JP2000305104A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JP2000305104A JP2000305104A JP11045399A JP11045399A JP2000305104A JP 2000305104 A JP2000305104 A JP 2000305104A JP 11045399 A JP11045399 A JP 11045399A JP 11045399 A JP11045399 A JP 11045399A JP 2000305104 A JP2000305104 A JP 2000305104A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多層配線を用いた液晶表示装置において、配線
短絡不良を防止し、歩留まりの高い液晶表示装置を提供
する。 【解決手段】ゲート配線に、上層と下層の少なくとも何
れか一方の配線幅が中間層の配線幅と異なる三層膜、ま
たは、上層と下層の配線幅が異なる二層膜を用いる。ゲ
ート絶縁層に、下層がＳｉＯ2 膜で上層がＳｉＮ膜の二
層膜を用いる。 【効果】配線短絡不良を防止し、液晶表示装置の歩留ま
りを向上する。
短絡不良を防止し、歩留まりの高い液晶表示装置を提供
する。 【解決手段】ゲート配線に、上層と下層の少なくとも何
れか一方の配線幅が中間層の配線幅と異なる三層膜、ま
たは、上層と下層の配線幅が異なる二層膜を用いる。ゲ
ート絶縁層に、下層がＳｉＯ2 膜で上層がＳｉＮ膜の二
層膜を用いる。 【効果】配線短絡不良を防止し、液晶表示装置の歩留ま
りを向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）によって駆動するアクティブマトリクス型液
晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）およびその製造方法に関
する。
（ＴＦＴ）によって駆動するアクティブマトリクス型液
晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）およびその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】薄型化・軽量化・高精細化が図れる画像
表示装置として、従来のブラウン管に比べ、薄膜トラン
ジスタ駆動液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の市場が拡
大している。ＴＦＴ−ＬＣＤとは、ガラス基板上に形成
された、ゲート配線，データ配線，ゲート配線とデータ
配線の交点付近に作製された薄膜トランジスタ，薄膜ト
ランジスタに接続された画素電極，ゲート絶縁膜，絶縁
性保護膜と，対向基板と、前記ガラス基板と前記対向基
板との間に挟持された液晶層などから構成される。近年
のＴＦＴ−ＬＣＤ画面の大型化・高精細化が進行するに
つれ、配線のシート低抵（膜比抵抗と膜厚の積）の低減
要求が厳しくなりつつある。ゲート配線やデータ配線に
は、一般に金属膜が用いられる。ゲート絶縁膜に無機絶
縁層／耐熱性有機高分子層の二層構造を、特に酸化シリ
コン膜／窒化シリコン膜／耐熱性有機高分子膜の三層膜
を用いたボトムゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の
例として、特開平1−229229 号公報が知られている。保
護膜に、有機保護膜を用いた例として、特開平6−35003
号公報が知られている。保護膜に感光性絶縁膜を用い、
ゲート絶縁膜にＳｉＮ膜，ゲート配線にＭｏ／Ａｌ／Ｍ
ｏを用いたトップゲート型ＴＦＴの例として、特開平10
−163463号公報が知られている。
表示装置として、従来のブラウン管に比べ、薄膜トラン
ジスタ駆動液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の市場が拡
大している。ＴＦＴ−ＬＣＤとは、ガラス基板上に形成
された、ゲート配線，データ配線，ゲート配線とデータ
配線の交点付近に作製された薄膜トランジスタ，薄膜ト
ランジスタに接続された画素電極，ゲート絶縁膜，絶縁
性保護膜と，対向基板と、前記ガラス基板と前記対向基
板との間に挟持された液晶層などから構成される。近年
のＴＦＴ−ＬＣＤ画面の大型化・高精細化が進行するに
つれ、配線のシート低抵（膜比抵抗と膜厚の積）の低減
要求が厳しくなりつつある。ゲート配線やデータ配線に
は、一般に金属膜が用いられる。ゲート絶縁膜に無機絶
縁層／耐熱性有機高分子層の二層構造を、特に酸化シリ
コン膜／窒化シリコン膜／耐熱性有機高分子膜の三層膜
を用いたボトムゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の
例として、特開平1−229229 号公報が知られている。保
護膜に、有機保護膜を用いた例として、特開平6−35003
号公報が知られている。保護膜に感光性絶縁膜を用い、
ゲート絶縁膜にＳｉＮ膜，ゲート配線にＭｏ／Ａｌ／Ｍ
ｏを用いたトップゲート型ＴＦＴの例として、特開平10
−163463号公報が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴ−ＬＣＤはブラ
ウン管型表示装置に比べ薄型，軽量である特長を持ちノ
ートパソコン用の表示装置，省スペースのデスクトップ
型表示装置として市場が拡大している。このような状況
にあって、液晶表示装置の大型化・高精細化が進み、配
線の抵抗が高い場合にはＴＦＴ−ＬＣＤに表示ムラが発
生するため、配線材料に対する抵抗低減要求、特にドレ
イン配線に比べて、ゲート配線に対する抵抗低減要求は
厳しい。このような理由から、ドレイン配線は膜厚が薄
いのに比べて、ゲート配線の膜厚は厚くなる。上述の公
知例トップゲートＴＦＴの例（特開平10−163463号公
報）では、薄いドレイン配線が下層に配置されるため、
ゲート絶縁膜としては、通常の真空プロセス（プラズマ
ＣＶＤ法）で作製されるＴＦＴ特性に悪影響を及ぼさな
いＳｉＮ絶縁膜等で絶縁性が確保されていた。しかし、
厚いゲート配線が最下層に配置されるボトムゲート型の
ＴＦＴの場合、プラズマＣＶＤ法で作製したＳｉＮ絶縁
膜は段差被覆性が悪いため、絶縁性を確保する場合Ｓｉ
Ｎ絶縁膜の膜厚を厚くする必要があった。ゲート絶縁膜
に無機絶縁層／耐熱性有機高分子層の二層構造を用い、
ゲート配線の段差を耐熱性有機高分子層で小さくしたボ
トムゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の例（特開平
1−229229号公報）があるが、有機膜を保護膜ではなく
ＴＦＴ部であるゲート絶縁膜に用いた場合、ここに求め
られる耐熱性・電気的安定性は十分とは言えない。また
上記の例（特開平1−229229 号公報）では、特に酸化シ
リコン膜／窒化シリコン膜／耐熱性有機高分子膜の三層
膜を用いた構成をとっているが、アモルファスＳｉ膜と
ＳｉＯ2 膜が接した場合、欠陥順位を生成するためＴＦ
Ｔ動作に不良が発生し易く、十分とは言えない。
ウン管型表示装置に比べ薄型，軽量である特長を持ちノ
ートパソコン用の表示装置，省スペースのデスクトップ
型表示装置として市場が拡大している。このような状況
にあって、液晶表示装置の大型化・高精細化が進み、配
線の抵抗が高い場合にはＴＦＴ−ＬＣＤに表示ムラが発
生するため、配線材料に対する抵抗低減要求、特にドレ
イン配線に比べて、ゲート配線に対する抵抗低減要求は
厳しい。このような理由から、ドレイン配線は膜厚が薄
いのに比べて、ゲート配線の膜厚は厚くなる。上述の公
知例トップゲートＴＦＴの例（特開平10−163463号公
報）では、薄いドレイン配線が下層に配置されるため、
ゲート絶縁膜としては、通常の真空プロセス（プラズマ
ＣＶＤ法）で作製されるＴＦＴ特性に悪影響を及ぼさな
いＳｉＮ絶縁膜等で絶縁性が確保されていた。しかし、
厚いゲート配線が最下層に配置されるボトムゲート型の
ＴＦＴの場合、プラズマＣＶＤ法で作製したＳｉＮ絶縁
膜は段差被覆性が悪いため、絶縁性を確保する場合Ｓｉ
Ｎ絶縁膜の膜厚を厚くする必要があった。ゲート絶縁膜
に無機絶縁層／耐熱性有機高分子層の二層構造を用い、
ゲート配線の段差を耐熱性有機高分子層で小さくしたボ
トムゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の例（特開平
1−229229号公報）があるが、有機膜を保護膜ではなく
ＴＦＴ部であるゲート絶縁膜に用いた場合、ここに求め
られる耐熱性・電気的安定性は十分とは言えない。また
上記の例（特開平1−229229 号公報）では、特に酸化シ
リコン膜／窒化シリコン膜／耐熱性有機高分子膜の三層
膜を用いた構成をとっているが、アモルファスＳｉ膜と
ＳｉＯ2 膜が接した場合、欠陥順位を生成するためＴＦ
Ｔ動作に不良が発生し易く、十分とは言えない。
【０００４】本発明の目的は、配線短絡不良を防止し、
液晶表示装置の歩留まりを向上する液晶表示装置並び
に、その製造方法を提供することである。
液晶表示装置の歩留まりを向上する液晶表示装置並び
に、その製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ための、本発明の特徴を以下に述べる。
ための、本発明の特徴を以下に述べる。
【０００６】（１）複数のゲート配線と、前記複数のゲ
ート配線に交差するように形成された複数のデータ配線
と、前記ゲート配線と前記データ配線の交点付近に形成
された薄膜トランジスタと、前記ゲート配線を被覆する
ゲート絶縁層と、保護層とを有する基板と、前記基板に
対向する対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶層とを有する液晶表示装置において、前
記ゲート配線には三層膜であって、上層と下層の少なく
とも何れか一方の最大配線幅と最小配線幅の平均値であ
る配線幅が、中間層の最大配線幅と最小配線幅の平均値
である配線幅と異なっていること、前記ゲート絶縁層は
二層膜であって、下層がＳｉＯ2 膜、上層がＳｉＮ膜で
あること、及び、前記ゲート絶縁層の下層のＳｉＯ2 膜
の前記ゲート配線の最大幅を起点とした端部から前記ゲ
ート配線の膜厚分の距離はなれた基板直上の膜厚が、前
記ゲート配線の直上の膜厚より厚いＳｉＯ2 膜を用い
る。
ート配線に交差するように形成された複数のデータ配線
と、前記ゲート配線と前記データ配線の交点付近に形成
された薄膜トランジスタと、前記ゲート配線を被覆する
ゲート絶縁層と、保護層とを有する基板と、前記基板に
対向する対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶層とを有する液晶表示装置において、前
記ゲート配線には三層膜であって、上層と下層の少なく
とも何れか一方の最大配線幅と最小配線幅の平均値であ
る配線幅が、中間層の最大配線幅と最小配線幅の平均値
である配線幅と異なっていること、前記ゲート絶縁層は
二層膜であって、下層がＳｉＯ2 膜、上層がＳｉＮ膜で
あること、及び、前記ゲート絶縁層の下層のＳｉＯ2 膜
の前記ゲート配線の最大幅を起点とした端部から前記ゲ
ート配線の膜厚分の距離はなれた基板直上の膜厚が、前
記ゲート配線の直上の膜厚より厚いＳｉＯ2 膜を用い
る。
【０００７】（２）１において、前記ゲート配線に、二
層膜であって、上層と下層の配線幅が異なっている二層
膜を用いる。
層膜であって、上層と下層の配線幅が異なっている二層
膜を用いる。
【０００８】（３）１において、三層膜からなる前記ゲ
ート配線の中間層に、ＡｌまたはＡｌを主体とする合金
膜を用いる。
ート配線の中間層に、ＡｌまたはＡｌを主体とする合金
膜を用いる。
【０００９】（４）２において、二層膜からなる前記ゲ
ート配線の少なくとも一方に、ＡｌまたはＡｌを主体と
する合金膜を用いる。
ート配線の少なくとも一方に、ＡｌまたはＡｌを主体と
する合金膜を用いる。
【００１０】（５）１，２において、前記ＳｉＯ2 膜は
有機溶媒に可溶な無機ポリマーの焼成によって作製す
る。
有機溶媒に可溶な無機ポリマーの焼成によって作製す
る。
【００１１】（６）５において、有機溶媒に可溶な無機
ポリマーに、ペルヒドロポリシラザンを用いる。
ポリマーに、ペルヒドロポリシラザンを用いる。
【００１２】（７）１，２，５において、前記ＳｉＯ2
膜を、感光性を有する有機混合材料によって形成する。
膜を、感光性を有する有機混合材料によって形成する。
【００１３】（８）１，２，５において、前記ＳｉＯ2
膜を、有機混合材料の回転塗布法こよって形成する。
