JPH0774441B2 - Ion beam spreader device - Google Patents
Ion beam spreader deviceInfo
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- JPH0774441B2 JPH0774441B2 JP62139790A JP13979087A JPH0774441B2 JP H0774441 B2 JPH0774441 B2 JP H0774441B2 JP 62139790 A JP62139790 A JP 62139790A JP 13979087 A JP13979087 A JP 13979087A JP H0774441 B2 JPH0774441 B2 JP H0774441B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオンビームスパッタ装置に係り、特に、磁気
異方性をもつ膜の成膜に好適なイオンビームスパツタ装
置に関する。The present invention relates to an ion beam sputtering apparatus, and more particularly to an ion beam sputtering apparatus suitable for forming a film having magnetic anisotropy.
近年、磁気ヘツド用の磁性膜が、半導体のプロセス等と
類似の方法で生成されるようになつている。維持異方性
を有する薄膜を成膜するための装置としては、例えば特
開昭58−25475号公報に記載されているように、平行平
板型の高周波スパツタ装置がひろく用いられている。ま
た、特開昭58−25475号公報では、生成される薄膜に磁
気異方性を与える手段として、放射状の磁界を基板側の
電極に発生させるため永久磁石を用いている。この公知
例の他にマグネトロンスパツタ装置を用いる方法、薄膜
に磁気異方性を与える手段として、電磁石（ヘルムホル
ツコイル）を用いる方法が知られている。In recent years, a magnetic film for a magnetic head has been produced by a method similar to a semiconductor process or the like. As a device for forming a thin film having sustain anisotropy, for example, a parallel plate type high frequency sputtering device is widely used as described in JP-A-58-25475. Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-25475, a permanent magnet is used to generate a radial magnetic field in the electrode on the substrate side as a means for imparting magnetic anisotropy to the formed thin film. In addition to this known example, a method using a magnetron sputtering device and a method using an electromagnet (Helmholtz coil) as means for giving magnetic anisotropy to a thin film are known.
上記従来技術は、薄膜に磁気異方性を与えるための磁界
が、ターゲツト電極と基板電極間の高周波グロー放電に
与える影響についての配慮が十分でなく、グロー放電が
不安定になり、放電の結果発生したプラズマの密度が空
間的に不均一になる現象が起こり、その結果、生成され
た薄膜の膜厚，膜質が不均一で、十分な磁気異方性が得
られるという問題があつた。The above-mentioned conventional technology does not sufficiently consider the influence of the magnetic field for imparting magnetic anisotropy to the thin film on the high-frequency glow discharge between the target electrode and the substrate electrode, and the glow discharge becomes unstable, resulting in discharge. There occurs a phenomenon that the density of the generated plasma becomes spatially non-uniform, and as a result, the film thickness and film quality of the generated thin film are non-uniform, and sufficient magnetic anisotropy is obtained.
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的とす
るところは、イオン源での放電が不安定になることはな
いことは勿論、膜厚，組成が均一で良好な磁気異方性を
有する磁性膜を成膜できるイオンビームスパツタ装置を
提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and it is an object of the present invention that discharge in an ion source does not become unstable, and magnetic anisotropy with a uniform film thickness and composition is obtained. An object is to provide an ion beam sputtering apparatus capable of forming a magnetic film having properties.
