JPH0735382Y2 - Thin film vapor deposition equipment - Google Patents
Thin film vapor deposition equipmentInfo
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- JPH0735382Y2 JPH0735382Y2 JP10170589U JP10170589U JPH0735382Y2 JP H0735382 Y2 JPH0735382 Y2 JP H0735382Y2 JP 10170589 U JP10170589 U JP 10170589U JP 10170589 U JP10170589 U JP 10170589U JP H0735382 Y2 JPH0735382 Y2 JP H0735382Y2
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- susceptor
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- wafer tray
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Description
【産業上の利用分野】 この考案は縦型の薄膜気相成長装置の改良に関する。特
に、サセプタ、ヒータに関する改良を与えるものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to improvement of a vertical thin film vapor phase growth apparatus. In particular, it provides improvements on the susceptor and the heater.
縦型の薄膜気相成長装置は、第３図に示すように、従来
は高周波加熱によりサセプタが加熱されていた。 円筒形縦型の石英リアクタ１の中に、サセプタ２が回転
シヤフト５によつて回転昇降自在に支持されている。 石英リアクタ１の外側には、高周波コイル４が巻き回し
てある。サセプタ２の上にウエハ３を載置し、上方から
原料ガスを流し、高周波コイルに通電して、サセプタ２
を加熱する事により、ウエハ３の上に薄膜を形成してゆ
くことができる。 このように、外部に設置された高周波コイルによりサセ
プタを加熱するには縦型の薄膜気相成長装置において一
般的に行なわれており、例えば特開昭62−85422号、実
開昭63−51432号などにも開示されている。 高周波加熱を採用すると、リアクタ内の機構部の構造が
単純化される。 高周波加熱ではなく、サセプタの中に抵抗加熱ヒータを
蚊取線香状に設けた抵抗加熱方式のものもある（特開昭
63−278322）。In the vertical type thin film vapor phase growth apparatus, as shown in FIG. 3, the susceptor is conventionally heated by high frequency heating. A susceptor 2 is supported by a rotary shaft 5 in a cylindrical vertical quartz reactor 1 so as to be rotatable and vertically movable. A high frequency coil 4 is wound around the outside of the quartz reactor 1. The wafer 3 is placed on the susceptor 2, the raw material gas is flown from above, and the high frequency coil is energized.
By heating, the thin film can be formed on the wafer 3. As described above, the heating of the susceptor by the high-frequency coil installed outside is generally performed in the vertical thin-film vapor phase growth apparatus, for example, JP-A-62-85422 and JP-A-63-51432. It is also disclosed in the issue. The use of high frequency heating simplifies the structure of the mechanical parts in the reactor. Instead of high-frequency heating, there is also a resistance heating type in which a resistance heating heater is provided in the shape of a mosquito coil in the susceptor (Japanese Patent Laid-Open No. Sho 61-135)
63-278322).