膜を、有機混合材料の回転塗布法こよって形成する。
【００１４】このような手段を採用することで上記の目
的が達成できる。理由は次の通りである。配線のシート
抵抗を下げるためには、膜厚を厚くせねばならず、配線
による段差も大きくなる。基板上の配線膜はライン上に
加工されるが、その断面は長方形か、順テーパ形状（基
板側断面長が長く膜表面側断面長が狭い形状）または、
逆テーパ形状(基板側断面長が狭く膜表面側断面長が長
い形状)をしている。
的が達成できる。理由は次の通りである。配線のシート
抵抗を下げるためには、膜厚を厚くせねばならず、配線
による段差も大きくなる。基板上の配線膜はライン上に
加工されるが、その断面は長方形か、順テーパ形状（基
板側断面長が長く膜表面側断面長が狭い形状）または、
逆テーパ形状(基板側断面長が狭く膜表面側断面長が長
い形状)をしている。
【００１５】ＴＦＴ−ＬＣＤ製造工程では、従来、この
ような加工配線段差を持つ加工基板上に、上層ゲート絶
縁膜として、例えばＳｉＮ絶縁膜をプラズマＣＶＤ法で
作製するが、この場合、加工配線段差部はＳｉＮ膜成長
の特異点になり、ボイド（膜の穴）等が形成され、これ
により絶縁膜としての特性が損なわれやすい。ＳｉＮ膜
はプラズマＣＶＤ法で作製されるが、真空プロセスで
は、堆積原子または分子が気相から固相へ状態遷移する
ことで膜が作られる。膜堆積表面では固相への遷移が急
激であるため、膜堆積時に動きが鈍くなり、加工配線段
差のような特異点では絶縁性の良好な成膜ができない。
このように、ＳｉＮが加工配線段差の特異点を良好に覆
えないのは、ＳｉＮが動きの鈍い固体として膜生成され
るからと言える。同様の理由で、ＳｉＮ膜の表面には、
下層の加工配線段差がそのまま段差として残される。特
に、三配線，二層配線で各層の配線幅にズレが生じる場
合にはボイド（膜の穴）等の形成が避けられない。基板
の表面を、密着して覆う物質の状態としては、このよう
な固体状態と、もう一つ液体状態があるが、液体状態は
原子・分子の移動が可能なため、配線膜パターン段差部
の特異点を良好に覆える。物質の原子・分子の移動のし
易さの指標として、粘性があるが、上記固体のＳｉＮは
動けないという意味で粘性無限大である。
ような加工配線段差を持つ加工基板上に、上層ゲート絶
縁膜として、例えばＳｉＮ絶縁膜をプラズマＣＶＤ法で
作製するが、この場合、加工配線段差部はＳｉＮ膜成長
の特異点になり、ボイド（膜の穴）等が形成され、これ
により絶縁膜としての特性が損なわれやすい。ＳｉＮ膜
はプラズマＣＶＤ法で作製されるが、真空プロセスで
は、堆積原子または分子が気相から固相へ状態遷移する
ことで膜が作られる。膜堆積表面では固相への遷移が急
激であるため、膜堆積時に動きが鈍くなり、加工配線段
差のような特異点では絶縁性の良好な成膜ができない。
このように、ＳｉＮが加工配線段差の特異点を良好に覆
えないのは、ＳｉＮが動きの鈍い固体として膜生成され
るからと言える。同様の理由で、ＳｉＮ膜の表面には、
下層の加工配線段差がそのまま段差として残される。特
に、三配線，二層配線で各層の配線幅にズレが生じる場
合にはボイド（膜の穴）等の形成が避けられない。基板
の表面を、密着して覆う物質の状態としては、このよう
な固体状態と、もう一つ液体状態があるが、液体状態は
原子・分子の移動が可能なため、配線膜パターン段差部
の特異点を良好に覆える。物質の原子・分子の移動のし
易さの指標として、粘性があるが、上記固体のＳｉＮは
動けないという意味で粘性無限大である。
【００１６】ここで、絶縁性があり、粘性率が、０.９
−０.８ｍＰas（パスカル秒：Ｐas＝Ｎ・sec／ｍ／ｍ）
と蒸留水並（１.００２ｍＰas）に低い、有機溶剤に混
合させたポリイミド材，シクロヘキサンなどの溶液で希
釈したペルヒドロポリシラザン材を配線段差上に形成す
れば、分子の移動により加工配線段差の特異点付近も絶
縁材で埋められ、ボイド（膜の穴）等の形成は生じな
い。また、液体には表面張力により、丸まろうとする性
質がある。つまり、角をなくそうとする凝集力が働く。
このため、加工配線段差部に上記の液状材料を形成した
場合には、液状材料表面の段差は、下層の加工配線段差
より小さくなる。
−０.８ｍＰas（パスカル秒：Ｐas＝Ｎ・sec／ｍ／ｍ）
と蒸留水並（１.００２ｍＰas）に低い、有機溶剤に混
合させたポリイミド材，シクロヘキサンなどの溶液で希
釈したペルヒドロポリシラザン材を配線段差上に形成す
れば、分子の移動により加工配線段差の特異点付近も絶
縁材で埋められ、ボイド（膜の穴）等の形成は生じな
い。また、液体には表面張力により、丸まろうとする性
質がある。つまり、角をなくそうとする凝集力が働く。
このため、加工配線段差部に上記の液状材料を形成した
場合には、液状材料表面の段差は、下層の加工配線段差
より小さくなる。
【００１７】実際には、有機溶剤に混合させたポリイミ
ド材、及びシクロヘキサンなどの溶液で希釈したペルヒ
ドロポリシラザン材は、ホトリソグラフイ法で用いられ
るレジスト材と同様の加工法で形成される。液体状の上
記材料を、回転塗布法で配線膜段差等を有する基板上に
塗布し、その後焼成することで、ポリイミド材，アクリ
ル系ポリマー材，エポキシ系ポリマー材，ベンジシクロ
ブテン系ポリマー材は有機高分子絶縁膜として、ペルヒ
ドロポリシラザン材は無機ＳｉＯ2 膜として、しかも、
下部段差部を良好に覆いボイド（膜の穴）等を形成せ
ず、さらに段差自体を低減して形成されるため下部段差
の被覆性に優れるため、ゲート配線とドレーン配線間の
絶縁性が向上する。しかし、有機膜を保護膜ではなくＴ
ＦＴ部であるゲート絶縁膜に用いた場合、ここに求めら
れる耐熱性・電気的安定性は十分とは言えず、ゲート絶
縁膜には無機ＳｉＯ2 膜が適する。また、アモルファス
Ｓｉ膜とＳｉＯ2 膜が接した場合、欠陥順位を生成する
ためＴＦＴ動作に不良が発生し易く、ＳｉＯ2 膜の上層
にはＳｉＮ膜が必要である。
ド材、及びシクロヘキサンなどの溶液で希釈したペルヒ
ドロポリシラザン材は、ホトリソグラフイ法で用いられ
るレジスト材と同様の加工法で形成される。液体状の上
記材料を、回転塗布法で配線膜段差等を有する基板上に
塗布し、その後焼成することで、ポリイミド材，アクリ
ル系ポリマー材，エポキシ系ポリマー材，ベンジシクロ
ブテン系ポリマー材は有機高分子絶縁膜として、ペルヒ
ドロポリシラザン材は無機ＳｉＯ2 膜として、しかも、
下部段差部を良好に覆いボイド（膜の穴）等を形成せ
ず、さらに段差自体を低減して形成されるため下部段差
の被覆性に優れるため、ゲート配線とドレーン配線間の
絶縁性が向上する。しかし、有機膜を保護膜ではなくＴ
ＦＴ部であるゲート絶縁膜に用いた場合、ここに求めら
れる耐熱性・電気的安定性は十分とは言えず、ゲート絶
縁膜には無機ＳｉＯ2 膜が適する。また、アモルファス
Ｓｉ膜とＳｉＯ2 膜が接した場合、欠陥順位を生成する
ためＴＦＴ動作に不良が発生し易く、ＳｉＯ2 膜の上層
にはＳｉＮ膜が必要である。
【００１８】
【発明の実施の形態】（実施例１）種々の多層、または
単層の金属膜を下部ゲート配線に用い、ゲート絶縁層に
少なくともＳｉＯ2 膜を用い、下部ゲート配線と交差す
るように配された金属膜からなる上部データ配線からな
る構成の素子で、絶縁耐圧特性を調べた実施例である。
ただし、絶縁層が厚すぎるとＴＦＴを劣化させる。特に
従来のＳｉＮ膜（比誘電率約７）に比べ、比誘電率が低
いＳｉＯ2 膜（比誘電率約４）では膜厚をあまり厚くで
きない。ＴＦＴ特性を劣化させないＳｉＮ膜の膜厚は４
００ｎｍ以下であり、ＳｉＯ2 膜の膜厚は２３０ｎｍ以
下が必要である。以下、上部データ配線はＡｌ−２at％
Ｎｄ膜で統一した。膜厚は２００ｎｍであって、ホトリ
ソ加工プロセス後、ＰＡＮ混酸（リン酸，酢酸，硝酸，
純水からなる）でエッチング加工している。以下で、ラ
イン加工された配線の断面形状において、基板側の配線
幅に対し、膜表面側の配線幅が狭い場合を順テーパ形状
と呼び、一方、基板側の配線幅に対し、膜表面側の配線
幅が広い場合を逆テーパ形状と呼ぶことにする。下部ゲ
ート配線に、三層金属配線を用いた場合の検討結果を示
す。作製した三層膜は、上層／中間層／下層として、Ｍ
ｏを主体とする金属配線／Ａｌを主体とする金属配線／
Ｍｏを主体とする金属配線、Ｃｒを主体とする金属配線
／Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とする金属配
線、である。Ｍｏを主体とする金属配線／Ａｌを主体と
する金属配線／Ｍｏを主体とする金属配線、はＰＡＮ混
酸で一括エッチング可能であり、Ｃｒを主体とする金属
配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とする金
属配線はＡｌを主体とする金属配線をＰＡＮ混酸で、Ｃ
ｒを主体とする金属配線を硝セリ混酸（硝酸第２セリウ
ムアンモニウム１５ｗｔ％水溶液と硝酸からなる）で、
３回エッチングすることで加工できる。この場合、三層
膜の上下層は断面形状に特徴があり、中間層の配線幅に
比べ、上層と下層の配線幅が狭くなる。また、各層は、
混酸中の硝酸添加量により特徴的な断面形状になり、硝
酸が多い場合順テーパ形状，硝酸が少ない場合逆テーパ
形状，その中間の形状として配線の断面が四角形（テー
パがない）ものがある。中間層の断面の端部の上下に
は、膜がないため等方エッチングが進行し、順テーパ形
状となる。以下、硝酸濃度の大のＰＡＮ混酸（リン酸：
酢酸：硝酸：純水＝８５：５：５：５vol％)をＰＡＮ混
酸Ａ，硝酸濃度の中のＰＡＮ混酸（リン酸：酢酸：硝
酸：純水＝８０：５：１０：５vol％)をＰＡＮ混酸Ｂ，
硝酸濃度の小のＰＡＮ混酸（リン酸：酢酸：硝酸：純水
＝７５：５：１５：５vol％)をＰＡＮ混酸Ｃと呼び、硝
酸濃度の大の硝セリ混酸（硝酸第２セリウムアンモニウ
ム１５ｗｔ％水溶液：硝酸＝８５：９vol％)を硝セリ混
酸Ａ，硝酸濃度の中の硝セリ混酸（硝酸第２セリウムア
ンモニウム１５ｗｔ％水溶液：硝酸＝８５：６vol％)を
硝セリ混酸Ｂ，硝酸濃度の小の硝セリ混酸（硝酸第２セ
リウムアンモニウム１５ｗｔ％水溶液：硝酸＝８５：３
vol％）を硝セリ混酸Ｃと呼ぶ。
単層の金属膜を下部ゲート配線に用い、ゲート絶縁層に
少なくともＳｉＯ2 膜を用い、下部ゲート配線と交差す
るように配された金属膜からなる上部データ配線からな
る構成の素子で、絶縁耐圧特性を調べた実施例である。
ただし、絶縁層が厚すぎるとＴＦＴを劣化させる。特に
従来のＳｉＮ膜（比誘電率約７）に比べ、比誘電率が低
いＳｉＯ2 膜（比誘電率約４）では膜厚をあまり厚くで
きない。ＴＦＴ特性を劣化させないＳｉＮ膜の膜厚は４
００ｎｍ以下であり、ＳｉＯ2 膜の膜厚は２３０ｎｍ以
下が必要である。以下、上部データ配線はＡｌ−２at％
Ｎｄ膜で統一した。膜厚は２００ｎｍであって、ホトリ
ソ加工プロセス後、ＰＡＮ混酸（リン酸，酢酸，硝酸，
純水からなる）でエッチング加工している。以下で、ラ
イン加工された配線の断面形状において、基板側の配線
幅に対し、膜表面側の配線幅が狭い場合を順テーパ形状
と呼び、一方、基板側の配線幅に対し、膜表面側の配線
幅が広い場合を逆テーパ形状と呼ぶことにする。下部ゲ
ート配線に、三層金属配線を用いた場合の検討結果を示
す。作製した三層膜は、上層／中間層／下層として、Ｍ
ｏを主体とする金属配線／Ａｌを主体とする金属配線／
Ｍｏを主体とする金属配線、Ｃｒを主体とする金属配線
／Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とする金属配
線、である。Ｍｏを主体とする金属配線／Ａｌを主体と
する金属配線／Ｍｏを主体とする金属配線、はＰＡＮ混
酸で一括エッチング可能であり、Ｃｒを主体とする金属
配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とする金
属配線はＡｌを主体とする金属配線をＰＡＮ混酸で、Ｃ
ｒを主体とする金属配線を硝セリ混酸（硝酸第２セリウ
ムアンモニウム１５ｗｔ％水溶液と硝酸からなる）で、
３回エッチングすることで加工できる。この場合、三層
膜の上下層は断面形状に特徴があり、中間層の配線幅に
比べ、上層と下層の配線幅が狭くなる。また、各層は、
混酸中の硝酸添加量により特徴的な断面形状になり、硝
酸が多い場合順テーパ形状，硝酸が少ない場合逆テーパ
形状，その中間の形状として配線の断面が四角形（テー
パがない）ものがある。中間層の断面の端部の上下に
は、膜がないため等方エッチングが進行し、順テーパ形
状となる。以下、硝酸濃度の大のＰＡＮ混酸（リン酸：
酢酸：硝酸：純水＝８５：５：５：５vol％)をＰＡＮ混