上記目的は、イオン，電子，ガス分子から成るプラズマ
を発生させるための放電領域と、基板に印加する磁界の
及ぶ領域を分離することにより達成される。すなわち、
プラズマを発生させ、そこからイオンを引き出すための
イオン源と、それに気密を保つて隣接する成膜室（真空
容器）から装置を構成し、成膜室中には、ターゲツトと
それに対向する基板およびその基板に磁界を印加するた
めの永久磁石を逆極性が向かい合うように該基板を挾ん
で設けると共に、前記永久磁石と前記基板の相対的位置
を変えることなく、両者を回転運動させる機構を備えて
いることにより達成される。The above object is achieved by separating the discharge region for generating plasma composed of ions, electrons and gas molecules from the region where the magnetic field applied to the substrate reaches. That is,
An apparatus is composed of an ion source for generating plasma and extracting ions from the plasma, and an adjoining film forming chamber (vacuum container) which is kept airtight to the target. A permanent magnet for applying a magnetic field to the substrate is provided so as to sandwich the substrate so that the opposite polarities face each other, and a mechanism for rotating both the permanent magnet and the substrate without changing the relative position is provided. Be achieved by
イオン源および成膜室を真空に排気し、イオン源にアル
ゴンなどの動作ガスを供給しながら放電を行なわせる
と、イオン，電子，中性ガスからなるプラグマが生成さ
れる。プラズマ中のイオンを、イオンビーム引き出し電
極によつて成膜室側に引き出し、それを磁性体のターゲ
ツトに照射する。ターゲツトからスパツタされた粒子
は、ターゲツトに対向する基板に付着するが、基板は永
久磁石により磁界が印加されているため、生成された膜
は磁気異方性を有する。基板がプラズマを生成するイオ
ン源中の放電部とは離れているため、基板に印加される
磁界は、イオン源中の放電にはほとんど影響を及ぼさな
い。従つて、放電が不安定になつたり、生成された膜
が、膜厚，膜質に不均一になることはない。When the ion source and the film forming chamber are evacuated to a vacuum and an electric discharge is performed while supplying an operating gas such as argon to the ion source, a pragma composed of ions, electrons and neutral gas is generated. Ions in the plasma are extracted to the film formation chamber side by the ion beam extraction electrode, and the target of the magnetic material is irradiated with the ions. The particles sputtered from the target adhere to the substrate facing the target, but since the magnetic field is applied to the substrate by the permanent magnet, the produced film has magnetic anisotropy. The magnetic field applied to the substrate has almost no effect on the discharge in the ion source because the substrate is far from the discharge part in the ion source that produces plasma. Therefore, the discharge does not become unstable, and the generated film does not have uneven film thickness and film quality.
以下、図面の実施例に基づいて、本発明を詳細に説明す
る。Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments of the drawings.
第１図に本発明のイオンビームスパツタ装置の一実施例
を示す。該図に示す如く、イオンビームを発生するイオ
ン源１は、気密を保つて、成膜室６に装着され、その成
膜室６に排気装置（図示していない）が接続されてい
る。このイオン源１は、陽極電極を兼ねる容器壁12,熱
電子を出すためのフイラメント3,放電により生ずるプラ
ズマの容器壁への拡散を抑えるための磁界をつくるＮ
極,S極が容器の周方向に交互に配置された永久磁石2,発
生したプラズマからイオンのみを引き出すための多数の
穴の開いたイオン引き出し電極５、並びに高電位となる
容器壁12と接地電位である成膜室６の電気的絶縁をとる
ための絶縁物４とから成つている。更に、成膜室６中の
イオン源１の下流側には、ターゲツト７が配置されてお
り、これと対向した位置に基板20が基板ホールダ８に取
り付けられている。そして、本実施例では、基板ホール
ダ８上に基板20に磁界を印加するための永久磁石22を設
けており、更に、それ自身は回転せず傾斜のみ変えられ
るホールダ支持体21に対して基板ホールダ８が回転運動
するようになっており、それにより、永久磁石22と基板
20の相対的位置を変えることなく、両者が回転運動す
る。尚、基板ホールダ８は、モータ９によって回転力が
与えられる。FIG. 1 shows an embodiment of the ion beam sputtering apparatus of the present invention. As shown in the figure, an ion source 1 for generating an ion beam is installed in a film forming chamber 6 while keeping airtightness, and an exhaust device (not shown) is connected to the film forming chamber 6. This ion source 1 has a container wall 12 also serving as an anode electrode, a filament 3 for emitting thermoelectrons, and a magnetic field N for suppressing diffusion of plasma generated by discharge to the container wall.
