JPH0745947A

JPH0745947A - 薄膜多層回路基板の製造方法

Info

Publication number: JPH0745947A
Application number: JP18416893A
Authority: JP
Inventors: Yoshikatsu Ishizuki; 義克石月; Kishio Yokouchi; 貴志男横内; Shinya Iijima; 真也飯島
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1993-07-26
Filing date: 1993-07-26
Publication date: 1995-02-14

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は薄膜多層回路基板の製造方法の改善
に関し、層間を接続するビア孔のアスペクトが大きくな
った場合であっても、導体層と絶縁層との密着性を良く
すること、及び、その製造プロセスの簡略化，容易化か
つ短縮化を図ることを目的とする。【構成】フィルム状又は板状の基板１１に設けられた
導体層１２上に絶縁層１３を形成する工程と、絶縁層１
３を開孔して導体層１２に到達する開口部１４を形成す
る工程と、開口部１４に流動性の金属含有物１５を充填
する工程と、基板１１を熱処理する工程とを有し、ま
た、基板１６に設けられた導体層１７上に、光分解性の
有機金属化合物と絶縁樹脂前駆体とを混合した複合物１
８を塗布する工程と、基板１６に塗布された複合物１８
を選択的に露光する工程と、基板１６の熱処理をする工
程とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】〔目次〕産業上の利用分野従来の技術（図７）発明が解決しようとする課題課題を解決するための手段（図１）作用実施例（１）第１の実施例の説明（図２〜４）（２）第２の実施例の説明（図５，６）発明の効果

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜多層回路基板の製
造方法に関するものであり、更に詳しく言えば、樹脂絶
縁層を介して積層された薄膜多層配線パターン間を接続
する層間接続用配線ビアや層内配線用ビアの形成方法の
改善に関するものである。近年，情報処理分野の高機能
化及び高速データ処理の要求に伴い大型のコンピュータ
が開発され、その信号配線の高密度化を図るため薄膜多
層配線回路基板が使用される。当該回路基板は、ポリイ
ミド等の薄膜樹脂が多層化され、この層間に薄膜配線パ
ターンが設けられた構造である。

【０００３】これによれば、層間接続用配線ビアや層内
配線用ビアを形成する場合、樹脂絶縁層等に開孔部を設
け、そこに導電金属をスパッタ法等により埋め込んでい
る。このため、信号配線の高密度化の要求に伴い開孔部
のアスペクト比が大きくなると、下部配線パターンに導
電金属を十分充填することが困難となる。また、リフト
法を用いて各種ビアを形成する方法があるが、導体金属
と樹脂絶縁層との密着性が悪くなったり、多くのプロセ
ス工程が必要となる。

【０００４】そこで、層間接続用の開孔部のアスペクト
が大きくなった場合であっても、導体層と絶縁層との密
着性を良くすること、及び、その製造プロセスの簡略
化，容易化かつ短縮化を図ることができる製造方法が望
まれている。

【０００５】

【従来の技術】図７（Ａ）〜（Ｃ）は、従来例に係る説
明図である。図７（Ａ）は、従来例に係る薄膜多層回路
基板の断面図であり、図７（Ｂ）は、その問題点を説明
する深いビア孔の形成状態図である。また、図７（Ｃ）
はそれに対処する形成工程図をそれぞれ示している。

【０００６】例えば、大型のコンピュータに使用される
薄膜多層配線回路基板は、図７（Ａ）において、樹脂絶
縁層２Ａ〜２Ｃを介して積層された薄膜多層配線パター
ン（以下導体層ともいう）１Ａ〜１Ｄ間を接続する層間
接続用配線ビア５や層内配線用ビア６から成る。層間接
続用配線ビア５は樹脂絶縁層２Ａ〜２Ｃを介して導体層
１Ａ〜１Ｄ間を接続したり、また、樹脂絶縁層２Ａ上に
設けられた導体層１Ｂと、樹脂絶縁層２Ｂ上に設けられ
た導体層１２と、最上の樹脂絶縁層２Ｃ上に設けられた
導体層１Ｄとを接続する導体である。なお、層内配線用
ビア６は樹脂絶縁層２Ａ上に設けられた導体層１Ｂと、
樹脂絶縁層２Ｂ上に設けられた導体層１２との間を接続
する導体である。

