JPH0786627B2 - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
- Publication number
- JPH0786627B2 JPH0786627B2 JP5169387A JP5169387A JPH0786627B2 JP H0786627 B2 JPH0786627 B2 JP H0786627B2 JP 5169387 A JP5169387 A JP 5169387A JP 5169387 A JP5169387 A JP 5169387A JP H0786627 B2 JPH0786627 B2 JP H0786627B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- exciton
- loss
- absorption
- optical waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 34
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 16
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 8
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光の非線形現象そのものをひき起こす非線形
光学定数の実効的な改善をもたらすものであり、非線形
現象の長距離にわたる伝搬を要する分野、及び非線形現
象の相互作用長を大きくとりたい場合に特に有効となる
光ファイバや基板上に形成された薄膜状光導波路等の光
導波路に関するものである。
光学定数の実効的な改善をもたらすものであり、非線形
現象の長距離にわたる伝搬を要する分野、及び非線形現
象の相互作用長を大きくとりたい場合に特に有効となる
光ファイバや基板上に形成された薄膜状光導波路等の光
導波路に関するものである。
光ファイバ等の光導波路における光の非線形効果を実効
的に高めるためには、非線形光学定数の大きい物質を
用いる、非線形光学媒質との相互作用長を大きくす
る、光のビーム径（光と非線形光学媒質との相互作用
断面積）を小さくする、非線形光学媒質に入射する光
の強度を大きくする、等が有効である。
的に高めるためには、非線形光学定数の大きい物質を
用いる、非線形光学媒質との相互作用長を大きくす
る、光のビーム径（光と非線形光学媒質との相互作用
断面積）を小さくする、非線形光学媒質に入射する光
の強度を大きくする、等が有効である。
従来、非線形光学媒質には、前記の非線形光学定数そ
のものが大きいGe,Si,GaAs,InSb,InAs,CdS,DdSe,HgCdT
e,CdSSe等の半導体をドープしたガラス板が、，の
例としては、コア径が小さく長距離導波が可能な通常の
単一モード光ファイバが、それぞれの大出力レーザ
（YAG,Ar,Kr,色素レーザ等）とともに用いられていた。
最近では、前記〜を同時に満たす媒質として、ファ
イバラマンレーザに代表されるような光アクティブ線路
の分野で、Nd3+,Er3+等のイオンをドープした光ファイ
バが試作されはじめている。ところが、では非線形光
学定数が大きいものの（バンドギャップエネルギー値近
傍の波長で、x(3)〜10-9MKSに及ぶものすら存在す
る）、光の損失が大きく、相互作用長を大きくすること
はできない。光ファイバについては、例えば1.5μｍ帯
において−0.2dB/Kmのものが実現されており、この点有
利であるが、x(3)〜1033MKSと極端に小さい非線形光学
定数を有しているにすぎない。このため前述のNd3+,Er
3+をドープすることが考案されたが、残念なことには、
これらには光ファイバの最小損失波長域（1.3μｍ、1.5
μｍ帯）におけるドープイオンのかなり大きな吸収が存
在しており、これが大きな損失となる。したがって、こ
のような光ファイバを用いて、非線形現象の相互作用
長、伝搬長を大きくすることは事実上不可能である。
のものが大きいGe,Si,GaAs,InSb,InAs,CdS,DdSe,HgCdT
e,CdSSe等の半導体をドープしたガラス板が、，の
例としては、コア径が小さく長距離導波が可能な通常の
単一モード光ファイバが、それぞれの大出力レーザ
（YAG,Ar,Kr,色素レーザ等）とともに用いられていた。
最近では、前記〜を同時に満たす媒質として、ファ
イバラマンレーザに代表されるような光アクティブ線路
の分野で、Nd3+,Er3+等のイオンをドープした光ファイ
バが試作されはじめている。ところが、では非線形光
学定数が大きいものの（バンドギャップエネルギー値近
傍の波長で、x(3)〜10-9MKSに及ぶものすら存在す
る）、光の損失が大きく、相互作用長を大きくすること
はできない。光ファイバについては、例えば1.5μｍ帯
において−0.2dB/Kmのものが実現されており、この点有
