JPH0766322A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置Info
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- JPH0766322A JPH0766322A JP20907593A JP20907593A JPH0766322A JP H0766322 A JPH0766322 A JP H0766322A JP 20907593 A JP20907593 A JP 20907593A JP 20907593 A JP20907593 A JP 20907593A JP H0766322 A JPH0766322 A JP H0766322A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電力用半導体装置において、放熱性を損なう
ことなしに量産性を向上し、コスト低減を図る。 【構成】 リードフレーム１１と、該リードフレーム１
１に搭載される半導体素子１２，１３と、該半導体素子
１２，１３の発する熱を外部へ放熱する放熱体１４とを
備え、これらが樹脂１５にて封止される電力用半導体装
置であって、前記放熱体１４の少なくとも一面が外部へ
露出するよう前記放熱体１４を埋設してなることを特徴
とする。
ことなしに量産性を向上し、コスト低減を図る。 【構成】 リードフレーム１１と、該リードフレーム１
１に搭載される半導体素子１２，１３と、該半導体素子
１２，１３の発する熱を外部へ放熱する放熱体１４とを
備え、これらが樹脂１５にて封止される電力用半導体装
置であって、前記放熱体１４の少なくとも一面が外部へ
露出するよう前記放熱体１４を埋設してなることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電力用半導体装置に関
するものであり、特にその放熱構造の改良に関する。
するものであり、特にその放熱構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１１は従来の電力用半導体装置を示す
表面側からの透視図である。図１２は、従来の製造工程
図である。
表面側からの透視図である。図１２は、従来の製造工程
図である。
【０００３】１，２は半導体素子であり、３はヒートス
プレッダーであり、４はアルミベース基板であり、５は
ボンディングワイヤであり、６はリード端子であり、７
は外枠であり、８は注型樹脂である。具体的には、１は
トランジスタチップであり、２はダイオードチップであ
り、８は遮光性のエポキシ樹脂である。
プレッダーであり、４はアルミベース基板であり、５は
ボンディングワイヤであり、６はリード端子であり、７
は外枠であり、８は注型樹脂である。具体的には、１は
トランジスタチップであり、２はダイオードチップであ
り、８は遮光性のエポキシ樹脂である。
【０００４】以下に、従来の電力用半導体装置の製造方
法について、図１２に従って説明する。
法について、図１２に従って説明する。
【０００５】まず、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）の如
く、半導体装置１，２をダイホンドしたヒートスプレッ
ダー３を回路パターンを有するアルミベース基板４の長
手方向に複数搭載し、前記半導体素子１，２にボンディ
ングワイヤ５により結線を施し回路形成する。
く、半導体装置１，２をダイホンドしたヒートスプレッ
ダー３を回路パターンを有するアルミベース基板４の長
手方向に複数搭載し、前記半導体素子１，２にボンディ
ングワイヤ５により結線を施し回路形成する。
【０００６】次に、図１２（ｃ）の如く、前記アルミベ
ース基板４の半導体素子１，２の搭載面の外周を囲うよ
う、リード端子６をインサート成形した外枠７に接着
し、前記リード端子６のインナー部と前記アルミベース
基板４の回路パターンとをはんだ付け等により結線す
る。
ース基板４の半導体素子１，２の搭載面の外周を囲うよ
う、リード端子６をインサート成形した外枠７に接着
し、前記リード端子６のインナー部と前記アルミベース
基板４の回路パターンとをはんだ付け等により結線す
る。
【０００７】その後、図１２（ｄ）の如く、前記外枠７
の内部に注型樹脂８を注型して完成品としていた。
