JPH08148453A - Wafer holder - Google Patents
Wafer holderInfo
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- JPH08148453A JPH08148453A JP29020494A JP29020494A JPH08148453A JP H08148453 A JPH08148453 A JP H08148453A JP 29020494 A JP29020494 A JP 29020494A JP 29020494 A JP29020494 A JP 29020494A JP H08148453 A JPH08148453 A JP H08148453A
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- wafer
- retainer
- polishing
- polishing pad
- wafer holder
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハを研磨する際に
ウエハを保持するウエハ保持具に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer holder for holding a wafer when polishing the wafer.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程におけるウエハの
研磨は、回転する研磨パッドをウエハ表面に接触させる
ことで行われている。このとき研磨パッドの回転運動に
よりウエハのエッジには大きな衝撃が加わる。またウエ
ハ,研磨パッド間からはみ出たスラリー(研磨材)はウ
エハのエッジ付近に滞留する。これらによりウエハの周
縁部分が過剰に研磨されることが多い。この対策として
ウエハの周囲に所定厚みのリテーナを設けて研磨するよ
うになしたウエハ保持具が提案されている。2. Description of the Related Art Wafer polishing in a semiconductor device manufacturing process is performed by bringing a rotating polishing pad into contact with the wafer surface. At this time, a large impact is applied to the edge of the wafer due to the rotational movement of the polishing pad. Further, the slurry (abrasive material) protruding between the wafer and the polishing pad stays near the edge of the wafer. In many cases, the peripheral portion of the wafer is excessively polished by these. As a countermeasure against this, there has been proposed a wafer holder in which a retainer having a predetermined thickness is provided around the wafer for polishing.
【0003】図8は、特開昭56-33835号公報に開示され
た従来のウエハ保持具を示す模式的縦断面図である。平
坦な保持体31の表面にリング状の溝32が形成されてお
り、この溝32にリテーナ33が植設されている。溝32の内
側部分はウエハ8を載置するためのペデスタル部35とな
してあり、ペデスタル部35には細い真空吸着孔35が設け
られている。リテーナ33の上面高さはウエハ8の上面高
さより低くなるようになしてある。FIG. 8 is a schematic vertical sectional view showing a conventional wafer holder disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 56-33835. A ring-shaped groove 32 is formed on the surface of the flat holding body 31, and a retainer 33 is planted in the groove 32. An inner portion of the groove 32 is formed as a pedestal portion 35 for mounting the wafer 8, and the pedestal portion 35 is provided with a thin vacuum suction hole 35. The height of the upper surface of the retainer 33 is lower than the height of the upper surface of the wafer 8.
【0004】この従来装置ではウエハ8の周辺にリテー
ナ33が存在した状態でウエハ8の研磨を行うので、ウエ
ハ8の外周部における研磨変形を防止し、精度良く研磨
加工を行うことができる。In this conventional apparatus, since the wafer 8 is polished in the state where the retainer 33 exists around the wafer 8, it is possible to prevent the polishing deformation in the outer peripheral portion of the wafer 8 and perform the polishing process with high accuracy.
【0005】また図9は、特開平4−206946号公報に開
示された従来のウエハ保持具を示す模式的縦断面図であ
る。ウエハ保持具41の、複数の空気路42を有するセラミ
ックスプレート43の下面に、空気路42に連通する空気孔
44を備える含水吸着パッド45が取り付けられている。さ
らに含水吸着パッド45の下面の周縁部には、ウエハ8の
周辺形状を保つためにリング状の保持テンプレート(リ
テーナ)46が取り付けられている。FIG. 9 is a schematic vertical sectional view showing a conventional wafer holder disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-206946. An air hole communicating with the air passage 42 is formed in the lower surface of the ceramic plate 43 of the wafer holder 41 having a plurality of air passages 42.
A water-containing adsorption pad 45 comprising 44 is attached. Furthermore, a ring-shaped holding template (retainer) 46 is attached to the peripheral portion of the lower surface of the water-containing adsorption pad 45 in order to maintain the peripheral shape of the wafer 8.