第３図の装置において、原料ガスが加熱されることによ
り気相反応を起こし、気相反応によつて生じた反応生成
物が、ウエハ３の上に堆積し薄膜となる。 生成された薄膜は、膜厚が均一であること、及ぶ電気的
特性など諸特性が均一であるとなどが強く要求される。
膜厚や電気的特性がウエハ面内で不均一であれば、目的
とするデバイスを歩留り良く製造することができない。 膜厚、電気的特性が面内で均一になるためには、ウエハ
面内で温度が均一であるという事が特に強く要求され
る。 ところが、第３図に示すような高周波誘導加熱では、ウ
エハ面内での温度均一性を得る事が難しい。その理由は
以下のようである。 （１）サセプタ２は高周波コイル３によつて側面より加
熱される。コイルに高周波電流を通電することでサセプ
タに電流が流れるが、電流の表皮効果により、サセプタ
周囲部と中央部での発熱量が異なり、ウエハの面内での
温度均一性が得にくい。 （２）高周波コイル４の巻き方を工夫することにより、
ウエハ温度の均一化を増進することは可能である。しか
し、こうしようとすると高周波コイルの細かな細工が必
要であり、必ずしも容易ではない。 （３）以上なは熱平衡状態に達した時の問題であるが、
それ以前の過渡的な時期の問題もある。 サセプタが中実体のブロツク状であるため熱容量が大き
い。熱容量が大きい割に熱電導率が低いので、昇温時に
サセプタの局所的な温度が不均一になる。つまり、サセ
プタの側部が高温になり、中央部がより低温になる。制
御用の熱電対をサセプタの穴に挿入しているが、熱電対
近傍の温度上昇は、側部に比べて遅れるので、熱電対は
サセプタの全体温度を正しく反映しない。 熱電対の示す温度よりも側部の温度が高くなつている場
合、ウエハの側周が過度に高温になりウエハが熱損傷を
受けることがある。 また、基板温度の制御性も悪い。 以上は高周波加熱方式の難点である。 内部に抵抗加熱ヒータを持つ特開昭63−278322の機構
は、抵抗加熱ヒータをサセプタの内部に封じこんでしま
うので、ヒータとサセプタの関係が固定的である。ヒー
タに対してサセプタが相対回転することができない。サ
セプタを回転させるとヒータも一体となつて回転する。
ヒータの分布に乱れがあり温度不均一が生じた場合、こ
れがサセプタ上にそのまま反映される。 また、ヒータの上面がサセプタによつて覆われているの
で、ヒータのパワー変化によつても、ウエハの温度が直
ちには変化しない。つまり応答性が悪いという事であ
る。In the apparatus shown in FIG. 3, a source gas is heated to cause a gas phase reaction, and a reaction product generated by the gas phase reaction is deposited on the wafer 3 to form a thin film. The generated thin film is strongly required to have a uniform film thickness and various properties such as electrical characteristics.
If the film thickness and electrical characteristics are non-uniform on the wafer surface, the target device cannot be manufactured with high yield. In order for the film thickness and electrical characteristics to be uniform within the plane, it is particularly strongly required that the temperature is uniform within the plane of the wafer. However, with high frequency induction heating as shown in FIG. 3, it is difficult to obtain temperature uniformity within the wafer surface. The reason is as follows. (1) The susceptor 2 is heated from the side surface by the high frequency coil 3. When a high-frequency current is passed through the coil, a current flows through the susceptor, but due to the skin effect of the current, the amount of heat generated between the peripheral portion and the central portion of the susceptor is different, and it is difficult to obtain temperature uniformity within the wafer surface. (2) By devising the winding method of the high frequency coil 4,
It is possible to increase the uniformity of the wafer temperature. However, in order to do so, it is not always easy to make fine work on the high frequency coil. (3) The above is the problem when reaching the thermal equilibrium state,
There are also problems with the transitional period before that. Since the susceptor is a solid block shape, it has a large heat capacity. Since the thermal conductivity is low despite the large heat capacity, the local temperature of the susceptor becomes non-uniform when the temperature is raised. That is, the sides of the susceptor are hot and the center is cooler. Although the thermocouple for control is inserted into the hole of the susceptor, the temperature rise near the thermocouple is delayed compared to the side portion, so the thermocouple does not accurately reflect the entire temperature of the susceptor. If the side temperature is higher than the temperature indicated by the thermocouple, the side circumference of the wafer becomes excessively high and the wafer may be damaged by heat. Also, the controllability of the substrate temperature is poor. The above are the drawbacks of the high frequency heating method. The mechanism of Japanese Patent Laid-Open No. 63-278322, which has a resistance heater inside, encloses the resistance heater inside the susceptor, so that the relationship between the heater and the susceptor is fixed. The susceptor cannot rotate relative to the heater. When the susceptor is rotated, the heater also rotates together with it.
When the heater distribution is disturbed and temperature non-uniformity occurs, this is directly reflected on the susceptor. Further, since the upper surface of the heater is covered with the susceptor, the temperature of the wafer does not change immediately even if the power of the heater changes. In other words, the responsiveness is poor.