の内部に注型樹脂８を注型して完成品としていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１１及び図１２に示
す従来の電力用半導体装置は、前記アルミベース基板４
が放熱体をかねており、前記アルミベース基板４は放熱
性が良く、動作した場合における前記半導体素子１，２
が発する熱を外部に放熱することにより、その温度上昇
を抑えるよう構成されている。
す従来の電力用半導体装置は、前記アルミベース基板４
が放熱体をかねており、前記アルミベース基板４は放熱
性が良く、動作した場合における前記半導体素子１，２
が発する熱を外部に放熱することにより、その温度上昇
を抑えるよう構成されている。
【０００９】しかしながら、前記半導体素子１，２をダ
イホンドしたヒートスプレッター３をアルミベース基板
４に搭載し、ボンディングワイヤ５により結線し、外枠
７を接着後注型樹脂８を注入していたのでは、一定量ま
とめて一括処理することが不向きで生産性が向上され
ず、コスト低減が困難であった。
イホンドしたヒートスプレッター３をアルミベース基板
４に搭載し、ボンディングワイヤ５により結線し、外枠
７を接着後注型樹脂８を注入していたのでは、一定量ま
とめて一括処理することが不向きで生産性が向上され
ず、コスト低減が困難であった。
【００１０】また、上記問題点を解決するために、一定
量まとめて一括処理することに向き生産性が向上される
リードフレームを用い、トランスファーモールド成形に
よる射出成形にて形成することが考えられている。
量まとめて一括処理することに向き生産性が向上される
リードフレームを用い、トランスファーモールド成形に
よる射出成形にて形成することが考えられている。
【００１１】しかしながら、放熱性において、本来放熱
性の良いアルミベース基板４に代わって、リードフレー
ムの大きさにて要求され、放熱性を満足させるためには
リードフレームの形状、厚み、重量等が大きくなりすぎ
て、逆に、リードフレームの強度，送り等で、工程上生
産が困難となった。
性の良いアルミベース基板４に代わって、リードフレー
ムの大きさにて要求され、放熱性を満足させるためには
リードフレームの形状、厚み、重量等が大きくなりすぎ
て、逆に、リードフレームの強度，送り等で、工程上生
産が困難となった。
【００１２】本発明は、上記課題に鑑み、放熱性を損な
うことなく量産性に優れた、コスト低減が図れる電力用
半導体装置の提供を目的とするものである。
うことなく量産性に優れた、コスト低減が図れる電力用
半導体装置の提供を目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の電力用半導体装
置は、リードフレームと、該リードフレームに搭載され
る半導体素子と、該半導体素子の発する熱を外部へ放熱
する放熱体とを備え、これらが樹脂にて封止される電力
用半導体装置であって、前記放熱体の少なくとも一面が
外部へ露出するよう前記放熱体を埋設してなることを特
徴とするものである。
置は、リードフレームと、該リードフレームに搭載され
る半導体素子と、該半導体素子の発する熱を外部へ放熱
する放熱体とを備え、これらが樹脂にて封止される電力
用半導体装置であって、前記放熱体の少なくとも一面が
外部へ露出するよう前記放熱体を埋設してなることを特
徴とするものである。
【００１４】また、請求項１記載の電力用半導体装置に
おいて、前記放熱体は電気的導電体からなり、前記放熱
体とリードフレームとを前記封止樹脂を介して所定距離
をおいて配置してなることを特徴とするものである。
おいて、前記放熱体は電気的導電体からなり、前記放熱
体とリードフレームとを前記封止樹脂を介して所定距離
をおいて配置してなることを特徴とするものである。
【００１５】さらに、請求項１記載の電力用半導体装置
において、前記放熱体は電気的絶縁体からなり、前記放
熱体とリードフレームとを一体固定してなること特徴と
するものである。
において、前記放熱体は電気的絶縁体からなり、前記放
熱体とリードフレームとを一体固定してなること特徴と
するものである。
【００１６】
【作用】上記構成によれば、本発明の電力用半導体装置
は、リードフレームを半導体素子の搭載基板としてお
り、前記リードフレームは多連状に連ねた状態で後の製
造工程を行えるため、半導体素子の搭載、樹脂封止等を
