JPH08153722A

JPH08153722A - 電極配線材料およびこれを用いた電極配線基板

Info

Publication number: JPH08153722A
Application number: JP7253259A
Authority: JP
Inventors: Mitsushi Ikeda; 光志池田; Yoshiko Tsuji; 佳子辻; Yoshifumi Ogawa; 吉文小川; Masaki Atsuta; 昌己熱田; Yujiro Hara; 雄二郎原; Toshiyuki Oka; 俊行岡; Momoko Takemura; モモ子竹村
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1994-09-29
Filing date: 1995-09-29
Publication date: 1996-06-11
Anticipated expiration: 2015-09-29
Also published as: JP3488551B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、充分に低い抵抗率を有し、しかも取
扱いが容易である電極配線材料を提供すること、および
この電極配線材料を用いた信頼性の高い電極配線基板を
提供することを目的とする。【解決手段】ＭｏおよびＷから選ばれた少なくとも１種
を主成分とし、０．０００３原子％〜５原子％のＡｒ、
０．０００３原子％〜３原子％のＫｒ、および０．００
０３原子％〜３原子％のＸｅからなる群より選ばれた添
加元素を含むことを特徴としている。また、ガラス基板
上に電極配線が形成されてなる電極配線基板において、
前記電極配線がＭｏおよびＷから選ばれた少なくとも１
種の金属で構成されており、前記電極配線における材料
のバルク状態の格子定数に対する前記材料の格子定数の
割合が±３％以内であることを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電極配線材料およ
びこれを用いた電極配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術およびその課題】近年、非晶質シリコン
（以下、ａ−Ｓｉと省略する）膜を用いて形成された薄
膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと省略する）をスイッチ
ング素子として構成されたアクティブマトリクス型液晶
表示装置が、大面積、高精細、高画質かつ安価なパネル
ディスプレイを実現できるものとして期待されている。

【０００３】大面積のパネルディスプレイを構成する場
合、必然的にアドレス配線の総延長が飛躍的に増加する
ので、アドレス配線の有する抵抗分が増加して、スイッ
チング素子に与えられるゲートパルスのアドレス配線の
抵抗分に起因する遅延が顕著になり、液晶の正常な制御
ができなくなるという問題がある。このため、アドレス
配線等の配線材料としては、抵抗率が充分に低い材料を
用いる必要がある。現在では、このような低抵抗の配線
や電極の材料として、アルミニウム（Ａｌ）が用いられ
ている。

【０００４】しかしながら、電極配線材料としてＡｌを
用いた場合には、形成された電極や配線にヒロックや丸
膨れが生じることがある。また、Ａｌは、耐食性が悪い
という欠点もある。したがって、上記問題を有するＡｌ
を電極配線材料として用いて各種素子を形成した電極配
線基板を作製しても、信頼性の高い素子を得ることはで
きない。このように、Ａｌは、電極や配線の形成プロセ
スにおいて種々の制約を与える材料であり、好ましい電
極配線材料ではない。

【０００５】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、充分に低い抵抗率を有し、しかも取扱いが容易で
ある電極配線材料を提供すること、およびこの電極配線
材料を用いた信頼性の高い電極配線基板を提供すること
を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
ＭｏおよびＷから選ばれた少なくとも１種を主成分と
し、０．０００３原子％〜５原子％のＡｒ、０．０００
３原子％〜３原子％のＫｒ、および０．０００３原子％
〜３原子％のＸｅからなる群より選ばれた添加元素を含
むことを特徴とする電極配線材料を提供する。

【０００７】また、本発明の第１の発明は、Ｗを主成分
とし、またはＷとＭｏおよびＣｒから選ばれた少なくと
も１種とを主成分とし、０．０００３原子％〜５原子％
のＡｒ、０．０００３原子％〜３原子％のＫｒ、および
０．０００３原子％〜３原子％のＸｅからなる群より選
ばれた添加元素を含むことを特徴とする電極配線材料を
提供する。

【０００８】本発明の第２の発明は、ガラス基板上に電
極配線が形成されてなる電極配線基板において、前記電
極配線がＭｏおよびＷから選ばれた少なくとも１種の金
属で構成されており、前記電極配線における材料のバル
ク状態の格子定数に対する前記材料の格子定数の割合が
±３％以内であることを特徴とする電極配線基板を提供
する。

【０００９】また、本発明の第２の発明は、ガラス基板
上に電極配線が形成されてなる電極配線基板において、
前記電極配線が、Ｗまたは、ＷとＭｏおよびＣｒから選
ばれた少なくとも１種の金属で構成されており、前記電
極配線における材料のバルク状態の格子定数に対する前
記材料の格子定数の割合が±３％以内であることを特徴
とする電極配線基板を提供する。

【００１０】第１の発明において、主成分金属に添加す
るＡｒは０．０００３原子％〜５原子％に設定する。ま
た、主成分金属に添加すＫｒは０．０００３原子％〜３
原子％に設定する。また、主成分金属に添加すＸｅは
０．０００３原子％〜３原子％に設定する。これは、そ
れぞれの原子の添加量の下限未満であると工業的に成膜
が難しくなり、上限を超えると得られた膜の抵抗率が急
激に高くなるからである。より好ましいＡｒの添加量
は、０．００１原子％〜１原子％である。より好ましい
Ｋｒの添加量は、０．０００３原子％〜１原子％であ
り、特に好ましいＫｒの添加量は、０．０００３原子％
〜０．５原子％である。より好ましいＸｅの添加量は、
０．００１原子％〜１原子％である。

【００１１】第２の発明において、電極配線がスパッタ
リング法により形成されることが好ましい。これによ
り、高い付着力を有する膜を大面積の基板上に成膜する
ことができる。

【００１２】第１および第２の発明においては、主成分
にＴｉが添加されていることが好ましい。これにより、
付着力を向上させ、また耐酸性を向上することができ
る。第１および第２の発明において主成分金属が、Ｍｏ
およびＷから選ばれた少なくとも１種の金属である場
合、ＷあるいはＭｏの含有率が１０原子％〜９５原子％
であることが好ましい。これは、ＷあるいはＭｏの含有
率が１０原子％〜９５原子％の範囲内であると、低い抵
抗率を有する膜が得られるスパッタリング条件のマージ
ンが広くなるからである。本発明の電極配線基板として
は、液晶表示装置や半導体装置を形成した基板等を挙げ
ることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明にかかる電極配線材料は、
例えば従来の電極配線材料であるＷやＭｏ等とは異な
り、材料中に所定の含有量でＡｒ、ＸｅあるいはＫｒを
含むことを特徴としている。これにより、充分に低い抵
抗率を示すと共に、Ａｌ等に比べて優れた耐食性を確保
することができる。

