JPH0785972A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
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Landscapes
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光効率が高く、寿命が長い有機ＥＬ素子を
提供する。 【構成】 電子注入用電極（６）とホール注入用電極
（２）との間に有機薄膜を挟んだ構造を有し、該有機薄
膜が、前記電子注入用電極（６）に隣接する電子注入層
（５）と、前記ホール注入用電極（２）に隣接するホー
ル注入層（３）と、これらの中間に設けられた電子注入
性分子とホール注入性分子との分子対を含む再結合領域
（４）と、該再結合領域（４）中に含有され、再結合領
域で生成した励起状態からのエネルギー移動により発光
する発光サイトとを有する。
提供する。 【構成】 電子注入用電極（６）とホール注入用電極
（２）との間に有機薄膜を挟んだ構造を有し、該有機薄
膜が、前記電子注入用電極（６）に隣接する電子注入層
（５）と、前記ホール注入用電極（２）に隣接するホー
ル注入層（３）と、これらの中間に設けられた電子注入
性分子とホール注入性分子との分子対を含む再結合領域
（４）と、該再結合領域（４）中に含有され、再結合領
域で生成した励起状態からのエネルギー移動により発光
する発光サイトとを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばラップトップコ
ンピュータ、テレビジョン、移動通信用のディスプレイ
などに利用できる有機薄膜を用いた発光素子（有機ＥＬ
素子）に関する。
ンピュータ、テレビジョン、移動通信用のディスプレイ
などに利用できる有機薄膜を用いた発光素子（有機ＥＬ
素子）に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は有機薄膜の積層構造を有
し、高輝度面発光が可能であり、かつ豊富な有機材料を
利用することによってＲＧＢ発光も得られるため、次世
代フラットパネルディスプレイの有力候補として注目さ
れている。この注目のきっかけとなった素子はコダック
社のＴａｎｇらが発表したものであり、１０Ｖ以下の低
電圧で駆動し、１０００ｃｄ／ｍ2 の高輝度を実現して
いる（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，５１，９１３（１９
８７））。
し、高輝度面発光が可能であり、かつ豊富な有機材料を
利用することによってＲＧＢ発光も得られるため、次世
代フラットパネルディスプレイの有力候補として注目さ
れている。この注目のきっかけとなった素子はコダック
社のＴａｎｇらが発表したものであり、１０Ｖ以下の低
電圧で駆動し、１０００ｃｄ／ｍ2 の高輝度を実現して
いる（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，５１，９１３（１９
８７））。
【０００３】有機ＥＬ素子を実用化するにあたっての課
題は、発光効率と素子寿命の向上である。発光効率は、
現状では良くて２％であり通常０．１％程度である。発
光効率が低いということは、電極間に発光に関与しない
電流が流れ、ジュール熱が発生することを意味する。有
機薄膜は、半導体ＬＥＤや無機ＥＬ素子に使用される材
料に比べて熱に弱いため、熱の発生は素子寿命を低下さ
せる大きな原因となる。したがって、有機ＥＬ素子を実
用化するためには、発光効率を少なくとも１０％程度ま
で高めることが必要である。
題は、発光効率と素子寿命の向上である。発光効率は、
現状では良くて２％であり通常０．１％程度である。発
光効率が低いということは、電極間に発光に関与しない
電流が流れ、ジュール熱が発生することを意味する。有
機薄膜は、半導体ＬＥＤや無機ＥＬ素子に使用される材
料に比べて熱に弱いため、熱の発生は素子寿命を低下さ
せる大きな原因となる。したがって、有機ＥＬ素子を実
用化するためには、発光効率を少なくとも１０％程度ま
で高めることが必要である。
【０００４】有機ＥＬ素子の発光効率を高めるために
は、素子構造の最適化と、用いる材料の電気的・光学的
性質の最適化が必要である。しかし、これまでのところ
有機ＥＬ素子の素子構造の設計指針およびそれに用いる
材料の選択基準は確立されていないため電気的・光学的
性質が最適とはいえず、十分な発光効率が得られていな
かった。以下、従来の有機ＥＬ素子において高い発光効
率が達成できない原因について具体的に説明する。
は、素子構造の最適化と、用いる材料の電気的・光学的
性質の最適化が必要である。しかし、これまでのところ
有機ＥＬ素子の素子構造の設計指針およびそれに用いる
材料の選択基準は確立されていないため電気的・光学的
性質が最適とはいえず、十分な発光効率が得られていな
かった。以下、従来の有機ＥＬ素子において高い発光効
率が達成できない原因について具体的に説明する。
【０００５】まず、図１０を参照してＴａｎｇらが発表
した素子の動作機構とその発光効率が低い理由を説明す
る。この素子は、基板上にホール注入用のＩＴＯ電極１
０１、（Ｃ１）で示されるトリフェニルアミン誘導体か
らなる有機薄膜（以下ジアミン層という）１０２、（Ｃ
２）で示されるアルミキノリン錯体からなる有機薄膜
（以下Ａｌｑ3 層という）１０３、電子注入用のＭｇ−
Ａｇ電極１０４を積層したものである。ジアミン層１０
２はホール注入・輸送性であり、Ａｌｑ3 層１０３はホ
ール・電子の両キャリヤー注入・輸送性かつ発光性であ
る。
した素子の動作機構とその発光効率が低い理由を説明す
る。この素子は、基板上にホール注入用のＩＴＯ電極１
０１、（Ｃ１）で示されるトリフェニルアミン誘導体か
らなる有機薄膜（以下ジアミン層という）１０２、（Ｃ
２）で示されるアルミキノリン錯体からなる有機薄膜
（以下Ａｌｑ3 層という）１０３、電子注入用のＭｇ−
Ａｇ電極１０４を積層したものである。ジアミン層１０
２はホール注入・輸送性であり、Ａｌｑ3 層１０３はホ
ール・電子の両キャリヤー注入・輸送性かつ発光性であ
る。
【０００６】いま、Ｍｇ−Ａｇ電極１０４がマイナス、
ＩＴＯ電極１０１がプラスになるようにバイアス電圧を
印加する。この結果、Ｍｇ−Ａｇ電極１０４からＡｌｑ
3 層１０３へ電子が注入される。一方、ＩＴＯ電極１０
１からジアミン層１０２へホールが注入されてジアミン
層１０２中を輸送され、シアミン／Ａｌｑ3 界面まで達
し、さらにジアミン／Ａｌｑ3 界面を越えてＡｌｑ3 層
１０３に注入される。そして、Ａｌｑ3 層１０３中を輸
送されたホールと電子とが再結合して励起状態のＡｌｑ
3 が生成し、この励起状態が基底状態に緩和するときに
発光が生じる。この素子におけるＡｌｑ3 層１０３は、
キャリヤーの輸送・再結合・発光の全ての機能を担って
いる。Ａｌｑ3 は両キャリヤー注入・輸送性に関しては
十分な物性を示す。そして、励起状態からの発光効率は
光励起による発光効率で評価できるが、Ａｌｑ3 の光励
起による発光効率は５％程度と低いためＥＬ発光効率を
制限する原因となっていた。
ＩＴＯ電極１０１がプラスになるようにバイアス電圧を
印加する。この結果、Ｍｇ−Ａｇ電極１０４からＡｌｑ
3 層１０３へ電子が注入される。一方、ＩＴＯ電極１０
１からジアミン層１０２へホールが注入されてジアミン
層１０２中を輸送され、シアミン／Ａｌｑ3 界面まで達
し、さらにジアミン／Ａｌｑ3 界面を越えてＡｌｑ3 層
１０３に注入される。そして、Ａｌｑ3 層１０３中を輸
送されたホールと電子とが再結合して励起状態のＡｌｑ
3 が生成し、この励起状態が基底状態に緩和するときに
発光が生じる。この素子におけるＡｌｑ3 層１０３は、
キャリヤーの輸送・再結合・発光の全ての機能を担って
いる。Ａｌｑ3 は両キャリヤー注入・輸送性に関しては
十分な物性を示す。そして、励起状態からの発光効率は
光励起による発光効率で評価できるが、Ａｌｑ3 の光励
起による発光効率は５％程度と低いためＥＬ発光効率を
制限する原因となっていた。
【０００７】
【化１】
【０００８】次に、九州大学の安達らが試作した２つの
素子（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５６（９），
７９９（１９９０））について、動作機構およびその発
光効率が低い理由を説明する。
素子（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５６（９），
７９９（１９９０））について、動作機構およびその発
光効率が低い理由を説明する。
【０００９】１例めの素子は、図１１に示すように、基
板上にホール注入用のＩＴＯ電極１０１、（Ｃ３）で示
されるＴＡＤからなる有機薄膜（以下ＴＡＤ層という）
１０５、（Ｃ４）で示されるＰＰＣＰからなる有機薄膜
（以下ＰＰＣＰ層という）１０６、電子注入用のＭｇ−
Ａｇ電極１０４を積層したものである。ＴＡＤ層１０５
はホール注入・輸送性であり、ＰＰＣＰ層１０６はキャ
リヤーの輸送・再結合・発光を担っている。ＰＰＣＰの
光励起による発光効率は１０％以上であり、Ｔａｎｇら
のＡｌｑ3 に比べると優れている。しかし、ＰＰＣＰ層
１０６はホール注入・輸送性であり、電子注入・輸送に
ついては不利である。このためＭｇ−Ａｇ電極１０４か
らＰＰＣＰ層１０６へ注入される電子は少数であり、余
分に存在するホールが発光に関与しない電流として素子
に流れる結果、この素子の発光効率は０．１％程度と低
い。
板上にホール注入用のＩＴＯ電極１０１、（Ｃ３）で示
されるＴＡＤからなる有機薄膜（以下ＴＡＤ層という）
１０５、（Ｃ４）で示されるＰＰＣＰからなる有機薄膜
（以下ＰＰＣＰ層という）１０６、電子注入用のＭｇ−
Ａｇ電極１０４を積層したものである。ＴＡＤ層１０５
はホール注入・輸送性であり、ＰＰＣＰ層１０６はキャ
リヤーの輸送・再結合・発光を担っている。ＰＰＣＰの
光励起による発光効率は１０％以上であり、Ｔａｎｇら
のＡｌｑ3 に比べると優れている。しかし、ＰＰＣＰ層
１０６はホール注入・輸送性であり、電子注入・輸送に
ついては不利である。このためＭｇ−Ａｇ電極１０４か
らＰＰＣＰ層１０６へ注入される電子は少数であり、余
分に存在するホールが発光に関与しない電流として素子
に流れる結果、この素子の発光効率は０．１％程度と低
い。
【００１０】２例めの素子は、図１２に示すように、基
板上にホール注入用のＩＴＯ電極１０１、ＴＡＤ層１０
５、（Ｃ５）で示されるＢＢＯＴからなる有機薄膜（以
下ＢＢＯＴ層という）１０７、電子注入用のＭｇ−Ａｇ
電極１０４を積層したものである。ＴＡＤ層１０５はホ
ール注入・輸送性であり、ＢＢＯＴ層１０７は電子注入
・輸送性である。Ｍｇ−Ａｇ電極１０４からＢＢＯＴ層
１０７へ注入された電子はＢＢＯＴ層１０７中を輸送さ
れ、ＢＢＯＴ／ＴＡＤ界面のＢＢＯＴ側に蓄積する。Ｉ
ＴＯ電極１０１からＴＡＤ層１０５へ注入されたホール
はＴＡＤ層１０５中を輸送され、ＴＡＤ／ＢＢＯＴ界面
のＴＡＤ側に蓄積する。蓄積したホールも電子もこの界
面を越えることはできず、界面においてＢＢＯＴとＴＡ
Ｄとの間で分子間再結合が起こる。この分子間再結合発
光（ｅｘｃｉｐｌｅｘ発光）の発光効率は数％以下と低
いため、結果的にこの素子の発光効率は０．１％程度と
低い。
板上にホール注入用のＩＴＯ電極１０１、ＴＡＤ層１０
５、（Ｃ５）で示されるＢＢＯＴからなる有機薄膜（以
下ＢＢＯＴ層という）１０７、電子注入用のＭｇ−Ａｇ
電極１０４を積層したものである。ＴＡＤ層１０５はホ
ール注入・輸送性であり、ＢＢＯＴ層１０７は電子注入
・輸送性である。Ｍｇ−Ａｇ電極１０４からＢＢＯＴ層
１０７へ注入された電子はＢＢＯＴ層１０７中を輸送さ
れ、ＢＢＯＴ／ＴＡＤ界面のＢＢＯＴ側に蓄積する。Ｉ
ＴＯ電極１０１からＴＡＤ層１０５へ注入されたホール
はＴＡＤ層１０５中を輸送され、ＴＡＤ／ＢＢＯＴ界面
のＴＡＤ側に蓄積する。蓄積したホールも電子もこの界
面を越えることはできず、界面においてＢＢＯＴとＴＡ
Ｄとの間で分子間再結合が起こる。この分子間再結合発
光（ｅｘｃｉｐｌｅｘ発光）の発光効率は数％以下と低
いため、結果的にこの素子の発光効率は０．１％程度と
低い。
【００１１】
【化２】
【００１２】以上のような従来の有機ＥＬ素子における
発光効率（量子収率）は、ＥＬ量子収率をηEL、電子お
よびホールの注入効率をηinj 、電子とホールの再結合
効率をηrec 、再結合により生成する励起状態からの光
子変換効率をηPL（これは光励起による発光量子収率で
評価できる）とすると、以下のように表される。
発光効率（量子収率）は、ＥＬ量子収率をηEL、電子お
よびホールの注入効率をηinj 、電子とホールの再結合
効率をηrec 、再結合により生成する励起状態からの光
子変換効率をηPL（これは光励起による発光量子収率で
評価できる）とすると、以下のように表される。
【００１３】ηEL〜ηinj ×ηrec ×ηPL …（１） したがって、発光効率を向上させるためには、キャリヤ
ーの注入・輸送・再結合（ηinj ×ηrec ）および発光
性（ηPL）の両方の性質に優れた材料が要求される。し
かし、現状ではこれらを満足する材料は見いだされてお
らず、その発光効率は低いレベルに止まっていた。
ーの注入・輸送・再結合（ηinj ×ηrec ）および発光
性（ηPL）の両方の性質に優れた材料が要求される。し
かし、現状ではこれらを満足する材料は見いだされてお
らず、その発光効率は低いレベルに止まっていた。
【００１４】そこで、両キャリヤー注入・輸送性の分子
からなる層に、より高い発光効率を持つ分子をドーピン
グした素子を作製することが試みられている。例えば、
ＴａｎｇらはＡｌｑ3 層に発光性色素のＤＣＭをドーピ
ングした素子を発表している（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，６５，３６１０（１９８９））。この素子は、図
１３に示すように、基板上にホール注入用のＩＴＯ電極
１０１、ジアミン層１０２、Ａｌｑ3 に（Ｃ６）で示さ
れるＤＣＭをドーピングした有機薄膜（以下（Ａｌｑ3
＋ＤＣＭ）層という）１０８、電子注入用のＭｇ−Ａｇ
電極１０４を積層したものである。しかし、この素子の
ηELは２％程度（ＤＣＭをドーピングしない場合の２
倍）にすぎない。以下、この素子において、ηELを制限
している原因について具体的に説明する。
からなる層に、より高い発光効率を持つ分子をドーピン
グした素子を作製することが試みられている。例えば、
ＴａｎｇらはＡｌｑ3 層に発光性色素のＤＣＭをドーピ
ングした素子を発表している（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．，６５，３６１０（１９８９））。この素子は、図
１３に示すように、基板上にホール注入用のＩＴＯ電極
１０１、ジアミン層１０２、Ａｌｑ3 に（Ｃ６）で示さ
れるＤＣＭをドーピングした有機薄膜（以下（Ａｌｑ3
＋ＤＣＭ）層という）１０８、電子注入用のＭｇ−Ａｇ
電極１０４を積層したものである。しかし、この素子の
ηELは２％程度（ＤＣＭをドーピングしない場合の２
倍）にすぎない。以下、この素子において、ηELを制限
している原因について具体的に説明する。
【００１５】
【化３】
【００１６】（Ａｌｑ3 ＋ＤＣＭ）層１０８のηPLはＤ
ＣＭ濃度に依存して変化し、これを最適値に設定すれば
２０％程度すなわちドーピングしないときの４倍になる
が、この値はＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）中での
ＤＣＭのηPLが５０％以上であることから期待されるほ
ど大きいものではない。この原因としてＡｌｑ3 とＤＣ
Ｍとの極性の相違が考えられる。ＤＣＭのηPLは極性の
低い溶媒中では低いことが知られている。これは非極性
溶媒中では極性分子であるＤＣＭ同士の会合が促進さ
れ、ＤＣＭが孤立できないからである。同様にＡｌｑ3
は非極性分子であるため、ＤＣＭをドーピングしてもそ
れほど発光効率が上がらないと考えられる。また、（Ａ
ｌｑ3 ＋ＤＣＭ）層１０８のηPLがＡｌｑ3 単独層に比
べて４倍になっているにもかかわらず、ηELが２倍にし
かならない原因としてＥＬ動作の影響が考えられる。す
なわち、ＥＬ動作時においては、高濃度の電子とホール
が存在する再結合領域に強電界がかかり、しかも発光に
関与しない再結合過程により温度が上昇する。このよう
な強電界条件・温度上昇によりηPLが低下すると考えら
れる。さらに、ＤＣＭのドーピングにより、Ａｌｑ3 の
両キャリヤー注入性が失われるなどηinj ×ηrec が低
下した可能性もある。
ＣＭ濃度に依存して変化し、これを最適値に設定すれば
２０％程度すなわちドーピングしないときの４倍になる
が、この値はＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）中での
ＤＣＭのηPLが５０％以上であることから期待されるほ
ど大きいものではない。この原因としてＡｌｑ3 とＤＣ
Ｍとの極性の相違が考えられる。ＤＣＭのηPLは極性の
低い溶媒中では低いことが知られている。これは非極性
溶媒中では極性分子であるＤＣＭ同士の会合が促進さ
れ、ＤＣＭが孤立できないからである。同様にＡｌｑ3
は非極性分子であるため、ＤＣＭをドーピングしてもそ
れほど発光効率が上がらないと考えられる。また、（Ａ
ｌｑ3 ＋ＤＣＭ）層１０８のηPLがＡｌｑ3 単独層に比
べて４倍になっているにもかかわらず、ηELが２倍にし
かならない原因としてＥＬ動作の影響が考えられる。す
なわち、ＥＬ動作時においては、高濃度の電子とホール
が存在する再結合領域に強電界がかかり、しかも発光に
関与しない再結合過程により温度が上昇する。このよう
な強電界条件・温度上昇によりηPLが低下すると考えら
れる。さらに、ＤＣＭのドーピングにより、Ａｌｑ3 の
両キャリヤー注入性が失われるなどηinj ×ηrec が低
下した可能性もある。
【００１７】次に、従来の有機ＥＬ素子の素子寿命に関
しては、全く発光が生じなくなるまでの時間が数百時間
程度である。寿命を制限する最も大きな原因は、有機薄
膜の結晶化により素子が短絡することであるといわれて
いる。従来の有機ＥＬ素子に用いられている材料のガラ
ス転移点は全て１８０℃以下で、ほとんどが１００℃以
下であり、この温度以上になると瞬時にアモルファスか
ら結晶へ変化することが知られている（Ｊ．Ｐｈｙｓ．
Ｃｈｅｍ．，９７（２３），６２４０（１９９３））。
すなわち、上述したように素子の発光効率が低く発光に
関与しない電流によって熱が発生すると、有機薄膜の結
晶化が促進されて素子の寿命が制限される。したがっ
て、素子寿命を向上させるためには、有機薄膜の熱安定
性も重要な要素となる。
しては、全く発光が生じなくなるまでの時間が数百時間
程度である。寿命を制限する最も大きな原因は、有機薄
膜の結晶化により素子が短絡することであるといわれて
いる。従来の有機ＥＬ素子に用いられている材料のガラ
ス転移点は全て１８０℃以下で、ほとんどが１００℃以
下であり、この温度以上になると瞬時にアモルファスか
ら結晶へ変化することが知られている（Ｊ．Ｐｈｙｓ．
Ｃｈｅｍ．，９７（２３），６２４０（１９９３））。
すなわち、上述したように素子の発光効率が低く発光に
関与しない電流によって熱が発生すると、有機薄膜の結
晶化が促進されて素子の寿命が制限される。したがっ
て、素子寿命を向上させるためには、有機薄膜の熱安定
性も重要な要素となる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように有
機ＥＬ素子においては、キャリヤーの注入・輸送・再結
合が効率よくなされかつ励起状態からの発光効率が高い
という２つの条件を同時に満たす材料選択などが要求さ
れるが、従来このような最適な材料が選択されていない
ため発光効率の向上を達成することは困難であった。さ
らに、発光効率が低いことから発光に関与しない電流が
ジュール熱として消費され、この熱により有機薄膜の構
造変化が生じ、素子の寿命を制限していた。本発明はこ
のような問題を解決して、発光効率が高く、寿命が長い
有機ＥＬ素子を提供することを目的としている。
機ＥＬ素子においては、キャリヤーの注入・輸送・再結
合が効率よくなされかつ励起状態からの発光効率が高い
という２つの条件を同時に満たす材料選択などが要求さ
れるが、従来このような最適な材料が選択されていない
ため発光効率の向上を達成することは困難であった。さ
らに、発光効率が低いことから発光に関与しない電流が
ジュール熱として消費され、この熱により有機薄膜の構
造変化が生じ、素子の寿命を制限していた。本発明はこ
のような問題を解決して、発光効率が高く、寿命が長い
有機ＥＬ素子を提供することを目的としている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本願第１の発明の有機Ｅ
Ｌ素子は、電子注入用電極とホール注入用電極との間に
有機薄膜を挟んだ構造を有し、該有機薄膜が、前記電子
注入用電極に隣接する電子注入層と、前記ホール注入用
電極に隣接するホール注入層と、これらの中間に設けら
れた電子注入性分子とホール注入性分子との分子対を含
む再結合領域と、再結合領域で生成した励起状態からの
エネルギー移動により発光する発光サイトとを具備した
ことを特徴とするものである。
Ｌ素子は、電子注入用電極とホール注入用電極との間に
有機薄膜を挟んだ構造を有し、該有機薄膜が、前記電子
注入用電極に隣接する電子注入層と、前記ホール注入用
電極に隣接するホール注入層と、これらの中間に設けら
れた電子注入性分子とホール注入性分子との分子対を含
む再結合領域と、再結合領域で生成した励起状態からの
エネルギー移動により発光する発光サイトとを具備した
ことを特徴とするものである。
【００２０】本願第２の発明の有機ＥＬ素子は、電子注
入用電極とホール注入用電極との間に有機薄膜を挟んだ
構造を有し、該有機薄膜が、前記電子注入用電極に隣接
する電子注入層と、前記ホール注入用電極に隣接するホ
ール注入層と、これらの中間に設けられた再結合領域
と、前記電子注入層またはホール注入層中に含有され、
再結合領域で生成した励起状態からのエネルギー移動に
より発光する発光サイトとを具備したことを特徴とする
ものである。
入用電極とホール注入用電極との間に有機薄膜を挟んだ
構造を有し、該有機薄膜が、前記電子注入用電極に隣接
する電子注入層と、前記ホール注入用電極に隣接するホ
ール注入層と、これらの中間に設けられた再結合領域
と、前記電子注入層またはホール注入層中に含有され、
再結合領域で生成した励起状態からのエネルギー移動に
より発光する発光サイトとを具備したことを特徴とする
ものである。
【００２１】以下、本発明をさらに詳細に説明する。電
子注入用電極とは、マイナスバイアスを印加した際に有
機薄膜に電子を注入するための電極であり、仕事関数の
小さい電極または合金が選ばれる。さらに電子注入用電
極には光を反射させる機能を併せ持たせるため、Ａｌ、
Ｍｇ−Ａｇなどが用いられることが好ましい。ホール注
入用電極とは、プラスバイアスを印加した際に有機薄膜
にホールを注入するための電極であり、仕事関数が大き
い金属または合金が選ばれる。ホール注入用電極には、
例えば可視光を透過する性質を有するＩＴＯ、ＳｎＯ2
などが用いられる。
子注入用電極とは、マイナスバイアスを印加した際に有
機薄膜に電子を注入するための電極であり、仕事関数の
小さい電極または合金が選ばれる。さらに電子注入用電
極には光を反射させる機能を併せ持たせるため、Ａｌ、
Ｍｇ−Ａｇなどが用いられることが好ましい。ホール注
入用電極とは、プラスバイアスを印加した際に有機薄膜
にホールを注入するための電極であり、仕事関数が大き
い金属または合金が選ばれる。ホール注入用電極には、
例えば可視光を透過する性質を有するＩＴＯ、ＳｎＯ2
などが用いられる。
【００２２】電子注入用電極とホール注入用電極との間
に挟まれる有機薄膜としては、厚さ１μｍ以下の電気的
な欠陥のないものが用いられる。有機薄膜の各層は、１
種類の分子で構成されていてもよいし、２種類以上の分
子の積層膜または混合膜でもよい。このうち、電子注入
層とは、２つの電極に挟まれた有機薄膜のうち、主に電
子を注入・輸送する役割を果たしている領域であり、電
子注入性分子からなる。電子注入性分子とは、その分子
を主な構成成分として薄膜を形成し、電子注入用の電極
を接合したときに電子を注入し得る分子のことである。
これは、電子注入用電極の仕事関数をＥMe、有機分子が
薄膜において形成するバンド構造における伝導帯レベル
をＥC としたとき、およその目安として、ＥC −ＥMe＜
１．０ｅＶの関係を満たす材料である。また、ホール注
入層とは、２つの電極に挟まれた有機薄膜のうち、主に
ホールを注入・輸送する役割を果たしている領域であ
り、ホール注入性分子からなる。ホール注入性分子と
は、その分子を主な構成成分として薄膜を形成し、ホー
ル注入用電極を接合したときにホールを注入し得る分子
のことである。これは、ホール注入用電極の仕事関数を
ＥMh、有機分子が薄膜において形成するバンド構造にお
