JPH077847B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH077847B2 JPH077847B2 JP26577184A JP26577184A JPH077847B2 JP H077847 B2 JPH077847 B2 JP H077847B2 JP 26577184 A JP26577184 A JP 26577184A JP 26577184 A JP26577184 A JP 26577184A JP H077847 B2 JPH077847 B2 JP H077847B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
- H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/823—Materials of the light-emitting regions comprising only Group II-VI materials, e.g. ZnO
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、緑色から紫色にかけての発光を示す，発光ダ
イオードやレーザダイオードなどの半導体発光素子に関
する。
イオードやレーザダイオードなどの半導体発光素子に関
する。
光の三原色である赤，緑，青の中で、赤色と緑色に関し
てはIII-V族化合物半導体を用いた発光素子が開発さ
れ、既に量産が行われている。残る青色発光素子につい
ては、開発への要望が強いにも拘らず依然商品化されて
いない。
てはIII-V族化合物半導体を用いた発光素子が開発さ
れ、既に量産が行われている。残る青色発光素子につい
ては、開発への要望が強いにも拘らず依然商品化されて
いない。
青色発光素子の半導体材料としては、広い禁制帯幅を有
するII-VI族化合物のZnS,ZnSe、III-V族化合物のGaN、I
V族化合物のSiCなどが従来より検討されている。これら
の材料のうちZnS,ZnSeは、III-V族化合物のGaP,GaAsと
格子定数が近く、これらGaPまたはGaAs結晶を基板とし
て大面積かつ良質の結晶層が得られること、更に容易に
青色発光が得られること等から、特に有望視されてい
る。ところが、ZnS,ZnSeは共にｎ型導電性は得られる
が、ｐ型導電性が得られない、という問題を抱えてい
る。このため、pn接合が得られないことが、青色発光素
子の実用化を遅らせている主因となっている。
するII-VI族化合物のZnS,ZnSe、III-V族化合物のGaN、I
V族化合物のSiCなどが従来より検討されている。これら
の材料のうちZnS,ZnSeは、III-V族化合物のGaP,GaAsと
格子定数が近く、これらGaPまたはGaAs結晶を基板とし
て大面積かつ良質の結晶層が得られること、更に容易に
青色発光が得られること等から、特に有望視されてい
る。ところが、ZnS,ZnSeは共にｎ型導電性は得られる
が、ｐ型導電性が得られない、という問題を抱えてい
る。このため、pn接合が得られないことが、青色発光素
子の実用化を遅らせている主因となっている。
ZnS,ZnSeにおいて何故ｐ型導電性が得られないか、その
原因については未だ確かな説はないが、おおむね次のよ
うな理由が考えられる。第１は、ZnS,ZnSeにおいては、
アクセプタ不純物の中で価電子帯に空孔を生じるに充分
浅い不純物準位を作るものが少ないこと、第２は、たと
え浅い不純物準位を作るアクセプタ不純物が存在して
も、それが結晶中に添加されると、いわゆる自己補償効
果によってドナー型の欠陥生成を誘発してしまうことで
ある。
原因については未だ確かな説はないが、おおむね次のよ
うな理由が考えられる。第１は、ZnS,ZnSeにおいては、
アクセプタ不純物の中で価電子帯に空孔を生じるに充分
浅い不純物準位を作るものが少ないこと、第２は、たと
え浅い不純物準位を作るアクセプタ不純物が存在して
も、それが結晶中に添加されると、いわゆる自己補償効
果によってドナー型の欠陥生成を誘発してしまうことで
ある。
本発明は上記した問題を解決して、禁制帯幅の広いII-V
I族化合物半導体を用いて良好なpn接合を構成し、以て
高輝度の青色発光を可能とした半導体発光素子を提供す
ることを目的とする。
I族化合物半導体を用いて良好なpn接合を構成し、以て
