JPH0817998A - リードフレーム - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】放熱特性に優れ、ワイヤーボンディング適性が
良好であり、不要な電気的短絡の惧れが減少したリード
フレームを提供する。 【構成】リードを有する第１のリードフレーム部材と、
半導体集積回路（チップ）が搭載されるアイランド部を
有する第２のリードフレーム部材とが貼り合わされた構
成のリードフレームにおいて、前記第２のリードフレー
ム部材のアイランド部が、チップが搭載される部分の外
側に開口（スリット）を有する。
良好であり、不要な電気的短絡の惧れが減少したリード
フレームを提供する。 【構成】リードを有する第１のリードフレーム部材と、
半導体集積回路（チップ）が搭載されるアイランド部を
有する第２のリードフレーム部材とが貼り合わされた構
成のリードフレームにおいて、前記第２のリードフレー
ム部材のアイランド部が、チップが搭載される部分の外
側に開口（スリット）を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ・ＶＬＳＩ等に
代表される半導体集積回路の実装の際に用いられるリー
ドフレームに係わり、特に、放熱特性に優れ、ワイヤー
ボンディング適性が良好なリードフレームに関する。
代表される半導体集積回路の実装の際に用いられるリー
ドフレームに係わり、特に、放熱特性に優れ、ワイヤー
ボンディング適性が良好なリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームに半導体集積回路素子
（以下、本明細書中では、チップと称する）が搭載・接
続されてなる半導体装置は、種々の解決課題を有してい
るが、その中でも、前記装置を外部回路（プリント配線
板）に接続し作動させた際に、チップにおいて発生する
熱を効率良く外部へ逃がすことが、重要課題として考え
られている。
（以下、本明細書中では、チップと称する）が搭載・接
続されてなる半導体装置は、種々の解決課題を有してい
るが、その中でも、前記装置を外部回路（プリント配線
板）に接続し作動させた際に、チップにおいて発生する
熱を効率良く外部へ逃がすことが、重要課題として考え
られている。
【０００３】放熱手段として、チップを搭載するリード
フレームのアイランド部によって熱を伝導させ、さらに
外部へ放出させることが有効である。
フレームのアイランド部によって熱を伝導させ、さらに
外部へ放出させることが有効である。
【０００４】前記アイランド部の面積を大きくとるた
め、リードフレームのアイランド部とリード部とを別部
材とし、両者を貼り合わせて一つのリードフレームとす
る提案が従来よりされている。
め、リードフレームのアイランド部とリード部とを別部
材とし、両者を貼り合わせて一つのリードフレームとす
る提案が従来よりされている。
【０００５】上記提案の構成とする理由は、同一部材
（金属板）よりアイランド部とリード部とを成形した場
合、アイランド部の面積は、リード部に取り囲まれた領
域内に限られてしまうが、両者を別部材とすることによ
り、アイランド部の面積を大きく確保することができ、
チップの搭載のみならず放熱板としての機能も高められ
るためである。
（金属板）よりアイランド部とリード部とを成形した場
合、アイランド部の面積は、リード部に取り囲まれた領
域内に限られてしまうが、両者を別部材とすることによ
り、アイランド部の面積を大きく確保することができ、
チップの搭載のみならず放熱板としての機能も高められ
るためである。
【０００６】上記構成のリードフレームを用いた半導体
装置の概略を、図８〜図９の断面説明図に示す。
装置の概略を、図８〜図９の断面説明図に示す。
【０００７】リードを有する第１のリードフレーム部材
11と、チップが搭載されるアイランド部である第２のリ
ードフレーム部材12とが、インナーリードの先端部にお
いて、エポキシ系等の接着剤13を介して貼り合わされ
て、リードフレーム10とされている。（図８参照）
11と、チップが搭載されるアイランド部である第２のリ
ードフレーム部材12とが、インナーリードの先端部にお
いて、エポキシ系等の接着剤13を介して貼り合わされ