【００１４】このような電極配線材料を用いて電極配線
は、例えば、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等のガス雰囲気中でスパ
ッタリングにより成膜することにより形成することがで
きる。この場合、スパッタリング装置のパワー、圧力等
の各種成膜条件を調整することが必要となる。

【００１５】なかでもＫｒ、Ｘｅは、Ａｒに比べて原子
量が充分に大きく、成膜に際して高いエネルギーを与え
ることができる。このため、良好な結晶構造を有する膜
を形成することができ、抵抗率を低減させることができ
る。このように、良好な結晶構造を有する膜を形成する
ことができるので、その膜を構成する材料の格子定数
を、その材料のバルク状態における格子定数とほぼ等し
く設定することも可能となる。ここで、格子定数がほぼ
等しいとは、材料のバルク状態における格子定数に対す
る膜を構成する材料の格子定数の割合が±３％以内、好
ましくは±１％以内であることを意味する。

【００１６】本発明の電極配線材料を用いて電極配線を
形成する場合、主としてＭｏやＷを単相で形成してもよ
いが、これらの合金やＣｒ等の高融点金属と共に成膜し
てもよい。このように合金化することにより、電極配線
をより低抵抗化を達成することができる。

【００１７】次に、本発明者らによる実験結果に基づい
て本発明を詳細に説明する。まず、本発明にかかる電極
配線材料を用いて成膜した電極膜中のＫｒ、Ｘｅ、Ａｒ
の含有量と電極膜に与える影響との関係について説明す
る。

【００１８】枚葉式のロードロック式スパッタリング装
置を用い、成膜前の基板温度を２００℃、成膜パワーを
１０ｋＷ、電極間距離を５ｃｍにそれぞれ設定し、Ａｒ
ガス圧０．９Ｐａの雰囲気中において、ガラス基板上に
６５原子％のＭｏを含むＭｏＷを堆積させて膜厚３００
ｎｍのＭｏＷ合金膜（試料１）を形成した。なお、この
試料１の膜中のＡｒ含有量を蛍光Ｘ線装置ＲＩＸ−１０
００（理学電気工業社製、商品名）により測定したとこ
ろ、０．３原子％であった。また、この試料１の抵抗率
を測定したところ１７μΩ・ｃｍであった。

【００１９】また、枚葉式のロードロック式スパッタリ
ング装置を用い、成膜前の基板温度を２００℃、成膜パ
ワーを１０ｋＷ、電極間距離を５ｃｍにそれぞれ設定
し、Ｋｒガス圧０．６Ｐａの雰囲気中において、ガラス
基板上に６５原子％のＭｏを含むＭｏＷを堆積させて膜
厚３００ｎｍのＭｏＷ合金膜（試料２）を形成した。な
お、この試料２の膜中のＫｒ含有量を蛍光Ｘ線装置ＳＹ
ＳＴＥＭ３２７１（理学電気工業社製、商品名）により
測定したところ、０．０００３原子％以下であった。ま
た、この試料２の抵抗率を測定したところ１２μΩ・ｃ
ｍであった。

【００２０】また、斜め入射成分の多いスパッタリング
装置を用い、成膜前の基板温度を３０℃、成膜パワーを
１ｋＷ、電極間距離を１０ｃｍにそれぞれ設定し、Ａｒ
ガス圧０．５Ｐａの雰囲気中において、ガラス基板上に
６５原子％のＭｏを含むＭｏＷを堆積させて膜厚３００
ｎｍのＭｏＷ合金膜（試料３）を形成した。なお、この
試料３の膜中のＡｒ含有量は約２０原子％であった。ま
た、この試料３の抵抗率を測定したところ５０μΩ・ｃ
ｍであった。

【００２１】また、枚葉式のロードロック式のスパッタ
リング装置を用い、成膜前の基板温度を２００℃、成膜
パワーを１０ｋＷ、電極間距離を５ｃｍにそれぞれ設定
し、Ａｒガス圧０．９Ｐａの雰囲気中において、ガラス
基板上に３０原子％のＭｏを含むＭｏＷを堆積させて膜
厚３００ｎｍのＭｏＷ合金膜（試料４）を形成した。な
お、この試料４の膜中のＡｒ含有量は３原子％であっ
た。また、この試料４の抵抗率を測定したところ２５μ
Ω・ｃｍであった。

【００２２】また、枚葉式のロードロック式のスパッタ
リング装置を用い、成膜前の基板温度を２００℃、成膜
パワーを１０ｋＷ、電極間距離を５ｃｍにそれぞれ設定
し、Ｋｒガス圧０．６Ｐａの雰囲気中において、ガラス
基板上に３０原子％のＭｏを含むＭｏＷを堆積させて膜
厚３００ｎｍのＭｏＷ合金膜（試料５）を形成した。な
お、この試料５の膜中のＫｒ含有量は０．００１原子％
であった。また、この試料５の抵抗率を測定したところ
１３μΩ・ｃｍであった。

【００２３】さらに、本発明者らの研究の結果、膜中に
おけるＡｒの含有量が５原子％を超えると、抵抗率が急
増することが分かった。この傾向は、ＸｅあるいはＫｒ
についても概ね同様であり、膜中におけるＸｅあるいは
Ｋｒの含有量が３原子％を超えると抵抗率が急増した。
また、膜中におけるＭｏやＷの含有量が１０原子５〜９
５原子％の範囲外であると、上記と同様に抵抗率が増大
した。

【００２４】このように、抵抗率を考慮する場合、材料
中におけるＡｒの添加量は５原子％以下、Ｋｒの添加量
は３原子％以下、Ｘｅの添加量は３原子％以下であるこ
とが望ましいことが分かった。一方、Ａｒ、Ｋｒおよび
Ｘｅの添加量が０．０００３原子％よりも少ない場合に
は、成膜の際に成膜パワーを低減させ、スパッタリング
レートを充分に遅くする必要がある。また、成膜した後
に膜構成材料を再結晶化させる必要がある。したがっ
て、Ａｒ、ＫｒおよびＸｅの添加量が０．０００３原子
％よりも少ない場合、工業的にはまったく不向きである
ことも分かった。