本考案の薄膜気相成長装置は、 （１）サセプタが上面の開口した筒状であつて、 （２）サセプタの内部に抵抗加熱ヒータが設けられ、 （３）ウエハは周縁に下向きの周段部を有するウエハト
レイに載置され、ウエハトレイがサセプタの上に置かれ
るようになつており、 （４）ウエハトレイの厚みを中央と周縁とで異ならすこ
とによりウエハ面内で温度が均一になる、ようにしてい
る。さらに望ましくは、 （５）ウエハトレイの下面中央にプケツトを設け、熱電
対の先端を挿入できるようにする。The thin film vapor deposition apparatus of the present invention comprises (1) a susceptor having a cylindrical shape with an open top surface, (2) a resistance heating heater provided inside the susceptor, and (3) a wafer with a peripheral step facing downward. The wafer tray is mounted on a wafer tray having a portion, and the wafer tray is placed on the susceptor. (4) By making the thickness of the wafer tray different between the center and the periphery, the temperature can be made uniform within the wafer surface. I have to. More preferably, (5) a pocket is provided at the center of the lower surface of the wafer tray so that the tip of the thermocouple can be inserted.
サセプタの内部に抵抗加熱ヒータを設け、ヒータからの
輻射熱によつてウエハトレイを加熱する。サセプタの上
部が開口してあるので、輻射熱が直接にウエハトレイに
到達する。つまりサセプタを加熱して、この熱が熱伝導
によつて、上面のウエハを加熱するというのではない。
輻射熱が直接にウエハトレイを加熱するので効率的であ
る。つまり、発熱量のうち、ウエハを加熱するために使
われる部分の割合いが大きい。 さらに、ウエハトレイの熱容量は小さくので、ヒータの
パワー変動に対しウエハトレイ温度が迅速に追随する。
つまり、応答性がよい。 ウエハトレイとサセプタとは別の部材であるので、ウエ
ハトレイはサセプタの上端に置くだけである。この部分
での熱伝導が少ないので、ウエハトレイからサセプタへ
熱が逃げるのを防ぐことができる。つまり、ウエハトレ
イの熱容量を実効的に小さくでき応答性を高めることが
できる。 また、ウエハトレイは単一の部材であり、裏面を自由に
加工しやすいので、厚みを変えて、ウエハトレイ上面で
温度を均一にする事ができる。試行錯誤を繰返し、均一
性を高めてゆくことも可能である。 ウエハトレイの下面に熱電対用のポケツトを設け、ここ
に熱電対先端を差込むようにすると、ポケツトにより周
囲の輻射の影響を受ける事なくウエハトレイの温度を非
接触で応答性良く測定制御することができる。A resistance heater is provided inside the susceptor, and the wafer tray is heated by radiant heat from the heater. Since the upper part of the susceptor is open, the radiant heat reaches the wafer tray directly. In other words, the susceptor is not heated, and this heat does not heat the upper surface wafer by heat conduction.
It is efficient because the radiant heat directly heats the wafer tray. That is, a large proportion of the heat generation amount is used for heating the wafer. Further, since the heat capacity of the wafer tray is small, the wafer tray temperature can quickly follow the power fluctuation of the heater.
That is, the responsiveness is good. Since the wafer tray and the susceptor are separate members, the wafer tray is simply placed on the upper end of the susceptor. Since heat conduction in this portion is small, heat can be prevented from escaping from the wafer tray to the susceptor. That is, the heat capacity of the wafer tray can be effectively reduced and the responsiveness can be improved. Further, since the wafer tray is a single member and the back surface can be easily processed freely, it is possible to change the thickness and make the temperature uniform on the upper surface of the wafer tray. It is also possible to improve the uniformity by repeating trial and error. If a thermocouple pocket is provided on the lower surface of the wafer tray and the tip of the thermocouple is plugged in here, the temperature of the wafer tray can be measured in a non-contact and responsive manner without being affected by ambient radiation due to the pocket. it can.
