JPH0778689A - 薄膜エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
薄膜エレクトロルミネセンス素子Info
- Publication number
- JPH0778689A JPH0778689A JP5222682A JP22268293A JPH0778689A JP H0778689 A JPH0778689 A JP H0778689A JP 5222682 A JP5222682 A JP 5222682A JP 22268293 A JP22268293 A JP 22268293A JP H0778689 A JPH0778689 A JP H0778689A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- thin film
- light emitting
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims 1
- ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N strontium;sulfide Chemical group [S-2].[Sr+2] ZEGFMFQPWDMMEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical group [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Si3NFour Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】発光層の両面に絶縁層を介して電極を設けた薄
膜EL素子の輝度を向上させる。 【構成】発光層で発生した光が積層された各層を通過す
るための干渉効果による干渉ピーク波長と、発生した光
の発光ピーク波長とを一致させることにより高輝度が得
られる。このような一致は、各層の材料、屈折率に対応
して膜厚を最適化することによって得られる。
膜EL素子の輝度を向上させる。 【構成】発光層で発生した光が積層された各層を通過す
るための干渉効果による干渉ピーク波長と、発生した光
の発光ピーク波長とを一致させることにより高輝度が得
られる。このような一致は、各層の材料、屈折率に対応
して膜厚を最適化することによって得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、交流電界の印加によっ
てエレクトロルミネセンス (以下ELと略す) 発光を呈
する薄膜EL素子に関するものである。
てエレクトロルミネセンス (以下ELと略す) 発光を呈
する薄膜EL素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より電場発光螢光体を用いた固体映
像装置としてX−Yマトリックス表示装置が知られてい
る。この装置は、電場発光層の両面に水平平行電極群と
垂直電極群とを互いに直行するように配置し、それぞれ
の電極群に接続された給電線により切替え装置を通して
信号を加えて、両電極の交点部分の電場発光層 (EL発
光層) を発光させ、発光した交点部分のいわゆる絵素の
組合わせによって文字信号、図形を表示させるものであ
る。
像装置としてX−Yマトリックス表示装置が知られてい
る。この装置は、電場発光層の両面に水平平行電極群と
垂直電極群とを互いに直行するように配置し、それぞれ
の電極群に接続された給電線により切替え装置を通して
信号を加えて、両電極の交点部分の電場発光層 (EL発
光層) を発光させ、発光した交点部分のいわゆる絵素の
組合わせによって文字信号、図形を表示させるものであ
る。
【0003】ここで用いられる固体映像表示装置の表示
板としては、通常、図3に示すように透光性基板1上に
平行な下部透明電極群2を形成し、その上に第一絶縁層
3、EL発光層4、第二絶縁層5を順次積層し、さらに
その上に背面平行電極群6を図4に示すように下部透明
電極群2と絵素7で直交する配置で積層して形成する。
透光性基板1の材料には、ソーダガラス、ほうけい酸ガ
ラス、バリウムほうけい酸ガラスの一つを用い、その基
板上にSnO2 あるいはITO (In2 O3 +SnO 2 ) のよ
うな透明導電材料を、電子ビーム (EB) 蒸着法、スパ
ッタリング法により150 〜400nm の間の厚さで形成して
透明電極2とする。第一、第二絶縁層3、5の材料に
は、Y2 O3 、SiO2 、Si3 N4 、Al2 O3 、Ta
2 O5 、SiON、SiAlON等より一種ないし二種を選
び、1層ないし2層を厚さ200 〜400nm の間でEB蒸着
法、スパッタリング法で形成する。EL発光層4は、Zn
Sを母体とし、添加物としてMn、Tb、Eu、Sm、Tma を加
え、あるいはSrSを母体とし、添加物としてCe等を加
え、EB蒸着法、原子層結晶成長 (ALE) 法、スパッ
タリング法、有機金属CVD法などにより、400 〜900n
m の厚さに形成する。背面電極6は、Alなどの金属材料
によりEB蒸着法あるいはスパッタリング法で1層ない
し2層、合計厚さ300 〜1000nmに形成する。
板としては、通常、図3に示すように透光性基板1上に
平行な下部透明電極群2を形成し、その上に第一絶縁層