【００２５】また、本発明者らは、上述した枚葉式のロ
ードロック式のスパッタリング装置を用い、ガラス基板
上に６５原子％のＭｏを含むＭｏＷを堆積させて膜厚３
００ｎｍのＭｏＷ合金膜を成膜条件を変化させて形成
し、膜中におけるＡｒ含有量が異なるＭｏＷ合金膜を得
た。この結果、例えば、成膜パワーを増大させることに
より、Ａｒ含有量が多いＭｏＷ合金膜を得ることがで
き、成膜圧力を小さくすることにより、やはりＡｒ含有
量が多いＭｏＷ合金膜を得ることができる。

【００２６】図１は、応力、抵抗率および膜はがれ率
と、膜中のＡｒ含有量との関係を示す特性図である。応
力および抵抗率の点においては、Ａｒの含有量が０．０
００３原子％〜５原子％の範囲内で優れた特性を示して
いることが分かる。また、膜はがれ率についてみると、
Ａｒ含有量が０．４原子％よりも少ない領域で増大する
傾向がある。したがって、特に膜の密着性を重視する用
途においては、好ましくは、Ａｒの含有量を０．４原子
％〜５原子％の範囲内に設定することが望ましい。

【００２７】また、本発明者らは、上述した枚葉式のロ
ードロック式のスパッタリング装置を用い、ガラス基板
上に６５原子％のＭｏを含むＭｏＷを堆積させて膜厚４
００ｎｍのＭｏＷ合金膜を成膜条件を変化させて形成
し、膜中におけるＫｒ含有量が異なるＭｏＷ合金膜を得
た。

【００２８】図２は、応力、抵抗率および膜はがれ率
と、膜中のＫｒ含有量との関係を示す特性図である。応
力、抵抗率、および膜はがれ率のいずれにおいても、Ｋ
ｒの含有量が０．０００３原子％〜３原子％の範囲内で
優れた特性を示していることが分かる。また、異なるス
パッタリング装置を用いてＫｒを含むＭｏＷ合金膜を形
成した場合、Ｋｒ含有量の増大に伴い、応力は単純減少
するのではなく変動するので、応力については装置依存
性が強いことが分かった。

【００２９】以上のことから、本発明の電極配線材料に
おいては、０．０００３原子％〜５原子％のＡｒ、０．
０００３原子％〜３原子％のＫｒおよび０．０００３原
子〜３原子％のＸｅからなる群より選ばれた添加元素を
含むように設定する。これらの添加元素は、電極配線材
料の主成分の金属に単独で混入されていてもよく、混合
して混入されてもよい。添加元素を混合して混入する場
合、膜の特性は、ほぼ個々の添加元素の添加による膜の
特性の変化が加算された特性となる。

【００３０】次に、抵抗率の成膜ガス依存性および組成
依存性について図３を参照して説明する。図３は、抵抗
率とＭｏの含有量との関係を示す特性図である。試料
は、小型の枚葉式のロードロック式のスパッタリング装
置を用い、成膜前の基板温度を１５０℃、成膜パワーを
２ｋＷ、電極間距離を５．５ｃｍにそれぞれ設定し、Ａ
ｒ、Ｋｒ、Ｘｅのガス圧０．５Ｐａの雰囲気中におい
て、ガラス基板上に膜厚３００ｎｍで堆積させたもので
ある。なお、各膜中におけるＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅの含有量
は、いずれも本発明の範囲内であった。

【００３１】図３から分かるように、Ｍｏの含有量が多
い方が、より抵抗率を低減させることができる。特に、
Ａｒ雰囲気中における成膜においては、Ｍｏ単相で構成
する方が抵抗率を低減させることができる。また、Ｘ
ｅ、Ｋｒ雰囲気中における成膜においては、Ｍｏが９０
原子％以下、さらに８０原子％以下の範囲内で低い抵抗
率のものを得ることができ、良好な結果が得られた。ま
た、特にＡｒ雰囲気中よりも、ＸｅあるいはＫｒ雰囲
気、特にＫｒ雰囲気中において成膜することが好ましい
ことも分かる。

【００３２】図４は、Ｘ線により測定された格子定数と
Ｍｏの含有量との関係を示す特性図である。図４から分
かるように、Ａｒ雰囲気中よりも、ＸｅあるいはＫｒ雰
囲気、特にＫｒ雰囲気中において成膜することにより、
格子定数がバルク状態の格子定数により近くなり、結晶
性が良好となる。これは、Ｋｒ、ＸｅがＡｒに比べて原
子量が充分に大きく、成膜に際して高いエネルギーを与
えることができるからであると考えられる。これによ
り、低抵抗化が達成される。実際に、バルク状態の格子
定数との差が１．０３倍以内、好ましくは１．０１倍以
内の膜は低抵抗率を有するものであった。

【００３３】次に、膜の特性に対する成膜条件の依存性
について、図５〜図８を参照して説明する。図５は抵抗
率と成膜パワーとの関係を示す特性図であり、ガス圧
０．９Ｐａの雰囲気中における抵抗率の成膜パワー依存
性を示している。図６は抵抗率とガス圧との関係を示す
特性図であり、成膜パワー１０ｋＷにおける抵抗率のガ
ス圧依存性を示している。図５および図６における試料
は、上述した枚葉式のロードロック式のスパッタリング
装置を用い、成膜前の基板温度を２００℃、電極間距離
を５ｃｍにそれぞれ設定し、ＡｒおよびＫｒのそれぞれ
の雰囲気中において、ガラス基板上に６５原子％のＭｏ
を含むＭｏＷ合金膜を膜厚４００ｎｍで形成したもので
ある。

【００３４】また、図７は抵抗率と成膜パワーとの関係
を示す特性図であり、ガス圧０．７５Ｐａにおける抵抗
率の成膜パワー依存性を示しており、図８は抵抗率とガ
ス圧との関係を示す特性図であり、成膜パワー２ｋＷに
おける抵抗率のガス圧依存性を示している。図７および
図８における試料は、上述と異なる小型の枚葉式のスパ
ッタリング装置を用い、成膜前の基板温度を１５０℃、
電極間距離を５．５ｃｍにそれぞれ設定し、Ａｒおよび
Ｋｒのそれぞれの雰囲気中において、ガラス基板上に６
５原子％のＭｏを含むＭｏＷ合金膜を膜厚３００ｎｍで
形成したものである。