て、リードフレーム10とされている。（図８参照）
【０００８】このリードフレーム10のアイランド12上
に、チップ20が搭載され、Ａｕ等のワイヤー21により、
インナーリードとチップのパッド電極とが電気的に接続
された状態で、半導体装置30とされている。（図９参
照）
に、チップ20が搭載され、Ａｕ等のワイヤー21により、
インナーリードとチップのパッド電極とが電気的に接続
された状態で、半導体装置30とされている。（図９参
照）
【０００９】実用に供する際には、通常、チップ搭載部
を含む領域を樹脂等によりモールド加工される。（「樹
脂モールド」「樹脂封止」は同義語であり、以後、本明
細書においては両者を混在して用いることもある。モー
ルド加工については、図示せず）
を含む領域を樹脂等によりモールド加工される。（「樹
脂モールド」「樹脂封止」は同義語であり、以後、本明
細書においては両者を混在して用いることもある。モー
ルド加工については、図示せず）
【００１０】樹脂封止を行なう理由は様々であるが、本
構成のリードフレームでは、インナーリードとアイラン
ドとの間に樹脂（絶縁性）が入り込み、信号リードとし
て機能するインナーリードとアイランドとが電気的に短
絡しないようにする「電気的な短絡」の問題が回避され
ることが期待される。
構成のリードフレームでは、インナーリードとアイラン
ドとの間に樹脂（絶縁性）が入り込み、信号リードとし
て機能するインナーリードとアイランドとが電気的に短
絡しないようにする「電気的な短絡」の問題が回避され
ることが期待される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来構成のリ
ードフレームを製造するにあたっては、第１部材と第２
部材とを貼り合わせる際、プレス機により接合部を第１
部材側より押し付ける。
ードフレームを製造するにあたっては、第１部材と第２
部材とを貼り合わせる際、プレス機により接合部を第１
部材側より押し付ける。
【００１２】その際、第１部材のリードに施した、ワイ
ヤーボンディングの接着性を高めるためのめっき皮膜
に、直接プレス機の治具面が当たるので、めっき皮膜面
にキズがつき、ボンディング適性を低下させてしまうと
いった問題があった。
ヤーボンディングの接着性を高めるためのめっき皮膜
に、直接プレス機の治具面が当たるので、めっき皮膜面
にキズがつき、ボンディング適性を低下させてしまうと
いった問題があった。
【００１３】接着剤には一般に熱硬化型のものが用いら
れており、加熱の際に接着剤より発生するガスによりリ
ードフレームのめっき面が侵されてしまい、ワイヤーボ
ンディングができないため、プラズマ洗浄等の処理が必
要となり、接着剤使用のコストに加えてさらにコスト高
になっていた。
れており、加熱の際に接着剤より発生するガスによりリ
ードフレームのめっき面が侵されてしまい、ワイヤーボ
ンディングができないため、プラズマ洗浄等の処理が必
要となり、接着剤使用のコストに加えてさらにコスト高
になっていた。
【００１４】ワイヤーボンディングがなされる箇所（以
後、ボンディングエリアと称することもある）のインナ
ーリード下部には、接着剤が存在するために、ボンディ
ング時の熱により接着剤が軟化し、リードが不安定とな
り、ボンディング不良が発生するといった問題があり、
特に、多ピン化し、リード幅が狭くなった時に前記不良
は多発していた。
後、ボンディングエリアと称することもある）のインナ
ーリード下部には、接着剤が存在するために、ボンディ
ング時の熱により接着剤が軟化し、リードが不安定とな
り、ボンディング不良が発生するといった問題があり、
特に、多ピン化し、リード幅が狭くなった時に前記不良
は多発していた。
【００１５】リードフレームのインナーリードにアイラ
ンド12をエポキシ系等の接着剤を介して貼り合わせた構
造なので、ディプレス（アイランドを後工程で機械的に
押し下げて、高さを調節すること。タブ下げとも言う）
が不可能であり、プラスチック樹脂モールド加工の際、
リードフレーム上下の樹脂量等のバランスをとることが
できず、パッケージにソリが発生するといった問題もあ
った。
ンド12をエポキシ系等の接着剤を介して貼り合わせた構