3、EL発光層4、第二絶縁層5を順次積層し、さらに
その上に背面平行電極群6を図4に示すように下部透明
電極群2と絵素7で直交する配置で積層して形成する。
透光性基板1の材料には、ソーダガラス、ほうけい酸ガ
ラス、バリウムほうけい酸ガラスの一つを用い、その基
板上にSnO2 あるいはITO (In2 O3 +SnO 2 ) のよ
うな透明導電材料を、電子ビーム (EB) 蒸着法、スパ
ッタリング法により150 〜400nm の間の厚さで形成して
透明電極2とする。第一、第二絶縁層3、5の材料に
は、Y2 O3 、SiO2 、Si3 N4 、Al2 O3 、Ta
2 O5 、SiON、SiAlON等より一種ないし二種を選
び、1層ないし2層を厚さ200 〜400nm の間でEB蒸着
法、スパッタリング法で形成する。EL発光層4は、Zn
Sを母体とし、添加物としてMn、Tb、Eu、Sm、Tma を加
え、あるいはSrSを母体とし、添加物としてCe等を加
え、EB蒸着法、原子層結晶成長 (ALE) 法、スパッ
タリング法、有機金属CVD法などにより、400 〜900n
m の厚さに形成する。背面電極6は、Alなどの金属材料
によりEB蒸着法あるいはスパッタリング法で1層ない
し2層、合計厚さ300 〜1000nmに形成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】薄膜EL素子の発光閾
値電圧は、第一絶縁層、第二絶縁層の各膜厚と誘電率で
決まる。発光輝度は、発光層母材に添加した励起源の添
加物濃度が最適値であるとき、発光母材の膜質等によ
り、また、絶縁層の材料特性により影響されて、その発
光輝度が概略決まる。このような、一般的なEL素子に
おいて、高輝度化はかねてよりの課題である。また、最
近、カラー薄膜EL素子の開発が急速に進展しつつあ
る。しかし現状は、赤色発光、緑色発光、青色発光等
は、実用的な輝度に達していない。
値電圧は、第一絶縁層、第二絶縁層の各膜厚と誘電率で
決まる。発光輝度は、発光層母材に添加した励起源の添
加物濃度が最適値であるとき、発光母材の膜質等によ
り、また、絶縁層の材料特性により影響されて、その発
光輝度が概略決まる。このような、一般的なEL素子に
おいて、高輝度化はかねてよりの課題である。また、最
近、カラー薄膜EL素子の開発が急速に進展しつつあ
る。しかし現状は、赤色発光、緑色発光、青色発光等
は、実用的な輝度に達していない。
【0005】本発明の目的は、このような現状に鑑み、
輝度を向上させた薄膜EL素子を提供することにある。
輝度を向上させた薄膜EL素子を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、絶縁性基板上で発光層の両面にそれぞ
れ絶縁層を介して基板側が透光性である条状電極を備え
た薄膜EL素子において、発光層で発生する光の発光ピ
ーク波長と、発光層で発生する光が積層された各層を通
過することによって干渉して生ずる干渉ピーク波長とが
一致しているものとする。発光ピーク波長と干渉ピーク
波長とが、各層の材料、屈折率に対応して各層の膜厚を
調整することにより一致させられたことが良い。発光層
の材料がZnSを母体としたこと、あるいはSrSを母体と
したことが有効である。
めに、本発明は、絶縁性基板上で発光層の両面にそれぞ
れ絶縁層を介して基板側が透光性である条状電極を備え
た薄膜EL素子において、発光層で発生する光の発光ピ
ーク波長と、発光層で発生する光が積層された各層を通
過することによって干渉して生ずる干渉ピーク波長とが
一致しているものとする。発光ピーク波長と干渉ピーク
波長とが、各層の材料、屈折率に対応して各層の膜厚を
調整することにより一致させられたことが良い。発光層
の材料がZnSを母体としたこと、あるいはSrSを母体と
したことが有効である。
【0007】
【作用】薄膜EL素子の積層膜の各膜厚を適当に設定し
て発光させると、膜厚と各層の屈折率によって多層薄膜
の干渉が発生する。これを、図3を用いて詳細に説明す
ると、発光層で発生した光は、一部は、第一絶縁層3、
下部透明電極2および基板1を通って出射され、透過光
10となる。一方、背面側に出た光は、第二絶縁層を通
り、背面電極6で反射して、第二絶縁層5、発光層4、
第一絶縁層3、下部透明電極2、透明基板1を通して出
射され、反射光20となる。
て発光させると、膜厚と各層の屈折率によって多層薄膜
の干渉が発生する。これを、図3を用いて詳細に説明す
ると、発光層で発生した光は、一部は、第一絶縁層3、
下部透明電極2および基板1を通って出射され、透過光
10となる。一方、背面側に出た光は、第二絶縁層を通
り、背面電極6で反射して、第二絶縁層5、発光層4、
第一絶縁層3、下部透明電極2、透明基板1を通して出
射され、反射光20となる。
【0008】この構成の薄膜EL素子の各構成材料とし
て、絶縁層は、誘電率、絶縁耐圧、tan δの良い特性が
要求され、EL発光層は、実用的な所望の発光輝度が得
られる特性が要求される。このため絶縁性、誘電性、E
L発光特性よりさまざまな材料が使用あるいは開発され
ている。このような構成材を用いた時、多層薄膜のため
多重干渉が発生し、その干渉ピークと干渉の谷の差は、
例えば透過光10では、10〜15%透過率となる。一方、反
射光20の場合も同様となるため、全体での干渉特性は20