Permanent magnets in which poles and S poles are alternately arranged in the circumferential direction of the container 2, an ion extraction electrode 5 with a large number of holes for extracting only ions from the generated plasma, and a container wall 12 that is at a high potential and ground It is composed of an insulator 4 for electrically insulating the film forming chamber 6 which is a potential. Further, a target 7 is arranged on the downstream side of the ion source 1 in the film forming chamber 6, and a substrate 20 is attached to a substrate holder 8 at a position facing the target 7. Further, in this embodiment, a permanent magnet 22 for applying a magnetic field to the substrate 20 is provided on the substrate holder 8, and further, the holder holder 21 for the holder holder 21 is not rotatable but can be changed only in the inclination. 8 is adapted to rotate, so that the permanent magnet 22 and the substrate are
Both of them rotate without changing the relative position of 20. The substrate holder 8 is given a rotational force by a motor 9.
第２図に基板20、及びホールダ部を示す。該図の如く、
２本の棒状の永久磁石22を、逆極性が向かい合うように
基板ホールダ８に固定し、２本の永久磁石22の間に基板
20をセットする。図示はしていないが、永久磁石22は非
磁性のケースに密封して、基板ホールダ８に取り付けら
れている。永久磁石22としては、フェライト磁石を用
い、基板20上でほぼ均一な印加磁界が得られた。FIG. 2 shows the substrate 20 and the holder part. As shown in the figure
The two rod-shaped permanent magnets 22 are fixed to the substrate holder 8 so that the opposite polarities face each other, and the substrate is placed between the two permanent magnets 22.
Set 20. Although not shown, the permanent magnet 22 is sealed in a non-magnetic case and attached to the substrate holder 8. A ferrite magnet was used as the permanent magnet 22, and a substantially uniform applied magnetic field was obtained on the substrate 20.
次に、本実施例における動作を説明する。まず、排気装
置によりイオン源１、及び成膜室６を１×10-6Torr程度
まで排気する。その後、イオン源１にアルゴンガスを供
給し、成膜室６側で１×10-4Torr程度にする。フィラメ
ント３に通電して熱電子を出しながら、フィラメント３
（陰極）と容器壁12の間に、50Vの直流電流を印加する
と放電が起こり、プラズマが生成される。イオン引き出
し電極５は、多数の小孔があけられたモリブデンの板
で、プラズマ側の板には正の電圧を、他の板には負の電
圧を与えることにより、イオンビーム32を引き出す。こ
のイオンビーム32を、鉄、ニッケルを主成分とするパー
マロイのターゲット７に照射すると、そこから弾き出さ
れるスパッタ粒子は、基板20に堆積する。その際、第２
図に示すごとく、永久磁石22により磁界33が生じ、基板
20には、磁界33がかかる。Next, the operation of this embodiment will be described. First, the ion source 1 and the film forming chamber 6 are exhausted to about 1 × 10 −6 Torr by an exhaust device. After that, argon gas is supplied to the ion source 1 to adjust the pressure to about 1 × 10 −4 Torr on the film forming chamber 6 side. While energizing the filament 3 to generate thermoelectrons, the filament 3
When a direct current of 50 V is applied between the (cathode) and the container wall 12, discharge occurs and plasma is generated. The ion extraction electrode 5 is a molybdenum plate in which a large number of small holes are formed. The ion beam 32 is extracted by applying a positive voltage to the plasma side plate and a negative voltage to the other plates. When the ion beam 32 is applied to the permalloy target 7 containing iron and nickel as main components, the sputtered particles ejected from the target 7 are deposited on the substrate 20. At that time, the second
As shown in the figure, a magnetic field 33 is generated by the permanent magnet 22 and
A magnetic field 33 is applied to 20.