造なので、ディプレス（アイランドを後工程で機械的に
押し下げて、高さを調節すること。タブ下げとも言う）
が不可能であり、プラスチック樹脂モールド加工の際、
リードフレーム上下の樹脂量等のバランスをとることが
できず、パッケージにソリが発生するといった問題もあ
った。
【００１６】リードとアイランドとを接着剤を介して貼
り合わせると、上記した各種問題があり、接着剤を介さ
ないと、リードとアイランドとが接触してしまい、両者
が電気的に短絡してしまう惧れがある。
り合わせると、上記した各種問題があり、接着剤を介さ
ないと、リードとアイランドとが接触してしまい、両者
が電気的に短絡してしまう惧れがある。
【００１７】本発明は、前記問題を解決することを目的
としており、放熱特性およびワイヤーボンディング適性
に優れ、特に、インナーリードとアイランドとの間の電
気的短絡の惧れが少ない構成のリードフレームを提供す
るものである。
としており、放熱特性およびワイヤーボンディング適性
に優れ、特に、インナーリードとアイランドとの間の電
気的短絡の惧れが少ない構成のリードフレームを提供す
るものである。
【００１８】詳しくは、製造工程において、インナー
リードのめっき皮膜面にキズがつく惧れのない構成であ
り、製造工程において、接着剤より発生するガスによ
りリードフレームのめっき面が侵されてしまう惧れのな
い構成であり、侵されためっき面の修正のための、プ
ラズマ洗浄等の処理を必要としない構成であり、ディ
プレス可能とし、樹脂モールド加工の際、リードフレー
ム上下の樹脂量等のバランスをとることができずにパッ
ケージにソリが発生するという惧れのない構成であり、
インナーリードとアイランドとの間に樹脂（絶縁性）
が入り込み易くなるため、両者間の電気的な絶縁性が確
実であるような構成のリードフレームを提供するもので
ある。
リードのめっき皮膜面にキズがつく惧れのない構成であ
り、製造工程において、接着剤より発生するガスによ
りリードフレームのめっき面が侵されてしまう惧れのな
い構成であり、侵されためっき面の修正のための、プ
ラズマ洗浄等の処理を必要としない構成であり、ディ
プレス可能とし、樹脂モールド加工の際、リードフレー
ム上下の樹脂量等のバランスをとることができずにパッ
ケージにソリが発生するという惧れのない構成であり、
インナーリードとアイランドとの間に樹脂（絶縁性）
が入り込み易くなるため、両者間の電気的な絶縁性が確
実であるような構成のリードフレームを提供するもので
ある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
は、リードを有する第１のリードフレーム部材と、チッ
プが搭載されるアイランド部を有する第２のリードフレ
ーム部材とが貼り合わされ、第１のリードフレーム部材
のインナーリードが、第２のリードフレーム部材のアイ
ランド部上に位置した構成のリードフレームにおいて、
第２のリードフレーム部材のアイランド部が、チップが
搭載される部分の外側に開口を有する構成であることを
特徴とする。
は、リードを有する第１のリードフレーム部材と、チッ
プが搭載されるアイランド部を有する第２のリードフレ
ーム部材とが貼り合わされ、第１のリードフレーム部材
のインナーリードが、第２のリードフレーム部材のアイ
ランド部上に位置した構成のリードフレームにおいて、
第２のリードフレーム部材のアイランド部が、チップが
搭載される部分の外側に開口を有する構成であることを
特徴とする。
【００２０】請求項２に記載の発明は、前記第１・第２
のリードフレーム部材が、それぞれの部材のリードおよ
びアイランド部を取り囲む外枠部分で貼り合わされた構
成であることを特徴とする。
のリードフレーム部材が、それぞれの部材のリードおよ
びアイランド部を取り囲む外枠部分で貼り合わされた構
成であることを特徴とする。
【００２１】請求項３に記載の発明は、前記第１・第２
のリードフレーム部材が、第１の部材のリードのうち、
信号リードとして機能しないリードにおいて貼り合わさ
れた構成であることを特徴とする。
のリードフレーム部材が、第１の部材のリードのうち、
信号リードとして機能しないリードにおいて貼り合わさ
れた構成であることを特徴とする。