高輝度の青色発光を可能とした半導体発光素子を提供す
ることを目的とする。
本発明は、発光素子のpn接合を構成するｐ型導電層を、
GaxA11-xＰ化合物半導体（０≦ｘ≦１）とアクセプタ不
純物としてＩ族またはＶ族元素を添加したZnSySe1-y化
合物半導体またはZnyCd1-yＳ化合物半導体（０≦ｙ≦
１）とを交互に積層した超格子により構成したことを特
徴とする。
GaxA11-xＰ化合物半導体（０≦ｘ≦１）とアクセプタ不
純物としてＩ族またはＶ族元素を添加したZnSySe1-y化
合物半導体またはZnyCd1-yＳ化合物半導体（０≦ｙ≦
１）とを交互に積層した超格子により構成したことを特
徴とする。
本発明によれば、超格子構造の導入により、広いバンド
ギャップを有する化合物半導体からなるｐ型導電層が得
られ、これにより緑色から紫色にわたって高輝度の発光
を示す発光素子が得られる。
ギャップを有する化合物半導体からなるｐ型導電層が得
られ、これにより緑色から紫色にわたって高輝度の発光
を示す発光素子が得られる。
以下本発明の実施例を説明する。
第１図は一実施例の素子構造を示す。図において、１は
ｎ型GaP結晶基板であり、２はこの基板１上にエピタキ
シャル成長された，ドナー不純物としてAlが添加された
ｎ型ZnSzSe1-z層（０≦ｚ≦１）であって、このｎ型ZnS
zSe1-z層２上に超格子構造を持つｐ型導電層３が形成さ
れている。４はｐ側電極、５はｎ側電極である。
ｎ型GaP結晶基板であり、２はこの基板１上にエピタキ
シャル成長された，ドナー不純物としてAlが添加された
ｎ型ZnSzSe1-z層（０≦ｚ≦１）であって、このｎ型ZnS
zSe1-z層２上に超格子構造を持つｐ型導電層３が形成さ
れている。４はｐ側電極、５はｎ側電極である。
第２図はｐ型導電層３の部分を拡大して示す。即ちｐ型
導電層３は、III-V族化合物半導体であるノンドープのG
aP層31i（ｉ＝1,2,…,N）と、アクセプタ不純物としてA
gを1016〜1019/cm3程度添加したII-VI族化合物半導体と
してのZnS層32i（ｉ＝1,2,…,N）が交互に積層されて超
格子を構成している。ZnS層32iの厚みLBおよびGaP層31i
の厚みLZはそれぞれ５〜40Å程度とする。このような超
格子構造は例えば、有機金属化合物を用いた気相成長法
（MOCVD）により得られる。
導電層３は、III-V族化合物半導体であるノンドープのG
aP層31i（ｉ＝1,2,…,N）と、アクセプタ不純物としてA
gを1016〜1019/cm3程度添加したII-VI族化合物半導体と
してのZnS層32i（ｉ＝1,2,…,N）が交互に積層されて超
格子を構成している。ZnS層32iの厚みLBおよびGaP層31i
の厚みLZはそれぞれ５〜40Å程度とする。このような超
格子構造は例えば、有機金属化合物を用いた気相成長法
（MOCVD）により得られる。
第３図はこの様な超格子構造をもつｐ型導電層３のバン
ド構造を示す。ZnS層32iの価電子帯の頂上は、GaP層31i
の価電子帯の頂上から0.9〜1.2eV程度低いところに位置
する。一方、Agアクセプタの不純物準位は、ZnS層32iの
価電子帯の頂上から0.55〜0.70eV高いところに位置す
る。従ってZnS層32iに添加するAg不純物の濃度を1016/c
m3以上と高くしておけば、この超格子構造部の平均的な
フェルミ・レベルEFは、第３図に示すようにGaP層31iの
価電子帯の頂上より低い位置になる。これによりGaP層3
1iには、Ag不純物濃度と同程度の空孔が形成される。こ
の空孔は超格子の積層方向に移動する時ZnS層32iが障壁
となるが、ZnS層32iの厚さLBを５〜30Åの範囲に選べ
ば、障壁をトンネルで抜けていく確率が充分高くなり、
超格子積層方向に高い伝導度をもつｐ型導電性が得られ
ることになる。第４図は、GaP層31iの厚みLZを20Åと
し、ZnS層32iのAg添加濃度を1017/cm3として、ZnS層32i
の厚みLBを変えた時の超格子構造の導電率特性を示して
いる。
ド構造を示す。ZnS層32iの価電子帯の頂上は、GaP層31i
の価電子帯の頂上から0.9〜1.2eV程度低いところに位置
する。一方、Agアクセプタの不純物準位は、ZnS層32iの
価電子帯の頂上から0.55〜0.70eV高いところに位置す
る。従ってZnS層32iに添加するAg不純物の濃度を1016/c