利であるが、x(3)〜1033MKSと極端に小さい非線形光学
定数を有しているにすぎない。このため前述のNd3+,Er
3+をドープすることが考案されたが、残念なことには、
これらには光ファイバの最小損失波長域（1.3μｍ、1.5
μｍ帯）におけるドープイオンのかなり大きな吸収が存
在しており、これが大きな損失となる。したがって、こ
のような光ファイバを用いて、非線形現象の相互作用
長、伝搬長を大きくすることは事実上不可能である。
本発明の目的は、前記従来の問題点を改善することにあ
り、損失を伴わない状態で非線形光学定数の増大を図
り、従来の非線形光学媒質と比較して、相互作用長、伝
盤長を大幅に大きくすることが可能な光ファイバ等の光
導波路を実現することである。
り、損失を伴わない状態で非線形光学定数の増大を図
り、従来の非線形光学媒質と比較して、相互作用長、伝
盤長を大幅に大きくすることが可能な光ファイバ等の光
導波路を実現することである。
一般にエネルギー準位に共鳴する波長付近では、比較的
大きな非線形光学定数が得られることが知られている。
なお、ここで言うエネルギー準位とは、原子、イオンの
遷移レベルのことを指すが、半導体の場合には、バンド
ギャップに相当することになる。また、励起子準位、不
純物準位もこれに当たる。
大きな非線形光学定数が得られることが知られている。
なお、ここで言うエネルギー準位とは、原子、イオンの
遷移レベルのことを指すが、半導体の場合には、バンド
ギャップに相当することになる。また、励起子準位、不
純物準位もこれに当たる。
しかし、このエネルギー準位間の遷移が吸収に寄与する
場合には、光強度に対して損失として作用する。このた
め、例えば100m〜10Kmという長距離にわたる非線形効果
を観測したい場合や、相互作用長を大きくとりたい場合
には、吸収を可能な限り小さくしなければならないとい
う必然性がでてくる。
場合には、光強度に対して損失として作用する。このた
め、例えば100m〜10Kmという長距離にわたる非線形効果
を観測したい場合や、相互作用長を大きくとりたい場合
には、吸収を可能な限り小さくしなければならないとい
う必然性がでてくる。
本発明は従来のものと異なり、使用する光の波長域で線
形吸収による損失増加を伴うことなく非線形光学定数の
増大をもたらすものである。特に光ファイバの最小損失
波長域（1.3μm,1.5μｍ帯）においても後述の実施例の
ように上記光ファイバが実現できる。
形吸収による損失増加を伴うことなく非線形光学定数の
増大をもたらすものである。特に光ファイバの最小損失
波長域（1.3μm,1.5μｍ帯）においても後述の実施例の
ように上記光ファイバが実現できる。
第１図に１光子過程を伴わない２光子過程のダイヤグラ
ムを示す。ω1,ω２の２つの光子がωω１＋ω２とな
るωとほぼ共鳴状態となっている場合を第１−（ａ）図
に、ω２ω１となっている場合を第１−（ｂ）図にそ
れぞれ示す。半導体においてバンドギャップEgがｈωに
相当する。なお、ここで言う共鳴状態とは、光子のエネ
ルギーが例えば半導体のバンドギャップエネルギーに一
致するために光が吸収される状態にあることを言う。こ
の図ではω1,ω２の１光子過程による吸収レベルが存在
しないため、ファイバ中で過剰損失を受けることなく、
２光子過程による非線形光学定数の強調が実現される。
励起子・不純物準位をこの２光子過程のレベルとして用
いる場合には、ｈωがこの励起子準位・不純物準位に相
当することになる。第２図に、バンドギャップ、励起子
準位の一例を示す。
ムを示す。ω1,ω２の２つの光子がωω１＋ω２とな
るωとほぼ共鳴状態となっている場合を第１−（ａ）図
に、ω２ω１となっている場合を第１−（ｂ）図にそ
れぞれ示す。半導体においてバンドギャップEgがｈωに
相当する。なお、ここで言う共鳴状態とは、光子のエネ
ルギーが例えば半導体のバンドギャップエネルギーに一
致するために光が吸収される状態にあることを言う。こ
の図ではω1,ω２の１光子過程による吸収レベルが存在
しないため、ファイバ中で過剰損失を受けることなく、
２光子過程による非線形光学定数の強調が実現される。
励起子・不純物準位をこの２光子過程のレベルとして用
いる場合には、ｈωがこの励起子準位・不純物準位に相
当することになる。第２図に、バンドギャップ、励起子
準位の一例を示す。
以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
〔実施例１〕 比較的x(3)の大きい非線形光学媒質として、半導体微粒
子を光ファイバのコアにドープする。これは１光子過程
における共鳴波長では吸収損失がかなり大きい。（この
ため、典型的な例としては、２〜3mmの長さで、60％透
過となる。）第２図に半導体および金属酸化物のバンド
ギャップと励起子準位の一例が示されている。これらは
光ファイバの低損失波長域（1.0〜1.6μｍ帯）において
は透過性を示すが、ωω１＋ω２となるωに当たる0.