〜30%となる。このため、薄膜EL素子の各膜厚値が、
干渉ピークとなるように設定されていると、輝度が20〜
30%増加し、一方、多重干渉の谷となるよう設定されて
いると輝度が20〜30%減少することとなる。
て、絶縁層は、誘電率、絶縁耐圧、tan δの良い特性が
要求され、EL発光層は、実用的な所望の発光輝度が得
られる特性が要求される。このため絶縁性、誘電性、E
L発光特性よりさまざまな材料が使用あるいは開発され
ている。このような構成材を用いた時、多層薄膜のため
多重干渉が発生し、その干渉ピークと干渉の谷の差は、
例えば透過光10では、10〜15%透過率となる。一方、反
射光20の場合も同様となるため、全体での干渉特性は20
〜30%となる。このため、薄膜EL素子の各膜厚値が、
干渉ピークとなるように設定されていると、輝度が20〜
30%増加し、一方、多重干渉の谷となるよう設定されて
いると輝度が20〜30%減少することとなる。
【0009】ZnS:Mn螢光体を例にして説明すると、発
光範囲が550nm 〜640nm で、発光ピークが585nm ないし
580nm である。EL素子の膜厚のばらつきが大きい場
合、干渉効果の山と谷が両方出現する。この場合、干渉
効果の山と谷の両方が作用し、発光分光スペクトルに影
響がでる。これによって、低波長の緑が0〜30%強く出
たり、あるいは長波長側の赤が0〜30%強く出たりする
と、肉眼では、EL素子面内で色むらとして見える。こ
れを防ぐのには、発光ピーク波長で薄膜多重干渉ピーク
となるように、各層の材料、屈折率に対応して最適膜厚
を設定すればよく、それによって高輝度が得られる。
光範囲が550nm 〜640nm で、発光ピークが585nm ないし
580nm である。EL素子の膜厚のばらつきが大きい場
合、干渉効果の山と谷が両方出現する。この場合、干渉
効果の山と谷の両方が作用し、発光分光スペクトルに影
響がでる。これによって、低波長の緑が0〜30%強く出
たり、あるいは長波長側の赤が0〜30%強く出たりする
と、肉眼では、EL素子面内で色むらとして見える。こ
れを防ぐのには、発光ピーク波長で薄膜多重干渉ピーク
となるように、各層の材料、屈折率に対応して最適膜厚
を設定すればよく、それによって高輝度が得られる。
【0010】
【実施例】図5は本発明の一実施例の薄膜EL素子を示
し、透明基板1の材料としてバリウムほうけい酸ガラス
を用い、透明電極2の材料としてITOを用いた。第一
絶縁層3、第二絶縁層5には、それぞれ30nmの厚さのSi
O2 膜、180 〜200nm の厚さのSi3 N4 膜を積層して用
い、発光層4には、ZnS:MnをEB蒸着法で形成したも
のを用い、背面電極6にはAl膜を用いた。発光層の膜厚
を400 〜800nm の範囲で2種類選定した。図2は、分光
透光率を示し、EL発光層4、第一絶縁層3、透明電極
2による透過光10の干渉効果により干渉ピークと干渉の
谷ができているが、実線21の場合は、ZnS:Mnの発光ピ
ーク波長585nm に対し、透過率の干渉ピークが一致して
いるのに対し、点線22の場合は、透過率が干渉の谷と発
光ピーク波長が重なっている。この結果からEL発光の
透過光10の強度が最大10〜15%違ってくる。同様にEL
発光の背面電極から反射した光、反射光20もあるため、
全体としては、20〜30%の光の強度が変わることにな
る。
し、透明基板1の材料としてバリウムほうけい酸ガラス
を用い、透明電極2の材料としてITOを用いた。第一
絶縁層3、第二絶縁層5には、それぞれ30nmの厚さのSi
O2 膜、180 〜200nm の厚さのSi3 N4 膜を積層して用
い、発光層4には、ZnS:MnをEB蒸着法で形成したも
のを用い、背面電極6にはAl膜を用いた。発光層の膜厚
を400 〜800nm の範囲で2種類選定した。図2は、分光
透光率を示し、EL発光層4、第一絶縁層3、透明電極
2による透過光10の干渉効果により干渉ピークと干渉の
谷ができているが、実線21の場合は、ZnS:Mnの発光ピ
ーク波長585nm に対し、透過率の干渉ピークが一致して
いるのに対し、点線22の場合は、透過率が干渉の谷と発
光ピーク波長が重なっている。この結果からEL発光の
透過光10の強度が最大10〜15%違ってくる。同様にEL
発光の背面電極から反射した光、反射光20もあるため、
全体としては、20〜30%の光の強度が変わることにな
る。
【0011】図1は、図2の分光透過率曲線21が得られ
た発光層4の膜厚750 〜800nm のEL素子と分光透過率
曲線22が得られたEL素子との駆動電圧180 V以下での
発光分光スペクトルをそれぞれ線11、12で示し、線11で
は多層薄膜干渉ピークと発光ピークが、一致した時の発
光分光スペクトルが得られている。このスペクトルは、
緑色や赤色の波長は強く出ていないため、黄橙色であ
る。しかし、線12では、多層薄膜の干渉の谷と発光ピー
クが一致しているため、この発光分光スペクトルは、緑
色と赤色の波長が強く出て、ZnS:Mnの585nm ピーク強
度が少し低く出ている。このため、多少黄橙色からはず
れている。
た発光層4の膜厚750 〜800nm のEL素子と分光透過率
曲線22が得られたEL素子との駆動電圧180 V以下での
発光分光スペクトルをそれぞれ線11、12で示し、線11で
は多層薄膜干渉ピークと発光ピークが、一致した時の発