m3以上と高くしておけば、この超格子構造部の平均的な
フェルミ・レベルEFは、第３図に示すようにGaP層31iの
価電子帯の頂上より低い位置になる。これによりGaP層3
1iには、Ag不純物濃度と同程度の空孔が形成される。こ
の空孔は超格子の積層方向に移動する時ZnS層32iが障壁
となるが、ZnS層32iの厚さLBを５〜30Åの範囲に選べ
ば、障壁をトンネルで抜けていく確率が充分高くなり、
超格子積層方向に高い伝導度をもつｐ型導電性が得られ
ることになる。第４図は、GaP層31iの厚みLZを20Åと
し、ZnS層32iのAg添加濃度を1017/cm3として、ZnS層32i
の厚みLBを変えた時の超格子構造の導電率特性を示して
いる。
この様に、ZnSあるいはZnSeバルク結晶では深い不純物
準位を形成してキャリアを生成しない不純物が、本実施
例の超格子構造においては有効的に浅いアクセプタ不純
物準位として働き、正のキャリアを生成して、バルク結
晶では得られないｐ型導電層が得られる。なお本実施例
において、発光再結合を有効に行なわせるためには、超
格子構造からなるｐ型導電層３の厚みを0.2〜３μｍ程
度とすることが望ましい。
準位を形成してキャリアを生成しない不純物が、本実施
例の超格子構造においては有効的に浅いアクセプタ不純
物準位として働き、正のキャリアを生成して、バルク結
晶では得られないｐ型導電層が得られる。なお本実施例
において、発光再結合を有効に行なわせるためには、超
格子構造からなるｐ型導電層３の厚みを0.2〜３μｍ程
度とすることが望ましい。
この様に構成された第１図の発光素子は、そのpn接合に
順方向バイアスをかけると、主としてｎ型ZnSzSe1-z層
２からｐ型導電層３へと電子が注入される。この注入電
子はｐ型導電層３内のGaP層31iにおいて空孔と発光再結
合を起す。GaP層での発光は、重いホールのバンド（hea
vy hole band）と軽いホールのバンド（light hole ban
d）が超格子において分離するために２ピーク構造とな
る。各々のピーク波長とGaP層の厚さLZとの関係を第５
図に示す。51がheavy hole bandによるもの、52がlight
hole bandによるものである。LZが小さくなるにつれ
て、量子効果のために発光は短波長側にシフトし、発光
色は二つのピークの平均的な波長となり、LZが15Å程度
で青色、10Å程度で紫色となる。一方、GaP結晶はバル
クの状態では間接遷移型であるが、超格子構造とするこ
とによりブリルアン・ゾーンの折れ曲り効果（zone fol
ding effect）によって直接遷移型になる。このため発
光の遷移確率が大きくなり、外部量子効率が１％と高い
値を示す。
順方向バイアスをかけると、主としてｎ型ZnSzSe1-z層
２からｐ型導電層３へと電子が注入される。この注入電
子はｐ型導電層３内のGaP層31iにおいて空孔と発光再結
合を起す。GaP層での発光は、重いホールのバンド（hea
vy hole band）と軽いホールのバンド（light hole ban
d）が超格子において分離するために２ピーク構造とな
る。各々のピーク波長とGaP層の厚さLZとの関係を第５
図に示す。51がheavy hole bandによるもの、52がlight
hole bandによるものである。LZが小さくなるにつれ
て、量子効果のために発光は短波長側にシフトし、発光
色は二つのピークの平均的な波長となり、LZが15Å程度
で青色、10Å程度で紫色となる。一方、GaP結晶はバル
クの状態では間接遷移型であるが、超格子構造とするこ
とによりブリルアン・ゾーンの折れ曲り効果（zone fol
ding effect）によって直接遷移型になる。このため発
光の遷移確率が大きくなり、外部量子効率が１％と高い
値を示す。
ここで、参考例について説明する。基本的な素子構造は
第１図と同じであるが、本参考例ではｐ型導電層３の部
分を第６図のようにする。即ち、アクセプタ不純物とし
てZnを1016〜1019/cm3程度添加したGaP層31i′と、ノン
ドープのZnS層32i′を交互に積層した超格子構造により
ｐ型導電層３を構成している。
第１図と同じであるが、本参考例ではｐ型導電層３の部
分を第６図のようにする。即ち、アクセプタ不純物とし
てZnを1016〜1019/cm3程度添加したGaP層31i′と、ノン