5〜0.8μｍ帯にバンドギャップ、あるいは、励起子準位
を有している。このため、光ファイバの低損失波長域
で、１光子過程による損失としての吸収を受けることな
く２光子過程による非線形光学定数の強調が行なわれる
ことになる。
子を光ファイバのコアにドープする。これは１光子過程
における共鳴波長では吸収損失がかなり大きい。（この
ため、典型的な例としては、２〜3mmの長さで、60％透
過となる。）第２図に半導体および金属酸化物のバンド
ギャップと励起子準位の一例が示されている。これらは
光ファイバの低損失波長域（1.0〜1.6μｍ帯）において
は透過性を示すが、ωω１＋ω２となるωに当たる0.
5〜0.8μｍ帯にバンドギャップ、あるいは、励起子準位
を有している。このため、光ファイバの低損失波長域
で、１光子過程による損失としての吸収を受けることな
く２光子過程による非線形光学定数の強調が行なわれる
ことになる。
具体的には、CdS、CdSeの混晶であるCdSxSe1-xがあげら
れる。これは、S,Seの組成比（ｘ）を調節することによ
りCdS,CdSeのバンドギャップの間の任意のエネルギー値
にCdSxSe1-xのバンドギャップ値を設定できる半導体で
あり、60％透過の１光子過程でx(3)は10-16〜10-17KMS
に達する。これを光ファイバにドープすると、低損失波
長域（0.8μｍ〜1.5μｍ帯）で１光子過程に起因する損
失を伴なうことなく２光子過程によるx(3)の増強が実現
できる。
れる。これは、S,Seの組成比（ｘ）を調節することによ
りCdS,CdSeのバンドギャップの間の任意のエネルギー値
にCdSxSe1-xのバンドギャップ値を設定できる半導体で
あり、60％透過の１光子過程でx(3)は10-16〜10-17KMS
に達する。これを光ファイバにドープすると、低損失波
長域（0.8μｍ〜1.5μｍ帯）で１光子過程に起因する損
失を伴なうことなく２光子過程によるx(3)の増強が実現
できる。
〔実施例２〕 ２光子過程に用いるエネルギー準位を励起子準位、不純
物準位に設定することも可能であるが、ここでは励起子
準位の例を示す。前述のように非線形光学媒質として、
１光子過程の励起子吸収のピークにほぼ共鳴する状態で
これらを使用すると、大きい吸収損失を招く。この励起
子に対し、１光子過程で非共鳴であり、２光子過程でほ
ぼ共鳴るように光の波長を設定すると、吸収損失のない
非線形光学定数の大きい媒質が実現できる。これは２光
子過程での共鳴によりx(3)が増強されるためである。例
えば、第２図に示したように、CdS,CdSeは2.54eV、1.82
eV付近に、CdSxSe1-xはこの間の2.04〜2.09eV付近に、
それぞれ励起子吸収のピークを有している。CdSでは1.3
μmYAGレーザと0.77μｍの半導体レーザというように、
２個の光子のエネルギー和が第１−（ａ）図のように、
この励起子吸収のピーク付近にくるように設定できるの
で、上述の条件を満たすことができる。また、CdS,CdS
e,CuCl,CuBrでは、２個の励起子が互いに束縛し合って
励起子分子を構成するので、大きな非線形光学定数が得
られる。これは、１個の光子が励起子吸収のピークと非
共鳴であっても、第１−（ｂ）図のように、２個の光子
が、励起子分子のレベルとほぼ共鳴する状態が作り出
せ、非線形定数の増強が起こるためである。この励起子
分子には大きな電子軌道が存在するので、巨大振動子効
果が起こり、特に大きな非線形光学定数が得られる。フ
ァイバの低損失波長域で、この効果を利用するにはGaA
s,InP,CdTe,CdSe等の利用が有効である。
物準位に設定することも可能であるが、ここでは励起子
準位の例を示す。前述のように非線形光学媒質として、
１光子過程の励起子吸収のピークにほぼ共鳴する状態で
これらを使用すると、大きい吸収損失を招く。この励起
子に対し、１光子過程で非共鳴であり、２光子過程でほ
ぼ共鳴るように光の波長を設定すると、吸収損失のない
非線形光学定数の大きい媒質が実現できる。これは２光
子過程での共鳴によりx(3)が増強されるためである。例
えば、第２図に示したように、CdS,CdSeは2.54eV、1.82
eV付近に、CdSxSe1-xはこの間の2.04〜2.09eV付近に、
それぞれ励起子吸収のピークを有している。CdSでは1.3
μmYAGレーザと0.77μｍの半導体レーザというように、
２個の光子のエネルギー和が第１−（ａ）図のように、
この励起子吸収のピーク付近にくるように設定できるの
で、上述の条件を満たすことができる。また、CdS,CdS
e,CuCl,CuBrでは、２個の励起子が互いに束縛し合って
励起子分子を構成するので、大きな非線形光学定数が得
られる。これは、１個の光子が励起子吸収のピークと非
共鳴であっても、第１−（ｂ）図のように、２個の光子
が、励起子分子のレベルとほぼ共鳴する状態が作り出
せ、非線形定数の増強が起こるためである。この励起子
分子には大きな電子軌道が存在するので、巨大振動子効
果が起こり、特に大きな非線形光学定数が得られる。フ
ァイバの低損失波長域で、この効果を利用するにはGaA
s,InP,CdTe,CdSe等の利用が有効である。
ドープする結晶の寸法が100Å程度以下（微粒子）の場
合、量子サイズ効果によって電子の束縛エネルギーが大