【０００７】各ビア５，６は樹脂絶縁層２Ａ等に開口さ
れた開孔部に、リフトオフ法，ＣＶＤ法，スパッタ法又
はメッキ法により導電材料が形成されて成る。これによ
り、薄膜多層配線パターン１Ａ〜１Ｄ間や同配線パター
ン１Ｂ，１Ｃ間の導通がとられる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例によ
れば層間接続用配線ビア５や層内配線用ビア６を形成す
る場合、樹脂絶縁層２Ａ〜２Ｃ等に開孔部を設け、そこ
に導電金属をスパッタ法等により埋め込んでいる。この
ため、図７（Ｂ）に示すように、開孔部７の口径φに対
して深さｈが大きくなる場合、すなわち、アスペクト比
（φ：ｈ）が大きくなる場合には、下層配線パターン８
に向けて導電金属９を十分充填することが困難となる。
そこで、図７（Ｃ）に示すように、開孔部７の深さｈを
１／２に低減して、そのアスペクト比を小さくし、開孔
部の位置をずらして２段階で導電金属９をスパッタする
方法が採られる。しかし、工程数が増加したり、薄膜多
層配線の高密度化の妨げとなるという問題がある。

【０００９】また、従来例によれば、層間接続用配線ビ
ア５や層内配線用ビア６を形成する場合、樹脂絶縁層１
０上に感光性の樹脂を用い、その露光現像により開孔部
分の樹脂を剥離し、それにマスクを通してエキシマレー
ザを照射し、開孔部分の樹脂を一瞬のうちに飛ばす方法
（リフト法）が採られる。しかし、導体金属９と樹脂絶
縁層１０との熱膨張率の相違から内部応力が発生し、こ
れによって、導体金属９と樹脂絶縁層１０との密着性が
悪くなるという問題がある。また、露光，現像，エキシ
マレーザ照射工程等の数多くのプロセスが必要となる。

【００１０】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、層間を接続する開孔部のアスペク
トが大きくなった場合であっても、導体層と絶縁層との
密着性を良くすること、及び、その製造プロセスの簡略
化，容易化かつ短縮化を図ることが可能となる薄膜多層
回路基板の製造方法の提供を目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】図１（Ａ），（Ｂ）は、
本発明に係る薄膜多層回路基板の製造方法の原理図をそ
れぞれ示している。本発明の薄膜多層回路基板の第１の
製造方法は図１（Ａ）において、フィルム状又は板状の
基板１１に設けられた導体層１２上に絶縁層１３を形成
する工程と、前記絶縁層１３を開孔して導体層１２に到
達する開孔部１４を形成する工程と、前記開孔部１４に
流動性の金属含有物１５を充填する工程と、前記基板１
１を熱処理する工程とを有することを特徴とする。

【００１２】なお、本発明の薄膜多層回路基板の第１の
製造方法において、前記流動性の金属含有物１５には、
金属粉と熱重合性のモノマーとを複合した物、金属粉と
樹脂とを溶剤により混合した物、金属粉と熱硬化性の接
着剤とを溶剤により混合した物、金属ペースト又はハン
ダのいずれかを使用することを特徴とする。さらに、本
発明の薄膜多層回路基板の第２の製造方法は図１（Ｂ）
において、基板１６に設けられた導体層１７上に、光分
解性の有機金属化合物と絶縁樹脂前駆体とを混合した複
合物１８を塗布する工程と、前記基板１６に塗布された
複合物１８を選択的に露光する工程と、前記基板１６の
熱処理をする工程とを有することを特徴とする。

【００１３】なお、本発明の薄膜多層回路基板の第２の
製造方法において、前記複合物１８には、ポリイミドの
前駆体とトリエチルアルミニウム又はトリメチルアルミ
ニウムとを混合した物のいずれかを使用することを特徴
とし、上記目的を達成する。

【００１４】

【作用】本発明の薄膜多層回路基板の第１の製造方法に
よれば、図１（Ａ）において、基板１１の導体層１２に
到達する開孔部１４に、流動性の金属含有物１５を充填
する工程を有している。このため、開孔部１４のアスペ
クト比が大きくなる場合であっても、開孔部１４に金属
含有物１５を十分充填することが可能となる。例えば、
金属粉と熱重合性のモノマーとを複合した流動性の金属
含有物１５を開孔部１４に充填し、その後、基板１１の
平坦化及びその熱処理をする。このことで、開孔部１４
に金属物質を再現良く形成することが可能となる。