【００３５】上述した実験結果から分かるように、Ａｒ
雰囲気中における成膜は、比較的成膜パワーを小さく、
またガス圧を高く設定することにより低抵抗化が達成さ
れる。また、ＫｒやＸｅ雰囲気中における成膜において
は、装置依存性があり、また抵抗率を極小にするための
最適条件が存在する。

【００３６】また、膜厚と抵抗率との関係について調べ
たところ、膜厚３０ｎｍまでは若干抵抗率が高かった
が、膜厚３０ｎｍを超えると膜質が安定して、一定の抵
抗率を示すことが分かった。

【００３７】以下、本発明の実施例を図面を参照しなが
ら具体的に説明する。（実施例１）図１０は、本発明の電極配線材料を用いた
液晶表示装置の駆動回路基板（電極配線基板）を示す平
面図である。図９は図１０のIX−IX線に沿う断面図であ
る。なお、図１０においては電極配線および電極として
のパッドのみを示す。また、ここでは、使用されるＴＦ
Ｔおよび蓄積容量部分の構成およびそのプロセスを中心
に説明する。

【００３８】まず、図９中１０₁ ，１０₂ はガラス基板
を示す。このガラス基板１０₁ 上には、下側のブラック
マトリクス１８が形成されており、ブラックマトリクス
１８の上には絶縁膜１９が形成されている。絶縁膜１９
上には、アドレス配線（ゲート電極と一体形成されてい
る）から延在してなるＭｏ−Ｗ合金のゲート電極１が形
成されている。ゲート電極１上には、絶縁膜７を介して
半導体層４、ストッパー絶縁膜５が形成されており、そ
れぞれパターニングされている。

【００３９】このゲート電極１は次のようにして形成す
る。まず、ガラス基板１０₁ を枚葉式のロードロック式
のスパッタリング装置内に載置し、成膜前の基板温度を
１５０℃、成膜パワーを１０ｋＷ、電極間距離を５ｃｍ
にそれぞれ設定し、Ｋｒガス圧０．５Ｐａの雰囲気中に
おいてＭｏＷ合金ターゲットを用いてスパッタリングを
行い、６５原子％のＭｏを含むＭｏＷをガラス基板１０
₁ 上に堆積させて厚さ３００ｎｍのＭｏＷ合金膜を形成
した。なお、この膜中のＫｒ含有量は０．００１原子％
であり、格子定数はバルク状態とほぼ等しい３．１５オ
ングストロームであった。このＭｏＷ合金膜の抵抗率
は、１３μΩ・ｃｍと充分に低抵抗化がなされていた。

【００４０】次いで、このＭｏＷ合金膜をＣＦ₄ とＯ₂
との混合ガスを用いてテーパエッチングして、テーパー
角３５°のゲート電極１を形成した。ゲート電極のテー
パー角としては、ゲート絶縁膜による被覆性（カバレッ
ジ）を良好にするために、２０〜６０°、好ましくは、
２５〜５０°の範囲にすることが好ましい。

【００４１】次いで、このゲート電極上に、ＳｉＯ₂ お
よびＳｉＮｘの積層体からなる絶縁膜７、ａ−Ｓｉ：Ｈ
等からなる半導体層４、ＳｉＮｘからなるストッパー絶
縁膜５を形成し、それぞれパターニングする。

【００４２】さらに、上記構成上には、ＡｌまたはＭｏ
−Ｗ合金で構成されたドレイン電極３ａおよびソース電
極３ｂが形成されている。図６中３０ａ、３０ｂはｎ型
非晶質シリコンで構成されるソース・ドレイン領域を示
す。このようにしてＴＦＴ１７が構成されており、この
ＴＦＴ１７のソース電極３ｂには、画素電極６が接続さ
れている。このようにして液晶駆動回路基板２１が構成
されている。なお、画素電極６の材料としては、ＩＴＯ
やＳｎＯ₂ 等の透明導電材料を用いることができる。

【００４３】対向電極２０は、ガラス基板１０₂ 上にカ
ラーフィルター８およびＭｏ−Ｗ合金からなるブラック
マトリクス９を形成し、その上にＩＴＯからなる対向電
極１１を形成することにより構成されている。この液晶
駆動回路基板２１および対向基板２０を図９に示すよう
に対向させ、両者の間に液晶材料１６を挟持させること
により液晶表示装置が構成される。

【００４４】また、ガラス基板１０₁ 上には、一端にＭ
ｏ−Ｗ合金からなるアドレス電極パッド１３を有する複
数のアドレス配線１と、これらの複数のアドレス配線１
と交差し、その一端にＭｏ−Ｗ合金からなるデータ電極
パッド１６を有する複数のデータ配線２が形成されてい
る。なお、アドレス配線１とデータ配線２との交差部分
では、アドレス配線１とデータ配線２との間に絶縁膜が
設けられている。この交差部分には、隣接するようにス
イッチング素子としてＴＦＴ１７が形成されており、そ
の一方の電極であるソース電極３ｂには、アドレス配線
１とデータ配線２により囲まれた画素領域に形成された
画素電極６が接続されている。また、アドレス電極パッ
ド１３の領域は、アドレス電極１５およびコンタクトホ
ール１４を包含する広さを有している。

【００４５】上記構成を有する液晶表示装置は以下のよ
うな種々の効果を奏する。すなわち、ＴＦＴを用いた液
晶表示装置において配線抵抗は、画面が大型になり、高
精細になるにしたがい、低抵抗であることが必要にな
る。例えば、パソコン用のディスプレイ（ＶＧＡ）で
は、配線が４８０×（６４０×３）であり、上級パソコ
ン用ディスプレイ（ＸＧＡ）では、配線が７６０×（１
０２４×３）である。この場合の配線抵抗は、ゲートパ
ルスの遅延を防止するために低抵抗である必要がある。
パルス遅延は、配線抵抗Ｒと配線に付加しているＴＦＴ
や蓄積容量の容量Ｃとの積ＣＲにより決定される。画面
が大型化すると、配線が長くなるため必然的にＲが増大
してＣＲが大きくなる。また、画素数が増えると、Ｃ
（Ｃ＝Ｃ₀ Ｘ_n、Ｃ₀ ：単位画素の容量、ｎ：画素数）
が増加するためＣＲが大きくなる。Ｃは画素より決まる
ので、パルス遅延を防止するためにはＲを下げる必要が
ある。