酸Ａ，硝酸濃度の中のＰＡＮ混酸（リン酸：酢酸：硝
酸：純水＝８０：５：１０：５vol％)をＰＡＮ混酸Ｂ，
硝酸濃度の小のＰＡＮ混酸（リン酸：酢酸：硝酸：純水
＝７５：５：１５：５vol％)をＰＡＮ混酸Ｃと呼び、硝
酸濃度の大の硝セリ混酸（硝酸第２セリウムアンモニウ
ム１５ｗｔ％水溶液：硝酸＝８５：９vol％)を硝セリ混
酸Ａ，硝酸濃度の中の硝セリ混酸（硝酸第２セリウムア
ンモニウム１５ｗｔ％水溶液：硝酸＝８５：６vol％)を
硝セリ混酸Ｂ，硝酸濃度の小の硝セリ混酸（硝酸第２セ
リウムアンモニウム１５ｗｔ％水溶液：硝酸＝８５：３
vol％）を硝セリ混酸Ｃと呼ぶ。
【００１９】図１は、作製した素子の例で、ゲート配線
方向と垂直な面で切断した断面図を示す。ただし、ゲー
ト配線を加工し、その上部にＳｉＯ2 膜を形成した場合
である。図１（ａ）は、ＰＡＮ混酸Ｂでエッチング加工
したＭｏを主体とする金属配線／Ａｌを主体とする金属
配線／Ｍｏを主体とする金属配線又は、上中下層をそれ
ぞれ硝セリ混酸Ｂ，ＰＡＮ混酸Ｂ，硝セリ混酸Ｂでエッ
チング加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌを主体
とする金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線の断面図で
ある。図１（ｂ）は、ＰＡＮ混酸Ａでエッチング加工し
たＭｏを主体とする金属配線／Ａｌを主体とする金属配
線／Ｍｏを主体とする金属配線又は、上中下層をそれぞ
れ硝セリ混酸Ａ，ＰＡＮ混酸Ａ，硝セリ混酸Ａでエッチ
ング加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌを主体と
する金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線の断面図であ
る。図１（ｃ）は、上中下層をそれぞれ硝セリ混酸Ｃ，
ＰＡＮ混酸Ｂ，硝セリ混酸Ａでエッチング加工したＣｒ
を主体とする金属配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｃ
ｒを主体とする金属配線の断面図である。図１（ｄ）
は、上中下層をそれぞれ硝セリ混酸Ａ，ＰＡＮ混酸Ｂ，
硝セリ混酸Ｃでエッチング加工したＣｒを主体とする金
属配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とする
金属配線の断面図である。図１（ｅ）は、上中下層をそ
れぞれ硝セリ混酸Ｃ，ＰＡＮ混酸Ｂ，硝セリ混酸Ａでエ
ッチング加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌを主
体とする金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線の断面図
である。それぞれ、三層膜上層配線１，三層膜中間層配
線２，三層膜下層配線３，ガラス基板４，ＳｉＯ2 膜５
を示す。切断線Ａ−Ａ′の矢印で挟まれた長さ（Ａ−
Ａ′膜厚、と呼ぶ）は基板直上のＳｉＯ2 膜５の膜厚で
あり、切断線Ｂ−Ｂ′の矢印で挟まれた長さ（Ｂ−Ｂ′
膜厚と呼ぶ）はゲート配線の端部からゲート配線の膜厚
分の距離はなれた基板直上のＳｉＯ2 膜５の膜厚であ
る。図１に示したように、Ｂ−Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜
厚より厚い。なお、Ａ−Ａ′膜厚，Ｂ−Ｂ′膜厚は、最
上部の図にのみ示した。図２は、このようにして作製し
た三層膜の他のもので、上層／中間層／下層を、Ｔｉ配
線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｔｉ配線とした三層膜
で、ゲート配線方向と垂直な面で切断した断面図を示
す。ただし、ゲート配線をフッ酸で加工し、その上部に
ＳｉＯ2 膜を形成した場合である。図２に示したよう
に、Ｂ−Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜厚より厚い。図３は、
また、このようにして作製した他のもので、Ｍｏ−Ｔｉ
合金配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｍｏ−Ｔｉ合金
配線とした三層膜で、ゲート配線方向と垂直な面で切断
した断面図を示す。ただし、ゲート配線を加工し、その
上部にＳｉＯ2 膜を形成した場合である。図３（ａ）
は、ＰＡＮ混酸Ｂでエッチング加工したＭｏ−Ｔｉ合金
配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｍｏ−Ｔｉ合金配線
の断面図である。図３（ｂ）は、ＰＡＮ混酸Ｃでエッチ
ング加工したＭｏ−Ｔｉ合金配線／Ａｌを主体とする金
属配線／Ｍｏ−Ｔｉ合金配線の断面図である。図３に示
したように、Ｂ−Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜厚より厚い。
なお、Ａ−Ａ′膜厚，Ｂ−Ｂ′膜厚は、最上部の図にの
み示した。図４は、また、このようにして作製した他の
もので、上層／中間層／下層を、Ｍｏを主体とする金属
配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｔｉ配線、または、
Ｃｒを主体とする金属配線／Ａｌを主体とする金属配線
／Ｔｉ配線とした三層膜で、作製した素子のゲート配線
方向と垂直な面で切断した断面図を示す。ただし、ゲー
ト配線を加工し、その上部にＳｉＯ2 膜を形成した場合
である。図４（ａ）は、上中層をＰＡＮ混酸Ｂで、下層
をふっ酸でエッチング加工したＭｏを主体とする金属配
線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｔｉ配線、または、上
層を硝セリ混酸Ｂで、中層をＰＡＮ混酸Ｂで、下層をふ
っ酸でエッチング加工したＣｒを主体とする金属配線／
Ａｌを主体とする金属配線／Ｔｉ配線の断面図である。
図４（ｂ）は、上中層をＰＡＮ混酸Ａで、下層をふっ酸
でエッチング加工したＭｏを主体とする金属配線／Ａｌ
を主体とする金属配線／Ｔｉ配線、または、上層を硝セ
リ混酸Ａで、中層をＰＡＮ混酸Ｂで、下層をふっ酸でエ
ッチング加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌを主
体とする金属配線／Ｔｉ配線の断面図である。図４
（ｃ）は、上中層をＰＡＮ混酸Ｃで、下層をふっ酸でエ
ッチング加工したＭｏを主体とする金属配線／Ａｌを主
体とする金属配線／Ｔｉ配線、または、上層を硝セリ混
酸Ｃで、中層をＰＡＮ混酸Ｂで、下層をふっ酸でエッチ
ング加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌを主体と
する金属配線／Ｔｉ配線の断面図である。図４に示した
ように、Ｂ−Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜厚より厚い。な
お、Ａ−Ａ′膜厚，Ｂ−Ｂ′膜厚は、最上部の図にのみ
示した。図５は、また、このようにして作製した他のも
ので、上層／中間層／下層を、Ｔｉ配線／Ａｌを主体と
する金属配線／Ｍｏを主体とする金属配線、または、Ｔ
ｉ配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とする
金属配線とした三層膜で、作製した素子のゲート配線方
向と垂直な面で切断した断面図を示す。ただし、ゲート
配線を加工し、その上部にＳｉＯ2 膜を形成した場合で
ある。図４（ａ）は、上層をふっ酸で、中下層をＰＡＮ
混酸Ｂでエッチング加工したＴｉ配線／Ａｌを主体とす
る金属配線／Ｍｏを主体とする金属配線、または、上層
をふっ酸で、中層をＰＡＮ混酸Ｂで、下層を硝セリ混酸
Ｂでエッチング加工したＴｉ配線／Ａｌを主体とする金
属配線／Ｃｒを主体とする金属配線の断面図である。図
４（ｂ）は、上層をふっ酸で、中下層をＰＡＮ混酸Ａで
エッチング加工したＴｉ配線／Ａｌを主体とする金属配
線／Ｍｏを主体とする金属配線、または、上層をふっ酸
で、中層をＰＡＮ混酸Ｂで、下層を硝セリ混酸Ａでエッ
チング加工したＴｉ配線／Ａｌを主体とする金属配線／
Ｃｒを主体とする金属配線の断面図である。図４（ｃ）
は、上層をふっ酸で、中下層をＰＡＮ混酸Ｃでエッチン
グ加工したＴｉ配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｍｏ
を主体とする金属配線、または、上層をふっ酸で、中層
をＰＡＮ混酸Ｂで、下層を硝セリ混酸Ｃでエッチング加
工したＴｉ配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主
体とする金属配線の断面図である。図５に示したよう
に、Ｂ−Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜厚より厚い。なお、Ａ
−Ａ′膜厚，Ｂ−Ｂ′膜厚は、最上部の図にのみ示し
た。ゲート絶縁層としての、ＳｉＯ膜は、回転塗布法で
塗布形成した。膜厚は、回転数，回転時間を設定するこ
とで制御した。ＳｉＯ膜はシクロヘキサンで希釈したペ
ルヒドロポリシラザンを回転塗布法で塗布形成し、その
後、窒素中で２００℃で１時間焼成してＳｉＯ2 膜を作
製している。表１に、作製した素子の絶縁耐圧特性を調
べた結果を示す。ＳｉＯ2 膜のＡ−Ａ′膜厚及びＢ−
Ｂ′膜厚は、図１〜図５に示した量である。
方向と垂直な面で切断した断面図を示す。ただし、ゲー
ト配線を加工し、その上部にＳｉＯ2 膜を形成した場合
である。図１（ａ）は、ＰＡＮ混酸Ｂでエッチング加工
したＭｏを主体とする金属配線／Ａｌを主体とする金属
配線／Ｍｏを主体とする金属配線又は、上中下層をそれ
ぞれ硝セリ混酸Ｂ，ＰＡＮ混酸Ｂ，硝セリ混酸Ｂでエッ
チング加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌを主体
とする金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線の断面図で
ある。図１（ｂ）は、ＰＡＮ混酸Ａでエッチング加工し
たＭｏを主体とする金属配線／Ａｌを主体とする金属配
線／Ｍｏを主体とする金属配線又は、上中下層をそれぞ
れ硝セリ混酸Ａ，ＰＡＮ混酸Ａ，硝セリ混酸Ａでエッチ
ング加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌを主体と
する金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線の断面図であ
る。図１（ｃ）は、上中下層をそれぞれ硝セリ混酸Ｃ，
ＰＡＮ混酸Ｂ，硝セリ混酸Ａでエッチング加工したＣｒ
を主体とする金属配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｃ
ｒを主体とする金属配線の断面図である。図１（ｄ）
は、上中下層をそれぞれ硝セリ混酸Ａ，ＰＡＮ混酸Ｂ，
硝セリ混酸Ｃでエッチング加工したＣｒを主体とする金
属配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とする
金属配線の断面図である。図１（ｅ）は、上中下層をそ
れぞれ硝セリ混酸Ｃ，ＰＡＮ混酸Ｂ，硝セリ混酸Ａでエ
ッチング加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌを主
体とする金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線の断面図
である。それぞれ、三層膜上層配線１，三層膜中間層配
線２，三層膜下層配線３，ガラス基板４，ＳｉＯ2 膜５
を示す。切断線Ａ−Ａ′の矢印で挟まれた長さ（Ａ−
Ａ′膜厚、と呼ぶ）は基板直上のＳｉＯ2 膜５の膜厚で
あり、切断線Ｂ−Ｂ′の矢印で挟まれた長さ（Ｂ−Ｂ′
膜厚と呼ぶ）はゲート配線の端部からゲート配線の膜厚
分の距離はなれた基板直上のＳｉＯ2 膜５の膜厚であ
る。図１に示したように、Ｂ−Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜
厚より厚い。なお、Ａ−Ａ′膜厚，Ｂ−Ｂ′膜厚は、最
上部の図にのみ示した。図２は、このようにして作製し
た三層膜の他のもので、上層／中間層／下層を、Ｔｉ配
線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｔｉ配線とした三層膜
で、ゲート配線方向と垂直な面で切断した断面図を示