【００１５】これにより、従来例に比べて、導体層１
２，金属物質及び絶縁層１３の密着性を良くすること、
及び、その製造プロセスの簡略化，容易化かつ短縮化を
図ることが可能となる。また、フィルム状又は板状の樹
脂薄膜多層配線回路基板の高密度化を図ることが可能と
なる。さらに、本発明の薄膜多層回路基板の第２の製造
方法によれば、図１（Ｂ）において、例えば、ポリイミ
ドの前駆体（絶縁樹脂前駆体）とトリエチルアルミニウ
ム（有機金属化合物）とを混合した複合物１８が導体層
１７上に塗布される。その後、その複合物１８が選択的
に露光される。

【００１６】このため、被露光部分の複合物１８が光分
解して、そこからトリエチルアルミニウムのエチル基が
外部に蒸発し、その部分にアルミニウム18Ａとポリイミ
ドの前駆体が残留する。その後、基板１６を熱処理する
と、被露光部分のアルミニウム18Ａが安定化し、その部
分以外の複合物１８からトリエチルアルミニウムが外部
に蒸発し、ポリイミドの前駆体が絶縁層18Ｂを形成す
る。

【００１７】これにより、層間接続用ビアやそれを絶縁
する絶縁層18Ｂを自己整合的に形成することが可能とな
る。また、従来例や第１の製造方法のように、開孔部１
４を開口する必要がない。このことで、第１の製造方法
に比べて、より一層，金属物質（アルミニウム18Ａ）及
び絶縁層18Ｂの密着性を良くすること、及び、その製造
プロセスの簡略化，容易化かつ短縮化を図ることが可能
となる。また、当該回路基板の高密度化に寄与するとこ
ろが大きい。

【００１８】

【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明をする。図２〜６は、本発明の実施例に係る薄
膜多層回路基板の製造方法を説明する図である。（１）第１の実施例の説明図２は、本発明の各実施例に係る樹脂薄膜多層回路基板
の斜視図であり、図３，４は、本発明の第１の実施例に
係る樹脂薄膜多層回路基板の形成工程図（その１，２）
をそれぞれ示している。

【００１９】例えば、大型のコンピュータに適用可能な
樹脂薄膜多層回路基板は、図２において、樹脂絶縁層10
0 を介して積層された第１〜第３の薄膜配線パターン10
1 〜103 ，最上層配線104 ，層間接続用配線ビア105 ，
層内配線用ビア106 から成る。層間接続用配線ビア105
は樹脂絶縁層100 を介して第１の薄膜配線パターン101
と最上層配線104 との間を接続する導体である。また、
層内配線用ビア106 は第１，第２の薄膜配線パターン10
1 ，102 との間や、第１，第３の薄膜配線パターン101
，103 との間を接続する導体である。

【００２０】次に、このような回路基板の形成方法を説
明する。図３（Ａ）において、まず、フィルム状基板２
１の薄膜配線パターン２２上に、膜厚１０〜２０μｍ程
度のポリイミド絶縁層２３を形成する。ここで、フィル
ム状基板２１は基板１１の一例であり、板状であっても
良い。ポリイミド絶縁層２３は絶縁層１３の一例であ
り、ポリイミド液の塗布及びその加熱キュアにより形成
する。

【００２１】次に、図３（Ｂ）において、ポリイミド絶
縁層２３を開孔して薄膜配線パターン２２に到達するビ
ア孔２４を形成する。ビア孔２４はフォトグラフィー法
により形成する。次いで、図３（Ｃ）において、ビア孔
２４にポリマー銅粉２５を充填する。ここで、ポリマー
銅粉２５はスピンコート法等によりビア孔２４に充填
し、その後、当該ビア孔２４の表面を平坦化する。な
お、ポリマー銅粉２５は流動性の金属含有物１５の一例
であり、銅粉と熱重合性のモノマーとを複合した物であ
る。金属含有物１５には、金属粉と樹脂とを溶剤により
混合した物、金属粉と熱硬化性の接着剤とを溶剤により
混合した物、金属ペースト又はハンダ等のいずれかを使
用する。