一定量まとめて一括処理することが可能となり、生産性
が向上され、コスト低減が図れる。加えて、放熱体を少
なくとも一面が露出するよう埋設しているため、半導体
素子の動作時に発する熱を前記放熱体にて効率良く放熱
でき、前記リードフレームの形状、厚み、重量等を大き
くすることなしに放熱性を確保することができる。
は、リードフレームを半導体素子の搭載基板としてお
り、前記リードフレームは多連状に連ねた状態で後の製
造工程を行えるため、半導体素子の搭載、樹脂封止等を
一定量まとめて一括処理することが可能となり、生産性
が向上され、コスト低減が図れる。加えて、放熱体を少
なくとも一面が露出するよう埋設しているため、半導体
素子の動作時に発する熱を前記放熱体にて効率良く放熱
でき、前記リードフレームの形状、厚み、重量等を大き
くすることなしに放熱性を確保することができる。
【００１７】また、請求項２記載の電力用半導体装置に
よれば、封止樹脂により前記放熱体とリードフレームと
の間の絶縁性が保たれ、前記放熱体の露出面が外部物体
と接触した場合に生じる半導体素子の電気的不良を防止
することができる。
よれば、封止樹脂により前記放熱体とリードフレームと
の間の絶縁性が保たれ、前記放熱体の露出面が外部物体
と接触した場合に生じる半導体素子の電気的不良を防止
することができる。
【００１８】さらに、請求項３記載の電力半導体装置に
よれば、同じく外部物体との接触による半導体素子の電
気的不良を防止できるとともに、半導体素子から放熱体
までの伝熱性が向上され、放熱性を向上することができ
る。
よれば、同じく外部物体との接触による半導体素子の電
気的不良を防止できるとともに、半導体素子から放熱体
までの伝熱性が向上され、放熱性を向上することができ
る。
【００１９】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す構成図であ
り、同図（ａ）は正面側からの透視図であり、同図
（ｂ）は側面断面図であり、同図（ｃ）は裏面図であ
る。図２乃至図５は本発明の製造工程の一例を説明する
ための図である。尚、図２はリードフレームの平面図で
あり、図３乃至図５中において、同図（ａ）は縦断面図
であり、同図（ｂ）は横断面図であり、同図（ｃ）は側
面断面図である。
り、同図（ａ）は正面側からの透視図であり、同図
（ｂ）は側面断面図であり、同図（ｃ）は裏面図であ
る。図２乃至図５は本発明の製造工程の一例を説明する
ための図である。尚、図２はリードフレームの平面図で
あり、図３乃至図５中において、同図（ａ）は縦断面図
であり、同図（ｂ）は横断面図であり、同図（ｃ）は側
面断面図である。
【００２０】図１の如く、本実施例の電力用半導体装置
は、リードフレーム１１と、半導体素子１２，１３と、
放熱体１４とを備え、これらが樹脂１５にて封止されて
なるものであって、前記放熱体１４の少なくとも一面が
外部へ露出するよう構成してなるものである。
は、リードフレーム１１と、半導体素子１２，１３と、
放熱体１４とを備え、これらが樹脂１５にて封止されて
なるものであって、前記放熱体１４の少なくとも一面が
外部へ露出するよう構成してなるものである。
【００２１】前記リードフレーム１１は、半導体素子１
２，１３を搭載する載置片１６と、外部接続用のリード
端子１７とを備えており、本実施例では、前記載置片１
６及びリード端子１７が、該リード端子１７の伸びる方
向に対して垂直方向に複数位置されている。
２，１３を搭載する載置片１６と、外部接続用のリード
端子１７とを備えており、本実施例では、前記載置片１
６及びリード端子１７が、該リード端子１７の伸びる方
向に対して垂直方向に複数位置されている。
【００２２】前記半導体素子１２，１３は、それぞれ例
えばトランジスタチップ１２、ダイオードチップ１３か
らなり、リードフレーム１１の載置片１６にそれぞれ搭
載され、ボンディングワイヤ１８にて所望の半導体素子
１２，１３−リード端子１７間が内部結線されている。
えばトランジスタチップ１２、ダイオードチップ１３か
らなり、リードフレーム１１の載置片１６にそれぞれ搭
載され、ボンディングワイヤ１８にて所望の半導体素子
１２，１３−リード端子１７間が内部結線されている。
【００２３】前記放熱体１４は、例えばアルミ板等の放
熱性のよい基板からなり、前記リードフレーム１１の裏
面側に近接して配置されているとともに、少なくとも表
