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JPH07335524A - 位置合わせ方法 - Google Patents

位置合わせ方法

Info

Publication number
JPH07335524A
JPH07335524A JP6123649A JP12364994A JPH07335524A JP H07335524 A JPH07335524 A JP H07335524A JP 6123649 A JP6123649 A JP 6123649A JP 12364994 A JP12364994 A JP 12364994A JP H07335524 A JPH07335524 A JP H07335524A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
wafer
substrate
mark
conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP6123649A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Sato
眞 佐藤
Shigeyuki Uzawa
繁行 鵜沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP6123649A priority Critical patent/JPH07335524A/ja
Priority to US08/457,591 priority patent/US5585925A/en
Publication of JPH07335524A publication Critical patent/JPH07335524A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 各ショットの計測位置と設計上の位置が所定
の変換式による一意の関係で表されないようなウエハに
対しても高精度な位置合わせを可能にする。 【構成】 複数の計測位置からウエハＷ１上の各ショッ
トの位置ずれを算出するための変換式ｇ1 iを決定し、こ
の変換式ｇ1 iからの実際の計測位置のずれ量Ｅ1を予め
可能な限り多くのサンプルから求めて記憶しておき、こ
の値Ｅ1を以降のウエハＷ２の位置合わせのための変換
式ｇ2 iで重み付け値Ｗを決定するために利用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は精密な位置合わせを必要
とする装置、例えば電子回路パターンを半導体基板上に
投影露光する縮小投影型露光装置などにおいて、基板上
の複数の位置合わせ対象領域を所定の基準位置に正確に
位置合わせする位置合わせ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の集積度は近年著しく高くなり、
高集積化に伴って半導体素子上に形成されるパターン寸
法は、サブミクロンのオーダとなっている。このような
背景から半導体露光装置においては、マスクとウエハの
位置合わせ精度を向上させるための技術開発が盛んに行
なわれている。
【０００３】半導体露光装置としては縮小投影型の所謂
ステッパが広く用いられており、図５ａは縮小投影型の
半導体露光装置の一例を概略図で示したものである。
【０００４】同図において、不図示の露光照明系からの
露光光束はレチクルＲ上に形成された電子回路パターン
に照射され、このパターンを投影光学系１を介してウエ
ハＷに投影し露光する。ウエハＷはＸＹ面に沿って２次
元に移動可能なステージ１１上に載置されている。Ｓは
位置合わせ用光学系であり、同図においてはｘ方向の位
置を検出するものである。また、これと同様な不図示の
位置合わせ用光学系が搭載されており、これによりｙ方
向の位置を検出するようになっている。また、ＣＰＵ９
は露光装置全体の動作を制御するものである。
【０００５】レチクルＲとウエハＷの相対的な位置合わ
せは、露光に先立ち次のような手順により行なわれる。
不図示のウエハ搬送装置により、ウエハＷがＸＹステー
ジ１１に載置されると、ＣＰＵ９は図６で示す１番目の
計測ショットＳ１に形成されている位置合わせ用マーク