【００２２】請求項４に記載の発明は、アイランド部
が、信号リードとして機能するインナーリードと離間さ
れた構成であることを特徴とする。
が、信号リードとして機能するインナーリードと離間さ
れた構成であることを特徴とする。
【００２３】前記離間させる方法としては、第１・第２
のリードフレーム部材を貼り合わせた後、アイランド部
を機械的に押し下げる（ディプレスまたはタブ下げと称
する）ことによる。この際、アイランド部を支持する吊
りリードが、アイランド部の下方への変位分に応じて機
械的に延伸することとなる。
のリードフレーム部材を貼り合わせた後、アイランド部
を機械的に押し下げる（ディプレスまたはタブ下げと称
する）ことによる。この際、アイランド部を支持する吊
りリードが、アイランド部の下方への変位分に応じて機
械的に延伸することとなる。
【００２４】また、必要に応じて、アイランド部の表面
に絶縁膜を形成し、リード部およびリング部と、アイラ
ンド部とが電気的に短絡しないようにしても良い。ここ
で、絶縁膜の形成方法としては、既知の種々の手法が採
用できるが、陽極酸化による皮膜の形成。電着法に
よる皮膜の形成。スクリーン印刷等の印刷手法によ
る、インキ状絶縁物の塗布形成。等が適当である。
に絶縁膜を形成し、リード部およびリング部と、アイラ
ンド部とが電気的に短絡しないようにしても良い。ここ
で、絶縁膜の形成方法としては、既知の種々の手法が採
用できるが、陽極酸化による皮膜の形成。電着法に
よる皮膜の形成。スクリーン印刷等の印刷手法によ
る、インキ状絶縁物の塗布形成。等が適当である。
【００２５】さらには、第１・第２のリードフレーム部
材の貼り合わせにあたっては、両者を接着剤ではなく、
スポット溶接によって貼り合わせることによれば、ガス
により侵されためっき面の修正のための、プラズマ洗浄
等の処理を必要としないことになる。
材の貼り合わせにあたっては、両者を接着剤ではなく、
スポット溶接によって貼り合わせることによれば、ガス
により侵されためっき面の修正のための、プラズマ洗浄
等の処理を必要としないことになる。
【００２６】
【作用】樹脂封止の際、アイランドに設けた開口よりモ
ールド樹脂が入り込み易くなり、インナーリードとアイ
ランド表面との絶縁が確実となり易い。
ールド樹脂が入り込み易くなり、インナーリードとアイ
ランド表面との絶縁が確実となり易い。
【００２７】第１のリードフレーム部材と第２のリード
フレーム部材とが、インナーリード先端部ではない箇所
で接合し、両者が貼り合わせられるので、接合部をプレ
ス機で押し付けても、リード（特に、ボンディングエリ
ア周辺）に施されためっき皮膜に、プレス機の治具面が
当たらないので、前記めっき皮膜面にキズがつくことが
ない。
フレーム部材とが、インナーリード先端部ではない箇所
で接合し、両者が貼り合わせられるので、接合部をプレ
ス機で押し付けても、リード（特に、ボンディングエリ
ア周辺）に施されためっき皮膜に、プレス機の治具面が
当たらないので、前記めっき皮膜面にキズがつくことが
ない。
【００２８】ボンディングエリア下部には接着剤が存在
しないために、その部分のめっき皮膜がガスにより侵さ
れることがなく、ボンディング時の熱により接着剤が軟
化し、リードが不安定となるということもない。
しないために、その部分のめっき皮膜がガスにより侵さ
れることがなく、ボンディング時の熱により接着剤が軟
化し、リードが不安定となるということもない。
【００２９】信号リードとして機能するインナーリード
先端部とアイランド部とが接合しない構成をとることに
より、電気的に短絡することがなく、絶縁性がさらに確
実なものとなる。
先端部とアイランド部とが接合しない構成をとることに
より、電気的に短絡することがなく、絶縁性がさらに確
実なものとなる。
【００３０】
【実施例】以下、本発明に係るリードフレームおよびそ
れを用いた半導体装置の製造方法の実施例を、その概略
を製造工程順に示す図１〜図６を用いながら説明する。
れを用いた半導体装置の製造方法の実施例を、その概略
を製造工程順に示す図１〜図６を用いながら説明する。
【００３１】＜実施例１＞ 第１のリードフレーム部材 インナーリードピッチ0.20ｍｍ・アウターリードピッチ
0.50ｍｍのリードを有する板厚0.15ｍｍの第１のリード