裏面の内の一面が外部へ露出するよう樹脂１５にて埋設
されている。ここで、前記放熱体１４として、電気的導
電体を使用する場合には、リードフレーム１１と放熱体
１４との間に前記樹脂１５を介して絶縁距離をもたせる
ことが必要である。これは、前記放熱体１４の露出面が
外部物体と接触した場合に静電気等を生じるため、これ
による半導体素子１２，１３の電気的不良を防止するた
めである。
熱性のよい基板からなり、前記リードフレーム１１の裏
面側に近接して配置されているとともに、少なくとも表
裏面の内の一面が外部へ露出するよう樹脂１５にて埋設
されている。ここで、前記放熱体１４として、電気的導
電体を使用する場合には、リードフレーム１１と放熱体
１４との間に前記樹脂１５を介して絶縁距離をもたせる
ことが必要である。これは、前記放熱体１４の露出面が
外部物体と接触した場合に静電気等を生じるため、これ
による半導体素子１２，１３の電気的不良を防止するた
めである。
【００２４】前記樹脂１５は、例えば遮光性のエポキシ
樹脂からなり、前記リード端子１７と放熱体１４の一面
とを除く部分を封止するものである。
樹脂からなり、前記リード端子１７と放熱体１４の一面
とを除く部分を封止するものである。
【００２５】以下に、上述した電力用半導体装置の製造
方法の一例を図２乃至図５に従って説明する。
方法の一例を図２乃至図５に従って説明する。
【００２６】まず、図２の如く、半導体素子１２，１３
を多連状に連なったリードフレーム１１の載置片１６に
ダイボンドし、所望の前記半導体素子１２，１３とリー
ド端子１７とをボンディングワイヤ１８により内部結線
を施し回路形成する。
を多連状に連なったリードフレーム１１の載置片１６に
ダイボンドし、所望の前記半導体素子１２，１３とリー
ド端子１７とをボンディングワイヤ１８により内部結線
を施し回路形成する。
【００２７】次に、図３の如く、下面モールド金型１９
ａのキャビティ内の位置決め部２０ａ，２０ｂにアルミ
板等の放熱体１４を位置決めしてセットする。
ａのキャビティ内の位置決め部２０ａ，２０ｂにアルミ
板等の放熱体１４を位置決めしてセットする。
【００２８】続けて、ボンディングワイヤ１８により内
部結線を施した前記リードフレーム１１を図４の如く、
下面モールド金型１９ａにセットアップする。この時、
リードフレーム１１と放熱体１４とが近接するよう配置
するが、前記放熱体１４が電気的導電体である場合には
絶縁される様に絶縁距離をもたせてセットアップされて
いる。
部結線を施した前記リードフレーム１１を図４の如く、
下面モールド金型１９ａにセットアップする。この時、
リードフレーム１１と放熱体１４とが近接するよう配置
するが、前記放熱体１４が電気的導電体である場合には
絶縁される様に絶縁距離をもたせてセットアップされて
いる。
【００２９】次に、図５の如く、上面モールド金型１９
ｂにて前記リードフレーム１１のタイバー及びリード端
子１７を支持すると同時に、上面モールド金型１９ｂの
ビス穴形成部２１ａ，２１ｂにて前記放熱体１４を支持
し、キャビティ内に封止樹脂１５をトランスファーモー
ルド成形による射出成形する。ここで、前記リードフレ
ーム１１と放熱体１４との間に設けた絶縁距離には、封
止樹脂１５が充填され、完全に封止樹脂により絶縁され
る。
ｂにて前記リードフレーム１１のタイバー及びリード端
子１７を支持すると同時に、上面モールド金型１９ｂの
ビス穴形成部２１ａ，２１ｂにて前記放熱体１４を支持
し、キャビティ内に封止樹脂１５をトランスファーモー
ルド成形による射出成形する。ここで、前記リードフレ
ーム１１と放熱体１４との間に設けた絶縁距離には、封
止樹脂１５が充填され、完全に封止樹脂により絶縁され
る。
【００３０】樹脂封止後は、図１の如く、前記リードフ
レーム１１のタイバーをタイバーカットして、電力用半
導体装置が完成する。
レーム１１のタイバーをタイバーカットして、電力用半
導体装置が完成する。
【００３１】このように、本実施例の電力用半導体装置
は、リードフレーム１１を半導体素子１２，１３の搭載
基板としており、前記リードフレーム１１は多連状に連
ねた状態で後の製造工程を行えるので、前記半導体素子
１２，１３の搭載、ワイヤボンド及び樹脂封止を一定量
まとめて一括処理することが可能となり、生産性が向上
され、コスト低減が図れる。また、従来と比較して部品