Ｍ1xおよびＭ1yが位置合わせ光学系Ｓの視野範囲内に位
置するようステージ駆動装置１０に対してコマンドを送
り、ＸＹステージ１１を駆動する。ここで、ウエハＷ上
に塗布されているレジスト（感光剤）を感光させない非
露光光を照射する位置合わせ用照明装置２より照射され
た光束は、ビームスプリッタ３、レチクルＲ、および投
影光学系１を介して、位置合わせ用マークＭ1x（以降ウ
エハマークと称する）を照明している。
【０００６】図５ｂはこのウエハマークＭ1xを詳細に示
したものであり、同一形状の矩形パターンを一定ピッチ
λpで複数配置したものである。ウエハマークＭ1xから
反射した光束は、再度投影光学系１とレチクルＲを介し
てビームスプリッタ３に到達し、ここで反射して結像光
学系４を介して撮像装置５の撮像面上にウエハマークＭ
1xの像ＷＭを形成する。撮像装置５においてマークＭ1x
の像は光電変換され、Ａ／Ｄ変換装置６において２次元
のデジタル信号列に変換される。
【０００７】図５ａの７は積算装置であり、図５ｂに示
すようにＡ／Ｄ変換装置６によりデジタル信号化された
ウエハマーク像ＷＭに対して処理ウインドウＷpを設定
し、該ウインドウ内において図５ｂに示すＹ方向に移動
平均処理を行い、２次元画像信号を１次元のデジタル信
号列Ｓ(ｘ)に変換する。
【０００８】図５ａの８は位置検出装置で、積算装置７
から出力された１次元のデジタル信号列Ｓ(ｘ)に対し、
予め記憶しておいたテンプレートパターンを用いてパタ
ーンマッチを行ない、最もテンプレートパターンとのマ
ッチ度が高いＳ(ｘ)のアドレス位置をＣＰＵ９に対して
出力する。この出力信号は撮像装置５の撮像面を基準と
したマーク位置であるため、ＣＰＵ９は予め不図示の方
法により求められている撮像装置５とレチクルＲとの相
対的な位置からウエハマークＭ1xのレチクルＲに対する
位置ａx1を計算により求める。以上で１番目の計測ショ
ットのｘ方向の位置ずれ量が計測されたことになる。次
にＣＰＵ９はｘ方向計測と同様な手順でｙ方向の位置ず
れ量ａy1を計測する。以上で、Ｓ１での計測が終了した
ことになる。
【０００９】次にＣＰＵ９は２番目の計測ショットＳ２
の位置にステージ１１を移動させ、１番目と同様な手順
でｘ，ｙ方向の位置ずれ量を計測する。以下同様に予め
定められた計測ショット数ｎ（図６の例ではｎ＝４）分
の計測を行ない、各々の計測ショットでの位置ずれ計測
値ａxi，ａyi（ｉ＝１，２・・，ｎ）を記憶する。
【００１０】この後、ＣＰＵ９は得られた各計測ショッ
トの位置ずれ量から次のようにしてウエハＷのレチクル
Ｒに対する相対的な位置合わせを行なう。各計測ショッ
トでの設計上のマーク位置ｄi ｄi＝〔ｄxi，ｄyi〕T をウエハマーク計測によって得られた実際のマーク位置
ａi ａi＝〔ａxi，ａyi〕T に補正変換により重ね合わせようとしたとき、補正の残
差ｅi ｅi＝〔ｅxi，ｅyi〕T を含んだ補正位置ｇi ｇi＝〔ｇxi，ｇyi〕T＝〔ａxi＋ｅxi，ａxi＋ｅxi〕T とｄiの関係が ｇi＝Ａｄi＋Ｓ (1) で表されたとして、補正の残差ｅiの２乗和が最小にな
るような変換パラメータＡ，Ｓを計算する。次にＣＰＵ
９はその変換パラメータＡ，Ｓを元に式(１)で補正位置
ｇiを算出し、補正位置ｇiに従ってＸＹステージ１１を
駆動する。これにより計測されたマーク位置と設計上の
マーク位置との誤差が最小になるようなステップアンド
リピートが可能となり、ウエハＷ上に形成された全ての
ショットの露光を行なっている。
【００１１】ここでＡおよびＳは、
【００１２】
【外１】 であり、αx，αyは各々ウエハのｘ方向、ｙ方向の伸
び、θx，θyは各々ショット配列のｘ軸、ｙ軸の回転成
分を表している。また、ｓはウエハ全体としての並行ず
れを表している。
【００１３】
【発明が解決しようとしている課題】この方法によれ
ば、全ての露光ショットで位置ずれ計測を行なわず、限
られたサンプルショットを使って位置合わせを行なうた
め、装置のスループットが向上するメリットがある。こ
こで、式(１)で表される関係はウエハＷの並進、回転、
及び伸縮を誤差要素とした一次式であるが、実際の半導
体製造工程で処理されるウエハの中には部分的な変形を
生じているものがあり、ウエハ全体として一次式で近似
するのでは十分な精度が得られないことがあった。