す。ただし、ゲート配線をフッ酸で加工し、その上部に
ＳｉＯ2 膜を形成した場合である。図２に示したよう
に、Ｂ−Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜厚より厚い。図３は、
また、このようにして作製した他のもので、Ｍｏ−Ｔｉ
合金配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｍｏ−Ｔｉ合金
配線とした三層膜で、ゲート配線方向と垂直な面で切断
した断面図を示す。ただし、ゲート配線を加工し、その
上部にＳｉＯ2 膜を形成した場合である。図３（ａ）
は、ＰＡＮ混酸Ｂでエッチング加工したＭｏ−Ｔｉ合金
配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｍｏ−Ｔｉ合金配線
の断面図である。図３（ｂ）は、ＰＡＮ混酸Ｃでエッチ
ング加工したＭｏ−Ｔｉ合金配線／Ａｌを主体とする金
属配線／Ｍｏ−Ｔｉ合金配線の断面図である。図３に示
したように、Ｂ−Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜厚より厚い。
なお、Ａ−Ａ′膜厚，Ｂ−Ｂ′膜厚は、最上部の図にの
み示した。図４は、また、このようにして作製した他の
もので、上層／中間層／下層を、Ｍｏを主体とする金属
配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｔｉ配線、または、
Ｃｒを主体とする金属配線／Ａｌを主体とする金属配線
／Ｔｉ配線とした三層膜で、作製した素子のゲート配線
方向と垂直な面で切断した断面図を示す。ただし、ゲー
ト配線を加工し、その上部にＳｉＯ2 膜を形成した場合
である。図４（ａ）は、上中層をＰＡＮ混酸Ｂで、下層
をふっ酸でエッチング加工したＭｏを主体とする金属配
線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｔｉ配線、または、上
層を硝セリ混酸Ｂで、中層をＰＡＮ混酸Ｂで、下層をふ
っ酸でエッチング加工したＣｒを主体とする金属配線／
Ａｌを主体とする金属配線／Ｔｉ配線の断面図である。
図４（ｂ）は、上中層をＰＡＮ混酸Ａで、下層をふっ酸
でエッチング加工したＭｏを主体とする金属配線／Ａｌ
を主体とする金属配線／Ｔｉ配線、または、上層を硝セ
リ混酸Ａで、中層をＰＡＮ混酸Ｂで、下層をふっ酸でエ
ッチング加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌを主
体とする金属配線／Ｔｉ配線の断面図である。図４
（ｃ）は、上中層をＰＡＮ混酸Ｃで、下層をふっ酸でエ
ッチング加工したＭｏを主体とする金属配線／Ａｌを主
体とする金属配線／Ｔｉ配線、または、上層を硝セリ混
酸Ｃで、中層をＰＡＮ混酸Ｂで、下層をふっ酸でエッチ
ング加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌを主体と
する金属配線／Ｔｉ配線の断面図である。図４に示した
ように、Ｂ−Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜厚より厚い。な
お、Ａ−Ａ′膜厚，Ｂ−Ｂ′膜厚は、最上部の図にのみ
示した。図５は、また、このようにして作製した他のも
ので、上層／中間層／下層を、Ｔｉ配線／Ａｌを主体と
する金属配線／Ｍｏを主体とする金属配線、または、Ｔ
ｉ配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とする
金属配線とした三層膜で、作製した素子のゲート配線方
向と垂直な面で切断した断面図を示す。ただし、ゲート
配線を加工し、その上部にＳｉＯ2 膜を形成した場合で
ある。図４（ａ）は、上層をふっ酸で、中下層をＰＡＮ
混酸Ｂでエッチング加工したＴｉ配線／Ａｌを主体とす
る金属配線／Ｍｏを主体とする金属配線、または、上層
をふっ酸で、中層をＰＡＮ混酸Ｂで、下層を硝セリ混酸
Ｂでエッチング加工したＴｉ配線／Ａｌを主体とする金
属配線／Ｃｒを主体とする金属配線の断面図である。図
４（ｂ）は、上層をふっ酸で、中下層をＰＡＮ混酸Ａで
エッチング加工したＴｉ配線／Ａｌを主体とする金属配
線／Ｍｏを主体とする金属配線、または、上層をふっ酸
で、中層をＰＡＮ混酸Ｂで、下層を硝セリ混酸Ａでエッ
チング加工したＴｉ配線／Ａｌを主体とする金属配線／
Ｃｒを主体とする金属配線の断面図である。図４（ｃ）
は、上層をふっ酸で、中下層をＰＡＮ混酸Ｃでエッチン
グ加工したＴｉ配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｍｏ
を主体とする金属配線、または、上層をふっ酸で、中層
をＰＡＮ混酸Ｂで、下層を硝セリ混酸Ｃでエッチング加
工したＴｉ配線／Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主
体とする金属配線の断面図である。図５に示したよう
に、Ｂ−Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜厚より厚い。なお、Ａ
−Ａ′膜厚，Ｂ−Ｂ′膜厚は、最上部の図にのみ示し
た。ゲート絶縁層としての、ＳｉＯ膜は、回転塗布法で
塗布形成した。膜厚は、回転数，回転時間を設定するこ
とで制御した。ＳｉＯ膜はシクロヘキサンで希釈したペ
ルヒドロポリシラザンを回転塗布法で塗布形成し、その
後、窒素中で２００℃で１時間焼成してＳｉＯ2 膜を作
製している。表１に、作製した素子の絶縁耐圧特性を調
べた結果を示す。ＳｉＯ2 膜のＡ−Ａ′膜厚及びＢ−
Ｂ′膜厚は、図１〜図５に示した量である。
【００２０】
【表１】
【００２１】以上のように、ＳｉＯ2 膜のＡ−Ａ′膜厚
が１５０，２３０ｎｍのとき、Ｂ−Ｂ′膜厚は１.４か
ら１.５倍厚く、また絶縁特性が大きく向上することが
分かる。また、上下金属層の膜厚が５０ｎｍの場合、金
属配線部の総膜厚が厚くても、ＳｉＯ2 膜のＢ−Ｂ′膜
厚がＡ−Ａ′膜厚より厚い場合、絶縁特性が大きく向上
することが分かる。なお、三層膜は、上層／中間層／下
層として、Ｍｏを主体とする金属配線／Ｃｕを主体とす
る金属配線／Ｍｏを主体とする金属配線，Ｃｒを主体と
する金属配線／Ｃｕを主体とする金属配線／Ｃｒを主体
とする金属配線，Ｍｏを主体とする金属配線／Ｃｕを主
体とする金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線，Ｃｒを
主体とする金属配線／Ｃｕを主体とする金属配線／Ｍｏ
を主体とする金属配線、の構成も可能である。Ｃｕを主
体とする金属配線，Ｍｏを主体とする金属配線，Ｃｒを
主体とする金属配線は、硝酸第２セリウムアンモニウム
水溶液でエッチング加工可能である。
が１５０，２３０ｎｍのとき、Ｂ−Ｂ′膜厚は１.４か
ら１.５倍厚く、また絶縁特性が大きく向上することが
分かる。また、上下金属層の膜厚が５０ｎｍの場合、金
属配線部の総膜厚が厚くても、ＳｉＯ2 膜のＢ−Ｂ′膜
厚がＡ−Ａ′膜厚より厚い場合、絶縁特性が大きく向上
することが分かる。なお、三層膜は、上層／中間層／下
層として、Ｍｏを主体とする金属配線／Ｃｕを主体とす
る金属配線／Ｍｏを主体とする金属配線，Ｃｒを主体と
する金属配線／Ｃｕを主体とする金属配線／Ｃｒを主体
とする金属配線，Ｍｏを主体とする金属配線／Ｃｕを主
体とする金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線，Ｃｒを
主体とする金属配線／Ｃｕを主体とする金属配線／Ｍｏ
を主体とする金属配線、の構成も可能である。Ｃｕを主
体とする金属配線，Ｍｏを主体とする金属配線，Ｃｒを
主体とする金属配線は、硝酸第２セリウムアンモニウム
水溶液でエッチング加工可能である。
【００２２】下部ゲート配線に、二層金属配線を用いた
場合の検討結果を示す。作製した二層膜は、上層／下層
として、Ａｌを主体とする金属配線／Ｍｏを主体とする
金属配線，Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とす
る金属配線，Ｍｏを主体とする金属配線／Ａｌを主体と
する金属配線，Ｃｒを主体とする金属配線／Ａｌを主体
とする金属配線、である。Ａｌを主体とする金属配線／
Ｍｏを主体とする金属配線，Ｍｏを主体とする金属配線
／Ａｌを主体とする金属配線はＰＡＮ混酸で一括エッチ
ング可能であり、Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主
体とする金属配線，Ｃｒを主体とする金属配線／Ａｌを
主体とする金属配線は、Ａｌを主体とする金属配線をＰ
ＡＮ混酸で、Ｃｒを主体とする金属配線を硝セリ混酸
で、２回エッチングすることで加工できる。二層膜の各
層は、断面形状に特徴があり、Ａｌを主体とする金属配
線の配線幅に比べ、Ｃｒを主体とする金属配線とＭｏを
主体とする金属配線の配線幅が狭くなる。さらに、各層
は、混酸中の硝酸添加量により断面形状が変化し、硝酸
が多い場合順テーパ形状，硝酸が少ない場合逆テーパ形
状、その中間の形状として配線の断面が四角形（テーパ
がない）ものがある。また、他の二層配線は、上層／下
層として、Ｔｉ配線／Ａｌを主体とする金属配線，Ａｌ
を主体とする金属配線／Ｔｉ配線である。図６に、作製
した素子のゲート配線方向と垂直な面で切断した断面図
を示す。ただし、ゲート配線を加工し、その上部にＳｉ
Ｏ2 膜を形成した場合である。図６(ａ)は、ＰＡＮ混酸
Ｂでエッチング加工したＡｌを主体とする金属配線／Ｍ
ｏを主体とする金属配線、または上層をＰＡＮ混酸Ｂで
下層を硝セリ混酸Ｂでエッチング加工したＡｌを主体と
する金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線、または上層
をふっ混酸で下層をＰＡＮ混酸でＢエッチング加工した
Ｔｉ配線／Ａｌを主体とする金属配線の断面図である。
図６（ｂ）は、ＰＡＮ混酸Ａでエッチング加工したＡｌ
を主体とする金属配線／Ｍｏを主体とする金属配線、ま
たは上層をＰＡＮ混酸Ａで下層を硝セリ混酸Ａでエッチ
ング加工したＡｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体と
する金属配線の断面図である。図６（ｃ）は、上層をＰ
ＡＮ混酸Ａで下層を硝セリ混酸Ｂでエッチング加工した
Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線
の断面図である。図６（ｄ）は、上層をＰＡＮ混酸Ａで
下層を硝セリ混酸Ｃでエッチング加工したＡｌを主体と
する金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線の断面図であ
る。図７に、作製した素子のゲート配線方向と垂直な面
で切断した断面図を示す。ただし、ゲート配線を加工
し、その上部にＳｉＯ2 膜を形成した場合である。図７
（ａ）は、ＰＡＮ混酸Ｂでエッチング加工したＭｏを主
体とする金属配線／Ａｌを主体とする金属配線、または
上層を硝セリ混酸Ｂで下層をＰＡＮ混酸Ｂでエッチング
加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌを主体とする
金属配線、または上層をＰＡＮ混酸Ｂで下層をふっ混酸
でエッチング加工したＡｌを主体とする金属配線／Ｔｉ
配線の断面図である。図７（ｂ）は、ＰＡＮ混酸Ａでエ
ッチング加工したＭｏを主体とする金属配線／Ａｌを主
体とする金属配線、または上層を硝セリ混酸Ａで下層を
ＰＡＮ混酸Ａでエッチング加工したＣｒを主体とする金
属配線／Ａｌを主体とする金属配線の断面図である。図
７（ｃ）は、下層を硝セリ混酸Ｃで上層をＰＡＮ混酸Ｂ
でエッチング加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌ
を主体とする金属配線の断面図である。それぞれ、二層
膜上層配線５，二層膜下層層配線６，ガラス基板４，Ｓ
ｉＯ2 膜５を示す。図６，図７に示したように、Ｂ−
Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜厚より厚い。なお、Ａ−Ａ′膜
厚，Ｂ−Ｂ′膜厚は、最上部の図にのみ示した。表２
に、作製した素子の絶縁耐圧特性を調べた結果を示す。
ＳｉＯ2 膜のＡ−Ａ′膜厚及びＢ−Ｂ′膜厚は、図６，
図７に示した量である。
場合の検討結果を示す。作製した二層膜は、上層／下層
として、Ａｌを主体とする金属配線／Ｍｏを主体とする
金属配線，Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とす