フレーム部材11（材質…Ｃｕ合金）を、ウェットエッチ
ングにより成形し、インナーリード部の所望表面（ボン
ディングエリアを含む領域…図中、斜線部）に厚さ６μ
ｍのＡｇメッキを施した。（図１参照）
0.50ｍｍのリードを有する板厚0.15ｍｍの第１のリード
フレーム部材11（材質…Ｃｕ合金）を、ウェットエッチ
ングにより成形し、インナーリード部の所望表面（ボン
ディングエリアを含む領域…図中、斜線部）に厚さ６μ
ｍのＡｇメッキを施した。（図１参照）
【００３２】第２のリードフレーム部材 図２の平面説明図に示すように、外枠部分15から延伸し
た吊りリード16によってアイランド部14が支持され、後
にチップが搭載される領域の外側に、所望形状の開口
（スリット）18が設けられた構成である板厚0.15ｍｍの
第２のリードフレーム部材12（材質…Ｃｕ合金）を、ウ
ェットエッチングにより成形し、アイランド部14の表面
に、下記の絶縁処理を施した。（ＮａＯＨ2 ２２ｇ＋Ｎ
ａＣｌＯ2 ４３ｇ＋ＮａＰＯ4 １７ｇ）／ｌの水溶液を
用いた、液温９７℃・４分の黒化処理。前記処理を施し
た状態を、図３の断面説明図に示す。同図中、斜線部が
前記処理を施された部分である。必要に応じて、前記第
１・第２のリードフレーム部材の貼り合わせにより接合
する部分を、ハーフエッチングにより薄くしても良い。
た吊りリード16によってアイランド部14が支持され、後
にチップが搭載される領域の外側に、所望形状の開口
（スリット）18が設けられた構成である板厚0.15ｍｍの
第２のリードフレーム部材12（材質…Ｃｕ合金）を、ウ
ェットエッチングにより成形し、アイランド部14の表面
に、下記の絶縁処理を施した。（ＮａＯＨ2 ２２ｇ＋Ｎ
ａＣｌＯ2 ４３ｇ＋ＮａＰＯ4 １７ｇ）／ｌの水溶液を
用いた、液温９７℃・４分の黒化処理。前記処理を施し
た状態を、図３の断面説明図に示す。同図中、斜線部が
前記処理を施された部分である。必要に応じて、前記第
１・第２のリードフレーム部材の貼り合わせにより接合
する部分を、ハーフエッチングにより薄くしても良い。
【００３３】次に、第１のリードフレーム部材11と第
２のリードフレーム部材12とを外枠部分15において、Ｙ
ＡＧレーザーによるスポット溶接を行なうことにより本
発明のリードフレームを作製した。（図４参照） スポット溶接は、ＹＡＧレーザー等のレーザーを用いた
ものに限るものではなく、アーク溶接等の抵抗溶接でも
良い。また、スポット溶接箇所は、両者の外枠部分に限
らず、信号リードとして機能しないリード（例えば、グ
ランドリード，電源リード，吊りリード等）であれば、
直接アイランドと接合させても構わない。
２のリードフレーム部材12とを外枠部分15において、Ｙ
ＡＧレーザーによるスポット溶接を行なうことにより本
発明のリードフレームを作製した。（図４参照） スポット溶接は、ＹＡＧレーザー等のレーザーを用いた
ものに限るものではなく、アーク溶接等の抵抗溶接でも
良い。また、スポット溶接箇所は、両者の外枠部分に限
らず、信号リードとして機能しないリード（例えば、グ
ランドリード，電源リード，吊りリード等）であれば、
直接アイランドと接合させても構わない。
【００３４】次いで、銀ペースト（商品名 ＣＲＭ−
１０３５Ｔ；住友ベークライト製）を用い、アイランド
14上にチップ20を搭載し、Ａｕワイヤー21を用いたワイ
ヤーボンディングにより、インナーリードとチップ20と
を電気的に接続し、半導体装置30とした。
１０３５Ｔ；住友ベークライト製）を用い、アイランド
14上にチップ20を搭載し、Ａｕワイヤー21を用いたワイ
ヤーボンディングにより、インナーリードとチップ20と
を電気的に接続し、半導体装置30とした。
【００３５】その後、チップ搭載部を含む領域をエポ
キシ樹脂等により封止する。モールド加工部については
図示しないが、開口18から侵入した樹脂が、リードをア
イランド表面より押し上げることになり、リードとアイ
ランドとの間に樹脂を介在した状態になり易くなる。
（図５参照）
キシ樹脂等により封止する。モールド加工部については
図示しないが、開口18から侵入した樹脂が、リードをア
イランド表面より押し上げることになり、リードとアイ