【００４６】通常の製法では、対角１０インチクラス以
上の画面サイズでの通常の設計においては、ＶＧＡは４
０μΩ・ｃｍ、ＳＶＧＡは２５４０μΩ・ｃｍ以下、Ｘ
ＧＡは２０μΩ・ｃｍ以下の抵抗率が必要である。この
ため、ＶＧＡの配線材料には、抵抗率が４０μΩ・ｃｍ
程度の通常Ｍｏ−ＴａやＣｒを使用することができる
が、ＸＧＡでは、Ｍｏ−ＴａやＣｒを使用することがで
きない。しかしながら、本実施例では、抵抗率が２０μ
Ω・ｃｍ以下となるＫｒ含有の低抵抗Ｍｏ−Ｗを使用す
るため、このようなＶＧＡ、ＸＧＡ規格の高精細な液晶
表示装置を提供することが可能となる。

【００４７】また、本実施例においては、Ｍｏ−Ｗ合金
を用いて形成したアドレス線は、ＣＦ₄ とＯ₂ との混合
ガスを用いてＣＤＥ（Chemical Dry Etching）によりテ
ーパー加工を施すことができることが分かった。さら
に、ＭｏおよびＷよりも高くＴｉよりも低い酸化還元電
位を有する酸化剤を含んだアルカリエッチャント（ｐＨ
７〜１３）を用いたウェットエッチングにより、レジス
トに劣化を与えることなく、テーパー加工を施すことが
できることが分かった。

【００４８】したがって、本実施例によれば、Ｍｏ−Ｗ
合金は低抵抗率を有するので、この材料を用いて形成し
たアドレス配線は低い抵抗を示し、それゆえ、この配線
抵抗によるゲートパルスの遅延は生ずることはなく、所
定のスイッチング素子に遅延のないゲートパルスを与え
ることができる。

【００４９】また、Ｍｏ−Ｗ合金膜はテーパー加工でき
るため、この材料を用いて形成したアドレス配線上に成
膜する層間絶縁膜のステップカバレッジが良くなり、絶
縁耐圧を高く確保することができる。なお、テーパーエ
ッチングを容易にするためにＳｉＯ₂ のアンダーコート
層を設けることが望ましいが、エッチング条件の選定等
によりアンダーコート層を不要とすることができる。

【００５０】したがって、表示領域を大面積化した場合
であっても、信頼性のある液晶表示装置を実現すること
が可能となる。また、大面積のディスプレイでなくて
も、アドレス配線の抵抗率が低くなると配線幅を細くで
きるため、開口率を上げることができる利点もある。

【００５１】また、上記構成を有する液晶表示装置で
は、アドレス電極パッド１３およびデータ電極パッド１
６も上述したゲート電極と同一のＭｏ−Ｗ合金により形
成されているので、例えば、ＣＯＧ（Chip On Glass ）
実装の際に、それらの電極パッドとこれに接続される影
像信号用ＩＣとの間の接合力が向上し、高い信頼性が得
られる。

【００５２】さらに、Ｍｏ−Ｗ合金は反射率が低いの
で、ブラックマトリクス材料としてＭｏ−Ｗ合金を用い
ることにより、画像表示面での外部からの光の反射を低
減し、高品位の表示品質を実現することができる。

【００５３】さらに、図１１に示すように、Ｍｏ−Ｗ合
金の耐薬品性は、Ｗ含有率が２０％〜９５％、好ましく
は２５％〜９０％で非常に優れており、画素電極材料の
ＩＴＯエッチャントに対するエッチングレートが１０ｎ
ｍ／ｍｉｎ以下であり、層間絶縁膜のエッチャントであ
るＢＨＦに対して全くエッチングされず、また、Ａｌエ
ッチャントに対してはエッチングレートが３０〜４００
ｎｍ／ｍｉｎ以下であった。特に、Ｗが５０％以上の場
合においては、各エッチャントに対して全く侵されない
ことが分かった。したがって、各種の配線材料としての
Ｍｏ−Ｗ合金を用いる場合、微細加工が可能となり、パ
ソコン用のディスプレイ（ＶＧＡ）（配線が４８０×
（６４０×３））、上級パソコン用のディスプレイ（Ｘ
ＧＡ）（配線が７６０×（１０２４×３））等の高精細
の液晶表示装置を提供することができる。

【００５４】また、Ｍｏ−Ｗと近い性質を持つＡｒ０．
３原子％含有のＭｏ−Ｔｉのエッチング特性についての
本発明者らの調べによると、図１２に示すように、画素
電極６の形成に用いるＩＴＯエッチャントやコンタクト
ホール形成に用いるＢＨＦに対するＭｏ−Ｗ合金の耐薬
品性は、Ｔｉ含有量２０〜８０％で非常に優れているこ
とが分った。また、Ｔｉよりも高い酸化還元電位を有す
る酸化剤を含んだ弱アルカリエッチャント（ｐＨ７〜
９）を用いることにより、レジストの溶解なしにエッチ
ングすることが可能であることが分った。また、Ｗ−Ｔ
ｉでも優れた耐酸性を示すことが分かった。また、Ｔｉ
の他に、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆを５原子％程度
添加するものであっても、ほぼ同等の傾向を示し、特に
Ｘｅ、Ｋｒを所定量含有するものは各種の良好な特性を
示すことが確認された。

【００５５】なお、本実施例においては、温度が室温か
ら３００℃、パワーが大型装置では３〜２０ｋＷ、小型
装置では１〜４ｋＷ、圧力が０．３〜１．２Ｐａ、電極
間距離が４〜１０ｃｍの間の成膜条件で充分良好な膜特
性を示すことが分かった。