【0006】含水吸着パッド45の下面にウエハ8を接触
させ、真空ポンプにより空気路42,空気孔44を介して真
空引きを行うことにより、ウエハ8は含水吸着パッド45
に吸着される。このとき保持テンプレート46が存在する
こと、及び含水吸着パッド45が弾性的に変形することに
より、ウエハ8を精度良く研磨加工することができる。The wafer 8 is brought into contact with the lower surface of the water-containing adsorption pad 45, and the wafer 8 is evacuated through the air passage 42 and the air hole 44 by the vacuum pump.
Is adsorbed on. At this time, since the holding template 46 is present and the water-containing adsorption pad 45 is elastically deformed, the wafer 8 can be polished with high accuracy.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】リテーナ(33,46)には
ウエハ等の被研磨材と略同じ材質のものが一般的に使用
されている。例えば絶縁膜の研磨時には石英を使用し、
タングステンの研磨時には金属を使用する。この場合リ
テーナ自体に対してもウエハと同様に研磨が進行し、リ
テーナの消耗が激しいという問題がある。また逆にリテ
ーナを取り付けると研磨面積が大きくなるので、研磨パ
ッドの目詰まりが速く進行し、研磨速度の低下を招来す
る。The retainer (33, 46) is generally made of the same material as the material to be polished such as a wafer. For example, quartz is used when polishing the insulating film,
A metal is used when polishing tungsten. In this case, there is a problem in that the retainer itself is polished similarly to the wafer, and the retainer is heavily consumed. On the contrary, when the retainer is attached, the polishing area becomes large, so that the clogging of the polishing pad progresses rapidly and the polishing rate is lowered.
【0008】さらにウエハ8とリテーナ(33,46)との間
に僅かな隙間が存在するので、この部分に研磨砥粒が堆
積し、ウエハの位置決め精度を悪化させたり、ウエハ外
周の面弛み(過剰研磨)を助長したりすることがある。Furthermore, since there is a slight gap between the wafer 8 and the retainer (33, 46), polishing abrasive grains are deposited on this portion, deteriorating the positioning accuracy of the wafer and loosening the surface of the outer periphery of the wafer ( Excessive polishing) may be promoted.
【0009】本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたも
のであり、リテーナの表面に再生手段を備えることによ
り、リテーナの消耗,及び研磨速度の低下を軽減するウ
エハ保持具を提供することを目的とする。またリテーナ
の内側でありウエハの外側である位置に吸引溝を設けて
あることにより、滞留研磨材を除去することが可能なウ
エハ保持具を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a wafer holder that reduces the wear of the retainer and the reduction of the polishing rate by providing a regenerating unit on the surface of the retainer. To aim. Another object of the present invention is to provide a wafer holder that is capable of removing stagnant abrasives by providing a suction groove inside the retainer and outside the wafer.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】第1発明に係るウエハ保
持具は、ウエハを研磨パッドと接触させて研磨するため
に、リテーナに内嵌させた状態でウエハを保持するウエ
ハ保持具において、前記リテーナは、ブラシで構成され
ており、前記研磨パッドと対向する面に研磨パッドの再
生手段を備え、該再生手段は、ダイヤモンド粒又はSi
C,SiN等のセラミックス粒を敷き詰めたもので構成
されていることを特徴とする。A wafer holder according to a first aspect of the present invention is a wafer holder for holding a wafer in a state of being fitted in a retainer in order to bring the wafer into contact with a polishing pad to polish the wafer. The retainer is composed of a brush, and is provided with a polishing pad regenerating unit on a surface facing the polishing pad, and the regenerating unit is a diamond grain or Si.
It is characterized in that it is composed of ceramic particles such as C and SiN spread.
【0011】第2発明に係るウエハ保持具は、第1発明
において、前記リテーナの内側でありウエハの外側であ
る位置に、研磨材,研磨屑等の不要物を吸引除去するた
めの吸引溝が設けてあることを特徴とする。In the wafer holder according to the second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, a suction groove is provided at a position inside the retainer and outside the wafer to suck and remove unnecessary substances such as abrasives and polishing debris. It is characterized by being provided.