本実施例では、基板20に９ミリテスラ程度の磁界を印加
して、磁気異方性を有するパーマロイ膜を得た。また、
基板ホールダ８を自転させることにより、飛来するスパ
ツタ粒子の量を平均化して、均一な膜厚分布を得られ
た。３インチ基板上での、膜厚分布の均一性は±５％程
度である。膜厚に関しては、良好な一軸異方性が得られ
た。In this example, a magnetic field of about 9 millitesla was applied to the substrate 20 to obtain a permalloy film having magnetic anisotropy. Also,
By rotating the substrate holder 8 by itself, the amount of the spatter particles coming in was averaged, and a uniform film thickness distribution was obtained. The uniformity of film thickness distribution on a 3-inch substrate is about ± 5%. Regarding the film thickness, good uniaxial anisotropy was obtained.
本実施例によれば、基板に印加した磁界は永久磁界の付
近に限られ、イオン源にまで影響が及ぶことはない。従
つて、イオン源での放電が不安定になることはない。イ
オンビームの強度分布が均一で、基板印加磁界も均一で
あるため、膜厚，膜質が均一で良好な磁気異方性を有す
る磁性膜が得られるという効果がある。尚、本実施例で
は、イオン中でのプラズマ生成のために直流放電を用い
たが、高周波放電やマイクロ波放電を用いたイオン源を
使っても同様な効果が得られる。According to this embodiment, the magnetic field applied to the substrate is limited to the vicinity of the permanent magnetic field, and the ion source is not affected. Therefore, the discharge at the ion source does not become unstable. Since the intensity distribution of the ion beam is uniform and the magnetic field applied to the substrate is also uniform, there is an effect that a magnetic film having a uniform film thickness and film quality and good magnetic anisotropy can be obtained. In this embodiment, direct current discharge is used to generate plasma in the ions, but the same effect can be obtained by using an ion source using high frequency discharge or microwave discharge.
第３図に、本発明の第２の実施例を示す。該図に示す如
く、容器壁12,永久磁石2,フイラメント3,イオン引き出
し電極５からなるイオン源１が、絶縁物４を介して、成
膜室６に装着されており、その中にターゲツト7,基板2
0,基板ホールダ8,ホールダ支持体21,基板に磁界を印加
するための永久磁石22が配置されているのは、第11図の
実施例と同じである。本実施例で異なつているのは、タ
ーゲツト７を照射用のイオン源１と同じ構造の別のイオ
ン源10が、基板20を照射できる位置に装着されている点
である。FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. As shown in the figure, an ion source 1 consisting of a container wall 12, a permanent magnet 2, a filament 3, and an ion extraction electrode 5 is mounted in a film forming chamber 6 via an insulator 4, and a target 7 is installed therein. Board 2
0, the substrate holder 8, the holder support 21, and the permanent magnet 22 for applying a magnetic field to the substrate are arranged as in the embodiment of FIG. The difference in this embodiment is that another ion source 10 having the same structure as the ion source 1 for irradiating the target 7 is mounted at a position where the substrate 20 can be irradiated.
本実施例の構成でアルゴンイオンビーム、あるいは窒素
イオンビームで、例えば、鉄のターゲツト７を照射し、
基板20上にスパツタ粒子を堆積させる動作は、第11図の
実施例と同様である。本実施例では、基板20を基板照射
用イオン源10で生成した窒素イオンを照射し、窒素鉄の
薄膜を成膜できる。又、基板照射用イオン源10をパルス
的に動作させることにより、鉄と窒化鉄の多層膜を生成
できる。With the configuration of the present embodiment, for example, an iron target 7 is irradiated with an argon ion beam or a nitrogen ion beam,
The operation of depositing the spatter particles on the substrate 20 is similar to that of the embodiment shown in FIG. In this embodiment, the substrate 20 can be irradiated with nitrogen ions generated by the substrate irradiation ion source 10 to form a thin film of nitrogen iron. Further, by operating the substrate irradiation ion source 10 in a pulsed manner, a multilayer film of iron and iron nitride can be produced.