【００５６】本実施例における配線において、下地（基
板）との密着性を向上させるためには、Ａｒ含有のＭｏ
−Ｗ合金の窒化物からなる膜とＭｏ−Ｗ合金からなる膜
を積層することが好ましい。Ｍｏ−Ｗ合金のうち、特に
Ｗ含有率５０原子％以下のものからなる膜については、
空気中でアニールすると抵抗率が１桁以上上昇してしま
うことが分かった。これは、表面の極端な酸化によるも
のである。この場合、Ｍｏ−Ｗ合金の窒化物からなる膜
をその上に積層することにより、酸化が防止され抵抗が
上昇しないことが分かった。すなわち、Ａｒ含有のＭｏ
−Ｗ合金をスパッタリングで成膜した後に、Ｎ含有量が
５０原子％以下のＭｏ−Ｗ合金の窒化物をスパッタリン
グし、ＣＦ₄ ＋Ｏ₂ の混合ガスでプラズマ加工すること
により、酸化されにくくかつ低抵抗な配線を形成するこ
とができる。この場合、Ｍｏ−Ｗ合金膜の形成と同一の
プロセスで形成することができる。なお、この場合、窒
素（Ｎ）が５０原子％より多く含まれると急激に抵抗値
が上昇するため、Ｎの含有量は５０原子％以下に抑える
必要がある。（実施例２）以下の実施例においては、実施例１と同一
部分には同一符号を付し、簡略化のためにその詳細な説
明は省略する。

【００５７】本実施例において、実施例１と異なる点は
液晶駆動回路基板および配線材料である。図１３は、本
発明の電極配線材料を用いた液晶表示装置の液晶駆動回
路基板の他の例を示す断面図である。この液晶駆動回路
基板について、ＴＦＴおよび蓄積容量部分の構成および
そのプロセスを中心に説明する。ガラス基板１０₁ 上に
は、厚さ１００ｎｍの多結晶Ｓｉ膜１０４が形成されて
おり、その上には厚さ１００ｎｍのゲート酸化膜１０７
₃ が形成されている。さらに、その上には、Ａｒを０．
１原子％含有するＭｏ−Ｔｉ合金からなるゲート電極１
０２が形成されている。このＭｏ−Ｔｉ合金はＴｉを１
０原子％含有するものである。

【００５８】このゲート電極１０２は次のようにして形
成する。まず、ガラス基板１０₁ を小型の枚葉式のロー
ドロック式のスパッタリング装置内に載置し、成膜前の
基板温度を１５０℃、成膜パワーを２ｋＷ、電極間距離
を５．５ｃｍにそれぞれ設定し、Ａｒガス圧０．６Ｐａ
の雰囲気中においてＭｏＴｉ合金ターゲットを用いてス
パッタリングを行い、１０原子％のＴｉを含むＭｏＴｉ
合金をガラス基板１０₁ 上に堆積させて厚さ３００ｎｍ
のＭｏＴｉ合金膜を形成した。なお、この膜中のＡｒ含
有量は０．１原子％であり、格子定数はバルク状態とほ
ぼ等しい３．１４オングストロームであった。このＭｏ
Ｔｉ合金膜の抵抗率は、２５μΩ・ｃｍと充分に低抵抗
化がなされていた。

【００５９】上記構成上には、ソース／ドレイン部ｎ⁺
多結晶Ｓｉ層１０３ａ，１０３ｂが形成され、島状の多
結晶Ｓｉ活性層１０４が形成されている。これは、ゲー
ト電極１０２をマスクとしてリンをドーズ量１×１０¹⁶
ｃｍ^-3で注入することにより作製することができる。さ
らに、その上には、熱ＣＶＤにより厚さ３００ｎｍの層
間絶縁膜１０７₁ が形成されている。

【００６０】画素領域には、ＩＴＯを厚さ１００ｎｍで
スパッタリングしてパターニングすることにより画素電
極２０６が形成されている。さらに、コンタクト部およ
びゲート部の層間絶縁膜（ＳｉＯｘ）１０７₁ には、希
ＨＦを用いてエッチングすることによりコンタクトホー
ルが形成されており、その上にスパッタリングによりＡ
ｒ含有のＭｏ−Ｗ合金を堆積して厚さ３００ｎｍのＭｏ
−Ｗ合金膜を形成してパターニングすることにより、信
号線、ソース電極（第１の主電極）１０６ａ、およびド
レイン電極（第２の主電極）１０６ｂが形成されてい
る。ここで、Ｍｏ−Ｗ合金は、Ｗを６０原子％含有する
ものである。

【００６１】この信号線等は次のようにして形成する。
まず、ガラス基板１０₁ を小型の枚葉式のロードロック
式のスパッタリング装置内に載置し、成膜前の基板温度
を１５０℃、成膜パワーを３ｋＷ、電極間距離を５ｃｍ
にそれぞれ設定し、Ａｒガス圧０．８Ｐａの雰囲気中に
おいてＭｏ−Ｗ合金ターゲットを用いてスパッタリング
を行い、６０原子％のＷを含む厚さ３００ｎｍのＭｏ−
Ｗ合金膜を形成した。なお、この膜中のＡｒ含有量は２
原子％であり、格子定数はバルク状態とほぼ等しい３．
１６オングストロームであった。このＭｏ−Ｗ合金膜の
抵抗率は、１３μΩ・ｃｍと充分に低抵抗化がなされて
いた。

【００６２】ＴＦＴ領域上には、プラズマＣＶＤにより
ＳｉＮｘ膜を形成し、画素および周辺回路接続部をＲＩ
Ｅでエッチングすることにより、パッシベーションＳｉ
Ｎｘ膜１０７₂ が形成されている。このようにして液晶
駆動回路基板１１０が構成されている。

【００６３】上記構成を有する液晶駆動回路基板１１０
を用い、実施例１と同様にして液晶表示装置を作製し、
実施例１と同様の評価を行ったところ、液晶表示装置は
実施例１における同様の効果を発揮した。さらに、以下
の効果が得られた。すなわち、従来は信号線金属として
Ａｌを用いていたため、ＩＴＯやｎ⁺ 多結晶Ｓｉとの間
にＭｏ等の高融点金属のバリアメタルを設ける必要があ
るが、信号線金属として低抵抗でバリアメタルであるＭ
ｏ−Ｗ合金を用いることにより、バリアメタルが不要と
なり、それにより工程を削減することができた。（実施例３）本実施例において、実施例１と異なる点は
液晶駆動回路基板およびゲート電極を含む配線材料であ
る。図１４は、本発明の電極配線材料を用いた液晶表示
装置の液晶駆動回路基板の他の例を示す断面図である。
この液晶駆動回路基板は、チャネル上のｎ⁺ 非晶質シリ
コンをエッチングしてなる構造を有するＴＦＴを用いた
ものである。また、蓄積容量部分はゲート電極およびデ
ータ配線と同一層の配線により形成されている。この液
晶駆動回路基板は次のようにして作製する。