【0012】[0012]
【作用】第1発明にあっては、研磨工程中において再生
手段が研磨パッドに接触するので、研磨パッドの表面が
再生手段により削られて、ウエハの研磨と同時的に研磨
パッドの再生、具体的にはシーズニング(目たて)を行
うことができる。また再生手段の存在によりリテーナの
消耗速度を大幅に低減することができる。さらにブラシ
状のものでリテーナを構成するので、このブラッシング
作用により研磨パッドの中に入り込んだ研磨材等の不要
物を除去することができる。According to the first aspect of the present invention, since the regenerating means contacts the polishing pad during the polishing step, the surface of the polishing pad is scraped by the regenerating means, and the polishing pad is regenerated simultaneously with the polishing of the wafer. In particular, you can perform seasoning. Further, the existence of the regenerating means can significantly reduce the consumption speed of the retainer. Further, since the retainer is formed of a brush-like material, it is possible to remove unnecessary substances such as abrasives that have entered the polishing pad by this brushing action.
【0013】第2発明にあっては、リテーナの内側であ
りウエハの外側である位置に吸引溝を設けてあるので、
ウエハとリテーナとの間の隙間に滞留した研磨材等の不
要物を吸引除去することができる。According to the second aspect of the invention, since the suction groove is provided at a position inside the retainer and outside the wafer,
It is possible to suck and remove unnecessary substances such as abrasives that have accumulated in the gap between the wafer and the retainer.
【0014】[0014]
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。 実施例1.図1は、本発明に係るウエハ保持具の実施例
1を示す模式図である。図1(a)は模式的平面図であ
り、図1(b) は、ウエハ及び研磨パッドを共に示す図1
(a)のI−I線における模式的断面図である。図中1
は、アルミナ等のセラミックス,又はステンレス鋼等の
金属からなる円形の保持台(直径 200〜250mm)である。
保持台1の上面周縁部は欠落させてあり、ここにAl2 O
3 (アルミナ),SiO2(石英),SiC 等の材料からな
るリング状のリテーナ6が嵌合されている。リテーナ6
は、表面をラッピング仕上げ,又は研削仕上げされてお
り、真空吸着,ネジ固定,ストッパ固定等の方法により
取り付けられている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be specifically described below with reference to the drawings showing the embodiments. Example 1. 1 is a schematic view showing a first embodiment of a wafer holder according to the present invention. 1 (a) is a schematic plan view, and FIG. 1 (b) is a diagram showing both the wafer and the polishing pad.
It is a schematic sectional drawing in the II line of (a). 1 in the figure
Is a circular holder (diameter 200 to 250 mm) made of ceramics such as alumina or metal such as stainless steel.
The peripheral portion of the upper surface of the holding table 1 is omitted, and Al 2 O
A ring-shaped retainer 6 made of a material such as 3 (alumina), SiO 2 (quartz), or SiC is fitted. Retainer 6
Has its surface lapped or ground, and is attached by vacuum suction, screw fixing, stopper fixing, or the like.
【0015】保持台1表面の、リテーナ6の内側である
中央部分には、同心円状及び放射状に多数の溝5が形成
された、テフロン(デュポン社製,ポリフッ化エチレン
系繊維)等の樹脂からなる吸着部3が接着剤2にて取り
付けられている。図2は図1(b) のA部を示す拡大図で
ある。溝5は、幅 0.2〜0.5mm 、間隔 0.5〜2mmで設け
られており、オリエンテーションフラットよりも内側に
相当する部分に設けられている。これによりウエハ8
(直径 150mm)を真空吸着した際に真空がリークせずウ
エハ8が安定して保持されるようになしてある。A resin such as Teflon (manufactured by DuPont, polyfluorinated ethylene fiber) having a large number of concentric and radial grooves 5 is formed in the central portion of the surface of the holding base 1 inside the retainer 6. The adsorbing part 3 is attached with an adhesive 2. FIG. 2 is an enlarged view showing a portion A of FIG. 1 (b). The grooves 5 are provided with a width of 0.2 to 0.5 mm and an interval of 0.5 to 2 mm, and are provided in a portion corresponding to the inside of the orientation flat. As a result, the wafer 8
The vacuum does not leak when the (diameter 150 mm) is vacuum-adsorbed, and the wafer 8 is stably held.
【0016】また吸着部3の中央及びその周辺の溝5の
底部には複数の孔4が設けられており、この孔4は保持
台1に設けられた真空ライン14と連通している。真空ラ
イン14は図示しない減圧機に接続されている。A plurality of holes 4 are provided at the center of the suction portion 3 and the bottom of the groove 5 around the suction portion 3. The holes 4 communicate with the vacuum line 14 provided in the holding table 1. The vacuum line 14 is connected to a pressure reducer (not shown).