ける価電子帯レベルをＥV としたとき、およその目安と
して、ＥMh−ＥV ＜１．０ｅＶの関係を満たす材料であ
る。以上のような関係を満たしているかどうかは、変位
電流法を用いて確かめることができる。
に挟まれる有機薄膜としては、厚さ１μｍ以下の電気的
な欠陥のないものが用いられる。有機薄膜の各層は、１
種類の分子で構成されていてもよいし、２種類以上の分
子の積層膜または混合膜でもよい。このうち、電子注入
層とは、２つの電極に挟まれた有機薄膜のうち、主に電
子を注入・輸送する役割を果たしている領域であり、電
子注入性分子からなる。電子注入性分子とは、その分子
を主な構成成分として薄膜を形成し、電子注入用の電極
を接合したときに電子を注入し得る分子のことである。
これは、電子注入用電極の仕事関数をＥMe、有機分子が
薄膜において形成するバンド構造における伝導帯レベル
をＥC としたとき、およその目安として、ＥC −ＥMe＜
１．０ｅＶの関係を満たす材料である。また、ホール注
入層とは、２つの電極に挟まれた有機薄膜のうち、主に
ホールを注入・輸送する役割を果たしている領域であ
り、ホール注入性分子からなる。ホール注入性分子と
は、その分子を主な構成成分として薄膜を形成し、ホー
ル注入用電極を接合したときにホールを注入し得る分子
のことである。これは、ホール注入用電極の仕事関数を
ＥMh、有機分子が薄膜において形成するバンド構造にお
ける価電子帯レベルをＥV としたとき、およその目安と
して、ＥMh−ＥV ＜１．０ｅＶの関係を満たす材料であ
る。以上のような関係を満たしているかどうかは、変位
電流法を用いて確かめることができる。
【００２３】再結合領域とは、電子とホールとが再結合
する領域であり、この領域に存在する分子または分子対
（再結合サイト）が電子とホールとの再結合により励起
状態になる。励起状態とは、可視光領域のエネルギーに
対応する電子励起状態を意味する。再結合領域は、電子
注入層とホール注入層との間で明確な界面を持った区別
できる再結合層として構成されていてもよいし、電子注
入層とホール注入層との接合界面において電子注入性分
子とホール注入性分子との分子対の形態で形成されてい
てもよい。
する領域であり、この領域に存在する分子または分子対
（再結合サイト）が電子とホールとの再結合により励起
状態になる。励起状態とは、可視光領域のエネルギーに
対応する電子励起状態を意味する。再結合領域は、電子
注入層とホール注入層との間で明確な界面を持った区別
できる再結合層として構成されていてもよいし、電子注
入層とホール注入層との接合界面において電子注入性分
子とホール注入性分子との分子対の形態で形成されてい
てもよい。
【００２４】発光サイトとは、再結合領域における電子
とホールとの再結合により励起した再結合サイトからエ
ネルギー移動を受けて発光する分子または分子対を意味
する（以下発光サイトを単に発光性分子という場合があ
る）。ある分子が発光サイトとなるかどうかを判断する
には、ＥＬスペクトルとその分子の光励起による発光ス
ペクトルを比較することが有効であり、両者が一致すれ
ば発光サイトであるということができる。
とホールとの再結合により励起した再結合サイトからエ
ネルギー移動を受けて発光する分子または分子対を意味
する（以下発光サイトを単に発光性分子という場合があ
る）。ある分子が発光サイトとなるかどうかを判断する
には、ＥＬスペクトルとその分子の光励起による発光ス
ペクトルを比較することが有効であり、両者が一致すれ
ば発光サイトであるということができる。
【００２５】エネルギー移動とは、励起状態にある分子
または分子集合体（エネルギードナー）と他の基底状態
にある分子または分子集合体（エネルギーアクセプタ
ー）との間に働く双極子−双極子相互作用または多重極
子相互作用によって、励起エネルギーがドナーからアク
セプターへ移動する現象をいう。これらの相互作用は比
較的遠距離まで働き、ドナーとアクセプターとの重なり
（電子雲の重なり）を必要としない。その移動距離は、
相互作用半径Ｒによって定義され、一般にＲは１０ｎｍ
以下の範囲にある。
または分子集合体（エネルギードナー）と他の基底状態
にある分子または分子集合体（エネルギーアクセプタ
ー）との間に働く双極子−双極子相互作用または多重極
子相互作用によって、励起エネルギーがドナーからアク
セプターへ移動する現象をいう。これらの相互作用は比
較的遠距離まで働き、ドナーとアクセプターとの重なり
（電子雲の重なり）を必要としない。その移動距離は、
相互作用半径Ｒによって定義され、一般にＲは１０ｎｍ
以下の範囲にある。
【００２６】本発明に係る有機ＥＬ素子は、２つの電極
間に電圧が印加されて有機薄膜中へ電子とホールとが注
入され、再結合領域において電子とホールとが再結合す
ることによって再結合サイトが励起状態となり、その励
起エネルギーが発光サイトへエネルギー移動して発光す
るという機構で動作する。換言すれば、本発明の有機Ｅ
Ｌ素子は再結合までの過程を担う分子と発光の過程を担
う分子とが分離され、これらの２つ過程の間にエネルギ
ー移動が介在する、いわゆる機能分離型素子である。こ
のような機能分離型の有機ＥＬ素子の発光効率を上述し
た（１）式にならって表すと（２）式のようになる。こ
こで、励起状態の再結合サイトから発光サイトへのエネ
ルギー移動の効率をηETとする。
間に電圧が印加されて有機薄膜中へ電子とホールとが注
入され、再結合領域において電子とホールとが再結合す
ることによって再結合サイトが励起状態となり、その励
起エネルギーが発光サイトへエネルギー移動して発光す
るという機構で動作する。換言すれば、本発明の有機Ｅ
Ｌ素子は再結合までの過程を担う分子と発光の過程を担
う分子とが分離され、これらの２つ過程の間にエネルギ
ー移動が介在する、いわゆる機能分離型素子である。こ
のような機能分離型の有機ＥＬ素子の発光効率を上述し
た（１）式にならって表すと（２）式のようになる。こ
こで、励起状態の再結合サイトから発光サイトへのエネ
ルギー移動の効率をηETとする。
【００２７】 ηEL〜ηinj ×ηrec ×ηET×ηPL …（２） 本発明の有機ＥＬ素子は機能分離型であるため、２つの
過程の効率を向上させる手段に関しても分離して考える
ことができる。以下、本発明の有機ＥＬ素子において、
それぞれの過程の効率を向上させる方法について原理的
に説明する。
過程の効率を向上させる手段に関しても分離して考える
ことができる。以下、本発明の有機ＥＬ素子において、
それぞれの過程の効率を向上させる方法について原理的
に説明する。
【００２８】まず、再結合までの過程、すなわち（η
inj ×ηrec ）を向上させるためには、電子およびホー
ルが再結合領域へ効率よく注入され（ηinj が高い）、
再結合サイトが存在する層にバランスよく電子とホール
が存在し、電子とホールとが再結合サイトまで輸送され
て効率よく再結合する（ηrec が高い）ことが要求され
る。これらの条件は、再結合領域が両キャリヤー注入・
輸送性の点で十分な性質を示すことを意味する。
inj ×ηrec ）を向上させるためには、電子およびホー
ルが再結合領域へ効率よく注入され（ηinj が高い）、
再結合サイトが存在する層にバランスよく電子とホール
が存在し、電子とホールとが再結合サイトまで輸送され
て効率よく再結合する（ηrec が高い）ことが要求され
る。これらの条件は、再結合領域が両キャリヤー注入・
輸送性の点で十分な性質を示すことを意味する。
【００２９】また、発光の過程の効率を向上させるため
には、エネルギー移動の効率ηETおよび発光サイトの発
光効率ηPLを向上させることが必要である。以下、ηET
を考慮しつつηPLを向上させる方法について説明する。
有機分子のηPLは、孤立状態すなわち気体状態や希薄溶
液では９０％を超えるものも珍しくないが、アモルファ
ス薄膜にするとほとんどが３０％未満に低下する。この
低下の原因としては、隣接する分子の相互作用が考えら
れる。分子の相互作用はそのエネルギーレベルが近いほ
ど大きい。すなわち、同種の分子同士の相互作用は大き
いが、異種の分子同士の相互作用であれば小さくするこ
とができる。したがって、周囲の分子に対して発光性分
子が疑似的な孤立状態となるようにドーピングすれば、
ηPLを向上させることができる。ドーピングの方法とし
ては、発光サイトを孤立分子として分散させてもよい
し、微結晶として分散させてもよい。微結晶として分散
させる場合には、その最大粒径を１０ｎｍ以下とし、か
つ電気的な欠陥をなくすために周囲の領域がアモルファ
ス構造であることが好ましい。なお、再結合サイトと発
光サイトとの距離は、１０ｎｍ以下であることが好まし
い。これは、再結合サイトと発光サイトとの距離が大き
くなると、エネルギー移動の効率ηETが指数関数的に減
少するからである。また、発光サイトを含有する層の再
結合領域からの距離が１０ｎｍ以内の範囲内での発光性
分子の濃度は０．５〜５ｍｏｌ％であることが望まし
い。これよりも濃度が低いと、再結合サイトから発光サ
イトへのエネルギー移動の効率が下がるためηETが低下
する。また、これよりも濃度が高いと、発光サイトを孤
立させることができないためηPLが低下する。上記の範
囲の濃度であれば、（ηET×ηPL）ひいてはこれに比例
するηELが極大値をもつので好ましい。
には、エネルギー移動の効率ηETおよび発光サイトの発
光効率ηPLを向上させることが必要である。以下、ηET
を考慮しつつηPLを向上させる方法について説明する。
有機分子のηPLは、孤立状態すなわち気体状態や希薄溶
液では９０％を超えるものも珍しくないが、アモルファ
ス薄膜にするとほとんどが３０％未満に低下する。この
低下の原因としては、隣接する分子の相互作用が考えら
れる。分子の相互作用はそのエネルギーレベルが近いほ
ど大きい。すなわち、同種の分子同士の相互作用は大き
いが、異種の分子同士の相互作用であれば小さくするこ
とができる。したがって、周囲の分子に対して発光性分
子が疑似的な孤立状態となるようにドーピングすれば、
ηPLを向上させることができる。ドーピングの方法とし
ては、発光サイトを孤立分子として分散させてもよい
し、微結晶として分散させてもよい。微結晶として分散
させる場合には、その最大粒径を１０ｎｍ以下とし、か
つ電気的な欠陥をなくすために周囲の領域がアモルファ
ス構造であることが好ましい。なお、再結合サイトと発
光サイトとの距離は、１０ｎｍ以下であることが好まし
い。これは、再結合サイトと発光サイトとの距離が大き
くなると、エネルギー移動の効率ηETが指数関数的に減
少するからである。また、発光サイトを含有する層の再
結合領域からの距離が１０ｎｍ以内の範囲内での発光性
分子の濃度は０．５〜５ｍｏｌ％であることが望まし
い。これよりも濃度が低いと、再結合サイトから発光サ
イトへのエネルギー移動の効率が下がるためηETが低下
する。また、これよりも濃度が高いと、発光サイトを孤
立させることができないためηPLが低下する。上記の範
囲の濃度であれば、（ηET×ηPL）ひいてはこれに比例
するηELが極大値をもつので好ましい。
【００３０】以下、本発明において採用された、有機Ｅ
Ｌ素子の発光効率を向上させるための具体的な手段につ
いてより詳細に説明する。まず、本願第１の発明の有機
ＥＬ素子について説明する。本願第１の発明は、再結合
領域を電子注入性分子とホール注入性分子との分子対で
構成することにより両キャリヤー注入・輸送・再結合の
効率を高め、一方発光性分子をドーピングすることによ
り光励起による発光効率を高めて、有機ＥＬ素子の発光
効率を全体的に向上させるものである。この場合、再結
合領域は電子注入性分子とホール性注入分子との混合物
からなる明確に区別できる再結合層でもよいし、電子注
入層とホール注入層との接合界面における分子対の形態
でもよい。なお、再結合領域において、電子注入性分子
は電子注入層を構成する分子と同じ分子であってもよい
し異なる分子であってもよく、同様にホール注入性分子
はホール注入層を構成する分子と同じ分子であってもよ
いし異なる分子であってもよい。
Ｌ素子の発光効率を向上させるための具体的な手段につ
いてより詳細に説明する。まず、本願第１の発明の有機
ＥＬ素子について説明する。本願第１の発明は、再結合
領域を電子注入性分子とホール注入性分子との分子対で
構成することにより両キャリヤー注入・輸送・再結合の
効率を高め、一方発光性分子をドーピングすることによ
り光励起による発光効率を高めて、有機ＥＬ素子の発光
効率を全体的に向上させるものである。この場合、再結
合領域は電子注入性分子とホール性注入分子との混合物
からなる明確に区別できる再結合層でもよいし、電子注
入層とホール注入層との接合界面における分子対の形態
でもよい。なお、再結合領域において、電子注入性分子
は電子注入層を構成する分子と同じ分子であってもよい
し異なる分子であってもよく、同様にホール注入性分子
はホール注入層を構成する分子と同じ分子であってもよ
いし異なる分子であってもよい。
【００３１】このような再結合領域キャリヤー注入特性
に関しては、電子注入性の強さは電子注入性分子の単独
膜の伝導帯レベルＥC （Ａ）、ホール注入性の強さはホ
ール注入性分子の単独膜の価電子帯レベルＥV （Ｄ）を
反映する。
に関しては、電子注入性の強さは電子注入性分子の単独
膜の伝導帯レベルＥC （Ａ）、ホール注入性の強さはホ
ール注入性分子の単独膜の価電子帯レベルＥV （Ｄ）を
反映する。
【００３２】本願第１の発明において、電子とホールが
再結合して生成される励起状態は、電子注入性分子とホ
ール注入性分子との分子対からなるエキサイプレックス
である。エキサイプレックスとは、基底状態では電子的
な相互作用を持たず解離性である２種類の分子が、電子
注入性の強い分子がマイナスの電荷を帯び、ホール注入
性の強い分子がプラスの電荷を帯びてゆるく結合した錯
体である。エキサイプレックスは、光励起によっても、
またＥＬ素子のように電流を注入した結果としても生成
し得る。光励起によって生成する場合には、電子注入性
分子（Ａ）を選択的に光励起した場合にはＡの励起状態
からの電子移動の結果として、ホール注入性分子（Ｄ）
を選択的に光励起した場合にはＤの励起状態からのホー
ル移動の結果として、エキサイプレックスが生成する。
ＥＬ素子においては、電子注入性分子（Ａ）とホール注
入性分子（Ｄ）との界面において、Ａのマイナスイオン
とＤのプラスイオンが衝突した結果としてエキサイプレ
ックスが生成する。このとき、電子注入性分子（Ａ）と
ホール注入性分子（Ｄ）とのキャリヤーに対しブロッキ
ング性を持つ接合が形成されて接合界面にキャリヤーが
蓄積されるので、キャリヤーの再結合効率が高められ
る。
再結合して生成される励起状態は、電子注入性分子とホ
ール注入性分子との分子対からなるエキサイプレックス
である。エキサイプレックスとは、基底状態では電子的
な相互作用を持たず解離性である２種類の分子が、電子
注入性の強い分子がマイナスの電荷を帯び、ホール注入
性の強い分子がプラスの電荷を帯びてゆるく結合した錯
体である。エキサイプレックスは、光励起によっても、
またＥＬ素子のように電流を注入した結果としても生成
し得る。光励起によって生成する場合には、電子注入性
分子（Ａ）を選択的に光励起した場合にはＡの励起状態
からの電子移動の結果として、ホール注入性分子（Ｄ）
を選択的に光励起した場合にはＤの励起状態からのホー
ル移動の結果として、エキサイプレックスが生成する。
ＥＬ素子においては、電子注入性分子（Ａ）とホール注
入性分子（Ｄ）との界面において、Ａのマイナスイオン
とＤのプラスイオンが衝突した結果としてエキサイプレ
ックスが生成する。このとき、電子注入性分子（Ａ）と
ホール注入性分子（Ｄ）とのキャリヤーに対しブロッキ
ング性を持つ接合が形成されて接合界面にキャリヤーが
蓄積されるので、キャリヤーの再結合効率が高められ
る。
【００３３】エキサイプレックスの発光波長は、ＥV
（Ｄ）とＥC （Ａ）のエネルギー差を反映する。すなわ
ち、エキサイプレックスからの発光波長のエネルギーを
ｈνとすると、ｈν〜ＥV −ＥC −δ（ここで、δはス
トークスシフト）となる。よって、所望の発光波長が決
まれば、所望の電子注入性、ホール注入性を加味するこ
とにより、分子の組み合わせがある程度決まる。
（Ｄ）とＥC （Ａ）のエネルギー差を反映する。すなわ
ち、エキサイプレックスからの発光波長のエネルギーを
ｈνとすると、ｈν〜ＥV −ＥC −δ（ここで、δはス
トークスシフト）となる。よって、所望の発光波長が決
まれば、所望の電子注入性、ホール注入性を加味するこ
とにより、分子の組み合わせがある程度決まる。
【００３４】本願第１の発明においては、エキサイプレ
ックスから発光サイトへのエネルギー移動により発光を
取り出す。エネルギー移動は、常にエネルギーの大きい
状態から小さい状態へ向かうので、エネルギー移動の結
果得られる発光のエネルギーは、常にエキサイプレック
スからの発光のエネルギーより小さくなる。したがっ
て、本願第１の発明の有機ＥＬ素子について発光波長を
設計しようとする場合、所望の発光のエネルギーよりも
大きなエネルギーのエキサイプレックスを生成するよう
なＡとＤを選択する。
ックスから発光サイトへのエネルギー移動により発光を
取り出す。エネルギー移動は、常にエネルギーの大きい
状態から小さい状態へ向かうので、エネルギー移動の結
果得られる発光のエネルギーは、常にエキサイプレック
スからの発光のエネルギーより小さくなる。したがっ
て、本願第１の発明の有機ＥＬ素子について発光波長を
設計しようとする場合、所望の発光のエネルギーよりも
大きなエネルギーのエキサイプレックスを生成するよう
なＡとＤを選択する。
【００３５】以下、本願第１の発明の有機ＥＬ素子に用
いられる具体的な材料について説明する。まず、適当な
電子注入性分子（Ａ）およびホール注入性分子（Ｄ）を
選択することによって、両キャリヤー注入特性すなわち
再結合領域の価電子帯レベル（ＥV ）および伝導帯レベ
ル（ＥC ）、ならびにエキサイプレックスの発光波長を
最適に設計することができる。また、両者の混合比率に
よって、両キャリヤー輸送特性、すなわち電子移動度μ
e とホール移動度μh を最適化することができる。以
下、本発明に用いられる電子注入性分子（Ａ）とホール
注入性分子（Ｄ）をより具体的に例示する。
いられる具体的な材料について説明する。まず、適当な
電子注入性分子（Ａ）およびホール注入性分子（Ｄ）を
選択することによって、両キャリヤー注入特性すなわち
再結合領域の価電子帯レベル（ＥV ）および伝導帯レベ
ル（ＥC ）、ならびにエキサイプレックスの発光波長を
最適に設計することができる。また、両者の混合比率に
よって、両キャリヤー輸送特性、すなわち電子移動度μ
e とホール移動度μh を最適化することができる。以
下、本発明に用いられる電子注入性分子（Ａ）とホール
注入性分子（Ｄ）をより具体的に例示する。
【００３６】電子注入性分子を、電子注入性の強い順す
なわち薄膜状態において形成されるバンド構造における
伝導帯レベルの真空準位からの差（ＥC ）が大きい順に
以下に示す。これらは、ペンタセンテトロン（Ａ１）、
ジフェニルナフタレンテトラカルボキシイミド（Ａ
２）、アロキサジン（Ａ３）、ペリレンテトラカルボキ
シイミド（Ａ４）、ｐ−ビニルシアノアルキルエステル
（Ａ５）、シアヌイック酸トリフェニルイミド（Ａ
６）、Ｎ−フェニルナフタレンジカルボキシイミド（Ａ
７）、ピペロナールビニルシアノアルキルエステル（Ａ
８）、ＰＹ（Ａ９）、ジフェニルオキサジアゾール（Ａ
１０）、ベンズオキサゾール（Ａ１１）、ジフェニルオ
キサゾール（Ａ１２）、ヘキサフェニルベンゼン（Ａ１
３）である。
なわち薄膜状態において形成されるバンド構造における
伝導帯レベルの真空準位からの差（ＥC ）が大きい順に
以下に示す。これらは、ペンタセンテトロン（Ａ１）、
ジフェニルナフタレンテトラカルボキシイミド（Ａ
２）、アロキサジン（Ａ３）、ペリレンテトラカルボキ
シイミド（Ａ４）、ｐ−ビニルシアノアルキルエステル
（Ａ５）、シアヌイック酸トリフェニルイミド（Ａ
６）、Ｎ−フェニルナフタレンジカルボキシイミド（Ａ
７）、ピペロナールビニルシアノアルキルエステル（Ａ
８）、ＰＹ（Ａ９）、ジフェニルオキサジアゾール（Ａ
１０）、ベンズオキサゾール（Ａ１１）、ジフェニルオ
キサゾール（Ａ１２）、ヘキサフェニルベンゼン（Ａ１
３）である。
【００３７】
【化４】
【００３８】
【化５】
【００３９】
【化６】
【００４０】ホール注入性分子を、ホール注入性の弱い
順すなわち薄膜状態において形成されるバンド構造にお
ける価電子帯レベルの真空準位からの差（ＥV ）が大き
い順に以下に示す。これらは、ＴＰＣＰ（Ｄ１）、トリ
フェニルメタン（Ｄ２）、テトラフェニルエチレン（Ｄ
３）、トリフェニルアミン（Ｄ４）、ジアルキルフェニ
ルアミン（Ｄ５）、キナクリドン（Ｄ６）である。
順すなわち薄膜状態において形成されるバンド構造にお
ける価電子帯レベルの真空準位からの差（ＥV ）が大き
い順に以下に示す。これらは、ＴＰＣＰ（Ｄ１）、トリ
フェニルメタン（Ｄ２）、テトラフェニルエチレン（Ｄ
３）、トリフェニルアミン（Ｄ４）、ジアルキルフェニ
ルアミン（Ｄ５）、キナクリドン（Ｄ６）である。
【００４１】
【化７】
【００４２】
【化８】
【００４３】以上では基本的な骨格のみを例示したが、
これらの基本骨格の２量体や３量体、またはこれらの基
本骨格から選択される２種以上の基本骨格を組み合わせ
たものを用いることもできる。
これらの基本骨格の２量体や３量体、またはこれらの基
本骨格から選択される２種以上の基本骨格を組み合わせ
たものを用いることもできる。
【００４４】次に、電子注入性分子（Ａ）とホール注入
性分子（Ｄ）との混合物からなる再結合層におけるＡと
Ｄとの混合比について説明する。この混合比により、電
子移動度μe およびホール移動度μh を制御でき、ひい
てはηrec を向上できる。一般的には、再結合層の電子
移動度、ホール移動度は桁として同程度となるように設
計される。しかし、ホール移動度の大きい材料は多い
が、電子移動度の大きい材料は少ない。このため、Ａと
Ｄとを等量ずつ混合した場合、μh はμe に比べ１〜２
桁大きい値となる場合がある。この場合、μh とμe を
同程度にするためには、Ｄのモル濃度を少なくする、具
体的にはＤのモル濃度を５〜３０％にすることが有効で
ある。
性分子（Ｄ）との混合物からなる再結合層におけるＡと
Ｄとの混合比について説明する。この混合比により、電
子移動度μe およびホール移動度μh を制御でき、ひい
てはηrec を向上できる。一般的には、再結合層の電子
移動度、ホール移動度は桁として同程度となるように設
計される。しかし、ホール移動度の大きい材料は多い
が、電子移動度の大きい材料は少ない。このため、Ａと
Ｄとを等量ずつ混合した場合、μh はμe に比べ１〜２
桁大きい値となる場合がある。この場合、μh とμe を
同程度にするためには、Ｄのモル濃度を少なくする、具
体的にはＤのモル濃度を５〜３０％にすることが有効で
ある。
【００４５】また、効率を向上させるために、ＤとＡと
の組み合わせや素子構造を適宜設計することにより、桁
としては同じ範囲を保ちつつ、μh ＞μe やμh ＜μe
となるよう微調整することもできる。例えば、再結合層
の電子注入性の強さがホール注入性の強さに比べて弱い
とき、すなわちＥMe−ＥC （Ａ）＞ＥMh−ＥV （Ｄ）の
とき、再結合層へのホール注入量が電子注入量に比べて
多くなる。この場合、μh ＜μe に設定して素子動作時
における再結合層でのホールの滞在時間を長くすること
が有効である。同様に、再結合層のホール注入性の強さ
が電子注入性の強さに比べて弱いとき、すなわちＥMe−
ＥC （Ａ）＞ＥMh−ＥV （Ｄ）のとき、再結合層におけ
る電子注入量がホール注入量に比べて多くなる。この場
合、μh＞μe として、素子動作時における再結合層で
の電子の滞在時間を長くすることが有効である。
の組み合わせや素子構造を適宜設計することにより、桁
としては同じ範囲を保ちつつ、μh ＞μe やμh ＜μe
となるよう微調整することもできる。例えば、再結合層
の電子注入性の強さがホール注入性の強さに比べて弱い
とき、すなわちＥMe−ＥC （Ａ）＞ＥMh−ＥV （Ｄ）の
とき、再結合層へのホール注入量が電子注入量に比べて
多くなる。この場合、μh ＜μe に設定して素子動作時
における再結合層でのホールの滞在時間を長くすること
が有効である。同様に、再結合層のホール注入性の強さ
が電子注入性の強さに比べて弱いとき、すなわちＥMe−
ＥC （Ａ）＞ＥMh−ＥV （Ｄ）のとき、再結合層におけ
る電子注入量がホール注入量に比べて多くなる。この場
合、μh＞μe として、素子動作時における再結合層で
の電子の滞在時間を長くすることが有効である。
【００４６】また、有機薄膜間の接合状態がキャリヤー
の閉じ込めにとっては不利である場合にも、μe および
μh を調節することによりキャリヤーの閉じ込めを実現
できる。具体的には、ポリマー中にＤとＡとを分散させ
て、μh およびμe の両方を小さくする。このようにし
て、キャリヤー注入層におけるμe 、μh に比べて、再
結合層のμe 、μh を小さくすることができる。ただ
