電気力線の模式図であり、図７（ｂ）は液晶分子の応答
を説明する模式図である。

【図８】 実施例３の変形例の画素電極の上面構成図で
ある。

【図９】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置の概
略図である。

【図１０】 従来例のアクティブマトリクス型の液晶表
示装置の概略構成図である。

【図１１】 従来例の画素マトリクスの概略図である。

【図１２】 従来例のアクティブマトリクスの駆動波形
図である。

【図１３】 ＴＮ液晶の透過率−印加電圧特性図であ
る。

【図１４】 ＴＮ液晶の応答特性図である。

【図１５】 従来例の画素電極の液晶分子の応答を説明
する模式図である。

【符号の説明】

中央画素電極 ：１０１、１１２、６０１、６１
４ 周辺画素電極 ：１０２、１１３、６０２、６１
２ 薄膜トランジスタ ：１０３、１０４、６０３、６０
４ 走査線 ：１０５、１０６、６０５、６０
６ 信号線 ：１０７、１０８、６０７、６０
８ 透明基板 ：１１０、１１１、６１０、６１
１ 信号線駆動回路 ：４０２、４０３、９０２、９０
３ 走査線駆動回路 ：４０４、４０５、９０４ 動き検出回路 ：４０６、９０６ フレームメモリ ：４０７、４０８ 絶縁膜 ：６０９、６１３