きくなり、室温状態でも励起子吸収のピークが観測でき
ることがわかっており、これに対しても２光子遷移の利
用により、良質な非線形光学媒質が、実現できる。さら
に、ドープ粒子の寸法を制御することにより、励起子吸
収のエネルギー値を制御することができる。
合、量子サイズ効果によって電子の束縛エネルギーが大
きくなり、室温状態でも励起子吸収のピークが観測でき
ることがわかっており、これに対しても２光子遷移の利
用により、良質な非線形光学媒質が、実現できる。さら
に、ドープ粒子の寸法を制御することにより、励起子吸
収のエネルギー値を制御することができる。
以上説明したように、本発明によれば、所望の光の波長
域で、特に光ファイバの最小損失波長域である1.3μm,
1.5μｍ帯で過剰損失がなく、非線形効果の大きい光フ
ァイバが実現できる。このため、本発明は、ソリトンレ
ーザ、ソリトン伝送、光パルス圧縮、光子数の非破壊測
定、光子数状態無歪伝送等の非線形光学現象の長距離に
わたる伝搬を要する分野、相互作用長を長くする必要の
ある分野、損失が特性劣化に大きな影響を及ぼすような
分野に大きな貢献を果たすものである。
域で、特に光ファイバの最小損失波長域である1.3μm,
1.5μｍ帯で過剰損失がなく、非線形効果の大きい光フ
ァイバが実現できる。このため、本発明は、ソリトンレ
ーザ、ソリトン伝送、光パルス圧縮、光子数の非破壊測
定、光子数状態無歪伝送等の非線形光学現象の長距離に
わたる伝搬を要する分野、相互作用長を長くする必要の
ある分野、損失が特性劣化に大きな影響を及ぼすような
分野に大きな貢献を果たすものである。
第１−（ａ）図はω１≠ω２でωω１＋ω２の２光子
過程のダイヤグラム、第１−（ｂ）図はω１＝ω２でω
２ω１のダイヤグラム、第２図は半導体、金属酸化物
のバンドギャップ、及び励起子準位を示す図である。
過程のダイヤグラム、第１−（ｂ）図はω１＝ω２でω
２ω１のダイヤグラム、第２図は半導体、金属酸化物
のバンドギャップ、及び励起子準位を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも光導波路のコアに、使用する光
の波長で１光子吸収が起こらず、２光子以上の多光子共
鳴がバンドギャップエネルギー値の近傍、あるいは励起
子吸収エネルギー値の近傍で起こるような半導体あるい
は金属酸化物の微粒子がドープされていることを特徴と
する光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5169387A JPH0786627B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5169387A JPH0786627B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 光導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63218928A JPS63218928A (ja) | 1988-09-12 |
| JPH0786627B2 true JPH0786627B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=12893980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5169387A Expired - Lifetime JPH0786627B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786627B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2689982B1 (fr) * | 1992-04-13 | 1994-06-03 | Alcatel Nv | Amplificateur optique a fibre et systeme optique comportant cet amplificateur. |
| JPH0855810A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-02-27 | Nec Kyushu Ltd | 拡散炉 |
| US7381516B2 (en) * | 2002-10-02 | 2008-06-03 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization system |
| US7005229B2 (en) * | 2002-10-02 | 2006-02-28 | 3M Innovative Properties Company | Multiphoton photosensitization method |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59133530A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 導波形非線形光学素子およびその製造方法 |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP5169387A patent/JPH0786627B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63218928A (ja) | 1988-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5115488A (en) | Apparatus comprising an all-optical gate | |