し、この場合、ポリマーに対するＤとＡの含有量の和は
１０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。使用できるポ
リマーとしては、ポリスチレン、ポリ（ｐ−ｔ−ブチル
スチレン）、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（ビニ
ルトルエン）、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ
（アクリロニトリル）共重合体、ポリ（酢酸ビニル）、
および縮合重合体、例えばポリエステル、ポリカーボネ
ート、ポリイミドおよびポリスルホンなどがある。ま
た、キャリヤー注入層において所定の分散量でＤやＡを
ポリマー中へ分散させれば、電子注入層とホール注入層
との接合界面で分子対が形成されて再結合領域となる場
合についても、上述したように再結合層でＡとＤとの混
合比を調整したときと同様の制御を行うことができる。
の閉じ込めにとっては不利である場合にも、μe および
μh を調節することによりキャリヤーの閉じ込めを実現
できる。具体的には、ポリマー中にＤとＡとを分散させ
て、μh およびμe の両方を小さくする。このようにし
て、キャリヤー注入層におけるμe 、μh に比べて、再
結合層のμe 、μh を小さくすることができる。ただ
し、この場合、ポリマーに対するＤとＡの含有量の和は
１０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。使用できるポ
リマーとしては、ポリスチレン、ポリ（ｐ−ｔ−ブチル
スチレン）、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（ビニ
ルトルエン）、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ
（アクリロニトリル）共重合体、ポリ（酢酸ビニル）、
および縮合重合体、例えばポリエステル、ポリカーボネ
ート、ポリイミドおよびポリスルホンなどがある。ま
た、キャリヤー注入層において所定の分散量でＤやＡを
ポリマー中へ分散させれば、電子注入層とホール注入層
との接合界面で分子対が形成されて再結合領域となる場
合についても、上述したように再結合層でＡとＤとの混
合比を調整したときと同様の制御を行うことができる。
【００４７】本願第１の発明においては、エキサイプレ
ックス発光が仮に生じた場合、所望の発光波長より短波
長の発光波長が得られるようなＡとＤの組み合わせを選
択する。以下、電子注入性分子（Ａ）とホール注入性分
子（Ｄ）との組み合わせで得られるエキサイプレックス
発光波長を表１に例示する。
ックス発光が仮に生じた場合、所望の発光波長より短波
長の発光波長が得られるようなＡとＤの組み合わせを選
択する。以下、電子注入性分子（Ａ）とホール注入性分
子（Ｄ）との組み合わせで得られるエキサイプレックス
発光波長を表１に例示する。
【００４８】
【表１】
【００４９】
【化９】
【００５０】
【化１０】
【００５１】本願第１の発明において、発光サイトとな
る分子としては、孤立状態（希薄状態）または微結晶状
態でηPLが高いものが選ばれる。具体的には、再結合領
域で生成するエキサイプレックスのηPLよりも高いηPL
を有する発光性分子が用いられ、孤立状態または微結晶
状態でのηPLが２０％以上、さらには５０％以上である
ことが好ましい。このような分子としては、「化１１」
〜「化１６」に示すような芳香族系の分子、シンチレー
タ用分子、レーザー色素などがある。すなわち、ルブレ
ン（Ｌ１）、フルオレン誘導体（Ｌ２）、ペリレン（Ｌ
３）、９，１０−ジメチルアントラセン（Ｌ４）、９，
１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン（Ｌ
５）、２，５−ジフェニルフラン（ＰＰＦ，Ｌ６）、
２，５−ジフェニルオキサゾール（ＰＰＯ，Ｌ７）、２
−（１−ナフチル）−５−フェニルオキサゾール（α−
ＮＰＯ，Ｌ８）、２−（４−ビフェニリル）オキサゾー
ル（ＢＰＯ，Ｌ９）、２，５−ジ−（４−ビフェニリ
ル）オキサゾール（ＢＢＯ，Ｌ１０）、２，５−ジフェ
ニル−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＰＤ，Ｌ１
１）、２−（１−ナフチル）−５−フェニル−１，３，
４−オキサジアゾール（α−ＮＰＤ，Ｌ１２）、２−
（２−ナフチル）−５−フェニル−１，３，４−オキサ
ジアゾール（β−ＮＰＤ，Ｌ１３）、２−フェニル−５
−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル（ＰＢＤ，Ｌ１４）、２，５−ジ−（４−ビフェニリ
ル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＢＤ，Ｌ１
５）、２，５−ジ−（１−ナフチル）−１，３，４−オ
キサジアゾール（α−ＮＮＤ，Ｌ１６）、２，５−ジ−
（２−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（β
−ＮＮＤ，Ｌ１７）、１，４−ビス−［２−（５−フェ
ニルオキサゾリル）］ベンゼン（ＰＯＰＯＰ，Ｌ１
８）、１，４−ビス−［２−（４−メチル−５−フェニ
ルオキサゾリル）］ベンゼン（ジメチルＰＯＰＯＰ，Ｌ
１９）、ビス−（イソプロピルスチリル）ベンゼン（Ｂ
ＰＳＢ，Ｌ２０）、２，５−ビス−［５−ｔ−ブチルベ
ンゾオキサゾリル（２）］チオフェン（ＢＢＯＴ，Ｌ２
１）、ジフェニルスチルベン（ＤＰＳ，Ｌ２２）、ｐ−
ターフェニル（Ｌ２３）、ヘキサフェニル（Ｌ２４）、
ペンタフェニル（Ｌ２５）、ジアルコキシポリフェニル
（Ｌ２６）、９−アミノアクリドン（Ｌ２７）、ローダ
ミンＢ（Ｌ２８）、９，１０−ジフェニルアントラセン
（Ｌ２９）、アクリドン（Ｌ３０）、オキサジン（Ｌ３
１）、ＤＣＭ（Ｌ３２）などが挙げられる。
る分子としては、孤立状態（希薄状態）または微結晶状
態でηPLが高いものが選ばれる。具体的には、再結合領
域で生成するエキサイプレックスのηPLよりも高いηPL
を有する発光性分子が用いられ、孤立状態または微結晶
状態でのηPLが２０％以上、さらには５０％以上である
ことが好ましい。このような分子としては、「化１１」
〜「化１６」に示すような芳香族系の分子、シンチレー
タ用分子、レーザー色素などがある。すなわち、ルブレ
ン（Ｌ１）、フルオレン誘導体（Ｌ２）、ペリレン（Ｌ
３）、９，１０−ジメチルアントラセン（Ｌ４）、９，
１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン（Ｌ
５）、２，５−ジフェニルフラン（ＰＰＦ，Ｌ６）、
２，５−ジフェニルオキサゾール（ＰＰＯ，Ｌ７）、２
−（１−ナフチル）−５−フェニルオキサゾール（α−
ＮＰＯ，Ｌ８）、２−（４−ビフェニリル）オキサゾー
ル（ＢＰＯ，Ｌ９）、２，５−ジ−（４−ビフェニリ
ル）オキサゾール（ＢＢＯ，Ｌ１０）、２，５−ジフェ
ニル−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＰＤ，Ｌ１
１）、２−（１−ナフチル）−５−フェニル−１，３，
４−オキサジアゾール（α−ＮＰＤ，Ｌ１２）、２−
（２−ナフチル）−５−フェニル−１，３，４−オキサ
ジアゾール（β−ＮＰＤ，Ｌ１３）、２−フェニル−５
−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル（ＰＢＤ，Ｌ１４）、２，５−ジ−（４−ビフェニリ
ル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＢＤ，Ｌ１
５）、２，５−ジ−（１−ナフチル）−１，３，４−オ
キサジアゾール（α−ＮＮＤ，Ｌ１６）、２，５−ジ−
（２−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（β
−ＮＮＤ，Ｌ１７）、１，４−ビス−［２−（５−フェ
ニルオキサゾリル）］ベンゼン（ＰＯＰＯＰ，Ｌ１
８）、１，４−ビス−［２−（４−メチル−５−フェニ
ルオキサゾリル）］ベンゼン（ジメチルＰＯＰＯＰ，Ｌ
１９）、ビス−（イソプロピルスチリル）ベンゼン（Ｂ
ＰＳＢ，Ｌ２０）、２，５−ビス−［５−ｔ−ブチルベ
ンゾオキサゾリル（２）］チオフェン（ＢＢＯＴ，Ｌ２
１）、ジフェニルスチルベン（ＤＰＳ，Ｌ２２）、ｐ−
ターフェニル（Ｌ２３）、ヘキサフェニル（Ｌ２４）、
ペンタフェニル（Ｌ２５）、ジアルコキシポリフェニル
（Ｌ２６）、９−アミノアクリドン（Ｌ２７）、ローダ
ミンＢ（Ｌ２８）、９，１０−ジフェニルアントラセン
（Ｌ２９）、アクリドン（Ｌ３０）、オキサジン（Ｌ３
１）、ＤＣＭ（Ｌ３２）などが挙げられる。
【００５２】
【化１１】
【００５３】
【化１２】
【００５４】
【化１３】
【００５５】
【化１４】
【００５６】
【化１５】
【００５７】
【化１６】
【００５８】発光性分子は発光波長、キャリヤー注入特
性、極性に留意して選択することが好ましい。所望の発
光波長を得るには、再結合領域におけるエキサイプレッ
クスのエネルギーよりも小さい光学バンドギャップを有
する発光性分子を選択する。注入特性に関しては、周囲
の分子（以下、ホストという）と発光サイトとで性質が
大きく異なると、ホストと発光サイトとの間のエキサイ
プレックス発光が生じ、発光サイトが本来有する高いη
PLを生かすことができなくなるおそれがある。これを避
けるためには、ホストおよび発光サイト（ドーパント）
の価電子帯レベルをそれぞれＥV(Host) 、ＥV(dop)、ホ
ストおよび発光サイト（ドーパント）の伝導帯レベルを
それぞれＥC(Host) 、ＥC(dop)とするとき、 ＥV(dop)−ＥV(Host) ＜０．６ｅＶ ＥC(Host) −ＥC(dop)＜０．６ｅＶ の少なくともいずれか一方の関係を満たすことが好まし
い。また、発光サイトを含有する層と隣接する層との間
でのエキサイプレックス発光を避けるため、これらの界
面より０．５ｎｍ以内には発光性分子がドーピングされ
ないことが望ましい。さらに、ホストと発光サイトとの
極性に関しては、互いに近似している場合ほどηPLは高
くなるので好ましい。これは、ホストと発光サイトの極
性が大きく異なると、発光サイト同士の会合が促進され
るからである。
性、極性に留意して選択することが好ましい。所望の発
光波長を得るには、再結合領域におけるエキサイプレッ
クスのエネルギーよりも小さい光学バンドギャップを有
する発光性分子を選択する。注入特性に関しては、周囲
の分子（以下、ホストという）と発光サイトとで性質が
大きく異なると、ホストと発光サイトとの間のエキサイ
プレックス発光が生じ、発光サイトが本来有する高いη
PLを生かすことができなくなるおそれがある。これを避
けるためには、ホストおよび発光サイト（ドーパント）
の価電子帯レベルをそれぞれＥV(Host) 、ＥV(dop)、ホ
ストおよび発光サイト（ドーパント）の伝導帯レベルを
それぞれＥC(Host) 、ＥC(dop)とするとき、 ＥV(dop)−ＥV(Host) ＜０．６ｅＶ ＥC(Host) −ＥC(dop)＜０．６ｅＶ の少なくともいずれか一方の関係を満たすことが好まし
い。また、発光サイトを含有する層と隣接する層との間
でのエキサイプレックス発光を避けるため、これらの界
面より０．５ｎｍ以内には発光性分子がドーピングされ
ないことが望ましい。さらに、ホストと発光サイトとの
極性に関しては、互いに近似している場合ほどηPLは高
くなるので好ましい。これは、ホストと発光サイトの極
性が大きく異なると、発光サイト同士の会合が促進され
るからである。
【００５９】次に、本願第２の発明の有機ＥＬ素子につ
いて説明する。本願第２の発明は、再結合領域とは別の
電子注入層またはホール注入層中に、再結合領域で生成
した励起状態からのエネルギー移動により発光する発光
サイトを含有させたものである。このような構造の有機
ＥＬ素子では、以下に述べるように素子駆動の結果とし
て生じるおそれのある悪影響を回避できる。すなわち、
有機ＥＬ素子の動作時において、再結合領域では電子と
ホールとの再結合により、トリプレット励起状態（Ｔ）
とシングレット励起状態（Ｓ）とが、Ｔ：Ｓ＝３：１の
割合で生成する。Ｔはスピン禁制のため、数μｓ〜数ｍ
ｓの長い自然寿命を持ち、これより圧倒的に早い無輻射
失活過程によりほとんどが熱に変化する。この発熱によ
り、再結合領域の温度が上昇し、さらに無輻射過程の速
度を増大させるためηPLが低下する傾向がある。また、
再結合領域においては、電子およびホールが狭い領域に
多数存在するため、局所的に１０6 Ｖ／ｃｍ以上の大き
な電界強度が印加される結果、分子構造に歪みが生じ、
ηPLが減少する。本願第２の発明においては、発光サイ
トを再結合領域とは異なる層であるキャリヤー注入層に
含有させているので、局所的な温度上昇、大きな電場印
加を避けることができ、素子駆動時のηPLの低下を防ぐ
ことができる。
いて説明する。本願第２の発明は、再結合領域とは別の
電子注入層またはホール注入層中に、再結合領域で生成
した励起状態からのエネルギー移動により発光する発光
サイトを含有させたものである。このような構造の有機
ＥＬ素子では、以下に述べるように素子駆動の結果とし
て生じるおそれのある悪影響を回避できる。すなわち、
有機ＥＬ素子の動作時において、再結合領域では電子と
ホールとの再結合により、トリプレット励起状態（Ｔ）
とシングレット励起状態（Ｓ）とが、Ｔ：Ｓ＝３：１の
割合で生成する。Ｔはスピン禁制のため、数μｓ〜数ｍ
ｓの長い自然寿命を持ち、これより圧倒的に早い無輻射
失活過程によりほとんどが熱に変化する。この発熱によ
り、再結合領域の温度が上昇し、さらに無輻射過程の速
度を増大させるためηPLが低下する傾向がある。また、
再結合領域においては、電子およびホールが狭い領域に
多数存在するため、局所的に１０6 Ｖ／ｃｍ以上の大き
な電界強度が印加される結果、分子構造に歪みが生じ、
ηPLが減少する。本願第２の発明においては、発光サイ
トを再結合領域とは異なる層であるキャリヤー注入層に
含有させているので、局所的な温度上昇、大きな電場印
加を避けることができ、素子駆動時のηPLの低下を防ぐ
ことができる。
【００６０】本願第２の発明においては、電子注入層に
用いられる電子注入性分子（Ａ）、ホール注入層に用い
られるホール注入性分子（Ｄ）、および発光サイトとし
て用いられる発光性分子は、基本的には本願第１の発明
と同様のものが用いられる。一方、再結合領域を構成す
る分子または分子対としては特に限定されないが、ＥC
−ＥMe＜１．０ｅＶかつＥMh−ＥV ＜１．０ｅＶの関係
を満足する両キャリヤー注入性分子を用いることが好ま
しく、さらには（ηinj ×ηrec ）の高いものを用いる
ことがより好ましい。ただし、発光性分子を電子注入
層、ホール注入層のいずれに含有させる場合にも、発光
サイトと周囲の分子（電子注入性分子またはホール注入
性分子）との間のエキサイプレックス発光が生じない材
料を選択することが好ましい。この場合にも、上述した
ように ＥV(dop)−ＥV(Host) ＜０．６ｅＶ ＥC(Host) −ＥC(dop)＜０．６ｅＶ の少なくともいずれか一方の関係を満たすことが好まし
い。
用いられる電子注入性分子（Ａ）、ホール注入層に用い
られるホール注入性分子（Ｄ）、および発光サイトとし
て用いられる発光性分子は、基本的には本願第１の発明
と同様のものが用いられる。一方、再結合領域を構成す
る分子または分子対としては特に限定されないが、ＥC
−ＥMe＜１．０ｅＶかつＥMh−ＥV ＜１．０ｅＶの関係
を満足する両キャリヤー注入性分子を用いることが好ま
しく、さらには（ηinj ×ηrec ）の高いものを用いる
ことがより好ましい。ただし、発光性分子を電子注入
層、ホール注入層のいずれに含有させる場合にも、発光
サイトと周囲の分子（電子注入性分子またはホール注入
性分子）との間のエキサイプレックス発光が生じない材
料を選択することが好ましい。この場合にも、上述した
ように ＥV(dop)−ＥV(Host) ＜０．６ｅＶ ＥC(Host) −ＥC(dop)＜０．６ｅＶ の少なくともいずれか一方の関係を満たすことが好まし
い。
【００６１】また、再結合領域を構成する分子と発光性
分子とは、励起エネルギー移動が効率よく起こるような
組み合わせであることが好ましい。その程度は相互作用
半径Ｒで定義され、Ｒが大きいほど好ましい。この場
合、再結合領域を構成する分子（エネルギードナー）の
バンドギャップをＥg （ＥＤ）、発光性分子（エネルギ
ーアクセプター）のバンドギャップをＥg （ＥＡ）とす
るとき、 Ｅg （ＥＤ）≧Ｅg （ＥＡ） の関係が満足される必要がある。実際に材料を選定する
にあたっては、エネルギードナーのＰＬ発光スペクトル
とエネルギーアクセプターの吸収スペクトルとが波長的
に重なっていることが条件となる。Ｒを大きくするため
には、その重なりの度合いが大きいこと、エネルギード
ナーのＰＬ発光スペクトルの量子効率が高いこと、エネ
ルギーアクセプターの吸収スペクトルの吸光係数が大き
いことが望ましい。このような条件を満たせば、Ｒは
２．５〜１０ｎｍの十分な値となる。
分子とは、励起エネルギー移動が効率よく起こるような
組み合わせであることが好ましい。その程度は相互作用
半径Ｒで定義され、Ｒが大きいほど好ましい。この場
合、再結合領域を構成する分子（エネルギードナー）の
バンドギャップをＥg （ＥＤ）、発光性分子（エネルギ
ーアクセプター）のバンドギャップをＥg （ＥＡ）とす
るとき、 Ｅg （ＥＤ）≧Ｅg （ＥＡ） の関係が満足される必要がある。実際に材料を選定する
にあたっては、エネルギードナーのＰＬ発光スペクトル
とエネルギーアクセプターの吸収スペクトルとが波長的
に重なっていることが条件となる。Ｒを大きくするため
には、その重なりの度合いが大きいこと、エネルギード
ナーのＰＬ発光スペクトルの量子効率が高いこと、エネ
ルギーアクセプターの吸収スペクトルの吸光係数が大き
いことが望ましい。このような条件を満たせば、Ｒは
２．５〜１０ｎｍの十分な値となる。
【００６２】本願第２の発明においては、発光性分子を
キャリヤー注入層にドーピングするので、再結合領域の
厚さを１０ｎｍ以下とし、発光性分子を再結合領域から
１０ｎｍ以内の範囲の界面近傍のキャリヤー注入層内に
ドーピングすることが好ましい。すなわち、全ての発光
性分子に対して１０ｎｍ以内に再結合サイトが存在する
ことが好ましい。発光性分子の濃度は、本願第１の発明
と同様な理由により、再結合領域からの距離が１０ｎｍ
以内の範囲内で０．５〜５ｍｏｌ％とすることが好まし
い。
キャリヤー注入層にドーピングするので、再結合領域の
厚さを１０ｎｍ以下とし、発光性分子を再結合領域から
１０ｎｍ以内の範囲の界面近傍のキャリヤー注入層内に
ドーピングすることが好ましい。すなわち、全ての発光
性分子に対して１０ｎｍ以内に再結合サイトが存在する
ことが好ましい。発光性分子の濃度は、本願第１の発明
と同様な理由により、再結合領域からの距離が１０ｎｍ
以内の範囲内で０．５〜５ｍｏｌ％とすることが好まし
い。
【００６３】なお、以上ではキャリヤー注入層に発光性
分子をドーピングする場合について説明したが、キャリ
ヤー注入層に高い発光性能を有する分子を用いれば、キ
ャリヤー注入層を構成する分子を発光サイトとして用い
ることができる。この場合も、発光サイトと再結合領域
の分子とは上述したようにＥg （ＥＤ）≧Ｅg （ＥＡ）
の関係を満たす必要があるが、光学的な意味でのバンド
ギャップの条件を満たせばよいので、キャリヤー注入条
件も同時に満たすことは可能である。例えば、ホール注
入層を発光層としても用いる場合、ホール注入層のバン
ドギャップを再結合層より小さくするが、ホール注入層
が電子ブロッキング性を持つ程度にバンドギャップを設
定すれば、素子の性能を損なうことはない。また、キャ
リヤー注入層全体が発光サイトとなるので、再結合層の
厚さを１０ｎｍ程度に設定すれば、相互作用半径内に存
在する分子数が多くなり、エネルギー移動効率を高める
ことができる。また、発光層を兼ねるキャリヤー注入層
を結晶構造とすれば、光子変換効率を向上させることが
でき、素子効率を向上させることができる。
分子をドーピングする場合について説明したが、キャリ
ヤー注入層に高い発光性能を有する分子を用いれば、キ
ャリヤー注入層を構成する分子を発光サイトとして用い
ることができる。この場合も、発光サイトと再結合領域
の分子とは上述したようにＥg （ＥＤ）≧Ｅg （ＥＡ）
の関係を満たす必要があるが、光学的な意味でのバンド
ギャップの条件を満たせばよいので、キャリヤー注入条
件も同時に満たすことは可能である。例えば、ホール注
入層を発光層としても用いる場合、ホール注入層のバン
ドギャップを再結合層より小さくするが、ホール注入層
が電子ブロッキング性を持つ程度にバンドギャップを設
定すれば、素子の性能を損なうことはない。また、キャ
リヤー注入層全体が発光サイトとなるので、再結合層の
厚さを１０ｎｍ程度に設定すれば、相互作用半径内に存
在する分子数が多くなり、エネルギー移動効率を高める
ことができる。また、発光層を兼ねるキャリヤー注入層
を結晶構造とすれば、光子変換効率を向上させることが
でき、素子効率を向上させることができる。
【００６４】さらに、本発明においては、再結合領域な
どを構成する分子として、８−キノリノール骨格が連結
基を介して２個以上結合した４座以上の多座配位子と、
１族原子の１価正イオン、２族原子の２価正イオン、３
族原子の３価正イオン、１２族原子の２価正イオン、１
３族原子の３価正イオンおよび１４族原子の４価正イオ
ンからなる群より選択される金属正イオンとの有機金属
錯体を用いることが好ましい。以下に示すように、この
ような有機金属錯体からなるアモルファス薄膜は、両キ
ャリヤー注入性を満足し、しかも高いηPLと良好な熱的
安定性を有する。
どを構成する分子として、８−キノリノール骨格が連結
基を介して２個以上結合した４座以上の多座配位子と、
１族原子の１価正イオン、２族原子の２価正イオン、３
族原子の３価正イオン、１２族原子の２価正イオン、１
３族原子の３価正イオンおよび１４族原子の４価正イオ
ンからなる群より選択される金属正イオンとの有機金属
錯体を用いることが好ましい。以下に示すように、この
ような有機金属錯体からなるアモルファス薄膜は、両キ
ャリヤー注入性を満足し、しかも高いηPLと良好な熱的
安定性を有する。
【００６５】以下、上記の有機金属錯体についてより詳
細に説明する。８−キノリノールとは狭義には（Ｉ）式
で示される分子を指す。この分子はアルカリ性の溶媒に
おいては−ＯＨ基からプロトンが解離して（ＩＩ）式に
示される構造となり、溶媒に金属のカチオンが存在する
とクーロン相互作用によりＯ- とＮ：とが配位して錯体
を形成する。
細に説明する。８−キノリノールとは狭義には（Ｉ）式
で示される分子を指す。この分子はアルカリ性の溶媒に
おいては−ＯＨ基からプロトンが解離して（ＩＩ）式に
示される構造となり、溶媒に金属のカチオンが存在する
とクーロン相互作用によりＯ- とＮ：とが配位して錯体
を形成する。
【００６６】
【化１７】
【００６７】８−キノリノール骨格とは、前記（Ｉ），
（ＩＩ）で示される８−キノリノール分子そのものに限
らず、その誘導体も含む。このような誘導体としては、
例えば３，４，５，６，７位のいずれかの炭素原子が窒
素原子に置換された８−ハイドロキシキナゾリン骨格；
（３，４），（４，５），（５，６），（６，７）位に
縮合環が結合した８−ハイドロキシキナルジン骨格など
も含まれる。また、３，４，５，６，７位の水素原子が
メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル
基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、フッ素原
子、−ＣＦ3 基などで置換されたものも含まれる。これ
らの誘導体はいずれも２座配位子である。
（ＩＩ）で示される８−キノリノール分子そのものに限
らず、その誘導体も含む。このような誘導体としては、
例えば３，４，５，６，７位のいずれかの炭素原子が窒
素原子に置換された８−ハイドロキシキナゾリン骨格；
（３，４），（４，５），（５，６），（６，７）位に
縮合環が結合した８−ハイドロキシキナルジン骨格など
も含まれる。また、３，４，５，６，７位の水素原子が
メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル
基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、フッ素原
子、−ＣＦ3 基などで置換されたものも含まれる。これ
らの誘導体はいずれも２座配位子である。
【００６８】本発明に係る有機金属錯体を構成する配位
子は、上記の８−キノリノール骨格が連結基を介して２
個以上結合したものである。この場合、２個以上の８−
キノリノール骨格は同一であってもよいし互いに異なっ
ていてもよい（以下、８−キノリノール骨格をｑと略し
て表示する）。連結基としては、ｑに直接化学結合して
もｑの発光性が失われないようなものが選ばれる。ｑが