図面によつて本考案の実施例を説明する。 第１図は本考案の実施例に係る装置の縦断面図である。 石英エリクタ１は円筒縦長の容器である。この中に円筒
形のサセプタ２が、円筒軸を鉛直にするように、回転シ
ヤフト５によつて保持されている。サセプタ２の上方が
開口しており、サセプタ２は上壁を持つていない。 サセプタ２の開口端に、ウエハトレイ９が載置される。
ウエハトレイ９の上には、ウエハに対応する凹部13があ
り、ここにウエハ３が嵌め込まれる。 ウエハトレイ９は略円板形状であるが、周縁で下方に折
曲つた断面形状の周段部14を持つ。ウエハトレイ９は搬
送装置によりサセプタ２から取外すこと、運搬すること
もでき、またサセプタ２に着装することもできる。 ウエハトレイ９をサセプタに置いた時、周段部14が、サ
セプタ２の上端外装壁を囲むようになる。このためウエ
ハトレイ９は左右に動かず、サセプタ２に一体化する。 サセプタの中にはカーボンなどの抵抗加熱ヒータ７が設
置される。 抵抗加熱ヒータ７は、金属製の電極８によつて下方から
支持される。ヒータ７、電極８は静止している。外側に
あるサセプタ２と回転シヤフト５は回転機構（図示せ
ず）により回転することができる。当然、ウエハトレイ
９とウエハ３もサセプタ２とともに回転する。 ヒータの熱がウエハトレイの方へ向かうように、リフレ
クター10がヒータ７の下方に設けられる。リフレクター
10は、Ta,Moなど耐熱性に優れた金属板で作られてい
る。 石英リアクタ１の周囲には冷却水ジヤケツト11が設けら
れる。冷却水入口17から入つた冷却水は、冷却水ジヤケ
ツト11の中を通り石英リアクタ１の壁面を冷却する。こ
れは冷却水出口18から排出される。 ウエハトレイ９は上面は平坦であるが、下面にはいくつ
かの凹凸がある。まず中央には下向きにポケツト12があ
り、ここに熱電対６の先端が差込まれている。熱電対６
はウエハトレイの温度を測定するものである。熱電対６
は回転せず、ウエハトレイ９は回転する。このため熱電
対の先端はウエハトレイ９の裏面に近接しているが、接
触してはいない。 ポケツト12は、ヒータ７からの輻射熱を遮断し、ウエハ
トレイ９の温度を正確に測定するためのものである。リ
フレクター10の一部は同じ目的に利用される。 ウエハトレイ９の裏面は、ウエハ３での面内の温度を均
一にするために凹凸が形成されている。ウエハ３のちよ
うど裏面にあたる中央部は厚肉部15に、周辺部では薄肉
部16になつている。 これは中心からの距離ｒにより、ウエハトレイの厚みＤ
を変化させるということである。つまり、Ｄ（ｒ）とい
う凾数を考えると、この例では、ある半径ａを考えて、 ｒ＜ａ Ｄ（ｒ）＝D1 （１） ａ≦ｒ＜ｂ Ｄ（ｒ）＝D2 （２） となつている。ただし、ａは厚肉部15の薄肉部16との境
界の半径であり、ｂはウエハトレイがサセプタに支持さ
れるＢ点の中心からの距離である。また、 D1＞D2 （３） である。 このように中心で厚く、周辺で薄くするのは、中心での
熱抵抗を大きくし、中心部が過度に加熱されないためで
ある。 もしもウエハトレイの厚みが一定であれば、どうしても
トレイの中心部の温度が高くなり、周縁部で低くなる。 これを打消すために、ここでは中心で厚く、周縁で薄い
トレイの形状を選択している。 また（１）、（２）のように単純な階段凾数でなく、連
続的に厚みが変わるようにしてもよい。 たとえば、ｋ＞０として Ｄ（ｒ）＝D0−kr （４） あるいは、ｋ＞０として Ｄ（ｒ）＝D0−kr2 （５） というように一次式、二次式の依存性をもつようにして
もよい。一般に、Ｄ（ｒ）はｒの単調減少凾数であれば
よいのである。 さらに、この構造にはもうひとつ利点がある。サセプタ
２の上端と、ウエハトレイ９とが周縁のＢ点（実際はリ
ング状の領域）のみで接触しているので、ウエハトレイ
９からサセプタ２へ向う熱伝導が少ない。つまり、熱的
にみれば、ウエハトレイ９は、サセプタ２から遮断され
ている。 第２図はこの部分の拡大断面を示す。 Ｂ点でサセプタの上端がウエハトレイ裏面に接触してい
るというが、実際には凹凸のある面同士の接触であり、
空隙が多い。本当に接触している面積はごく僅かであ
る。このため、熱の伝導は極めて少なくなる。 ウエハトレイ９の熱容量はサセプタに比べて小さく、ウ
エハトレイ９はサセプタと熱的にほぼ切離されているの
で、実効的なウエハトレイの熱容量が十分に小さい。 ヒータパワーを増加あるいは減少させることにより、ウ
エハの温度を自在に変化させることができる。つまり応
答性がよいのである。An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a vertical sectional view of an apparatus according to an embodiment of the present invention. The quartz erector 1 is a vertically long cylindrical container. A cylindrical susceptor 2 is held therein by a rotary shaft 5 so that the cylindrical axis is vertical. The upper part of the susceptor 2 is open, and the susceptor 2 does not have an upper wall. A wafer tray 9 is placed on the open end of the susceptor 2.