【００２２】その後、基板２１を熱処理する。この際の
熱処理は、窒素雰囲気で、温度３００°Ｃ程度である。
さらに、図４（Ａ）において、薄膜配線パターン２6 と
ポリイミド絶縁層２７とを形成する。ここで、薄膜配線
パターン２6 はスパッタ法等により形成し、それをパタ
ーニングする。なお、ポリイミド絶縁層２７は塗布及び
加熱キュアにより膜厚１０〜２０μｍ程度に形成する。

【００２３】次に、図４（Ｂ）において、ポリイミド絶
縁層２７を開孔して薄膜配線パターン２２や２６に至る
３つのビア孔にポリマー銅粉２８を充填する。その後、
図４（Ｃ）において、当該ビア孔の表面を平坦化し、基
板２１を熱処理する。この際の熱処理は、先の条件と同
様である。これらの形成工程を繰り返すことにより、本
発明に係る樹脂薄膜多層回路基板が完成する。なお、ポ
リイミド絶縁層２３，２７は図２において、樹脂絶縁層
100 を構成し、薄膜配線パターン２２は第１の薄膜配線
パターン101 を構成し、薄膜配線パターン２６は第２の
薄膜配線パターン102 等を構成する。また、各ビア孔２
４等に充填されたポリマー銅粉２８が層間接続用配線ビ
ア105 や層内配線用ビア106 を構成する。

【００２４】このようにして、本発明の第１の実施例に
係る樹脂薄膜多層回路基板の製造方法によれば、図３
（Ｃ）や図４（Ｂ）において、フィルム状基板２１の薄
膜配線パターン２２に到達するビア孔２４等にポリマー
銅粉２５を充填している。このため、信号配線の高密度
化に伴いビア孔２４のアスペクト比が大きくなった場合
であっても、ポリマー銅粉２５をビア孔２４に十分充填
することが可能となる。このことで、ポリマー銅粉２５
を薄膜配線パターン２２に到達させることができ、その
後、平坦化及び基板１１の熱処理をすることにより、層
間接続用配線ビア105 や層内配線用ビア106 を再現良く
形成することが可能となる。

【００２５】これにより、従来例に比べて、薄膜配線パ
ターン２２，銅及びポリイミド絶縁層２３の密着性を良
くすること、及び、その製造プロセスの簡略化，容易化
かつ短縮化を図ることが可能となる。また、フィルム状
の樹脂薄膜多層配線回路基板の高密度化を図ることが可
能となる。なお、本発明の第１の実施例では、金属含有
物１５としてポリマー銅粉２５の場合について述べた
が、金属粉と樹脂とを溶剤により混合した物、金属粉と
熱硬化性の接着剤とを溶剤により混合した物、金属ペー
スト又はハンダ等によっても同様な効果が得られる。

【００２６】（２）第２の実施例の説明図５，６は、本発明の第２の実施例に係る樹脂薄膜多層
回路基板の形成工程図（その１，２）をそれぞれ示して
いる。なお、第１の実施例と異なるは第２の実施例では
層間接続用配線ビア105 ，層内配線用ビア106 や樹脂絶
縁層100 が自己整合的に形成されるものである。

【００２７】すなわち、本発明の第２の実施例に係る樹
脂薄膜多層回路基板を製造する場合、図５（Ａ）におい
て、まず、シリコン基板３１の薄膜配線パターン３２上
に金属含有溶液３３をスピンコート法により塗布する。
金属含有溶液３３は複合物１８の一実施例であり、光分
解性の有機金属化合物の一例となるトリエチルアルミニ
ウム〔Ａｌ（Ｃ₂Ｈ₅）₃〕と、絶縁樹脂前駆体の一例
となるポリイミドの前駆体（ポリアミック酸）とを混合
した液体である。

【００２８】その組成比は体積比率で１：１である。Ａ
ｌ（Ｃ₂Ｈ₅）₃は無色透明であり、760 ｍｍＨｇ，18
6 °Ｃで蒸発する性質がある。また、金属含有溶液３３
には、ポリアミック酸とトリメチルアルミニウム〔Ａｌ
（ＣＨ₂）₃〕を用いても良い。Ａｌ（ＣＨ₂）₃は、
760 ｍｍＨｇ，127 °Ｃで蒸発する性質がある。なお、
薄膜配線パターン３２はＣｕ膜32Ａ及びＣｒ膜32Ｂをス
パッタ法により順次成膜し、その後、当該配線パターン
３２をパターニングをする。また、シリコン基板３１は
基板１６の一例であり、フィルム状や板状であっても良
い。