| Pushkarov et al. | Self-action of light beams in nonlinear media: soliton solutions | |
| US8989544B2 (en) | All-optical logic gates and methods for their fabrication | |
| US20110180729A1 (en) | Broadly tunable optical parametric oscillator | |
| JP2014515175A (ja) | 中赤外線および遠赤外線のための小型でコヒーレントで高輝度の光源 | |
| WO2003029851A2 (en) | Optical fibre-based devices utilising the raman effect | |
| Madden et al. | High‐performance integrated optics with tellurite glasses: status and prospects | |
| Faris et al. | Au coated ZnO/MWCNTs nanocomposites film-induced four-wave-mixing effect for multi-wavelength generation in erbium-doped fiber laser | |
| Shen et al. | A review of nonlinear applications in silicon optical fibers from telecom wavelengths into the mid-infrared spectral region | |
| Jafari et al. | Parameter space exploration in dispersion engineering of multilayer silicon waveguides from near-infrared to mid-infrared | |
| JPH0786627B2 (ja) | 光導波路 | |
| Gaafar et al. | Highly effective relativistic free carrier plasma mirror confined within a silicon slow light photonic crystal waveguide | |
| Vasconcelos | Optical nonlinearities in glasses | |
| DE602004005355T2 (de) | Laserdiodengepumptes monolithisches halbleiter-laserbauelement und verfahren zur anwendung des bauelements | |
| Neethish et al. | Broad white light supercontinuum generation in Barium Zinc Borate glasses | |
| JP3474773B2 (ja) | 白色パルス光源 | |
| Ma et al. | GaSe saturable absorber for mode-locked Yb-doped fiber laser at 1.04 µm | |
| Nemova et al. | Heat evacuation from active Raman media using frequency-selective dissipative coupling | |
| Lou et al. | Spatiotemporal mode-locking of an all-fiber laser based on InP quantum dot saturable absorber | |
| Vermeulen et al. | Quasi-phase-matched cavity-enhanced Raman converter based on a silicon nanowire ring | |
| Petersen et al. | Mid-infrared supercontinuum generation | |
| JPS63163434A (ja) | 光導波路 | |
| CN118315908B (zh) | 一种多态孤子的被动锁模光纤激光器 | |
| JP2756509B2 (ja) | 光学装置 | |
| Ruihong et al. | Research on QPM and Its Cascaded Structure Applied in FOPA |