点数を少なくできる。さらに、前記リードフレーム１１
の裏面側には放熱体１４が近接して設けられており、該
放熱体１４は少なくとも一面が外部へ露出するよう埋設
してなる構成なので、半導体素子１２，１３が動作時に
発する熱を前記放熱体１４にて放熱されるため、前記リ
ードフレーム１１の形状、厚み、重量等を大きくするこ
となしに放熱性を確保することができる。
は、リードフレーム１１を半導体素子１２，１３の搭載
基板としており、前記リードフレーム１１は多連状に連
ねた状態で後の製造工程を行えるので、前記半導体素子
１２，１３の搭載、ワイヤボンド及び樹脂封止を一定量
まとめて一括処理することが可能となり、生産性が向上
され、コスト低減が図れる。また、従来と比較して部品
点数を少なくできる。さらに、前記リードフレーム１１
の裏面側には放熱体１４が近接して設けられており、該
放熱体１４は少なくとも一面が外部へ露出するよう埋設
してなる構成なので、半導体素子１２，１３が動作時に
発する熱を前記放熱体１４にて放熱されるため、前記リ
ードフレーム１１の形状、厚み、重量等を大きくするこ
となしに放熱性を確保することができる。
【００３２】加えて、前記放熱体１４が電気的導電体か
らなる場合には、前記放熱体１４とリードフレーム１１
とを前記樹脂１５を介して絶縁距離をおいて近接させて
なる構成なので、前記放熱体１４とリードフレーム１１
との間の絶縁性が保たれ、前記放熱体１４の露出面が外
部物体と接触した場合に生じる半導体素子１２，１３の
電気的不良を防止することができる。
らなる場合には、前記放熱体１４とリードフレーム１１
とを前記樹脂１５を介して絶縁距離をおいて近接させて
なる構成なので、前記放熱体１４とリードフレーム１１
との間の絶縁性が保たれ、前記放熱体１４の露出面が外
部物体と接触した場合に生じる半導体素子１２，１３の
電気的不良を防止することができる。
【００３３】図６は本発明の他の実施例を示す図であ
り、同図（ａ）は正面側からの透視図であり、同図
（ｂ）は側面断面図であり、同図（ｃ）は裏面図であ
る。図７乃至図１０は本発明の製造工程の一例を説明す
るための図である。尚、図７及び図８において、同図
（ａ）は平面図であり、同図（ｂ）は側面断面図であ
り、図９及び図１０において、同図（ａ）は正面断面図
であり、同図（ｂ）は側面断面図である。
り、同図（ａ）は正面側からの透視図であり、同図
（ｂ）は側面断面図であり、同図（ｃ）は裏面図であ
る。図７乃至図１０は本発明の製造工程の一例を説明す
るための図である。尚、図７及び図８において、同図
（ａ）は平面図であり、同図（ｂ）は側面断面図であ
り、図９及び図１０において、同図（ａ）は正面断面図
であり、同図（ｂ）は側面断面図である。
【００３４】本実施例について、上述した実施例と相違
する点のみ説明する。
する点のみ説明する。
【００３５】本実施例の電力用半導体装置は、図６の如
く、放熱体１４が例えば、アルミベース基板等の電気的
絶縁体からなり、前記放熱体１４とリードフレーム１１
とを一体固定してなる構成である。尚、前記アルミベー
ス基板は、表面に絶縁層が塗布されてなるものである。
く、放熱体１４が例えば、アルミベース基板等の電気的
絶縁体からなり、前記放熱体１４とリードフレーム１１
とを一体固定してなる構成である。尚、前記アルミベー
ス基板は、表面に絶縁層が塗布されてなるものである。
【００３６】このように、電気的絶縁体からなる放熱体
１４と半導体素子１２，１３を搭載したリードフレーム
１１とを一体固定させることにより、半導体素子１２，
１３の電気的不良を防止できるとともに、前記半導体素
子１２，１３から放熱体１４までの伝熱性が向上され、
上記実施例の効果に加え、さらに放熱性を向上すること
ができる。
１４と半導体素子１２，１３を搭載したリードフレーム
１１とを一体固定させることにより、半導体素子１２，
１３の電気的不良を防止できるとともに、前記半導体素
子１２，１３から放熱体１４までの伝熱性が向上され、
上記実施例の効果に加え、さらに放熱性を向上すること
ができる。
【００３７】以下に、上述した電力用半導体装置の製造
方法の一例を図７乃至図１０に従って説明する。
方法の一例を図７乃至図１０に従って説明する。
【００３８】まず、図７の如く、半導体素子１２，１３
を多連状に連なったリードフレーム１１の載置片１６に