On the wafer tray 9, there is a recess 13 corresponding to the wafer, and the wafer 3 is fitted therein. The wafer tray 9 has a substantially disk shape, but has a peripheral step portion 14 having a sectional shape bent downward at the peripheral edge. The wafer tray 9 can be detached from the susceptor 2 and carried by a transfer device, or can be attached to the susceptor 2. When the wafer tray 9 is placed on the susceptor, the peripheral step portion 14 surrounds the upper end exterior wall of the susceptor 2. Therefore, the wafer tray 9 does not move to the left and right and is integrated with the susceptor 2. A resistance heater 7 such as carbon is installed in the susceptor. The resistance heater 7 is supported from below by a metal electrode 8. The heater 7 and the electrode 8 are stationary. The susceptor 2 and the rotary shaft 5 on the outside can be rotated by a rotating mechanism (not shown). Naturally, the wafer tray 9 and the wafer 3 also rotate together with the susceptor 2. A reflector 10 is provided below the heater 7 so that the heat of the heater is directed toward the wafer tray. Reflector
10 is made of a metal plate having excellent heat resistance such as Ta and Mo. A cooling water jacket 11 is provided around the quartz reactor 1. The cooling water entering from the cooling water inlet 17 passes through the cooling water jacket 11 to cool the wall surface of the quartz reactor 1. This is discharged from the cooling water outlet 18. The upper surface of the wafer tray 9 is flat, but the lower surface has some irregularities. First, there is a pocket 12 facing downward in the center, and the tip of the thermocouple 6 is inserted therein. Thermocouple 6
Is for measuring the temperature of the wafer tray. Thermocouple 6
Does not rotate, and the wafer tray 9 rotates. Therefore, the tip of the thermocouple is close to the back surface of the wafer tray 9, but is not in contact therewith. The pocket 12 blocks the radiant heat from the heater 7 and accurately measures the temperature of the wafer tray 9. Part of the reflector 10 serves the same purpose. The back surface of the wafer tray 9 is formed with unevenness in order to make the in-plane temperature of the wafer 3 uniform. The central portion corresponding to the back surface of the wafer 3 is a thick portion 15 and the peripheral portion is a thin portion 16. This is due to the distance r from the center and the wafer tray thickness D.