【0017】図3は図1(b) のB部を示す拡大図であ
る。リテーナ6の表面には、微細なダイヤモンド粒7
が、鋳鉄等のメタルボンドにて多数埋め込まれている。
吸着部3上にウエハ8を載置した場合、ウエハ8の上面
とリテーナ6の上面との差は 0.2mm以下となるように構
成されている。またリテーナ6の内径は、ウエハ8の外
径より 0.5〜3mm程大きくなしてある。FIG. 3 is an enlarged view showing part B of FIG. 1 (b). On the surface of the retainer 6, fine diamond grains 7
However, many are embedded with metal bonds such as cast iron.
When the wafer 8 is placed on the suction portion 3, the difference between the upper surface of the wafer 8 and the upper surface of the retainer 6 is 0.2 mm or less. The inner diameter of the retainer 6 is larger than the outer diameter of the wafer 8 by 0.5 to 3 mm.
【0018】以上の如く構成された保持台1にウエハ8
を載置し、真空ライン14を真空にするとウエハ8は吸着
部3に真空吸着される。そして回転する研磨パッド10に
てウエハ8を研磨する。そうすると研磨パッド10はウエ
ハ8及びダイヤモンド粒7が埋め込まれたリテーナ6と
接触する。従って研磨パッド10がウエハ8を研磨すると
同時的に、研磨パッド10がダイヤモンド粒7によりシー
ズニング(目たて)される。これにより研磨中絶えず研
磨パッド10の表面が再生されるので、研磨パッド10の目
詰まりの進行を大幅に遅らせることができる。またリテ
ーナ6の表面にはダイヤモンド粒7が埋め込まれている
ので、リテーナ6が研磨パッド10により研磨され消耗す
ることを防止することができる。なおリテーナ6は定期
的に取り替える。またダイヤモンド粒7にかえてSi
C,SiN等のセラミックス粒を使用しても同様の効果
が得られる。The wafer 8 is mounted on the holding table 1 constructed as described above.
And the vacuum line 14 is evacuated, the wafer 8 is vacuum-sucked by the suction unit 3. Then, the wafer 8 is polished by the rotating polishing pad 10. Then, the polishing pad 10 contacts the wafer 8 and the retainer 6 in which the diamond grains 7 are embedded. Therefore, at the same time when the polishing pad 10 polishes the wafer 8, the polishing pad 10 is seasoned with the diamond grains 7. As a result, the surface of the polishing pad 10 is constantly regenerated during polishing, so that the progress of clogging of the polishing pad 10 can be significantly delayed. Further, since the diamond grains 7 are embedded in the surface of the retainer 6, it is possible to prevent the retainer 6 from being polished and consumed by the polishing pad 10. The retainer 6 is replaced regularly. Also, instead of diamond grains 7, Si
The same effect can be obtained by using ceramic grains such as C and SiN.
【0019】図4は、本発明のウエハ保持具と図1に示
す従来のウエハ保持具とにおける研磨速度の経時的変化
を示すグラフである。縦軸に研磨開始時の研磨速度を1
とした相対値をとり、横軸に研磨時間をとって示してい
る。図4より明らかな如く、従来のウエハ保持具では徐
々に研磨速度が低下しているのに対し、本発明のウエハ
保持具では研磨開始後、約5時間が経過しても研磨速度
はほとんど低下していない。FIG. 4 is a graph showing changes with time in polishing rate in the wafer holder of the present invention and the conventional wafer holder shown in FIG. The vertical axis shows the polishing rate at the start of polishing as 1
And the polishing time is plotted on the horizontal axis. As is apparent from FIG. 4, the polishing rate is gradually decreased in the conventional wafer holder, whereas in the wafer holder of the present invention, the polishing rate is almost decreased even after about 5 hours have elapsed from the start of polishing. I haven't.
【0020】また表1に示す如く図1に示す従来のウエ
ハ保持具におけるリテーナの目減り量は2μm/hであっ
たのに対し、本発明のウエハ保持具では 0.2μm/hと1
/10となっている。さらにリテーナの寿命は、従来のウ
エハ保持具で約 100時間であり、本発明のウエハ保持具
で約1000時間である。このように本発明のリテーナの寿
命は約10倍になっておりリテーナ6の取り替え回数の減
少が可能となっている。Further, as shown in Table 1, the retainer loss in the conventional wafer holder shown in FIG. 1 was 2 μm / h, whereas in the wafer holder of the present invention it was 0.2 μm / h, which was 1 μm / h.