ランドとの間に樹脂を介在した状態になり易くなる。
（図５参照）
【００３６】＜実施例２＞必要に応じて、アイランド14
をプレス機の金型で押し下げることによって、吊りリー
ド16部を延伸させ、ディプレスを行なっても良い。（図
６参照） この場合、リード11がアイランド14より浮いた状態とな
っており、後工程でワイヤーボンディングを行なう際、
支持固定されていないため、不安定である。そこで、ワ
イヤーボンディング時には、治具17により、インナーリ
ードの先端近くを押さえつけてアイランド14に圧着固定
した状態にして、ワイヤーボンディングを行なうことが
有効である。（図７参照） 治具17による押さえつけを解除すると、インナーリード
は元の離間した状態に戻り、アイランド14との電気的短
絡の惧れはない。
をプレス機の金型で押し下げることによって、吊りリー
ド16部を延伸させ、ディプレスを行なっても良い。（図
６参照） この場合、リード11がアイランド14より浮いた状態とな
っており、後工程でワイヤーボンディングを行なう際、
支持固定されていないため、不安定である。そこで、ワ
イヤーボンディング時には、治具17により、インナーリ
ードの先端近くを押さえつけてアイランド14に圧着固定
した状態にして、ワイヤーボンディングを行なうことが
有効である。（図７参照） 治具17による押さえつけを解除すると、インナーリード
は元の離間した状態に戻り、アイランド14との電気的短
絡の惧れはない。
【００３７】
【発明の効果】本発明に係るリードフレームによる効果
を以下に列挙する。 (1) アイランドに開口（スリット）を設けたことで、モ
ールド樹脂が開口からリードとアイランドとの隙間に入
り込み易くなり、樹脂がリードをアイランド表面より押
し上げることになり、両者の離間・絶縁が確実になる。
を以下に列挙する。 (1) アイランドに開口（スリット）を設けたことで、モ
ールド樹脂が開口からリードとアイランドとの隙間に入
り込み易くなり、樹脂がリードをアイランド表面より押
し上げることになり、両者の離間・絶縁が確実になる。
【００３８】(2) リード（特に、ボンディングエリア周
辺）に施されためっき皮膜に、プレス機の治具面が当た
らないので、前記めっき皮膜面にキズがつくことがな
く、ワイヤーボンディング適性の低下が回避される。
辺）に施されためっき皮膜に、プレス機の治具面が当た
らないので、前記めっき皮膜面にキズがつくことがな
く、ワイヤーボンディング適性の低下が回避される。
【００３９】(3) ボンディングエリア下部には接着剤が
存在しないために、その部分のめっき皮膜がガスにより
侵されることがなく、ボンディング時の熱により接着剤
が軟化し、リードが不安定となるということもない。そ
のことによっても、ワイヤーボンディング適性の低下が
回避される。
存在しないために、その部分のめっき皮膜がガスにより
侵されることがなく、ボンディング時の熱により接着剤
が軟化し、リードが不安定となるということもない。そ
のことによっても、ワイヤーボンディング適性の低下が
回避される。
【００４０】(4) ディプレスが可能となり、プラスチッ
ク樹脂モールド加工の際、リードフレーム上下の樹脂量
等のバランスをとることができ、パッケージに発生する
ソリを防止できる。
ク樹脂モールド加工の際、リードフレーム上下の樹脂量
等のバランスをとることができ、パッケージに発生する
ソリを防止できる。
【００４１】(5) リードとアイランドとの接合を、接着
剤を用いずにスポット溶接にて行なうことによれば、後
処理において、プラズマ洗浄等が必要なくなり、工程が
簡略され、製造コストが安価になる。加えて、接着剤の
硬化時間・プラズマ処理等の処理時間を省くことができ
るために、大幅に製造時間を短縮できる。
剤を用いずにスポット溶接にて行なうことによれば、後
処理において、プラズマ洗浄等が必要なくなり、工程が
簡略され、製造コストが安価になる。加えて、接着剤の
硬化時間・プラズマ処理等の処理時間を省くことができ
るために、大幅に製造時間を短縮できる。
【００４２】
【図１】第１のリードフレーム部材を示す説明図。
【図２】第２のリードフレーム部材を示す説明図。
【図３】表面が絶縁処理された第２のリードフレーム部