Is to change. That is, considering the number of D (r), in this example, considering a certain radius a, r <a D (r) = D 1 (1) a ≦ r <b D (r) = D 2 ( 2) Here, a is the radius of the boundary between the thick portion 15 and the thin portion 16, and b is the distance from the center of the point B where the wafer tray is supported by the susceptor. Also, D 1 > D 2 (3). The reason why the thickness at the center is thick and the thickness at the periphery is thin is that the heat resistance at the center is increased and the center is not excessively heated. If the thickness of the wafer tray is constant, the temperature at the center of the tray will inevitably increase and the temperature at the peripheral edge will decrease. In order to cancel this, a tray shape having a thick center and a thin peripheral edge is selected here. Further, the thickness may be continuously changed instead of the simple step number as in (1) and (2). For example, if k> 0, D (r) = D 0 −kr (4), or if k> 0, D (r) = D 0 −kr 2 (5). You may keep it. Generally, D (r) may be a monotonically decreasing number of r. In addition, this structure has another advantage. Since the upper end of the susceptor 2 and the wafer tray 9 are in contact with each other only at the peripheral point B (actually, a ring-shaped region), heat conduction from the wafer tray 9 to the susceptor 2 is small. That is, from a thermal viewpoint, the wafer tray 9 is shielded from the susceptor 2. FIG. 2 shows an enlarged cross section of this portion. It is said that the upper end of the susceptor is in contact with the back surface of the wafer tray at the point B, but in reality it is the contact between the uneven surfaces,
There are many voids. The real contact area is very small. Therefore, heat conduction is extremely low. Since the heat capacity of the wafer tray 9 is smaller than that of the susceptor, and the wafer tray 9 is thermally separated from the susceptor, the effective heat capacity of the wafer tray is sufficiently small. The temperature of the wafer can be freely changed by increasing or decreasing the heater power. That is, the responsiveness is good.
高周波誘導加熱でなく、内部から抵抗加熱するのでウエ
ハ内の温度分布を均一にする事が容易になる。 サセプタが上面の開口した形状であり、ヒータの輻射熱
が直接にウエハトレイを加熱することになる。ウエハト
レイの熱容量が小さいので、ヒータパワーの増減によ
り、ウエハ、ウエハトレイの温度が迅速に変えられる。
ヒータパワー変動に対する温度変化の応答性がよい。 また、熱電対を直接にウエハトレイ裏面のポケツトに挿
入すれば、ウエハトレイの温度を正確に知ることができ
る。 ヒータパワーに対する温度変化の追随性が良いことと、
温度変化を迅速に測定できるということから、極めて応
答速度の速い制御系を構成することができる。 さらに、ウエハトレイの厚みを半径ｒの凾数Ｄ（ｒ）と
して変える事により、ウエハの面内での温度を均一にす
ることができる。Since the resistance heating is performed from the inside instead of the high frequency induction heating, it becomes easy to make the temperature distribution in the wafer uniform. The susceptor has an open top surface, and the radiant heat of the heater directly heats the wafer tray. Since the heat capacity of the wafer tray is small, the temperature of the wafer and the wafer tray can be quickly changed by increasing or decreasing the heater power.
Good responsiveness of temperature changes to heater power fluctuations. If the thermocouple is directly inserted in the pocket on the back surface of the wafer tray, the temperature of the wafer tray can be accurately known. Good followability of temperature change with heater power,
Since the temperature change can be measured quickly, a control system having an extremely fast response speed can be constructed. Furthermore, by changing the thickness of the wafer tray as the number D (r) of the radius r, the temperature in the plane of the wafer can be made uniform.