本実施例によれば、イオン源の放電の安定性や生成され
た膜の膜厚，膜質に関して、第３図の実施例と同様の効
果がある。According to this embodiment, the same effects as those of the embodiment of FIG. 3 can be obtained with respect to the discharge stability of the ion source and the film thickness and film quality of the generated film.
第４図に本発明の第３の実施例を示す。該図に示す如
く、本実施例ではターゲツト照射用のイオン源１は、容
器壁12,永久磁石2,フイラメント3,イオン引き出し電極
５から成り、絶縁物４を介して、成膜室６に装着されて
いる。ただし、容器壁12は、同心円筒の一方を封止した
構造で、イオン引き出し電極５には、円環状に多数の小
孔が開けられている。これによつて中空のイオンビーム
を引き出すことができる。成膜室６内には、６角錐台の
斜面をなすようターゲツト７を配置し、これと対向し、
基板20,基板ホールダ8,ホールダ支持体21が置かれてい
る。ホールダ支持体21も、６角錐台の斜面をなしてい
る。第５図に基板及びホールダ部を示す。該図の如く、
基板20に磁界を印加するために、永久磁石22が非磁性材
のケースに密封され、基板ホールダ８に固定されてい
る。基板ホールダ８は、基板20の中心のまわりに回転す
るとともに、基板支持体21が、第４図の矢印のように回
転する。成膜室６の下方には、容器壁12,永久磁石2,フ
イラメント3,円環状に小孔を多数開けたイオン引き出し
電極５から成るイオン源１が絶縁物４を介して装着され
ている。FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention. As shown in the figure, in this embodiment, the ion source 1 for target irradiation is composed of a container wall 12, a permanent magnet 2, a filament 3 and an ion extraction electrode 5, and is mounted in a film forming chamber 6 via an insulator 4. Has been done. However, the container wall 12 has a structure in which one of the concentric cylinders is sealed, and the ion extraction electrode 5 has a large number of small holes formed in an annular shape. Thereby, the hollow ion beam can be extracted. In the film forming chamber 6, a target 7 is arranged so as to form a slope of a hexagonal pyramid, and is opposed to this.
A substrate 20, a substrate holder 8 and a holder support 21 are placed. The holder support 21 also has the shape of a hexagonal truncated pyramid. FIG. 5 shows the substrate and the holder part. As shown in the figure
In order to apply a magnetic field to the substrate 20, a permanent magnet 22 is sealed in a case made of a non-magnetic material and fixed to the substrate holder 8. The substrate holder 8 rotates around the center of the substrate 20, and the substrate support 21 rotates as shown by the arrow in FIG. Below the film forming chamber 6, an ion source 1 composed of a container wall 12, a permanent magnet 2, a filament 3, and an ion extraction electrode 5 having a large number of annular small holes is mounted via an insulator 4.
本実施例の動作は、原理的には第３図の実施例と同じで
あるが、多数枚の基板を同時に処理できる利点がある。
第６図で本実施例の動作を説明する。まずイオン源１か
ら中空のアルゴンイオンビームまたは窒素イオンビーム
などを引き出して、鉄のターゲツトを照射すると、ター
ゲツト７からスパツタ粒子が基板20に堆積する。１つの
基板20には向い合つたターゲツト７ばかりでなく、隣り
合うターゲツト７からもスパツタ粒子が飛来するので、
１ターゲツト１基板の場合に比較して、成膜速度が50〜
70％程度上昇する効果がある。さらに、イオン源10で発
生した中空の窒素イオンビームを基板20に照射すること
により、窒化鉄を成膜できる。The operation of this embodiment is the same as that of the embodiment of FIG. 3 in principle, but there is an advantage that a large number of substrates can be processed at the same time.