２個の場合に用いられる連結基を「化１８」に、ｑが３
個の場合に用いられる連結基を「化１９」にそれぞれ示
す。なお、ｑが２個の場合には４座配位子となり、ｑが
３個の場合には６座配位子となる。また、適当な連結基
を用いることにより４個以上のｑが結合した８座以上の
配位子も形成できる。
子は、上記の８−キノリノール骨格が連結基を介して２
個以上結合したものである。この場合、２個以上の８−
キノリノール骨格は同一であってもよいし互いに異なっ
ていてもよい（以下、８−キノリノール骨格をｑと略し
て表示する）。連結基としては、ｑに直接化学結合して
もｑの発光性が失われないようなものが選ばれる。ｑが
２個の場合に用いられる連結基を「化１８」に、ｑが３
個の場合に用いられる連結基を「化１９」にそれぞれ示
す。なお、ｑが２個の場合には４座配位子となり、ｑが
３個の場合には６座配位子となる。また、適当な連結基
を用いることにより４個以上のｑが結合した８座以上の
配位子も形成できる。
【００６９】
【化１８】
【００７０】
【化１９】
【００７１】８−キノリノール骨格において連結基を結
合させる位置について述べる。１個のｑあたり１個の連
結基を導入する場合、その導入位置は（Ｉ）または（Ｉ
Ｉ）式の２位または７位のいずれかであることが望まし
い。１個のｑあたり２個以上の連結基を導入する場合、
そのうちの１個は（Ｉ）または（ＩＩ）式における２位
または７位のいずれかであることが望ましい。
合させる位置について述べる。１個のｑあたり１個の連
結基を導入する場合、その導入位置は（Ｉ）または（Ｉ
Ｉ）式の２位または７位のいずれかであることが望まし
い。１個のｑあたり２個以上の連結基を導入する場合、
そのうちの１個は（Ｉ）または（ＩＩ）式における２位
または７位のいずれかであることが望ましい。
【００７２】本発明における有機金属錯体を構成する中
心金属は、１族原子の１価正イオン、２族原子の２価正
イオン、３族原子の３価正イオン、１２族原子の２価正
イオン、１３族原子の３価正イオン、１４族原子の４価
正イオンからなる群より選択される金属正イオンであ
る。これらのうちでも、Ｌｉ+ ，Ｂｅ2+，Ｍｇ2+，Ａｌ
3+，Ｃａ2+，Ｓｃ2+，Ｃｏ2+，Ｚｎ2+，Ｇａ3+，Ｓ
ｒ2+，Ｙ3+，Ｚｒ4+，Ｃｄ2+，Ｉｎ3+，Ｓｎ2+，Ｂ
ａ2+，Ｌａ3+が望ましい。
心金属は、１族原子の１価正イオン、２族原子の２価正
イオン、３族原子の３価正イオン、１２族原子の２価正
イオン、１３族原子の３価正イオン、１４族原子の４価
正イオンからなる群より選択される金属正イオンであ
る。これらのうちでも、Ｌｉ+ ，Ｂｅ2+，Ｍｇ2+，Ａｌ
3+，Ｃａ2+，Ｓｃ2+，Ｃｏ2+，Ｚｎ2+，Ｇａ3+，Ｓ
ｒ2+，Ｙ3+，Ｚｒ4+，Ｃｄ2+，Ｉｎ3+，Ｓｎ2+，Ｂ
ａ2+，Ｌａ3+が望ましい。
【００７３】以上のようなｑが２個以上結合した配位子
と中心金属とで構成される有機金属錯体において、１個
の中心金属あたりに配位するｑの数は中心金属の価数に
よって決まる。すなわち、２価の正イオンであれば２
個、３価の正イオンであれば３個となり、いずれもｑは
（ＩＩ）の形で配位して電荷の中性が保たれる。１価の
正イオンに対しては２個のｑが配位し、そのうち１つは
（Ｉ）、残りは（ＩＩ）の形となる。
と中心金属とで構成される有機金属錯体において、１個
の中心金属あたりに配位するｑの数は中心金属の価数に
よって決まる。すなわち、２価の正イオンであれば２
個、３価の正イオンであれば３個となり、いずれもｑは
（ＩＩ）の形で配位して電荷の中性が保たれる。１価の
正イオンに対しては２個のｑが配位し、そのうち１つは
（Ｉ）、残りは（ＩＩ）の形となる。
【００７４】１個の配位子により電荷中性が保たれる錯
体では、２価の正イオンに対してｑが２個結合した配位
子、３価の正イオンに対してｑが３個結合した配位子、
４価の正イオンに対してｑが４個結合した配位子を用い
る。この場合、おのおののｑの酸素原子間の距離がすべ
て０．５ｎｍ未満となるように、連結基の種類、連結基
を導入する位置を選択する。
体では、２価の正イオンに対してｑが２個結合した配位
子、３価の正イオンに対してｑが３個結合した配位子、
４価の正イオンに対してｑが４個結合した配位子を用い
る。この場合、おのおののｑの酸素原子間の距離がすべ
て０．５ｎｍ未満となるように、連結基の種類、連結基
を導入する位置を選択する。
【００７５】２個以上の配位子により電荷中性が保たれ
る錯体では、少なくとも１個の配位子が本発明に係るも
のであればよい。例えば、中心金属の原子価が３価の場
合、中心金属に対してｑが２個結合された配位子と単独
のｑからなる配位子（またはキノリノール骨格を持たな
い他の配位子）とが１個ずつ配位したものが挙げられ
る。この場合にも、ｑが２個結合したものは、おのおの
のｑの酸素原子間の距離がすべて０．５ｎｍ未満となる
ように、連結基の種類、連結基を導入する位置を選択す
る。
る錯体では、少なくとも１個の配位子が本発明に係るも
のであればよい。例えば、中心金属の原子価が３価の場
合、中心金属に対してｑが２個結合された配位子と単独
のｑからなる配位子（またはキノリノール骨格を持たな
い他の配位子）とが１個ずつ配位したものが挙げられ
る。この場合にも、ｑが２個結合したものは、おのおの
のｑの酸素原子間の距離がすべて０．５ｎｍ未満となる
ように、連結基の種類、連結基を導入する位置を選択す
る。
【００７６】金属イオンの価数より配位子を構成するｑ
の数が大きく場合、１個の配位子が２個以上の金属に配
位するブリッジ構造の錯体を形成することができる。例
えば、２価の中心金属に対してｑが３個以上結合した配
位子を用いればブリッジ構造の錯体が得られる。また、
３価の中心金属に対してｑが４個以上結合した配位子を
用いる場合も同様である。逆に、金属イオンの価数と配
位子を構成するｑの数とが等しいかまたはｑの数が少な
い場合にも、連結基の種類、連結基を導入する位置によ
ってはブリッジ構造の錯体を形成することができる。例
えば、２価の中心金属とｑが２個結合した配位子とを用
いる場合、２個のｑの酸素原子間の距離が０．５ｎｍよ
り大きい場合には、ブリッジ構造の分子となる。中心金
属の原子価が３価以上のときも同様である。
の数が大きく場合、１個の配位子が２個以上の金属に配
位するブリッジ構造の錯体を形成することができる。例
えば、２価の中心金属に対してｑが３個以上結合した配
位子を用いればブリッジ構造の錯体が得られる。また、
３価の中心金属に対してｑが４個以上結合した配位子を
用いる場合も同様である。逆に、金属イオンの価数と配
位子を構成するｑの数とが等しいかまたはｑの数が少な
い場合にも、連結基の種類、連結基を導入する位置によ
ってはブリッジ構造の錯体を形成することができる。例
えば、２価の中心金属とｑが２個結合した配位子とを用
いる場合、２個のｑの酸素原子間の距離が０．５ｎｍよ
り大きい場合には、ブリッジ構造の分子となる。中心金
属の原子価が３価以上のときも同様である。
【００７７】本発明に係る有機金属錯体は、後述するよ
うに両キャリヤー注入性を満足し、励起状態からの発光
効率も高いので、有機ＥＬ素子において発光サイトへ励
起エネルギーを移動させる再結合層や、再結合発光層ま
たは再結合層における励起状態からのエネルギー移動に
より発光する発光サイトとしても用いることができる。
例えば、再結合発光層または発光サイトとして好ましく
用いられる錯体としては、「化２０」に示すようなもの
がある。
うに両キャリヤー注入性を満足し、励起状態からの発光
効率も高いので、有機ＥＬ素子において発光サイトへ励
起エネルギーを移動させる再結合層や、再結合発光層ま
たは再結合層における励起状態からのエネルギー移動に
より発光する発光サイトとしても用いることができる。
例えば、再結合発光層または発光サイトとして好ましく
用いられる錯体としては、「化２０」に示すようなもの
がある。
【００７８】
【化２０】 また、再結合層に好ましく用いられる錯体としては、
「化２１」に示すようなものがある。
「化２１」に示すようなものがある。
【００７９】
【化２１】
【００８０】本発明に係る有機金属錯体は、８−キノリ
ノールが有する良好な両キャリヤー注入性を維持しなが
ら、励起状態からの発光効率が向上し、熱的安定性にも
優れている。
ノールが有する良好な両キャリヤー注入性を維持しなが
ら、励起状態からの発光効率が向上し、熱的安定性にも
優れている。
【００８１】まず、本発明に係る有機金属錯体からなる
有機薄膜において、励起状態からの発光効率ηPLが高い
理由について説明する。有機分子のηPLは、その発光再
結合過程の速度をｋf 、非発光再結合過程の速度をｋi
とするとき、ηPL＝ｋf ／（ｋf ＋ｋi ）で表される。
ここで、ｋi は分子の振動によって促進される。本発明
に係る有機金属錯体では、８−キノリノール骨格が連結
基を介して結合されているので、配位子の動きの自由度
が減少し分子振動が少ないので、ｋi が小さくなってη
PLが向上する。
有機薄膜において、励起状態からの発光効率ηPLが高い
理由について説明する。有機分子のηPLは、その発光再
結合過程の速度をｋf 、非発光再結合過程の速度をｋi
とするとき、ηPL＝ｋf ／（ｋf ＋ｋi ）で表される。
ここで、ｋi は分子の振動によって促進される。本発明
に係る有機金属錯体では、８−キノリノール骨格が連結
基を介して結合されているので、配位子の動きの自由度
が減少し分子振動が少ないので、ｋi が小さくなってη
PLが向上する。
【００８２】また、８−キノリノールが３個配位した錯
体には、２つの幾何異性体（ｍｅｒ，ｆａｃ）が存在す
ることが知られている。これらの異性体は相互に変換が
可能である（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，１９９２，
２（７），７６７）。本発明者らは、幾何異性体のうち
ｆａｃの方がｍｅｒに比べてηPLが高いことを見いだし
た。しかし、従来の有機ＥＬ素子においては両者の異性
体の混合物が用いられていたため、ηPLを十分に向上さ
せることはできなかった。一方、本発明では、配位子を
連結基を介して結合させることにより、ｆａｃのみから
なりｍｅｒへ変化できない有機金属錯体を実現できるの
で、ηPLを著しく向上できる。例えば、（ＩＩＩ）の構
造で中心金属がＡｌである有機金属錯体のηPLは、従来
のＡｌｑ3 で得られているηPLの最高値よりもさらに高
い値を示した。これは、配位子を連結基で結合すること
により、無輻射遷移の原因となっていた配位子の相対的
な配置の振動、またはＡｌ−Ｏ、Ａｌ−Ｎの振動が抑制
されたためであると考えられる。
体には、２つの幾何異性体（ｍｅｒ，ｆａｃ）が存在す
ることが知られている。これらの異性体は相互に変換が
可能である（Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，１９９２，
２（７），７６７）。本発明者らは、幾何異性体のうち
ｆａｃの方がｍｅｒに比べてηPLが高いことを見いだし
た。しかし、従来の有機ＥＬ素子においては両者の異性
体の混合物が用いられていたため、ηPLを十分に向上さ
せることはできなかった。一方、本発明では、配位子を
連結基を介して結合させることにより、ｆａｃのみから
なりｍｅｒへ変化できない有機金属錯体を実現できるの
で、ηPLを著しく向上できる。例えば、（ＩＩＩ）の構
造で中心金属がＡｌである有機金属錯体のηPLは、従来
のＡｌｑ3 で得られているηPLの最高値よりもさらに高
い値を示した。これは、配位子を連結基で結合すること
により、無輻射遷移の原因となっていた配位子の相対的
な配置の振動、またはＡｌ−Ｏ、Ａｌ−Ｎの振動が抑制
されたためであると考えられる。
【００８３】また、従来のＡｌｑ3 と本発明に係る（Ｉ
ＩＩ）の構造の有機金属錯体とで発光ピーク波長および
半値幅を比較したところ、発光ピーク波長は５３０ｎｍ
から４７０ｎｍへ短波長化し、半値幅も４０００ｃｍ-1
から２７００ｃｍ-1へ減少した。ピーク波長が短波長化
した原因は、分子内の振動が抑制され励起状態から基底
状態へ電子遷移するときに振動として消費されるエネル
ギーが少なくなったため、ストークスシフトが小さくな
ったことによると考えられる。半値幅が減少した原因
は、本発明の有機金属錯体では配位子の相対位置が揃っ
ているため、発光波長が狭い波長領域に収まるためであ
ると考えられる。
ＩＩ）の構造の有機金属錯体とで発光ピーク波長および
半値幅を比較したところ、発光ピーク波長は５３０ｎｍ
から４７０ｎｍへ短波長化し、半値幅も４０００ｃｍ-1
から２７００ｃｍ-1へ減少した。ピーク波長が短波長化
した原因は、分子内の振動が抑制され励起状態から基底
状態へ電子遷移するときに振動として消費されるエネル
ギーが少なくなったため、ストークスシフトが小さくな
ったことによると考えられる。半値幅が減少した原因
は、本発明の有機金属錯体では配位子の相対位置が揃っ
ているため、発光波長が狭い波長領域に収まるためであ
ると考えられる。
【００８４】さらに、（Ｖ）のＡｌ錯体に対して（ＩＩ
Ｉ）のＡｌ錯体を１〜５％ドーピングした有機薄膜は
（ＩＩＩ）のＡｌ錯体単独の有機薄膜よりもηPLが向上
し、同様に（ＶＩ）のＺｎ錯体に対して（ＩＶ）のＺｎ
錯体を１〜５％ドーピングした有機薄膜は（ＩＶ）のＺ
ｎ錯体単独の有機薄膜よりもηPLが向上することが見い
だされた。このような現象は、ドーピングされた錯体が
疑似的な孤立状態になるため、錯体同士の相互作用に基
づく無輻射遷移が抑制されたためであると考えられる。
Ｉ）のＡｌ錯体を１〜５％ドーピングした有機薄膜は
（ＩＩＩ）のＡｌ錯体単独の有機薄膜よりもηPLが向上
し、同様に（ＶＩ）のＺｎ錯体に対して（ＩＶ）のＺｎ
錯体を１〜５％ドーピングした有機薄膜は（ＩＶ）のＺ
ｎ錯体単独の有機薄膜よりもηPLが向上することが見い
だされた。このような現象は、ドーピングされた錯体が
疑似的な孤立状態になるため、錯体同士の相互作用に基
づく無輻射遷移が抑制されたためであると考えられる。
【００８５】次に、本発明に係る有機金属錯体からなる
有機薄膜の熱的安定性が向上する理由について説明す
る。有機薄膜の熱的安定性は、その材料のガラス転移点
Ｔｇ、すなわちガラス状態から結晶へと変化する温度で
評価される。ガラス転移点は、融解およびガラス転移に
伴うエントロピーの変化量が小さいほど高くなることが
知られている（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，９７（２
３），６２４０（１９９３））。融解およびガラス転移
に伴うエントロピーの変化量は、分子量が大きく、分子
の回転や振動の自由度が小さいほど、小さくなることが
知られている。本発明に係る有機金属錯体は、配位子を
連結基を介して結合することにより、分子量が大きくな
り、配位子の動きの自由度が減少したために、ガラス転
移点が上昇したと考えられる。例えば、従来のＡｌｑ3
のＴｇは１７５℃であるが、（ＩＩＩ）のＡｌ錯体、
（Ｖ）のＡｌ錯体、（ＩＶ）のＺｎ錯体、（ＶＩ）のＺ
ｎ錯体のガラス転移点はいずれも１９０℃以上である。
さらに、これらの錯体の５位の炭素原子を結合した構造
の錯体のガラス転移点は２５０℃以上である。
有機薄膜の熱的安定性が向上する理由について説明す
る。有機薄膜の熱的安定性は、その材料のガラス転移点
Ｔｇ、すなわちガラス状態から結晶へと変化する温度で
評価される。ガラス転移点は、融解およびガラス転移に
伴うエントロピーの変化量が小さいほど高くなることが
知られている（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，９７（２
３），６２４０（１９９３））。融解およびガラス転移
に伴うエントロピーの変化量は、分子量が大きく、分子
の回転や振動の自由度が小さいほど、小さくなることが
知られている。本発明に係る有機金属錯体は、配位子を
連結基を介して結合することにより、分子量が大きくな
り、配位子の動きの自由度が減少したために、ガラス転
移点が上昇したと考えられる。例えば、従来のＡｌｑ3
のＴｇは１７５℃であるが、（ＩＩＩ）のＡｌ錯体、
（Ｖ）のＡｌ錯体、（ＩＶ）のＺｎ錯体、（ＶＩ）のＺ
ｎ錯体のガラス転移点はいずれも１９０℃以上である。
さらに、これらの錯体の５位の炭素原子を結合した構造
の錯体のガラス転移点は２５０℃以上である。
【００８６】また、（Ｖ）のＡｌ錯体および（ＶＩ）の
Ｚｎ錯体のηPLは従来のＡｌｑ3 およびＺｎｑ3 のそれ
と同等であるが、これらの錯体を用いて作製した素子に
おいて１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流すのに要する電圧は
従来の錯体を用いて作製した素子に比べ３Ｖ程度低いこ
とがわかった。以下、この原因について説明する。ま
ず、タイム・オブ・フライト（ＴＯＦ）法によりこれら
の錯体からなる有機薄膜の電気伝導度を測定したとこ
ろ、Ａｌｑ3 に比べて１桁程度高かった。また、変位電
流測定法によりこれらの錯体からなる有機薄膜の電子お
よびホールの注入しきい値電圧を測定したところ、Ａｌ
ｑ3 に比べて電子注入電圧、ホール注入電圧ともに２割
程度の減少がみられた。これは従来のＡｌｑ3 が種々の
異性体の混合物であるのに対し、本発明に係る有機金属
錯体を用いた場合には、最も電気伝導度が高くかつ両キ
ャリヤーの注入しきい値電圧が低い異性体からなる有機
薄膜が形成された結果であると考えられる。
Ｚｎ錯体のηPLは従来のＡｌｑ3 およびＺｎｑ3 のそれ
と同等であるが、これらの錯体を用いて作製した素子に
おいて１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流を流すのに要する電圧は
従来の錯体を用いて作製した素子に比べ３Ｖ程度低いこ
とがわかった。以下、この原因について説明する。ま
ず、タイム・オブ・フライト（ＴＯＦ）法によりこれら
の錯体からなる有機薄膜の電気伝導度を測定したとこ
ろ、Ａｌｑ3 に比べて１桁程度高かった。また、変位電
流測定法によりこれらの錯体からなる有機薄膜の電子お
よびホールの注入しきい値電圧を測定したところ、Ａｌ
ｑ3 に比べて電子注入電圧、ホール注入電圧ともに２割
程度の減少がみられた。これは従来のＡｌｑ3 が種々の
異性体の混合物であるのに対し、本発明に係る有機金属
錯体を用いた場合には、最も電気伝導度が高くかつ両キ
ャリヤーの注入しきい値電圧が低い異性体からなる有機
薄膜が形成された結果であると考えられる。
【００８７】さらに、ＥＬ素子の寿命を、低電圧駆動に
おける注入電流量および素子効率（ηEL）の変化として
測定した。従来のＡｌｑ3 を用いて作製した素子では、
駆動初期の数分の間に注入電流が急激に減少し、ηPLも
減少した。これに対して、本発明に係る有機金属錯体を
用いて作製した素子では、いずれの錯体の場合でもこの
ような初期劣化は認められなかった。これは以下のよう
な理由によると考えられる。すなわち、従来の有機ＥＬ
素子においては、素子駆動時の熱の発生および有機薄膜
に１０5 Ｖ／ｃｍ以上の電界が印加されることにより大
きなダイポールを持つ異性体へ変化し、それらが印加さ
れる電圧の方向と反対方向に配向する。この結果、有機
薄膜に有効な電圧が印加されなくなって電流の注入量が
減少する。しかも、より大きなダイポールを持つ錯体か
らなる有機薄膜のηPLの値は低い。したがって、従来の
錯体を用いた有機薄膜では上述したような初期劣化が生
じる。これに対して、本発明に係る有機金属錯体を用い
た有機薄膜では、従来の有機薄膜のような異性化が生じ
ないため、初期劣化が生じないと考えられる。
おける注入電流量および素子効率（ηEL）の変化として
測定した。従来のＡｌｑ3 を用いて作製した素子では、
駆動初期の数分の間に注入電流が急激に減少し、ηPLも
減少した。これに対して、本発明に係る有機金属錯体を
用いて作製した素子では、いずれの錯体の場合でもこの
ような初期劣化は認められなかった。これは以下のよう
な理由によると考えられる。すなわち、従来の有機ＥＬ
素子においては、素子駆動時の熱の発生および有機薄膜
に１０5 Ｖ／ｃｍ以上の電界が印加されることにより大
きなダイポールを持つ異性体へ変化し、それらが印加さ
れる電圧の方向と反対方向に配向する。この結果、有機
薄膜に有効な電圧が印加されなくなって電流の注入量が
減少する。しかも、より大きなダイポールを持つ錯体か
らなる有機薄膜のηPLの値は低い。したがって、従来の
錯体を用いた有機薄膜では上述したような初期劣化が生
じる。これに対して、本発明に係る有機金属錯体を用い
た有機薄膜では、従来の有機薄膜のような異性化が生じ
ないため、初期劣化が生じないと考えられる。
【００８８】なお、本発明に係る有機金属錯体は再結合
発光機能に加えて電子注入機能をも兼ね備えているの
で、上記の有機金属錯体からなる有機薄膜とホール注入
用の有機薄膜との積層体を構成要素とする有機ＥＬ素子
を作製することもできる。
発光機能に加えて電子注入機能をも兼ね備えているの
で、上記の有機金属錯体からなる有機薄膜とホール注入
用の有機薄膜との積層体を構成要素とする有機ＥＬ素子
を作製することもできる。
【００８９】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ 以下のような方法により図１に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）１上に、スパッタ法によりシート
抵抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層３を形成した。次に、（Ｄ７）で示されるジア
ミン（ホール注入性分子）、（Ａ１７）で示されるＯＸ
Ｄ−７（電子注入性分子）および（Ｌ５）で示されるビ
ス（フェニルエチニル）アントラセン（発光性分子）を
１：１：０．０１の割合で５０ｎｍ蒸着して発光性分子
を含有する再結合層４を形成した。上記の割合の設定
は、おのおのの蒸着ボートを独立に温度設定して蒸着速
度をコントロールすることにより行った。次に、（Ａ１
７）で示されるＯＸＤ−７（電子注入性分子）を０．１
〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層
５を形成した。これらの有機薄膜はいずれもアモルファ
ス構造であった。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００
ｎｍのＭｇ−Ａｇ電極（電子注入用電極）６を形成し
た。
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）１上に、スパッタ法によりシート
抵抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層３を形成した。次に、（Ｄ７）で示されるジア
ミン（ホール注入性分子）、（Ａ１７）で示されるＯＸ
Ｄ−７（電子注入性分子）および（Ｌ５）で示されるビ
ス（フェニルエチニル）アントラセン（発光性分子）を
１：１：０．０１の割合で５０ｎｍ蒸着して発光性分子
を含有する再結合層４を形成した。上記の割合の設定
は、おのおのの蒸着ボートを独立に温度設定して蒸着速
度をコントロールすることにより行った。次に、（Ａ１
７）で示されるＯＸＤ−７（電子注入性分子）を０．１
〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層
５を形成した。これらの有機薄膜はいずれもアモルファ
ス構造であった。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００
ｎｍのＭｇ−Ａｇ電極（電子注入用電極）６を形成し
た。
【００９０】図２を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極６がマイナス、ＩＴＯ電
極２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加する。Ｍ
ｇ−Ａｇ電極６から注入された電子は電子注入層５中を
輸送され、さらに再結合層４中を輸送されるが、ホール
注入層３へは達しない。一方、ＩＴＯ電極２から注入さ
れたホールはホール注入層３中を輸送され、さらに再結
合層４中を輸送されるが、電子注入層５へは達しない。
そして、再結合層４中においてＯＸＤ−７／ジアミン分
子間で電子とホールとの再結合が起こり、ＯＸＤ−７／
ジアミンのエキサイプレックスが生成する。さらに、こ
のエキサイプレックスから発光性分子であるビス（フェ
ニルエチニル）アントラセンへエネルギー移動が起きる
結果、発光が生じる。
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極６がマイナス、ＩＴＯ電
極２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加する。Ｍ
ｇ−Ａｇ電極６から注入された電子は電子注入層５中を
輸送され、さらに再結合層４中を輸送されるが、ホール
注入層３へは達しない。一方、ＩＴＯ電極２から注入さ
れたホールはホール注入層３中を輸送され、さらに再結
合層４中を輸送されるが、電子注入層５へは達しない。