【００６４】まず、ガラス基板１０₁ 上に実施例１で使
用した配線金属であるＭｏ−Ｗでゲート電極１１２₁
と、Ｃｓ配線１１２₂ を同時に一体形成する。Ｍｏ−Ｗ
の成膜については実施例１と同様に行う。次いで、層間
絶縁膜１１７₃ 、非晶質Ｓｉ活性層１１４、ｎ⁺ 非晶質
Ｓｉ層１１５ａ，１１５ｂを順次形成し、パターニング
する。次いで、上記配線金属でソース電極１１６ａ、ド
レイン電極１１６ｂを同時に形成する。次いで、その上
に酸化膜１１７₁ を形成し、ドレイン電極１１６ｂ上に
コンタクトホールを形成し、さらに、画素領域に画素電
極２１６を形成する。なお、この画素電極２１６とＣｓ
配線１１２₂ 間で補助容量が形成される。

【００６５】上記構成を有する液晶駆動回路基板１１０
を用い、実施例１と同様にして液晶表示装置を作製し、
実施例１と同様の評価を行ったところ、液晶表示装置は
実施例１における同様の効果を発揮した。さらに、以下
の効果が得られた。すなわち、製造工程においてＣＤＥ
でエッチングでき、また、Ｍｏ、Ｗの酸化膜の抵抗が低
いため、ＩＴＯは良好なコンタクトを得ることができる
ので、バリアメタルを必要としなかった。

【００６６】ここで、上述した実施例１〜実施例３にお
いては、各構成部分が各実施例の内容に限定されるもの
ではない。例えば、半導体材料として、多結晶Ｓｉ、非
晶質Ｓｉに限らず、この中間の微結晶Ｓｉを用いてもよ
い。また、ＣｄＳｅ、ＳｉＧｅ等の化合物半導体を使用
してもよい。また、データ線上に形成する絶縁膜は、酸
化膜に限らず窒化膜、酸化窒化膜を用いてもよい。さら
に、スイッチング素子としては、トランジスタに限定さ
れるものではなく、実施例１のトランジスタの代わり
に、ＭＩＭやダイオードを使用することができる。ま
た、本発明の電極配線材料を単純マトリックス液晶表示
装置の電極配線に適用することもできる。

【００６７】さらに、上記実施例において用いられてい
る合金は、各実施例のように単層で使用してもよく、組
成の異なる合金による２層以上の積層膜、例えば表面酸
化を防止するために、ＭｏおよびＷを主成分とし窒素を
含有する合金からなる膜をＭｏ−Ｗ合金からなる膜の上
に形成した積層膜を用いてもよい。

【００６８】また、上記実施例において説明した前述の
Ｍｏ−Ｗ合金膜の表面に、すなわちＭｏ−Ｗ合金膜の上
層にＴａ、Ｔａ−Ｎ、Ｔａ−Ｍｏ、Ｔａ−Ｎｂ、Ｔａ−
Ｗ、Ｔａ−Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｍｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｗ−Ｎ合
金またはこれらの合金等の金属を積層して、耐酸性を向
上させてもよい。さらに、前述のＭｏ−Ｗ合金膜の下層
にＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ等からなる膜を設けて抵抗をさらに
下げてもよい。

【００６９】また、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々
変形して実施することができる。（実施例４）図１５は、Ａｒ、Ｋｒを０．２原子％含有
したＭｏＷ合金膜をＤＲＡＭのＭＯＳトランジスタに適
用したものである。

【００７０】このＤＲＡＭの具体的構成は次のようにな
る。図中４１はＳｉの単結晶基板を示す。単結晶基板４
１には、不純物拡散領域であるｎ⁺ 領域４５ａ，４５ｂ
が形成されている。単結晶基板４１上には、ＬＯＣＯＳ
酸化シリコン膜４７₃ が形成されている。また、ＬＯＣ
ＯＳ酸化シリコン膜４７₃ 上には、ＭｏＷ合金からなる
ゲート電極４２が形成されている。

【００７１】このＭｏＷ合金膜は次のようにして形成す
る。まず、単結晶基板４１を小型の枚葉式のロードロッ
ク式のスパッタリング装置内に載置し、成膜前の基板温
度を１５０℃、成膜パワーを２ｋＷ、電極間距離を５．
５ｃｍにそれぞれ設定し、Ａｒガス圧０．３Ｐａ、Ｋｒ
ガス圧０．５Ｐａの雰囲気中においてＭｏＷ合金ターゲ
ットを用いてスパッタリングを行い、３５原子％のＷを
含む厚さ３００ｎｍのＭｏＷ合金膜を形成した。格子定
数はバルク状態とほぼ等しい３．１６オングストローム
であった。このＭｏＷ合金膜の抵抗率は、１５μΩ・ｃ
ｍと充分に低抵抗化がなされていた。

【００７２】ゲート電極４２上には、シリコン窒化膜４
０が形成されており、その上には、フィールド酸化膜４
７₁ が形成されている。フィールド酸化膜４７₁ には、
ｎ⁺領域４５ａ，４５ｂに達するコンタクトホールが形
成されており、コンタクトホール内には、Ａｌソース・
ドレイン電極４６ａ，４６ｂが形成されている。

【００７３】なお、ＤＲＡＭにおいては、ゲート電極４
２は多結晶ＳｉやＭｏＳｉ₂ 等のシリサイドで形成され
るが、１〜５Ω／□とシート抵抗が高くＤＲＡＭのワー
ド線間の配線材料として用いた場合パルス遅延が問題に
なる。これに対して、実施例１で使用したものと同一の
Ａｒ含有のＭｏＷ合金でゲート電極４２およびワード線
（図示せず）を形成すると、０．３Ω／□と１桁程度低
抵抗化することができる。また、ＭｏＷ合金は耐熱性、
低抵抗、耐酸性に優れているため、ゲート線およびワー
ド線等の配線に適しており、高速性に優れたＤＲＡＭを
提供することができる。ここでは、配線以外にパッド電
極として使用することができる。

【００７４】なお、本発明の電極配線基板はＤＲＡＭに
限るものではなく、ＡＳＩＣ等の他のＬＳＩにも適用す
ることができることはいうまでもない。また、半導体メ
モリ装置としてのＳＲＡＭにも適用することができる。
特に、電極に関しては、実施例１のアドレス線と同一材
料でパワー素子、例えばＧＴＯ（ゲートターンオフサイ
リスタ）、ＩＧＢＴ（インシュレーテッドゲートバイポ
ーラトランジスタ）、サイリスタ等のゲート電極、半導
体層からの引き出し電極として適用することができる。