【００１４】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、その目的は、基板上に複数の位置合わせ対象領
域が形成され、この中から複数の計測対象領域を選ぶこ
とにより基板全体の位置合わせを行なう位置合わせ方法
において、各計測対象領域での計測値と設計上の位置合
わせ対象領域の位置が所定の変換式による一意の関係で
表されないような基板に対し、高精度に位置合わせを行
ない、かつ各々の基板における所定の変換式からのずれ
が変動しても適応可能な位置合わせ方法を提供すること
にある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、複数の位置合わせ対象領域（ショッ
ト）が所定の配列に従って予め形成された基板（ウエ
ハ）を順次供給し、各基板ごとにその上に形成されてい
る位置合わせ対象領域を所定の基準位置に順次位置合わ
せする位置合わせ方法において、順次供給される所定数
の基板のうち先行する少なくとも一枚の基板における位
置合わせ対象領域の設計上の位置からのずれ量を順次計
測して前記位置合わせ対象領域の実際の配列を求める第
１工程と、前記第１工程により求められた実際の配列と
設計上の配列との関係を所定の変換パラメータを含む変
換式で記述した時の誤差が最小になるよう変換パラメー
タを決定する第２工程と、前記決定された変換パラメー
タを用いて前記変換式により計算された各位置合わせ対
象領域の設計上の配列に対する誤差量を記憶する第３工
程と、後続する基板の位置合わせの際に、前記第３工程
で記憶した誤差量を当該基板において求めた変換パラメ
ータによる変換の誤差量で補正する第４工程を有するこ
とを特徴としている。
【００１６】また、より好ましくは、前記第４工程での
補正は後続する基板において求めた誤差量により重み付
け関数を決定し、前記第３工程で記憶した誤差量に対し
て該重み付け関数により重み付けを行なうようにしてい
る。なお、前記重み付け関数は位置合わせ対象領域の位
置と、先行する基板において変換パラメータを求める際
に用いた格子点との距離により決定されたり、前記第３
工程で記憶された誤差量の大きさと、後続する基板にお
いて求められた誤差量の大きさの比により決定されると
良い。
【００１７】
【作用】これにより、第１及び第２工程で可能な限り多
くのサンプル（計測対象領域）を取って計測された所定
の変換式からの誤差を、同一ロットの基板（ウエハ）に
対する位置合わせにおいて変換式の補正値とし、かつ各
々の基板における変換式からのずれの度合いに応じて補
正を行なうため、基板毎のばらつきに影響されにくい高
い位置合わせ精度を確保することができる。
【００１８】
【実施例】以下に図示の実施例に従って、本発明を詳細
に説明する。図１は、本発明による位置合わせ装置の第
１の実施例を概略図で示したものである。
【００１９】同図において、位置合わせ光学系Ｓ、及び
Ａ／Ｄ変換装置６、積算装置７、位置検出装置８の機能
は図５ａに示した従来例と同様であるので、ここでは詳
細な説明は省くが、本実施例では従来例の構成に加えて
記憶装置１２が追加されている。
【００２０】以下に図３に示したフローチャートにより
本実施例による位置合わせ方法について説明する。な
お、以下の判断及び制御は、特に指定していない場合は
ＣＰＵ９によって実行されるものである。
【００２１】ステップＳ１０１：ＣＰＵ９は不図示のウ
エハ搬送装置に対して指令を送り、処理しようとするロ
ット（例えば同一処理される１ロットのウエハは２５枚
または５０枚程度である）の最初のウエハＷ１をＸＹス
テージ１１に載置させる。
【００２２】ステップＳ１０２：載置されたウエハＷ１
がロット最初のウエハか否かを判定し、最初のウエハで
あればステップＳ１０３に進む。
【００２３】ステップＳ１０３：ＣＰＵ９は図２ａで示
す１番目の計測ショットＳ１に形成されている位置合わ
せ用マークＭ1x及びＭ1yが、位置合わせ光学系Ｓの視野
範囲内に位置するようステージ駆動装置１０に対して指
令を送り、ＸＹステージ１１を駆動する。
【００２４】ステップＳ１０４：このとき、図１におけ
る非露光光を照射する位置合わせ用照明手段２より照射
された光束は、ビームスプリッタ３、レチクルＲ、およ