そして、再結合層４中においてＯＸＤ−７／ジアミン分
子間で電子とホールとの再結合が起こり、ＯＸＤ−７／
ジアミンのエキサイプレックスが生成する。さらに、こ
のエキサイプレックスから発光性分子であるビス（フェ
ニルエチニル）アントラセンへエネルギー移動が起きる
結果、発光が生じる。
【００９１】この素子について、ＩＴＯ電極２がプラス
になるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ／
ｃｍ2 の電流が流れ、青緑色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は４８０ｎｍであり、ビス（フェニルエチニ
ル）アントラセンのＰＬピーク波長に一致した。このと
き発光輝度は５０００ｃｄ／ｍ2 であった。
になるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ／
ｃｍ2 の電流が流れ、青緑色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は４８０ｎｍであり、ビス（フェニルエチニ
ル）アントラセンのＰＬピーク波長に一致した。このと
き発光輝度は５０００ｃｄ／ｍ2 であった。
【００９２】実施例２〜５ 表１に示す発光性分子を用い、実施例１と同様にして実
施例２〜５の有機ＥＬ素子を作製した。これらの素子に
ついて、ＩＴＯ電極がプラスとなるように電圧を印加す
ると、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、緑色
〜赤色発光が得られた。発光ピーク波長は、それぞれの
発光性分子のＰＬピーク波長に一致した。また、４００
０〜６０００ｃｄ／ｍ2 の発光輝度が得られた。これら
の結果を表２にまとめて示す。
施例２〜５の有機ＥＬ素子を作製した。これらの素子に
ついて、ＩＴＯ電極がプラスとなるように電圧を印加す
ると、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、緑色
〜赤色発光が得られた。発光ピーク波長は、それぞれの
発光性分子のＰＬピーク波長に一致した。また、４００
０〜６０００ｃｄ／ｍ2 の発光輝度が得られた。これら
の結果を表２にまとめて示す。
【００９３】
【表２】
【００９４】
【化２２】
【００９５】比較例１ 発光性分子をドーピングしなかった以外は実施例１〜５
と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。この素子につ
いて、ＩＴＯ電極がプラスになるように電圧を印加する
と、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、青色発
光が得られた。この発光のピーク波長は４６０ｎｍであ
り、ＯＸＤ−７／ジアミンのエキサイプレックス発光の
ピーク波長に一致した。また、発光輝度は５００ｃｄ／
ｍ2 と低い値であった。
と同様の条件で有機ＥＬ素子を作製した。この素子につ
いて、ＩＴＯ電極がプラスになるように電圧を印加する
と、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、青色発
光が得られた。この発光のピーク波長は４６０ｎｍであ
り、ＯＸＤ−７／ジアミンのエキサイプレックス発光の
ピーク波長に一致した。また、発光輝度は５００ｃｄ／
ｍ2 と低い値であった。
【００９６】比較例２〜６ 実施例１〜５と同様の条件で、電子注入層とホール注入
層との間に表２に示す発光性分子のみからなる発光層を
設けた有機ＥＬ素子を作製した。
層との間に表２に示す発光性分子のみからなる発光層を
設けた有機ＥＬ素子を作製した。
【００９７】これらの素子について、ＩＴＯ電極がプラ
スになるように電圧を印加すると、２０〜４０Ｖで１０
０ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、緑色〜赤色発光が得られ
た。このときの発光ピーク波長は、各発光性分子のＰＬ
発光のピーク波長に一致した。しかし、発光輝度は８〜
１０００ｃｄ／ｍ2 と低い値であった。これらの結果を
表３にまとめて示す。
スになるように電圧を印加すると、２０〜４０Ｖで１０
０ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、緑色〜赤色発光が得られ
た。このときの発光ピーク波長は、各発光性分子のＰＬ
発光のピーク波長に一致した。しかし、発光輝度は８〜
１０００ｃｄ／ｍ2 と低い値であった。これらの結果を
表３にまとめて示す。
【００９８】
【表３】
【００９９】実施例６ 以下のような方法により図３に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）１
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着し、引き
続きジアミンと（Ｌ１）で示されるルブレン（発光性分
子）とを１：０．０１の割合で５ｎｍ蒸着して、次工程
で形成される再結合層との界面近傍に発光性分子を含有
するホール注入層１３を形成した。上記の割合の設定
は、おのおのの蒸着ボートを独立に温度設定して蒸着速
度をコントロールすることにより行った。次に、（Ｃ
２）で示されるＡｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５ｎｍ蒸着して再結合
層１４を形成した。さらに、（Ａ１６）で示されるＯＸ
Ｄ−Ｓ１（電子注入性分子）を０．１〜０．２ｎｍ／ｓ
の速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層１５を形成した。
これらの有機薄膜はいずれもアモルファス構造であっ
た。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ−
Ａｇ電極（電子注入用電極）１６を形成した。
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）１
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着し、引き
続きジアミンと（Ｌ１）で示されるルブレン（発光性分
子）とを１：０．０１の割合で５ｎｍ蒸着して、次工程
で形成される再結合層との界面近傍に発光性分子を含有
するホール注入層１３を形成した。上記の割合の設定
は、おのおのの蒸着ボートを独立に温度設定して蒸着速
度をコントロールすることにより行った。次に、（Ｃ
２）で示されるＡｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５ｎｍ蒸着して再結合
層１４を形成した。さらに、（Ａ１６）で示されるＯＸ
Ｄ−Ｓ１（電子注入性分子）を０．１〜０．２ｎｍ／ｓ
の速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層１５を形成した。
これらの有機薄膜はいずれもアモルファス構造であっ
た。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ−
Ａｇ電極（電子注入用電極）１６を形成した。
【０１００】図３を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極１６がマイナス、ＩＴＯ
電極１２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極１６から注入された電子は電子注入
層１５中を輸送され、さらに電子注入層１５／再結合層
１４界面を越えて再結合層１４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極１２から注入されたホールはホー
ル注入層１３へ注入され、さらにホール注入層１３／再
結合層１４界面を越えて再結合層１４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層１４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＡｌｑ3 が生成する。さ
らに、励起したＡｌｑ3 から、再結合層１４／ホール注
入層１３界面近傍のホール注入層１３中に存在するルブ
レンへエネルギー移動が起き、発光が生じる。
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極１６がマイナス、ＩＴＯ
電極１２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極１６から注入された電子は電子注入
層１５中を輸送され、さらに電子注入層１５／再結合層
１４界面を越えて再結合層１４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極１２から注入されたホールはホー
ル注入層１３へ注入され、さらにホール注入層１３／再
結合層１４界面を越えて再結合層１４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層１４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＡｌｑ3 が生成する。さ
らに、励起したＡｌｑ3 から、再結合層１４／ホール注
入層１３界面近傍のホール注入層１３中に存在するルブ
レンへエネルギー移動が起き、発光が生じる。
【０１０１】この素子について、ＩＴＯ電極１２がプラ
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、橙色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は５６０ｎｍであり、ルブレンのＰＬピーク波
長に一致した。このとき発光輝度は５０００ｃｄ／ｍ2
であった。
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、橙色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は５６０ｎｍであり、ルブレンのＰＬピーク波
長に一致した。このとき発光輝度は５０００ｃｄ／ｍ2
であった。
【０１０２】実施例７ 発光性分子として（Ｌ３４）で示されるフェノキサジン
を用いた以外は実施例６と同様にして有機ＥＬ素子を作
製した。この素子について、ＩＴＯ電極１２がプラスに
なるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流が流れ、赤色発光が生じた。その発光ピーク
波長は６２０ｎｍであり、フェノキサジンのＰＬピーク
波長に一致した。このとき発光輝度は５０００ｃｄ／ｍ
2 であった。
を用いた以外は実施例６と同様にして有機ＥＬ素子を作
製した。この素子について、ＩＴＯ電極１２がプラスに
なるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流が流れ、赤色発光が生じた。その発光ピーク
波長は６２０ｎｍであり、フェノキサジンのＰＬピーク
波長に一致した。このとき発光輝度は５０００ｃｄ／ｍ
2 であった。
【０１０３】
【化２３】
【０１０４】実施例８ 以下のような方法により図４に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）２
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層２３を形成した。次に、（Ｃ２）で示されるＡ
ｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）を０．１〜０．２ｎ
ｍ／ｓの速度で５ｎｍ蒸着して再結合層２４を形成し
た。さらに、（Ａ１６）で示されるＯＸＤ−Ｓ１（電子
注入性分子）と（Ｌ３２）で示されるＤＣＭ（発光性分
子）とを１：０．０１の割合で５ｎｍ蒸着し、引き続き
ＯＸＤ−Ｓ１を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎ
ｍ蒸着して再結合層２４との界面近傍に発光性分子を含
有する電子注入層２５を形成した。上記の割合の設定
は、おのおのの蒸着ボートを独立に温度設定して蒸着速
度をコントロールすることにより行った。これらの有機
薄膜はいずれもアモルファス構造であった。この上にＥ
Ｂ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ−Ａｇ電極（電子
注入用電極）２６を形成した。
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）２
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層２３を形成した。次に、（Ｃ２）で示されるＡ
ｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）を０．１〜０．２ｎ
ｍ／ｓの速度で５ｎｍ蒸着して再結合層２４を形成し
た。さらに、（Ａ１６）で示されるＯＸＤ−Ｓ１（電子
注入性分子）と（Ｌ３２）で示されるＤＣＭ（発光性分
子）とを１：０．０１の割合で５ｎｍ蒸着し、引き続き
ＯＸＤ−Ｓ１を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎ
ｍ蒸着して再結合層２４との界面近傍に発光性分子を含
有する電子注入層２５を形成した。上記の割合の設定
は、おのおのの蒸着ボートを独立に温度設定して蒸着速
度をコントロールすることにより行った。これらの有機
薄膜はいずれもアモルファス構造であった。この上にＥ
Ｂ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ−Ａｇ電極（電子
注入用電極）２６を形成した。
【０１０５】図４を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極２６がマイナス、ＩＴＯ
電極２２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極２６から注入された電子は電子注入
層２５中を輸送され、さらに電子注入層２５／再結合層
２４界面を越えて再結合層２４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極２２から注入されたホールはホー
ル注入層２３へ注入され、さらにホール注入層２３／再
結合層２４界面を越えて再結合層２４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層２４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＡｌｑ3 が生成する。さ
らに、励起したＡｌｑ3 から、再結合層２４／電子注入
層２５界面近傍の電子注入層２５中に存在するＤＣＭへ
エネルギー移動が起き、発光が生じる。
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極２６がマイナス、ＩＴＯ
電極２２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極２６から注入された電子は電子注入
層２５中を輸送され、さらに電子注入層２５／再結合層
２４界面を越えて再結合層２４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極２２から注入されたホールはホー
ル注入層２３へ注入され、さらにホール注入層２３／再
結合層２４界面を越えて再結合層２４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層２４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＡｌｑ3 が生成する。さ
らに、励起したＡｌｑ3 から、再結合層２４／電子注入
層２５界面近傍の電子注入層２５中に存在するＤＣＭへ
エネルギー移動が起き、発光が生じる。
【０１０６】この素子について、ＩＴＯ電極２２がプラ
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、赤色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は６２０ｎｍであり、ＤＣＭのＰＬピーク波長
に一致した。このとき発光輝度は３０００ｃｄ／ｍ2 で
あった。
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、赤色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は６２０ｎｍであり、ＤＣＭのＰＬピーク波長
に一致した。このとき発光輝度は３０００ｃｄ／ｍ2 で
あった。
【０１０７】実施例９ 以下のような方法により図５に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）３
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-8Ｔｏｒｒ、基板温度を５０℃に設定し、
（Ｌ３３）で示されるＳ１５０を０．０１〜０．０２ｎ
ｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホール注入層３３を形
成した。この条件下ではＳ１５０の結晶膜が形成され
た。次に、基板温度を室温に戻し、（Ｄ８）で示される
ＯＸＤ−８（両キャリヤー注入性分子）を０．１〜０．
２ｎｍ／ｓの速度で５ｎｍ蒸着して再結合層３４を形成
した。さらに、（Ａ１６）で示されるＯＸＤ−Ｓ１（電
子注入性分子）を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０
ｎｍ蒸着して電子注入層３５を形成した。上記の条件下
ではＯＸＤ−８、ＯＸＤ−Ｓ１はアモルファス薄膜とな
った。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ
−Ａｇ電極（電子注入用電極）３６を形成した。
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）３
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-8Ｔｏｒｒ、基板温度を５０℃に設定し、
（Ｌ３３）で示されるＳ１５０を０．０１〜０．０２ｎ
ｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホール注入層３３を形
成した。この条件下ではＳ１５０の結晶膜が形成され
た。次に、基板温度を室温に戻し、（Ｄ８）で示される
ＯＸＤ−８（両キャリヤー注入性分子）を０．１〜０．
２ｎｍ／ｓの速度で５ｎｍ蒸着して再結合層３４を形成
した。さらに、（Ａ１６）で示されるＯＸＤ−Ｓ１（電
子注入性分子）を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０
ｎｍ蒸着して電子注入層３５を形成した。上記の条件下
ではＯＸＤ−８、ＯＸＤ−Ｓ１はアモルファス薄膜とな
った。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ
−Ａｇ電極（電子注入用電極）３６を形成した。
【０１０８】図５を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極３６がマイナス、ＩＴＯ
電極３２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極３６から注入された電子は電子注入
層３５中を輸送され、さらに電子注入層３５／再結合層
３４界面を越えて再結合層３４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極３２から注入されたホールはホー
ル注入層３３へ注入され、さらにホール注入層３３／再
結合層３４界面を越えて再結合層３４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層３４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＯＸＤ−８が生成する。
さらに、励起したＯＸＤ−８から、ホール注入層３３を
構成するＳ１５０結晶へエネルギー移動が起き、発光が
生じる。
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極３６がマイナス、ＩＴＯ
電極３２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極３６から注入された電子は電子注入
層３５中を輸送され、さらに電子注入層３５／再結合層
３４界面を越えて再結合層３４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極３２から注入されたホールはホー
ル注入層３３へ注入され、さらにホール注入層３３／再
結合層３４界面を越えて再結合層３４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層３４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＯＸＤ−８が生成する。
さらに、励起したＯＸＤ−８から、ホール注入層３３を
構成するＳ１５０結晶へエネルギー移動が起き、発光が
生じる。
【０１０９】この素子について、ＩＴＯ電極３２がプラ
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、緑色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は５１０ｎｍであり、結晶構造のＳ１５０のＰ
Ｌピーク波長に一致した。このとき発光輝度は７０００
ｃｄ／ｍ2 であった。
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、緑色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は５１０ｎｍであり、結晶構造のＳ１５０のＰ
Ｌピーク波長に一致した。このとき発光輝度は７０００
ｃｄ／ｍ2 であった。
【０１１０】実施例１０ 以下のような方法により図６に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）４
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-8Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層４３を形成した。次に、（Ｃ２）で示されるＡ
ｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）を０．１〜０．２ｎ
ｍ／ｓの速度で５ｎｍ蒸着して再結合層４４を形成し
た。上記の条件下ではジアミン、Ａｌｑ3 はアモルファ
ス薄膜となった。次に、基板温度を４０℃に設定し、
（Ａ１８）で示されるジエチルアミノスチリルベンズオ
キサゾール（電子注入性分子）を０．０１〜０．０２２
ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層４５を形
成した。この条件下ではジエチルアミノスチリルベンズ
オキサゾールの結晶膜が形成された。この上にＥＢ蒸着
法により膜厚１００ｎｍのＭｇ−Ａｇ電極（電子注入用
電極）４６を形成した。
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）４
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-8Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層４３を形成した。次に、（Ｃ２）で示されるＡ
ｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）を０．１〜０．２ｎ
ｍ／ｓの速度で５ｎｍ蒸着して再結合層４４を形成し
た。上記の条件下ではジアミン、Ａｌｑ3 はアモルファ
ス薄膜となった。次に、基板温度を４０℃に設定し、
（Ａ１８）で示されるジエチルアミノスチリルベンズオ
キサゾール（電子注入性分子）を０．０１〜０．０２２
ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層４５を形
成した。この条件下ではジエチルアミノスチリルベンズ
オキサゾールの結晶膜が形成された。この上にＥＢ蒸着
法により膜厚１００ｎｍのＭｇ−Ａｇ電極（電子注入用
電極）４６を形成した。
【０１１１】
【化２４】
【０１１２】図６を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極４６がマイナス、ＩＴＯ
電極４２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極４６から注入された電子は電子注入