It is / 10. Further, the life of the retainer is about 100 hours with the conventional wafer holder and about 1000 hours with the wafer holder of the present invention. As described above, the life of the retainer of the present invention is about 10 times longer, and the number of times of replacement of the retainer 6 can be reduced.
【0021】[0021]
【表1】 [Table 1]
【0022】実施例2.図5は、本発明の実施例2にお
けるウエハ保持具をウエハ及び研磨パッドと併せて示す
模式的縦断面図である。本実施例ではリテーナ6にかえ
て、テフロン,アクリル,ウレタン等の硬質樹脂からな
り、長さ1〜10mm程度、太さ 0.3〜5mm程度の毛(又は
針)が等間隔で密に敷き詰められたブラシ状のリテーナ
11を使用している。リテーナ11は保持台1の周縁の前記
欠落部分に弾性体12を介して装着されている。図6は図
5のC部を示す拡大図である。リテーナ11の毛先は先端
が球状であっても尖っていてもどちらでもよい。またリ
テーナ11の材質はスラリー(研磨材)により膨潤しない
ものが望ましい。その他の構成は図1に示すものと同様
であり、同符号を付して説明を省略する。Example 2. FIG. 5 is a schematic vertical cross-sectional view showing a wafer holder in Example 2 of the present invention together with a wafer and a polishing pad. In this embodiment, the retainer 6 is replaced with a hard resin such as Teflon, acrylic, urethane, etc., and hairs (or needles) having a length of 1 to 10 mm and a thickness of 0.3 to 5 mm are densely spread at equal intervals. Brush retainer
I'm using 11. The retainer 11 is attached to the above-mentioned lacking portion of the peripheral edge of the holding table 1 via an elastic body 12. FIG. 6 is an enlarged view showing part C of FIG. The tips of the retainers 11 may be spherical or pointed. Further, the retainer 11 is preferably made of a material that does not swell with a slurry (abrasive material). Other configurations are the same as those shown in FIG. 1, and the same reference numerals are given and description thereof is omitted.
【0023】本実施例では、研磨パッド10の中に入り込
んだスラリー及び研磨屑をリテーナ11のブラッシング作
用で取り除くことができる。これにより研磨パッド10が
再生される。ブラシ状のリテーナ11が適当に変形するこ
と、及び弾性体12の弾性作用により、ウエハ8の上面と
リテーナ11の上面とが略面一となり、リテーナ11の消耗
が軽減され、またウエハ8の研磨も精度良く行える。In this embodiment, the slurry and polishing debris that have entered the polishing pad 10 can be removed by the brushing action of the retainer 11. As a result, the polishing pad 10 is regenerated. Due to the appropriate deformation of the brush-shaped retainer 11 and the elastic action of the elastic body 12, the upper surface of the wafer 8 and the upper surface of the retainer 11 are substantially flush with each other, wear of the retainer 11 is reduced, and polishing of the wafer 8 is performed. Can be done with high precision.
【0024】さらにリテーナ11がブラシ状をなしている
ので、多数の毛の間の毛細管現象により、リテーナ11周
辺に供給された液状スラリー(研磨液)がリテーナ11内
に浸透する。従ってリテーナ11の先端が研磨パッド10の
表面を掃引する際、研磨パッド10表面に均等に液状スラ
リーを塗布供給する役割を果たす。このため研磨の再現
性が向上する。Further, since the retainer 11 has a brush shape, the liquid slurry (polishing liquid) supplied to the periphery of the retainer 11 permeates into the retainer 11 due to the capillary phenomenon between a large number of bristles. Therefore, when the tip of the retainer 11 sweeps the surface of the polishing pad 10, it serves to apply and supply the liquid slurry evenly to the surface of the polishing pad 10. Therefore, the reproducibility of polishing is improved.