る金属配線，Ｍｏを主体とする金属配線／Ａｌを主体と
する金属配線，Ｃｒを主体とする金属配線／Ａｌを主体
とする金属配線、である。Ａｌを主体とする金属配線／
Ｍｏを主体とする金属配線，Ｍｏを主体とする金属配線
／Ａｌを主体とする金属配線はＰＡＮ混酸で一括エッチ
ング可能であり、Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主
体とする金属配線，Ｃｒを主体とする金属配線／Ａｌを
主体とする金属配線は、Ａｌを主体とする金属配線をＰ
ＡＮ混酸で、Ｃｒを主体とする金属配線を硝セリ混酸
で、２回エッチングすることで加工できる。二層膜の各
層は、断面形状に特徴があり、Ａｌを主体とする金属配
線の配線幅に比べ、Ｃｒを主体とする金属配線とＭｏを
主体とする金属配線の配線幅が狭くなる。さらに、各層
は、混酸中の硝酸添加量により断面形状が変化し、硝酸
が多い場合順テーパ形状，硝酸が少ない場合逆テーパ形
状、その中間の形状として配線の断面が四角形（テーパ
がない）ものがある。また、他の二層配線は、上層／下
層として、Ｔｉ配線／Ａｌを主体とする金属配線，Ａｌ
を主体とする金属配線／Ｔｉ配線である。図６に、作製
した素子のゲート配線方向と垂直な面で切断した断面図
を示す。ただし、ゲート配線を加工し、その上部にＳｉ
Ｏ2 膜を形成した場合である。図６(ａ)は、ＰＡＮ混酸
Ｂでエッチング加工したＡｌを主体とする金属配線／Ｍ
ｏを主体とする金属配線、または上層をＰＡＮ混酸Ｂで
下層を硝セリ混酸Ｂでエッチング加工したＡｌを主体と
する金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線、または上層
をふっ混酸で下層をＰＡＮ混酸でＢエッチング加工した
Ｔｉ配線／Ａｌを主体とする金属配線の断面図である。
図６（ｂ）は、ＰＡＮ混酸Ａでエッチング加工したＡｌ
を主体とする金属配線／Ｍｏを主体とする金属配線、ま
たは上層をＰＡＮ混酸Ａで下層を硝セリ混酸Ａでエッチ
ング加工したＡｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体と
する金属配線の断面図である。図６（ｃ）は、上層をＰ
ＡＮ混酸Ａで下層を硝セリ混酸Ｂでエッチング加工した
Ａｌを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線
の断面図である。図６（ｄ）は、上層をＰＡＮ混酸Ａで
下層を硝セリ混酸Ｃでエッチング加工したＡｌを主体と
する金属配線／Ｃｒを主体とする金属配線の断面図であ
る。図７に、作製した素子のゲート配線方向と垂直な面
で切断した断面図を示す。ただし、ゲート配線を加工
し、その上部にＳｉＯ2 膜を形成した場合である。図７
（ａ）は、ＰＡＮ混酸Ｂでエッチング加工したＭｏを主
体とする金属配線／Ａｌを主体とする金属配線、または
上層を硝セリ混酸Ｂで下層をＰＡＮ混酸Ｂでエッチング
加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌを主体とする
金属配線、または上層をＰＡＮ混酸Ｂで下層をふっ混酸
でエッチング加工したＡｌを主体とする金属配線／Ｔｉ
配線の断面図である。図７（ｂ）は、ＰＡＮ混酸Ａでエ
ッチング加工したＭｏを主体とする金属配線／Ａｌを主
体とする金属配線、または上層を硝セリ混酸Ａで下層を
ＰＡＮ混酸Ａでエッチング加工したＣｒを主体とする金
属配線／Ａｌを主体とする金属配線の断面図である。図
７（ｃ）は、下層を硝セリ混酸Ｃで上層をＰＡＮ混酸Ｂ
でエッチング加工したＣｒを主体とする金属配線／Ａｌ
を主体とする金属配線の断面図である。それぞれ、二層
膜上層配線５，二層膜下層層配線６，ガラス基板４，Ｓ
ｉＯ2 膜５を示す。図６，図７に示したように、Ｂ−
Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜厚より厚い。なお、Ａ−Ａ′膜
厚，Ｂ−Ｂ′膜厚は、最上部の図にのみ示した。表２
に、作製した素子の絶縁耐圧特性を調べた結果を示す。
ＳｉＯ2 膜のＡ−Ａ′膜厚及びＢ−Ｂ′膜厚は、図６，
図７に示した量である。
【００２３】
【表２】
【００２４】以上のように、ＳｉＯ2 膜のＡ−Ａ′膜厚
が１５０，２３０ｎｍのとき、Ｂ−Ｂ′膜厚は１.４か
ら１.５倍厚く、また絶縁特性が大きく向上することが
分かる。また、上下金属層の膜厚が５０ｎｍの場合、金
属配線部の総膜厚が厚くても、ＳｉＯ2 膜のＢ−Ｂ′膜
厚がＡ−Ａ′膜厚より厚い場合、絶縁特性が大きく向上
することが分かる。なお、二層膜は、上層／下層とし
て、Ｃｕを主体とする金属配線／Ｍｏを主体とする金属
配線，Ｃｕを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とする金
属配線，Ｍｏを主体とする金属配線／Ｃｕを主体とする
金属配線，Ｃｒを主体とする金属配線／Ｃｕを主体とす
る金属配線の構成も可能である。Ｃｕを主体とする金属
配線，Ｍｏを主体とする金属配線，Ｃｒを主体とする金
属配線は、硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液でエッ
チング加工可能である。
が１５０，２３０ｎｍのとき、Ｂ−Ｂ′膜厚は１.４か
ら１.５倍厚く、また絶縁特性が大きく向上することが
分かる。また、上下金属層の膜厚が５０ｎｍの場合、金
属配線部の総膜厚が厚くても、ＳｉＯ2 膜のＢ−Ｂ′膜
厚がＡ−Ａ′膜厚より厚い場合、絶縁特性が大きく向上
することが分かる。なお、二層膜は、上層／下層とし
て、Ｃｕを主体とする金属配線／Ｍｏを主体とする金属
配線，Ｃｕを主体とする金属配線／Ｃｒを主体とする金
属配線，Ｍｏを主体とする金属配線／Ｃｕを主体とする
金属配線，Ｃｒを主体とする金属配線／Ｃｕを主体とす
る金属配線の構成も可能である。Ｃｕを主体とする金属
配線，Ｍｏを主体とする金属配線，Ｃｒを主体とする金
属配線は、硝酸第２セリウムアンモニウム水溶液でエッ
チング加工可能である。
【００２５】下層のゲート配線に、単層金属配線を用い
た場合の検討結果を示す。用いた金属材料は、Ｃｒを主
体とする金属配線，Ｍｏを主体とする金属配線，Ａｌを
主体とする金属配線，Ｃｕである。ホトリソ加工プロセ
ス後、Ｃｒを主体とする金属配線，Ｍｏを主体とする金
属配線，Ａｌを主体とする金属配線，Ｃｕを、それぞ
れ、硝セリ混酸，ＰＡＮ混酸，ＰＡＮ混酸，硝セリ混酸
で、エッチング加工しゲート配線パターンを作製してい
る。それぞれの金属膜の断面形状は、混酸中の硝酸添加
量により特徴的な断面形状になり、硝酸が多い場合順テ
ーパ形状，硝酸が少ない場合逆テーパ形状，その中間の
形状として配線の断面が四角形（テーパがない）ものが
ある。このような配線の中で、テーパのないＣｒ膜の配
線パターンでは、上層に絶縁膜を作製した場合、絶縁膜
の絶縁性を劣化させる恐れが一番大きい。図８に、作製
した素子のゲート配線方向と垂直な面で切断した断面図
を示す。ただし、ゲート配線を加工し、その上部にＳｉ
Ｏ2 膜を形成した場合である。図８（ａ）は、ＰＡＮ混
酸Ｂでエッチング加工したＭｏを主体とする金属配線あ
るいはＡｌを主体とする金属配線、または硝セリ混酸Ｂ
でエッチング加工したＣｒを主体とする金属配線あるい
はＣｕ配線の断面図である。図８（ｂ）は、ＰＡＮ混酸
Ｃでエッチング加工したＭｏを主体とする金属配線ある
いはＡｌを主体とする金属配線、または硝セリ混酸Ｃで
エッチング加工したＣｒを主体とする金属配線あるいは
Ｃｕ配線の断面図である。図８（ｃ）は、ＰＡＮ混酸Ａ
でエッチング加工したＭｏを主体とする金属配線あるい
はＡｌを主体とする金属配線、または硝セリ混酸Ａでエ
ッチング加工したＣｒを主体とする金属配線あるいはＣ
ｕ配線の断面図である。それぞれ、単層からなるゲート
配線８，ガラス基板４，ＳｉＯ2 膜５を示す。図８に示
したように、Ｂ−Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜厚より厚い。
なお、Ａ−Ａ′膜厚，Ｂ−Ｂ′膜厚は、最上部の図にの
み示した。表３に、作製した素子の絶縁耐圧特性を調べ
た結果を示す。ＳｉＯ2 膜のＡ−Ａ′膜厚及びＢ−Ｂ′
膜厚は、図８に示した量である。
た場合の検討結果を示す。用いた金属材料は、Ｃｒを主
体とする金属配線，Ｍｏを主体とする金属配線，Ａｌを
主体とする金属配線，Ｃｕである。ホトリソ加工プロセ
ス後、Ｃｒを主体とする金属配線，Ｍｏを主体とする金
属配線，Ａｌを主体とする金属配線，Ｃｕを、それぞ
れ、硝セリ混酸，ＰＡＮ混酸，ＰＡＮ混酸，硝セリ混酸
で、エッチング加工しゲート配線パターンを作製してい
る。それぞれの金属膜の断面形状は、混酸中の硝酸添加
量により特徴的な断面形状になり、硝酸が多い場合順テ
ーパ形状，硝酸が少ない場合逆テーパ形状，その中間の
形状として配線の断面が四角形（テーパがない）ものが
ある。このような配線の中で、テーパのないＣｒ膜の配
線パターンでは、上層に絶縁膜を作製した場合、絶縁膜
の絶縁性を劣化させる恐れが一番大きい。図８に、作製
した素子のゲート配線方向と垂直な面で切断した断面図
を示す。ただし、ゲート配線を加工し、その上部にＳｉ
Ｏ2 膜を形成した場合である。図８（ａ）は、ＰＡＮ混
酸Ｂでエッチング加工したＭｏを主体とする金属配線あ
るいはＡｌを主体とする金属配線、または硝セリ混酸Ｂ
でエッチング加工したＣｒを主体とする金属配線あるい
はＣｕ配線の断面図である。図８（ｂ）は、ＰＡＮ混酸
Ｃでエッチング加工したＭｏを主体とする金属配線ある
いはＡｌを主体とする金属配線、または硝セリ混酸Ｃで
エッチング加工したＣｒを主体とする金属配線あるいは
Ｃｕ配線の断面図である。図８（ｃ）は、ＰＡＮ混酸Ａ
でエッチング加工したＭｏを主体とする金属配線あるい
はＡｌを主体とする金属配線、または硝セリ混酸Ａでエ
ッチング加工したＣｒを主体とする金属配線あるいはＣ
ｕ配線の断面図である。それぞれ、単層からなるゲート
配線８，ガラス基板４，ＳｉＯ2 膜５を示す。図８に示
したように、Ｂ−Ｂ′膜厚は、Ａ−Ａ′膜厚より厚い。
なお、Ａ−Ａ′膜厚，Ｂ−Ｂ′膜厚は、最上部の図にの
み示した。表３に、作製した素子の絶縁耐圧特性を調べ
た結果を示す。ＳｉＯ2 膜のＡ−Ａ′膜厚及びＢ−Ｂ′
膜厚は、図８に示した量である。
【００２６】
【表３】
【００２７】以上のように、ＳｉＯ2 膜のＡ−Ａ′膜厚
が１５０，２３０ｎｍのとき、Ｂ−Ｂ′膜厚は１.４か
ら１.５倍厚く、また絶縁特性が大きく向上することが
分かる。また、上下金属層の膜厚が５０ｎｍの場合、金
属配線部の総膜厚が厚くても、ＳｉＯ2 膜のＢ−Ｂ′膜
厚がＡ−Ａ′膜厚より厚い場合、絶縁特性が大きく向上
することが分かる。
が１５０，２３０ｎｍのとき、Ｂ−Ｂ′膜厚は１.４か
ら１.５倍厚く、また絶縁特性が大きく向上することが
分かる。また、上下金属層の膜厚が５０ｎｍの場合、金
属配線部の総膜厚が厚くても、ＳｉＯ2 膜のＢ−Ｂ′膜
厚がＡ−Ａ′膜厚より厚い場合、絶縁特性が大きく向上
することが分かる。
【００２８】上記のゲート金属膜に三層膜，二層膜，単
層膜を用いた検討において、ゲート金属膜の材料は、上
記の単層膜，二層膜，三層膜の各層において、Ｃｒを主
体とした金属膜は、Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｙ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂのいずれか一つを含有する
金属膜でも良く、Ｍｏを主体とした金属膜は、Ｔｉ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｙ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ
のいずれか一つを含有する金属膜層でも良く、Ａｌを主
体とした金属膜は、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｌｕ
のいずれか一つを含有する金属膜でも良い。
層膜を用いた検討において、ゲート金属膜の材料は、上
記の単層膜，二層膜，三層膜の各層において、Ｃｒを主
体とした金属膜は、Ｔｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｙ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂのいずれか一つを含有する