層４５中を輸送され、さらに電子注入層４５／再結合層
４４界面を越えて再結合層４４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極４２から注入されたホールはホー
ル注入層４３へ注入され、さらにホール注入層４３／再
結合層４４界面を越えて再結合層４４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層４４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＡｌｑ3 が生成する。さ
らに、励起したＡｌｑ3 から、電子注入層４５を構成す
るジエチルアミノスチリルベンズオキサゾール結晶へエ
ネルギー移動が起き、発光が生じる。
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極４６がマイナス、ＩＴＯ
電極４２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極４６から注入された電子は電子注入
層４５中を輸送され、さらに電子注入層４５／再結合層
４４界面を越えて再結合層４４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極４２から注入されたホールはホー
ル注入層４３へ注入され、さらにホール注入層４３／再
結合層４４界面を越えて再結合層４４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層４４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＡｌｑ3 が生成する。さ
らに、励起したＡｌｑ3 から、電子注入層４５を構成す
るジエチルアミノスチリルベンズオキサゾール結晶へエ
ネルギー移動が起き、発光が生じる。
【０１１３】この素子について、ＩＴＯ電極４２がプラ
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、緑色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は５５０ｎｍであり、結晶構造のジエチルアミ
ノスチリルベンズオキサゾールのＰＬピーク波長に一致
した。このとき発光輝度は６０００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、緑色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は５５０ｎｍであり、結晶構造のジエチルアミ
ノスチリルベンズオキサゾールのＰＬピーク波長に一致
した。このとき発光輝度は６０００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。
【０１１４】比較例７ 以下のような方法により図７に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）５
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層５３を形成した。次に、（Ｃ２）で示されるＡ
ｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）と（Ｌ１）で示され
るルブレン（発光性分子）を１：０．０１の割合で１０
ｎｍ蒸着し、発光性分子を含有する再結合層５４を形成
した。上記の割合の設定は、おのおのの蒸着ボートを独
立に温度設定して蒸着速度をコントロールすることによ
り行った。次に、（Ａ１６）で示されるＯＸＤ−Ｓ１
（電子注入性分子）を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で
５０ｎｍ蒸着して電子注入層５５を形成した。これらの
有機薄膜はいずれもアモルファス構造であった。この上
にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ−Ａｇ電極
（電子注入用電極）５６を形成した。
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）５
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層５３を形成した。次に、（Ｃ２）で示されるＡ
ｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）と（Ｌ１）で示され
るルブレン（発光性分子）を１：０．０１の割合で１０
ｎｍ蒸着し、発光性分子を含有する再結合層５４を形成
した。上記の割合の設定は、おのおのの蒸着ボートを独
立に温度設定して蒸着速度をコントロールすることによ
り行った。次に、（Ａ１６）で示されるＯＸＤ−Ｓ１
（電子注入性分子）を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で
５０ｎｍ蒸着して電子注入層５５を形成した。これらの
有機薄膜はいずれもアモルファス構造であった。この上
にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ−Ａｇ電極
（電子注入用電極）５６を形成した。
【０１１５】図７を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極５６がマイナス、ＩＴＯ
電極５２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極５６から注入された電子は電子注入
層５５中を輸送され、さらに電子注入層５５／再結合層
５４界面を越えて再結合層５４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極５２から注入されたホールはホー
ル注入層５３へ注入され、さらにホール注入層５３／再
結合層５４界面を越えて再結合層５４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層５４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＡｌｑ3 が生成する。さ
らに、励起したＡｌｑ3 から再結合層５４にドープされ
ているルブレンへエネルギー移動が起き、発光が生じ
る。
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極５６がマイナス、ＩＴＯ
電極５２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極５６から注入された電子は電子注入
層５５中を輸送され、さらに電子注入層５５／再結合層
５４界面を越えて再結合層５４へ注入されて輸送され
る。一方、ＩＴＯ電極５２から注入されたホールはホー
ル注入層５３へ注入され、さらにホール注入層５３／再
結合層５４界面を越えて再結合層５４へ注入されて輸送
される。そして、再結合層５４中において電子とホール
との再結合が起こり、励起したＡｌｑ3 が生成する。さ
らに、励起したＡｌｑ3 から再結合層５４にドープされ
ているルブレンへエネルギー移動が起き、発光が生じ
る。
【０１１６】この素子について、ＩＴＯ電極５２がプラ
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、橙色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は５６０ｎｍであり、ルブレンのＰＬピーク波
長に一致した。しかし、発光輝度は１５００ｃｄ／ｍ2
であった。
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、橙色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は５６０ｎｍであり、ルブレンのＰＬピーク波
長に一致した。しかし、発光輝度は１５００ｃｄ／ｍ2
であった。
【０１１７】比較例８ 発光性分子として（Ｌ３４）で示されるフェノキサジン
を用いた以外は比較例７と同様にして有機ＥＬ素子を作
製した。この素子について、ＩＴＯ電極がプラスになる
ように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃｍ2
の電流が流れた。しかし、発光色は明確ではなく、しか
も発光輝度は１０ｃｄ／ｍ2 以下であった。この素子で
ほとんど発光が生じなかった原因としては、発光性分子
であるフェノキサジンとその周囲に存在する両キャリヤ
ー注入性分子であるＡｌｑ3 とが分子間再結合を起こ
し、この分子間再結合が非発光性であったためであると
考えられる。
を用いた以外は比較例７と同様にして有機ＥＬ素子を作
製した。この素子について、ＩＴＯ電極がプラスになる
ように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃｍ2
の電流が流れた。しかし、発光色は明確ではなく、しか
も発光輝度は１０ｃｄ／ｍ2 以下であった。この素子で
ほとんど発光が生じなかった原因としては、発光性分子
であるフェノキサジンとその周囲に存在する両キャリヤ
ー注入性分子であるＡｌｑ3 とが分子間再結合を起こ
し、この分子間再結合が非発光性であったためであると
考えられる。
【０１１８】比較例９ 発光性分子として（Ｌ３２）で示されるＤＣＭを用いた
以外は比較例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この素子について、ＩＴＯ電極がプラスになるように電
圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃｍ2 の電流が
流れ、赤色発光が生じた。その発光ピーク波長は６２０
ｎｍであり、ＤＣＭのＰＬピーク波長に一致した。しか
し、発光輝度は１５００ｃｄ／ｍ2 と低い値であった。
以外は比較例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この素子について、ＩＴＯ電極がプラスになるように電
圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ／ｃｍ2 の電流が
流れ、赤色発光が生じた。その発光ピーク波長は６２０
ｎｍであり、ＤＣＭのＰＬピーク波長に一致した。しか
し、発光輝度は１５００ｃｄ／ｍ2 と低い値であった。
【０１１９】比較例１０ 以下のような方法により図８に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）６
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層６３を形成した。次に、（Ｃ２）で示されるＡ
ｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）を５ｎｍ蒸着し再結
合発光層６４を形成した。次に、（Ａ１６）で示される
ＯＸＤ−Ｓ１（電子注入性分子）を０．１〜０．２ｎｍ
／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層６５を形成し
た。これらの有機薄膜はいずれもアモルファス構造であ
った。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ
−Ａｇ電極（電子注入用電極）６６を形成した。
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）上に、スパッタ法によりシート抵
抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電極）６
２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を用い、
真空度を１０-6Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定し、
（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）を
０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホー
ル注入層６３を形成した。次に、（Ｃ２）で示されるＡ
ｌｑ3 （両キャリヤー注入性分子）を５ｎｍ蒸着し再結
合発光層６４を形成した。次に、（Ａ１６）で示される
ＯＸＤ−Ｓ１（電子注入性分子）を０．１〜０．２ｎｍ
／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層６５を形成し
た。これらの有機薄膜はいずれもアモルファス構造であ
った。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎｍのＭｇ
−Ａｇ電極（電子注入用電極）６６を形成した。
【０１２０】図８を参照してこの有機ＥＬ素子の動作機
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極６６がマイナス、ＩＴＯ
電極６２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極６６から注入された電子は電子注入
層６５中を輸送され、さらに電子注入層６５／再結合発
光層６４界面を越えて再結合発光層６４へ注入されて輸
送される。一方、ＩＴＯ電極６２から注入されたホール
はホール注入層６３へ注入され、さらにホール注入層６
３／再結合発光層６４界面を越えて再結合発光層６４へ
注入されて輸送される。そして、再結合発光層６４中に
おいて電子とホールとの再結合が起こり、励起したＡｌ
ｑ3 が生成し、励起状態のＡｌｑ3 から発光が生じる。
構を説明する。Ｍｇ−Ａｇ電極６６がマイナス、ＩＴＯ
電極６２がプラスとなるようにバイアス電圧を印加す
る。Ｍｇ−Ａｇ電極６６から注入された電子は電子注入
層６５中を輸送され、さらに電子注入層６５／再結合発
光層６４界面を越えて再結合発光層６４へ注入されて輸
送される。一方、ＩＴＯ電極６２から注入されたホール
はホール注入層６３へ注入され、さらにホール注入層６
３／再結合発光層６４界面を越えて再結合発光層６４へ
注入されて輸送される。そして、再結合発光層６４中に
おいて電子とホールとの再結合が起こり、励起したＡｌ
ｑ3 が生成し、励起状態のＡｌｑ3 から発光が生じる。
【０１２１】この素子について、ＩＴＯ電極６２がプラ
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、黄緑色発光が生じた。その発光
ピーク波長は５４０ｎｍであり、Ａｌｑ3 のＰＬピーク
波長に一致した。このとき発光輝度は２０００ｃｄ／ｍ
2 であった。
スになるように電圧を印加すると、１０Ｖで１００ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、黄緑色発光が生じた。その発光
ピーク波長は５４０ｎｍであり、Ａｌｑ3 のＰＬピーク
波長に一致した。このとき発光輝度は２０００ｃｄ／ｍ
2 であった。
【０１２２】参照例１ 以下のような方法により図９に示す有機ＥＬ素子を作製
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）７１上に、スパッタ法によりシー
ト抵抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電
極）７２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を
用い、真空度を１０-8Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定
し、（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）
を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホ
ール注入層７３を形成した。次に、「化２５」で示され
るＡｌＣＨｑ3 を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０
ｎｍ蒸着して発光層７４を形成した。次に、（Ａ１６）
で示されるＯＸＤ−Ｓ１（電子注入性分子）を０．１〜
０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層７
５を形成した。これらの有機膜はいずれもアモルファス
構造であった。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎ
ｍのＭｇ−Ａｇ電極（電子注入用電極）７６を形成し
た。
した。まず、アルカリ成分を含まないガラス基板（ＨＯ
ＹＡ社製、ＮＡ４０）７１上に、スパッタ法によりシー
ト抵抗１０Ω／ｃｍ2 のＩＴＯ電極（ホール注入用電
極）７２を２００ｎｍ形成した。次に、真空蒸着装置を
用い、真空度を１０-8Ｔｏｒｒ、基板温度を室温に設定
し、（Ｄ７）で示されるジアミン（ホール注入性分子）
を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着してホ
ール注入層７３を形成した。次に、「化２５」で示され
るＡｌＣＨｑ3 を０．１〜０．２ｎｍ／ｓの速度で５０
ｎｍ蒸着して発光層７４を形成した。次に、（Ａ１６）
で示されるＯＸＤ−Ｓ１（電子注入性分子）を０．１〜
０．２ｎｍ／ｓの速度で５０ｎｍ蒸着して電子注入層７
５を形成した。これらの有機膜はいずれもアモルファス
構造であった。この上にＥＢ蒸着法により膜厚１００ｎ
ｍのＭｇ−Ａｇ電極（電子注入用電極）７６を形成し
た。
【０１２３】
【化２５】
【０１２４】この素子について、ＩＴＯ電極７２がプラ
スになるように電圧を印加すると、５Ｖで１ｍＡ／ｃｍ
2 の電流が流れ、青色発光が生じた。その発光ピーク波
長は４７０ｎｍであり、ＡｌＣＨｑ3 のＰＬピーク波長
に一致した。また、発光輝度は２００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。この素子を５Ｖで定電圧駆動したとき、輝度が初期
値の１／２である１００ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間は
１０００時間、輝度が初期値の１／２０である１０ｃｄ
／ｍ2 になるまでの時間は２０００時間以上であった。
スになるように電圧を印加すると、５Ｖで１ｍＡ／ｃｍ
2 の電流が流れ、青色発光が生じた。その発光ピーク波
長は４７０ｎｍであり、ＡｌＣＨｑ3 のＰＬピーク波長
に一致した。また、発光輝度は２００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。この素子を５Ｖで定電圧駆動したとき、輝度が初期
値の１／２である１００ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間は
１０００時間、輝度が初期値の１／２０である１０ｃｄ
／ｍ2 になるまでの時間は２０００時間以上であった。
【０１２５】次に、「化２６」で示されるＡｌｓｑ3 を
用いて発光層を形成した以外は全く同様にして有機ＥＬ
素子を作製した。この素子について、ＩＴＯ電極がプラ
スになるように電圧を印加すると、５Ｖで１０ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流が流れ、青色発光が生じた。その発光ピーク
波長は４８０ｎｍであり、Ａｌｓｑ3 のＰＬピーク波長
に一致した。また、発光輝度は２００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。この素子を５Ｖで定電圧駆動したとき、輝度が初期
値の１／２である１００ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間は
１０００時間、輝度が初期値の１／２０である１０ｃｄ
／ｍ2 になるまでの時間は２０００時間以上であった。
用いて発光層を形成した以外は全く同様にして有機ＥＬ
素子を作製した。この素子について、ＩＴＯ電極がプラ
スになるように電圧を印加すると、５Ｖで１０ｍＡ／ｃ
ｍ2 の電流が流れ、青色発光が生じた。その発光ピーク
波長は４８０ｎｍであり、Ａｌｓｑ3 のＰＬピーク波長
に一致した。また、発光輝度は２００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。この素子を５Ｖで定電圧駆動したとき、輝度が初期
値の１／２である１００ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間は
１０００時間、輝度が初期値の１／２０である１０ｃｄ
／ｍ2 になるまでの時間は２０００時間以上であった。
【０１２６】
【化２６】
【０１２７】また、「化２６」で示されるＡｌｓｑ3 に
「化２５」で示されるＡｌＣＨｑ3を５ｍｏｌ％ドーピ
ングした発光層を形成した以外は全く同様にして有機Ｅ
Ｌ素子を作製した。上記の割合の設定は、おのおのの蒸
着ボートを独立に温度設定して蒸着速度をコントロール
することにより行った。この素子について、ＩＴＯ電極
がプラスになるように電圧を印加すると、３Ｖで１ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、青色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は４８０ｎｍであり、Ａｌｓｑ3 のＰＬピーク
波長に一致した。また、発光輝度は２００ｃｄ／ｍ2 で
あった。この素子を３Ｖで定電圧駆動したとき、輝度が
初期値の１／２である１００ｃｄ／ｍ2になるまでの時
間は２０００時間以上であった。
「化２５」で示されるＡｌＣＨｑ3を５ｍｏｌ％ドーピ
ングした発光層を形成した以外は全く同様にして有機Ｅ
Ｌ素子を作製した。上記の割合の設定は、おのおのの蒸
着ボートを独立に温度設定して蒸着速度をコントロール
することにより行った。この素子について、ＩＴＯ電極
がプラスになるように電圧を印加すると、３Ｖで１ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、青色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は４８０ｎｍであり、Ａｌｓｑ3 のＰＬピーク
波長に一致した。また、発光輝度は２００ｃｄ／ｍ2 で
あった。この素子を３Ｖで定電圧駆動したとき、輝度が
初期値の１／２である１００ｃｄ／ｍ2になるまでの時
間は２０００時間以上であった。
【０１２８】さらに、「化２７」で示されるＡｌ2 ｓｑ
6 を用いて発光層を形成した以外は全く同様にして有機
ＥＬ素子を作製した。この素子について、ＩＴＯ電極が
プラスになるように電圧を印加すると、５Ｖで１０ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、青色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は４８０ｎｍであり、Ａｌ2 ｓｑ6 のＰＬピー
ク波長に一致した。また、発光輝度は２００ｃｄ／ｍ2
であった。この素子を５Ｖで定電圧駆動したとき、輝度
が初期値の１／２である１００ｃｄ／ｍ2 になるまでの
時間は１０００時間、輝度が初期値の１／２０である１
０ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間は２０００時間以上であ
った。
6 を用いて発光層を形成した以外は全く同様にして有機
ＥＬ素子を作製した。この素子について、ＩＴＯ電極が
プラスになるように電圧を印加すると、５Ｖで１０ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れ、青色発光が生じた。その発光ピ
ーク波長は４８０ｎｍであり、Ａｌ2 ｓｑ6 のＰＬピー
ク波長に一致した。また、発光輝度は２００ｃｄ／ｍ2
であった。この素子を５Ｖで定電圧駆動したとき、輝度
が初期値の１／２である１００ｃｄ／ｍ2 になるまでの
時間は１０００時間、輝度が初期値の１／２０である１
０ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間は２０００時間以上であ
った。
【０１２９】
【化２７】
【０１３０】一方比較のため、（Ｃ２）で示されるＡｌ
ｑ3 を用いて発光層を形成した以外は全く同様にして有
機ＥＬ素子を作製した。この素子について、ＩＴＯ電極
がプラスになるように電圧を印加すると、５Ｖで１ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れたが、輝度は２０ｃｄ／ｍ2 にす
ぎなかった。８Ｖでは１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、
緑色発光が生じた。その発光ピーク波長は５３０ｎｍで
あり、Ａｌｑ3 のＰＬピーク波長に一致した。また、輝
度は２００ｃｄ／ｍ2 であった。この素子を８Ｖで定電