The operation of this embodiment will be described with reference to FIG. First, a hollow argon ion beam or nitrogen ion beam is extracted from the ion source 1 and irradiated with an iron target, so that spatter particles are deposited on the substrate 20 from the target 7. Not only the target 7 facing each other on one substrate 20, but the spatter particles also fly from the adjacent target 7.
Compared to the case of 1 target and 1 substrate, the film formation rate is 50 ~
It has the effect of increasing by about 70%. Further, by irradiating the substrate 20 with the hollow nitrogen ion beam generated by the ion source 10, iron nitride can be deposited.
本実施例によれば、イオン源の放電の安定性及び生成さ
れた膜の膜厚，膜質に関して、第11図の実施例と同様の
効果がある。According to this embodiment, the same effect as that of the embodiment of FIG. 11 can be obtained with respect to the discharge stability of the ion source and the film thickness and film quality of the formed film.
以上説明した本発明のイオンビームスパツタ装置によれ
ば、ターゲツトを照射するためのイオンをイオン源での
放電でつくり、放電部と基板上への成膜を行なう部分を
分離し、基板に磁界を印加する永久磁石を逆極性が向か
い合うように該基板を挾んで設けると共に、前記永久磁
石と前記基板の相対的位置を変えることなく、両者を回
転運動させる機構を備えているので、基板印加磁界のイ
オン源への漏れは少なくなり、イオン源での放電が不安
定になることはないことは勿論、ターゲツトを強度が均
一で、エネルギーのそろつたイオンビームで照射できる
ため、膜厚，膜質が均一で、良好な磁気特性を有する磁
性膜が得られるという効果がある。According to the ion beam sputtering apparatus of the present invention described above, the ions for irradiating the target are produced by the discharge with the ion source, the discharge part and the part for forming a film on the substrate are separated, and the magnetic field is applied to the substrate. The permanent magnet for applying the magnetic field is provided so as to sandwich the substrate so that the opposite polarities face each other, and a mechanism for rotating both the permanent magnet and the substrate without changing the relative position is provided. Leakage to the ion source is reduced and the discharge at the ion source does not become unstable. Of course, the target can be irradiated with an ion beam of uniform intensity and uniform energy, so that the film thickness and film quality can be improved. There is an effect that a uniform magnetic film having good magnetic characteristics can be obtained.
第１図は本発明のイオンビームスパツタ装置の一実施例
を示す断面斜視図、第２図は同実施例の基板、及びホー
ルダ部を示す説明図、第３図は本発明の第２の実施例を
示す断面斜視図、第４図は本発明の第３の実施例を示す
断面斜視図、第５図は同実施例の基板、及びホールダ部
を示す説明図、第６図は同実施例の動作を説明する縦断
面図である。 １……イオン源、２、22……永久磁石、３……フィラメ
ント、５……イオン引き出し電極、６……成膜室、７…
…ターゲット、８……基板ホールダ、10……基板照射用
イオン源、12……容器壁、20……基板、21……ホールダ
支持体、22……永久磁石、32……イオンビーム、33……
磁界。FIG. 1 is a sectional perspective view showing an embodiment of the ion beam sputtering apparatus of the present invention, FIG. 2 is an explanatory view showing a substrate and a holder portion of the same embodiment, and FIG. 3 is a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a sectional perspective view showing an embodiment, FIG. 4 is a sectional perspective view showing a third embodiment of the present invention, FIG. 5 is an explanatory view showing a substrate and a holder portion of the same embodiment, and FIG. It is a longitudinal cross-sectional view explaining the operation of the example. 1 ... Ion source, 2, 22 ... Permanent magnet, 3 ... Filament, 5 ... Ion extraction electrode, 6 ... Film forming chamber, 7 ...
... target, 8 ... substrate holder, 10 ... substrate irradiation ion source, 12 ... container wall, 20 ... substrate, 21 ... holder support, 22 ... permanent magnet, 32 ... ion beam, 33 ... …
magnetic field.