【００７５】

【発明の効果】以上説明したように本発明の電極配線材
料は、ＭｏおよびＷから選ばれた少なくとも１種を主成
分とし、０．０００３原子％〜５原子％のＡｒ、０．０
００３原子％〜３原子％のＫｒ、および０．０００３原
子％〜３原子％のＸｅからなる群より選ばれた添加元素
を含むので、充分に低い抵抗率を有し、しかも取扱いが
容易である。

【００７６】また、本発明の電極配線基板は、ガラス基
板上に電極配線が形成されてなる電極配線基板におい
て、前記電極配線がＭｏおよびＷから選ばれた少なくと
も１種の金属で構成されており、前記電極配線における
材料の格子定数が前記材料のバルク状態の格子定数とほ
ぼ等しいので、信頼性の高いものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】応力、抵抗率および膜はがれ率と、膜中のＡｒ
含有量との関係を示す特性図。

【図２】応力、抵抗率および膜はがれ率と、膜中のＫｒ
含有量との関係を示す特性図。

【図３】抵抗率とＭｏの含有量との関係を示す特性図。

【図４】Ｘ線により測定された格子定数とＭｏの含有量
との関係を示す特性図。

【図５】抵抗率と成膜パワーとの関係を示す特性図。

【図６】抵抗率とガス圧との関係を示す特性図。

【図７】抵抗率と成膜パワーとの関係を示す特性図。

【図８】抵抗率とガス圧との関係を示す特性図。

【図９】図１０のIX−IX線に沿う断面図。

【図１０】本発明の電極配線材料を用いた液晶表示装置
の駆動回路基板を示す平面図。

【図１１】ＭｏＷ合金のエッチングレートとＷ含有率と
の関係を示す特性図。

【図１２】ＭｏＴｉ合金のエッチングレートとＷ含有率
との関係を示す特性図。

【図１３】本発明の電極配線材料を用いた液晶表示装置
の液晶駆動回路基板の他の例を示す断面図。

【図１４】本発明の電極配線材料を用いた液晶表示装置
の液晶駆動回路基板の他の例を示す断面図。

【図１５】本発明の電極配線材料を用いた半導体装置の
回路基板を示す断面図。

【符号の説明】

１…アドレス線、２…信号線、３，３０，４６，１０
６，１１６…ソース・ドレイン電極、４…半導体膜、
５，１９…絶縁膜、６…画素電極、７…絶縁膜、８…カ
ラーフィルター、１０…ガラス基板、１１…対向電極、
１２…液晶層、１３…アドレス電極パッド、１４…コン
タクトホール、１５…アドレス電極、１６…液晶材料、
１７…ＴＦＴ、９，１８…ブラックマトリクス、２０…
対向基板、２１，１１０…液晶駆動回路基板、４０…シ
リコン窒化膜、４１…単結晶基板、４２，１０２，１１
２₁ …ゲート電極、４５…ｎ⁺ 領域、４７…フィールド
酸化膜、１０３，１０４…多結晶Ｓｉ、１０７₁ ，１１
７₃ …層間絶縁膜、１０７₃ …ゲート酸化膜、１１２₂
…Ｃｓ配線、１１４…非晶質Ｓｉ活性層、１１５…ｎ⁺
非晶質Ｓｉ層、２０６，２１６…画素電極。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/285 ３０１Ｒ 29/786 9056−4ＭＨ０１Ｌ 29/78 ６１７Ｍ (72)発明者熱田昌己神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地株式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者原雄二郎神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地株式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者岡俊行神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地株式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者竹村モモ子神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＭｏおよびＷから選ばれた少なくとも１
種を主成分とし、０．０００３原子％〜５原子％のＡ
ｒ、０．０００３原子％〜３原子％のＫｒ、および０．
０００３原子％〜３原子％のＸｅからなる群より選ばれ
た添加元素を含むことを特徴とする電極配線材料。
【請求項２】Ｗを主成分とし、またはＷとＭｏおよび
Ｃｒから選ばれた少なくとも１種とを主成分とし、０．
０００３原子％〜５原子％のＡｒ、０．０００３原子％
〜３原子％のＫｒ、および０．０００３原子％〜３原子
％のＸｅからなる群より選ばれた添加元素を含むことを
特徴とする電極配線材料。
【請求項３】前記主成分にＴｉが添加されている請求
項１または２記載の電極配線材料。
【請求項４】前記Ｋｒの含有量が、０．０００３原子
％〜１原子％である請求項１または２記載の電極配線材
料。
【請求項５】前記Ｋｒの含有量が、０．０００３原子
％〜０．５原子％である請求項１または２記載の電極配
線材料。
【請求項６】前記ＷあるいはＭｏの含有率が１０原子
％〜９５原子％である請求項１または２記載の電極配線
材料。
【請求項７】ガラス基板上に電極配線が形成されてな
る電極配線基板において、前記電極配線がＭｏおよびＷ
から選ばれた少なくとも１種の金属で構成されており、
前記電極配線における材料のバルク状態の格子定数に対
する前記材料の格子定数の割合が±３％以内であること
を特徴とする電極配線基板。
【請求項８】前記材料のバルク状態の格子定数に対す
る前記電極配線における材料の格子定数の割合が±１％
以内である請求項７記載の電極配線基板。
【請求項９】ガラス基板上に電極配線が形成されてな
る電極配線基板において、前記電極配線が、Ｗまたは、
ＷとＭｏおよびＣｒから選ばれた少なくとも１種の金属
で構成されており、前記電極配線における材料のバルク
状態の格子定数に対する前記材料の格子定数の割合が±
３％以内であることを特徴とする電極配線基板。
【請求項１０】前記材料のバルク状態の格子定数に対
する前記電極配線における材料の格子定数の割合が±１
％以内である請求項９記載の電極配線基板。
【請求項１１】前記金属にＴｉが添加されている請求
項７または９記載の電極配線基板。
【請求項１２】前記ＷあるいはＭｏの含有率が１０原
子％〜９５原子％である請求項７または９記載の電極配
線基板。
【請求項１３】前記電極配線がスパッタリング法によ
り形成された請求項７または９記載の電極配線基板。