【0025】実施例3.図7は、本発明の実施例3にお
けるウエハ保持具を示す模式的縦断面図であり、リテー
ナとウエハとの間の隙間に溜まるスラリーを除去するこ
とを目的とするものである。本実施例では、リテーナ6
の内側の複数箇所に 0.5〜2mm程度の吸引溝13a が設け
られており、吸引溝13a は真空ライン14とは別な真空ラ
イン13と連通している。真空ライン13の真空引きは真空
ライン14とは別に行えるようになしてある。Example 3. FIG. 7 is a schematic vertical cross-sectional view showing a wafer holder in Example 3 of the present invention, which is intended to remove the slurry accumulated in the gap between the retainer and the wafer. In this embodiment, the retainer 6
Suction grooves 13a of about 0.5 to 2 mm are provided at a plurality of positions inside the suction line 13a, and the suction grooves 13a communicate with a vacuum line 13 different from the vacuum line 14. The vacuum line 13 can be evacuated separately from the vacuum line 14.
【0026】また保持台1表面に純水を供給する純水ノ
ズル16及び保持台1表面をスクラブするためのスクラバ
17が設けられている。これら純水ノズル16及びスクラバ
17は、作用部分が回動するようになっており、保持台1
表面を洗浄する際にのみ保持台1上に臨み、それ以外の
ときは保持台1上から外せるようになしてある。スクラ
バ17の作用部分は水平方向に回転可能なパッド17a を備
える。その他の構成は図1に示すものと同様であり、同
符号を付して説明を省略する。A pure water nozzle 16 for supplying pure water to the surface of the holding table 1 and a scrubber for scrubbing the surface of the holding table 1
17 are provided. These pure water nozzle 16 and scrubber
The acting portion 17 is configured to rotate, and the holding table 1
It faces the holding table 1 only when cleaning the surface, and can be removed from the holding table 1 at other times. The working portion of the scrubber 17 comprises a horizontally rotatable pad 17a. Other configurations are the same as those shown in FIG. 1, and the same reference numerals are given and description thereof is omitted.
【0027】本実施例における保持台1の洗浄方法につ
いて説明する。まず純水ノズル16を回動させて保持台1
上へ臨ませ、純水ノズル16から保持台1上へ純水を高圧
にて吹き付ける。そしてスクラバ17で吸着部3及びリテ
ーナ6を含む保持台1上面をスクラブする。このとき真
空ライン13,14を真空に通じておくと吸引溝13a に溜ま
ったスラリーは真空ライン13を介して吸引され、また吸
着部3上のスラリーは孔4及び真空ライン14を介して吸
引される。このようにウエハ8,リテーナ6間に滞留し
たスラリーを除去することにより、ウエハ8の周縁部の
過剰研磨が防止される。さらに次のウエハを保持する際
に、残留スラリーのためにウエハ8の外周部が盛り上が
って保持されることを防止することができる。これによ
り毎回安定してウエハ8を保持されるので、研磨精度が
向上する。A method of cleaning the holding table 1 in this embodiment will be described. First, the pure water nozzle 16 is rotated to rotate the holder 1.
Face up and spray pure water from the pure water nozzle 16 onto the holding table 1 at high pressure. Then, the scrubber 17 scrubs the upper surface of the holding table 1 including the suction portion 3 and the retainer 6. At this time, if the vacuum lines 13 and 14 are kept in vacuum, the slurry accumulated in the suction groove 13a is sucked through the vacuum line 13, and the slurry on the adsorption unit 3 is sucked through the hole 4 and the vacuum line 14. It By removing the slurry that has accumulated between the wafer 8 and the retainer 6 in this way, excessive polishing of the peripheral portion of the wafer 8 is prevented. Further, when the next wafer is held, it is possible to prevent the outer peripheral portion of the wafer 8 from being raised and held due to the residual slurry. As a result, the wafer 8 is stably held every time, and the polishing accuracy is improved.
【0028】研磨時は、真空ライン13において真空引き
を行わないように制御し、ウエハ8と研磨パッド10との
間に供給されるスラリーが吸引されないようにする。こ
れにより円滑なスラリー供給の妨げを防止し、ひいては
研磨速度の低下を防止することができる。なおスクラバ
17を備えず、純水ノズル16から純水を供給し吸引溝13a
から吸引を行うのみの構成としてもよい。さらに純水ノ
ズル16も備えず吸引溝13a から吸引を行うのみの構成と
してもよい。At the time of polishing, the vacuum line 13 is controlled so as not to perform vacuuming so that the slurry supplied between the wafer 8 and the polishing pad 10 is not sucked. As a result, it is possible to prevent the smooth supply of the slurry from being hindered, and thus to prevent the polishing rate from decreasing. Scrubber
17 is not provided, pure water is supplied from the pure water nozzle 16 and suction groove 13a
The configuration may be such that only suction is performed from the. Further, the deionized water nozzle 16 may not be provided and only the suction groove 13a may be used for suction.