ドープのZnS層32i′を交互に積層した超格子構造により
ｐ型導電層３を構成している。
この参考例の素子におけるｐ型導電層３のバンド構造を
第７図に示す。Zn不純物はバルクのGaP結晶においては
浅いアクセプタ不純物としてｐ型導電層を形成する。こ
のようなバルク結晶において浅い位置に不純物レベルを
形成するものは、超格子においても、多少レベル位置が
変化するとしてもやはりバンド端近傍に浅い準位を形成
すると考えられる。従って第７図において、フェルミ・
レベルはGaP層の価電子帯の頂上近傍に位置し、GaP層内
にZn不純物と同程度の空孔が生成される。この空孔は先
の実施例と同様に、各層の厚みを選ぶことによりトンネ
ルで抜けることができ、ｐ型導電性に寄与することにな
る。そしてこの超格子構造のバンドギャップは量子効果
のためにGaP結晶のそれよりも広いものとなり、 GaP層の厚みを変化させることによって、先の実施例と
同様の原理により緑色から紫色にかけて効率の高い発光
特性を示す。
第７図に示す。Zn不純物はバルクのGaP結晶においては
浅いアクセプタ不純物としてｐ型導電層を形成する。こ
のようなバルク結晶において浅い位置に不純物レベルを
形成するものは、超格子においても、多少レベル位置が
変化するとしてもやはりバンド端近傍に浅い準位を形成
すると考えられる。従って第７図において、フェルミ・
レベルはGaP層の価電子帯の頂上近傍に位置し、GaP層内
にZn不純物と同程度の空孔が生成される。この空孔は先
の実施例と同様に、各層の厚みを選ぶことによりトンネ
ルで抜けることができ、ｐ型導電性に寄与することにな
る。そしてこの超格子構造のバンドギャップは量子効果
のためにGaP結晶のそれよりも広いものとなり、 GaP層の厚みを変化させることによって、先の実施例と
同様の原理により緑色から紫色にかけて効率の高い発光
特性を示す。
第８図は、ｐ型基板を出発基板とした実施例の素子構造
である。即ちｐ型GaP結晶基板81を用いてこの上に先の
実施例と同様の超格子構造を持つｐ型導電層82を形成
し、この上にｎ型ZnSzSe1-z層83を形成したものであ
る。GaP基板81側から光を取出すために、GaP基板81を裏
面からエッチングして光取出し窓を設けている。84はｐ
側電極,85はｎ側電極である。
である。即ちｐ型GaP結晶基板81を用いてこの上に先の
実施例と同様の超格子構造を持つｐ型導電層82を形成
し、この上にｎ型ZnSzSe1-z層83を形成したものであ
る。GaP基板81側から光を取出すために、GaP基板81を裏
面からエッチングして光取出し窓を設けている。84はｐ
側電極,85はｎ側電極である。
この実施例によっても先の実施例と同様の優れた発光特
性を示す。
性を示す。
第９図は更に別の実施例の素子構造である。この実施例
では、ｎ型ZnSzSe1-z基板91を用いてこの上に先の実施
例と同様に超格子構造を持つｐ型導電層92を形成してい
る。93はｐ側電極,94はｎ側電極である。
では、ｎ型ZnSzSe1-z基板91を用いてこの上に先の実施
例と同様に超格子構造を持つｐ型導電層92を形成してい
る。93はｐ側電極,94はｎ側電極である。
この実施例によっても同様に良好な青色発光特性を示す
ことができる。
ことができる。
第10図はダブルヘテロ接合構造を用いた実施例の素子構
造を示す。これは第１図におけるZnSzSe1-z層２の部分
を、ZnS層21とZnSe層22の二層として、ｐ型層３とｐ型Z
nS層21との間にダブルヘテロ接合を構成している。
造を示す。これは第１図におけるZnSzSe1-z層２の部分
を、ZnS層21とZnSe層22の二層として、ｐ型層３とｐ型Z
nS層21との間にダブルヘテロ接合を構成している。
この実施例によっても先の各実施例と同様に良好な青色
発光特性を示す。
発光特性を示す。
本発明は上記各実施例に限られるものではなく、更に以
下に列記するように種々変形実施することができる。
下に列記するように種々変形実施することができる。
超格子構造のII-VI族化合物半導体物半導体として、
一般的にZnSySe1-y（０≦ｙ≦１）を用い得る。またZny
Cd1-yＳ（０≦ｙ≦１）を用いることもできる。また超
格子構造を構成するIII-V族化合物半導体として、一般
的にGaxAl1-xＰ（０≦ｘ≦１）を用いることができる。
一般的にZnSySe1-y（０≦ｙ≦１）を用い得る。またZny
Cd1-yＳ（０≦ｙ≦１）を用いることもできる。また超