金属膜でも良く、Ｍｏを主体とした金属膜は、Ｔｉ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｙ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ
のいずれか一つを含有する金属膜層でも良く、Ａｌを主
体とした金属膜は、Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｌｕ
のいずれか一つを含有する金属膜でも良い。
【００２９】（実施例２）続いて、横電界液晶駆動方式
の液晶表示装置のゲート絶縁層として、シクロヘキサン
で希釈したペルヒドロポリシラザンを原材料とした、Ｓ
ｉＯ2膜とＳiＮ膜の二層ゲート絶縁層を、ゲート配線
に、Ｍｏ−２at％Ｃｒ膜／Ａｌ−２at％Ｎｄ膜／Ｍｏ−
６at％Ｃｒ膜三層膜を適用した例である。ここで、横電
界液晶駆動方式とは液晶を挟持するガラス基板面に対
し、水平方向に電界を加えて液晶分子を駆動する方法
で、視野角を広くできる特徴がある。図９は、作製した
液晶表示装置の画素とその周辺部分の平面パターンであ
る、画素の構成要素の中のゲート配線８，対向電極９，
データ配線１０，ドレーン電極１１，薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）１２を示してある。ただし、対向電極９はゲ
ート配線８と同一薄膜から、ホトリソグラフィ法にて加
工されたものであり、ドレーン電極１１はデータ配線１
０と同一薄膜から、ホトリソグラフィ法にて加工された
ものである。
の液晶表示装置のゲート絶縁層として、シクロヘキサン
で希釈したペルヒドロポリシラザンを原材料とした、Ｓ
ｉＯ2膜とＳiＮ膜の二層ゲート絶縁層を、ゲート配線
に、Ｍｏ−２at％Ｃｒ膜／Ａｌ−２at％Ｎｄ膜／Ｍｏ−
６at％Ｃｒ膜三層膜を適用した例である。ここで、横電
界液晶駆動方式とは液晶を挟持するガラス基板面に対
し、水平方向に電界を加えて液晶分子を駆動する方法
で、視野角を広くできる特徴がある。図９は、作製した
液晶表示装置の画素とその周辺部分の平面パターンであ
る、画素の構成要素の中のゲート配線８，対向電極９，
データ配線１０，ドレーン電極１１，薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）１２を示してある。ただし、対向電極９はゲ
ート配線８と同一薄膜から、ホトリソグラフィ法にて加
工されたものであり、ドレーン電極１１はデータ配線１
０と同一薄膜から、ホトリソグラフィ法にて加工された
ものである。
【００３０】図１０は切断線Ａ−Ａ′の断面図である。
表示パネルはＴＦＴガラス基板１３の一方の表面に、ゲ
ート配線下層１４，ゲート配線中間層１５，ゲート配線
上層１６，対向電極下層１７，対向電極中間層１８，対
向電極上層１９，ゲート絶縁膜下層のＳｉＯ2 膜３３，
ゲート絶縁膜上層のＳｉＮ膜２０，真性半導体２１，Ｎ
型半導体２２，データ配線１０，ドレーン電極１１，保
護膜２３，配向膜２４を形成したものと、対向ガラス基
板２５の一方の表面に、カラーフィルタ２６，ブラック
マトリクス２７，対向基板保護膜２８，対向基板配向膜
２９を形成したものと、ＴＦＴガラス基板１３と対向ガ
ラス基板２５に挟持された液晶層３０と、偏向板３１
と、対向偏向板３２で構成される。
表示パネルはＴＦＴガラス基板１３の一方の表面に、ゲ
ート配線下層１４，ゲート配線中間層１５，ゲート配線
上層１６，対向電極下層１７，対向電極中間層１８，対
向電極上層１９，ゲート絶縁膜下層のＳｉＯ2 膜３３，
ゲート絶縁膜上層のＳｉＮ膜２０，真性半導体２１，Ｎ
型半導体２２，データ配線１０，ドレーン電極１１，保
護膜２３，配向膜２４を形成したものと、対向ガラス基
板２５の一方の表面に、カラーフィルタ２６，ブラック
マトリクス２７，対向基板保護膜２８，対向基板配向膜
２９を形成したものと、ＴＦＴガラス基板１３と対向ガ
ラス基板２５に挟持された液晶層３０と、偏向板３１
と、対向偏向板３２で構成される。
【００３１】図１１は、製造工程のフローチャートであ
る。先ず、ＴＦＴガラス基板１３の片側全面上に、ＤＣ
スパッタ法にて、順次、厚さ５０ｎｍのＭｏ−２at％Ｃ
ｒ膜１４，厚さ３００ｎｍのＡｌ−２at％Ｎｄ膜１５，
厚さ５０ｎｍのＭｏ−６at％Ｃｒ膜１６を「スパッタ成
膜」する。基板温度は１２０℃、Ａｒ圧力は０.３Ｐaで
ある。「ホト工程」（ホトレジストを塗付して、マスク
を用いた選択パターン露光を行い、パターン現像まで：
この作業を以後ホト工程と呼ぶ）を、合金膜上に行い、
その後ＰＡＮ混酸（りん酸：硝酸：酢酸：純水＝６５：
９.６：３.４：２５.３vol％，４０℃）によって金属三
層膜の「エッチング」を行いゲート配線下層１４，ゲー
ト配線中間層１５，ゲート配線上層１６及び対向電極１
９のパターンを作製する。次に、ＴＦＴガラス基板１３
上のゲート配線及び対向電極９パターンの上に、シクロ
ヘキサンで希釈したペルヒドロポリシラザンを回転塗布
法で「回転塗布」し形成した。膜厚は、回転数５０００
rpm，回転時間６０secで１５０ｎｍである。これを、ホ
ト工程で所定のパターンに加工し、その後、窒素中で２
００℃で１時間「焼成」してＳｉＯ2膜３３を作製して
いる。次に、ＳiＮ膜２０（厚さ１５０ｎｍ），真性半
導体２１（非晶質Ｓｉ，厚さ２００ｎｍ），Ｎ型半導体
３２（非晶質Ｓｉ，厚３５ｎｍ）をプラズマＣＶＤ装置
にて、基板温度を３００℃として連続で「ＣＶＤ成膜」
する。ここで、「ホト工程」を行い、真性半導体体２
１，Ｎ型半導体２２を「エッチング」(ＣＣｌ3 とＯ2
混合ガス使用）でパターン加工する。続いて、厚さ２０
０ｎｍのＣｒ膜を、ＤＣスパッタ法（基板温度１３０
℃，Ａｒ圧力０.３Ｐ)で「スパッタ成膜」する。ここ
で、「ホト工程」を行い、その後硝酸第２セリウムアン
モニウム水溶液（１５ｗｔ％，３０℃）によってＣｒ合
金膜の「エッチング」を行いデータ配線１０，ドレーン
電極１１を形成する。さらに、プラズマＣＶＤ装置を用
いてＳｉＮ保護膜２３（厚さ５００ｎｍ）を「ＣＶＤ成
膜」する。ゲート配線の端子出し部のＳｉＮ膜／ＳｉＯ
2 膜（上層／下層）ゲート絶縁膜の加工においては、下
側のＳｉＯ2 膜開口部を狭く、上側のＳｉＮ膜開口部を
広くＳｉＯ2 膜上に開口部が配置するようにすること
で、３００ｎｍある段差を、１５０ｎｍの２段とし、上
層の被覆特性を向上できる。また、ゲート配線としてＡ
ｒガススパッタ法で作製したＮｂ膜を用い、その上層に
（Ａｒ・酸素）混合ガスを用いた反応性スパッタ法で作
製したＮｂＮ膜を形成した場合、ゲート配線の端子出し
部の形成は、上部絶縁膜であるＳｉＯ2 膜をＣＨＦ3 ガ
スでドライエッチ加工した場合、ＮｂＮ膜はエッチング
ストッパーとして用いることができる。
る。先ず、ＴＦＴガラス基板１３の片側全面上に、ＤＣ
スパッタ法にて、順次、厚さ５０ｎｍのＭｏ−２at％Ｃ
ｒ膜１４，厚さ３００ｎｍのＡｌ−２at％Ｎｄ膜１５，
厚さ５０ｎｍのＭｏ−６at％Ｃｒ膜１６を「スパッタ成
膜」する。基板温度は１２０℃、Ａｒ圧力は０.３Ｐaで
ある。「ホト工程」（ホトレジストを塗付して、マスク
を用いた選択パターン露光を行い、パターン現像まで：
この作業を以後ホト工程と呼ぶ）を、合金膜上に行い、
その後ＰＡＮ混酸（りん酸：硝酸：酢酸：純水＝６５：
９.６：３.４：２５.３vol％，４０℃）によって金属三
層膜の「エッチング」を行いゲート配線下層１４，ゲー
ト配線中間層１５，ゲート配線上層１６及び対向電極１
９のパターンを作製する。次に、ＴＦＴガラス基板１３
上のゲート配線及び対向電極９パターンの上に、シクロ
ヘキサンで希釈したペルヒドロポリシラザンを回転塗布
法で「回転塗布」し形成した。膜厚は、回転数５０００
rpm，回転時間６０secで１５０ｎｍである。これを、ホ
ト工程で所定のパターンに加工し、その後、窒素中で２
００℃で１時間「焼成」してＳｉＯ2膜３３を作製して
いる。次に、ＳiＮ膜２０（厚さ１５０ｎｍ），真性半
導体２１（非晶質Ｓｉ，厚さ２００ｎｍ），Ｎ型半導体
３２（非晶質Ｓｉ，厚３５ｎｍ）をプラズマＣＶＤ装置
にて、基板温度を３００℃として連続で「ＣＶＤ成膜」
する。ここで、「ホト工程」を行い、真性半導体体２
１，Ｎ型半導体２２を「エッチング」(ＣＣｌ3 とＯ2
混合ガス使用）でパターン加工する。続いて、厚さ２０
０ｎｍのＣｒ膜を、ＤＣスパッタ法（基板温度１３０
℃，Ａｒ圧力０.３Ｐ)で「スパッタ成膜」する。ここ
で、「ホト工程」を行い、その後硝酸第２セリウムアン
モニウム水溶液（１５ｗｔ％，３０℃）によってＣｒ合
金膜の「エッチング」を行いデータ配線１０，ドレーン
電極１１を形成する。さらに、プラズマＣＶＤ装置を用
いてＳｉＮ保護膜２３（厚さ５００ｎｍ）を「ＣＶＤ成
膜」する。ゲート配線の端子出し部のＳｉＮ膜／ＳｉＯ
2 膜（上層／下層）ゲート絶縁膜の加工においては、下
側のＳｉＯ2 膜開口部を狭く、上側のＳｉＮ膜開口部を
広くＳｉＯ2 膜上に開口部が配置するようにすること
で、３００ｎｍある段差を、１５０ｎｍの２段とし、上
層の被覆特性を向上できる。また、ゲート配線としてＡ
ｒガススパッタ法で作製したＮｂ膜を用い、その上層に
（Ａｒ・酸素）混合ガスを用いた反応性スパッタ法で作
製したＮｂＮ膜を形成した場合、ゲート配線の端子出し
部の形成は、上部絶縁膜であるＳｉＯ2 膜をＣＨＦ3 ガ
スでドライエッチ加工した場合、ＮｂＮ膜はエッチング
ストッパーとして用いることができる。
【００３２】図１２は、表示パネル周辺部の概略を示す
平面図である。表示パネルを作製する場合は、ＴＦＴガ
ラス基板１３と対向ガラス基板２５を貼り合わせたシー
ルパターン３４の開口部３５から液晶を封入する。画面
部３６に対し、ゲート端子群３７とデータ端子群３８が
図に示したように配置される。ＴＦＴガラス基板１３に
は互いに平行な複数のゲート配線８（走査信号線または
水平信号線）と、ゲート配線８と交差して形成された互
いに平行なデータ配線１０（映像信号線または垂直信号
線）が形成されている。隣接する２本のゲート配線８と
隣接する２本のデータ配線１０で囲まれた領域が画素領
域である。
平面図である。表示パネルを作製する場合は、ＴＦＴガ
ラス基板１３と対向ガラス基板２５を貼り合わせたシー
ルパターン３４の開口部３５から液晶を封入する。画面
部３６に対し、ゲート端子群３７とデータ端子群３８が
図に示したように配置される。ＴＦＴガラス基板１３に
は互いに平行な複数のゲート配線８（走査信号線または
水平信号線）と、ゲート配線８と交差して形成された互
いに平行なデータ配線１０（映像信号線または垂直信号
線）が形成されている。隣接する２本のゲート配線８と
隣接する２本のデータ配線１０で囲まれた領域が画素領
域である。
【００３３】（実施例３）続いて、シクロヘキサンで希
釈したペルヒドロポリシラザンを原材料とした、ＳｉＯ
2 膜とＳｉＮ膜の二層ゲート絶縁層をゲート絶縁層に、
Ｍｏ−２at％Ｃｒ膜／Ａｌ−２at％Ｎｄ膜／Ｍｏ−６at
％Ｃｒ膜の三層膜をゲート配線に適用した例である。縦
電界駆動方式の液晶表示装置のゲート配線に適用した例
である。図１３は、作製した液晶表示装置の一つ画素と
その周辺部分の平面パターンである。画素の構成要素の
中のゲート配線８，データ配線１０，遮光膜３９，透明
画素電極４０，ＴＦＴ１２を示してある。図１４は切断
線Ａ−Ａ′の断面図である。表示パネルはＴＦＴガラス
基板１３の一方の表面にゲート配線下層１４，ゲート配
線中間層１５，ゲート配線上層１６，ゲート絶縁膜下層
のＳｉＯ2 膜３３，ゲート絶縁膜上層のＳｉＮ膜２０，
真性半導体２１，Ｎ型半導体２２，データ配線１０，保
護膜２３，透明画素電極４０，配向膜２４を形成したも
のと、対向ガラス基板２５の一方の表面にカラーフィル
タ２６，対向基板保護膜２８，透明画素電極４０，対向
基板配向膜２９を形成したものと、ＴＦＴガラス基板１
３と対向ガラス基板２５に挟持された液晶層３０と、偏
向板３１と、対向偏向板３２で構成される。
釈したペルヒドロポリシラザンを原材料とした、ＳｉＯ
2 膜とＳｉＮ膜の二層ゲート絶縁層をゲート絶縁層に、
Ｍｏ−２at％Ｃｒ膜／Ａｌ−２at％Ｎｄ膜／Ｍｏ−６at
％Ｃｒ膜の三層膜をゲート配線に適用した例である。縦
電界駆動方式の液晶表示装置のゲート配線に適用した例
である。図１３は、作製した液晶表示装置の一つ画素と
その周辺部分の平面パターンである。画素の構成要素の
中のゲート配線８，データ配線１０，遮光膜３９，透明
画素電極４０，ＴＦＴ１２を示してある。図１４は切断
線Ａ−Ａ′の断面図である。表示パネルはＴＦＴガラス
基板１３の一方の表面にゲート配線下層１４，ゲート配
線中間層１５，ゲート配線上層１６，ゲート絶縁膜下層
のＳｉＯ2 膜３３，ゲート絶縁膜上層のＳｉＮ膜２０，