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786 21/336 (72)発明者 仲沢 美佐子 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 (72)発明者 西 毅 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上に信号線、走査線をマトリク
   ス状に交差させ、その交差部分に薄膜トランジスタと透
   明画素電極を配置し、前記透明基板と異なる透明基板と
   前記透明基板の間に液晶材料を挟持させて、前記２つの
   透明画素電極により前記液晶材料に電圧を印加して、表
   示を行うアクティブマトリクス型の液晶表示装置におい
   て、 前記２つの透明画素電極は前記走査線、前記信号線に囲
   まれた画素領域のほぼ中央に位置する第１の画素電極
   と、該第１の画素電極の少なくとも２方向を囲む形状を
   有する第２の画素電極から成り、前記第１の画素電極、
   前記第２の画素電極は互いに異なる第１の薄膜トランジ
   スタ、第２の薄膜トランジスタにそれぞれ接続され、前
   記第１の薄膜トランジスタ、第２の薄膜トランジスタは
   互いに異なる前記信号線、前記走査線にそれぞれ接続さ
   れていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】請求項１において、前記第１のトランジス
   タ、前記第２の薄膜トランジスタは、前記信号線、前記
   走査線を介して、互いに異なる第１の駆動回路、第２の
   駆動回路により、互いに異なるタイミングで駆動される
   ことを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】請求項２において、前記第１の駆動回路
   は、前記第２の駆動回路を駆動する画像信号よりも１フ
   レーム期間の少なくとも１以上の自然数倍の時間おくれ
   を有する画像信号で駆動されることを特徴とする液晶表
   示装置。
4. 【請求項４】請求項２において、前記第２の駆動回路は
   画像信号が動きの成分を含んでいる場合にのみ動作する
   ことを特徴とする液晶表示装置。
5. 【請求項５】透明基板上にマトリクス状に配置された透
   明画素電極を有し、前記透明画素電極は走査線、信号線
   に囲まれた画素領域のほぼ中央に位置する第１の画素電
   極と、該第１の画素電極の少なくとも２方向を囲む形状
   を有する第２の画素電極から成り、前記第１の画素電
   極、第２の画素電極は互いに異なる第１の薄膜トランジ
   スタ、第２の薄膜トランジスタにそれぞれ接続され、前
   記第１のトランジスタ、前記第２の薄膜トランジスタは
   それぞれ異なる前記信号線、前記走査線に接続されてい
   る液晶表示装置において、 入力された画像信号をフレームメモリによって遅延さ
   せ、源信号と比較を行い、動き部分を検出し、動き部分
   が検出された場合に、前記第２の薄膜トランジスタを前
   記第１の薄膜トランジスタを駆動するより１フレーム以
   上後の画像信号を用いて駆動することを特徴とする液晶
   表示装置の駆動方法。
6. 【請求項６】液晶に電界を加えるための１単位の領域を
   有し、 前記領域には複数の電極が配置されており、 前記複数の電極として、 前記領域の周辺に接する領域の１／２以上を占める電極
   と、 前記領域における中心部分を占める電極と、 を少なくとも有することを特徴とする液晶表示装置。
7. 【請求項７】液晶に電界を加えるための１単位の領域を
   有し、 前記領域には複数の電極が配置されており、 前記複数の電極として、 前記１単位の領域の周辺に接する領域の１／２以上を占
   める電極と、 前記領域における中心領域を占める電極と、 を少なくとも有することを特徴とする液晶表示装置。
8. 【請求項８】液晶に電界を加えるための１単位の領域を
   有し、 前記領域には複数の電極が配置されており、 前記複数の電極として、 前記領域における中心部を占める電極と、 該電極周囲の１／２以上を囲んで配置された電極と、 を少なくとも有することを特徴とする液晶表示装置。
9. 【請求項９】液晶を用いた表示を行う１単位の領域を有
   し、 前記領域の周辺に接する領域の１／２以上の領域に電界
   を加える手段と、 該手段からの電界が液晶に加えられた後に前記１単位の
   領域の中心部に電界を加える手段と、 を少なくとも有することを特徴とする液晶表示装置。
10. 【請求項１０】液晶の一部の領域に電界を加える手段を
    少なくとも有する液晶表示装置であって、 前記手段は、前記一部の領域の周辺に接する領域の１／
    ２以上の領域にまず電界を加え、その後に他の領域に電
    界を加える機能を有することを特徴とする液晶表示装
    置。
11. 【請求項１１】液晶の所定の領域に電界を加える手段を
    少なくとも有する液晶表示装置であって、前記手段は、 前記所定の領域の周辺部の少なくとも一部の領域から前
    記所定の領域の中心部および／または中心周辺部へと順
    次電界を加える機能を有することを特徴とする液晶表示
    装置。
12. 【請求項１２】液晶の所定の領域に電界を加える手段を
    少なくとも有する液晶表示装置において、 前記手段は、前記所定の領域の周辺部の少なくとも一部
    の領域に電界を加えた後に、前記所定の領域の中心部お
    よび／または中心周辺部に電界を加える機能を有するこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
13. 【請求項１３】透明基板上に信号線、走査線をマトリク
    ス状に交差させ、その交点部分に薄膜トランジスタと透
    明画素電極を配置し、前記透明基板と異なる透明基板と
    前記透明基板の間に液晶材料をはさみ、前記液晶材料に
    電圧印加をおこない表示を行うアクティブマトリクス型
    の液晶表示装置において、 透明画素電極は走査線、信号線に囲まれた画素領域のほ
    ぼ中央に位置する第１の画素電極と第１の画素電極を囲
    む形状を持った第２の画素電極からなり、第１、第２の
    画素電極は、それぞれ異なる第１、第２の薄膜トランジ
    スタに接続され、前記第１、第２の薄膜トランジスタは
    それぞれ異なる信号線、走査線に接続され、前記第１の
    画素電極及び前記第２の画素電極は互いに異なる平面上
    に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
14. 【請求項１４】請求項１３において、前記第１、第２の
    薄膜トランジスタはそれぞれ異なる信号線、走査線を介
    して、異なる駆動回路によって、異なるタイミングで駆
    動されることを特徴とする液晶表示装置。
15. 【請求項１５】請求項１４において、前記第１の駆動回
    路は前記第２の駆動回路を駆動する画像信号よりは、１
    フレーム期間の少なくとも１以上の自然数倍の時間遅れ
    を有する画像信号で駆動されていることを特徴とする液
    晶表示装置。
16. 【請求項１６】請求項１４において、前記第２の駆動回
    路は画像信号が動きを含んでいる場合にのみ動作するこ
    とを特徴とする液晶表示装置。
17. 【請求項１７】透明基板上にマトリクス状に配置された
    透明画素電極を有し、該透明画素電極は、走査線、信号
    線に囲まれた画素領域のほぼ中央に位置する第１の画素
    電極と、該第１の画素電極を囲む形状を有する第２の画
    素電極とから成り、前記第１、第２の画素電極はそれぞ
    れ異なる第１の薄膜トランジスタ、第２の薄膜トランジ
    スタにそれぞれ接続され、前記第１、第２の薄膜トラン
    ジスタはそれぞれ異なる信号線、走査線に接続され、前
    記第１の画素電極と前記第２の画素電極とは互いに異な
    る平面上に形成されているアクティブマトリクス型の液
    晶表示装置において、 入力された画像信号をフレームメモリによって遅延さ
    せ、遅延された画像信号と原信号とを比較することによ
    り、動き部分を検出し、動き部分が検出された場合に、
    前記第１の薄膜トランジスタを駆動する画像信号よりも
    少なくとも１フレーム以上先の画像信号を用いて、前記
    第２の薄膜トランジスタを駆動することを特徴とする液
    晶表示装置の駆動方法。
18. 【請求項１８】複数の画素電極が配置された画素領域を
    有する液晶表示装置において、 前記画素領域には、 前記画素領域の中心領域を占める第１の画素電極と、 該第１の画素電極の周囲全てを囲んで形成された第２の
    画素電極と、 を有することを特徴とする液晶表示装置。
19. 【請求項１９】請求項１８において、前記第１の画素電
    極と前記第２の画素電極とは互いに異なる平面上に形成
    されることを特徴とする液晶表示装置。
20. 【請求項２０】複数の画素電極が配置された画素領域を
    有する液晶表示装置であって、 前記画素領域には、 前記画素領域の中心領域を占める第１の画素電極と、 該第１の画素電極の周囲の少なくとも一部を囲んで配置
    された第２の画素電極と、 を有し、 前記第１の画素電極と前記第２の画素電極とは異なる平
    面上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
21. 【請求項２１】請求項２０において、前記第１の画素電
    極の縁部分と前記第２の画素電極の一部とは重なること
    を特徴とする液晶表示装置。