格子構造を構成するIII-V族化合物半導体として、一般
的にGaxAl1-xＰ（０≦ｘ≦１）を用いることができる。
超格子構造のII-VI族化合物半導体層のアクセプタ不
純物として、Agの他、Li,Na,CuなどのＩ族元素あるいは
P,AsなどのＶ族元素を添加することができる。またIII-
V族化合物半導体のアクセプタ不純物としてZnの他、Be,
MgなどのII族元素またはIV族元素を添加してもよい。
純物として、Agの他、Li,Na,CuなどのＩ族元素あるいは
P,AsなどのＶ族元素を添加することができる。またIII-
V族化合物半導体のアクセプタ不純物としてZnの他、Be,
MgなどのII族元素またはIV族元素を添加してもよい。
また実施例では、超格子のII-VI族にアクセプタ不純物
を添加したが、超格子のIII-V族化合物半導体またはII-
VI族化合物半導体の両方にそれぞれアクセプタ不純物が
添加されてもよい。
を添加したが、超格子のIII-V族化合物半導体またはII-
VI族化合物半導体の両方にそれぞれアクセプタ不純物が
添加されてもよい。
超格子構造中のアクセプタ不純物準位は、外部からの
不純物元素添加によらず、Zn空孔が高濃度に存在するよ
うに結晶成長させることにより形成することもできる。
これはZn空孔が、超格子構造においてGaP結晶とZnS結晶
の価電子帯の頂上の中間に位置するためである。Zn空孔
が高濃度に形成される結晶成長条件としては、例えばMO
CVD法を例にとれば、VI族元素を供給するガスの,II族元
素を供給するガスに対するモル比を充分大きく（例えば
10倍以上）設定すればよい。
不純物元素添加によらず、Zn空孔が高濃度に存在するよ
うに結晶成長させることにより形成することもできる。
これはZn空孔が、超格子構造においてGaP結晶とZnS結晶
の価電子帯の頂上の中間に位置するためである。Zn空孔
が高濃度に形成される結晶成長条件としては、例えばMO
CVD法を例にとれば、VI族元素を供給するガスの,II族元
素を供給するガスに対するモル比を充分大きく（例えば
10倍以上）設定すればよい。
第１図は本発明の一実施例の発光素子構造を示す図、第
２図はそのｐ型導電層部の拡大図、第３図は同じくｐ型
導電層部のバンド構造を示す図、第４図は同じくｐ型導
電層部の導電率特性を示す図、第５図はこの発光素子の
発光のピーク位置と超格子構造中のGaP層の厚みの関係
を示す図、第６図は参考例のｐ型導電層部の構造を示す
図、第７図は同じくそのｐ型導電層部のバンド構造を示
す図、第８図は〜第10図は更に他の実施例の発光素子構
造を示す図である。 １……ｎ型GaP結晶基板、２……ｎ型ZnSzSe1-z層、21…
…ｎ型ZnS層、22……ZnSe層、３……ｐ型導電層（超格
子構造部）、４……ｐ側電極（Au）、５……ｎ側電極
（Au-Ge）、31i……GaP層、32i……Ag添加ZnS層、31i…
…Zn添加GaP層、32i′……ZnS層、81……ｐ型GaP基板、
82……ｐ型導電層（超格子構造部）、83……ｎ型ZnSzSe
1-z層、84……ｐ側電極（Au-Zn）、85……ｎ側電極（In
-Ga）、91……ｎ型ZnSzSe1-z基板、92……ｐ型導電層
（超格子構造部）、93……ｐ側電極（Au）、94……ｎ側
電極（In-Ga）。
２図はそのｐ型導電層部の拡大図、第３図は同じくｐ型
導電層部のバンド構造を示す図、第４図は同じくｐ型導
電層部の導電率特性を示す図、第５図はこの発光素子の
発光のピーク位置と超格子構造中のGaP層の厚みの関係
を示す図、第６図は参考例のｐ型導電層部の構造を示す
図、第７図は同じくそのｐ型導電層部のバンド構造を示
す図、第８図は〜第10図は更に他の実施例の発光素子構
造を示す図である。 １……ｎ型GaP結晶基板、２……ｎ型ZnSzSe1-z層、21…
…ｎ型ZnS層、22……ZnSe層、３……ｐ型導電層（超格
子構造部）、４……ｐ側電極（Au）、５……ｎ側電極
（Au-Ge）、31i……GaP層、32i……Ag添加ZnS層、31i…
…Zn添加GaP層、32i′……ZnS層、81……ｐ型GaP基板、
82……ｐ型導電層（超格子構造部）、83……ｎ型ZnSzSe
1-z層、84……ｐ側電極（Au-Zn）、85……ｎ側電極（In
-Ga）、91……ｎ型ZnSzSe1-z基板、92……ｐ型導電層
（超格子構造部）、93……ｐ側電極（Au）、94……ｎ側