び投影光学系１を介して位置合わせ用マークＭ1x，Ｍ1y
を照明している。位置合わせマークＭ1x，Ｍ1yは図５ｂ
で示した格子状マークである。Ａ／Ｄ変換装置６、積算
装置７、及び位置検出装置８は従来例で説明したのと同
様な方法でレチクルＲとマークＭ1x，Ｍ1yとの相対的な
位置ずれ量ａ1 1 ａ1 1＝〔ａ1 x1，ａ1 y1〕T を求める。
【００２５】ステップＳ１０５：ここで、ＣＰＵ９はサ
ンプル計測が終了したか否かを判定し、終了するまでス
テップＳ１０３からＳ１０４までを繰り返す。これによ
り、ウエハＷ１上の各露光ショットＳ２，Ｓ３，・・，
Ｓ２４について、そのｘ方向ずれとｙ方向ずれ量が計測
される。このときのウエハＷ１上に位置するショットを
図２ａに示す。
【００２６】ステップＳ１０６：次に、ＣＰＵ９は各計
測ショット（サンプル）での設計上のマーク位置ｄi ｄi＝〔ｄxi，ｄyi〕T をウエハマーク計測によって得られた実際のマークの位
置ずれ量ａ1 i ａ1 i＝〔ａ1 xi，ａ1 yi〕T に補正変換により重ね合わせようとしたとき、補正の残
差ｅ1 i ｅ1 i＝〔ｅ1 xi，ｅ1 yi〕T を含んだ補正位置ｇ1 i ｇ1 i＝〔ｇ1 xi，ｇ1 yi〕T＝〔ａ1 xi＋ｅ1 xi，ａ1 yi＋ｅ
1 yi〕T とｄiの関係が ｇ1 i＝Ｂ1 θ1 ｄi ＋ Ｓ1 (3) で表されたとして、補正の残差ｅi 1の２乗和が最小にな
るような変換パラメータＢ1，θ1，Ｓ1を、
【００２７】
【外２】 としたときのＶが最小になる条件の元に計算する。ここ
で、Ｂ1，θ1，Ｓ1は、
【００２８】
【外３】 である。ここでβ1 x,β1 yは各々ウエハのｘ方向、ｙ方
向の伸び、θ1 x,θ1 yは各々ショット配列のｘ軸、ｙ軸
の回転成分を表している。また、Ｓ1はウエハ全体とし
ての並行ずれを表している。これらの変換パラメータ
は、ウエハＷ１に形成されているパターンの、理想的な
位置からのずれの誤差要因として、倍率成分、回転成
分、及び並行ずれ成分を表している。
【００２９】ステップＳ１０７：この後、ＣＰＵ９は求
めた変換パラメータＢ1，θ1，Ｓ1を用いて式(３)で計
算された補正位置ｇ1 iと実際の位置ずれ量ａ1 iとの差、
即ち残差Ｅ1＝（ｅ1 1，ｅ1 2，・・・，ｅ1 24）を記憶装
置１２に記憶する。
【００３０】ステップＳ１０８：次にＣＰＵ９は求めた
変換パラメータＢ１，θ１，Ｓ１により設計上のショッ
ト配列格子（マーク位置ｄｉ）を変換した格子に従って
ＸＹステージ１１をステップアンドリピート駆動し、ウ
エハＷ１の各ショットを順次露光する。
【００３１】ステップＳ１０９：ＣＰＵ９はウエハＷ１
上の全てのショットの露光が終了した時点で、ウエハＷ
１をウエハ搬送装置により不図示のウエハ収納キャリア
に収納する。次にＣＰＵ９はステップＳ１０１に戻り、
ウエハ搬送装置により次に処理すべきウエハＷ２をＸＹ
ステージ１１に載置し、ロット最初のウエハでないこと
を条件にステップＳ１１０に進む。
【００３２】ステップＳ１１０：ＣＰＵ９は図２ｂに示
すショットＳ２に形成されている位置合わせ用マークＭ
2x，Ｍ2yが位置合わせ光学系Ｓの視野範囲内に位置する
ようステージ駆動装置１０に対して指令を送り、ＸＹス
テージ１１を駆動する。
【００３３】ステップＳ１１１：ＣＰＵ９はステップＳ
１０４で説明したのと同様の方法によりレチクルＲとマ
ークＭ2x，Ｍ2yとの相対的な位置ずれ量ａ2 2 ａ2 2＝〔ａ2 x2，ａ2 y2〕T を計測する。
【００３４】ステップＳ１１２：ＣＰＵ９は最初の場合
と同様にサンプル計測が終了するまでステップＳ１１
０、Ｓ１１１を繰り返し、ウエハＷ２上の計測対象ショ
ットＳ２，Ｓ４，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ２１，Ｓ２３につ
いて順次位置合わせマークを計測し、各ショットでのず
れ量Ａ2 Ａ2＝｛ｋ｜ａ2 k，ｋ＝２，４，１２，１３，２１，２３｝ (6) を計測する。
【００３５】ステップＳ１１３：ＣＰＵ９はステップＳ
１１０からＳ１１２で得られた各計測ショットでの位置
ずれ量Ａ2からウエハＷ２の変換パラメータＢ2，θ2，
Ｓ2をステップＳ１０６で行なったのと同様の方法によ
り求める。
【００３６】ステップＳ１１４：次にＣＰＵ９は求めた