ダイボンドし、所望の前記半導体素子１２，１３とリー
ド端子１７とをボンデイングワイヤ１８により内部結線
を施し回路形成する。尚、前記リードフレーム１１は放
熱体１４と隣接するように折り曲げ加工がなされてい
る。
を多連状に連なったリードフレーム１１の載置片１６に
ダイボンドし、所望の前記半導体素子１２，１３とリー
ド端子１７とをボンデイングワイヤ１８により内部結線
を施し回路形成する。尚、前記リードフレーム１１は放
熱体１４と隣接するように折り曲げ加工がなされてい
る。
【００３９】次に、図８の如く、ボンィデングワイヤ１
８によりワイヤボンドまで行った該リードフレーム１１
を、樹脂封止前にアルミベース基板等の放熱体１４に、
前記リードフレーム１１のパイロット穴２２と前記放熱
体１４のビス穴２３とを位置決めして、はんだ付け等に
より固定する。
８によりワイヤボンドまで行った該リードフレーム１１
を、樹脂封止前にアルミベース基板等の放熱体１４に、
前記リードフレーム１１のパイロット穴２２と前記放熱
体１４のビス穴２３とを位置決めして、はんだ付け等に
より固定する。
【００４０】次に、図９の如く、前記放熱体１４を固定
したリードフレーム１１を、下面モールド金型１９ａの
キャビティ内の位置決め部２０ａ，２０ｂに前記放熱体
１４のビス穴２３を位置決めしてセットする。
したリードフレーム１１を、下面モールド金型１９ａの
キャビティ内の位置決め部２０ａ，２０ｂに前記放熱体
１４のビス穴２３を位置決めしてセットする。
【００４１】続けて、図１０の如く、上面モールド金型
１９ｂにて前記リードフレーム１１のタイバー及びリー
ド端子１７を支持すると同時に、上面モールド金型１９
ｂのビス穴形成部２１にて前記放熱体１４を支持し、キ
ャビティ内に封止樹脂１５をトランスファーモールド成
形による射出成形する。
１９ｂにて前記リードフレーム１１のタイバー及びリー
ド端子１７を支持すると同時に、上面モールド金型１９
ｂのビス穴形成部２１にて前記放熱体１４を支持し、キ
ャビティ内に封止樹脂１５をトランスファーモールド成
形による射出成形する。
【００４２】樹脂封止後は、図６の如く、前記リードフ
レーム１１のタイバーをタイバーカットして、電力用半
導体装置が完成する。
レーム１１のタイバーをタイバーカットして、電力用半
導体装置が完成する。
【００４３】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
電力用半導体装置によれば、放熱性を損なうことなし
に、半導体素子の搭載、樹脂封止等を一定量まとめて一
括処理することが可能となり、生産性が向上され、コス
ト低減が図れる。
電力用半導体装置によれば、放熱性を損なうことなし
に、半導体素子の搭載、樹脂封止等を一定量まとめて一
括処理することが可能となり、生産性が向上され、コス
ト低減が図れる。
【００４４】また、本発明の請求項２記載の電力用半導
体装置によれば、前記放熱体の露出面が外部物体と接触
した場合に生じる半導体素子の電気的不良が防止され
る。
体装置によれば、前記放熱体の露出面が外部物体と接触
した場合に生じる半導体素子の電気的不良が防止され
る。
【００４５】さらに、本発明の請求項３記載の電力用半
導体装置によれば、同じく半導体素子の電気的不良が防
止されるとともに、半導体素子から放熱体までの伝熱性
が向上され、放熱性が向上される。
導体装置によれば、同じく半導体素子の電気的不良が防
止されるとともに、半導体素子から放熱体までの伝熱性
が向上され、放熱性が向上される。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図であり、同図
（ａ）は正面側からの透視図であり、同図（ｂ）は側面
断面図であり、同図（ｃ）は裏面図である。
（ａ）は正面側からの透視図であり、同図（ｂ）は側面
断面図であり、同図（ｃ）は裏面図である。
【図２】図１に示す電力用半導体装置の製造工程の一例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３】同じく、製造工程の一例を説明するための図で
ある。
ある。
【図４】同じく、製造工程の一例を説明するための図で
ある。
ある。
【図５】同じく、製造工程の一例を説明するための図で
ある。
ある。
【図６】本発明の他の実施例を示す構成図であり、同図