圧駆動したとき、輝度が初期値の１／２である１００ｃ
ｄ／ｍ2 になるまでの時間は１０００時間、輝度が初期
値の１／２０である１０ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間は
２０００時間以上であった。
ｑ3 を用いて発光層を形成した以外は全く同様にして有
機ＥＬ素子を作製した。この素子について、ＩＴＯ電極
がプラスになるように電圧を印加すると、５Ｖで１ｍＡ
／ｃｍ2 の電流が流れたが、輝度は２０ｃｄ／ｍ2 にす
ぎなかった。８Ｖでは１０ｍＡ／ｃｍ2 の電流が流れ、
緑色発光が生じた。その発光ピーク波長は５３０ｎｍで
あり、Ａｌｑ3 のＰＬピーク波長に一致した。また、輝
度は２００ｃｄ／ｍ2 であった。この素子を８Ｖで定電
圧駆動したとき、輝度が初期値の１／２である１００ｃ
ｄ／ｍ2 になるまでの時間は１０００時間、輝度が初期
値の１／２０である１０ｃｄ／ｍ2 になるまでの時間は
２０００時間以上であった。
【０１３１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば発
光効率が高く、寿命が長い有機ＥＬ素子を提供すること
ができる。
光効率が高く、寿命が長い有機ＥＬ素子を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１における有機ＥＬ素子の断面
図。
図。
【図２】本発明の実施例１における有機ＥＬ素子のエネ
ルギーバンド図。
ルギーバンド図。
【図３】本発明の実施例６における有機ＥＬ素子のエネ
ルギーバンド図。
ルギーバンド図。
【図４】本発明の実施例８における有機ＥＬ素子のエネ
ルギーバンド図。
ルギーバンド図。
【図５】本発明の実施例９における有機ＥＬ素子のエネ
ルギーバンド図。
ルギーバンド図。
【図６】本発明の実施例１０における有機ＥＬ素子のエ
ネルギーバンド図。
ネルギーバンド図。
【図７】本発明の比較例７における有機ＥＬ素子のエネ
ルギーバンド図。
ルギーバンド図。
【図８】本発明の比較例１０における有機ＥＬ素子のエ
ネルギーバンド図。
ネルギーバンド図。
【図９】本発明の参照例における有機ＥＬ素子の断面
図。
図。
【図１０】従来の有機ＥＬ素子のエネルギーバンド図。
【図１１】従来の有機ＥＬ素子のエネルギーバンド図。
【図１２】従来の有機ＥＬ素子のエネルギーバンド図。
【図１３】従来の有機ＥＬ素子のエネルギーバンド図。
１…ガラス基板、２…ＩＴＯ電極（ホール注入用電
極）、３…ホール注入層、４…発光性分子を含有する再
結合層、５…電子注入層、６…Ｍｇ−Ａｇ電極（電子注
入用電極）、１２…ＩＴＯ電極、１３…発光性分子を含
有するホール注入層、１４…再結合層、１５…電子注入
層、１６…Ｍｇ−Ａｇ電極、２２…ＩＴＯ電極、２３…
ホール注入層、２４…再結合層、２５…発光性分子を含
有する電子注入層、２６…Ｍｇ−Ａｇ電極、３２…ＩＴ
Ｏ電極、３３…ホール注入層、３４…再結合層、３５…
電子注入層、３６…Ｍｇ−Ａｇ電極、４２…ＩＴＯ電
極、４３…ホール注入層、４４…再結合層、４５…電子
注入層、４６…Ｍｇ−Ａｇ電極、５２…ＩＴＯ電極、５
３…ホール注入層、５４…発光性分子を含有する再結合
層、５５…電子注入層、５６…Ｍｇ−Ａｇ電極、６２…
ＩＴＯ電極、６３…ホール注入層、６４…再結合発光
層、６５…電子注入層、６６…Ｍｇ−Ａｇ電極、７１…
ガラス基板、７２…ＩＴＯ電極、７３…ホール注入層、
７４…発光層、７５…電子注入層、７６…Ｍｇ−Ａｇ電
極。
極）、３…ホール注入層、４…発光性分子を含有する再
結合層、５…電子注入層、６…Ｍｇ−Ａｇ電極（電子注
入用電極）、１２…ＩＴＯ電極、１３…発光性分子を含
有するホール注入層、１４…再結合層、１５…電子注入
層、１６…Ｍｇ−Ａｇ電極、２２…ＩＴＯ電極、２３…
ホール注入層、２４…再結合層、２５…発光性分子を含
有する電子注入層、２６…Ｍｇ−Ａｇ電極、３２…ＩＴ
Ｏ電極、３３…ホール注入層、３４…再結合層、３５…
電子注入層、３６…Ｍｇ−Ａｇ電極、４２…ＩＴＯ電
極、４３…ホール注入層、４４…再結合層、４５…電子
注入層、４６…Ｍｇ−Ａｇ電極、５２…ＩＴＯ電極、５
３…ホール注入層、５４…発光性分子を含有する再結合
層、５５…電子注入層、５６…Ｍｇ−Ａｇ電極、６２…
ＩＴＯ電極、６３…ホール注入層、６４…再結合発光
層、６５…電子注入層、６６…Ｍｇ−Ａｇ電極、７１…
ガラス基板、７２…ＩＴＯ電極、７３…ホール注入層、
７４…発光層、７５…電子注入層、７６…Ｍｇ−Ａｇ電
極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 隆 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内
Claims (2)
- 【請求項１】 電子注入用電極とホール注入用電極との
間に有機薄膜を挟んだ構造を有し、該有機薄膜が、前記
電子注入用電極に隣接する電子注入層と、前記ホール注
入用電極に隣接するホール注入層と、これらの中間に設
けられた電子注入性分子とホール注入性分子との分子対
を含む再結合領域と、再結合領域で生成した励起状態か
らのエネルギー移動により発光する発光サイトとを具備
したことを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 電子注入用電極とホール注入用電極との
間に有機薄膜を挟んだ構造を有し、該有機薄膜が、前記
電子注入用電極に隣接する電子注入層と、前記ホール注
入用電極に隣接するホール注入層と、これらの中間に設
けられた再結合領域と、前記電子注入層またはホール注
入層中に含有され、再結合領域で生成した励起状態から
のエネルギー移動により発光する発光サイトとを具備し
たことを特徴とする有機ＥＬ素子。
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785972A (ja) |
Cited By (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996036079A1 (de) * | 1995-05-09 | 1996-11-14 | Robert Bosch Gmbh | Elektrolumineszierendes schichtsystem aus lichtemittierendem organischen material |
| JPH08311442A (ja) * | 1995-05-17 | 1996-11-26 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| EP0831676A2 (de) * | 1996-09-21 | 1998-03-25 | Philips Patentverwaltung GmbH | Organisches Elektrolumineszentes Bauelement mit Exciplex |
| JPH1167453A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-03-09 | Mitsui Chem Inc | 有機電界発光素子 |
| JP2000133453A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2000164359A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2000315580A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2000315581A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2002043063A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-02-08 | Xerox Corp | 有機発光素子 |
| WO2002052904A1 (fr) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent organique |
| JP2002222697A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-08-09 | Toray Ind Inc | 発光素子 |
| JP2004047493A (ja) * | 2003-10-22 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子 |
| JP2004247313A (ja) * | 1998-03-13 | 2004-09-02 | Cambridge Display Technol Ltd | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP2005276748A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| WO2006022194A1 (en) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electron injecting composition, and light emitting element and light emitting device using the electron injecting composition |
| WO2008069153A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| JP2010520507A (ja) * | 2007-03-06 | 2010-06-10 | サン ルーウェン | 表示装置、および表示装置を含む携帯電話、コンピュータ、テレビ |
| WO2012127990A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| WO2012132809A1 (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2014033236A (ja) * | 2011-02-16 | 2014-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、照明装置及び電子機器 |
| JP2014045176A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置及び複素環化合物 |
| JP2014044941A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
| JP2014056814A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
| US8736157B2 (en) | 2011-04-07 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2014225661A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
| US8994013B2 (en) | 2012-05-18 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US8994263B2 (en) | 2011-02-16 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2015065448A (ja) * | 2012-08-03 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、および電子機器 |
| US9059430B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9065066B2 (en) | 2012-04-13 | 2015-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| JP2015134797A (ja) * | 2008-12-10 | 2015-07-27 | ウィスタ ラボラトリーズ リミテッド | ３，６−二置換キサンチリウム塩 |
| US9299944B2 (en) | 2012-04-13 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9391289B2 (en) | 2012-04-06 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device and light device each comprising light-emitting layer with mixed organic compounds capable of forming an exciplex |
| JP2017063217A (ja) * | 2011-02-28 | 2017-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置 |
| JP2017139476A (ja) * | 2011-04-29 | 2017-08-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置 |
| US9954177B2 (en) | 2015-03-09 | 2018-04-24 | Semiconductor Enery Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| JP2018117159A (ja) * | 2012-10-03 | 2018-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
| JP2020188286A (ja) * | 2011-08-25 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 |
| JP2022060381A (ja) * | 2012-04-20 | 2022-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置 |
| US11508926B2 (en) | 2014-10-10 | 2022-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212286A (ja) * | 1990-03-16 | 1992-08-03 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 分散型電界発光素子 |
| JPH04334894A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜型電界発光素子 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23382793A patent/JPH0785972A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04212286A (ja) * | 1990-03-16 | 1992-08-03 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 分散型電界発光素子 |
| JPH04334894A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-20 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜型電界発光素子 |
Cited By (151)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996036079A1 (de) * | 1995-05-09 | 1996-11-14 | Robert Bosch Gmbh | Elektrolumineszierendes schichtsystem aus lichtemittierendem organischen material |
| JPH08311442A (ja) * | 1995-05-17 | 1996-11-26 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| EP0831676A2 (de) * | 1996-09-21 | 1998-03-25 | Philips Patentverwaltung GmbH | Organisches Elektrolumineszentes Bauelement mit Exciplex |
| EP0831676A3 (de) * | 1996-09-21 | 1998-07-15 | Philips Patentverwaltung GmbH | Organisches Elektrolumineszentes Bauelement mit Exciplex |
| US5955836A (en) * | 1996-09-21 | 1999-09-21 | U.S. Philips Corporation | Organic electroluminescent component with exciplex formed from a mixed layer of a mixture of hole transporting and electron transporting organic material |
| JPH1167453A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-03-09 | Mitsui Chem Inc | 有機電界発光素子 |
| US7449714B2 (en) | 1998-03-13 | 2008-11-11 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices |
| US8115199B2 (en) | 1998-03-13 | 2012-02-14 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices |
| US7078251B2 (en) | 1998-03-13 | 2006-07-18 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices |
| US7393704B2 (en) | 1998-03-13 | 2008-07-01 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent devices |
| JP2004247313A (ja) * | 1998-03-13 | 2004-09-02 | Cambridge Display Technol Ltd | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| US6897473B1 (en) | 1998-03-13 | 2005-05-24 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices |
| JP2005174947A (ja) * | 1998-03-13 | 2005-06-30 | Cambridge Display Technol Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
| US7227180B2 (en) | 1998-03-13 | 2007-06-05 | Cambridge Display Technology Ltd. | Electroluminescent devices |
| JP2000133453A (ja) * | 1998-10-22 | 2000-05-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2000164359A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2000315580A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2000315581A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2002043063A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-02-08 | Xerox Corp | 有機発光素子 |
| JP2002222697A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-08-09 | Toray Ind Inc | 発光素子 |
| WO2002052904A1 (fr) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent organique |
| JP2004047493A (ja) * | 2003-10-22 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子 |
| JP2005276748A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| WO2006022194A1 (en) * | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electron injecting composition, and light emitting element and light emitting device using the electron injecting composition |
| US7732811B2 (en) | 2006-12-04 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| WO2008069153A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| JP2008166745A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置並びに電子機器 |
| US8916857B2 (en) | 2006-12-04 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| US8319210B2 (en) | 2006-12-04 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device |
| JP2010520507A (ja) * | 2007-03-06 | 2010-06-10 | サン ルーウェン | 表示装置、および表示装置を含む携帯電話、コンピュータ、テレビ |
| JP2015134797A (ja) * | 2008-12-10 | 2015-07-27 | ウィスタ ラボラトリーズ リミテッド | ３，６−二置換キサンチリウム塩 |
| US10399955B2 (en) | 2008-12-10 | 2019-09-03 | Wista Laboratories Ltd. | 3,6-disubstituted xanthylium salts |
| US9549933B2 (en) | 2008-12-10 | 2017-01-24 | Wista Laboratories Ltd. | 3,6-disubstituted xanthylium salts |
| US10593895B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US12100795B2 (en) | 2011-02-16 | 2024-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US12150325B2 (en) | 2011-02-16 | 2024-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US11812626B2 (en) | 2011-02-16 | 2023-11-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10573829B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US9604928B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2019186582A (ja) * | 2011-02-16 | 2019-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光層用混合材料 |