変換パラメータＢ2，θ2，Ｓ2を用いて式(３)により格
子補正を行なった場合の、各計測ショット位置での補正
格子からの非線形誤差量Ｅ2 Ｅ2＝｛ｋ｜ｅ2 k，ｋ＝２，４，１２，１３，２１，２３｝ (7) を求め、さらにこれと先に記憶装置１２に記憶しておい
た非線形誤差分Ｅ1から、
【００３７】
【外４】 として重み付け係数Ｗを計算する。この係数Ｗは、ウエ
ハＷ２上のショット配列における非線形成分と、ウエハ
Ｗ１上のショット配列における非線形成分の比である。
【００３８】ステップＳ１１５：ＣＰＵ９はステップＳ
１１３，Ｓ１１４で求められた変換パラメータからウエ
ハＷ２のショット配列を設計上の配列格子を次式で補正
した格子とし、これに従ってＸＹステージ１１をステッ
プアンドリピートしながら全てのショットを露光する。
ただし、ｉ＝（１，２，・・・，２６）である。
【００３９】 ｇ2 i＝Ｂ2θ2ｄi＋Ｓ2＋Ｗｅ1 i (9) ステップＳ１１６：ＣＰＵ９はウエハ搬送装置に対して
指令を送り、ウエハＷ２をウエハ収納場所に収納する。
【００４０】ステップＳ１１７：以下、３枚目以降の各
ウエハについて、同一ロット内の全てのウエハについて
の処理が終るまでＷ２と同じ手順で計測、ステップアン
ドリピート露光を行なう。
【００４１】さらにＣＰＵ９は予め１ロットのウエハ枚
数を記憶しており、ウエハのロットが変わったときは、
最初の１枚目についてＷ１と同様の手順で非線形分の誤
差を計測及び記憶し、同一ロットの残りのウエハについ
てはＷ２と同様の手順を繰り返す。
【００４２】ところで、第１の実施例では非線形成分に
対する係数Ｗを各々の非線形成分の大きさの比の平均か
ら求め、これを個々のウエハに対して各々一定の値とし
て用いたが、露光時の各ショット位置に応じた係数を求
めることもできる。以下、図４のフローチャートによ
り、このような本願の第２の実施例による位置合わせ方
法について説明する。なお、ステップＳ１００からＳ１
１３までは第１の実施例と同様なので、ここでは詳細な
説明は繰り返さない。
【００４３】ステップＳ１１８：ＣＰＵ９は、ステップ
Ｓ１１３で得られた変換パラメータＢ2，θ2，Ｓ2によ
って格子補正を行なった際の各計測ショット位置での補
正格子からのずれ量Ｅ2 Ｅ2＝｛ｋ｜ｅ2 k，ｋ＝２，４，１２，１３，２１，２３｝ (10) とステップＳ１０７で得られたずれ量Ｅ1から、ｋ＝
２，４，１２，１３，２１，２３において
【００４４】
【外５】 を満たすスプライン関数ｆ2を求め、これをウエハＷ２
に関する重み付け関数として内部メモリに記憶する。た
だし（ｘk，ｙk）はｋ番目のショットの設計上の座標値
である。
【００４５】ステップＳ１１９：ＣＰＵ９はステップＳ
１１３，Ｓ１１８で求められた変換パラメータおよび重
み付け関数ｆ2からウエハＷ２のショット配列を、設計
上の配列格子点の位置を次式(１２)で補正した格子位置
ｇ2 iとし、これに従ってＸＹステージ１１をステップア
ンドリピートしながら全てのショットを露光する。ただ
し、ｉ＝（１，２，・・・，２６）である。
【００４６】 ｇ2 i＝Ｂ2θ2ｄi＋Ｓ2＋ｆ2（ｘi，ｙi）ｅ1 i (12) この場合、各ショットの格子点はウエハＷ２において求
めた誤差量とウエハＷ１において求めた誤差量の大きさ
の比の分布を表す重み付け関数ｆ2により重み付けされ
るため、ウエハＷ２の非線形成分のウエハＷ１に対する
変化を加味したものとなり、高精度の位置合わせを行な
うことができる。
【００４７】以降、第１の実施例と同様にステップＳ１
１６以降を繰り返すことにより同一ロット内の全てのウ
エハについて処理が終るまで同じ手順で計測、ステップ
アンドリピート露光を行なう。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数のサンプル位置から、位置合わせしようとする基板
上の各対象領域の位置ずれを算出する場合に、所定の変
換式からのずれ量をあらかじめ可能な限り多くのサンプ
ルから求め、それを記憶して以降の基板の位置合わせの
補正に使い、かつ位置合わせしようとする基板における
変換式からのずれ量を補正の際の重み付けとして反映さ
せることになる。このため本発明によれば、各位置合わ
せしようとする基板上の各対象領域の変換式からのずれ