【図面の簡単な説明】 第１図は本考案の実施例に係る薄膜気相成長装置の概略
縦断面図。 第２図は第１図の装置のウエハトレイとサセプタの接触
部の拡大断面図。 第３図は高周波加熱を用いる従来例に係る薄膜気相成長
装置の概略縦断面図。 １……石英リアクタ ２……サセプタ ３……ウエハ ４……高周波コイル ５……回転シヤフト ６……熱電対 ７……ヒータ ８……電極 ９……ウエハトレイ 10……リフレクタ 11……冷却水ジヤケツト 12……ポケツト 13……凹部 14……周段部 17……冷却水入口 18……冷却水出口BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic vertical sectional view of a thin film vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an enlarged sectional view of a contact portion between the wafer tray and the susceptor of the apparatus shown in FIG. FIG. 3 is a schematic vertical sectional view of a conventional thin film vapor phase growth apparatus using high frequency heating. 1 ... Quartz reactor 2 ... Susceptor 3 ... Wafer 4 ... High-frequency coil 5 ... Rotating shaft 6 ... Thermocouple 7 ... Heater 8 ... Electrode 9 ... Wafer tray 10 ... Reflector 11 ... Cooling water jacket 12 …… Pocket 13 …… Concave 14 …… Circular step 17 …… Cooling water inlet 18 …… Cooling water outlet
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 立道 潤一 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (72)考案者 西川 公人 京都府京都市右京区梅津高畝町47番地 日 新電機株式会社内 (72)考案者 村田 道夫 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)考案者 柿野 裕治 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)考案者 信田 鉄夫 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Junichi Tachimichi, 47 Umezu Takaune-cho, Ukyo-ku, Kyoto City, Kyoto Prefecture Nissin Electric Co., Ltd. (72) Kimito Nishikawa, 47 Umezu-Takaune-cho, Ukyo-ku, Kyoto City, Kyoto Nisshin Inside the Electric Machinery Co., Ltd. (72) Inventor Michio Murata 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Sumitomo Electric Industries, Ltd. Yokohama Works (72) Inventor Yuji Kakino 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, Kanagawa Sumitomo Electric Industries Co., Ltd. Company Yokohama Works (72) Inventor Tetsuo Shinda 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Sumitomo Electric Industries, Ltd. Yokohama Works
Claims (2)
けられウエハ３を保持するためのサセプタ２と、サセプ
タ２を回転可能に支持する回転シヤフト５とを含み、サ
セプタ２が上面の開口した筒状であつて、サセプタ２の
内部に抵抗加熱ヒータ７が設けられ、ウエハは周縁に下
向きの周段部14を有するウエハトレイ９に載置され、ウ
エハトレイ９がサセプタ２の上に置かれるようになつて
おり、ウエハトレイの厚みが中央と周縁とで異なるよう
にした事を特徴とする薄膜気相成長装置。1. A vertically long reactor 1, a susceptor 2 provided in the reactor 1 for holding a wafer 3, and a rotary shaft 5 for rotatably supporting the susceptor 2, the susceptor 2 having an opening at an upper surface. The resistance heater 7 is provided inside the susceptor 2, the wafer is placed on the wafer tray 9 having the downwardly facing peripheral step portion 14 on the periphery, and the wafer tray 9 is placed on the susceptor 2. The thin film vapor deposition apparatus is characterized in that the thickness of the wafer tray is different between the center and the periphery.
ツト12を設け、熱電対６の先端をポケツト12に挿入して
ある事を特徴とする請求項１記載の薄膜気相成長装置。2. The thin film vapor phase growth apparatus according to claim 1, wherein a downward facing pocket 12 is provided at the center of the lower surface of the wafer tray 9 and the tip of the thermocouple 6 is inserted into the pocket 12.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10170589U JPH0735382Y2 (en) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | Thin film vapor deposition equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP10170589U JPH0735382Y2 (en) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | Thin film vapor deposition equipment |
Publications (2)
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| JPH0339835U JPH0339835U (en) | 1991-04-17 |
| JPH0735382Y2 true JPH0735382Y2 (en) | 1995-08-09 |
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ID=31650641
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10170589U Expired - Fee Related JPH0735382Y2 (en) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | Thin film vapor deposition equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4453984B2 (en) | 2004-10-19 | 2010-04-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | Substrate support / transport tray |
| JP2007211336A (en) * | 2006-01-12 | 2007-08-23 | Sharp Corp | Apparatus and method for vapor phase epitaxy |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP10170589U patent/JPH0735382Y2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0339835U (en) | 1991-04-17 |
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