真性半導体２１，Ｎ型半導体２２，データ配線１０，保
護膜２３，透明画素電極４０，配向膜２４を形成したも
のと、対向ガラス基板２５の一方の表面にカラーフィル
タ２６，対向基板保護膜２８，透明画素電極４０，対向
基板配向膜２９を形成したものと、ＴＦＴガラス基板１
３と対向ガラス基板２５に挟持された液晶層３０と、偏
向板３１と、対向偏向板３２で構成される。
【００３４】図１５は、製造工程のフローチャートであ
る。先ず、ＴＦＴガラス基板１３の片側全面上に、ＤＣ
スパッタ法で、順次、厚さ５０ｎｍのＭｏ−２at％Ｃｒ
膜１４，厚さ３００ｎｍのＡｌ−２at％Ｎｄ膜１５，厚
さ５０ｎｍのＭｏ−６at％Ｃｒ膜１６を、「スパッタ成
膜」する。基板温度は１３０℃、Ａｒ圧力は０.３Ｐａ
である。「ホト工程」（ホトレジストを塗付して、マス
クを用いた選択パターン露光を行い、パターン現像ま
で：この作業を以後ホト工程と呼ぶ）を、合金膜上に行
い、その後混酸（りん酸：硝酸：酢酸：純水＝６５：
９.６：３.４：２５.３vol％，４０℃）によって金属三
層膜の「エッチング」を行いゲート配線８及び遮光膜３
９のパターンを作製する。次に、ＴＦＴガラス基板１３
上のゲート配線８及び遮光膜３９パターンの上に、シク
ロヘキサンで希釈したペルヒドロポリシラザンを回転塗
布法で「回転塗布」した。膜厚は、回転数５０００rp
m，回転時間６０sec で１５０ｎｍである。これを、
「ホト工程」で所定のパターンに加工し、その後、窒素
中で２００℃で１時間「焼成」してＳｉＯ2 膜３３を作
製している。ＳｉＮ膜２０（厚さ１５０ｎｍ），真性半
導体２１（非晶質Ｓｉ，厚さ２００ｎｍ），Ｎ型半導体
２２（非晶質Ｓｉ，厚さ３５ｎｍ）をプラズマＣＶＤ装
置にて、基板温度を３００℃として「ＣＶＤ成膜」す
る。ここで、ホト工程を行い、真性半導体２１，Ｎ型半
導体２２を「エッチング」（ＣＣｌ3とＯ２混合ガス使
用）でパターン加工する。続いて、厚さ２００ｎｍのＣ
ｒ膜を、ＤＣスパッタ法にて基板温度を１３０℃とし
「スパッタ成膜」する。「ホト工程」を行い、その後硝
酸第２セリウムアンモニウム水溶液（１５ｗｔ％，４０
℃）によってＣｒ膜の「エッチング」を行いデータ配線
１０を形成し、データ配線パターンをマスクとして、Ｎ
型半導体２２を「エッチング」（ＣＣｌ３ とＯ2 混合
ガス使用）でパターン加工する。さらに、プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いてＳｉＮ保護膜２３（厚さ５００ｎｍ）を
「ＣＶＤ成膜」する。「ホト工程」により保護膜２４を
「エッチング」し、スポット上にデータ配線１０を露出
させるスルーホールを形成する。ここで、スパッタター
ゲットに［Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（１０ｗｔ％)］を用いて
ＤＣスパッタ装置で、スズ添加酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）透明画素電極４０を「スパッタ成膜」する。基板温
度は２１５℃とし、スパッタガスには、ＡｒとＯ2 の混
合ガスを用いた。「ホト工程」をし、透明画素電極３３
をＨＢｒを用い３０℃で「エッチング」し所定パターン
を作製する。こうして、液晶表示装置のＴＦＴ基板が作
製される。
る。先ず、ＴＦＴガラス基板１３の片側全面上に、ＤＣ
スパッタ法で、順次、厚さ５０ｎｍのＭｏ−２at％Ｃｒ
膜１４，厚さ３００ｎｍのＡｌ−２at％Ｎｄ膜１５，厚
さ５０ｎｍのＭｏ−６at％Ｃｒ膜１６を、「スパッタ成
膜」する。基板温度は１３０℃、Ａｒ圧力は０.３Ｐａ
である。「ホト工程」（ホトレジストを塗付して、マス
クを用いた選択パターン露光を行い、パターン現像ま
で：この作業を以後ホト工程と呼ぶ）を、合金膜上に行
い、その後混酸（りん酸：硝酸：酢酸：純水＝６５：
９.６：３.４：２５.３vol％，４０℃）によって金属三
層膜の「エッチング」を行いゲート配線８及び遮光膜３
９のパターンを作製する。次に、ＴＦＴガラス基板１３
上のゲート配線８及び遮光膜３９パターンの上に、シク
ロヘキサンで希釈したペルヒドロポリシラザンを回転塗
布法で「回転塗布」した。膜厚は、回転数５０００rp
m，回転時間６０sec で１５０ｎｍである。これを、
「ホト工程」で所定のパターンに加工し、その後、窒素
中で２００℃で１時間「焼成」してＳｉＯ2 膜３３を作
製している。ＳｉＮ膜２０（厚さ１５０ｎｍ），真性半
導体２１（非晶質Ｓｉ，厚さ２００ｎｍ），Ｎ型半導体
２２（非晶質Ｓｉ，厚さ３５ｎｍ）をプラズマＣＶＤ装
置にて、基板温度を３００℃として「ＣＶＤ成膜」す
る。ここで、ホト工程を行い、真性半導体２１，Ｎ型半
導体２２を「エッチング」（ＣＣｌ3とＯ２混合ガス使
用）でパターン加工する。続いて、厚さ２００ｎｍのＣ
ｒ膜を、ＤＣスパッタ法にて基板温度を１３０℃とし
「スパッタ成膜」する。「ホト工程」を行い、その後硝
酸第２セリウムアンモニウム水溶液（１５ｗｔ％，４０
℃）によってＣｒ膜の「エッチング」を行いデータ配線
１０を形成し、データ配線パターンをマスクとして、Ｎ
型半導体２２を「エッチング」（ＣＣｌ３ とＯ2 混合
ガス使用）でパターン加工する。さらに、プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いてＳｉＮ保護膜２３（厚さ５００ｎｍ）を
「ＣＶＤ成膜」する。「ホト工程」により保護膜２４を
「エッチング」し、スポット上にデータ配線１０を露出
させるスルーホールを形成する。ここで、スパッタター
ゲットに［Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（１０ｗｔ％)］を用いて
ＤＣスパッタ装置で、スズ添加酸化インジウム（ＩＴ
Ｏ）透明画素電極４０を「スパッタ成膜」する。基板温
度は２１５℃とし、スパッタガスには、ＡｒとＯ2 の混
合ガスを用いた。「ホト工程」をし、透明画素電極３３
をＨＢｒを用い３０℃で「エッチング」し所定パターン
を作製する。こうして、液晶表示装置のＴＦＴ基板が作
製される。
【００３５】図６は、表示パネル周辺部の概略を示す平
面図である。表示パネルを作製する場合は、ＴＦＴガラ
ス基板１３と対向ガラス基板２５を貼り合わせたシール
パターン３４の開口部３５から液晶を封入する。画面部
３６に対し、ゲート端子群３７とデータ端子群３８が図
に示したように配置される。ＴＦＴガラス基板１３には
互いに平行な複数のゲート配線８（走査信号線または水
平信号線）と、ゲート配線８と交差して形成された互い
に平行なデータ配線１０（映像信号線または垂直信号
線）が形成されている。隣接する２本のゲート配線８と
隣接する２本のデータ配線１０で囲まれた領域が画素領
域で、ほぼ全面に透明画素電極４０が形成されている。
ゲート配線の端子出し部、またはＴＦＴ作製工程のスル
ーホール部のＳｉＮ膜／ＳｉＯ2 膜（上層／下層）ゲー
ト絶縁膜の加工においては、下側のＳｉＯ2 膜開口部を
狭く、上側のＳｉＮ膜開口部を広くＳｉＯ2 膜上に開口
部が配置するようにすることで、３００ｎｍある段差
を、１５０ｎｍの２段とし、上層の被覆特性を向上でき
る。また、ゲート配線としてＡｒガススパッタ法で作製
したＮｂ膜を用い、その上層に（Ａｒ・酸素）混合ガス
を用いた反応性スパッタ法で作製したＮｂＮ膜を形成し
た場合、ゲート配線の端子出し部の形成は、上部絶縁膜
であるＳｉＯ2 膜をＣＨＦ3 ガスでドライエッチ加工し
た場合、ＮｂＮ膜はエッチングストッパーとして用いる
ことができる。
面図である。表示パネルを作製する場合は、ＴＦＴガラ
ス基板１３と対向ガラス基板２５を貼り合わせたシール
パターン３４の開口部３５から液晶を封入する。画面部
３６に対し、ゲート端子群３７とデータ端子群３８が図
に示したように配置される。ＴＦＴガラス基板１３には
互いに平行な複数のゲート配線８（走査信号線または水
平信号線）と、ゲート配線８と交差して形成された互い
に平行なデータ配線１０（映像信号線または垂直信号
線）が形成されている。隣接する２本のゲート配線８と
隣接する２本のデータ配線１０で囲まれた領域が画素領
域で、ほぼ全面に透明画素電極４０が形成されている。
ゲート配線の端子出し部、またはＴＦＴ作製工程のスル
ーホール部のＳｉＮ膜／ＳｉＯ2 膜（上層／下層）ゲー
ト絶縁膜の加工においては、下側のＳｉＯ2 膜開口部を
狭く、上側のＳｉＮ膜開口部を広くＳｉＯ2 膜上に開口
部が配置するようにすることで、３００ｎｍある段差
を、１５０ｎｍの２段とし、上層の被覆特性を向上でき
る。また、ゲート配線としてＡｒガススパッタ法で作製
したＮｂ膜を用い、その上層に（Ａｒ・酸素）混合ガス
を用いた反応性スパッタ法で作製したＮｂＮ膜を形成し
た場合、ゲート配線の端子出し部の形成は、上部絶縁膜
であるＳｉＯ2 膜をＣＨＦ3 ガスでドライエッチ加工し
た場合、ＮｂＮ膜はエッチングストッパーとして用いる
ことができる。
【００３６】以上によれば、上層と下層の少なくとも何
れか一方の配線幅が中間層の配線幅と異なる三層膜、ま
たは、上層と下層の配線幅が異なる二層膜を用いる。ゲ
ート絶縁層に、下層がＳｉＯ2 膜で、上層がＳｉＮ膜の
二層膜を用いる。こうすることで、ゲート配線の段差よ
り、小さな段差を持つ無機ゲート絶縁膜を形成でき、配
線間短絡不良を低減したＴＦＴ−ＬＣＤを実現できる効
果がある。すなわち、ＦＴ特性を持ち、配線間短絡・断
線不良のない、製造歩留まりの高い低抵抗配線を用いた
液晶表示装置並びに、その製造方法を提供することであ
る。
れか一方の配線幅が中間層の配線幅と異なる三層膜、ま
たは、上層と下層の配線幅が異なる二層膜を用いる。ゲ
ート絶縁層に、下層がＳｉＯ2 膜で、上層がＳｉＮ膜の
二層膜を用いる。こうすることで、ゲート配線の段差よ
り、小さな段差を持つ無機ゲート絶縁膜を形成でき、配
線間短絡不良を低減したＴＦＴ−ＬＣＤを実現できる効
果がある。すなわち、ＦＴ特性を持ち、配線間短絡・断
線不良のない、製造歩留まりの高い低抵抗配線を用いた
液晶表示装置並びに、その製造方法を提供することであ
る。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、配線短絡不良を防止
し、液晶表示装置の歩留まりを向上する液晶表示装置及
びその製造方法を提供できる。
し、液晶表示装置の歩留まりを向上する液晶表示装置及
びその製造方法を提供できる。
【図１】三層ゲート配線上にＳｉＯ2 膜を形成した場合
の断面図。
の断面図。
【図２】三層ゲート配線上にＳｉＯ2 膜を形成した場合
の断面図。
の断面図。
【図３】三層ゲート配線上にＳｉＯ2 膜を形成した場合
の断面図。
の断面図。
【図４】三層ゲート配線上にＳｉＯ2 膜を形成した場合
の断面図。
の断面図。
【図５】三層ゲート配線上にＳｉＯ2 膜を形成した場合
の断面図。
の断面図。
【図６】二層ゲート配線上にＳｉＯ2 膜を形成した場合
の断面図。
の断面図。
【図７】二層ゲート配線上にＳｉＯ2 膜を形成した場合
の断面図。
の断面図。
【図８】単層ゲート配線上にＳｉＯ2 膜を形成した場合
の断面図。
の断面図。
【図９】横電界駆動液晶表示装置の画素とその周辺部分
の平面図。
の平面図。
【図１０】図２の切断線Ａ−Ａ′の断面図。
【図１１】横電界駆動液晶表示装置の製造フローチャー
ト。
ト。
【図１２】液晶表示装置の概略平面図。
【図１３】縦電界駆動液晶表示装置の画素とその周辺部
分の平面図。
分の平面図。
【図１４】図６の切断線Ａ−Ａ′の断面図。
【図１５】縦電界駆動液晶表示装置の製造フローチャー
ト。
ト。
１…三層膜上層配線、２…三層膜中間層配線、３…三層
膜下層配線、４…ガラス基板、５，３３…ＳｉＯ2 膜、
６…二層膜上層配線、７…二層膜下層配線、８…ゲート
配線、９…対向電極、１０…データ配線、１１…ドレー
ン電極、１２…薄膜ランジスタ（ＴＦＴ）、１３…ＴＦ
Ｔガラス基板、１４…ゲート配線下層、１５…ゲート配
線中間層、１６…ゲート配線上層、１７…対向電極下
層、１８…対向電極中間層、１９…対向電極上層、２０
…ＳｉＮ膜、２１…真性半導体、２２…Ｎ型半導体、２
３…保護膜、２４…配向膜、２５…対向ガラス基板、２
６…カラーフィルタ、２７…ブラックマトリクス、２８
…対向基板保護膜、２９…対向基板配向膜、３０…液晶
層、３１…偏向板、３２…対向偏向板、３４…シールパ
ターン、３５…開口部、３６…画面部、３７…ゲート端
子群、３８…データ端子群、３９…遮光膜、４０…透明
画素電極、４１…共通透明電極。
膜下層配線、４…ガラス基板、５，３３…ＳｉＯ2 膜、
６…二層膜上層配線、７…二層膜下層配線、８…ゲート