| US10586934B2 (en) | 2011-02-16 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10403839B2 (en) | 2011-02-16 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2014033236A (ja) * | 2011-02-16 | 2014-02-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、照明装置及び電子機器 |
| US9538607B2 (en) | 2011-02-16 | 2017-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US11038135B2 (en) | 2011-02-16 | 2021-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US8994263B2 (en) | 2011-02-16 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10930852B2 (en) | 2011-02-28 | 2021-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2018137459A (ja) * | 2011-02-28 | 2018-08-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子および発光装置 |
| US11508912B2 (en) | 2011-02-28 | 2022-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US9929350B2 (en) | 2011-02-28 | 2018-03-27 | Semiconducor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US12108658B2 (en) | 2011-02-28 | 2024-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2017063217A (ja) * | 2011-02-28 | 2017-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置 |
| US10505120B2 (en) | 2011-02-28 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2014064026A (ja) * | 2011-03-23 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、照明装置および電子機器 |
| CN103443950A (zh) * | 2011-03-23 | 2013-12-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件 |
| WO2012127990A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2023134668A (ja) * | 2011-03-23 | 2023-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、照明装置及び電子機器 |
| US10978661B2 (en) | 2011-03-23 | 2021-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| CN103443950B (zh) * | 2011-03-23 | 2016-06-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件 |
| US10367160B2 (en) | 2011-03-23 | 2019-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2012212879A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
| US11871592B2 (en) | 2011-03-23 | 2024-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| KR101457838B1 (ko) * | 2011-03-23 | 2014-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치 및 전자 기기 |
| US9634279B2 (en) | 2011-03-23 | 2017-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US9175213B2 (en) | 2011-03-23 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2021005731A (ja) * | 2011-03-23 | 2021-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、照明装置および電子機器 |
| JP2020077863A (ja) * | 2011-03-23 | 2020-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 材料および発光装置 |
| JP2017038079A (ja) * | 2011-03-30 | 2017-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置 |
| JP2022020818A (ja) * | 2011-03-30 | 2022-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2012216829A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
| US8853680B2 (en) | 2011-03-30 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| WO2012132809A1 (en) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US9269920B2 (en) | 2011-03-30 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US8736157B2 (en) | 2011-04-07 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2016213512A (ja) * | 2011-04-07 | 2016-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
| US9123907B2 (en) | 2011-04-07 | 2015-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2018014525A (ja) * | 2011-04-07 | 2018-01-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子および発光装置 |
| JP2017139476A (ja) * | 2011-04-29 | 2017-08-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置 |
| JP2020188286A (ja) * | 2011-08-25 | 2020-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 |
| US11773321B2 (en) | 2011-08-25 | 2023-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and novel organic compound |
| US9059430B2 (en) | 2012-03-14 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9263693B2 (en) | 2012-03-14 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9590208B2 (en) | 2012-03-14 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10062867B2 (en) | 2012-03-14 | 2018-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9698365B2 (en) | 2012-04-06 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device and light device each comprising light-emitting layer with mixed organic compounds capable of forming an exciplex |
| US9391289B2 (en) | 2012-04-06 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device and light device each comprising light-emitting layer with mixed organic compounds capable of forming an exciplex |
| US10424755B2 (en) | 2012-04-06 | 2019-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device each comprising light-emitting layer with mixed organic compounds capable of forming exciplex |
| US9595686B2 (en) | 2012-04-13 | 2017-03-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US11393997B2 (en) | 2012-04-13 | 2022-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US10818861B2 (en) | 2012-04-13 | 2020-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9299944B2 (en) | 2012-04-13 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US9065066B2 (en) | 2012-04-13 | 2015-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| JP2022060381A (ja) * | 2012-04-20 | 2022-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置 |
| JP2021182628A (ja) * | 2012-05-18 | 2021-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置、又は電子機器 |
| JP2022122966A (ja) * | 2012-05-18 | 2022-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置、及び電子機器 |
| JP2018067716A (ja) * | 2012-05-18 | 2018-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置および電子機器 |
| US8994013B2 (en) | 2012-05-18 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| JP2014044941A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
| JP2022009808A (ja) * | 2012-08-03 | 2022-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、照明装置、発光装置、および電子機器 |
| JP2019054258A (ja) * | 2012-08-03 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US10505132B2 (en) | 2012-08-03 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2019054257A (ja) * | 2012-08-03 | 2019-04-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および発光方法 |
| US12262574B2 (en) | 2012-08-03 | 2025-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2019041114A (ja) * | 2012-08-03 | 2019-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US10181571B2 (en) | 2012-08-03 | 2019-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| KR20180133352A (ko) * | 2012-08-03 | 2018-12-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| JP2014045176A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-03-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置及び複素環化合物 |
| US10644254B2 (en) | 2012-08-03 | 2020-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| KR20180121852A (ko) * | 2012-08-03 | 2018-11-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| JP2015065448A (ja) * | 2012-08-03 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、および電子機器 |
| JP2020115560A (ja) * | 2012-08-03 | 2020-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、照明装置、発光装置、および電子機器 |
| US10734594B2 (en) | 2012-08-03 | 2020-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2016006905A (ja) * | 2012-08-03 | 2016-01-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、照明装置および電子機器 |
| US9276228B2 (en) | 2012-08-03 | 2016-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US11730007B2 (en) | 2012-08-03 | 2023-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| JP2018160468A (ja) * | 2012-08-03 | 2018-10-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、照明装置、発光装置、表示装置、および電子機器 |
| JP2023071999A (ja) * | 2012-08-03 | 2023-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
| JP2018152589A (ja) * | 2012-08-03 | 2018-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光方法、発光素子、照明装置、発光装置、および電子機器 |
| JP2021022744A (ja) * | 2012-08-03 | 2021-02-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、照明装置、発光装置および電子機器 |
| JP2023036820A (ja) * | 2012-08-03 | 2023-03-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、照明装置および電子機器 |
| KR20230005088A (ko) * | 2012-08-03 | 2023-01-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| US9559313B2 (en) | 2012-08-03 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| KR20220124673A (ko) * | 2012-08-03 | 2022-09-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자 |
| US10020451B2 (en) | 2012-08-03 | 2018-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and heterocyclic compound |
| US9627640B2 (en) | 2012-08-03 | 2017-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
| US11355722B2 (en) | 2012-08-03 | 2022-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US9947885B2 (en) | 2012-08-03 | 2018-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
| US10665808B2 (en) | 2012-08-10 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| CN107359260B (zh) * | 2012-08-10 | 2019-12-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置 |
| JP2014056814A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
| US9559324B2 (en) | 2012-08-10 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US11018313B2 (en) | 2012-08-10 | 2021-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US12029059B2 (en) | 2012-08-10 | 2024-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US10121984B2 (en) | 2012-08-10 | 2018-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US9142710B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| US11690239B2 (en) | 2012-08-10 | 2023-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| CN107359260A (zh) * | 2012-08-10 | 2017-11-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、显示装置、电子设备以及照明装置 |
| KR20200035481A (ko) * | 2012-10-03 | 2020-04-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치 |
| JP2021061423A (ja) * | 2012-10-03 | 2021-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
| JP2018117159A (ja) * | 2012-10-03 | 2018-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
| US10833279B2 (en) | 2013-04-26 | 2020-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| TWI712194B (zh) * | 2013-04-26 | 2020-12-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置、電子裝置以及照明設備 |
| US10043982B2 (en) | 2013-04-26 | 2018-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| JP2014225661A (ja) * | 2013-04-26 | 2014-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
| JP2019149550A (ja) * | 2013-04-26 | 2019-09-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、表示装置、電子機器及び照明装置 |
| US12004359B2 (en) | 2014-10-10 | 2024-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11508926B2 (en) | 2014-10-10 | 2022-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US10811611B2 (en) | 2015-03-09 | 2020-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11895908B2 (en) | 2015-03-09 | 2024-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US9954177B2 (en) | 2015-03-09 | 2018-04-24 | Semiconductor Enery Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
| US11322689B2 (en) | 2015-03-09 | 2022-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device |
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