（ａ）は正面側からの透視図であり、同図（ｂ）は側面
断面図であり、同図（ｃ）は裏面図である。
（ａ）は正面側からの透視図であり、同図（ｂ）は側面
断面図であり、同図（ｃ）は裏面図である。
【図７】図６に示す電力用半導体装置の製造工程の一例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図８】同じく、製造工程の一例を説明するための図で
ある。
ある。
【図９】同じく、製造工程の一例を説明するための図で
ある。
ある。
【図１０】同じく、製造工程の一例を説明するための図
である。
である。
【図１１】従来例を示す正面側からの透視図である。
【図１２】図１１に電力用半導体装置の製造工程図であ
る。
る。
１１ リードフレーム １２，１３ 半導体素子 １４ 放熱体 １５ 樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 リードフレームと、該リードフレームに
搭載される半導体素子と、該半導体素子の発する熱を外
部へ放熱する放熱体とを備え、これらが樹脂にて封止さ
れる電力用半導体装置であって、前記放熱体の少なくと
も一面が外部へ露出するよう前記放熱体を埋設してなる
ことを特徴とする電力用半導体装置。 - 【請求項２】 前記放熱体は電気的導電体からなり、前
記放熱体とリードフレームとを前記封止樹脂を介して所
定距離をおいて配置してなることを特徴とする請求項１
記載の電力用半導体装置。 - 【請求項３】 前記放熱体は電気的絶縁体からなり、前
記放熱体とリードフレームとを一体固定してなることを
特徴とする請求項１記載の電力用半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20907593A JP2939094B2 (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 電力用半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20907593A JP2939094B2 (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 電力用半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766322A true JPH0766322A (ja) | 1995-03-10 |
| JP2939094B2 JP2939094B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=16566847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20907593A Expired - Fee Related JP2939094B2 (ja) | 1993-08-24 | 1993-08-24 | 電力用半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2939094B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010500754A (ja) * | 2006-08-10 | 2010-01-07 | ヴィシャイ ジェネラル セミコンダクター エルエルシー | 放熱能力を向上させた半導体装置 |
-
1993
- 1993-08-24 JP JP20907593A patent/JP2939094B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010500754A (ja) * | 2006-08-10 | 2010-01-07 | ヴィシャイ ジェネラル セミコンダクター エルエルシー | 放熱能力を向上させた半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2939094B2 (ja) | 1999-08-25 |
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Legal Events
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