配線、９…対向電極、１０…データ配線、１１…ドレー
ン電極、１２…薄膜ランジスタ（ＴＦＴ）、１３…ＴＦ
Ｔガラス基板、１４…ゲート配線下層、１５…ゲート配
線中間層、１６…ゲート配線上層、１７…対向電極下
層、１８…対向電極中間層、１９…対向電極上層、２０
…ＳｉＮ膜、２１…真性半導体、２２…Ｎ型半導体、２
３…保護膜、２４…配向膜、２５…対向ガラス基板、２
６…カラーフィルタ、２７…ブラックマトリクス、２８
…対向基板保護膜、２９…対向基板配向膜、３０…液晶
層、３１…偏向板、３２…対向偏向板、３４…シールパ
ターン、３５…開口部、３６…画面部、３７…ゲート端
子群、３８…データ端子群、３９…遮光膜、４０…透明
画素電極、４１…共通透明電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鬼沢 賢一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 西村 悦子 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 原野 雄一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 田村 克 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 金子 寿輝 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 Ｆターム(参考） 2H092 GA17 GA25 GA34 JA24 JA34 JB22 JB31 MA05 MA08 MA13 MA15 MA19 NA16 NA29 PA01 5F110 AA26 CC07 DD02 EE01 EE02 EE03 EE04 EE06 EE15 EE22 EE23 EE36 EE44 FF01 FF02 FF03 FF09 FF21 FF36 GG02 GG13 GG24 GG25 GG35 GG45 HK04 HK09 HK16 HK33 HK35 NN04 NN24 NN27 NN35 QQ03 QQ05
Claims (9)
- 【請求項１】複数のゲート配線と、前記複数のゲート配
線に交差するように形成された複数のデータ配線と、前
記ゲート配線と前記データ配線の交点付近に形成された
薄膜トランジスタと、前記ゲート配線を被覆するゲート
絶縁層と、保護層とを有する基板と、前記基板に対向す
る対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持さ
れた液晶層とを有する液晶表示装置において、前記ゲー
ト配線は三層膜であって、上層と下層の少なくとも何れ
か一方の最大配線幅と最小配線幅の平均値である配線幅
が、中間層の最大配線幅と最小配線幅の平均値である配
線幅と異なっていること、前記ゲート絶縁層は二層膜で
あって、下層がＳｉＯ2膜，上層がＳiＮ膜であること、
及び、前記ゲート絶縁層の下層のＳｉＯ2 膜の前記ゲー
ト配線の最大幅を起点とした端部から前記ゲート配線の
膜厚分の距離はなれた基板直上の膜厚が、前記ゲート配
線の直上の膜厚より厚いことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】請求項１において、前記ゲート配線は、二
層膜であって、上層と下層の最大配線幅と最小配線幅の
平均値である配線幅が異なっていることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項３】請求項１において、三層膜からなる前記ゲ
ート配線の中間層は、ＡｌまたはＡｌを主体とする合金
膜であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】請求項２において、二層膜からなる前記ゲ
ート配線の少なくとも一方は、ＡｌまたはＡｌを主体と
する合金膜であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】複数のゲート配線と、前記複数のゲート配
線に交差するように形成された複数のデータ配線と、前
記ゲート配線と前記データ配線の交点付近に形成された
薄膜トランジスタと、前記ゲート配線を被覆するゲート
絶縁層と、保護層とを有する基板と、前記基板に対向す
る対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持さ
れた液晶層とを有する液晶表示装置において、前記ゲー
ト配線は三層膜であって、上層と下層の少なくとも何れ
か一方の最大配線幅と最小配線幅の平均値である配線幅
が、中間層の最大配線幅と最小配線幅の平均値である配
線幅と異なっていること、前記ゲート絶縁層は二層膜で
あって、下層がＳｉＯ2 膜,上層がＳiＮ膜であること、
及び、前記ゲート絶縁層の下層のＳｉＯ2 膜の前記ゲー
ト配線の最大幅を起点とした端部から前記ゲート配線の
膜厚分の距離はなれた基板直上の膜厚が、前記ゲート配
線の直上の膜厚より厚いことを特徴とする液晶表示装置
の製造方法であって、前記ＳｉＯ2 膜は有機溶媒に可溶
な無機ポリマーの焼成によって作製することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】請求項５の液晶表示装置の製造方法におい
て、有機溶媒に可溶な無機ポリマーが、ペルヒドロポリ
シラザンであることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項７】請求項５の液晶表示装置の製造方法におい
て、前記ＳｉＯ2 膜は、感光性を有する有機混合材料に
よって形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項８】請求項６の液晶表示装置の製造方法におい
て、前記ＳｉＯ2 膜は、回転塗布法によって形成するこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】複数のゲート配線と、複数のデータ配線
と、薄膜トランジスタと、前記ゲート配線を被覆するゲ
ート絶縁層と、保護層とを有する基板と、前記基板に対
向する対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟
持された液晶層とを有する液晶表示装置において、前記
ゲート配線が、上層と下層の少なくとも何れか一方の配
線幅が中間層の配線幅と異なる三層膜、または、上層と
下層の配線幅が異なる二層膜であり、前記ゲート絶縁層
が、下層がＳｉＯ2 膜で上層がＳｉＮ膜の二層膜であ
り、前記ゲート絶縁層の下層のＳｉＯ2 膜の前記ゲート
配線の最大幅を起点とした端部から前記ゲート配線の膜
厚分の距離はなれた基板直上の膜厚が、前記ゲート配線
の直上の膜厚より厚いことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11045399A JP2000305104A (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11045399A JP2000305104A (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000305104A true JP2000305104A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14536107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11045399A Pending JP2000305104A (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000305104A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006295037A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの製造方法及びｓｏｉウエーハ |
| JP2009016756A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Nec Lcd Technologies Ltd | アクティブマトリクス駆動表示装置 |
| WO2009031342A1 (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | アクティブマトリクス基板、表示装置、アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| US7633580B2 (en) | 2001-03-29 | 2009-12-15 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display panel having reflection electrodes improved in smooth surface morphology and process for fabrication thereof |
| JP2012031521A (ja) * | 2011-09-12 | 2012-02-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
| US8920683B2 (en) | 2005-09-01 | 2014-12-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode |
| JP2018011072A (ja) * | 2011-01-28 | 2018-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| WO2018120571A1 (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及其制程 |
| US20220087034A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-17 | Azotek Co., Ltd. | Method of manufacturing circuit board structure |
-
1999
- 1999-04-19 JP JP11045399A patent/JP2000305104A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2006295037A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの製造方法及びｓｏｉウエーハ |
| JP4728030B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2011-07-20 | 信越化学工業株式会社 | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
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| JP2018011072A (ja) * | 2011-01-28 | 2018-01-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2012031521A (ja) * | 2011-09-12 | 2012-02-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
| WO2018120571A1 (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及其制程 |
| US10818701B2 (en) | 2016-12-30 | 2020-10-27 | HKC Corporation Limited | Display panel and method of manufacturing the same |
| US20220087034A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-17 | Azotek Co., Ltd. | Method of manufacturing circuit board structure |
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