材を示す断面説明図。
材を示す断面説明図。
【図４】本発明のリードフレームの一実施例を示す断面
説明図。
説明図。
【図５】半導体装置とした状態の一例を示す断面説明
図。
図。
【図６】ディプレスが施された状態を示す断面説明図。
【図７】他実施例に係る、ワイヤーボンディングを行な
っている状態を示す断面説明図。
っている状態を示す断面説明図。
【図８】従来のリードフレームを示す断面説明図。
【図９】従来の半導体装置を示す断面説明図。
10…リ−ドフレ−ム 11…第１のリードフレーム部材 12…第２のリードフレーム部材 13…接着剤 14…アイランド部 15…外枠部材 16…吊りリード 17…治具 18…開口 20…チップ 21…ワイヤー 30…半導体装置
Claims (4)
- 【請求項１】リードを有する第１のリードフレーム部材
と、半導体集積回路が搭載されるアイランド部を有する
第２のリードフレーム部材とが貼り合わされ、第１のリ
ードフレーム部材のインナーリードが、第２のリードフ
レーム部材のアイランド部上に位置した構成のリードフ
レームにおいて、 第２のリードフレーム部材のアイランド部が、前記集積
回路が搭載される部分の外側に開口を有する構成のリー
ドフレーム。 - 【請求項２】前記第１・第２のリードフレーム部材が、
それぞれの部材のリードおよびアイランド部を取り囲む
外枠部分で貼り合わされた構成である請求項１に記載の
リードフレーム。 - 【請求項３】前記第１・第２のリードフレーム部材が、
第１の部材のリードのうち、信号リードとして機能しな
いリードにおいて貼り合わされた構成である請求項１に
記載のリードフレーム。 - 【請求項４】アイランド部が、信号リードとして機能す
るインナーリードと離間された構成であることを特徴と
する請求項１〜請求項３の何れかに記載のリードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6151987A JPH0817998A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6151987A JPH0817998A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817998A true JPH0817998A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15530589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6151987A Pending JPH0817998A (ja) | 1994-07-04 | 1994-07-04 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817998A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222258B1 (en) | 1996-11-11 | 2001-04-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for producing a semiconductor device |
| JP2003031736A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-07-04 JP JP6151987A patent/JPH0817998A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222258B1 (en) | 1996-11-11 | 2001-04-24 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method for producing a semiconductor device |
| JP2003031736A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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