光分光スペクトルが得られている。このスペクトルは、
緑色や赤色の波長は強く出ていないため、黄橙色であ
る。しかし、線12では、多層薄膜の干渉の谷と発光ピー
クが一致しているため、この発光分光スペクトルは、緑
色と赤色の波長が強く出て、ZnS:Mnの585nm ピーク強
度が少し低く出ている。このため、多少黄橙色からはず
れている。
【0012】本発明は、薄膜EL素子として記載した
が、実用的には、EL素子が外気の温度の影響を受ける
ため、EL素子自体を外気遮断のため封止構造を取るこ
とは言うまでもない。
が、実用的には、EL素子が外気の温度の影響を受ける
ため、EL素子自体を外気遮断のため封止構造を取るこ
とは言うまでもない。
【0013】
【発明の効果】本発明によれば、発光層の発光スペクト
ルのピークと多層薄膜の干渉効果によって生ずる分光ス
ペクトルのピークを一致させるように、各層の材料、屈
折率に応じて各層の膜厚を最適化することにより、発光
輝度を従来よりも20〜30%向上させ、発光分光スペクト
ルによる色むらを抑えた薄膜EL素子を得ることができ
る。
ルのピークと多層薄膜の干渉効果によって生ずる分光ス
ペクトルのピークを一致させるように、各層の材料、屈
折率に応じて各層の膜厚を最適化することにより、発光
輝度を従来よりも20〜30%向上させ、発光分光スペクト
ルによる色むらを抑えた薄膜EL素子を得ることができ
る。
【図1】本発明の一実施例および比較例の薄膜EL素子
の発光分光スペクトル線図
の発光分光スペクトル線図
【図2】本発明の一実施例および比較例の薄膜EL素子
の分光透過率線図
の分光透過率線図
【図3】薄膜EL素子の構造および光の通路を示す断面
図
図
【図4】薄膜EL素子の電極配置を示す平面図
【図5】本発明の一実施例の薄膜EL素子の断面図
1 透光性基板 2 透明電極 3 第一絶縁層 4 発光層 5 第二絶縁層 6 背面電極 7 絵素
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 一喜 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】絶縁性基板上で発光層の両面にそれぞれ絶
縁層を介して基板側が透光性である条状電極を備えた薄
膜エレクトロルミネセンス素子において、発光層で発生
する光の発光ピーク波長と、発光層で発生する光が積層
された各層を通過することによって干渉して生ずる干渉
ピーク波長とが一致していることを特徴とする薄膜エレ
クトロルミネセンス素子。 - 【請求項2】発光ピーク波長と干渉ピーク波長とが、各
層の材料、屈折率に対応して各層の膜厚を調整すること
により一致させられた請求項1記載の薄膜エレクトロル
ミネセンス素子。 - 【請求項3】発光層の材料が硫化亜鉛を母体とした請求
項1あるいは2記載の薄膜エレクトロルミネセンス素
子。 - 【請求項4】発光層の材料が硫化ストロンチウムを母体
とした請求項1あるいは2記載の薄膜エレクトロルミネ
センス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5222682A JPH0778689A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5222682A JPH0778689A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0778689A true JPH0778689A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16786273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5222682A Pending JPH0778689A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0778689A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000060905A1 (fr) * | 1999-04-05 | 2000-10-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent organique et son procede de fabrication |
KR100809931B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2008-03-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 발광소자 및 그 제조방법 |
US8063558B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-color display apparatus |
-
1993
- 1993-09-08 JP JP5222682A patent/JPH0778689A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000060905A1 (fr) * | 1999-04-05 | 2000-10-12 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif electroluminescent organique et son procede de fabrication |