フロントページの続き (72)発明者 夏井 健一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 佐藤 忠 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−20311（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−54907（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−122208（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−76665（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−100411（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−39157（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−196810（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−31857（ＪＰ，Ｕ)Front Page Continuation (72) Kenichi Natsui 4026 Kuji Town, Hitachi City, Hitachi City, Ibaraki Prefecture, Hitachi Research Laboratory (72) Inventor Tadashi Sato 4026 Kuji Town, Hitachi City, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Research Laboratory, Ltd. (56) References JP-A 61-20311 (JP, A) JP-A 62-54907 (JP, A) JP-A 62-122208 (JP, A) JP-A 61-76665 (JP, A) Kai 58-100411 (JP, A) JP 60-39157 (JP, A) JP 62-196810 (JP, A) Actual JP 62-31857 (JP, U)
Claims (4)
が気密を保ったまま装着される真空容器とを備え、該真
空容器中には、イオン照射により粒子を放出するターゲ
ット、および該ターゲットに対向する位置に基板ホール
ダ上に支持された基板が配置され、該基板上に膜を生成
するイオンビームスパッタ装置において、 前記基板ホールダ上に、前記基板に磁界を印加するため
の永久磁石を逆極性が向かい合うように該基板を挾んで
設けると共に、前記永久磁石と前記基板の相対的位置を
変えることなく、両者を回転運動させる機構を備えてい
ることを特徴とするイオンビームスパッタ装置。1. At least one ion source, and a vacuum container to which the ion source is attached while keeping airtightness, wherein a target for emitting particles by ion irradiation and a target for the target are provided in the vacuum container. In an ion beam sputtering apparatus in which a substrate supported on a substrate holder is arranged at a position facing each other and a film is formed on the substrate, a permanent magnet for applying a magnetic field to the substrate is reversely polarized on the substrate holder. The ion beam sputtering apparatus is characterized in that the substrate is sandwiched so as to face each other, and a mechanism for rotating both the permanent magnet and the substrate is rotated without changing the relative position of the permanent magnet and the substrate.
飛散した粒子を基板に堆積させる前記イオン源とは別
に、前記基板にイオンビームを照射する第２のイオン源
を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
イオンビームスパッタ装置。2. Irradiating the target with an ion beam,
The ion beam sputtering apparatus according to claim 1, further comprising a second ion source for irradiating the substrate with an ion beam, in addition to the ion source for depositing scattered particles on the substrate.
として、中空のイオンビームを発生するイオン源を用い
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオン
ビームスパッタ装置。3. The ion beam sputtering apparatus according to claim 1, wherein an ion source for generating a hollow ion beam is used as an ion source for irradiating the target.
方を照射するためのイオン源として、中空のイオンビー
ムを発生するイオン源を用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載のイオンビームスパッタ装置。4. The ion beam according to claim 2, wherein an ion source for generating a hollow ion beam is used as an ion source for irradiating at least one of the target and the substrate. Sputtering equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62139790A JPH0774441B2 (en) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | Ion beam spreader device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62139790A JPH0774441B2 (en) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | Ion beam spreader device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307272A JPS63307272A (en) | 1988-12-14 |
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Family
ID=15253487
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774441B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JPH07116600B2 (en) * | 1990-03-02 | 1995-12-13 | 神港精機株式会社 | Sputtering equipment |
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| DE4441117C1 (en) * | 1994-11-18 | 1995-10-26 | Plasma Applikation Mbh Ges | Process for coating substrates and device for carrying out the process |
| US6547939B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-04-15 | Super Light Wave Corp. | Adjustable shadow mask for improving uniformity of film deposition using multiple monitoring points along radius of substrate |
Family Cites Families (4)
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-
1987
- 1987-06-05 JP JP62139790A patent/JPH0774441B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004269988A (en) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Canon Inc | Sputtering apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63307272A (en) | 1988-12-14 |
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