の傾向が変動しても、高精度な位置合わせが可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用された半導体製造用露光装置の一
例を示す概略図。
【図２】ウエハ上のサンプルショット位置を示す図。
【図３】本発明の位置合わせ方法の第１実施例を示すフ
ローチャート。
【図４】本発明の位置合わせ方法の第２実施例を示すフ
ローチャート。
【図５】従来例の概略図。
【図６】従来例のサンプルショット位置を示す図。
【符号の説明】
１ 投影光学系 ２ 位置合わせ用照明装置 ３ ビームスプリッタ ４ 結像光学系 ５ 撮像装置 ６ Ａ／Ｄ変換装置 ７ 積算装置 ８ 位置検出装置 ９ ＣＰＵ １０ ステージ駆動装置 １１ ＸＹステージ １２ 記憶装置

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の位置合わせ対象領域が所定の配列
    に従って予め形成された基板を順次供給し、各基板ごと
    にその上に形成されている位置合わせ対象領域を所定の
    基準位置に順次位置合わせする位置合わせ方法におい
    て、 順次供給される所定数の基板のうち先行する少なくとも
    一枚の基板における位置合わせ対象領域の設計上の位置
    からのずれ量を順次計測して前記位置合わせ対象領域の
    実際の配列を求める第１工程と、 前記第１工程により求められた実際の配列と設計上の配
    列との関係を所定の変換パラメータを含む変換式で記述
    した時の誤差が最小になるよう変換パラメータを決定す
    る第２工程と、 前記決定された変換パラメータを用いて前記変換式によ
    り計算された各位置合わせ対象領域の設計上の配列に対
    する誤差量を記憶する第３工程と、 後続する基板の位置合わせの際に、前記第３工程で記憶
    した誤差量を当該基板において求めた変換パラメータに
    よる変換の誤差量で補正する第４工程と、を有すること
    を特徴とする位置合わせ方法。
  2. 【請求項２】 前記第４工程での補正は後続する基板に
    おいて求めた誤差量により重み付け関数を決定し、前記
    第３工程で記憶した誤差量に対して該重み付け関数によ
    り重み付けを行なうことを特徴とする請求項１に記載の
    位置合わせ方法。
  3. 【請求項３】 前記重み付け関数は位置合わせ対象領域
    の位置と、先行する基板において変換パラメータを求め
    る際に用いた格子点との距離により決定されることを特
    徴とする請求項２に記載の位置合わせ方法。
  4. 【請求項４】 前記重み付け関数は前記第３工程で記憶
    された誤差量の大きさと、後続する基板において求めら
    れた誤差量の大きさの比により決定されることを特徴と
    する請求項２に記載の位置合わせ方法。
JP6123649A 1994-06-06 1994-06-06 位置合わせ方法 Withdrawn JPH07335524A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6123649A JPH07335524A (ja) 1994-06-06 1994-06-06 位置合わせ方法
US08/457,591 US5585925A (en) 1994-06-06 1995-06-01 Alignment method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6123649A JPH07335524A (ja) 1994-06-06 1994-06-06 位置合わせ方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07335524A true JPH07335524A (ja) 1995-12-22

Family

ID=14865833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6123649A Withdrawn JPH07335524A (ja) 1994-06-06 1994-06-06 位置合わせ方法

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