【0029】[0029]
【発明の効果】以上のように本発明に係るウエハ保持具
は、リテーナの表面に再生手段を備えることにより、研
磨パッドによってリテーナが研磨されることを防止し、
逆に再生手段が研磨パッド表面を研削するので、リテー
ナの消耗,及び研磨速度の低下を軽減することができ
る。またリテーナの内側でありウエハの外側である位置
に吸引溝を設けてあるので、ウエハとリテーナとの間の
隙間に滞留した研磨材を吸引除去して研磨速度の低下を
軽減することが可能である等、本発明は優れた効果を奏
する。As described above, the wafer holder according to the present invention is provided with the regenerating means on the surface of the retainer to prevent the polishing pad from polishing the retainer,
On the contrary, since the regenerating means grinds the surface of the polishing pad, it is possible to reduce wear of the retainer and a decrease in polishing rate. Further, since the suction groove is provided at a position inside the retainer and outside the wafer, it is possible to reduce the polishing rate by sucking and removing the polishing material accumulated in the gap between the wafer and the retainer. As described above, the present invention has excellent effects.
【図1】本発明に係るウエハ保持具の実施例1を示す模
式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of a wafer holder according to the present invention.
【図2】図1のA部を示す拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view showing a portion A of FIG.
【図3】図1のB部を示す拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view showing a portion B of FIG.
【図4】本発明,及び従来のウエハ保持具における研磨
速度の経時的変化を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing changes over time in the polishing rate in the wafer holder of the present invention and the conventional wafer holder.
【図5】本発明の実施例2におけるウエハ保持具をウエ
ハ及び研磨パッドと併せて示す模式的縦断面図である。FIG. 5 is a schematic vertical sectional view showing a wafer holder in Example 2 of the present invention together with a wafer and a polishing pad.
【図6】図5のC部を示す拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view showing a C portion of FIG.
【図7】本発明の実施例3におけるウエハ保持具を示す
模式的縦断面図である。FIG. 7 is a schematic vertical sectional view showing a wafer holder in Example 3 of the present invention.
【図8】従来のウエハ保持具を示す模式的縦断面図であ
る。FIG. 8 is a schematic vertical sectional view showing a conventional wafer holder.
【図9】従来のウエハ保持具を示す模式的縦断面図であ
る。FIG. 9 is a schematic vertical sectional view showing a conventional wafer holder.
1 保持台 6,11 リテーナ 7 ダイヤモンド粒 8 ウエハ 10 研磨パッド 13, 14 真空ライン 13a 吸引溝 1 Holding table 6, 11 Retainer 7 Diamond grain 8 Wafer 10 Polishing pad 13, 14 Vacuum line 13a Suction groove
Claims (2)
るために、リテーナに内嵌させた状態でウエハを保持す
るウエハ保持具において、前記リテーナは、ブラシで構
成されており、前記研磨パッドと対向する面に研磨パッ
ドの再生手段を備え、該再生手段は、ダイヤモンド粒又
はSiC,SiN等のセラミックス粒を敷き詰めたもの
で構成されていることを特徴とするウエハ保持具。1. A wafer holder for holding a wafer in a state of being fitted in a retainer for polishing the wafer by bringing the wafer into contact with the polishing pad, wherein the retainer is composed of a brush, and the polishing pad A wafer holder characterized in that a polishing pad regenerating unit is provided on the opposite surface, and the regenerating unit is constituted by spreading diamond grains or ceramic grains such as SiC and SiN.
である位置に、研磨材,研磨屑等の不要物を吸引除去す
るための吸引溝が設けてあることを特徴とする請求項1
記載のウエハ保持具。2. A suction groove for sucking and removing unnecessary substances such as abrasives and polishing debris is provided at a position inside the retainer and outside the wafer.
Wafer holder described.
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