【００２９】次に、図５（Ｂ）において、薄膜配線パタ
ーン３２に塗布された金属含有溶液３３を選択的に露光
する。この際に、膜厚100 μｍ程度のマスク３４を介し
て金属含有溶液３３に紫外線を照射する。マスク３４は
第１層目のビア孔の形成位置を予め開口したものであ
る。これにより、紫外線が照射された金属含有溶液３３
の部分（以下被露光部分という）であって、そのトリメ
チルアルミニウム〔Ａｌ（ＣＨ₂）₃〕のメチル基が蒸
発し、Ｃｒ膜32Ｂ上にアルミニウム33Ａが残留する。な
お、マスクされた部分の金属含有溶液３３は初期の性質
を維持している。

【００３０】その後、図５（Ｃ）において、シリコン基
板３１の熱処理をする。例えば、基板３１を200 °Ｃに
加熱する。これにより、被露光部分のアルミニウム33Ａ
は安定化し、それ以外のＡｌ（Ｃ₂Ｈ₅）₃は蒸発し、
アルミニウム33Ａを絶縁するポリイミド絶縁層33Ｂが形
成される。次いで、図６（Ａ）において、薄膜配線パタ
ーン３５を所定位置に形成し、その上に金属含有溶液３
３を塗布する。なお、薄膜配線パターン３５はＣｕ膜35
Ａ及びＣｒ膜35Ｂをスパッタ法により順次成膜し、その
後、当該配線パターン３５をパターニングをする。

【００３１】次に、図６（Ｂ）において、薄膜配線パタ
ーン３５に塗布された金属含有溶液３３を選択的に露光
する。この際に、マスク３６を介して金属含有溶液３３
に紫外線を照射する。マスク３６は第２層目のビア孔の
形成位置を開口したものである。これにより、被露光部
分のトリメチルアルミニウムのメチル基が蒸発し、Ｃｒ
膜35Ｂ上にアルミニウム33Ａが残留する。なお、マスク
された部分の金属含有溶液３３は初期の性質を維持して
いる。

【００３２】その後、図６（Ｃ）において、シリコン基
板３１を200 °Ｃに加熱する。これにより、被露光部分
のアルミニウム33Ａは安定化し、それ以外のＡｌ（Ｃ₂
Ｈ₅）₃は蒸発し、アルミニウム33Ａを絶縁するポリイ
ミド絶縁層33Ｂが形成される。これらの形成工程を繰り
返すことにより、本発明に係る樹脂薄膜多層回路基板が
完成する。なお、ポリイミド絶縁層33Ｂは図２におい
て、樹脂絶縁層100 を構成し、薄膜配線パターン３２は
第１の薄膜配線パターン101 を構成し、薄膜配線パター
ン３５は第２の薄膜配線パターン102 等を構成する。ま
た、被露光部分のアルミニウム33Ａが層間接続用配線ビ
ア105 や層内配線用ビア106 を構成する。これにより、
導通試験を行った結果、紫外線を照射した部分，すなわ
ち、各ビア105 や106 を経由する配線パターン101 ，10
2 間等では十分な導通が確認され、また、樹脂絶縁層10
0 の絶縁抵抗については、５×１０⁷〔ＭΩ〕程度が得
られた。

【００３３】このようにして、本発明の第２の実施例に
係る薄膜多層回路基板の製造方法によれば、図５
（Ｂ），図６（Ａ）において、ポリアミック酸とトリエ
チルアルミニウムとを混合した金属含有溶液３３がＣｒ
膜32Ｂや35Ｂ上に塗布される。その後、その金属含有溶
液３３が選択的に露光される。このため、被露光部分の
金属含有溶液３３が光分解して、そこからトリエチルア
ルミニウムのエチル基が外部に蒸発し、その部分にアル
ミニウム33Ａが残留する。その後、基板３１を熱処理す
ると、被露光部分のアルミニウム34Ａが安定化し、その
部分以外の金属含有溶液３３からトリエチルアルミニウ
ムが外部に蒸発し、ポリアミック酸がポリイミド絶縁層
33Ｂを形成する。