電極（In-Ga）。
Claims (1)
- 【請求項１】化合物半導体を用いてpn接合を構成した半
導体発光素子において、ｐ型導電層を、GaxA11-xＰ化合
物半導体（０≦ｘ≦１）とアクセプタ不純物としてＩ族
またはＶ族元素を添加したZnSySe1-y化合物半導体また
はZnyCd1-yＳ化合物半導体（０≦ｙ≦１）とを交互に積
層した超格子により構成したことを特徴とする半導体発
光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26577184A JPH077847B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26577184A JPH077847B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144078A JPS61144078A (ja) | 1986-07-01 |
| JPH077847B2 true JPH077847B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=17421801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26577184A Expired - Lifetime JPH077847B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077847B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766984B2 (ja) * | 1992-02-13 | 1995-07-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | ヘテロ超格子ｐｎ接合 |
| DE19935858A1 (de) * | 1999-07-30 | 2001-02-01 | Bosch Gmbh Robert | Wischblatt zum Reinigen von Scheiben an Kraftfahrzeugen |
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| WO2010129464A1 (en) | 2009-05-05 | 2010-11-11 | 3M Innovative Properties Company | Re-emitting semiconductor carrier devices for use with leds and methods of manufacture |
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| JP2012532453A (ja) | 2009-06-30 | 2012-12-13 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 調節可能な色温度を備えた白色光エレクトロルミネセンスデバイス |
| TWI395352B (zh) * | 2010-02-09 | 2013-05-01 | Epistar Corp | 光電元件及其製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4137542A (en) * | 1977-04-20 | 1979-01-30 | International Business Machines Corporation | Semiconductor structure |
| JPS6052067A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-23 | Nec Corp | 超格子の構造 |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP26577184A patent/JPH077847B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61144078A (ja) | 1986-07-01 |
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