US6469438B2 (en) | 1999-04-05 | 2002-10-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device with prescribed optical path length |
US6844210B2 (en) | 1999-04-05 | 2005-01-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and method of manufacturing same |
EP2262032A2 (en) | 1999-04-05 | 2010-12-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and its manufacturing method |
KR100809931B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2008-03-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 발광소자 및 그 제조방법 |
US8063558B2 (en) | 2005-06-30 | 2011-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-color display apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2553696B2 (ja) | 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置 | |
US5598059A (en) | AC TFEL device having a white light emitting multilayer phosphor | |
US4727003A (en) | Electroluminescence device | |
US4945009A (en) | Electroluminescence device | |
US4977350A (en) | Color electroluminescence display panel having alternately-extending electrode groups | |
US5289171A (en) | Color display apparatus | |
US4954747A (en) | Multi-colored thin-film electroluminescent display with filter | |
EP0313656B1 (en) | Color display device | |
JPH0778689A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 | |
KR20030093016A (ko) | 유기 전계발광 소자 | |
US5635307A (en) | Thin-film electroluminescent element | |
US6451460B1 (en) | Thin film electroluminescent device | |
JP3442918B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンスパネル | |
US6099979A (en) | Electroluminescent display element and manufacturing method for manufacturing same | |
JP3533710B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子および多色発光エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH03187186A (ja) | 光干渉フィルタを含む薄膜エレクトロルミネセンス装置 | |
KR100342650B1 (ko) | 전계 발광 표시장치 | |
JPH08162273A (ja) | 薄膜el素子 | |
JP2583994B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス装置 | |
KR100326464B1 (ko) | 전계 발광 표시장치 | |
JP3438788B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH06231882A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPH027072B2 (ja) | ||
JPH0794284A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
KR100908229B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 |