【００３４】これにより、層間接続用ビア105 や層内配
線用ビア106 を自己整合的に形成することが可能とな
る。また、従来例や第１の実施例のように、ビア孔２４
を開口する必要がない。このことで、第１の実施例に比
べて、より一層，ビア部分のアルミニウム33Ａ及びポリ
アミド絶縁層33Ｂの密着性を良くすること、及び、その
製造プロセスの簡略化，容易化かつ短縮化を図ることが
可能となる。また、当該回路基板の高密度化に寄与する
ところが大きい。

【００３５】なお、本発明の各実施例では樹脂薄膜多層
回路基板の形成工程について説明をしたが、これに限ら
れず、各種トランジスタデバイスの形成工程に本発明の
製造方法を用いても良い。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜多層
回路基板の製造方法によれば、基板の導体層に到達する
開孔部に、流動性の金属含有物を充填する工程を有して
いる。このため、半導体デバイスの微細化の要求に伴い
開孔部のアスペクト比が大きくなった場合であっても、
開孔部に金属含有物を十分充填することが可能となる。

【００３７】さらに、本発明の薄膜多層回路基板の他の
製造方法によれば、絶縁樹脂前駆体と有機金属化合物と
を混合した複合物が導体層上に塗布される。その後、こ
の複合物が選択的に露光され、該基板が熱処理される。
このため、被露光部分の複合物が光分解されると、有機
金属化合物により層間接続用ビアや層内配線用ビアを自
己整合的に形成することができ、また、該基板が熱処理
されると、絶縁樹脂前駆体により素子絶縁層を自己整合
的に形成することが可能となる。

【００３８】これにより、導体層，各ビア及び絶縁層の
密着性が良好で、かつ、高密度のフィルム状又は板状の
樹脂薄膜多層配線回路基板を製造することが可能とな
る。また、製造プロセスの簡略化，容易化かつ短縮化に
寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜多層回路基板の製造方法の原
理図である。

【図２】本発明の各実施例に係る樹脂薄膜多層回路基板
の斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施例に係る樹脂薄膜多層回路
基板の形成工程図（その１）である。

【図４】本発明の第１の実施例に係る樹脂薄膜多層回路
基板の形成工程図（その２）である。

【図５】本発明の第２の実施例に係る樹脂薄膜多層回路
基板の形成工程図（その１）である。

【図６】本発明の第２の実施例に係る樹脂薄膜多層回路
基板の形成工程図（その２）である。

【図７】従来例に係る薄膜多層回路基板の説明図であ
る。

【符号の説明】

１１，１６…基板、１２，１７…導体層、１３…絶縁層、１４…開孔部、１５…流動性の金属含有物、１８…複合物。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フィルム状又は板状の基板（１１）に設
けられた導体層（１２）上に絶縁層（１３）を形成する
工程と、前記絶縁層（１３）を開孔して導体層（１２）
に到達する開孔部（１４）を形成する工程と、前記開孔
部（１４）に流動性の金属含有物（１５）を充填する工
程と、前記基板（１１）を熱処理する工程とを有するこ
とを特徴とする薄膜多層回路基板の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の薄膜多層回路基板の製造
方法において、前記流動性の金属含有物（１５）には、
金属粉と熱重合性のモノマーとを複合した物、金属粉と
樹脂とを溶剤により混合した物、金属粉と熱硬化性の接
着剤とを溶剤により混合した物、金属ペースト又はハン
ダのいずれかを使用することを特徴とする薄膜多層回路
基板の製造方法。
【請求項３】基板（１６）に設けられた導体層（１
７）上に、光分解性の有機金属化合物と絶縁樹脂前駆体
とを混合した複合物（１８）を塗布する工程と、前記基
板（１６）に塗布された複合物（１８）を選択的に露光
する工程と、前記基板（１６）の熱処理をする工程とを
有することを特徴とする薄膜多層回路基板の製造方法。
【請求項４】請求項３記載の薄膜多層回路基板の製造
方法において、前記複合物（１８）には、ポリイミドの
前駆体とトリエチルアルミニウム又はトリメチルアルミ
ニウムとを混合した物のいずれかを使用することを特徴
とする薄膜多層回路基板の製造方法。